JPH04350660A - 半導体装置製造用ポジ型フォトレジスト用剥離液および半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置製造用ポジ型フォトレジスト用剥離液および半導体装置の製造方法Info
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- JPH04350660A JPH04350660A JP22374491A JP22374491A JPH04350660A JP H04350660 A JPH04350660 A JP H04350660A JP 22374491 A JP22374491 A JP 22374491A JP 22374491 A JP22374491 A JP 22374491A JP H04350660 A JPH04350660 A JP H04350660A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【技術分野】本発明は、半導体装置の製造におけるエッ
チング工程において使用されるポジ型フォトレジスト用
剥離液に関し、さらに詳しくは、高い剥離性能を有し、
かつ特に、高密度集積回路の配線材料として多用されて
いるＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕを腐食することなく、しかも人体
や環境に対し悪影響を及ぼさないポジ型フォトレジスト
用剥離液に関するものである。
チング工程において使用されるポジ型フォトレジスト用
剥離液に関し、さらに詳しくは、高い剥離性能を有し、
かつ特に、高密度集積回路の配線材料として多用されて
いるＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕを腐食することなく、しかも人体
や環境に対し悪影響を及ぼさないポジ型フォトレジスト
用剥離液に関するものである。
【０００２】
【背景技術】半導体装置の製造におけるエッチング工程
において、所要のフォトレジストのマスク形成を行った
後、非マスク領域の導電層のエッチングを行い配線パタ
ーンを形成せしめ、次いで配線パターン上のフォトレジ
スト層を含めて不要のレジスト層を剥離液により除去す
る処理が必要とされる。
において、所要のフォトレジストのマスク形成を行った
後、非マスク領域の導電層のエッチングを行い配線パタ
ーンを形成せしめ、次いで配線パターン上のフォトレジ
スト層を含めて不要のレジスト層を剥離液により除去す
る処理が必要とされる。
【０００３】フォトレジストとしてはネガ型フォトレジ
ストとポジ型フォトレジストとがあるが、近年集積回路
の高密度化により高精度の微細パターン形成に有利なポ
ジ型フォトレジストが主に使用されている。このポジ型
フォトレジストを剥離するために用いられる剥離液に要
求される主な条件としては次の３点を挙げることができ
る。
ストとポジ型フォトレジストとがあるが、近年集積回路
の高密度化により高精度の微細パターン形成に有利なポ
ジ型フォトレジストが主に使用されている。このポジ型
フォトレジストを剥離するために用いられる剥離液に要
求される主な条件としては次の３点を挙げることができ
る。
【０００４】１） 基板とフォトレジストとの接着性
を強固なものとするために行われる高温ポストベークや
過激な条件の下で行われるプラズマエッチング等により
硬化、変質したフォトレジストを完全に剥離できること
。 ２） 各種半導体基板および配線材料を腐食しないこ
と。 ３） 取り扱い上安全であること。
を強固なものとするために行われる高温ポストベークや
過激な条件の下で行われるプラズマエッチング等により
硬化、変質したフォトレジストを完全に剥離できること
。 ２） 各種半導体基板および配線材料を腐食しないこ
と。 ３） 取り扱い上安全であること。
【０００５】従来、ポジ型フォトレジスト用の剥離液と
しては、酸性剥離液またはアルカリ性剥離液が使用され
ている。酸性剥離液の代表的なものとしてはアルキルベ
ンゼンスルホン酸にフェノール化合物や塩素系溶剤、芳
香族炭化水素等を配合した剥離液が市販され、使用され
ているが、それら従来品は、フォトレジストの剥離性は
良好であるものの、アルキルベンゼンスルホン酸につい
ては配線材料として高密度集積回路に多用されているＡ
ｌ−Ｓｉ−Ｃｕを腐食するという問題点を有している。 加えて、毒性の強いフェノール化合物や環境汚染の原因
