JPS5852578B2 - エッチング耐性重合体の剥離剤 - Google Patents

エッチング耐性重合体の剥離剤

Info

Publication number
JPS5852578B2
JPS5852578B2 JP50011492A JP1149275A JPS5852578B2 JP S5852578 B2 JPS5852578 B2 JP S5852578B2 JP 50011492 A JP50011492 A JP 50011492A JP 1149275 A JP1149275 A JP 1149275A JP S5852578 B2 JPS5852578 B2 JP S5852578B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
organic
weight
formulation
photoresist
stripping
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP50011492A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS50109730A (ja
Inventor
ラツセル シエベイ ウイリアム
ジヨゼフ クレマーズ フランク
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
ARAIDO CORP
Original Assignee
ARAIDO CORP
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ARAIDO CORP filed Critical ARAIDO CORP
Publication of JPS50109730A publication Critical patent/JPS50109730A/ja
Publication of JPS5852578B2 publication Critical patent/JPS5852578B2/ja
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
    • H01L21/31127—Etching organic layers
    • H01L21/31133—Etching organic layers by chemical means
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D9/00—Chemical paint or ink removers
    • C09D9/005—Chemical paint or ink removers containing organic solvents
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42—Stripping or agents therefor
    • G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
    • G03F7/426—Stripping or agents therefor using liquids only containing organic halogen compounds; containing organic sulfonic acids or salts thereof; containing sulfoxides

