DE2749333C2 - - Google Patents

Info

Publication number
DE2749333C2
DE2749333C2 DE2749333A DE2749333A DE2749333C2 DE 2749333 C2 DE2749333 C2 DE 2749333C2 DE 2749333 A DE2749333 A DE 2749333A DE 2749333 A DE2749333 A DE 2749333A DE 2749333 C2 DE2749333 C2 DE 2749333C2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
carbon atoms
acid
general formula
except
atoms
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
DE2749333A
Other languages
English (en)
Other versions
DE2749333A1 (de
Inventor
John E. Vander Stirling N.J. Us Mey
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Allied Corp
Original Assignee
Allied Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Allied Corp filed Critical Allied Corp
Publication of DE2749333A1 publication Critical patent/DE2749333A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE2749333C2 publication Critical patent/DE2749333C2/de
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C11ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11DDETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D1/00Detergent compositions based essentially on surface-active compounds; Use of these compounds as a detergent
    • C11D1/02Anionic compounds
    • C11D1/12Sulfonic acids or sulfuric acid esters; Salts thereof
    • C11D1/22Sulfonic acids or sulfuric acid esters; Salts thereof derived from aromatic compounds
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C11ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11DDETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D3/00Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
    • C11D3/16Organic compounds
    • C11D3/34Organic compounds containing sulfur
    • C11D3/3418Toluene -, xylene -, cumene -, benzene - or naphthalene sulfonates or sulfates
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C11ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11DDETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D3/00Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
    • C11D3/43Solvents
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42Stripping or agents therefor
    • G03F7/422Stripping or agents therefor using liquids only
    • G03F7/426Stripping or agents therefor using liquids only containing organic halogen compounds; containing organic sulfonic acids or salts thereof; containing sulfoxides