となる塩素系溶剤を含有している点も問題とされている
。一方、アルカリ性剥離液としては、水溶性有機アミン
と各種有機溶剤とからなる剥離液が市販され、使用され
ているが、これも上記の酸性剥離液の場合と同じように
フォトレジストの剥離性は良好であるものの、アルカリ
性成分によりＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕが腐食されるという改善
すベき問題点を有している。
しては、酸性剥離液またはアルカリ性剥離液が使用され
ている。酸性剥離液の代表的なものとしてはアルキルベ
ンゼンスルホン酸にフェノール化合物や塩素系溶剤、芳
香族炭化水素等を配合した剥離液が市販され、使用され
ているが、それら従来品は、フォトレジストの剥離性は
良好であるものの、アルキルベンゼンスルホン酸につい
ては配線材料として高密度集積回路に多用されているＡ
ｌ−Ｓｉ−Ｃｕを腐食するという問題点を有している。 加えて、毒性の強いフェノール化合物や環境汚染の原因
となる塩素系溶剤を含有している点も問題とされている
。一方、アルカリ性剥離液としては、水溶性有機アミン
と各種有機溶剤とからなる剥離液が市販され、使用され
ているが、これも上記の酸性剥離液の場合と同じように
フォトレジストの剥離性は良好であるものの、アルカリ
性成分によりＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕが腐食されるという改善
すベき問題点を有している。
【０００６】
【発明の開示】本発明者らは上述の如き、従来のポジ型
フォトレジストの剥離液が有する問題点を改善すべく、
鋭意研究を重ねた結果、１，３−ジメチル−２−イミダ
ゾリジノンとジメチルスルホキシドとを用い、それに対
し所定の割合の水溶性有機アミンを配合せしめてなる剥
離液がポジ型フォトレジストに対する剥離性と配線材料
に対する非腐食性との両者を備えた優れた特性を有する
ことを見い出した。本発明は、かかる知見に基づいて完
成するに至ったものである。
フォトレジストの剥離液が有する問題点を改善すべく、
鋭意研究を重ねた結果、１，３−ジメチル−２−イミダ
ゾリジノンとジメチルスルホキシドとを用い、それに対
し所定の割合の水溶性有機アミンを配合せしめてなる剥
離液がポジ型フォトレジストに対する剥離性と配線材料
に対する非腐食性との両者を備えた優れた特性を有する
ことを見い出した。本発明は、かかる知見に基づいて完
成するに至ったものである。
【０００７】すなわち、本発明は、１，３−ジメチル−
２−イミドゾリジノンとジメチルスルホキシドと含有率
が７重量％以上３０重量％以下の水溶性有機アミンとを
配合せしめてなるポジ型フォトレジスト用剥離液を提供
するものである。さらに本発明により、上記の剥離液を
用いて、前述のポジ型フォトレジストを剥離する工程を
含む半導体装置の製造方法ならびに該製造方法により製
造された半導体装置が提供される。本発明に係るポジ型
フォトレジスト用剥離液は、水溶性有機アミンのフォト
レジストの剥離能を発揮せしめ一方、配線材料を腐食す
る作用を抑えることにより、高精度で、かつ高密度の回
路配線を作製することを可能にした優れたものである。 以下に本発明を詳しく説明する。
２−イミドゾリジノンとジメチルスルホキシドと含有率
が７重量％以上３０重量％以下の水溶性有機アミンとを
配合せしめてなるポジ型フォトレジスト用剥離液を提供
するものである。さらに本発明により、上記の剥離液を
用いて、前述のポジ型フォトレジストを剥離する工程を
含む半導体装置の製造方法ならびに該製造方法により製
造された半導体装置が提供される。本発明に係るポジ型
フォトレジスト用剥離液は、水溶性有機アミンのフォト
レジストの剥離能を発揮せしめ一方、配線材料を腐食す
る作用を抑えることにより、高精度で、かつ高密度の回
路配線を作製することを可能にした優れたものである。 以下に本発明を詳しく説明する。
【０００８】本発明に用いられる前記の水溶性有機アミ
ンとしては、モノエタノールアミン、ジエタノールアミ
ン、２（２−アミノエトキシ）エタノール、２（２−ア
ミノエチルアミン）エタノール、モルホリン、ジエチレ
ントリアミン、トリエチレンテトラミン等が挙げられ、
これらは単独でまたは２種以上を併用して用いることが
できる。
ンとしては、モノエタノールアミン、ジエタノールアミ
ン、２（２−アミノエトキシ）エタノール、２（２−ア
ミノエチルアミン）エタノール、モルホリン、ジエチレ
ントリアミン、トリエチレンテトラミン等が挙げられ、
