JPH09176871A - 水溶性プリフラックス、プリント回路基板及びプリント回路基板の金属の表面処理方法 - Google Patents

水溶性プリフラックス、プリント回路基板及びプリント回路基板の金属の表面処理方法

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JPH09176871A
JPH09176871A JP7350021A JP35002195A JPH09176871A JP H09176871 A JPH09176871 A JP H09176871A JP 7350021 A JP7350021 A JP 7350021A JP 35002195 A JP35002195 A JP 35002195A JP H09176871 A JPH09176871 A JP H09176871A
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Takao Ono
隆生 大野
Shinichi Akaike
信一 赤池
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Tamura Kaken Corp
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Abstract

(57)【要約】 【目的】ＱＦＰ等のリードが狭ピッチの部品を実装する
プリント回路基板のはんだプリコート層が浸食されない
水溶性プリフラックス、その膜を形成したプリント回路
基板、その回路の金属の表面処理方法を提供すること。 【構成】アルキル基置換ベンズイミダゾール化合物の可
溶化剤としてアミノ酸等を用いた水溶性プリフラック
ス。その膜を形成したプリント回路基板、その回路の金
属の表面処理方法。 【効果】 上記目的を達成できる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、特にプリコートはんだ
層を浸食しないベンズイミダゾール系化合物の水溶性塩
を含有する水溶性プリフラックス、その膜を形成したプ
リント回路基板及びプリント回路基板の金属の表面処理
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】プリント回路基板は、例えば銅張積層基
板に回路配線のパターンを形成したものであって、その
上に電子部品を搭載して一つの回路ユニットを形成でき
るようにしたものである。このようなプリント回路基板
には、その表面に回路配線を形成した回路パターンを有
し、その回路パターンに電子部品を搭載する表面実装型
のものが多く用いられているが、その電子部品には両端
に電極を有するチップ型のものと、例えばＱＦＰ等のＩ
Ｃパッケージのように多数のリードを水平方向に設けた
表面実装型のものがあり、特に後者については半導体デ
バイスの著しい技術進歩により、殊に近年ＩＣパッケー
ジの多ピン化、狭ピッチ化が著しく、すでに０．３ｍｍ
ピッチ以下の狭ピッチ部品が出現しており、プリント基
板に対するその実装方法が検討されている。その場合、
その部品の狭ピッチのリードに対応してプリント回路基
板の回路パターンにもはんだ付けランドとして狭ピッチ
パッドを設け、各対応するリードとパッドをはんだ付け
する必要があるが、これをプリント回路基板の通常のは
んだ付けランドにはんだペーストを塗布し、これを溶融
してはんだ付けを行なう、通常の電極型のチップ部品の
はんだ付けのように、いわゆるリフローはんだ付けを行
なおうとすると、狭ピッチのパッドにはんだぺーストを
メタルマスクを用いて印刷することになるが、そのピッ
チが狭すぎるため、印刷ずれやにじみが生じることがあ
り、パッド間にもはんだペースト膜がはみ出てパッド間
を結ぶはんだペースト膜ができ、そのままにして狭ピッ
チのリードをはんだ付けするとパッド間にいわゆるはん
だブリッジが生じ、回路を短絡することになり、不良品
となる。これは、はんだペースト印刷膜の膜厚が薄すぎ
ることにより生じるはんだかすれによりはんだ付け強度
不足を生じることともに、実装歩留まりを悪くするの
で、一般のチップ部品をプリント基板にはんだ付けする
ときに使用するリフローはんだ付け方法は適用困難であ
る。
【０００３】そのはんだブリッジ等の発生を避けるた
め、予め狭ピッチパッドにはんだ層を形成する、いわゆ
るはんだプリコート法により、一般に０．２５ｍｍ〜
０．３ｍｍピッチのＱＦＰやＴＣＰ等を実装する場合、
約２０μｍの膜厚のはんだプリコートを行ない、後に他
のチップ部品を所定の位置にはんだ付けするときに、こ
れらの部品と同様にその部品のリードをプリコートのは
んだ層に接触させ、加熱することにより他の部品ととも
にリフローはんだ付けをすることが行われている。その
際、一般に狭ピッチパッドにはんだプリコート層を形成
するときにははんだが溶融する約２３０℃に加熱される
こと、生産計画の都合上その狭ピッチの部品が他のチッ
プ部品とともにはんだ付けされるまでには長時間放置さ
れることもあること、さらにははんだプリコート層上に
ははんだペーストに含有されているフラックス成分の残
さがあるため、これを水性洗浄剤（水、界面活性剤、有
機溶剤類等）で洗浄を行なう際等にはんだプリコート層
が形成されていない、通常の電極型チップ部品をはんだ
付けするためのはんだ付けランドの銅箔が酸化され、ポ
ストフラックス塗布後にその部品をリフローはんだ付け
するときに溶融はんだの濡れ性が低下し、所定のはんだ
付け強度等のはんだ付け性能が得られなくなる。そこ
で、露出しているはんだ付けランドの銅箔には、防錆処
理をほどこすことが行われており、これには特開平５−