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Description

Bei der Herstellung von Halbleitern und Halbleitermikroschaltun­ gen ist es häufig erforderlich, die Materialien, aus denen die Halbleiter und Mikroschaltungen hergestellt werden, mit einer polymeren organischen Substanz zu beschichten, die allgemein als Fotolack bezeichnet wird. Diese Fotolacke werden verwendet, um bestimmte Bereiche der Oberfläche des Substrates, z. B. aus Silicium, SiO₂ oder Aluminium, beim Ätzen gegen die Einwirkung der Ätzlösung zu schützen. Nach Beendigung des Ätzens und nach Wegwaschen des restlichen Ätzmittels ist es erforderlich, daß der Fotolack von der Oberfläche entfernt wird.
Eine übliche Methode zur Entfernung des Fotolacks von dem Substrat besteht in einer Behandlung des Substrates mit einem organischen Abstreifmittel. Die US-PS 35 82 401 beschreibt ein solches Abstreifmittel, das aus einer Arylsulfonsäure, Phenol oder einer Phenolverbindung sowie Tetrachlorkohlenstoff, Trichlorethylen, o-Dichlorbenzol oder Tetrachlorethylen besteht. Die Verwendung von Phenol oder Phenolverbindungen ist nachteilig wegen deren Toxizität sowie infolge der Umweltverschmutzungs­ probleme, die beim Wegwerfen von Phenol oder Phenolverbindungen, wie Kresolen, Phenolsulfonsäuren und dergleichen, entstehen.
Die DE-OS 24 54 399 beschreibt Abstreiflösungen für diesen Zweck, die 20 bis 50 Gew.-% Alkylbenzolsulfonsäure mit 12 bis 20 C-Atomen und ein chlorfreies Lösungsmittel mit einem Siedepunkt über 150°C, wie Dodecylbenzol, enthalten.
Das Hauptpatent Nr. 26 32 949 betrifft eine phenol- und phenol­ verbindungsfreie Abstreiflösung zum Entfernen polymerer organi­ scher Substanzen von einem anorganischen Substrat, die zumindest 30 Gew.-% einer Arylsulfonsäure der allgemeinen Formel
enthält, worin R aus einer Gruppe ausgewählt ist, die Alkyle mit maximal 14 Kohlenstoffatomen umfaßt, und bei der der Rest von einem organischen Lösungsmittel mit einem hohen Siedepunkt gebildet wird und ist dadurch gekennzeichnet, daß der Anteil der Arylsulfonsäure an der Abstreiflösung maximal 80 Gew.-% beträgt, daß die Gruppe, aus der R ausgewählt ist, auch Alkyle mit 1 bis 5 Kohlenstoffatomen und zusätzlich das Wasserstoffatom umfaßt, und daß das organische Lösungsmittel ein isoparaffinischer Kohlenwasserstoff mit einem mittleren Molekulargewicht zwischen 150 und 210 und einem Siedepunkt zwischen 160 und 220°C, Perchlorethylen, Dichlorbenzol und/oder Dodecylbenzol ist, ausgenommen eine Lösung von 30 bis 50 Gew.-% der Arylsulfonsäure, bei der R eine Alkylgruppe mit 6 bis 14 Kohlenstoffatomen ist, in 50 bis 70 Gew.-% Dodecylbenzol.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine phenol- und phenolverbindungsfreie und damit nichttoxische, umweltfreundliche Abstreiflösung der gattungsgemäßen Art anzugeben.
Die erfindungsgemäße phenol- und phenolverbindungsfreie Ab­ streiflösung zum Entfernen polymerer organischer Substanzen von einem anorganischen Substrat, die 30 bis 80 Gew.-% Arylsulfon­ säure der allgemeinen Formel
enthält, worin R ein Wasserstoffatom oder eine Alkylgruppe mit 1 bis 14 Kohlenstoffatomen bedeutet, und bei der der Rest von einem aromatischen organischen Lösungsmittel, gegebenenfalls im Gemisch mit einem isoparaffinischen Kohlenwasserstoff mit einem mittleren Molekulargewicht zwischen 150 und 210 und einem Siedepunkt zwischen 160 und 220°C, gebildet wird, in Abwandlung des Patentes Nr. 26 32 949 ist dadurch gekennzeichnet, daß das aromatische organische Lösungsmittel wenigstens eine chlorierte Arylverbindung der allgemeinen Formel
worin R₁, R₂ und R₃ unabhängig voneinander Wasserstoffatome, Chloratome oder Alkylgruppen bedeuten und R₁, R₂ und R₃ zusammen 0 bis 5 Kohlenstoffatome besitzen, ausgenommen Dichlorbenzol, und/oder wenigstens eine Alkylarylverbindung der allgemeinen Formel
worin R₁ eine Arylgruppe bedeutet, R₂, R₃ und R₄ unabhängig voneinander Wasserstoffatome oder Alkylgruppen bedeuten und R₁, R₂, R₃ und R₄ zusammen 1 bis 14 Kohlenstoffatome enthalten, ausgenommen Dodecylbenzol, ist, ausgenommen eine Lösung von 30 bis 50 Gew.-% der Arylsulfonsäure, bei der R eine Alkylgruppe mit 6 bis 14 Kohlenstoffatomen ist, in 50 bis 70 Gew.-% eines oder mehrerer Alkylbenzole mit 9 bis 18 Kohlenstoffatomen.
Bevorzugt bestehen wenigstens 10 Gew.-% der Abstreiflösung aus den Alkylarylverbindungen.
Beispiele von Arylsulfonsäuren, die für die Erfindung geeignet sind, sind Benzolsulfonsäure, Toluolsulfonsäure, Heptylbenzol­ sulfonsäure, Octylbenzolsulfonsäure, Decylbenzolsulfonsäure, Dodecylbenzolsulfonsäure, Cumolsulfonsäure oder deren Gemische. Die bevorzugten Arylsulfonsäuren sind Dodecylbenzolsulfonsäure und Cumolsulfonsäure. Auch Gemische der Arylsulfonsäuren können verwendet werden. Lösungen, die einen größeren Anteil einer höheren Arylsulfonsäure, wie Dodecylbenzolsulfonsäure, und 5 bis 10 Gew.-% Toluolsulfonsäure enthalten, sind bevorzugt.
Obwohl die Arylsulfonsäuren bereits allein organische Fotolacke entfernen, enthalten die Abstreiflösungen zur Senkung der Viskosität wenigstens eines der oben angegebenen organischen Lösungsmittel.
Die für die Verwendung als Lösungsmittel brauchbaren isoparaffi­ nischen Kohlenwasserstoffe sind relativ hochsiedende isoparaffi­ nische Lösungsmittel in einer eng geschnittenen Fraktion, und sie werden durch moderne Synthese aus bestimmten Rohmaterialien, die sich vom Erdöl herleiten, produziert. Sie können geradkettig oder verzweigtkettig sein. Typische handelsübliche isoparaffinische Kohlenwasserstoffgemische enthalten etwa 60% C₁₁-Ver­ bindungen, 20% C₁₀-Verbindung und 20% C₁₂-Verbindungen.
In den erfindungsgemäß verwendeten Alkylarylverbindungen der Formel
kann jede Alkylgruppe geradkettig oder verzweigtkettig sein, doch sind die geradkettigen Alkylgruppen wegen ihrer biologi­ schen Abbaubarkeit bevorzugt. Die am meisten bevorzugten Beispiele solcher Verbindungen sind Toluol, Xylol, Ethylbenzol, Trimethylbenzol, Cumol, Phenyloctan und Dodecylbenzol. Andere bevorzugte Beispiele sind etwa Phenylnonan, Tridecylbenzol, Tridecyltoluol und Triethylbenzol. Geeignete Verbindungen werden durch die nachfolgende Tabelle IV erläutert.
Das Lösungsmittelgemisch enhält vorzugsweise 10 bis 70 Gew.-% solcher Alkylarylverbindungen und stärker bevorzugt 25 bis 55 Gew.-% Alkylarylverbindungen. Beispielsweise können 10 bis 70 Gew.-% und stärker bevorzugt 25 bis 55 Gew.-% des bevorzugten Dodecylbenzols benutzt werden.
Nach einer zweckmäßigen Ausführungsform ist die Lösung frei von halogenierten Kohlenwasserstoffen, wie Dichlorbenzol. Solche Lösungen sind allgemein biologisch abbaubar. In anderen zweckmä­ ßigen Lösungen sind jedoch bis zu 30 Gew.-% und vorzugsweise 10 bis 20 Gew.-% der Lösung halogenierter Kohlenwasserstoff, wie beispielsweise Dichlorbenzol. Die bevorzugten chlorierten Arylverbindungen sind Dichlorbenzol und Trichlorbenzol, wobei Dichlorbenzol am meisten bevorzugt ist.
Die polymeren organischen Substanzen, die mit den Abstreiflösun­ gen nach der Erfindung entfernt werden sollen, sind Fotolacke, die Polymere, wie relativ niedermolekulare Polyisoprene, Polyvinylcinnamate und Phenolformaldehydharze, enthalten. Diese Fotolacke werden auf einem Substrat, wie SiO₂, Silicium oder Aluminium, aufgebracht, und Teile des Fotoresists werden dann mit einer Maske überdeckt. Das mit der Maske überdeckte Substrat wird nun belichtet, z. B. mit einer Quarzlampe mit 120 V und 650 W während 1 bis 15 s in einem Abstand von 15 bis 30 cm, um den freiliegenden Fotolack zu härten. Der nicht belichtete Teil des Fotolacks, der gegen den Lichteinfall abgedeckt war, wird dann mit einem milden Lösungsmittel entfernt, welches den belichteten Photolack nicht auflöst und somit ein Bild, z. B. einen Teil der elektrischen Schaltung, auf dem belichteten Substrat hinterläßt. Der restliche Fotolack wird dann für eine weitere Härtung eingebrannt, und der Teil des Substrates, der nicht von dem Fotolack bedeckt ist, wird geätzt oder anderweitig behandelt. Der gehärtete Fotolack muß dann entfernt werden, bevor das Substrat weiterverarbeitet oder verwendet werden kann.
Bei Verwendung der Abstreiflösung wird das mit dem eingebrannten Fotolack bedeckte Substrat in Kontakt mit der Abstreiflösung bei einer Temperatur von 50 bis 180°C, vorzugsweise zwischen 90 und 120°C, gebracht. Die für das Abstreifen des Fotolacks erforderlichen Zeiten variieren ziemlich stark je nach dem speziell verwendeten Polymer und den Fotolackverarbeitungsbedingungen. Allgemein liegt die Zeit zwischen 1 und 10 min, obwohl einige Fotolacke je nach der Einbrenntemperatur auch 15 min, 30 min oder sogar 1 h Behand­ lungszeit mit der Abstreiflösung erfordern, bevor der polymere Fotolack sich von dem Substrat löst.
Nachdem der Fotolack von dem Substrat abgestreift wurde, wird das Substrat mit irgendeiner geeigneten Flüssigkeit gespült. Beispiele geeigneter Spülflüssigkeiten sind Ethanol, Isopropyl­ alkohol, Trichlorethylen, Perchlorethylen, Methylenchlorid und Wasser.
Die bevorzugte Menge an Arylsulfonsäure liegt zwischen 40 und 70 Gew.-%, und entsprechend liegt die bevorzugte Menge an Lösungs­ mittel zwischen 30 und 60 Gew.-%.
Nach der Erfindung geeignete Alkylarylverbindungen finden sich in Tabelle I, geeignete chlorierte Arylverbindungen in Tabelle II.
Tabelle II
Tabelle II
Beispiele 1 bis 6
Ein Siliciumdioxidsubstrat wurde mit fünf verschiedenen handels­ üblichen organischen Fotolacken A bis E bei 150°C bzw. 115°C während 30 min vor der Behandlung mit der Abstreiflösung nach der Erfindung beschichtet. Die Abstreiflösungen der Beispiele 1 bis 6 sind in der Tabelle III gezeigt. Die Abstreifzeit des Fotolacks in jedem der Beispiele ist in Tabelle IV gezeigt. Die Zahlenangaben in der Tabelle III bedeuten die Gewichts­ prozente der Komponenten, die Angaben in der Tabelle IV die Abstreifzeit in Minuten.
Tabelle III
Tabelle IV

Claims (3)

1. Phenol- und phenolverbindungsfreie Abstreiflösung zum Entfernen polymerer organischer Substanzen von einem an­ organischen Substrat, die 30 bis 80 Gew.-% Arylsulfonsäure der allgemeinen Formel enthält, worin R ein Wasserstoffatom oder eine Alkylgrup­ pe mit 1 bis 14 Kohlenstoffatomen bedeutet, und bei der der Rest von einem aromatischen organischen Lösungsmit­ tel, gegebenenfalls im Gemisch mit einem isoparaffini­ schen Kohlenwasserstoff mit einem mittleren Molekularge­ wicht zwischen 150 und 210 und einem Siedepunkt zwischen 160 und 220°C, gebildet wird, in Abwandlung des Patentes Nr. 26 32 949 ist dadurch gekennzeichnet, daß das aromati­ sche organische Lösungsmittel wenigstens eine chlorierte Arylverbindung der allgemeinen Formel worin R₁, R₂ und R₃ unabhängig voneinander Wasserstoffatome, Chloratome oder Alkylgruppen bedeuten und R₁, R₂ und R₃ zusammen 0 bis 5 Kohlenstoffatome besitzen, ausge­ nommen Dichlorbenzol, und/oder wenigstens eine Alkylaryl­ verbindung der allgemeinen Formel worin R₁ eine Arylgruppe bedeutet, R₂, R₃ und R₄ unabhängig voneinander Wasserstoffatome oder Alkylgruppen be­ deuten und R₁, R₂, R₃ und R₄ zusammen 1 bis 14 Kohlen­ stoffatome enthalten, ausgenommen Dodecylbenzol, ist, ausgenommen eine Lösung von 30 bis 50 Gew.-% der Arylsul­ fonsäure, bei der R eine Alkylgruppe mit 6 bis 14 Kohlen­ stoffatomen ist, in 50 bis 70 Gew.-% eines oder mehrerer Alkylbenzole mit 9 bis 18 Kohlenstoffatomen.
2. Abstreiflösung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß sie als Arylsulfonsäure Dodecylbenzolsulfonsäure, To­ luolsulfonsäure und/oder Cumolsulfonsäure enthält.
3. Abstreiflösung nach einem der Ansprüche 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die organische polymere Substanz ein Fotolack ist.
DE19772749333 1976-11-08 1977-11-04 Ausstreifloesung zur entfernung polymerer organischer substanzen von einem anorganischen substrat Granted DE2749333A1 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US05/740,154 US4242218A (en) 1976-11-08 1976-11-08 Phenol-free photoresist stripper

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE2749333A1 DE2749333A1 (de) 1978-05-11
DE2749333C2 true DE2749333C2 (de) 1991-09-26

Family

ID=24975271

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19772749333 Granted DE2749333A1 (de) 1976-11-08 1977-11-04 Ausstreifloesung zur entfernung polymerer organischer substanzen von einem anorganischen substrat

Country Status (7)

Country Link
US (1) US4242218A (de)
JP (1) JPS5361402A (de)
CA (1) CA1074220A (de)
DE (1) DE2749333A1 (de)
FR (1) FR2370089A2 (de)
GB (1) GB1589447A (de)
IT (1) IT1143833B (de)

Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2455075A1 (fr) * 1979-04-24 1980-11-21 Rhone Poulenc Ind Composition a base de solvants chlores pour l'elimination de resines photoresistantes
US4363673A (en) * 1981-05-22 1982-12-14 The Dow Chemical Company Process for the removal of carbon from solid surfaces
US4395348A (en) * 1981-11-23 1983-07-26 Ekc Technology, Inc. Photoresist stripping composition and method
JPS58204100A (ja) * 1982-05-24 1983-11-28 ダイキン工業株式会社 表面清浄化用組成物
US4617251A (en) * 1985-04-11 1986-10-14 Olin Hunt Specialty Products, Inc. Stripping composition and method of using the same
JPS6235357A (ja) * 1985-08-09 1987-02-16 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd ホトレジスト用剥離液
JPH0691060B2 (ja) * 1985-12-17 1994-11-14 東京応化工業株式会社 基板の処理方法
US4935158A (en) * 1986-10-30 1990-06-19 Aszman Harry W Solid detergent cleaning composition, reusable cleaning pad containing same and method of manufacture
US4971715A (en) * 1988-11-18 1990-11-20 International Business Machines Corporation Phenolic-free stripping composition and use thereof
AU5076890A (en) * 1989-03-13 1990-09-20 Safety-Kleen Corp. Cleaning compositions and methods
US4992108A (en) * 1990-01-18 1991-02-12 Ward Irl E Photoresist stripping compositions
US6110881A (en) * 1990-11-05 2000-08-29 Ekc Technology, Inc. Cleaning solutions including nucleophilic amine compound having reduction and oxidation potentials
US5279771A (en) 1990-11-05 1994-01-18 Ekc Technology, Inc. Stripping compositions comprising hydroxylamine and alkanolamine
US6121217A (en) 1990-11-05 2000-09-19 Ekc Technology, Inc. Alkanolamine semiconductor process residue removal composition and process
US20040018949A1 (en) * 1990-11-05 2004-01-29 Wai Mun Lee Semiconductor process residue removal composition and process
US7205265B2 (en) 1990-11-05 2007-04-17 Ekc Technology, Inc. Cleaning compositions and methods of use thereof
US5454969A (en) * 1993-06-18 1995-10-03 Fields; Paul B. Cleaning fluids
US7144849B2 (en) * 1993-06-21 2006-12-05 Ekc Technology, Inc. Cleaning solutions including nucleophilic amine compound having reduction and oxidation potentials
US6943142B2 (en) 2002-01-09 2005-09-13 Air Products And Chemicals, Inc. Aqueous stripping and cleaning composition
US20080039356A1 (en) * 2006-07-27 2008-02-14 Honeywell International Inc. Selective removal chemistries for semiconductor applications, methods of production and uses thereof
US7687447B2 (en) * 2008-03-13 2010-03-30 Air Products And Chemicals, Inc. Semi-aqueous stripping and cleaning composition containing aminobenzenesulfonic acid