これらは単独でまたは２種以上を併用して用いることが
できる。
【０００９】本発明に係る剥離液において、使用される
各成分の好ましい配合割合について云えば１，３−ジメ
チル−２−イミダゾリジノンについては、５重量％以上
８８重量％未満、好ましくは１０〜８５重量％の配合割
合である。この場合、５重量％未満ではフォトレジスト
の剥離能力が低下し、８８重量％以上ではＡｌ−Ｓｉ−
Ｃｕが腐食されやすくなる。
各成分の好ましい配合割合について云えば１，３−ジメ
チル−２−イミダゾリジノンについては、５重量％以上
８８重量％未満、好ましくは１０〜８５重量％の配合割
合である。この場合、５重量％未満ではフォトレジスト
の剥離能力が低下し、８８重量％以上ではＡｌ−Ｓｉ−
Ｃｕが腐食されやすくなる。
【００１０】また、ジメチルスルホキシドの配合割合は
、５重量％以上８８重量％未満、好ましくは１０〜８５
重量％である。この場合、５重量％未満ではＡｌ−Ｓｉ
−Ｃｕが腐食されやすくなり８８重量％以上ではフォト
レジストの剥離能力が低下する。
、５重量％以上８８重量％未満、好ましくは１０〜８５
重量％である。この場合、５重量％未満ではＡｌ−Ｓｉ
−Ｃｕが腐食されやすくなり８８重量％以上ではフォト
レジストの剥離能力が低下する。
【００１１】さらに、前記の水溶性有機アミンの配合割
合は、７重量％以上３０重量％以下であることが必要で
あり、好ましくは１０〜２０重量％の割合で配合するの
がよい。この場合、７重量％未満の配合割合では剥離の
際の剥離性が低下し、剥離に要する時間が長くなるので
実用的でない。また３０重量％を越えるとＡｌ−Ｓｉ−
Ｃｕが腐食されやすくなる。
合は、７重量％以上３０重量％以下であることが必要で
あり、好ましくは１０〜２０重量％の割合で配合するの
がよい。この場合、７重量％未満の配合割合では剥離の
際の剥離性が低下し、剥離に要する時間が長くなるので
実用的でない。また３０重量％を越えるとＡｌ−Ｓｉ−
Ｃｕが腐食されやすくなる。
【００１２】本発明に係る剥離液には所要に応じ、他の
成分を配合することができるが、その場合の他の成分の
例としては、表面張力を低下させるため、あるいは基板
へのレジストの再付着を防止するための界面活性剤を挙
げることができる。この界面活性剤の市販品の例として
は、ソフタノール（日本触媒化学工業製）、ユニダイン
（ダイキン工業製）、サーフロン（旭硝子製）を挙げる
ことができる。また、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕの腐食をより小
さくするための腐食防止剤も例として挙げられる。その
場合の市販品の例としてはアテライト（旭電化工業製）
、ＥＲＩ−３００（三洋化成工業製）、サンヒビター（
三洋化成工業製）を挙げることができる。
成分を配合することができるが、その場合の他の成分の
例としては、表面張力を低下させるため、あるいは基板
へのレジストの再付着を防止するための界面活性剤を挙
げることができる。この界面活性剤の市販品の例として
は、ソフタノール（日本触媒化学工業製）、ユニダイン
（ダイキン工業製）、サーフロン（旭硝子製）を挙げる
ことができる。また、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕの腐食をより小
さくするための腐食防止剤も例として挙げられる。その
場合の市販品の例としてはアテライト（旭電化工業製）
、ＥＲＩ−３００（三洋化成工業製）、サンヒビター（
三洋化成工業製）を挙げることができる。
【００１３】次に、本発明の実施例を比較例とともに掲
げ、本発明をさらに詳細に説明する。なお、これら例に
記載されている結果における剥離に要した時間および腐
食により発生したピット数の光学顕微鏡によるデータを
表１に示す。
げ、本発明をさらに詳細に説明する。なお、これら例に
記載されている結果における剥離に要した時間および腐
食により発生したピット数の光学顕微鏡によるデータを
表１に示す。
【００１４】実施例１
シリコンウェハー上にＴｉＷ（下層）／Ａｌ−Ｓｉ−Ｃ
ｕ（上層）の２層膜を形成しポジ型フォトレジストを１
．８μｍの膜厚となるように塗布した。次に、オーブン
中９０℃で１０分間プレベークした。レジストパターニ
ング後１４０℃で３０分間ポストベークを行い１，３−
ジメチル−２−イミダゾリジノン／ジメチルスルホキシ
ド／モノエタノールアミン＝２０／５０／３０（重量％
）の剥離液にウェハーを１００℃で浸漬した。レジスト