２５４０７号公報、特開平５−１８６８８８号公報に記
載されているようにベンズイミダゾール系化合物を含有
する水溶性のプリント配線板用表面保護剤を水溶性プリ
フラックスとして用いることが知られており、これによ
ればその水溶性のプリント配線板用表面保護剤に、銅箔
の回路パターンが表面に形成されているプリント基板を
浸漬することにより、プリント回路基板の回路パターン
の銅及び合金表面が耐熱性並びに高湿度下に曝された後
でも非常に良好な被膜を形成し、プリント回路基板の保
護並びに部品実装時のはんだ付け性に極めて優れてお
り、ロジン等を含有するプリフラックスのようにその塗
布膜が銅箔以外にも形成され、部品実装後その洗浄をし
なければ回路の高い信頼性が得られないことがある場合
に比べ、その必要がないことから生産性、性能等の点で
優れ、今後の主流になりつつある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、そのプ
リント配線板用表面保護剤の主成分であるベンズイミダ
ゾール系化合物は一般には水には不溶性であるので、そ
の水溶性塩を形成する可溶化剤として塩酸、リン酸等の
無機酸又は酢酸、シュウ酸、パラトルエンスルホン酸等
の有機酸を使用して可溶化しているため、これらの可溶
化剤の酸がはんだの特に酸に弱い鉛を浸食し、その膜厚
を薄くしたり、その表面を酸化したりすることにより、
部品実装時にリードの所定のはんだ付け強度が得られな
くなることがあり、はんだ付け不良を起こして実装歩留
まりを悪くするという問題がある。
【０００５】本発明の第１の目的は、回路パターンには
んだプリコートのパッドを有するプリント回路基板のそ
のパッド以外の回路パターンの金属が防錆処理されかつ
そのはんだプリコート層の浸食がないようにできる水溶
性プリフラックス、プリント回路基板及びプリント回路
基板の製造方法を提供することにある。本発明の第２の
目的は、従来のベンズイミダゾール系化合物を用いた水
溶性プリフラックと同様な製造方法、使用方法が適用で
きる水溶性プリフラックス、プリント回路基板及びプリ
ント回路基板の製造方法を提供することにある。本発明
の第３の目的は、狭ピッチのリードを有する部品でもは
んだ付け性を害さず、しかも他のチップ部品のはんだ付
け性を害さず、実装歩留まりのよい水溶性プリフラック
ス、プリント回路基板及びプリント回路基板の製造方法
を提供することにある。本発明の第４の目的は、各使用
成分が温度変化により安定性を失なうようなことがな
く、揮発性の酸による作業環境が悪化するようなことが
ない水溶性プリフラックス、プリント回路基板及びプリ
ント回路基板の製造方法を提供することにある。本発明
の第５の目的は、プリント回路基板の回路パターンの銅
及び合金表面が耐熱性並びに高湿度下に曝された後でも
非常に良好な被膜を形成し、プリント回路基板の保護並
びに部品実装時のはんだ付け性に極めて優れる水溶性プ
リフラックス、プリント回路基板及びプリント回路基板
の製造方法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するために、（１）、下記一般式〔化１〕、〔化２〕
及び〔化３〕で表される化合物からなる群の少なくとも
１つの化合物と、その水溶性塩を形成可能の第１級アミ
ノ基、第２級アミノ基、第３級アミノ基及び窒素原子を
含む環を持つ複素環の少なくとも１つを有しかつ酸性基
を有する化合物からなる可溶化剤を含有する水溶性プリ
フラックスを提供するものである。
【化１】（式中、Ｒ1 は同一又は異なりて炭素数１〜７
の直鎖又は分岐鎖のアルキル基、Ｒ2 は直鎖又は分岐鎖
のアルキル基、Ｒ3 はフェニル基又はアルキルフェニル
基、ｎは０〜４、ｍは０〜３を表す。）
【化２】（式中、Ｒ4 は同一又は異なりて炭素数１〜７
の直鎖又は分岐鎖のアルキル基、Ｒ5 は同一又は異なり
て直鎖又は分岐鎖のアルキル基、フェニル基、アルキル
フェニル基又はフェニルアルキル基、ｎは０〜４、ｍは
０〜１０、ｐは０〜４を表す。）
【化３】（式中、Ｒ6 はアルキル基、ｎは０〜３、ｍは
０〜４、ｐは０〜３、ｑは０〜４を表す。） また、本発明は、（２）、可溶化剤が下記一般式〔化１
１〕〜〔化１６〕で表される化合物、Ｌ−テアニン、ピ
ログルタミン酸、ピロリジン２，４−ジカルボン酸、葉
酸、ＤＬ−トレオニン、Ｌ−トレオニン、Ｌ−トリプト
ファン、Ｌ−フェニルアラニン、キナルジン酸及びこれ
らの誘導体の群から選ばれる少なくとも１つの化合物で
ある上記（１）の水溶性プリフラックスを提供するもの
である。
【化１１】（式中、Ｒ7 は同一又は異なりて炭素数１〜
２０の直鎖又は分岐のアルキル基、ハロゲン原子、ヒド
ロキシル基、低級アルコキシル基、シアノ基、アセチル
基、ベンゾイル基、カルバモイル基、ホルミル基又はニ
トロ基を表し、Ｒ8 は同一又は異なりて炭素数１〜２０
の直鎖又は分岐のアルキレン基を示し、０であっても良
く、ｎは０〜４、ｍは１〜５を表す。）
【化１２】（式中、Ｒ9 は同一又は異なりて炭素数１〜
２０の直鎖又は分岐のアルキル基、ハロゲン原子、ヒド
ロキシル基、低級アルコキシル基、シアノ基、アセチル
基、ベンゾイル基、カルバモイル基、ホルミル基又はニ
トロ基を表し、Ｒ10は同一又は異なりて炭素数１〜２０
の直鎖又は分岐のアルキレン基を示し、ｎは０〜４、ｍ
は１〜５を表す。）
【化１３】（式中、Ｒ11は同一又は異なりて炭素数１〜
２０の直鎖又は分岐のアルキル基、ハロゲン原子、ヒド
ロキシル基、低級アルコキシル基、シアノ基、アセチル
基、ベンゾイル基、カルバモイル基、ホルミル基又はニ
トロ基を表し、Ｒ12は同一又は異なりて炭素数１〜２０
の直鎖又は分岐のアルキレン基を表し、ｎは０〜３、ｍ