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
  • Paints Or Removers (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 半導体および半導体のマイクロ回路の製造の際、半導体
およびマイクロ回路を造る材料を一般にフォトレジスト
即ち光に曝露した際エツチング抵抗体を形成する物質で
ある有機重合体で被覆することが屡々必要である。
その後この有機重合体は除去しなげればならぬ。
従って有機重合体をこの被覆された材料から除去する剥
離剤の必要がある。
有機材料除去用の従来技術の製品はクロム酸の様な強い
酸化剤を屡々含んでいた。
酸化剤の濃度およびそれの被覆される材料への曝露を厳
格に制御するのでなげれば酸含有剥離剤はその有機物質
を適用する材料を腐蝕するだろう。
従って半導体およびマイクロ回路の製造に使われる材料
から有機重合体を除去するための有機剥離剤が推称され
る。
本発明以前にはこの有機材料除去用の適当な有機剥離剤
は入手できなかったというのは従来の有機剥離剤は空気
にさらした時に不溶性沈澱を形成上、所望の速さで有機
物質を剥離せず、好ましくない色をもち、多数の成分を
含有し、屡々アルミニウム材料を腐蝕し、そして一般の
用途に使うためには有機溶剤および水の両者と充分に融
和性でなかった等のためである。
従って従来技術の有機剥離剤は自動化された工程装置で
使うためには不適当である。
半導体およびマイクロ回路製造で使われる材料の表面か
ら有機重合体沈積物を除去するのに有用な一郭の組成物
が今や発見された。
この組成物は電気および電子工業でのこの様な剥離作業
で出会うであろう多くの無機材料を腐蝕または損傷する
ことなく上記の剥離作業に適当である。
本発明の剥離組成物は有機重合体の被覆および除去の５
または１０サイクルの後においてさえもこれら無機材料
のエツチング、はがれ或はその地回視的の劣化を起すこ
となく、即ちエツチング耐性であり、そして材料の電気
的抵抗度または伝導度に影響を及ぼさない。
その上本発明の組成物は空気中に放置した時不溶性の沈
澱物を生ぜず、以前従来技術の有機剥離組成物を使った
かも知れぬ時よりも少い時間でフォトレジストを剥離し
、好ましくない色は従来のものより少く、従来技術の有
機剥離組酸物に要するよりも少数の成分を含み、アルミ
ニウム材料を腐蝕せず、有機溶剤および水の中で改良さ
れた混和性をもち、そして自動化された工程の装置に使
うに適している。
本発明の剥離剤は約２５〜約３５％のフェノールまたは
醋酸、約１０〜約３０％のフェノールスルホン酸、オル
ソジクロロベンゼンの様な沸点約１２０〜２１０℃の塩
素化炭化水素を約１５〜約３０％、及びＨＬＢ（親水性
親油性バランス）値約１１．０〜１２．５をもつ適当な
界面活性剤約２５〜約３５％よりなる。
本発明の方法によれば有機重合体例えばフォトレジスト
で被覆された材料が上記処方の溶液でスプレーされたり
或は該溶液中に浸漬される。
それからこの有機重合体は溶液中に溶解しそして被覆さ
れた材料の表面から水、パークロロエチレン又はトリク
ロロエチレンの様な任意の適当な洗滌液で洗い去られる
。
本発明によればフェノール又はｍ酸約２５〜３５重量％
、フェノールスルホン酸約１０〜約３０重量％、沸点約
１２０〜２１０℃の塩素化炭化水素約１５〜約３０重量
％及び約１１．０〜約１２．５のＨＬＢ値をもつ適当な
界面活性剤約２５〜３５重量％よりなる有機重合体用剥
離剤を提供する。
界面活性剤は、構造中にポリオール鎖の様な高度な親水
性連鎖があるなら非イオン性でもよいが、好ましくは強
いアニオン性である。
好適な界面活性剤はアルキルスルホネートか又はアルキ
ル疎水性鎖をもつアリールスルホネートである。
最も好ましい界面活性剤はアルキル鎖の平均長さが約１
０個ないし約１４個の炭素原子でその了り−ル基はベン
ゼン、トルエン又はキシレンであるアルキルアリールス
ルホネートである。
本発明によれば線状ドデシルベンゼンスルホン酸が最も
好ましい界面活性剤であることが見出されている。
剥離剤処方中のフェノール又は醋酸は他の成分と共に有
機重合体で被覆した基体からその重合体を溶解し持上げ
る作用をする様にみえる。
最もよい結果を得るための好ましい化合物はより良い溶
解および持上げ作用を得る点からフェノールである様に
みえる。
フェノールスルホン酸も同様に有機重合体を溶解し持上
げるように作用すると思われそして剥離剤に対し約１５
ないし約２５重量％のフェノールスルホン酸が使われる
時に実質的により速い剥離作用が起り、より多くの水が
剥離剤中に許容できしかも以前従来技術の剥離剤であり
得たよりもアルミニウム基体の腐蝕は少く、また剥離剤
を空気にさらした時により少い好ましくない沈澱物が生
じる。
塩素化炭化水素は有機物質の溶解および稀釈を助けそれ
は例えばメタジクロロベンゼン、オルソジクロロベンゼ
ン、トリクロロベンゼン、塩素化トルエン、パークロロ
エチレン及び任意のこれら塩素化炭化水素の混合物であ
る。
特に効果的な塩素化炭化水素はオルソジクロロベンゼン
であることが見出されている。
好ましい塩素化炭化水素は約１２０〜約２１０°Ｃ１好
ましくは約１５０〜１９０℃で沸騰する。
