DE2501187C2 - Entschichtungsmittel und dessen Verwendung - Google Patents
Entschichtungsmittel und dessen VerwendungInfo
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- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 29
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 18
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 13
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- WHOZNOZYMBRCBL-OUKQBFOZSA-N (2E)-2-Tetradecenal Chemical compound CCCCCCCCCCC\C=C\C=O WHOZNOZYMBRCBL-OUKQBFOZSA-N 0.000 claims description 8
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 claims description 8
- 229940044654 phenolsulfonic acid Drugs 0.000 claims description 8
- 150000008280 chlorinated hydrocarbons Chemical class 0.000 claims description 6
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 5
- 238000009835 boiling Methods 0.000 claims description 2
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 claims description 2
- 229920001195 polyisoprene Polymers 0.000 claims description 2
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229940114081 cinnamate Drugs 0.000 claims 1
- WBYWAXJHAXSJNI-VOTSOKGWSA-M trans-cinnamate Chemical compound [O-]C(=O)\C=C\C1=CC=CC=C1 WBYWAXJHAXSJNI-VOTSOKGWSA-M 0.000 claims 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 claims 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 9
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 6
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 6
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- RFFLAFLAYFXFSW-UHFFFAOYSA-N 1,2-dichlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1Cl RFFLAFLAYFXFSW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WBIQQQGBSDOWNP-UHFFFAOYSA-N 2-dodecylbenzenesulfonic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCC1=CC=CC=C1S(O)(=O)=O WBIQQQGBSDOWNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- CYTYCFOTNPOANT-UHFFFAOYSA-N Perchloroethylene Chemical group ClC(Cl)=C(Cl)Cl CYTYCFOTNPOANT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002274 desiccant Substances 0.000 description 4
- 229940060296 dodecylbenzenesulfonic acid Drugs 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 229950011008 tetrachloroethylene Drugs 0.000 description 4
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 3
- MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N chlorobenzene Substances ClC1=CC=CC=C1 MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XSTXAVWGXDQKEL-UHFFFAOYSA-N Trichloroethylene Chemical group ClC=C(Cl)Cl XSTXAVWGXDQKEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 2
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 2
- 150000008282 halocarbons Chemical class 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 2
- RELMFMZEBKVZJC-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-trichlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC(Cl)=C1Cl RELMFMZEBKVZJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZPQOPVIELGIULI-UHFFFAOYSA-N 1,3-dichlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC(Cl)=C1 ZPQOPVIELGIULI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LBLYYCQCTBFVLH-UHFFFAOYSA-N 2-Methylbenzenesulfonic acid Chemical compound CC1=CC=CC=C1S(O)(=O)=O LBLYYCQCTBFVLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 2-methylphenol;3-methylphenol;4-methylphenol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1.CC1=CC=CC(O)=C1.CC1=CC=CC=C1O QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FEPBITJSIHRMRT-UHFFFAOYSA-N 4-hydroxybenzenesulfonic acid Chemical compound OC1=CC=C(S(O)(=O)=O)C=C1 FEPBITJSIHRMRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 125000000129 anionic group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005228 aryl sulfonate group Chemical group 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- KRVSOGSZCMJSLX-UHFFFAOYSA-L chromic acid Substances O[Cr](O)(=O)=O KRVSOGSZCMJSLX-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 239000002537 cosmetic Substances 0.000 description 1
- 229930003836 cresol Natural products 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 1
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 1
- 201000010099 disease Diseases 0.000 description 1
- 208000037265 diseases, disorders, signs and symptoms Diseases 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000011010 flushing procedure Methods 0.000 description 1
- 238000009415 formwork Methods 0.000 description 1
- AWJWCTOOIBYHON-UHFFFAOYSA-N furo[3,4-b]pyrazine-5,7-dione Chemical compound C1=CN=C2C(=O)OC(=O)C2=N1 AWJWCTOOIBYHON-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 1
- 239000006082 mold release agent Substances 0.000 description 1
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 1
- 150000002989 phenols Chemical class 0.000 description 1
- 150000003077 polyols Chemical group 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 238000007790 scraping Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 150000003613 toluenes Chemical class 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
- H01L21/31127—Etching organic layers
- H01L21/31133—Etching organic layers by chemical means
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D9/00—Chemical paint or ink removers
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/42—Stripping or agents therefor
- G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
- G03F7/426—Stripping or agents therefor using liquids only containing organic halogen compounds; containing organic sulfonic acids or salts thereof; containing sulfoxides
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Description
Bei der Herstellung von Halbleitern und Halblelter-Mlkroschaltungen
1st es häufig erforderlich, die Materlallen, aus denen die Halbleiter und Mlkroschaltungen
hergestellt werden, mit einer organischen Polymersubstanz zu beschichten, die allgemein ein Photoresist Ist.