剥離後イソプロピルアルコール２槽各１０分間ずつリン
スを行い２０分間水洗後乾燥し、レジスト剥離に要した
時間および強制的に１０分間剥離液中に浸漬させた時に
腐食により発生したピット数を光学顕微鏡を用いて評価
した。
ｕ（上層）の２層膜を形成しポジ型フォトレジストを１
．８μｍの膜厚となるように塗布した。次に、オーブン
中９０℃で１０分間プレベークした。レジストパターニ
ング後１４０℃で３０分間ポストベークを行い１，３−
ジメチル−２−イミダゾリジノン／ジメチルスルホキシ
ド／モノエタノールアミン＝２０／５０／３０（重量％
）の剥離液にウェハーを１００℃で浸漬した。レジスト
剥離後イソプロピルアルコール２槽各１０分間ずつリン
スを行い２０分間水洗後乾燥し、レジスト剥離に要した
時間および強制的に１０分間剥離液中に浸漬させた時に
腐食により発生したピット数を光学顕微鏡を用いて評価
した。
【００１５】実施例２
実施例１で用いた剥離液の組成を１，３−ジメチル−２
−イミダゾリジノン／ジメチルスルホキシド／モノエタ
ノールアミン＝２０／６５／１５（重量％）に変えた以
外は実施例１に記載の方法に準じて行った。
−イミダゾリジノン／ジメチルスルホキシド／モノエタ
ノールアミン＝２０／６５／１５（重量％）に変えた以
外は実施例１に記載の方法に準じて行った。
【００１６】実施例３
実施例１で用いた剥離液の組成を１，３−ジメチル−２
−イミダゾリジノン／ジメチルスルホキシド／モノエタ
ノールアミン＝２０／７０／１０（重量％）に変えた以
外は実施例１に記載の方法に準じて行った。
−イミダゾリジノン／ジメチルスルホキシド／モノエタ
ノールアミン＝２０／７０／１０（重量％）に変えた以
外は実施例１に記載の方法に準じて行った。
【００１７】実施例４
実施例１で用いた剥離液の組成を１，３−ジメチル−２
−イミダゾリジノン／ジメチルスルホキシド／２（２−
アミノエトキシ）エタノール＝２０／６５／１５（重量
％）に変えた以外は実施例１に記載の方法に準じて行っ
た。
−イミダゾリジノン／ジメチルスルホキシド／２（２−
アミノエトキシ）エタノール＝２０／６５／１５（重量
％）に変えた以外は実施例１に記載の方法に準じて行っ
た。
【００１８】比較例１
実施例１で用いた剥離液の組成を１，３−ジメチル−２
−イミダゾリジノン／ジメチルスルホキシド／モノエタ
ノールアミン＝２０／７８／２（重量％）に変えた以外
は実施例１に記載の方法に準じて行った。
−イミダゾリジノン／ジメチルスルホキシド／モノエタ
ノールアミン＝２０／７８／２（重量％）に変えた以外
は実施例１に記載の方法に準じて行った。
【００１９】比較例２
実施例１で用いた剥離液を市販品−１（酸性剥離液）に
変えた以外は実施例１に記載の方法に準じて行った。
変えた以外は実施例１に記載の方法に準じて行った。
【００２０】比較例３
実施例１で用いた剥離液を市販品−２（アルカリ性剥離
液）に変えた以外は実施例１に記載の方法に準じて行っ
た。
液）に変えた以外は実施例１に記載の方法に準じて行っ
た。
【００２１】比較例４
実施例１で用いた剥離液を市販品−３（アルカリ性剥離
液）に変えた以外は実施例１に記載の方法に準じて行っ
た。
液）に変えた以外は実施例１に記載の方法に準じて行っ
た。
【００２２】
【表１】
【００２３】表１より明らかな如く本発明の実施例１〜
４では、レジスト剥離に要する時間が極めて短く、Ａｌ
−Ｓｉ−Ｃｕの腐食もほとんど観察されない。これに対
し水溶性有機アミンの含有率を本発明の剥離液における
それ以下とした比較例１および市販品を用いた比較例２
〜４では実施例の２倍以上の剥離時間を必要としており
、あるいは、また、比較例２〜４の市販品を用いた場合
については、実施例の場合に比し、はるかにＡｌ−Ｓｉ
−Ｃｕの腐食が激しいことが認められた。
４では、レジスト剥離に要する時間が極めて短く、Ａｌ
−Ｓｉ−Ｃｕの腐食もほとんど観察されない。これに対
し水溶性有機アミンの含有率を本発明の剥離液における
それ以下とした比較例１および市販品を用いた比較例２
〜４では実施例の２倍以上の剥離時間を必要としており
、あるいは、また、比較例２〜４の市販品を用いた場合
については、実施例の場合に比し、はるかにＡｌ−Ｓｉ
−Ｃｕの腐食が激しいことが認められた。
【００２４】実施例５
次に、本発明に係る剥離液を適用した半導体装置の製造
例を図１〜３を参照して説明する。まず、Ｓｉ基板１の
上に絶縁膜であるＣＶＤ酸化膜２を形成せしめる。その
上に第１層金属膜であるＴｉＷ層３、第２層金属膜であ