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2083013A (en) * 1932-02-15 1937-06-08 Michael W Freeman Metal cleaner
LU37891A1 (de) * 1958-12-11
NL287211A (de) * 1962-01-11
FR1419726A (fr) * 1963-10-04 1965-12-03 Kalle Ag Solutions détersives pour formes d'imprimerie planes
US3357828A (en) * 1964-11-09 1967-12-12 Dow Chemical Co Electrophotographic rinse and method
US3578591A (en) * 1967-11-13 1971-05-11 Colgate Palmolive Co Fabric softener composition
US3582401A (en) * 1967-11-15 1971-06-01 Mallinckrodt Chemical Works Photosensitive resist remover compositions and methods
US3629004A (en) * 1969-04-17 1971-12-21 Grace W R & Co Paint-removing method
BE757128A (fr) * 1969-10-07 1971-04-06 Ici Ltd Compositions d'hydrocarbures chlores et leurs utilisations pourle nettoyage et le sechage
JPS5139250B2 (de) * 1972-04-20 1976-10-27
US3871929A (en) * 1974-01-30 1975-03-18 Allied Chem Polymeric etch resist strippers and method of using same
US3988256A (en) * 1974-04-03 1976-10-26 Allied Chemical Corporation Photoresist stripper rinse
DE2454399C2 (de) * 1974-11-16 1981-09-24 Merck Patent Gmbh, 6100 Darmstadt Ablösemittel für Fotolacke
US3925231A (en) * 1975-02-19 1975-12-09 Grace W R & Co Water dispersable chlorinated solvent and method
IT1125196B (it) * 1975-08-01 1986-05-14 Allied Chem Disassorbitore fotoresistivo privo di fenolo

Also Published As

Publication number Publication date
IT1143833B (it) 1986-10-22
DE2749333A1 (de) 1978-05-11
FR2370089A2 (fr) 1978-06-02
US4242218A (en) 1980-12-30
GB1589447A (en) 1981-05-13
CA1074220A (en) 1980-03-25
FR2370089B2 (de) 1982-07-09
JPS5361402A (en) 1978-06-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2749333C2 (de)
DE2744027C2 (de) Organisches Ausstreifmittel
DE69526637T2 (de) Reinigungsmittelzusammensetzung und Verfahren zum Entfernen von Photoresist mit dieser Zusammensetzung
DE2501187C2 (de) Entschichtungsmittel und dessen Verwendung
DE3723402C2 (de)
DE3856553T2 (de) Wärmebehandlungsverfahren zum Erleichtern der Entfernung eines positiven Photoresists mit Entschichtungslösungen
DE69130823T2 (de) Entschichtungsmittel und Verfahren zum Entfernen von Fotolacken von Oberflächen
DE3586903T2 (de) Photolithographisches material mit sperrschichtkombination.
DE69934229T2 (de) Zusammensetzung zur entschichtung von photolack und organischen materialien von substratoberflächen
US4165294A (en) Phenol-free and chlorinated hydrocarbon-free photoresist stripper comprising surfactant and hydrotropic aromatic sulfonic acids
DE2447225C2 (de) Verfahren zum Ablösen von positiven Photolack
DE69717900T2 (de) Reinigungsmittelzusammensetzung für Photoresist und Verfahren zur Herstellung eines halbleitenden integrierten Schaltkreises
DE3831574C2 (de) Entfernerlösung für Resists
DE2454399A1 (de) Abloesemittel fuer fotolacke
EP3055401B1 (de) Verwendung von mehrphasensflüssigkeiten zur vernetzten fotoresist-stripping
DE19838148B4 (de) Verfahren zum Herstellen von Halbleiterbauelementen
DE3828513A1 (de) Abloesemittel fuer fotoresists
DE2632949C2 (de)
EP0220645B1 (de) Strahlungsempfindliches, positiv-arbeitendes Gemisch und hieraus hergestelltes Photoresistmaterial
DE2919666C2 (de)
KR102029442B1 (ko) 드라이필름 레지스트 제거용 박리조성물 및 이를 이용한 드라이필름 레지스트의 박리방법
DE60124519T2 (de) Trihydroxybenzen zur verhinderung der korrosion von titan
EP0221428B1 (de) Behandlungsflüssigkeit für ein Photoresistgemisch und hierfür geeignetes Verfahren
DE69715133T2 (de) Entschichtungsmittel
DE3153069T1 (de) Foto- und elektronenresist

Legal Events

Date Code Title Description
8127 New person/name/address of the applicant

Owner name: ALLIED CORP., MORRIS TOWNSHIP, N.J., US

8110 Request for examination paragraph 44
8176 Proceedings suspended because of application no:

Ref document number: 2632949

Country of ref document: DE

Format of ref document f/p: P

8178 Suspension cancelled
AF Is addition to no.

Ref country code: DE

Ref document number: 2632949

Format of ref document f/p: P

8178 Suspension cancelled
AF Is addition to no.

Ref country code: DE

Ref document number: 2632949

Format of ref document f/p: P

D2 Grant after examination
8364 No opposition during term of opposition