Anschließend muß die organische Polymersubstanz entfernt werden, wozu man ein Entschalungsmittel verwendet.
Bekannte Entschalungsmittel enthalten häufig ein starkes Oxidationsmittel, wie Chromsäure. Diese aber
greifen das Substrat an, wenn man die Konzentration und die Einwirkungszelt nicht ganz genau einstellt.
Daher sind organische Entschalungsmittel bei der Herstellung
von Halbleitern und Mlkroschaltungen bevorzugt. Bisher bekannte organische Entschalungsmittel
bilden jedoch an der Luft unlösliche Niederschläge, entfernen die organische Substanz nicht mit der erwünschten
Geschwindigkeit, besitzen eine unerwünschte Färbung, enthalten eine große Zahl von Komponenten, greifen
häufig Alumlnlummaterlallen an und sind nicht ausreichend verträglich mit organischen Lösungsmitteln und
Wasser. Die bekannten organischen Entschlchtungsmittel
waren daher ungeeignet für die Verwendung In automatisierten
Verfahrensanlagen.
Solche bekannten Entschalungsmittel sind beispielsweise
in der FR-PS 21 09 127 oder der US-PS 35 82 401 beschrieben. Erstere enthalten Methylenchlorid. Wasser,
ein Phenol und Tensld. Letztere bestehen aus Arylsulfonsäure, halogenlertem Kohlenwasserstoff sowie Phenol,
halogenlertem Phenol, Kresol oder Xylenon.
Die der Erfindung zugrundeliegende Aufgabe bestand nun darin, ein verbessertes Entschalungsmittel der eingangs
geschilderten Art zu bekommen, das Insbesondere an der Luft keine Niederschläge bildet und die Polymeren
möglichst schnell entfernt.
Die erfindungsgemäßen Entschalungsmittel für organische
Polymersubstanzen aus 25 bis 35 Gew.-% Phenol oder Essigsäure, 10 bis 30 Gew.-% Arylsulfonsäure, 15 bis
30 Gew.-1V. zwischen 120 und 210r C siedendem chloriertem
Kohlenwasserstoff und 25 bis 35 Gew-% eines oberflächenaktiven
Mittels mit einer HLB-Zahl zwischen 11.0 und 12.5 sind dadurch gekennzeichnet, daß sie als Arylsulfonsäure
Phenolsulfonsäure enthalten.
Sie können bei der Herstellung von Halbleitern und Mlkroschaltungen verwendet werden, ohne die zahlreichen anorganischen Materlallen anzugreifen oder zu zer
stören, die bei solchen Verfahren In der elektrischen und elektronischen Industrie vorkommen.
Sie verursachen kein Anätzen, Abschaben oder andere
sichtbare Verschlechterung dieser anorganischen Materiallen, selbst nach fünf- oder zehnmaliger Verwendung
zur Entfernung organischer Polymersubstanzen, wie von Photoresist, und sie beeinträchtigen nicht den elektrischen
Wltterstand oder die Leitfähigkeit der Materialien.