るＣＶＤ−Ｗ層４、第３層金属膜であるＡｌ−Ｓｉ−Ｃ
ｕ層５を順次形成させる（図１参照）。この膜厚として
はＣＶＤ酸化膜２が４５００Å、第１層金属膜３が６０
０Å、第２層金属膜４が５０００Å、第３層金属膜５が
８０００Åである。またＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ層５としては
、Ｓｉ含有率、１重量％、Ｃｕ含有率、０．５重量％の
ものが用いられた。
例を図１〜３を参照して説明する。まず、Ｓｉ基板１の
上に絶縁膜であるＣＶＤ酸化膜２を形成せしめる。その
上に第１層金属膜であるＴｉＷ層３、第２層金属膜であ
るＣＶＤ−Ｗ層４、第３層金属膜であるＡｌ−Ｓｉ−Ｃ
ｕ層５を順次形成させる（図１参照）。この膜厚として
はＣＶＤ酸化膜２が４５００Å、第１層金属膜３が６０
０Å、第２層金属膜４が５０００Å、第３層金属膜５が
８０００Åである。またＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ層５としては
、Ｓｉ含有率、１重量％、Ｃｕ含有率、０．５重量％の
ものが用いられた。
【００２５】第３層金属膜であるＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ層５
上にポジ型フォトレジスト６を塗布（コーティング）し
、露光し、ポジ型フォトレジストのマスクを形成せしめ
る（図２参照）。このポジ型フォトレジスト６はノボラ
ック系樹脂を主成分としたものであり、膜圧は１８００
０Åである。またポジ型フォトレジストのマスクを形成
後１４０℃で３０分間ベークを行った。
上にポジ型フォトレジスト６を塗布（コーティング）し
、露光し、ポジ型フォトレジストのマスクを形成せしめ
る（図２参照）。このポジ型フォトレジスト６はノボラ
ック系樹脂を主成分としたものであり、膜圧は１８００
０Åである。またポジ型フォトレジストのマスクを形成
後１４０℃で３０分間ベークを行った。
【００２６】次に、エッチングによってマスクを覆われ
ていない領域（非マスク領域）の導電層を取り除き、そ
の後マスクの作用をしていたポジ型フォトレジストをア
ッシングによりその大部分を除去せしめる（図３参照）
。ついで、パターニングされた導電層表面等に残るレジ
スト残渣７を１，３−ジメチル−２−イミダジリジノン
／ジメチルスルホキシド／モノエタノールアミン＝２０
／７０／１０（重量％）の剥離液を用いて除去する。こ
れにより、パターニングされた導電層表面のポジ型フォ
トレジストが剥離される（図４参照）。
ていない領域（非マスク領域）の導電層を取り除き、そ
の後マスクの作用をしていたポジ型フォトレジストをア
ッシングによりその大部分を除去せしめる（図３参照）
。ついで、パターニングされた導電層表面等に残るレジ
スト残渣７を１，３−ジメチル−２−イミダジリジノン
／ジメチルスルホキシド／モノエタノールアミン＝２０
／７０／１０（重量％）の剥離液を用いて除去する。こ
れにより、パターニングされた導電層表面のポジ型フォ
トレジストが剥離される（図４参照）。
【００２７】以上の結果から、本発明に係るポジ型フォ
トレジスト用の剥離液は、高い剥離性能を有し、かつ、
配線材料として多用されているＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕを腐食
しない。特に腐食に関しては表１にも示したように、レ
ジスト剥離に要した時間およびその間にＡｌ−Ｓｉ−Ｃ
ｕ表面に腐食により発生したピットの数により、実施例
と比較例の対比において本発明の剥離液の優れた点が明
確に示されている。また、本発明の剥離液の各成分は、
特に取扱い上人体に対し危険性のないものであるので、
実用性は極めて大きい。
トレジスト用の剥離液は、高い剥離性能を有し、かつ、
配線材料として多用されているＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕを腐食
しない。特に腐食に関しては表１にも示したように、レ
ジスト剥離に要した時間およびその間にＡｌ−Ｓｉ−Ｃ
ｕ表面に腐食により発生したピットの数により、実施例
と比較例の対比において本発明の剥離液の優れた点が明
確に示されている。また、本発明の剥離液の各成分は、
特に取扱い上人体に対し危険性のないものであるので、
実用性は極めて大きい。
図１、図２、図３、図４は、本発明に係る半導体装置の
製造方法における各工程についてのその製品の模式的断
面図を示したものである。