は１〜４を表す。）
【化１４】（式中、Ｒ13は同一又は異なりて炭素数１〜
２０の直鎖又は分岐のアルキル基、ハロゲン原子、ヒド
ロキシル基、低級アルコキシル基、シアノ基、アセチル
基、ベンゾイル基、カルバモイル基、ホルミル基若しく
はニトロ基を表し、Ｒ14は同一又は異なりて炭素数１〜
２０の直鎖又は分岐のアルキレン基を表し、ｎは０〜
３、ｍは１〜４を表す。）
【化１５】（式中、Ｒ15は同一又は異なりて水素原子又
は炭素数１〜２０の直鎖又は分岐のアルキル基、ハロゲ
ン原子、ヒドロキシル基、低級アルコキシル基、シアノ
基、アセチル基、ベンゾイル基、カルバモイル基、ホル
ミル基又はニトロ基を表し、Ｒ16は同一又は異なりて炭
素数１〜２０の直鎖又は分岐のアルキレン基を表し、ｎ
は０〜２、ｍは１〜３を表す。）
【化１６】（式中、Ｒ17、Ｒ18はそれぞれ同一又は異な
りて水素原子又は炭素数１〜２０の直鎖又は分岐のアル
キル基、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、低級アルコキ
シル基、シアノ基、アセチル基、ベンゾイル基、カルバ
モイル基、ホルミル基又はニトロ基を表し、Ｒ19、Ｒ20
はそれぞれ同一又は異なりて炭素数１〜２０の直鎖又は
分岐のアルキレン基を表し、ｎは０〜２、ｍは０〜２、
ｐは０〜 、ｑは０〜１、ｒは１〜２を表す。） また、本発明は、（３）、可溶化剤として揮発性の酸を
含有しない上記（１）又は（２）の水溶性プリフラック
ス、（４）、揮発性の酸は有機酸及び無機酸の少なくと
も１種であり、有機酸はギ酸及び酢酸の少なくも１種で
あり、無機酸は塩酸である上記（３）の水溶性プリフラ
ックス、（５）、表面に回路パターンの金属層を有する
プリント回路基板において、該金属層に上記（１）ない
し（４）のいずれかの水溶性プリフラックスの膜を有す
るプリント回路基板、（６）、回路パターンの金属層は
プリコートのはんだ層を有する上記（５）のプリント回
路基板、（７）、上記（１）ないし（４）のいずれか水
溶性プリフラックスを塗布する工程を有することにより
プリント回路基板の回路パターンの金属層の防錆処理を
行なうプリント回路基板の金属の表面処理方法、
（８）、回路パターンの金属層はプリコートのはんだ層
を有し、水溶性プリフラックスを塗布する工程は該プリ
コートのはんだ層を形成後行なう上記（７）に記載のプ
リント回路基板の金属の表面処理方法、（９）、回路パ
ターンの金属層は０．３ｍｍより小さい狭ピッチパッド
を有し、該狭ピッチパッドにプリコートのはんだ層が形
成されている上記（８）のプリント回路基板の金属の表
面処理方法、（１０）、回路バターンの防錆処理は常温
で行われる上記（７）ないし（９）のいずれかのプリン
ト回路基板の金属の表面処理方法を提供するものであ
る。
【０００７】本発明において、上記一般式〔化１〕に属
する好ましい化合物としては、下記の一般式〔化４〕で
表される化合物が挙げられる。
【０００８】
【化４】
【０００９】（式中、Ｒ11は同一又は異なりて炭素数１
〜７の直鎖又は分岐鎖のアルキル基、Ｒ21は炭素数１〜
２０の直鎖又は分岐鎖のアルキル基、ｎは０〜４の整数
を表す。） この一般式〔化４〕に属する化合物の内でも下記の一般
式〔化５〕、さらにこの一般式〔化５〕に属する一般式
〔化６〕、〔化７〕で表される化合物が好ましい。
【００１０】
【化５】
【００１１】（式中、Ｒ12は低級アルキル基、Ｒ22は炭
素数３〜１７の直鎖又は分岐鎖のアルキル基、ｎは１〜
２を表す。）
【００１２】
【化６】
【００１３】（式中、ｎは０〜３を表す。） 具体的には、２−（１−エチルペンチル）ベンズイミダ
ゾール、２−（１−エチルペンチル）トシルイミダゾー
ル、２−（１−エチルペンチル）キシリルイミダゾール
が挙げられる。
【００１４】
【化７】
【００１５】（式中、ｎは０〜３を表す。） 具体的には、２−（３−メチルブチル）ベンズイミダゾ
ール、２−（３−メチルブチル）トシルイミダゾール、
２−（３−メチルブチル）キシリルイミダゾールが挙げ
られる。
【００１６】一般式〔化５〕に属するその他の具体的化
合物としては、２−ｎ−プロピル−メチルベンズイミダ
ゾール、２−ｎ−プロピル−ジメチルベンズイミダゾー
ル、２−ｎ−ブチル−メチルベンズイミダゾール、２−
ｎ−ブチル−ジメチルベンズイミダゾール、２−ｎ−ペ
ンチル−メチルベンズイミダゾール、２−ｎ−ペンチル
−ジメチルベンズイミダゾール、２−ｎ−ヘキシル−メ
チルベンズイミダゾール、２−ｎ−ヘキシル−ジメチル
ベンズイミダゾール、２−ｎ−ヘプチル−メチルベンズ
イミダゾール、２−ｎ−ヘプチル−ジメチルベンズイミ
ダゾール、２−ｎ−オクチル−メチルベンズイミダゾー
ル、２−ｎ−オクチル−ジメチルベンズイミダゾール、
２−ｎ−ノニル−メチルベンズイミダゾール、２−ｎ−
ノニル−ジメチルベンズイミダゾール、２−ｎ−デシル
−メチルベンズイミダゾール、２−ｎ−デシル−ジメチ
ルベンズイミダゾール、２−ｎ−ウンデシル−メチルベ
ンズイミダゾール、２−ｎ−ウンデシル−ジメチルベン
ズイミダゾール、２−ｎ−ドデシル−メチルベンズイミ
ダゾール、２−ｎ−ドデシル−ジメチルベンズイミダゾ
ール、２−ｎ−トリデシル−メチルベンズイミダゾー
ル、２−ｎ−トリデシル−ジメチルベンズイミダゾー
ル、２−ｎ−テトラデシル−メチルベンズイミダゾー
ル、２−ｎ−テトラデシル−ジメチルベンズイミダゾー
ル、２−ｎ−ペンタデシル−メチルベンズイミダゾー
ル、２−ｎ−ペンタデシル−ジメチルベンズイミダゾー
ル、２−ｎ−ヘキサデシル−メチルベンズイミダゾー
ル、２−ｎ−ヘキサデシル−ジメチルベンズイミダゾー
ル、２−ｎ−ヘプタデシル−メチルベンズイミダゾー