Auch bilden sie keine unlöslichen Niederschläge beim
κι Stehen In der Luft, lösen Photoresist in kürzester Zelt
auf, als dies bisher unter Verwendung bekannter organischer Entschichtungsmlttel möglich war, haben weniger
unerwünschte Färbung, enthalten weniger Komponenten als einige bekannte organische Entschlchtungsmittel,
greifen Alumlnlummaterlallen nicht an, haben verbesserte Mischbarkelt mit organischen Lösungsmitteln und
Wasser und sind geeignet für die Verwendung In automatisierten
Verfahrensanlagen.
Die Phenolsulfonsäure kann ein Gemisch der ortho-
Die Phenolsulfonsäure kann ein Gemisch der ortho-
-o und para-Phenolsulfonsäure sein, wie es durch Einwirkung
von Schwefelsäure auf Phenol entsteht.
Die Polymersubstanz, wie ein Photoresist, kann mit einer Lösung der erfindungsgemäßen Entschlchtungsmittel
besprüht oder In diese eingetaucht werden. Die organische Polymersubstanz löst sich dann In der Lösung
und wird von der Oberfläche des Substrates mit Irgendeiner
geeigneten Waschflüssigkeit, wie Wasser, Perchloräthylen oder Trlchloräthylen, weggewaschen.
Das oberflächenaktive Mittel Ist vorzugsweise stark
Das oberflächenaktive Mittel Ist vorzugsweise stark
•° anionisch, obwohl es auch nicht-ionisch sein kann, vorausgesetzt,
daß es eine hochhydrophile Kette, wie eine Polyolkette, Im Molekül besitzt. Bevorzugte oberflächenaktive
Mittel sind Alkyl- oder Arylsulfonate mit einer hydrophoben Alkylkette. Die am meisten bevorzugten
^ oberflächenaktiven Mittel sind Alkylary'sulfonate,
besonders solche, worin die mittlere Alkykettenlänge zwischen 10 und 14 Kohlenstoffatomen Hegt und die
Arylgruppe sich von Benzol, Toluol oder Xylol herleitet. Lineare Dodecylbenzolsulfonsäure Ist das am meisten
bevorzugte oberflächenaktive Mittel. Die HLB-Zahl des oberflächenaktiven Mittels und Ihre Bestimmung Ist In
»J. Soc. Cosmetic Chemists«, 21, S. 193 bis 204 (1970) erläutert.
4' anderen Komponenten zusammen, um die organische
Polymersubstanz von einem mit der Substanz beschichteten Substrat zu lösen und abzuheben. Bevorzugt verwendet
man Phenol.
Die Phenolsulfonsäure scheint In ähnlicher Welse zu wirken und die organische Polymersubstanz zu lösen und abzuheben. Es wurde gefunden, daß man bei Verwendung von 15 bis 25 Gew.-% der Phenolsulfonsäure Im Entschlchtungsmittel ein wesentlich schnelleres Entschlchten bekommt, mehr Wasser In dem Entschlch-
Die Phenolsulfonsäure scheint In ähnlicher Welse zu wirken und die organische Polymersubstanz zu lösen und abzuheben. Es wurde gefunden, daß man bei Verwendung von 15 bis 25 Gew.-% der Phenolsulfonsäure Im Entschlchtungsmittel ein wesentlich schnelleres Entschlchten bekommt, mehr Wasser In dem Entschlch-
" tungsmlttel mit geringerer Korrosion von Aluminiumsubstraten
toleriert werden kann, als dies bei bekannten Entschlchtungsmittel bisher möglich war, und man
weniger unerwünschte Niederschläge an der Luft bekommt.
b" Der chlorierte Kohlenwasserstoff unterstützt das Auflösen
und Verdünnen der organischen Substanz und kann beispielsweise meta-Dlchlorbenzol, ortho-Dlchlorbenzol.
Trichlorbenzol, chloriertes Toluol, Perchloräthylen oder ein Gemisch dieser chlorierten Kohlenwasserstoffe
sein. Ein besonders wirksamer chlorierter Kohlenwasserstoff
Ist ortho-Dlchlorbenzol. Die bevorzugten
chlorierten Kohlenwasserstolfe sieden zwischen 150 und 19O0C.