製造方法における各工程についてのその製品の模式的断
面図を示したものである。
１ Ｓｉ基板
２ ＣＶＤ酸化膜
３ 第１層金属膜
４ 第２層金属膜
５ 第３層金属膜
６ ポジ型フォトレジスト
７ レジスト残渣
Claims (5)
- 【請求項１】 １，３−ジメチル−２−イミダゾリジ
ノンとジメチルスルホキシドおよび含有率が７重量％以
上３０重量％以下の水溶性有機アミンとを配合せしめて
なることを特徴とするポジ型フォトレジスト用剥離液。 - 【請求項２】 前記水溶性有機アミンがモノエタノー
ルアミンである請求項１記載のポジ型フォトレジスト用
剥離液。 - 【請求項３】 前記水溶性有機アミンが２−（２−ア
ミノエトキシ）エタノールである請求項１記載のポジ型
フォトレジスト用剥離液。 - 【請求項４】 半導体基板上の所定の領域に少なくと
も銅を含むアルミニウム基体からなる導電層を形成する
工程と、前記導電層上にポジ型フォトレジストを用いて
マスク形成を行い、非マスク領域の前記導電層をエッチ
ングする工程と、前記マスク形成されたポジ型フォトレ
ジストを、前記請求項１乃至３のいずれかに記載のポジ
型フォトレジスト用剥離液を用いて前記導電層上から剥
離する工程とを含む半導体装置の製造方法。 - 【請求項５】 請求項４記載の製造方法によって製造
された半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22374491A JPH04350660A (ja) | 1991-05-28 | 1991-05-28 | 半導体装置製造用ポジ型フォトレジスト用剥離液および半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22374491A JPH04350660A (ja) | 1991-05-28 | 1991-05-28 | 半導体装置製造用ポジ型フォトレジスト用剥離液および半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04350660A true JPH04350660A (ja) | 1992-12-04 |
Family
ID=16803023
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22374491A Withdrawn JPH04350660A (ja) | 1991-05-28 | 1991-05-28 | 半導体装置製造用ポジ型フォトレジスト用剥離液および半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04350660A (ja) |
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| US7015183B2 (en) | 2001-05-21 | 2006-03-21 | Dongjin Semichem Co., Ltd. | Resist remover composition |
| US7135445B2 (en) | 2001-12-04 | 2006-11-14 | Ekc Technology, Inc. | Process for the use of bis-choline and tris-choline in the cleaning of quartz-coated polysilicon and other materials |
| US7678751B2 (en) | 2004-12-06 | 2010-03-16 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Composition for removing photoresist, method of removing photoresist and method of manufacturing a semiconductor device using the same |
-
1991
- 1991-05-28 JP JP22374491A patent/JPH04350660A/ja not_active Withdrawn
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|---|---|---|---|
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