本発明の剥離剤によって除去さるべき有機重合体は一般
に低分子量のポリイソプレン、ポリビニルシンナメート
及びフェノール・ホルムアルデヒド樹脂から選ばれたポ
リマーを含むフォトレジストが普通である。
これらのフォトレジストは基体例えばアルミニウムに適
用され、いくつかの部分はマスクで隠されそれから全体
が光、例えば１２０ボルト６５０ワツトの石英ランプに
１〜１５秒間６〜１２インチの距離から照されたフォト
レジストを更に重合させる。
次に曝露されなかった即ち光からかくされたフォトレジ
ストの部分は露光したフォトレジストを溶かさない弱い
溶剤で除去され、こうして電気回路の様なパターンを露
出した基体の上に残すのである。
それから残ったフォトレジストは更に硬化するためにベ
ーキングされそしてフォトレジストで被われない基体の
部分は次にエツチング又は他の処理を受ける。
硬化したフォトレジストはそれから除去されねばならぬ
。
本発明の剥離剤の使用においてはフォトレジストで被わ
れた基体は本発明の剥離剤と約５０〜１８０°Ｃの温度
で接触する。
好ましい温度は約９０〜約１２０℃で、その理由は９０
℃の温度は比較的早い剥離時間をもたらしまた１ ２０
’Ｃ以上の温度は好ましくない速さの蒸発によって剥
離剤の損失をもたらすからである。
フォトレジストの剥離に要する時間は約９０°〜約１２
０℃で約１〜約１５分である。
剥離後に基体は任意の適当な液体で濯がれる。
適当な濯ぎ液の例はエタノール、イソプロピルアルコー
ル、トリクロロエチレン及び１・１・２−トリクロロー
ト２・２−トリフルオロエタンと１〜３個の炭素原子を
含有するアルコールとの混合物である。
次の実施例は本発明の剥離剤の処方と剥離方法を例示す
るのに役立つ。
各側においてすべての部および％は重量である。
３種の異なる剥離剤の処方が次の実施例で使われる。
処方Ａは従来技術の有機剥離剤で、処方Ｂは本発明の剥
離剤の第一の具体ｆｌｌ、処方Ｃは本発明の剥離剤の第
二の具体例である。
これらの処方は次の通りである。処方Ａ 線状ドデシルベンゼンスルホン酸 フェノール トルエンスルホン酸 オルソジクロロベンゼン パークロロエチレン 処方Ｂ 線状ドデシルベンゼンスルホン酸 フェノール フェノールスルホン酸 オルソジクロロベンゼン 処方Ｃ 線状ドデシルベンゼンスルホン酸 フェノール フェノールスルホン酸 オルソジクロロベンゼン パークロロエチレン ２８％ ２８％ １８％ １８％ ８％ ３０％ ３０％ ２０％ ２０％ ２８．０％ ２８．０％ １８．５％ １８．５％ ７．０％ 実施例 １ 処方Ａ、Ｂ、Ｃの１００ｒｒＬｌを２０°Ｃ１相対湿度
８０％の大気に開放された別々の２５０ｍ１のビーカー
に入れた。
２０時間の後処方Ａは曇って好ましくない沈澱物を含ん
だが、これに対し処方ＢおよびＣは透明のま工で、本発
明の処方ＢおよびＣは大気に接する時従来技術の処方Ａ
よりも好ましくない沈澱物を容易には生じないことを示
した。
実施例 ２ ３個のシリコン薄層をポリイソプレン・フォトレジスト
で被覆する。
それからフォトレジスト被覆を１２０ボルト６５０ワツ
トの石英ランプに１２インチの距離で１５秒間曝露する
。
それからフォトレジスト被覆を２４０℃で２時間ベーキ
ングする。
次に各薄層を温度１００℃の処方Ａ、Ｂ、Ｃの一つに浸
漬してフォトレジストを薄層から剥離するに要する時間
を測定する。
結果は第１表に掲げる。
この結果は本発明の処方ＢおよびＣが従来技術の処方Ａ
よりも早い剥離時間を可能にすることを示す。
実施例 ３ 実施例２で使った各薄層を、剥離後、１・１・２−トリ
クロロ−１・２・２−トリフルオロエタノール９３重量
％及びインプロパツール７重量％の非燃焼性混合物で洗
滌する。
処方Ｂ、Ｃのすべてはこの洗滌で除去されるがこれに反
し処方Ａはこの混合物と混和せずこの洗滌で除去されな
い。
この実施例は本発明のＢ、Ｃがハロゲン化炭化水素を含
有する洗滌液によって従来技術の処方よりももつと容易
に除去されることを示す。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １ フェノール又は醋酸約２５〜約３５重量％、フェノ
    ールスルホン酸約１０〜約３０重量％、沸点約１２０〜
    約２１０℃の塩素化炭化水素約１５〜約３０重量％、約
    １１．０〜１２．５のＨＬＢ値をもつ適当な表面活性剤
    約２５〜３５重量％よりなる有機重合体用剥離剤。
JP50011492A 1974-01-30 1975-01-29 エッチング耐性重合体の剥離剤 Expired JPS5852578B2 (ja)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US438127A US3871929A (en) 1974-01-30 1974-01-30 Polymeric etch resist strippers and method of using same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS50109730A JPS50109730A (ja) 1975-08-29
JPS5852578B2 true JPS5852578B2 (ja) 1983-11-24

Family

ID=23739341

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP50011492A Expired JPS5852578B2 (ja) 1974-01-30 1975-01-29 エッチング耐性重合体の剥離剤

Country Status (10)

Country Link
US (1) US3871929A (ja)
JP (1) JPS5852578B2 (ja)
AU (1) AU7687074A (ja)
CA (1) CA1024867A (ja)
DE (1) DE2501187C2 (ja)
FR (1) FR2259128B3 (ja)
GB (1) GB1485545A (ja)
HK (1) HK33378A (ja)
IT (1) IT1027234B (ja)
MY (1) MY8100095A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10710962B2 (en) 2010-05-21 2020-07-14 Siemens Healthcare Diagnostics Inc. Zwitterionic reagents

Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2447225C2 (de) * 1974-10-03 1983-12-22 Ibm Deutschland Gmbh, 7000 Stuttgart Verfahren zum Ablösen von positiven Photolack
JPS5241002A (en) * 1975-09-29 1977-03-30 Chubu Rika Kk Regeneration method of ps plate material and regenerated plate
US4042387A (en) * 1976-05-05 1977-08-16 Rockwell International Corp Photolithographic method of making microcircuits using glycerine in photoresist stripping solution
US4169068A (en) * 1976-08-20 1979-09-25 Japan Synthetic Rubber Company Limited Stripping liquor composition for removing photoresists comprising hydrogen peroxide
US4140572A (en) * 1976-09-07 1979-02-20 General Electric Company Process for selective etching of polymeric materials embodying silicones therein
US4165295A (en) * 1976-10-04 1979-08-21 Allied Chemical Corporation Organic stripping compositions and method for using same
US4078102A (en) * 1976-10-29 1978-03-07 International Business Machines Corporation Process for stripping resist layers from substrates
US4242218A (en) * 1976-11-08 1980-12-30 Allied Chemical Corporation Phenol-free photoresist stripper
US4165294A (en) * 1976-11-08 1979-08-21 Allied Chemical Corporation Phenol-free and chlorinated hydrocarbon-free photoresist stripper comprising surfactant and hydrotropic aromatic sulfonic acids
US4215005A (en) * 1978-01-30 1980-07-29 Allied Chemical Corporation Organic stripping compositions and method for using same
US4187191A (en) * 1978-07-26 1980-02-05 General Motors Corporation Photoresist stripper with dodecylsulfonic acid and chlorinated solvents
US4386175A (en) * 1979-02-08 1983-05-31 Kokoku Rubber Industrial Company Limited Resin composition
FR2455075A1 (fr) * 1979-04-24 1980-11-21 Rhone Poulenc Ind Composition a base de solvants chlores pour l'elimination de resines photoresistantes
US4345022A (en) * 1979-11-13 1982-08-17 Matrix Unlimited, Inc. Process of recovering unpolymerized photopolymer from printing plates
JPS58204100A (ja) * 1982-05-24 1983-11-28 ダイキン工業株式会社 表面清浄化用組成物
US4469525A (en) * 1983-01-19 1984-09-04 Tennant Company Membrane remover/etchant
US4608086A (en) * 1983-01-19 1986-08-26 Tennant Company Membrane remover/etchant
US4617251A (en) * 1985-04-11 1986-10-14 Olin Hunt Specialty Products, Inc. Stripping composition and method of using the same
JPS6235357A (ja) * 1985-08-09 1987-02-16 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd ホトレジスト用剥離液
US4971715A (en) * 1988-11-18 1990-11-20 International Business Machines Corporation Phenolic-free stripping composition and use thereof
US5417802A (en) * 1994-03-18 1995-05-23 At&T Corp. Integrated circuit manufacturing
US5728664A (en) * 1996-04-15 1998-03-17 Ashland, Inc. Photoresist stripping compositions
US6348100B1 (en) * 1999-07-01 2002-02-19 International Business Machines Corporation Resist bowl cleaning
US6403286B1 (en) 1999-11-04 2002-06-11 Corning Incorporated High aspect ratio patterning of glass film
US6422246B1 (en) * 2000-02-29 2002-07-23 United Microelectronics Corp. Method removing residual photoresist
US6475292B1 (en) * 2000-07-31 2002-11-05 Shipley Company, L.L.C. Photoresist stripping method