Die organischen Polymersubstanzen, die mit den Entschlchtungsmltteln
nach der Erfindung entfernt werden sollen, sind gewöhnlich »Photoreslste«, die niedermolekulare
Polyisoprene, Polyvlnylclnnamate und Phenol-Formaldehydharze enthalten. Diese Photoreslste oder
Photolacke werden auf einem Substrat, wie Aluminium, aufgebracht, Teile werden maskiert oder abgedeckt, und
das ganze wird dann belichtet, wie mit einer Quarzlampe,
um die belichteten Bereiche des Photoresists weiter zu polymerisieren. Der Teil des Photoresists, der nicht
belichtet wurde, wird dann mit einem milden Lösungsmittel
entfernt, das die belichteten Bereiche nicht auflöst und somit ein Bild, wie eine elektrische Schaltung, auf
dem Substrat hinterläßt. Der zurückgebliebene Photoresist wird dann zur weiteren Härtung eingebrannt, und der
Teil des Substrates, der nicht mit dem Photoresist bedeckt Ist, wird geätzt oder anderweitig behandelt. Der
gehärtete Photoresist muß dann entfernt werden.
Bei der Verwendung des Entschichtungsmlttels nach
der Erfindung wird das mit dem Photoresist beschichtete Substrat mit dem Entschalungsmittel bei einer Temperatur
von 50 bis 180° C In Berührung gebracht. Die bevorzugte Temperatur Hegt bei 90 bis 12O0C, da e'.ne
Temperatur von mindestens 90° C zu einer schnelleren Entfernung führt und da Temperaturen oberhalb 120° C
zu Verlusten an Entschalungsmittel durch Verdampfung mit einer nicht erwünschten Geschwindigkeit führen.
Die Zelten, die für das Entfernen des Photoresists erforderlich sind, liegen bei 1 bis 15 Minuten bei 90 bis
12O0C.
Nach dem Entschicriten wird das Substrat mit Irgendeiner
geeigneten Flüssigkeit gespült, wie mit Äthanol, Isopropylalkohol, Trlchloräthylen oder Gemischen von
l,l,2-Trlchlor-l,2,2-trlfluoräihan mit Alkoholen mit 1 bis 3 Kohlenstoffatomen.
Die folgenden Beispiele dienen der Erläuterung der
Entschichtungsmittel und von deren Verwendung. In jedem Beispiel sind alle Teile und Prozentsätze Gewichtstelle
und Gewichtsprozentsätze. Drei unterschiedliche Entschichtungsmittel wurden In den folgenden Beispielen
verwendet. Das Mittel A Ist ein bekanntes organisches Entschichtungsmittel, die MIttel B und C sind solche
nach der Erfindung. Sie hatten folgende Zusammensetzung:
Mittel A | 2896 |
Lineare Dodecylbenzolsulfonsäure | 28% |
Phenol | 1896 |
Toluolsulfonsäure | 1896 |
ortho-Dlchlorbenzol | 8% |
Perchloräthylen | |
Mittel B | 3096 |
Lineare Dodecylbenzolsulfonsäure | 30% |
Phenol | |
Phenolsulfonsäure | Beispiel 1 | 2096 |
ortho-Dlchlorbenzol | 20% | |
Mittel C | ||
Lineare Dodecylbenzolsulfonsäure | 28,0% | |
Phenol | 28,0% | |
Phenolsulfonsäure | 18,5% | |
ortho-Dlchlorbenzol | 18,5% | |
Perchloräthylen | 7,0% | |
100 ml der Mittel A, B und C wurden in getrennte 250-ml-Becher gegeben, die zur Atmosphäre mit 20° C
und 80% relativer Feuchtigkeit offen waren. Nach 24 Stunden war das Mittel A trüb und enthielt einen unerwünschten
Niederschlag, während die Mittel B und C klar blieben, was zeigt, daß die Mittel B und C nach der
Erfindung weniger leicht unerwünschte Niederschläge bilden als das bekannte Mittel A, wenn sie mit Luft in
Berührung kommen.