ル、２−ｎ−ヘプタデシル−ジメチルベンズイミダゾー
ル、２−イソプロピル−メチルベンズイミダゾール、２
−イソプロピル−ジメチルベンズイミダゾール、２−イ
ソブチル−メチルベンズイミダゾール、２−イソブチル
−ジメチルベンズイミダゾール、２−ｓｅｃ−ブチル−
メチルベンズイミダゾール、２−ｓｅｃ−ブチル−ジメ
チルベンズイミダゾール、２−ｔｅｒｔ−ブチル−メチ
ルベンズイミダゾール、２−ｔｅｒｔ−ブチル−ジメチ
ルベンズイミダゾール、２−イソペンチル−メチルベン
ズイミダゾール、２−イソペンチル−ジメチルベンズイ
ミダゾール、２−ネオペンチル−メチルベンズイミダゾ
ール、２−ネオペンチル−ジメチルベンズイミダゾー
ル、２−ｔｅｒｔ−フェニル−メチルベンズイミダゾー
ル、２−ｔｅｒｔ−フェニル−ジメチルベンズイミダゾ
ール、２−イソヘキシル−メチルベンズイミダゾール、
２−イソヘキシル−ジメチルベンズイミダゾール等が挙
げられる。
【００１７】また、上記一般式〔化５〕〜〔化７〕に属
さない一般式〔化４〕に属する好ましい具体的化合物と
しては、６−メチル−２−ｎ−プロピルベンズイミダゾ
ール、４、５、６、７−テトラメチル−２−ｎ−プロピ
ルベンズイミダゾール等が挙げられる。上記一般式〔化
１〕、〔化４〕〜〔化７〕に属する最も好ましい化合物
としては後述の実施例に記載されたものが挙げられる。
【００１８】本発明において、上記一般式〔化２〕に属
する好ましい化合物としては、下記の一般式〔化８〕で
表される化合物が挙げられる。
【００１９】
【化８】
【００２０】（式中、Ｒ51はアルキル基、フェニル基、
アルキルフェニル基、フェニルアルキル基、ｎは０〜
３、ｍは０〜３を表す。） また、上記〔化２〕に属する好ましい化合物として〔化
９〕の化合物も挙げられる。
【００２１】
【化９】
【００２２】（Ｒ41、Ｒ52は同一又は異なりて炭素数１
〜７個の直鎖又は分岐鎖のアルキル基、ｎ、ｐは０〜４
の整数、ｍは０〜１０の整数を表す。） この〔化９〕に属する好ましい化合物としては、次の一
般式〔化１０〕の化合物が挙げられる。
【００２３】
【化１０】
【００２４】（式中、Ｒ42、Ｒ53は同一又は異なりて低
級アルキル基、ｎ、ｍは０〜２を表す。） 具体的には、２−フェニル−メチルベンズイミダゾー
ル、２−フェニル−ジメチルベンズイミダゾール、２−
トシル−メチルベンズイミダゾール、２−トシル−ジメ
チルベンズイミダゾール、２−キシリル−メチルベンズ
イミダゾール、２−キシリル−ジメチルベンズイミダゾ
ール、２−メシチル−メチルベンズイミダゾール、２−
メシチル−ジメチルベンズイミダゾール等が挙げられ
る。
【００２５】その他の上記一般式〔化９〕に属する具体
的化合物としては、２−（８−フェニルオクチル）ベン
ズイミダゾール、５，６−ジメチル−２−（２−フェニ
ルエチル）ベンズイミダゾール等が挙げられる。上記一
般式〔化２〕、〔化８〕〜〔化１０〕に属する最も好ま
しい化合物としては後述の実施例に記載されたものが挙
げられる。
【００２６】本発明において、上記一般式〔化３〕に属
する好ましい化合物としては、後述の実施例に記載され
たものが挙げられる。
【００２７】本発明の水溶性プリフラックスは、上記の
一般式〔化１〕〜〔化１０〕で示される、いわゆるベン
ズイミダゾール系化合物を溶媒に溶解あるいは乳化させ
た状態にするのが使用上都合が良い。その溶媒としては
水あるいは水に混ざる溶剤さらにはこれらの混合物が挙
げられる。その際、ベンズイミダゾール系化合物は、一
般に水に不溶性であるので、可溶化剤として酸を用いる
が、その酸としては、その水溶性塩を形成可能の第１級
アミノ基、第２級アミノ基、第３級アミノ基及び窒素原
子を含む環を持つ複素環の少なくとも１つを有しかつ酸
性基を有する化合物が用いられるが、上記一般式〔１
１〕〜〔１６〕で表される化合物、Ｌ−テアニン、ピロ
グルタミン酸、ピロリジン２，４−ジカルボン酸、葉
酸、ＤＬ−トレオニン、Ｌ−トレオニン、Ｌ−トリプト
ファン、Ｌ−フェニルアラニン、キナルジン酸及びこれ
らの誘導体の群から選ばれる少なくとも１つの化合物で
あることが好ましい。上記一般式〔１１〕〜〔１６〕で
表される化合物の具体的化合物、Ｌ−テアニン等は、そ
れぞれ順に表１〜表７に示されている。
【００２８】
【表１】
【００２９】
【表２】
【００３０】
【表３】
【００３１】
【表４】
【００３２】
【表５】
【００３３】
【表６】
【００３４】
【表７】
【００３５】これら酸は併用することもできる。これら
の酸は水に対して０．０１〜２０％、好ましくは０．１
〜５％添加する。この際、臭気の問題をなくし、作業環
境を悪化させない等の点からは、後述するように常温処
理ができることとともに、ギ酸、酢酸等の揮発性有機
酸、塩酸等の揮発性無機酸は使用しないことが好まし
い。また、水に混ざる溶剤としては、水に任意に混合す
る溶剤、水に溶解性の大きい溶剤が挙げられるが、例え
ばメタノール、エタノール、イソプロパノール、ブタノ
ール、アセトン、メチルエチルケトン、テトラヒドロフ
ラン、ジオキサン、ジメチルスルフオキシド、ジメチル
ホルムアミド等が挙げられ、これらの溶剤を必要に応じ
て適宜加えても良い。本発明の水溶性プリフラックスに
おける、本発明に係わる上記ベンズイミダゾール系化合
物の含有量は、０．０５〜３０重量％、好ましくは０．
１〜５重量％が良く、０．０５重量％未満では有効な防
錆膜が形成されず、３０重量％を越えると不溶解分が多
くなり易く、経済的でもない。
【００３６】本発明の水溶性プリフラックスには、さら
に銅との錯体被膜形成助剤として例えばギ酸銅、塩化第
一銅、塩化第二銅、シュウ酸銅、酢酸銅、水酸化銅、酸