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3582401A (en) * 1967-11-15 1971-06-01 Mallinckrodt Chemical Works Photosensitive resist remover compositions and methods
US3813309A (en) * 1969-12-23 1974-05-28 Ibm Method for stripping resists from substrates
FR2109127A5 (en) * 1970-10-02 1972-05-26 Radiotechnique Compelec Solvent for photopolymerised acrylics -used eg in printed - circuit mfr contains methylene chloride and phenolics in emulsion

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10710962B2 (en) 2010-05-21 2020-07-14 Siemens Healthcare Diagnostics Inc. Zwitterionic reagents

Also Published As

Publication number Publication date
FR2259128A1 (ja) 1975-08-22
HK33378A (en) 1978-07-07
IT1027234B (it) 1978-11-20
FR2259128B3 (ja) 1977-09-16
US3871929A (en) 1975-03-18
JPS50109730A (ja) 1975-08-29
AU7687074A (en) 1976-06-24
GB1485545A (en) 1977-09-14
DE2501187A1 (de) 1975-07-31
MY8100095A (en) 1981-12-31
CA1024867A (en) 1978-01-24
DE2501187C2 (de) 1984-04-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS5852578B2 (ja) エッチング耐性重合体の剥離剤
US4992108A (en) Photoresist stripping compositions
US5334332A (en) Cleaning compositions for removing etching residue and method of using
JP2502815B2 (ja) フォトレジスト・ストリッパ
US3988256A (en) Photoresist stripper rinse
JP3302120B2 (ja) レジスト用剥離液
US7534752B2 (en) Post plasma ashing wafer cleaning formulation
US6475292B1 (en) Photoresist stripping method
US4165294A (en) Phenol-free and chlorinated hydrocarbon-free photoresist stripper comprising surfactant and hydrotropic aromatic sulfonic acids
JPH0721638B2 (ja) 基板の処理方法
US6000411A (en) Cleaning compositions for removing etching residue and method of using
JP2006009006A (ja) 基材から残留物を除去するための組成物及びその組成物を用いた方法
JPS61169847A (ja) 半導体基板からホトレジストおよび剥離剤残留物を除去するための後洗浄剤および方法
US4242218A (en) Phenol-free photoresist stripper
JPH04350660A (ja) 半導体装置製造用ポジ型フォトレジスト用剥離液および半導体装置の製造方法
JP2631849B2 (ja) 剥離剤組成物
US6242400B1 (en) Method of stripping resists from substrates using hydroxylamine and alkanolamine
KR870000680B1 (ko) 포토레지스트 제거 탈막액조성물
US4971715A (en) Phenolic-free stripping composition and use thereof
US5863346A (en) Photoresist stripping composition
US7183245B2 (en) Stripper for cured negative-tone isoprene-based photoresist and bisbenzocyclobutene coatings
JPH0253781B2 (ja)
JPH0737846A (ja) レジスト剥離後に用いるリンス液、半導体装置およびその製造方法
KR800000892B1 (ko) 중합성 내부식 탈막액 조성물
US20060043070A1 (en) High temperature functioning stripper for cured difficult to remove photoresist coatings