Drei Siliclumplättchen wurden mit Polylsopren-Photoreslst
beschichtet. Der Photoreslstüberzug wurde dann mit einer Quarzlampe mit 120 Volt und 650 Watt 15
Sekunden bei einem Abstand von 30 cm belichtet. Der Photoresistüberzug wurde dann 2 Stunden bei 240° C eingebrannt.
Jedes Plättchen wurde dann In eines der Mittel A, B und C bei einer Temperatur von 100° C eingetaucht,
und die Zelten, die zum Entschlchten des Photoresists
von den Blättchen erforderlich waren, wurden gemessen. Die Ergebnisse sind In der nachfolgenden Tabelle zusammengestellt.
Sie zeigen, daß die Mittel B und C nach der Erfindung ein schnelleres Entschlchten als das bekannte
Mittel A gestatten.
MIttel
30 Minuten
S Minuten
8 Minuten
S Minuten
8 Minuten
Nach dem Entschlchten wurde jedes der In Beispiel 2 verwendeten Blättchen mit einem nicht entflammbaren
Gemisch von 83 Gew.-% !,l^-Trlchlor-l^-trifluoräthanol
und 7 Gew.-% Isopropanol gespült. Die Mittel B und C wurden beim Spülen vollständig entfernt, während das
Mittel A mit dem Gemisch unmischbar Ist und beim Spülen nicht entfernt wurde. Dieses Beispiel zeigt, daß
die MIttel B und C nach der Erfindung leichter als das
bekannte Mittel durch Spülflüssigkelten entfernt werden können, die halogenlerte Kohlenwasserstoffe enthalten.
Claims (3)
1. Entschalungsmittel für organische Polymersubstanzen
aus 25 bis 35 Gew.-% Phenol oder Essigsäure, 10 bis 30 Gew.-9tS Arylsulfonsäure, 15 bis 30
Gew.-% zwischen 120 und 210° siedendem chloriertem Kohlenwasserstoff und 2S bis 35 Gew.-% eines oberflächenaktiven
Mittels mit einer HLB-Zahl zwischen 11,0 und 12,5, dadurch gekennzeichnet, daß es
als Arylsulfonsäure Phenolsulfonsäure enthält.
2. Entschalungsmittel nach Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet, daß es 15 bis 25 Gew.-% Phenolsulfonsäure
enthält.
3. Verwendung eines Entschlchtungsmlttels nach Anspruch 1 und 2 zur Entfernung eines Photoresists,
Insbesondere aus Polyisopren, Polyvinylcinnamat und/oder Phenol-Formaldehydharz.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US438127A US3871929A (en) | 1974-01-30 | 1974-01-30 | Polymeric etch resist strippers and method of using same |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2501187A1 DE2501187A1 (de) | 1975-07-31 |
DE2501187C2 true DE2501187C2 (de) | 1984-04-19 |
Family
ID=23739341
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2501187A Expired DE2501187C2 (de) | 1974-01-30 | 1975-01-14 | Entschichtungsmittel und dessen Verwendung |
Country Status (10)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3871929A (de) |
JP (1) | JPS5852578B2 (de) |
AU (1) | AU7687074A (de) |
CA (1) | CA1024867A (de) |
DE (1) | DE2501187C2 (de) |
FR (1) | FR2259128B3 (de) |
GB (1) | GB1485545A (de) |
HK (1) | HK33378A (de) |
IT (1) | IT1027234B (de) |
MY (1) | MY8100095A (de) |
Families Citing this family (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2447225C2 (de) * | 1974-10-03 | 1983-12-22 | Ibm Deutschland Gmbh, 7000 Stuttgart | Verfahren zum Ablösen von positiven Photolack |
JPS5241002A (en) * | 1975-09-29 | 1977-03-30 | Chubu Rika Kk | Regeneration method of ps plate material and regenerated plate |
US4042387A (en) * | 1976-05-05 | 1977-08-16 | Rockwell International Corp | Photolithographic method of making microcircuits using glycerine in photoresist stripping solution |
US4169068A (en) * | 1976-08-20 | 1979-09-25 | Japan Synthetic Rubber Company Limited | Stripping liquor composition for removing photoresists comprising hydrogen peroxide |