化銅、酸化第一銅、酸化第二銅、炭酸銅、リン酸銅、硫
酸銅、ギ酸マンガン、塩化マンガン、シュウ酸マンガ
ン、硫酸マンガン、リチウム、ベリリウム、カリウム、
マグネシウム、酢酸亜鉛、酢酸鉛、水素化亜鉛、塩化第
一鉄、塩化第二鉄、酸化第一鉄、酸化第二鉄、ヨウ化
銅、臭化第一銅、臭化第二銅等の金属化合物を添加して
も良く、これらは１種又は２種以上用いられる。添加量
は処理液に対して０．０１〜１０％、好ましくは０．１
〜５％である。また、上記金属化合物を使用した金属イ
オンを含有する緩衝液を併用することも好ましく、その
ための代表的塩基としてアンモニア、ジエチルアミン、
トリエチルアミン、ジエタノールアミン、トリエタノー
ルアミン、モノエタノールアミン、ジメチルエタノール
アミン、ジエチルエタノールアミン、イソプロピルエタ
ノールアミン、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等が
挙げられる。
【００３７】これらのことから、上記一般式〔化１〕、
〔化２〕及び〔化３〕で表される化合物からなる群の少
なくとも１つの化合物と、上記一般式〔化１１〕〜〔化
１６〕で表される化合物、Ｌ−テアニン、ピログルタミ
ン酸、ピロリジン２，４−ジカルボン酸、葉酸、ＤＬ−
トレオニン、Ｌ−トレオニン、Ｌ−トリプトファン、Ｌ
−フェニルアラニン、キナルジン酸及びこれらの誘導体
の群から選ばれる少なくとも１つの化合物からなる可溶
化剤と、上記金属化合物の少なくとも１種（又は上記金
属化合物の少なくとも１種の金属イオンを含有する緩衝
液）を含有することも好ましい。本発明の水溶性プリフ
ラックスを塗布して防錆処理をし、防錆膜を形成するに
は、処理対象のプリント回路基板の銅層の表面を研磨、
脱脂、酸洗、水洗する前処理工程を経た後、その水溶性
プリフラックスに０〜１００℃で数秒から数十分、好ま
しくは１０〜５０℃、より好ましくは各成分が温度変化
によってもその安定化性を失わない点からは常温（２０
±５℃）、高くする場合でも３０℃までで５秒〜１時
間、好ましくは１０秒〜１０分間プリント回路基板を浸
漬する。その処理液は酸性であれば良いが、好ましくは
ｐＨ５．０以下である。このようにして本発明に係わる
ベンズイミダゾール系化合物は銅層に付着するが、その
付着量は処理温度を高く、処理時間を長くする程多くな
る。超音波を利用すると尚良い。なお、他の塗布手段、
例えば噴霧法、刷毛塗り、ローラー塗り等も使用でき
る。このようにして得られた防錆膜は高温、高湿下でも
はんだ付け性が極めて良い。
【００３８】本発明のプリント回路基板を製造するに
は、例えば次の工程を行う。 銅張積層板からなる基板にＱＦＰ等の狭ピッチ部品
のリードをはんだ付けする狭ピッチパッドと他の電極型
のチップ部品をはんだ付けするはんだ付けランドを有す
る所定の回路配線からなる回路パターンをエッチングに
より形成し、狭ピッチパッドとはんだ付けランド以外を
ソルダーレジストで被覆する工程、その回路パターン
の銅表面を研磨、脱脂、酸洗（ソフトエッチング）、水
洗する前処理工程、 上記狭ピッチパッドにはんだプ
リコート用ソルダーペースト（はんだ粉末とフラックス
を含有する）を塗布する工程、 加熱してリフロー法
によりはんだプリコート層を形成する工程、 洗浄剤
（水、有機溶剤及、界面活性剤等からなる）でフラック
スの残さを洗浄する工程、 他の露出しているはんだ
付けランドの銅面を上記〔化１〕〜〔化１０〕で表され
る少なくとも１つの化合物を上記〔化１１〕〜〔化１
６〕等で表される少なくとも１つの化合物で可溶化した
上記水溶性プリフラックスを塗布、乾燥する工程を少な
くとも有する。このようにすると、水溶性プリフラック
スに含有されている上記一般式〔化１１〕〜〔化１６〕
等の化合物は酸根を有するがはんだプリコート層のはん
だを浸食せず、得られたプリフラックス膜は銅面の酸化
を防止し、防錆膜として機能する。このようにして得ら
れたプリント回路基板にはポストフラックスが塗布され
た後、上記はんだ付けランドにはソルダーペースト（は
んだ粉末とフラックスを含有する）が塗布され、上記チ
ップ部品及び上記狭ピッチ部品が所定の箇所に位置付け
されて上記狭ピッチパッドのはんだプリコート層に対す
る上記狭ピッチ部品のリード、上記はんだ付けランドに
対する上記チップ部品の電極がリフローはんだ付けされ
る。
【００３９】
【発明の実施の形態】次に発明の実施の形態を以下の実
施例により説明する。
【００４０】
【実施例】
実施例１ ２重量％のアラニン水溶液１００ｇに硫酸銅０．１ｇ、
６−メチル−２−ｎ−プロピルベンズイミダゾール１．
０ｇ、２５％アンモニア水０．１ｇを順次加えて混和
し、水溶性プリフラックスを調製した。この水溶性プリ
フラックスを用いて、上記〜等によりプリント回路
基板が製造されるが、水溶性プリフラックスの性能を調
べるため、便宜的に次の実験を行うが、本願発明のプリ
ント回路基板、その製造方法の主要部はこれに準じて考
えられるものである。すなわち、３０ｍｍ×３０ｍｍ×
０．３ｍｍの銅板にソルダーペースト（Ｓｎ／Ｐｂ＝６
３／３７のはんだ粉末とフラックス（ロジンと活性剤を
含有する）からなる）を用いてはんだプリコート層を形
成したはんだメッキ板を試験片として、脱脂し、表面を
清浄にした後、上記水溶性プリフラックスに２０℃、１
分浸漬した。その後水洗、温風乾燥した試験片の表面を
ＳＥＭ（電子顕微鏡）観察により評価した結果を表８に
示す。なお、上記銅板を試験片として、脱脂し、表面を
清浄にした後、上記水溶性プリフラックスに２０℃、１
分浸漬し、その後水洗、温風乾燥したその表面にポスト
フラックスを塗布し、はんだ濡れ試験（平衡法）をＪＩ
Ｓ−Ｃ−００５３に準拠して行い、はんだ拡がり試験を
ＪＩＳ−Ｚ−３１９７に準拠して行ったところ、いずれ
も良好な結果が得られた。
【００４１】実施例２ 実施例１において、２重量％のアラニン水溶液の代わり
に２重量％のアミノドデカン酸水溶液を用いた以外は同
様にしてはんだメッキ板の試験片を試験した結果を表８
に示す。なお、実施例１と同様に銅板の試験片について
はんだ濡れ試験、はんだ拡がり試験を行った結果も良好
であった。
【００４２】実施例３ 実施例１において、２重量％のアラニン水溶液の代わり
に２重量％のイミノジ酢酸を用いた以外は同様にしては
んだメッキ板の試験片を試験した結果を表８に示す。な
お、実施例１と同様に銅板の試験片についてはんだ濡れ
試験、はんだ拡がり試験を行った結果も良好であった。
【００４３】実施例４ ２重量％のアントラニル酸水溶液１００ｇに４，５，
６，７−テトラメチル−２−ｎ−ヘキシルベンズイミダ
ゾール１．０ｇ、硫酸銅０．１ｇを順次加えて混和し、
水溶性プリフラックスを調製した。実施例１において、
この水溶性プリフラックスを用いた以外は同様にしては
んだメッキ板の試験片を試験した結果を表８に示す。な
お、実施例１と同様に銅板の試験片についてはんだ濡れ
試験、はんだ拡がり試験を行った結果も良好であった。
【００４４】
【表８】
【００４５】実施例４〜３３ 実施例１〜３において、６−メチル−２−ｎ−プロピル
ベンズイミダゾールの代わりに表９のそれぞれの実施例
の欄に記載されたベンズイミダゾール系化合物を用いた
以外は同様にしてはんだメッキ板の試験片を試験した結
果はこれらの実施例１〜３の場合と同様に良好であり、
また、実施例１と同様に銅板の試験片についてはんだ濡
れ試験、はんだ拡がり試験を行った結果も良好であっ
た。
【００４６】
【表９】
【００４７】実施例３４〜４３ 実施例１〜３において、６−メチル−２−ｎ−プロピル
ベンズイミダゾールの代わりに表９のそれぞれの実施例
の欄に記載されたベンズイミダゾール系化合物を用いた
以外は同様にしてはんだメッキ板の試験片を試験した結
果はこれらの実施例１〜３の場合と同様に良好であり、
また、実施例１と同様に銅板の試験片についてはんだ濡
れ試験、はんだ拡がり試験を行った結果も良好であっ
た。
【００４８】
【表１０】
【００４９】実施例４４ 実施例１〜３において、６−メチル−２−ｎ−プロピル
ベンズイミダゾールの代わりに、２−（１−メチルプロ
ピル）ベンズイミダゾールを用いた以外は同様にしては
んだメッキ板の試験片を試験した結果はこれらの実施例
１、２の場合と同様に良好であり、また、実施例１と同
様に銅板の試験片についてはんだ濡れ試験、はんだ拡が
り試験を行った結果も良好であった。
【００５０】実施例４５〜６７ 実施例４４において、２−（１−メチルプロピル）ベン
ズイミダゾールの代わりに表１１のそれぞれの実施例の
欄に記載されたベンズイミダゾール系化合物を用いた以
外は実施例４４と同様にしてはんだメッキ板の試験片を
試験した結果は実施例４３の場合と同様に良好であり、
また、実施例１と同様に銅板の試験片についてはんだ濡
れ試験、はんだ拡がり試験を行った結果も良好であっ
た。
【００５１】
【表１１】
【００５２】実施例６８ 実施例４４において、２−（１−メチルプロピル）ベン
ズイミダゾールの代わりに４，５，６，７−テトラメチ
ル−２−ｎ−プロピルベンズイミダゾールを用いた以外
は実施例４４と同様にしてはんだメッキ板の試験片を試
験した結果は実施例１の場合と同様に良好であり、ま
た、実施例１と同様に銅板の試験片についてはんだ濡れ
試験、はんだ拡がり試験を行った結果も良好であった。
【００５３】実施例６９ 実施例４４において、２−（１−メチルプロピル）ベン
ズイミダゾールの代わりに２−（３−メチルブチル）メ
チルベンズイミダゾールを用いた以外は実施例４４と同
様にしてはんだメッキ板の試験片を試験した結果は実施
例１の場合と同様に良好であり、また、実施例１と同様
に銅板の試験片についてはんだ濡れ試験、はんだ拡がり
試験を行った結果も良好であった。
【００５４】実施例７０ 実施例４４において、２−（１−メチルプロピル）ベン
ズイミダゾールの代わりに２−（３−メチルブチル）ジ
メチルベンズイミダゾールを１％用いた以外は実施例４
４と同様にしてはんだメッキ板の試験片を試験した結果
は実施例１の場合と同様に良好であり、また、実施例１
と同様に銅板の試験片についてはんだ濡れ試験、はんだ
拡がり試験を行った結果も良好であった。
【００５５】実施例７１ 実施例４４において、２−（１−メチルプロピル）ベン
ズイミダゾールの代わりに２−（３−メチルブチル）ベ
ンズイミダゾールを０．５％、２−（３−メチルブチ
ル）メチルベンズイミダゾールを０．５％用いた以外は
実施例４４と同様にしてはんだメッキ板の試験片を試験
した結果は実施例１の場合と同様に良好であり、また、
実施例１と同様に銅板の試験片についてはんだ濡れ試
験、はんだ拡がり試験を行った結果も良好であった。
【００５６】実施例７２ 実施例４４において、２−（１−メチルプロピル）ベン
ズイミダゾールの代わりに２−（１−エチルペンチル）
ベンズイミダゾール、２−（１−エチルペンチル）トシ
ルイミダゾールを合計で１％用いた以外は実施例４４と
同様にしてはんだメッキ板の試験片を試験した結果は実
施例１の場合と同様に良好であり、また、実施例１と同
様に銅板の試験片についてはんだ濡れ試験、はんだ拡が
り試験を行った結果も良好であった。
【００５７】実施例７３〜１０１ 実施例４４において、２−（１−メチルプロピル）ベン
ズイミダゾールの代わりに表１２のそれぞれの実施例の
欄に記載されたベンズイミダゾール系化合物を用いた以
外は実施例４４と同様にしてはんだメッキ板の試験片を
試験した結果は実施例１の場合と同様に良好であり、ま
た、実施例１と同様に銅板の試験片についてはんだ濡れ
試験、はんだ拡がり試験を行った結果も良好であった。
【００５８】
【表１２】
【００５９】実施例１０２ 実施例４４において、２−（１−メチルプロピル）ベン
ズイミダゾールの代わりに２−（８−フェニルオクチ
ル）ベンズイミダゾールを用いた以外は実施例４４と同
様にしてはんだメッキ板の試験片を試験した結果は実施
例１の場合と同様に良好であり、また、実施例１と同様
に銅板の試験片についてはんだ濡れ試験、はんだ拡がり
試験を行った結果も良好であった。
【００６０】実施例１０３ 実施例４４において、２−（１−メチルプロピル）ベン
ズイミダゾールの代わりに５，６−ジメチル−２−（２
−フェニルエチル）ベンズイミダゾールを用いた以外は
実施例４４と同様にしてはんだメッキ板の試験片を試験
した結果は実施例１の場合と同様に良好であり、また、
実施例１と同様に銅板の試験片についてはんだ濡れ試
験、はんだ拡がり試験を行った結果も良好であった。
【００６１】実施例１０４〜１２０ 実施例４４において、２−（１−メチルプロピル）ベン
ズイミダゾールの代わりに表１３のそれぞれの実施例の
欄に記載されたベンズイミダゾール系化合物を用いた以
外は実施例４４と同様にしてはんだメッキ板の試験片を
試験した結果は実施例１の場合と同様に良好であり、ま
た、実施例１と同様に銅板の試験片についてはんだ濡れ
試験、はんだ拡がり試験を行った結果も良好であった。
【００６２】
【表１３】
【００６３】比較例１ 実施例１において、２重量％のアラニン水溶液に代えて
２重量％の酢酸水溶液を用いた以外は実施例１と同様に
してはんだメッキ板の試験片を試験した結果を表７に示
す。なお、実施例１と同様に銅板の試験片についてはん
だ濡れ試験、はんだ拡がり試験を行った結果は良好であ
った。
【００６４】比較例２ 実施例１において、２重量％のアミノドデカン酸水溶液
に代えて２重量％の酒石酸水溶液を用いた以外は実施例
１と同様にしてはんだメッキ板の試験片を試験した結果
を表７に示す。なお、実施例１と同様に銅板の試験片に
ついてはんだ濡れ試験、はんだ拡がり試験を行った結果
は良好であった。
【００６５】
【発明の効果】本発明によれば、回路パターンにはんだ
プリコートのパッドを有するプリント回路基板のそのパ
ッド以外の回路パターンの金属が防錆処理されかつその
はんだプリコート層の浸食がないようにでき、従来のベ
ンズイミダゾール系化合物を用いた水溶性プリフラック
と同様な製造方法、使用方法が適用でき、しかも常温処
理できることにより各使用成分が温度変化により安定性
を失なうようなことがなく、揮発性の酸を使用しなくて
も良いため作業環境が悪化するようなことがない。この
ようにして狭ピッチのリードを有する部品でもはんだ付
け性を害さず、しかも他のチップ部品のはんだ付け性を
害さず、実装歩留まりが良く、そしてプリント回路基板
の回路パターンの銅又は銅合金表面が耐熱性並びに高湿
度下に曝された後でも非常に良好な被膜を形成し、プリ
ント回路基板の保護並びに部品実装時のはんだ付け性に
極めて優れる水溶性プリフラックス、プリント回路基板
及びプリント回路基板の製造方法を提供することができ
る。
【表２】
【表２】
【表７】
【表７】
【表８】
【表８】

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 下記一般式〔化１〕、〔化２〕及び〔化
    ３〕で表される化合物からなる群の少なくとも１つの化
    合物と、その水溶性塩を形成可能の第１級アミノ基、第
    ２級アミノ基、第３級アミノ基及び窒素原子を含む環を
    持つ複素環の少なくとも１つを有しかつ酸性基を有する
    化合物からなる可溶化剤を含有する水溶性プリフラック
    ス。 【化１】 （式中、Ｒ1 は同一又は異なりて炭素数１〜７の直鎖又
    は分岐鎖のアルキル基、Ｒ2 は直鎖又は分岐鎖のアルキ
    ル基、Ｒ3 はフェニル基又はアルキルフェニル基、ｎは
    ０〜４、ｍは０〜３を表す。） 【化２】 （式中、Ｒ4 は同一又は異なりて炭素数１〜７の直鎖又
    は分岐鎖のアルキル基、Ｒ5 は同一又は異なりて直鎖又
    は分岐鎖のアルキル基、フェニル基、アルキルフェニル
    基又はフェニルアルキル基、ｎは０〜４、ｍは０〜１
    ０、ｐは０〜４を表す。） 【化３】 （式中、Ｒ6 はアルキル基、ｎは０〜３、ｍは０〜４、
    ｐは０〜３、ｑは０〜４を表す。）
  2. 【請求項２】 可溶化剤が下記一般式〔化１１〕〜〔化
    １６〕で表される化合物、Ｌ−テアニン、ピログルタミ
    ン酸、ピロリジン２，４−ジカルボン酸、葉酸、ＤＬ−
    トレオニン、Ｌ−トレオニン、Ｌ−トリプトファン、Ｌ
    −フェニルアラニン、キナルジン酸及びこれらの誘導体
    の群から選ばれる少なくとも１つの化合物である請求項
    １記載の水溶性プリフラックス。 【化１１】 （式中、Ｒ7 は同一又は異なりて炭素数１〜２０の直鎖
    又は分岐のアルキル基、ハロゲン原子、ヒドロキシル
    基、低級アルコキシル基、シアノ基、アセチル基、ベン
    ゾイル基、カルバモイル基、ホルミル基又はニトロ基を
    表し、Ｒ8 は同一又は異なりて炭素数１〜２０の直鎖又
    は分岐のアルキレン基を示し、０であっても良く、ｎは
    ０〜４、ｍは１〜５を表す。） 【化１２】 （式中、Ｒ9 は同一又は異なりて炭素数１〜２０の直鎖
    又は分岐のアルキル基、ハロゲン原子、ヒドロキシル
    基、低級アルコキシル基、シアノ基、アセチル基、ベン
    ゾイル基、カルバモイル基、ホルミル基又はニトロ基を
    表し、Ｒ10は同一又は異なりて炭素数１〜２０の直鎖又
    は分岐のアルキレン基を示し、ｎは０〜４、ｍは１〜５
    を表す。） 【化１３】 （式中、Ｒ11は同一又は異なりて炭素数１〜２０の直鎖
    又は分岐のアルキル基、ハロゲン原子、ヒドロキシル
    基、低級アルコキシル基、シアノ基、アセチル基、ベン
    ゾイル基、カルバモイル基、ホルミル基又はニトロ基を
    表し、Ｒ12は同一又は異なりて炭素数１〜２０の直鎖又
    は分岐のアルキレン基を表し、ｎは０〜３、ｍは１〜４
    を表す。） 【化１４】 （式中、Ｒ13は同一又は異なりて炭素数１〜２０の直鎖
    又は分岐のアルキル基、ハロゲン原子、ヒドロキシル
    基、低級アルコキシル基、シアノ基、アセチル基、ベン
    ゾイル基、カルバモイル基、ホルミル基又はニトロ基を
    表し、Ｒ14は同一又は異なりて炭素数１〜２０の直鎖又
    は分岐のアルキレン基を表し、ｎは０〜３、ｍは１〜４
    を表す。） 【化１５】 （式中、Ｒ15は同一又は異なりて水素原子又は炭素数１
    〜２０の直鎖又は分岐のアルキル基、ハロゲン原子、ヒ
    ドロキシル基、低級アルコキシル基、シアノ基、アセチ
    ル基、ベンゾイル基、カルバモイル基、ホルミル基又は
    ニトロ基を表し、Ｒ16は同一又は異なりて炭素数１〜２
    ０の直鎖又は分岐のアルキレン基を表し、ｎは０〜２、
    ｍは１〜３を表す。） 【化１６】 （式中、Ｒ17、Ｒ18はそれぞれ同一又は異なりて水素原
    子又は炭素数１〜２０の直鎖又は分岐のアルキル基、ハ
    ロゲン原子、ヒドロキシル基、低級アルコキシル基、シ
    アノ基、アセチル基、ベンゾイル基、カルバモイル基、
    ホルミル基又はニトロ基を表し、Ｒ19、Ｒ20はそれぞれ
    同一又は異なりて炭素数１〜２０の直鎖又は分岐のアル
    キレン基を表し、ｎは０〜２、ｍは０〜２、ｐは０〜
    、ｑは０〜１、ｒは１〜２を表す。）
  3. 【請求項３】 可溶化剤として揮発性の酸を含有しない
    請求項１又は２に記載の水溶性プリフラックス。
  4. 【請求項４】 揮発性の酸は有機酸及び無機酸の少なく
    とも１種であり、有機酸はギ酸及び酢酸の少なくも１種
    であり、無機酸は塩酸である請求項３記載の水溶性プリ
    フラックス。
  5. 【請求項５】 表面に回路パターンの金属層を有するプ
    リント回路基板において、該金属層に請求項１ないし４
    のいずれかに記載の水溶性プリフラックスの膜を有する
    プリント回路基板。
  6. 【請求項６】 回路パターンの金属層はプリコートのは
    んだ層を有する請求項５に記載のプリント回路基板。
  7. 【請求項７】 請求項１ないし４のいずれかに記載の水
    溶性プリフラックスを塗布する工程を有することにより
    プリント回路基板の回路パターンの金属層の防錆処理を
    行なうプリント回路基板の金属の表面処理方法。
  8. 【請求項８】 回路パターンの金属層はプリコートのは
    んだ層を有し、水溶性プリフラックスを塗布する工程は
    該プリコートのはんだ層を形成後行なう請求項７に記載
    のプリント回路基板の金属の表面処理方法。
  9. 【請求項９】 回路パターンの金属層は０．３ｍｍより
    小さい狭ピッチパッドを有し、該狭ピッチパッドにプリ
    コートのはんだ層が形成されている請求項８に記載のプ
    リント回路基板の金属の表面処理方法。
  10. 【請求項１０】 回路バターンの防錆処理は常温で行わ
    れる請求項７ないし９のいずれかに記載のプリント回路
    基板の金属の表面処理方法。
JP7350021A 1995-12-25 1995-12-25 水溶性プリフラックス、プリント回路基板及びプリント回路基板の金属の表面処理方法 Pending JPH09176871A (ja)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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WO2001078931A1 (fr) * 2000-04-17 2001-10-25 Fujitsu Limited Assemblage par brasure
JP2003528810A (ja) * 1999-08-04 2003-09-30 ミレニアム ファーマスーティカルズ インク メラノコルチン−４受容体結合化合物及びその使用方法
JP2022054426A (ja) * 2020-09-25 2022-04-06 株式会社タムラ製作所 プリント配線基板の表面処理方法、およびプリント配線基板の製造方法

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003528810A (ja) * 1999-08-04 2003-09-30 ミレニアム ファーマスーティカルズ インク メラノコルチン−４受容体結合化合物及びその使用方法
WO2001078931A1 (fr) * 2000-04-17 2001-10-25 Fujitsu Limited Assemblage par brasure
JP2022054426A (ja) * 2020-09-25 2022-04-06 株式会社タムラ製作所 プリント配線基板の表面処理方法、およびプリント配線基板の製造方法

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