DE69934229T2 - Zusammensetzung zur entschichtung von photolack und organischen materialien von substratoberflächen - Google Patents

Zusammensetzung zur entschichtung von photolack und organischen materialien von substratoberflächen Download PDF

Info

Publication number
DE69934229T2
DE69934229T2 DE69934229T DE69934229T DE69934229T2 DE 69934229 T2 DE69934229 T2 DE 69934229T2 DE 69934229 T DE69934229 T DE 69934229T DE 69934229 T DE69934229 T DE 69934229T DE 69934229 T2 DE69934229 T2 DE 69934229T2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
composition according
remover composition
photoresist remover
photoresist
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
DE69934229T
Other languages
English (en)
Other versions
DE69934229D1 (de
Inventor
E. Joseph Phillipsburg OBERLANDER
S. Mark Sunnyvale SLEZAK
N. Dinesh E. Greenwich KHANNA
L. Dana Pittstown DURHAM
Lawrence Matthews SPINICELLI
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
EMD Performance Materials Corp
Original Assignee
AZ Electronic Materials USA Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by AZ Electronic Materials USA Corp filed Critical AZ Electronic Materials USA Corp
Publication of DE69934229D1 publication Critical patent/DE69934229D1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE69934229T2 publication Critical patent/DE69934229T2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42—Stripping or agents therefor
    • G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
    • G03F7/425—Stripping or agents therefor using liquids only containing mineral alkaline compounds; containing organic basic compounds, e.g. quaternary ammonium compounds; containing heterocyclic basic compounds containing nitrogen
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42—Stripping or agents therefor
    • G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
    • G03F7/426—Stripping or agents therefor using liquids only containing organic halogen compounds; containing organic sulfonic acids or salts thereof; containing sulfoxides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22—Organic compounds
    • C11D7/26—Organic compounds containing oxygen
    • C11D7/264—Aldehydes; Ketones; Acetals or ketals
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
    • G03F7/028—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with photosensitivity-increasing substances, e.g. photoinitiators
    • G03F7/031—Organic compounds not covered by group G03F7/029
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
    • G03F7/32—Liquid compositions therefor, e.g. developers
    • G03F7/322—Aqueous alkaline compositions

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Emergency Medicine (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Detergent Compositions (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

  • Hintergrund der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung betrifft das Gebiet der Mikroelektronik, wie integrierte Schaltkreise, und insbesondere Zusammensetzungen und Verfahren zum Entfernen von Fotolacken oder anderen organischen Materialien von den Oberflächen von Substraten, die bei der Herstellung von integrierten Schaltkreisen verwendet werden. Insbesondere betrifft die vorliegende Erfindung aminfreie Entschichtungszusammensetzungen, enthaltend Lösungsmittel und Tensid, die wirksam Fotolackschichten oder organische Materialien entfernen können, ohne das darunter liegende Substrat zu korrodieren, und Verfahren zum Entfernen dieser Materialschichten mit der neuen Entschichtungszusammensetzung.
  • Fotolackzusammensetzungen werden in mikrolithographischen Verfahren zur Herstellung miniaturisierter elektronischer Komponenten, wie in der Fabrikation von Computerchips und integrierten Schaltkreisen, genutzt. Im Allgemeinen wird bei diesen Verfahren zuerst eine dünne Beschichtung mit einem Film einer Fotolackzusammensetzung auf ein Substratmaterial aufgebracht, das zur Herstellung integrierter Schaltkreise verwendet wird, wobei das Substrat ein Siliciumwafer oder Siliciumwafer mit einer Siliciumoxid- oder einer metallischen Beschichtung sein kann. Das beschichtete Substrat wird dann getrocknet, um etwaige Lösungsmittelrückstände in der Fotolackzusammensetzung zu verdampfen und die Beschichtung auf dem Substrat zu fixieren. Die getrocknete beschichtete Oberfläche des Substrats wird danach einer abschnittsweisen Belichtung unterworfen.
  • Diese Belichtung bewirkt eine chemische Veränderung in den belichteten Flächen der beschichteten Oberfläche. Die Strahlungsenergien von sichtbarem Licht, ultraviolettem (UV) Licht, Elektronstrahlen und Röntgenstrahlen sind Arten von Strahlung, die heute gewöhnlicherweise in mikrolithographischen Verfahren verwendet werden. Nach dieser ab schnittsweisen Belichtung wird das beschichtete Substrat mit einer Entwicklerlösung behandelt, um entweder die belichteten oder die nicht belichteten Flächen des Fotolacks aufzulösen und zu entfernen. Eine darauffolgende Bearbeitung kann dann auf dem Substrat durchgeführt werden, was eine Metallabscheidung, Ätzen des Substrats, Dotieren des Substrats oder andere in der Technik bekannte Verfahren beinhalten kann. Nachdem diese Bearbeitung beendet ist, wird der Fotolack von dem Substrat entfernt. Gewöhnlicherweise wird die Fotolackschicht durch eine nasschemische Bearbeitung entfernt, die den Fotolack angreift und von dem Substrat ablöst, ohne die Substratoberfläche zu korrodieren oder die Unversehrtheit der Oberfläche zu zerstören.
  • Es gibt zwei Arten von Fotolackzusammensetzungen, negativ arbeitende und positiv arbeitende. Wenn negativ arbeitende Fotolackzusammensetzungen abschnittsweise belichtet werden, wird die belichtete Fläche der Fotolackzusammensetzung weniger löslich in einer Entwicklerlösung (z. B. findet eine Quervernetzungsreaktion statt), während die nicht belichteten Flächen der Fotolackbeschichtung relativ löslich in einer solchen Lösung bleiben. Das heißt, die Behandlung eines belichteten negativ arbeitenden Fotolacks mit einer Entwicklerlösung bewirkt das Entfernen von nicht belichteten Flächen der Fotolackbeschichtung und die Schaffung eines Negativbildes in der Beschichtung, wobei ein gewünschter Abschnitt der darunter liegenden Substratoberfläche, auf die die Fotolackzusammensetzung aufgebracht wurde, freigelegt wird.
  • Andererseits werden beim abschnittsweisen Belichten von positiv arbeitenden Fotolackzusammensetzungen die belichteten Flächen der Fotolackzusammensetzung stärker löslich in der Entwicklerlösung (beispielsweise findet eine Umlagerungsreaktion statt), während die nicht belichteten Flächen relativ unlöslich in der Entwicklerlösung bleiben. Das heißt, die Behandlung eines belichteten positiv arbeitenden Fotolacks mit dem Entwickler bewirkt das Entfernen von belichteten Flächen der Beschichtung und das Erzeugen eines positiven Bildes in der Fotolackbeschichtung. Wiederum wird ein gewünschter Abschnitt der darunter liegenden Substratoberfläche freigelegt. Positiv arbeitende Fotolackzusammensetzungen sind zur Zeit bevorzugt gegenüber negativ arbeitenden Fotolackzusammensetzungen, denn die ersteren haben im Allgemeinen bessere Auflösungsfähigkeiten und Musterübertragungseigenschaften. Die Auflösung eines Fotolacks wird definiert als das kleinste Merkmal, das die Fotolackzusammensetzung von der Photomaske auf ein Substrat mit einem hohen Grad von Bildkantengenauigkeit nach Belichtung und Entwicklung übertragen kann.
  • Positive Fotolacke, die alkalilösliche Harze und photoaktive Verbindungen enthalten, sind wohlbekannt in der Technik und können wie z. B. in den folgenden Patenten beschrieben verwendet werden: U.S. 4,944,893, U.S. 4,853,315, U.S. 5,501,936, U.S. 5,532,107 und U.S. 5,541,033, die durch Zitat als Bestandteil dieser Beschreibung gelten.
  • Die aus dem Stand der Technik bekannten Entschichtungszusammensetzungen enthalten Verbindungen, die die Zusammensetzung schwierig und teuer in der Handhabbarkeit im Hinblick auf ihre Toxizität, Entsorgung, Angreifen des Substrats, begrenzte Lebenszeit des Bades, Kontamination der Arbeitsumgebung, etc. machen. Herkömmlicherweise wurden saure Entschichter, wie die in U.S. 4,944,893 offenbarten, benutzt, um Fotolacke von Silicium- oder Siliciumoxidoberflächen zu entfernen, aber diese Entschichter können nicht für Substrate mit metallischen Beschichtungen benutzt werden, da Säuren diese Beschichtungen angreifen. Organische Entschichter, die phenolische und Kohlenwasserstofflösungsmittel verwenden, sind in JP 6,167,813 beschrieben und können für Metallsubstrate verwendet werden; sie sind aber nicht wünschenswert wegen ihrer hohen Toxizität und den Entsorgungskosten des Kohlenwasserstofflösungsmittels. Entschichter, die Chromtrioxid und Schwefelsäure enthalten, stellen ebenfalls ein Entsorgungsproblem im Zusammenhang mit dem Chrom dar. Entschichterzusammensetzungen, die basische Verbindungen wie Amine, Alkanolamine, Amide oder Tetramethylammoniumhydroxide enthalten, sind aus U.S. 4,770,713, U.S. 4,824,763, U.S. 4,904,571, U.S. 5,185,235, U.S. 5,279,791 und U.S. 5,545,353 bekannt. Entschichter, die nur Lösungsmittel zum Entfernen von festgebackenen Fotolacken enthalten, sind bekannt, wobei das Lösungsmittel Aceton oder N-Methylpyrrolidon (NMP) ist. Aceton stellt ein Brandrisiko dar und von seinem Gebrauch wird abgeraten. NMP-Entschichter oder solche Entschichter, die basische Verbindungen, wie Amine, Ethanolamine, Amide oder Tetramethylammoniumhydroxide, enthalten, wurden für essenziell zum wirkungsvollen Entfernen festgebackener Fotolacke gehalten. Jedoch sind basische Bestandteile in einer Umgebung unerwünscht, wo der Fotolack empfindlich gegenüber einer Kontamination aus der Umgebung ist, die eine Neutralisation der Säure, die bei der Photolyse erzeugt wird, bewirkt und dadurch die Eigenschaften des Fotolacks beeinflusst. Der Aspekt der Kontamination wird durch die Tatsache verschlimmert, dass die meisten dieser Entschichter für eine effektive Entschichtung auf Temperaturen von ungefähr 90 °C erhitzt werden müssen, was zu einer erhöhten Verdampfung der Entschichterkomponenten führt. Chemisch verstärkte Fotolacke, zum Beispiele solche, die zur Belichtung mit tiefem UV-Licht entwickelt wurden, sind insbesondere empfindlich gegenüber der Kontamination mit Basen, wie in der Publikation „Einfluss von Polymereigenschaften in luftübertragener chemischer Kontamination von chemisch verstärkten Fotolacken", von W. D. Hinsberg et al., SPIE Vol. 1925, 43–52 offenbart ist. Es besteht daher ein Bedarf an wirkungsvollen Entschichtern, die frei von sauren oder basischen Komponenten sind oder in denen solche Komponenten erzeugt werden können.
  • JP-A 63 163457 offenbart eine Entschichterzusammensetzung für Fotolacke auf der Basis von Dimethylsulfoxid und Alkoholen. Nicht-ionische Tenside sind ebenso vorzugsweise in einem Gehalt von höher als 0,01 Vol.-% enthalten.
  • Es hat sich jedoch weiterhin ein hoher Bedarf an Entschichterzusammensetzungen für Fotolacke entwickelt, wobei die Entschichterzusammensetzungen nicht-korrosiv gegenüber metallischen Substraten sind, einfach entsorgt werden können, von geringer Toxizität sind, und keine flüchtigen Komponenten enthalten, die beim Erhitzen verloren gehen und dadurch die Lebenszeit des Entschichterbades vermindern, die mit geringem oder ohne Erhitzen auskommen, kosteneffektiv sind und vorzugsweise keine basischen Komponenten enthalten, die zur Kontamination der Fotolacke beim Verarbeiten in Fabrikationslaboratorien führen können.
  • Ziel der vorliegenden Erfindung ist es, Entschichtungszusammensetzungen bereitzustellen, die eine im Wesentlichen geringe Toxizität gegenüber Mensch und Umwelt aufweisen, wassermischbar und bioabbaubar sind. Weiterhin Ziel der vorliegenden Erfindung ist es, eine Entschichtungszusammensetzung bereitzustellen, die im Wesentlichen nicht entflammbar ist, nicht-korrosiv gegenüber Metallen, geringe oder keine Verluste an Komponenten während der Verdampfung aufweist und mit geringem oder keinem Aufheizen wirksam ist. Ein weiteres Ziel der vorliegenden Erfindung ist die Bereitstellung von Entschichtungszusammensetzungen, die frei von basischen Komponenten, wie Aminen, Ammoniumhydroxid und Hydroxylaminen, sind. Noch ein weiteres Ziel der vorliegenden Erfindung ist die Bereitstellung eines Entschichters, der quervernetzte Fotolacke oder gehärtete Fotolacke entfernen kann, ohne eine Korrosion des metallischen Substrats zu bewirken.
  • Zusammenfassung der Erfindung
  • Die neue Entschichtungszusammensetzung (Fotolackentferner-Zusammensetzung) der vorliegenden Erfindung enthält eine Mischung aus einem wassermischbaren Lösungsmittel und Tensid, wobei die Zusammensetzung aminfrei ist und metallische Oberflächen nicht korrodiert. In einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung enthält die Entschichtungszusammensetzung weiterhin Zusatzstoffe, welche die Wirksamkeit der Zusammensetzung zum Entfernen spezifischer organischer Materialien von spezifischen Substraten verbessern kann. Insbesondere bevorzugte Zusatzstoffe sind Tetrahydrothiophen-1,1-dioxid und polare protische Lösungsmittel sowie Mischungen daraus.
  • Ausführliche Beschreibung der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung offenbart einen nicht-korrosiven Entschichter für Fotolacke und organische Rückstände, enthaltend eine aminfreie Entschichtungszusammensetzung, die insbesondere zum Entfernen organischer Rückstände von beschichteten Substraten, die bei der Herstellung von integrierten Schaltkreisen verwendet werden, nützlich ist und eine Mischung aus wassermischbarem organischen Lösungsmittel und nicht-ionischem Tensid enthält, wobei das organische Lösungsmittel ausgewählt ist aus Acetaten, Ethern, Lactonen, Sulfonen und Carbonaten.
  • Ether, wie Glykolalkylether, sind bevorzugt, zum Beispiel Tripropylenglykolmethylether (TPGME), Dipropylenglykolmethylether (DPGME) und Propylenglykolmethylether (PGME). Lactone, wie Butyrolacton (BLO) sind ebenso bevorzugt. Lösungsmittel, die nicht reagieren oder sich bei Temperaturen, auf die der Entschichter erhitzt werden kann, beispielsweise 90 °C, zersetzen, sind ebenso bevorzugt; DPGME, TGME, PGME, BLO und Mischungen daraus sind Beispiele für solche bevorzugten Lösungsmittel.
  • Das Tensid in dem neuen Entschichter unterstützt beim wirkungsvollen Entfernen des Fotolacks, ohne das metallische Substrat zu korrodieren, insbesondere wenn der Fotolack bei höheren Temperaturen behandelt wurde, wie Quervernetzung, Ionenimplantation oder Hardbaking (starkes Trocknen) bei Temperaturen von über 140 °C. Die Arten von Tensiden, für die eine gute Wirksamkeit gefunden wurde, sind solche, die vorzugsweise gering schäumend, umweltfreundlich, vorzugsweise bioabbaubar, chemisch stabil und löslich in wässrigen Lösungen sind, insbesondere, wenn die Entschichterlösung gegebenenfalls erhitzt wird. Beispiele für nicht-ionische Tenside sind lineare oder verzweigte Alkoxylate, Ethylenoxid/Propylenoxidpolymere, acetylenische Alkohole, Polyethylenglykolmonophenylether, etc. Spezielle Beispiele von Tensiden, die aber nicht einschränkend sind, sind lineare Alkoholalkoxylate, Tridecylalkoxylate, Poly(ethylenoxid-co-propylenoxid) und Polyethylenoxid. Die Entschichter der vorliegenden Erfindung können einzelne oder Mischungen dieser Tenside enthalten.
  • Gegebenenfalls kann es wünschenswert sein, weitere Komponenten zu dem neuen Entschichter hinzuzufügen. Solche Zusätze können Antischaummittel, polare protische Lösungsmittel, Sulfon enthaltende Verbindungen, Amide, Lactone, Carbonate, Salze oder Mischungen daraus sein. Obwohl nicht-ionische Tenside eine verringerte Schaumbildung zeigen, kann es bei manchen Anwendungen des Entschichters notwendig sein, Antischaummittel, die allgemein dafür bekannt sind, für das entsprechende nicht-ionische Tensid geeignet zu sein, zuzusetzen. Weitere protische Lösungsmittel, die dem Entschichter zugesetzt werden können, können Wasser, Glycerin, Glykole, niedermolekulare (C1-C6)-Alkohole, etc. sein. Es wurde auch gefunden, dass Verbindungen, die Sulfongruppen enthalten, bei Zugabe zu dem neuen Entschichter beim wirkungsvollen Entfernen des Fotolackes von einem Substrat unterstützen können; solche Verbindungen sind zum Beispiel Tetrahydrothiophen-1,1-dioxid (Sulfolan), 2',5-Dihydrothiophen-1,1-dioxid (3-Sulfolen), Butadiensulfon und Butansulfon. Amide, vorzugsweise hitzestabile Amide, können dem neuen Entschichter ebenso zugesetzt werden, ein Beispiel dafür ist N,N-Diethyl-3-methylbenzamid.
  • Die neue Entschichtungszusammensetzung dieser Erfindung enthält eine Mischung aus einem Lösungsmittel und einem Tensid, wobei sich der Gehalt an Lösungsmittel von ungefähr 50 Gew.-% bis ungefähr 99,9 Gew.-% der gesamten Zusammensetzung bewegt und der Gehalt an Tensid sich von ungefähr 0,1 Gew.-% bis ungefähr 30 Gew.-% der gesamten Zusammensetzung bewegt. Vorzugsweise bewegt sich der Gehalt an Lösungsmittel von ungefähr 55 Gew.-% bis ungefähr 90 Gew.-% der gesamten Zusammensetzung, und der Gehalt an Tensid bewegt sich von ungefähr 1 Gew.-% bis ungefähr 20 Gew.-% der gesamten Zusammensetzung. Variation der relativen Anteile an Tensid in dem Entschichter erlaubt es, die Wirksamkeit des neuen Entschichters zum Entfernen verschiedener Arten von Fotolacken oder Polymeren, insbesondere wenn die zu entfernenden Materialien vorbehandelt wurden, einzustellen. In ähnlicher Weise kann durch Variation der Zusätze und ihrer Konzentrationen in dem neuen Entschichter die von dem Entschichter gewünschte Wirksamkeit eingestellt werden. Der Gehalt an Zusätzen in dem neuen Entschichter kann sich von ungefähr 0,1 Gew.-% bis ungefähr 50 Gew.-% der gesamten Zusammensetzung bewegen, abhängig von der Funktion des Zusatzes.
  • Die neuen Entschichtungszusammensetzungen der vorliegenden Erfindung sind wirksam zum Entfernen einer großen Zahl von Positiv-Fotolacken, sind aber insbesondere wirksam zum Entfernen von Fotolacken, die Novolakharze und Diazonaphthochinone enthalten, insbesondere wenn der Fotolack bei Temperaturen von über 140 °C gebacken wurde. Die neue Entschichtungszusammensetzung ist ebenso insbesondere wünschenswert zum Entfernen jeglicher Fotolacke, die empfindlich gegenüber der Anwesenheit von Aminen in der Verarbeitungsumgebung sind, insbesondere chemisch verstärkte Fotolacke, beispielsweise solche, die für Tief-UV-Belichtung, das heißt 180–260 nm, benutzt werden. Die Tief-UV- Fotolacke enthalten geschützte alkalilösliche Harze und photoaktive Verbindungen, wie Oniumsalze. Es ist bekannt, dass Amine solche Tief-UV-Fotolacke deaktivieren. Die Entschichtungszusammensetzung der vorliegenden Erfindung ist insbesondere vorteilhaft, weil sie keinerlei basische Verbindungen enthält.
  • Weiterhin ist der Entschichter der vorliegenden Erfindung auch zum Entfernen lichtempfindlicher und nicht-lichtempfindlicher Polyimidbeschichtungen und organischer Antireflexionsschichten von Substraten nützlich, wie sie zum Beispiel in U.S. 5,294,680 und U.S. 4,803,147 offenbart sind. Der Entschichter ist weiterhin wirksam, um nach dem Trockenätzverfahren die auf dem Substrat abgelagerten Rückstände zu entfernen, wenn kommerziell erhältliche Ausrüstung zum Ätzen der Substrate oder Polymere unter Verwendung von Plasma oder reaktiven Ionen verwendet wird.
  • Beispiele von Substraten, für die der neue Entschichter insbesondere nützlich ist, weil er nicht korrodierend gegenüber den Substraten ist, sind Aluminium, Nickel, Eisen, Indiumphosphid, Titan/Wolfram, Aluminium/Silicium, Aluminium/Silicium/Kupfer, Silicium, Siliciumoxid, Siliciumnitrid, Siliciumoxinitrid, Tantal, Kupfer, Metallstapel (metal stacks), Polysilicium, Keramiken, Aluminium/Kupfer-Mischungen, Galliumarsenid und anderer Gruppe III/V-Verbindungen, Kunststoffsubstrate, wie Polycarbonat. Andere in der Technik bekannte Substrate können ebenfalls verwendet werden.
  • Die Erfindung umfasst weiterhin ein Verfahren zum Entfernen des organischen Materials von einem Substrat unter Verwendung der Entschichtungszusammensetzung der vorliegenden Erfindung. Fotolacklösungen, Antireflexionsschichten, Polyimidfilme etc. können nach jeder bekannten Methode, die in der Technik benutzt wird, auf ein Substrat aufgetragen werden, einschließlich Tauchen, Sprühen, Verwirbeln und Spin Coating. Beispielsweise kann beim Spin Coating die organische Lösung im Hinblick auf den prozentualen Anteil an Feststoffen angepasst werden, um bei einem gegebenen Typ von Ausrüstung, die zum Spin Coating verwendet wird, und vorgegebener Zeitdauer des Spin Coating-Verfahrens eine Beschichtung der gewünschten Dicke zu erhalten. Beschichtungen, die nach dem oben beschriebenen Verfahren erhalten wurden, sind insbesondere geeignet für die Anwendung auf Siliciumwafern, die metallisiert wurden, wie sie zum Beispiel bei der Herstellung von Mikroprozessoren und anderen miniaturisierten integrierten Schaltkreiskomponenten verwendet werden. Das Substrat kann auch verschiedene polymere Harze, insbesondere transparente Polymere, wie Polyester, enthalten. Das Substrat kann eine haftverstärkende Schicht einer geeigneten Zusammensetzung, wie eine, die Hexaalkyldisilazan enthält, aufweisen.
  • Nachdem die Lösung auf das Substrat aufgebracht wurde, wird das Substrat auf Temperaturen von ungefähr 80 °C bis ungefähr 110 °C für ungefähr 30 Sekunden bis ungefähr 180 Sekunden auf einer Heizplatte oder von ungefähr 15 bis ungefähr 40 Minuten in einem Konvektionsofen erhitzt. Diese Temperaturbehandlung wird gewählt, um die Konzentration an verbleibendem Lösungsmittel in der Beschichtung zu vermindern, ohne einen wesentlichen thermischen Abbau zu verursachen. Im Allgemeinen ist es erwünscht, die Konzentration an Lösungsmitteln zu minimieren, und darum wird diese erste Temperaturbehandlung durchgeführt, bis im Wesentlichen die Gesamtmenge der Lösungsmittel aus der Beschichtung verdampft ist. In einer bevorzugten Ausführungsform wird die Temperatur von ungefähr 85 °C bis ungefähr 95 °C geführt. Die Behandlung wird durchgeführt, bis die Änderungsrate der Lösungsmittelentfernung relativ unbedeutend wird. Die Wahl von Temperatur und Zeit hängt von den von den Anwendern gewünschten Eigenschaften des Fotolackes wie auch von der verwendeten Ausrüstung und den aus kommerziellen Gründen erwünschten Beschichtungszeiten ab. Das beschichtete Substrat kann dann mit aktivischer Strahlung belichtet werden, insbesondere ultravioletter Strahlung, bei einer Wellenlänge von ungefähr 180 nm bis ungefähr 450 nm, Röntgenstrahlen, Elektronstrahl, Ionenstrahl oder Laserbelichtung, wobei jedes gewünschte Muster möglich ist, das unter Verwendung von geeigneten Masken, Negativen, Matrizen, Schablonen, etc. erhältlich ist.
  • Der Fotolack wird dann gegebenenfalls vor oder nach der Entwicklung einem Trocknen nach Entwicklung (post exposure bake) oder einer Wärmebehandlung unterworfen. Die Heiztemperaturen können sich von ungefähr 90 °C bis ungefähr 170 °C, stärker bevorzugt von ungefähr 110 °C bis ungefähr 150 °C, bewegen. Das Erhitzen kann von ungefähr 10 Sekunden bis ungefähr 30 Minuten, stärker bevorzugt von ungefähr 45 Sekunden bis ungefähr 90 Sekunden, auf einer Heizplatte oder von ungefähr 10 bis ungefähr 30 Minuten in einem Konvektionsofen durchgeführt werden.
  • Die belichteten fotolackbeschichteten Substrate werden entwickelt, um die abschnittsweise belichteten, Nicht-Bildflächen durch Sprühentwicklung zu entfernen, wobei eine alkalische Entwicklerlösung verwendet wird. Die Lösung wird bevorzugt gerührt, beispielsweise durch Nitrogen-Burst-Agitation (Verwirbeln mit Stickstoff). Man lässt die Substrate in dem Entwickler, bis die gesamte, oder im Wesentlichen gesamte, Fotolackbeschichtung der belichteten Flächen aufgelöst ist. Entwickler können wässrige Lösungen von Ammonium oder Alkalimetallhydroxiden beinhalten. Ein bevorzugtes Hydroxid ist Tetramethylammoniumhydroxid. Ein geeigneter Entwickler ist AZ® 300 MIF Developer (kommerziell erhältlich von der AZ® Electronic Materials, einer Einheit der Clariant Corporation, Somerville, New Jersey). Nach Entfernen des beschichteten Wafers aus der Entwicklerlösung kann gegebenenfalls eine Wärmebehandlung nach Entwicklung durchgeführt werden oder ein Trocknen (Bake), um die Haftung der Beschichtung und die chemische Photoresistenz gegenüber Ätzlösungen und anderen Substanzen zu erhöhen. Die Wärmebehandlung nach Entwicklung kann ein Trocknen in einem Ofen von Beschichtung und Substrat unterhalb des Erweichungspunkts der Beschichtung enthalten. Bei industriellen Anwendungen, insbesondere bei der Herstellung von Mikroschaltkreiseinheiten auf Substraten vom Silicium/Siliciumdioxid-Typ, können die entwickelten Substrate mit einer gepufferten Fluorwasserstoffsäurebase-Ätzlösung behandelt werden. Wahlweise kann das Substrat unter Verwendung von Plasma- oder Reaktivionenätzen trockengeätzt werden. Weitere bekannte Techniken wie Ionenimplantation oder Metallabscheidung können zum Bearbeiten des Substrates verwendet werden.
  • Schließlich muss der Fotolack oder der organische Rückstand, der vom Bearbeiten übrig ist, von dem Substrat entfernt werden. Entschichterlösungen werden benutzt, um organische Rückstände und Fotolack von dem Substrat zu entfernen und es zu reinigen. Das Substrat mit den zu entfernenden organischen Rückständen wird mit der Entschichterlösung in Kontakt gebracht, beispielsweise durch Tauchen oder Aufsprühen für eine Zeitdauer und bei einer Temperatur, die ausreichen, um ein vollständiges Entfernen zu bewirken. Typischerweise bewegt sich die Entschichtungszeit von ungefähr 1 bis 60 Minuten, vorzugsweise 1 bis 30 Minuten und stärker bevorzugt 1 bis 15 Minuten, und die Entschichtertemperatur kann sich von ungefähr 20 °C bis ungefähr 150 °C, vorzugsweise 20 °C bis 100 °C, bewegen. Die genauen Einzelheiten des Verfahrens werden durch die Ausrüstung, die zu entfernenden Materialien und die Verfahrensumgebung bestimmt. Die neue nicht-korrosive Entschichtungszusammensetzung der Erfindung ist insbesondere für ein minimales Erhitzen der Entschichtungszusammensetzung geeignet und ebenso besonders vorteilhaft für aminfreie Umgebungen.
  • Die folgenden speziellen Beispiele illustrieren im Detail die Verfahren zur Herstellung und Verwendung der Zusammensetzungen der vorliegenden Erfindung. Diese Beispiele sind nicht dazu bestimmt, den Umfang der Erfindung in irgendeiner Weise einzuschränken oder zu vermindern und sollten nicht so ausgelegt werden, dass sie Bedingungen, Parameter oder Werte angeben, die ausschließlich benutzt werden müssen, um die vorliegende Erfindung auszuführen.
  • Beispiele
  • Plurafac®, Iconol® und Tetronic® sind Marken der BASF Corporation, 100 Cherry Hill Road, Parsippany, New Jersey 07054 USA.
  • Fluorad FC-171 und FC-135 wurden von 3M Company, 3M Center Building 223, St. Paul, Minnesota 55144 USA, erworben.
  • Surfynol® ist eine Marke der Air Products and Chemical Co., 7201 Hamilton Boulevard, Allentown, Pennsylvania 18195 USA.
  • Emery 6706 wurde von der Henkel Corporation, 5051 Estecreek Drive, Cincinnati, Ohio 45232 USA, erworben.
  • Noigen EP-120A wurde von Dai-Ichi Kogyo Seiyaku Co., Ltd., 7F. Shin Kyoto Center Building, Karasuma Nishiiru, Shiokojidori, Shimogyo-ku, Kyoto, KYO 600, Japan, erworben.
  • BEISPIEL 1
  • Eine Formulierung aus Plurafac® B-26 linearem Alkoholalkoxylat-Tensid (kommerziell erhältlich von BASF) (1 Gew.-%), Sulfolan (35 Gew.-%), deionisiertem (DI) Wasser (4 Gew.-%) und DPGME (60 Gew.-%) wurde hergestellt. Die Lösung wurde gemischt und wie folgt bewertet.
  • Verschiedene Wafer wurden mit 2,5 μm (microns) AZ® P4110 Fotolack (erhältlich von AZ® Electronic Materials, Clariant Corporation, 70 Meister Avenue, Somerville, New Jersey 08876 USA) beschichtet, strukturiert und bei 140 °C getrocknet (hard baking). Verschiedene weitere Wafer wurden mit 4 μm AZ® P4330 Fotolack (erhältlich von AZ® Electronic Materials, Clariant Corporation, 70 Meister Avenue, Somerville, New Jersey 08876 USA) beschichtet, strukturiert und bei 140 °C, 150 °C oder 160 °C für 30 Minuten scharf gebacken. Die Wafer wurden entweder in dem Entschichterformulierungsbad bei Raumtemperatur oder in einem Entschichterformulierungsbad, das auf 90 °C erhitzt wurde, getaucht, wobei leicht gerührt wurde. Die Zeit, nach der das Muster von den Wafern entfernt war, wurde aufgezeichnet.
  • Die Ergebnisse sind in Tabelle 1 wiedergegeben.
  • BEISPIEL 2
  • Eine Formulierung mit Plurafac® RA-30 lineares Alkoholalkoxylat-Tensid (kommerziell erhältlich von BASF) (1 Gew.-%), Sulfolan (35 Gew.-%), DI Wasser (4 Gew.-%) und DPGME (60 Gew.-%) wurde hergestellt. Die Lösung wurde gemischt und gemäß dem Vorgehen in Beispiel 1 bewertet.
  • Die Ergebnisse sind in der Tabelle 1 wiedergegeben.
  • BEISPIEL 3
  • Eine Formulierung mit Iconol® TDA-9 Tensid (1 Gew.-%), Sulfolan (35 Gew.-%), DI Wasser (4 Gew.-%) und DPGME (60 Gew.-%) wurde hergestellt. Die Lösung wurde gemischt und gemäß dem Vorgehen in Beispiel 1 bewertet.
  • Die Ergebnisse sind in der Tabelle 1 wiedergegeben.
  • BEISPIEL 4
  • Eine Formulierung mit Pluronic® L-92 Tensid (1 Gew.-%), Sulfolan (35 Gew.-%), DI Wasser (4 Gew.-%) und DPGME (60 Gew.-%) wurde hergestellt. Die Lösung wurde gemischt und gemäß dem Vorgehen in Beispiel 1 bewertet.
  • Die Ergebnisse sind in der Tabelle 1 wiedergegeben.
  • BEISPIEL 5
  • Eine Formulierung mit Plurafac® B-26 linearem Alkoholalkoxylat-Tensid (kommerziell erhältlich von BASF) (1 Gew.-%), Sulfolan (35 Gew.-%), Glycerin (4 Gew.-%) und DPGME (60 Gew.-%) wurde hergestellt. Die Lösung wurde gemischt und gemäß dem Vorgehen in Beispiel 1 bewertet.
  • Die Ergebnisse sind in der Tabelle 1 wiedergegeben.
  • BEISPIEL 6
  • Eine Formulierung mit Plurafac® B-26 linearem Alkoholalkoxylat-Tensid (kommerziell erhältlich von BASF) (0,1 Gew.-%), Sulfolan (36 Gew.-%), DI Wasser (8 Gew.-%) und DPGME (56 Gew.-%) wurde hergestellt. Die Lösung wurde gemischt und gemäß dem Vorgehen in Beispiel 1 bewertet.
  • Die Ergebnisse sind in der Tabelle 1 wiedergegeben.
  • BEISPIEL 7
  • Eine Formulierung mit Plurafac® B-26 linearem Alkoholalkoxylat-Tensid (kommerziell erhältlich von BASF) (0,1 Gew.-%), Sulfolan (37 Gew.-%), DI Wasser (1 Gew.-%) und DPGME (62 Gew.-%) wurde hergestellt. Die Lösung wurde gemischt und gemäß dem Vorgehen in Beispiel 1 bewertet.
  • Die Ergebnisse sind in Tabelle 1 wiedergegeben.
  • BEISPIEL 8
  • Eine Formulierung mit Plurafac® B-26 linearem Alkoholalkoxylat-Tensid (kommerziell erhältlich von BASF) (2 Gew.-%), Sulfolan (33 Gew.-%), DI Wasser (8 Gew.-%) und DPGME (57 Gew.-%) wurde hergestellt. Die Lösung wurde gemischt und gemäß der Vorgehensweise in Beispiel 1 bewertet.
  • Die Resultate sind in Tabelle 1 wiedergegeben.
  • BEISPIEL 9
  • Eine Formulierung mit Plurafac® B-26 linearem Alkoholalkoxylat-Tensid (kommerziell erhältlich von BASF) (2 Gew.-%), Sulfolan (36 Gew.-%), DI Wasser (1 Gew.-%) und DPGME (61 Gew.-%) wurde hergestellt. Die Lösung wurde gemischt und gemäß dem Vorgehen in Beispiel 1 bewertet.
  • Die Ergebnisse sind in Tabelle 1 wiedergegeben.
  • Figure 00130001
  • BEISPIEL 10
  • Eine Entschichterformulierung mit Plurafac® B-26 linearem Alkoholalkoxylat-Tensid (kommerziell erhältlich von BASF) (27 Gew.-%), Sulfolan (12 Gew.-%), DI Wasser (4 Gew.-%) und DPGME (57 Gew.-%) wurde hergestellt. Die Lösung wurde gemischt und wie folgt bewertet.
  • Verschiedene Wafer wurden mit 2,5 μm AZ® P4110 Fotolack (erhältlich von AZ® Electronic Materials, Clariant Corporation, 70 Meister Avenue, Somerville, New Jersey 08876 USA) beschichtet, strukturiert und bei 140 °C oder 150 °C scharf gebacken. Verschiedene weitere Wafer wurden mit 6 μm AZ® P4620 Fotolack (erhältlich von AZ® Electronic Materials, Clariant Corporation, 70 Meister Avenue, Somerville, New Jersey 08876 USA) beschichtet, strukturiert und bei 140 °C oder 150 °C für 30 Minuten scharf gebacken. Die Wafer wurden in dem Entschichterformulierungsbad entweder bei Raumtemperatur oder in dem Entschichterformulierungsbad, das auf 90 °C erhitzt war, getaucht, wobei sanft gerührt wurde. Die Zeit, nach der das Muster von den Wafern entfernt war, wurde aufgezeichnet.
  • Die Ergebnisse sind in Tabelle 2 wiedergegeben.
  • BEISPIEL 11
  • Eine Formulierung mit Plurafac® B-26 linearem Alkoholalkoxylat-Tensid (kommerziell erhältlich von BASF) (14 Gew.-%), Sulfolan (24 Gew.-%), DI Wasser (4 Gew.-%) und DPGME (58 Gew.-%) wurde hergestellt. Die Lösung wurde gemischt und gemäß dem Vorgehen in Beispiel 10 bewertet.
  • Die Ergebnisse sind in Tabelle 2 wiedergegeben.
  • BEISPIEL 12
  • Eine Formulierung mit Plurafac® B-26 linearem Alkoholalkoxylat-Tensid (kommerziell erhältlich von BASF) (1 Gew.-%), Sulfolan (24 Gew.-%), DI Wasser (4 Gew.-%) und DPGME (71 Gew.-%) wurde hergestellt. Die Lösung wurde gemischt und gemäß dem Vorgehen in Beispiel 10 bewertet.
  • Die Ergebnisse sind in Tabelle 2 wiedergegeben.
  • BEISPIEL 13
  • Eine Formulierung mit Plurafac® B-26 linearem Alkoholalkoxylat-Tensid (kommerziell erhältlich von BASF) (1 Gew.-%), Sulfolan (12 Gew.-%), DI Wasser (4 Gew.-%) und DPGME (83 Gew.-%) wurde hergestellt. Die Lösung wurde gemischt und gemäß dem Vorgehen in Beispiel 10 bewertet.
  • Die Ergebnisse sind in Tabelle 2 wiedergegeben.
  • BEISPIEL 14
  • Eine Formulierung mit Plurafac® B-26 linearem Alkoholalkoxylat-Tensid (kommerziell erhältlich von BASF) (1 Gew.-%), Sulfolan (37 Gew.-%), DI Wasser (4 Gew.-%) und DPGME (58 Gew.-%) wurde hergestellt. Die Lösung wurde gemischt und gemäß dem Vorgehen in Beispiel 10 bewertet.
  • Die Ergebnisse sind in Tabelle 2 wiedergegeben.
  • BEISPIEL 15
  • Eine Formulierung mit Plurafac® B-26 linearem Alkoholalkoxylat-Tensid (kommerziell erhältlich von BASF) (14 Gew.-%), Sulfolan (11 Gew.-%), DI Wasser (4 Gew.-%) und DPGME (71 Gew.-%) wurde hergestellt. Die Lösung wurde gemischt und gemäß dem Vorgehen in Beispiel 10 bewertet.
  • Die Ergebnisse sind in Tabelle 2 wiedergegeben.
  • BEISPIEL 16
  • Eine Formulierung mit Plurafac® B-26 linearem Alkoholalkoxylat-Tensid (kommerziell erhältlich von BASF) (1 Gew.-%), Sulfolan (12 Gew.-%), DI Wasser (4 Gew.-%) und DPGME (83 Gew.-%) wurde hergestellt. Die Lösung wurde gemischt und gemäß dem Vorgehen in Beispiel 10 bewertet.
  • Die Ergebnisse sind in Tabelle 2 wiedergegeben.
  • Figure 00160001
  • BEISPIEL 17
  • Eine Entschichterformulierung mit Tridecylalkoholethoxylat (Iconol® TDA-9 Tensid kommerziell erhältlich von BASF) (8 Gew.-%) und Dipropylenglykolmethylether (DPGME) (92 Gew.-%) wurde hergestellt. Die Lösung wurde gemischt und wie folgt bewertet.
  • Zwei Wafer wurden mit 4 μm AZ® P4110 Fotolack (erhältlich von AZ® Electronic Materials, Clariant Corporation, 70 Meister Avenue, Somerville, New Jersey 08876 USA) beschichtet, strukturiert und ein Wafer wurde bei 140 °C für 30 Minuten getrocknet und der andere Wafer wurde bei 90 °C für 1 Minute getrocknet. Die Wafer wurden in dem Entschichterformulierungsbad bei Raumtemperatur getaucht, wobei sanft gerührt wurde. Die Zeit, nach der das Muster von dem Wafer entfernt war, wurde aufgezeichnet.
  • Ein Wafer wurde mit 4 μm AZ® P4110 Fotolack (erhältlich von AZ® Electronic Materials, Clariant Corporation, 70 Meister Avenue, Somerville, New Jersey 08876 USA) beschichtet, strukturiert und bei 90 °C für 1 Minute getrocknet. Der Wafer wurde in dem Entschichterformulierungsbad bei 60 °C getaucht, wobei sanft gerührt wurde. Die Zeit, nach der das Muster von dem Wafer entfernt war, wurde aufgezeichnet.
  • Die Ergebnisse sind in Tabelle 3 wiedergegeben.
  • Die Ergebnisse sind in Tabelle 3 wiedergegeben (sic).
  • BEISPIEL 19
  • Eine Entschichterformulierung mit Butyrolacton (BLO) (92 Gew.-%) und Tridecylalkoholethoxylat (Iconol® TDA-9 Tensid kommerziell erhältlich von BASF) (8 Gew.-%) wurde hergestellt. Die Lösung wurde gemischt und gemäß dem Vorgehen in Beispiel 17 bewertet.
  • Die Ergebnisse sind in Tabelle 3 wiedergegeben.
  • BEISPIEL 20
  • Eine Entschichterformulierung mit Propylenglykolmethylether (PGME) (92 Gew.-%) und Tridecylalkoholethoxylat (Iconol® TDA-9 Tensid kommerziell erhältlich von BASF) (8 Gew.-%) wurde hergestellt. Die Lösung wurde gemischt und gemäß dem Vorgehen in Beispiel 17 bewertet.
  • Die Ergebnisse sind in Tabelle 3 wiedergegeben.
  • BEISPIEL 21
  • Eine Entschichterformulierung mit Tripropylenglykolmethylether (TPGME) (92 Gew.-%) und Tridecylakoholethoxylat (Iconol® TDA-9 Tensid kommerziell erhältlich von BASF) (8 Gew.-%) wurde hergestellt. Die Lösung wurde gemischt und gemäß dem Vorgehen in Beispiel 17 bewertet.
  • Die Ergebnisse sind in Tabelle 3 wiedergegeben. Tabelle 3
    Figure 00180001
    • RT bedeutet Raumtemperatur
  • BEISPIEL 22
  • Eine Entschichterformulierung mit Tridecylalkoholethoxylat (Iconol® TDA-9 Tensid kommerziell erhältlich von BASF) (8 Gew.-%), Tetrahydrothiophen-1,1-dioxid (Sulfolan) (34 Gew.-%) und DPGME (58 Gew.-%) wurde hergestellt. Die Lösung wurde gemischt und wie folgt bewertet.
  • Zwei Wafer wurden mit 4 μm AZ® P4110 Fotolack (erhältlich von AZ® Electronic Materials, Clariant Corporation, 70 Meister Avenue, Somerville, New Jersey 08876 USA) beschichtet, strukturiert und ein Wafer wurde bei 140 °C für 30 Minuten getrocknet und ein anderer Wafer wurde für 1 Minute bei 90 °C getrocknet. Die Wafer wurden in dem Entschichterformulierungsbad bei Raumtemperatur getaucht, wobei sanft gerührt wurde 15 (sic). Die Zeit, nach der das Muster von dem Wafer entfernt war, wurde aufgezeichnet.
  • Die Ergebnisse sind in Tabelle 4 wiedergegeben.
  • BEISPIEL 23
  • Eine Entschichterformulierung mit Tridecylalkoholethoxylat (Iconol® TDA-9 kommerziell erhältlich von BASF) (8 Gew.-%), TPGME (58 Gew.-%) und Sulfolan (34 Gew.-%) wurde hergestellt. Die Lösung wurde gemischt und gemäß dem Vorgehen in Beispiel 22 bewertet.
  • Die Ergebnisse sind in Tabelle 4 wiedergegeben.
  • BEISPIEL 25
  • Eine Entschichterformulierung mit BLO (58 Gew.-%), DPGME (34 Gew.-%) und Tridecylalkoholethoxylat (Iconol® TDA-9 Tensid kommerziell erhältlich von BASF) (8 Gew.-%) wurde hergestellt. Die Lösung wurde gemischt und gemäß dem Vorgehen in Beispiel 22 bewertet.
  • Die Ergebnisse sind in Tabelle 4 wiedergegeben.
  • BEISPIEL 26
  • Eine Entschichterformulierung mit PGME (58 Gew.-%), Sulfolan (34 Gew.-%) und Tridecylalkoholethoxylat (Iconol® TDA-9 Tensid kommerziell erhältlich von BASF) (8 Gew.-%) wurde hergestellt. Die Lösung wurde gemischt und gemäß dem Vorgehen in Beispiel 22 bewertet.
  • Die Ergebnisse sind in Tabelle 4 wiedergegeben.
  • BEISPIEL 27
  • Eine Entschichterformulierung mit DPGME (58 Gew.-%), Butadiensulfon (34 Gew.-%) und Tridecylalkoholethoxylat (Iconol® TDA-9 Tensid kommerziell erhältlich von BASF) (8 Gew.-%) wurde hergestellt. Die Lösung wurde gemischt und gemäß dem Vorgehen in Beispiel 22 bewertet.
  • Die Ergebnisse sind in Tabelle 4 wiedergegeben.
  • BEISPIEL 29
  • Eine Entschichterformulierung mit DPGME (58 Gew.-%), Butansulfolan (34 Gew.-%) und Tridecylalkoholethoxylat (Iconol® TDA-9 Tensid kommerziell erhältlich von BASF) (8 Gew.-%) wurde hergestellt. Die Lösung wurde gemischt und gemäß dem Vorgehen in Beispiel 22 bewertet.
  • Die Ergebnisse sind in Tabelle 4 wiedergegeben.
  • BEISPIEL 30
  • Eine Entschichterformulierung mit Dipropylenglykolmonomethyletheracetat (58 Gew.-%), Sulfolan (34 Gew.-%) und Tridecylalkoholethoxylat (Iconol® TDA-9 Tensid kommerziell erhältlich von BASF) (8 Gew.-%) wurde hergestellt. Die Lösung wurde gemischt und gemäß dem Vorgehen in Beispiel 22 bewertet.
  • Die Ergebnisse sind in Tabelle 4 wiedergegeben.
  • BEISPIEL 31
  • Eine Entschichterformulierung mit Dipropylenglykolmonobutylether (58 Gew.-%), Sulfolan (34 Gew.-%) und Tridecylalkoholethoxylat (Iconol® TDA-9 Tensid kommerziell erhältlich von BASF) (8 Gew.-%) wurde hergestellt. Die Lösung wurde gemischt und gemäß dem Vorgehen in Beispiel 22 bewertet.
  • Die Ergebnisse sind in Tabelle 4 wiedergegeben.
  • BEISPIEL 32
  • Eine Entschichterformulierung mit Dipropylenglykol (58 Gew.-%), Sulfolan (34 Gew.-%) und Tridecylalkoholethoxylat (Iconol® TDA-9 Tensid kommerziell erhältlich von BASF) (8 Gew.-%) wurde hergestellt. Die Lösung wurde gemischt und gemäß dem Vorgehen in Beispiel 22 bewertet.
  • Die Ergebnisse sind in Tabelle 4 wiedergegeben.
  • BEISPIEL 33
  • Eine Entschichterformulierung mit Diethylcarbonat (58 Gew.-%), Sulfolan (34 Gew.-%) und Tridecylalkoholethoxylat (Iconol® TDA-9 Tensid kommerziell erhältlich von BASF) (8 Gew.-%) wurde hergestellt. Die Lösung wurde gemischt und gemäß dem Vorgehen in Beispiel 22 bewertet.
  • Die Ergebnisse sind in Tabelle 4 wiedergegeben.
  • BEISPIEL 34
  • Eine Entschichterformulierung mit DPGME (58 Gew.-%), Sulfolan (34 Gew.-%) und Emery 6706 Tensid (kommerziell erhältlich von Henkel Corporation) (8 Gew.-%) wurde hergestellt. Die Lösung wurde gemischt und gemäß dem Vorgehen in Beispiel 22 bewertet.
  • Die Ergebnisse sind in Tabelle 4 wiedergegeben.
  • BEISPIEL 35
  • Eine Entschichterformulierung mit DPGME (58 Gew.-%), Sulfolan (34 Gew.-%) und Noigen EP-120A Tensid (kommerziell erhältlich von Diaichi Kogyo Seiyaku) (8 Gew.-%) wurde hergestellt. Die Lösung wurde gemischt und gemäß dem Vorgehen in Beispiel 22 bewertet.
  • Die Ergebnisse sind in Tabelle 4 wiedergegeben.
  • BEISPIEL 36
  • Eine Entschichterformulierung mit DPGME (58 Gew.-%), Sulfolan (34 Gew.-%) und FC 171 Tensid (kommerziell erhältlich von 3M Corporation) (8 Gew.-%) wurde hergestellt. Die Lösung wurde gemischt und gemäß dem Vorgehen in Beispiel 22 bewertet.
  • Die Ergebnisse sind in Tabelle 4 wiedergegeben.
  • BEISPIEL 37
  • Eine Entschichterformulierung mit DPGME (58 Gew.-%), Sulfolan (34 Gew.-%) und Surfynol 440 Tensid (kommerziell erhältlich von Air Products and Chemical Co.) (8 Gew.-%) wurde hergestellt. Die Lösung wurde gemischt und gemäß dem Vorgehen in Beispiel 22 bewertet.
  • Die Ergebnisse sind in Tabelle 4 wiedergegeben.
  • BEISPIEL 38
  • Eine Entschichterformulierung mit DPGME (58 Gew.-%), Sulfolan (34 Gew.-%) und Tetronic 701 Tensid (kommerziell erhältlich von BASF) (8 Gew.-%) wurde hergestellt. Die Lösung wurde gemischt und gemäß dem Vorgehen in Beispiel 22 bewertet.
  • Die Ergebnisse sind in Tabelle 4 wiedergegeben.
  • BEISPIEL 39
  • Eine Entschichterformulierung mit DPGME (58 Gew.-%), Sulfolan (34 Gew.-%) und FC 135 Tensid (kommerziell erhältlich von 3M Corporation) (8 Gew.-%) wurde hergestellt. Die Lösung wurde gemischt und gemäß dem Vorgehen in Beispiel 22 bewertet.
  • Die Ergebnisse sind in Tabelle 4 wiedergegeben.
  • BEISPIEL 40
  • Eine Entschichterformulierung mit DPGME (58 Gew.-%), Sulfolan (34 Gew.-%) und Iconol TDA 9 und Pluronic RA 30 Tensiden (kommerziell erhältlich von BASF) (8 Gew.-%) wurde hergestellt. Die Lösung wurde gemischt und gemäß dem Vorgehen in Beispiel 22 bewertet.
  • Die Ergebnisse sind in Tabelle 4 wiedergegeben.
  • BEISPIEL 41
  • Eine Entschichterformulierung mit DPGME (58 Gew.-%), Sulfolan (34 Gew.-%) und Polyethylenoxid Tensid (kommerziell erhältlich von Aldrich Co.) (8 Gew.-%) wurde hergestellt. Die Lösung wurde gemischt und gemäß dem Vorgehen in Beispiel 22 bewertet.
  • Die Ergebnisse sind in Tabelle 4 wiedergegeben.
  • BEISPIEL 43
  • Eine Entschichterformulierung mit DPGME (58 Gew.-%), Sulfolan (34 Gew.-%) und Dowfax 2AO Tensid (kommerziell erhältlich von Dow Corporation) (8 Gew.-%) wurde hergestellt. Die Lösung wurde gemischt und gemäß dem Vorgehen in Beispiel 22 bewertet.
  • Die Ergebnisse sind in Tabelle 4 wiedergegeben.
  • Tabelle 4
    Figure 00240001
  • BEISPIEL 44
  • Eine Entschichterformulierung mit Plurafac® B-26 linearem Alkoholalkoxylat-Tensid (kommerziell erhältlich von BASF) (8 Gew.-%), Sulfolan (17 Gew.-%) und DPGME (75 Gew.-%) wurde hergestellt. Die Lösung wurde gemischt und wie folgt bewertet. Ein Wafer wurde mit 3 μm AZ® P4210 Fotolack (erhältlich von AZ® Electronic Materials, Clariant Corporation, 70 Meister Avenue, Somerville, New Jersey 08876 USA) beschichtet, strukturiert und bei 140 °C für 30 Minuten getrocknet. Der Wafer wurde in dem Entschichterformulierungsbad bei Raumtemperatur getaucht, wobei sanft gerührt wurde. Die Zeit, nach der das Muster von dem Wafer entfernt war, wurde aufgezeichnet. Die Ergebnisse sind in Tabelle 5 wiedergegeben.
  • Die Korrosionsstudien wurden durchgeführt, indem das Entschichterformulierungsbad auf 90 °C erhitzt wurde und ein Wafer mit einer Ti/W-Oberfläche und ein Wafer mit einer Al/Si/Cu-Oberfläche zur Hälfte in dem Bad eingetaucht wurden. Anschließend wurden die abgespülten und getrockneten Wafer bewertet, indem die eingetauchten und die nicht eingetauchten Bereiche verglichen wurden. Die Ergebnisse zeigten auf keiner der Oberflächen eine Korrosion.
  • BEISPIEL 45
  • Eine Entschichterformulierung mit Plurafac® B-26 linearem Alkoholalkoxylat-Tensid (kommerziell erhältlich von BASF) (8 Gew.-%), Sulfolan (16 Gew.-%), deionisiertem (DI) Wasser (4 Gew.-%) und DPGME (72 Gew.-%) wurde hergestellt. Die Lösung wurde gemischt und gemäß dem Verfahren in Beispiel 44 bewertet.
  • Die Ergebnisse sind in Tabelle 5 wiedergegeben.
  • Die Korrosionsstudien wurden durchgeführt, indem das Entschichterformulierungsbad auf 90 °C erhitzt wurde und ein Wafer mit einer Ti/W-Oberfläche und ein Wafer mit einer Al/Si/Cu-Oberfläche zur Hälfte in dem Bad eingetaucht wurden. Anschließend wurden die abgespülten und getrockneten Wafer bewertet, indem die eingetauchten und die nicht eingetauchten Bereiche verglichen wurden. Die Ergebnisse zeigten auf keiner der Oberflächen eine Korrosion.
  • BEISPIEL 46
  • Eine Entschichterformulierung mit Plurafac® RA-30 linearem Alkoholalkoxylat-Tensid (kommerziell erhältlich von BASF) (8 Gew.-%), Sulfolan (16 Gew.-%), DI Wasser (4 Gew.-%) und DPGME (72 Gew.-%) wurde hergestellt. Die Lösung wurde gemischt und gemäß dem Vorgehen in Beispiel 44 bewertet.
  • Die Ergebnisse sind in Tabelle 5 wiedergegeben.
  • Die Korrosionsstudien wurden durchgeführt, indem das Entschichterformulierungsbad auf 90 °C erhitzt wurde und ein Wafer mit einer Ti/W-Oberfläche und ein Wafer mit einer Al/Si/Cu-Oberfläche zur Hälfte in dem Bad eingetaucht wurden. Anschließend wurden die abgespülten und getrockneten Wafer bewertet, indem die eingetauchten und die nicht eingetauchten Bereiche verglichen wurden. Die Ergebnisse zeigten auf keiner der Oberflächen eine Korrosion.
  • BEISPIEL 47
  • Eine Entschichterformulierung mit Tridecylalkoholethoxylat (Iconol® TDA-9 Tensid kommerziell erhältlich von BASF) (8 Gew.-%), Sulfolan (16 Gew.-%), DI Wasser (4 Gew.-%) und DPGME (72 Gew.-%) wurde hergestellt. Die Lösung wurde gemischt und gemäß dem Vorgehen in Beispiel 44 bewertet.
  • Die Ergebnisse sind in Tabelle 5 wiedergegeben.
  • Die Korrosionsstudien wurden durchgeführt, indem das Entschichterformulierungsbad auf 90 °C erhitzt wurde und ein Wafer mit einer Ti/W-Oberfläche und ein Wafer mit einer Al/Si/Cu-Oberfläche zur Hälfte in dem Bad eingetaucht wurden. Anschließend wurden die abgespülten und getrockneten Wafer bewertet, indem die eingetauchten und die nicht eingetauchten Bereiche verglichen wurden. Die Ergebnisse zeigten auf keiner der Oberflächen eine Korrosion.
  • BEISPIEL 48
  • Eine Entschichterformulierung mit Tridecylalkoholethoxylat (Iconol® TDA-10 Tensid kommerziell erhältlich von BASF) (8 Gew.-%), Sulfolan (16 Gew.-%), DI Wasser (4 Gew.-%) und DPGME (72 Gew.-%) wurde hergestellt. Die Lösung wurde gemischt und gemäß dem Vorgehen in Beispiel 44 bewertet.
  • Die Ergebnisse sind in Tabelle 5 wiedergegeben.
  • Die Korrosionsstudien wurden durchgeführt, indem das Entschichterformulierungsbad auf 90 °C erhitzt wurde und ein Wafer mit einer Ti/W-Oberfläche und ein Wafer mit einer Al/Si/Cu-Oberfläche zur Hälfte in dem Bad eingetaucht wurden. Anschließend wurden die abgespülten und getrockneten Wafer bewertet, indem die eingetauchten und die nicht eingetauchten Bereiche verglichen wurden. Die Ergebnisse zeigten auf keiner der Oberflächen eine Korrosion.
  • BEISPIEL 49
  • Eine Formulierung mit Pluronic® L-64 Tensid (kommerziell erhältlich von BASF) (8 Gew.-%), Sulfolan (16 Gew.-%), DI Wasser (4 Gew.-%) und DPGME (72 Gew.-%) wurde hergestellt. Die Lösung wurde gemischt und gemäß dem Vorgehen in Beispiel 44 bewertet.
  • Die Ergebnisse sind in Tabelle 5 wiedergegeben.
  • Die Korrosionsstudien wurden durchgeführt, indem das Entschichterformulierungsbad auf 90 °C erhitzt wurde und ein Wafer mit einer Ti/W-Oberfläche und ein Wafer mit einer Al/Si/Cu-Oberfläche zur Hälfte in dem Bad eingetaucht wurden. Anschließend wurden die abgespülten und getrockneten Wafer bewertet, indem die eingetauchten und die nicht eingetauchten Bereiche verglichen wurden. Die Ergebnisse zeigten auf keiner der Oberflächen eine Korrosion.
  • BEISPIEL 50
  • Eine Formulierung mit Pluronic® L-92 Tensid (kommerziell erhältlich von BASF) (8 Gew.-%), Sulfolan (16 Gew.-%), DI Wasser (4 Gew.-%) und DPGME (72 Gew.-%) wurde hergestellt. Die Lösung wurde gemischt und gemäß dem Vorgehen in Beispiel 44 bewertet.
  • Die Ergebnisse sind in Tabelle 5 wiedergegeben.
  • Die Korrosionsstudien wurden durchgeführt, indem das Entschichterformulierungsbad auf 90 °C erhitzt wurde und ein Wafer mit einer Ti/W-Oberfläche und ein Wafer mit einer Al/Si/Cu-Oberfläche zur Hälfte in dem Bad eingetaucht wurden. Anschließend wurden die abgespülten und getrockneten Wafer bewertet, indem die eingetauchten und die nicht eingetauchten Bereiche verglichen wurden. Die Ergebnisse zeigten auf keiner der Oberflächen eine Korrosion.
  • BEISPIEL 51
  • Eine Formulierung mit Plurafac® B-26 Tensid (kommerziell erhältlich von BASF) (8 Gew.-%), Sulfolan (16 Gew.-%), Glycerin (4 Gew.-%) und DPGME (72 Gew.-%) wurde hergestellt. Die Lösung wurde gemischt und gemäß dem Vorgehen in Beispiel 44 bewertet.
  • Die Ergebnisse sind in Tabelle 5 wiedergegeben.
  • Die Korrosionsstudien wurden durchgeführt, indem das Entschichterformulierungsbad auf 90 °C erhitzt wurde und ein Wafer mit einer Ti/W-Oberfläche und ein Wafer mit einer Al/Si/Cu-Oberfläche zur Hälfte in dem Bad eingetaucht wurden. Anschließend wurden die abgespülten und getrockneten Wafer bewertet, indem die eingetauchten und die nicht eingetauchten Bereiche verglichen wurden. Die Ergebnisse zeigten auf keiner der Oberflächen eine Korrosion.
  • BEISPIEL 52
  • Eine Formulierung mit Plurafac® B-26 Tensid (kommerziell erhältlich von BASF) (8 Gew.-%), Sulfolan (16 Gew.-%), Propylenglykol (4 Gew.-%) und DPGME (72 Gew.-%) wurde hergestellt. Die Lösung wurde gemischt und gemäß dem Vorgehen in Beispie 144 bewertet.
  • Die Ergebnisse sind in Tabelle 5 wiedergegeben.
  • Die Korrosionsstudien wurden durchgeführt, indem das Entschichterformulierungsbad auf 90 °C erhitzt wurde und ein Wafer mit einer Ti/W-Oberfläche und ein Wafer mit einer Al/Si/Cu-Oberfläche zur Hälfte in dem Bad eingetaucht wurden. Anschließend wurden die abgespülten und getrockneten Wafer bewertet, indem die eingetauchten und die nicht eingetauchten Bereiche verglichen wurden. Die Ergebnisse zeigten auf keiner der Oberflächen eine Korrosion.
  • BEISPIEL 53
  • Eine Formulierung mit Plurafac® B-26 Tensid (kommerziell erhältlich von BASF) (7 Gew.-%), Sulfolan (15 Gew.-%), DI Wasser (4 Gew.-%), N,N-Diethyl-3-methylbenzamid (7 Gew.-%) und DPGME (72 Gew.-%) wurde hergestellt. Die Lösung wurde gemischt und gemäß dem Vorgehen in Beispiel 44 bewertet.
  • Die Ergebnisse sind in Tabelle 5 wiedergegeben.
  • Die Korrosionsstudien wurden durchgeführt, indem das Entschichterformulierungsbad auf 90 °C erhitzt wurde und ein Wafer mit einer Ti/W-Oberfläche und ein Wafer mit einer Al/Si/Cu-Oberfläche zur Hälfte in dem Bad eingetaucht wurden. Anschließend wurden die abgespülten und getrockneten Wafer bewertet, indem die eingetauchten und die nicht eingetauchten Bereiche verglichen wurden. Die Ergebnisse zeigten auf keiner der Oberflächen eine Korrosion.
  • Tabelle 5
    Figure 00290001

Claims (16)

  1. Amin-freie Fotolackentferner-Zusammensetzung, insbesondere nützlich zum Entfernen von organischen Rückständen von einem beschichteten Substrat, welches in der Herstellung von integrierten Schaltkreisen eingesetzt wird, umfassend eine Beimischung von wasser-mischbarem organischen Lösungsmittel und nichtionischem Tensid, wobei das organische Lösungsmittel ausgewählt ist aus Acetaten, Ethern, Lactonen, Sulfonen und Carbonaten.
  2. Fotolackentferner-Zusammensetzung gemäß Anspruch 1, wobei das organische Lösungsmittel ausgewählt ist aus Tripropylenglykolalkylether, Dipropylenglykolalkylether, Propylenglykolalkylether, Butyrolacton, Diethylcarbonat oder Mischungen daraus.
  3. Fotolackentferner-Zusammensetzung gemäß Anspruch 1, wobei das organische Lösungsmittel im Bereich zwischen 99,9 Gew.-% bis ungefähr 5,0 Gew.-% der gesamten Zusammensetzung liegen kann.
  4. Fotolackentferner-Zusammensetzung gemäß Anspruch 1, wobei das nichtionische Tensid ausgewählt ist aus Alkoxylaten, Ethylenoxyd/Propylenoxyd-Polymeren, acetylenischen Alkoholen, Polyethylenglykolmonophenylether oder Mischungen daraus.
  5. Fotolackentferner-Zusammensetzung gemäß Anspruch 1, wobei das nichtionische Tensid im Bereich zwischen ungefähr 0,1 Gew.-% bis ungefähr 30 Gew.-% der gesamten Zusammensetzung vorliegen kann.
  6. Fotolackentferner-Zusammensetzung gemäß Anspruch 1, welche weiterhin wasser-mischbare Additive umfasst, welche ausgewählt sind aus polaren protischen Lösungsmitteln, Amiden, Antischaumverbindungen, Sulfonverbindungen, Lactonverbindungen, Carbonaten und Mischungen daraus.
  7. Fotolackentferner-Zusammensetzung gemäß Anspruch 6, wobei das polare protische Lösungsmittel ausgewählt ist aus (C1-C6)Alkoholen, (C1-C6)Glykolen, Wasser, Glyzerin oder Mischungen daraus.
  8. Fotolackentferner-Zusammensetzung gemäß Anspruch 6, wobei das Amid N,N-Diethyl-3-methylbenzamid ist.
  9. Fotolackentferner-Zusammensetzung gemäß Anspruch 1, weiterhin umfassend Sulfolan.
  10. Fotolackentferner-Zusammensetzung gemäß Anspruch 9, weiterhin umfassend deionisiertes Wasser.
  11. Fotolackentferner-Zusammensetzung gemäß Anspruch 6, wobei das Additiv im Bereich von ungefähr 0,1 Gew.-% bis ungefähr 50 Gew.-% der gesamten Zusammensetzung vorliegen kann.
  12. Fotolackentferner-Zusammensetzung gemäß Anspruch 1, wobei das Substrat ausgewählt ist aus Aluminium, Nickeleisen, Indiumphosphid, Titan/Wolfram, Aluminium/Silizium, Aluminium/Silizium/Kupfer, Silizium, Siliziumoxid, Siliziumnitirid, Siliziumoxynitrid/Tantal, Kupfer, Metallstapeln, Polysilizium, Keramiken, Aluminium/Kupfer-Mischungen und Galliumarsenid.
  13. Fotolackentferner-Zusammensetzung gemäß Anspruch 1, wobei der organische Rückstand, welcher entfernt werden soll, ausgewählt ist aus Novolak-Harzen, Novolak/Diazonaphthochinon-Fotolacken, chemisch verstärkten Fotolacken, Polyimiden, Polyimidlfotoaktiven Verbindung-Fotolacken, organischen Antireflektionsbeschichtungen und Trockenätzungs-Rückständen.
  14. Verfahren zur Entfernung eines organischen Rückstands von einem beschichteten Substrat, umfassend ein Inkontaktbringen des organischen Rückstands mit einer wirksamen Menge an Fotolackentferner-Zusammensetzung gemäß Anspruch 1 für eine wirksame Zeitdauer und Temperatur, und Entfernen des Rückstands von dem Substrat.
  15. Verfahren zur Entfernung eines organischen Rückstands von einem beschichteten Substrat, umfassend ein Inkontaktbringen des organischen Rückstands mit einer wirksamen Menge an Fotolackentferner-Zusammensetzung gemäß Anspruch 11 für eine wirksame Zeitdauer und Temperatur, und Entfernen des Rückstands von dem Substrat.
  16. Verfahren zum Entfernen eines organischen Rückstandes von einem beschichteten Substrat, umfassend ein Inkontaktbringen des organischen Rückstandes mit einer wirksamen Menge an Fotolackentferner-Zusammensetzung gemäß Anspruch 12 für eine wirksame Zeitdauer und Temperatur, und Entfernen des Rückstands von dem Substrat.
DE69934229T 1998-07-10 1999-06-30 Zusammensetzung zur entschichtung von photolack und organischen materialien von substratoberflächen Expired - Lifetime DE69934229T2 (de)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US113892 1998-07-10
US09/113,892 US6368421B1 (en) 1998-07-10 1998-07-10 Composition for stripping photoresist and organic materials from substrate surfaces
PCT/EP1999/004498 WO2000003306A1 (en) 1998-07-10 1999-06-30 Composition for stripping photoresist and organic materials from substrate surfaces

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE69934229D1 DE69934229D1 (de) 2007-01-11
DE69934229T2 true DE69934229T2 (de) 2007-10-25

Family

ID=22352158

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE69934229T Expired - Lifetime DE69934229T2 (de) 1998-07-10 1999-06-30 Zusammensetzung zur entschichtung von photolack und organischen materialien von substratoberflächen

Country Status (9)

Country Link
US (1) US6368421B1 (de)
EP (1) EP1097405B1 (de)
JP (1) JP2002520659A (de)
KR (1) KR100602463B1 (de)
CN (1) CN1316317C (de)
DE (1) DE69934229T2 (de)
MY (1) MY117049A (de)
TW (1) TW544551B (de)
WO (1) WO2000003306A1 (de)

Families Citing this family (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20090127253A1 (en) * 1997-06-06 2009-05-21 Philip Stark Temperature-controlled induction heating of polymeric materials
US6939477B2 (en) 1997-06-06 2005-09-06 Ashland, Inc. Temperature-controlled induction heating of polymeric materials
US7521405B2 (en) 2002-08-12 2009-04-21 Air Products And Chemicals, Inc. Process solutions containing surfactants
US7348300B2 (en) 1999-05-04 2008-03-25 Air Products And Chemicals, Inc. Acetylenic diol ethylene oxide/propylene oxide adducts and processes for their manufacture
US7129199B2 (en) 2002-08-12 2006-10-31 Air Products And Chemicals, Inc. Process solutions containing surfactants
US6319835B1 (en) * 2000-02-25 2001-11-20 Shipley Company, L.L.C. Stripping method
KR100360985B1 (ko) * 2000-04-26 2002-11-18 주식회사 동진쎄미켐 레지스트 스트리퍼 조성물
AU2001259340A1 (en) * 2000-05-02 2001-11-20 Tribond, Inc. Temperature-controlled induction heating of polymeric materials
KR20020072595A (ko) * 2001-03-12 2002-09-18 (주)에스티디 동판의 산화막 형성방법 및 이에 의해 제조된 동판
KR100429455B1 (ko) * 2001-06-11 2004-05-04 동우 화인켐 주식회사 포토레지스트의 에지 비드를 제거하는 세정용액 및 이를이용한 세정방법
KR100772809B1 (ko) * 2001-12-18 2007-11-01 주식회사 하이닉스반도체 포토레지스트 세정액 조성물
KR100772810B1 (ko) * 2001-12-18 2007-11-01 주식회사 하이닉스반도체 포토레지스트 세정액 조성물
CN1240816C (zh) 2001-12-12 2006-02-08 海力士半导体有限公司 除去光致抗蚀剂的洗涤液
US20030196685A1 (en) * 2001-12-18 2003-10-23 Shipley Company, L.L.C. Cleaning composition and method
US7172996B2 (en) * 2002-01-11 2007-02-06 Az Electronic Materials Usa Corp. Cleaning agent composition for a positive or a negative photoresist
JP4045180B2 (ja) * 2002-12-03 2008-02-13 Ａｚエレクトロニックマテリアルズ株式会社 リソグラフィー用リンス液およびそれを用いたレジストパターン形成方法
US20040259746A1 (en) * 2003-06-20 2004-12-23 Warren Jonathan N. Concentrate composition and process for removing coatings from surfaces such as paint application equipment
US7018939B2 (en) * 2003-07-11 2006-03-28 Motorola, Inc. Micellar technology for post-etch residues
CA2544209C (en) 2003-10-28 2011-10-18 Sachem, Inc. Cleaning solutions and etchants and methods for using same
US7867696B2 (en) * 2004-04-15 2011-01-11 The Boeing Company Method and apparatus for monitoring saturation levels of solvents used during rapid prototyping processes
KR20050101458A (ko) * 2004-04-19 2005-10-24 주식회사 하이닉스반도체 포토레지스트 세정액 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성방법
TWI253888B (en) * 2004-12-09 2006-04-21 Advanced Semiconductor Eng Method of packaging flip chip and method of forming pre-solders on substrate thereof
KR100690347B1 (ko) * 2005-04-09 2007-03-09 주식회사 엘지화학 박리액 조성물, 이를 이용한 박리 방법 및 그 박리 장치
US20070099810A1 (en) * 2005-10-27 2007-05-03 Hiroshi Matsunaga Cleaning liquid and cleaning method
JP5000260B2 (ja) * 2006-10-19 2012-08-15 ＡｚエレクトロニックマテリアルズＩｐ株式会社 微細化されたパターンの形成方法およびそれに用いるレジスト基板処理液
JP2009014938A (ja) * 2007-07-03 2009-01-22 Toagosei Co Ltd レジスト剥離剤組成物
JP5306755B2 (ja) * 2008-09-16 2013-10-02 ＡｚエレクトロニックマテリアルズＩｐ株式会社 基板処理液およびそれを用いたレジスト基板処理方法
KR101579846B1 (ko) * 2008-12-24 2015-12-24 주식회사 이엔에프테크놀로지 포토레지스트 패턴 제거용 조성물 및 이를 이용한 금속 패턴의 형성 방법
MY152051A (en) 2009-02-25 2014-08-15 Avantor Performance Mat Inc Multipurpose acidic, organic solvent based microelectronic cleaning composition
US8444768B2 (en) * 2009-03-27 2013-05-21 Eastman Chemical Company Compositions and methods for removing organic substances
US8614053B2 (en) * 2009-03-27 2013-12-24 Eastman Chemical Company Processess and compositions for removing substances from substrates
CN102473638B (zh) * 2009-07-30 2015-02-18 巴斯夫欧洲公司 用于高级半导体应用的离子植入后剥离剂
WO2012161790A1 (en) * 2011-02-24 2012-11-29 John Moore Concentrated chemical composition and method for removing photoresist during microelectric fabrication
CN102436153B (zh) * 2011-10-28 2013-06-19 绍兴文理学院 印花网版感光胶剥离剂
CN102427039A (zh) * 2011-11-02 2012-04-25 上海宏力半导体制造有限公司 光阻去除方法
ES2564426B2 (es) 2014-09-19 2016-09-12 Universidad De Oviedo Marcador de patologías oculares
US10073351B2 (en) * 2014-12-23 2018-09-11 Versum Materials Us, Llc Semi-aqueous photoresist or semiconductor manufacturing residue stripping and cleaning composition with improved silicon passivation
TWI692679B (zh) * 2017-12-22 2020-05-01 美商慧盛材料美國責任有限公司 光阻剝除劑
KR102391389B1 (ko) * 2021-09-15 2022-04-28 (주)네프코 세정 용이성 및 내마모성이 우수한 친환경 포토마스크 및 이의 제조방법
CN113832471B (zh) * 2021-09-26 2024-03-08 苏州至绒新能源科技有限公司 一种用于快速剥离聚酰亚胺薄膜的清洗剂及其应用

Family Cites Families (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1487737A (en) * 1973-11-05 1977-10-05 Nat Res Dev Paint removers
US4395479A (en) 1981-09-23 1983-07-26 J. T. Baker Chemical Company Stripping compositions and methods of stripping resists
US4395348A (en) 1981-11-23 1983-07-26 Ekc Technology, Inc. Photoresist stripping composition and method
US4403029A (en) 1982-09-02 1983-09-06 J. T. Baker Chemical Company Stripping compositions and methods of stripping resists
US4491530A (en) 1983-05-20 1985-01-01 Allied Corporation Brown stain suppressing phenol free and chlorinated hydrocarbons free photoresist stripper
EP0177905B1 (de) 1984-10-09 1990-12-05 Hoechst Japan Kabushiki Kaisha Verfahren zum Entwickeln und zum Entschichten von Photoresistschichten mit quaternären Ammomiumverbindungen
US4770713A (en) 1986-12-10 1988-09-13 Advanced Chemical Technologies, Inc. Stripping compositions containing an alkylamide and an alkanolamine and use thereof
JPS63163457A (ja) * 1986-12-26 1988-07-06 Asahi Chem Ind Co Ltd フオトレジスト用剥離剤組成物
USH366H (en) * 1987-03-18 1987-11-03 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Microemulsions containing sulfolanes
CH670832A5 (en) 1987-03-19 1989-07-14 Rico S A Lausanne Paint and varnish stripping compsn. - comprising chloro-hydrocarbon free resin solubiliser, swelling agent, solvent for surfactant, surfactant, thickener and dissolving assistant
US5102573A (en) * 1987-04-10 1992-04-07 Colgate Palmolive Co. Detergent composition
JP2553872B2 (ja) 1987-07-21 1996-11-13 東京応化工業株式会社 ホトレジスト用剥離液
US4824763A (en) 1987-07-30 1989-04-25 Ekc Technology, Inc. Triamine positive photoresist stripping composition and prebaking process
US5185235A (en) 1987-09-09 1993-02-09 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Remover solution for photoresist
JP2591626B2 (ja) 1987-09-16 1997-03-19 東京応化工業株式会社 レジスト用剥離液
US4853315A (en) 1988-01-15 1989-08-01 International Business Machines Corporation O-quinone diazide sulfonic acid monoesters useful as sensitizers for positive resists
US4781804A (en) * 1988-03-02 1988-11-01 Delco Electronics Corporation Electrolytic organic mold flash removal
US5098594A (en) * 1988-05-20 1992-03-24 The Boeing Company Carbonate/diester based solvent
JP2571136B2 (ja) 1989-11-17 1997-01-16 日本ゼオン株式会社 ポジ型レジスト組成物
US5279771A (en) 1990-11-05 1994-01-18 Ekc Technology, Inc. Stripping compositions comprising hydroxylamine and alkanolamine
CA2062027C (en) 1991-03-04 1998-05-19 William Aldrich Liquid control system for diagnostic cartridges used in analytical instruments
GB9118042D0 (en) 1991-08-21 1991-10-09 Kodak Ltd Silver image bleaching solution and process
US5308745A (en) 1992-11-06 1994-05-03 J. T. Baker Inc. Alkaline-containing photoresist stripping compositions producing reduced metal corrosion with cross-linked or hardened resist resins
US5612303B1 (en) * 1993-06-15 2000-07-18 Nitto Chemical Industry Co Ltd Solvent composition
JP3233379B2 (ja) 1993-08-26 2001-11-26 東京応化工業株式会社 レジスト用剥離液組成物
US5419779A (en) 1993-12-02 1995-05-30 Ashland Inc. Stripping with aqueous composition containing hydroxylamine and an alkanolamine
JPH07199455A (ja) 1993-12-28 1995-08-04 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd ポジ型ホトレジスト組成物
US5545353A (en) 1995-05-08 1996-08-13 Ocg Microelectronic Materials, Inc. Non-corrosive photoresist stripper composition
US5597678A (en) 1994-04-18 1997-01-28 Ocg Microelectronic Materials, Inc. Non-corrosive photoresist stripper composition
US5554312A (en) 1995-01-13 1996-09-10 Ashland Photoresist stripping composition
US5563119A (en) 1995-01-26 1996-10-08 Ashland Inc. Stripping compositions containing alkanolamine compounds
US5541033A (en) 1995-02-01 1996-07-30 Ocg Microelectronic Materials, Inc. Selected o-quinonediazide sulfonic acid esters of phenolic compounds and their use in radiation-sensitive compositions
US5733948A (en) * 1995-09-06 1998-03-31 Mac Dermid, Imaging Technology, Inc. Tack-free photopolymer printing plate
JP2802990B2 (ja) * 1995-12-19 1998-09-24 株式会社ハクリバー 清浄剤

Also Published As

Publication number Publication date
WO2000003306A1 (en) 2000-01-20
CN1308737A (zh) 2001-08-15
JP2002520659A (ja) 2002-07-09
EP1097405A1 (de) 2001-05-09
US6368421B1 (en) 2002-04-09
MY117049A (en) 2004-04-30
KR20010053454A (ko) 2001-06-25
DE69934229D1 (de) 2007-01-11
EP1097405B1 (de) 2006-11-29
KR100602463B1 (ko) 2006-07-19
CN1316317C (zh) 2007-05-16
TW544551B (en) 2003-08-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69934229T2 (de) Zusammensetzung zur entschichtung von photolack und organischen materialien von substratoberflächen
DE69921350T2 (de) Nicht-korrodierende entfernungs-und reinigungszusammensetzung
US4617251A (en) Stripping composition and method of using the same
DE69029586T2 (de) Photolackentferner
US4125650A (en) Resist image hardening process
KR100846057B1 (ko) 포토레지스트용 스트리퍼 조성물
EP0219789A2 (de) Lösemittel zum Entfernen von Photoresists
JPH04124668A (ja) レジスト用剥離剤組成物
DE3831574A1 (de) Entfernerloesung fuer resists
KR20000008103A (ko) 포토레지스트용 스트리퍼 조성물
JP2022191267A (ja) フォトレジストリムーバ組成物
EP0220645B1 (de) Strahlungsempfindliches, positiv-arbeitendes Gemisch und hieraus hergestelltes Photoresistmaterial
KR100544889B1 (ko) 포토레지스트용 스트리퍼 조성물
EP0355015B1 (de) Verfahren zur Entwicklung positiv arbeitender Photoresists
JP3233379B2 (ja) レジスト用剥離液組成物
TWI824164B (zh) 光阻移除劑組合物及自基板移除光阻膜之方法
KR101213731B1 (ko) 포토레지스트용 스트리퍼 조성물
EP0111799B1 (de) Verfahren zur Entwicklung von Reliefstrukturen auf der Basis von strahlungsvernetzten Polymervorstufen hochwärmebeständiger Polymere
DE2919666A1 (de) Loesungsmittelgemisch zur entfernung von photoresist von einem anorganischen substrat und dessen verwendung
EP0258417A1 (de) Lichtresistente ätzmittelzusammensetzung und deren verwendung
KR100301680B1 (ko) 네가티브 화학증폭 레지스트용 스트리퍼 조성물
EP0163202A2 (de) Photolackentferner und Verfahren zum Entfernen von Photolacken
EP0508268B1 (de) Naphthochinondiazid-sulfonsäure-Mischester enthaltendes strahlungsempfindliches Gemisch und damit hergestelltes strahlungsempfindliches Aufzeichnungsmaterial
DE3941394A1 (de) Waessrige entwicklerloesung und verfahren zum entwickeln von photoresisten

Legal Events

Date Code Title Description
8364 No opposition during term of opposition