US4140572A (en) * | 1976-09-07 | 1979-02-20 | General Electric Company | Process for selective etching of polymeric materials embodying silicones therein |
US4165295A (en) * | 1976-10-04 | 1979-08-21 | Allied Chemical Corporation | Organic stripping compositions and method for using same |
US4078102A (en) * | 1976-10-29 | 1978-03-07 | International Business Machines Corporation | Process for stripping resist layers from substrates |
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JPS58204100A (ja) * | 1982-05-24 | 1983-11-28 | ダイキン工業株式会社 | 表面清浄化用組成物 |
US4469525A (en) * | 1983-01-19 | 1984-09-04 | Tennant Company | Membrane remover/etchant |
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US4971715A (en) * | 1988-11-18 | 1990-11-20 | International Business Machines Corporation | Phenolic-free stripping composition and use thereof |
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US6348100B1 (en) * | 1999-07-01 | 2002-02-19 | International Business Machines Corporation | Resist bowl cleaning |
US6403286B1 (en) | 1999-11-04 | 2002-06-11 | Corning Incorporated | High aspect ratio patterning of glass film |
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US6475292B1 (en) | 2000-07-31 | 2002-11-05 | Shipley Company, L.L.C. | Photoresist stripping method |
EP2571487B1 (de) | 2010-05-21 | 2023-01-04 | Siemens Healthcare Diagnostics Inc. | Zwitterionische reagenzien |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3582401A (en) * | 1967-11-15 | 1971-06-01 | Mallinckrodt Chemical Works | Photosensitive resist remover compositions and methods |
US3813309A (en) * | 1969-12-23 | 1974-05-28 | Ibm | Method for stripping resists from substrates |
FR2109127A5 (en) * | 1970-10-02 | 1972-05-26 | Radiotechnique Compelec | Solvent for photopolymerised acrylics -used eg in printed - circuit mfr contains methylene chloride and phenolics in emulsion |
-
1974
- 1974-01-30 US US438127A patent/US3871929A/en not_active Expired - Lifetime
- 1974-11-05 CA CA212,977A patent/CA1024867A/en not_active Expired
- 1974-12-11 FR FR7440833A patent/FR2259128B3/fr not_active Expired
- 1974-12-24 AU AU76870/74A patent/AU7687074A/en not_active Expired
-
1975
- 1975-01-02 IT IT67005/75A patent/IT1027234B/it active
- 1975-01-14 DE DE2501187A patent/DE2501187C2/de not_active Expired
- 1975-01-29 JP JP50011492A patent/JPS5852578B2/ja not_active Expired
- 1975-01-30 GB GB4135/75A patent/GB1485545A/en not_active Expired
-
1978
- 1978-06-29 HK HK333/78A patent/HK33378A/xx unknown
-
1981
- 1981-12-30 MY MY95/81A patent/MY8100095A/xx unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
FR2259128A1 (de) | 1975-08-22 |
JPS50109730A (de) | 1975-08-29 |
HK33378A (en) | 1978-07-07 |
FR2259128B3 (de) | 1977-09-16 |
DE2501187A1 (de) | 1975-07-31 |
MY8100095A (en) | 1981-12-31 |
AU7687074A (en) | 1976-06-24 |
IT1027234B (it) | 1978-11-20 |
US3871929A (en) | 1975-03-18 |
CA1024867A (en) | 1978-01-24 |
GB1485545A (en) | 1977-09-14 |
JPS5852578B2 (ja) | 1983-11-24 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
8127 | New person/name/address of the applicant |
Owner name: ALLIED CORP., MORRIS TOWNSHIP, N.J., US |
|
8128 | New person/name/address of the agent |
Representative=s name: WEBER, D., DIPL.-CHEM. DR.RER.NAT. SEIFFERT, K., D |
|
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition |