JP4045180B2 - リソグラフィー用リンス液およびそれを用いたレジストパターン形成方法 - Google Patents
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
- G03F7/32—Liquid compositions therefor, e.g. developers
- G03F7/322—Aqueous alkaline compositions
Landscapes
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、リンス液組成物、さらに詳細には半導体デバイス、液晶表示素子などのフラットパネルディスプレー(FPD)、カラーフィルター等の製造に用いられる感光性樹脂組成物の現像工程で好適に用いられるリソグラフィー用リンス液およびこのリンス液を用いたパターン形成方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
LSIなどの半導体集積回路や、FPDの表示面の製造、カラーフィルター、サーマルヘッドなどの回路基板の製造等を初めとする幅広い分野において、微細素子の形成或いは微細加工を行うために、従来からフォトリソグラフィー技術が利用されている。フォトリソグラフィー法においては、レジストパターンを形成するためポジ型またはネガ型の感光性樹脂組成物が用いられている。これら感光性樹脂組成物のうち、ポジ型フォトレジストとしては、例えば、アルカリ可溶性樹脂と感光性物質であるキノンジアジド化合物とからなる感光性樹脂組成物が広く利用されている。
【0003】
ところで、近年、LSIの高集積化と高速度化に伴い、微細電子デバイス製造業界においてはデザインルールがハーフミクロンからクオーターミクロンへ、或いは更にそれ以下への微細化が求められている。このようなデザインルールの更なる微細化に対応するためには、露光光源として可視光線或いは近紫外線(波長400〜300nm)など従来使用されてきたものでは充分ではなく、KrFエキシマレーザー(248nm)、ArFエキシマレーザー(193nm)等の遠紫外線や更にはX線、電子線等のようなより短波長の放射線を用いることが必要とされ、これら露光光源を用いるリソグラフィープロセスが提案され、実用化されつつある。このデザインルールの微細化に対応するべく、微細加工の際にフォトレジストとして用いられる感光性樹脂組成物にも高解像性のものが要求されている。さらに、感光性樹脂組成物には、解像性に加え、感度、パターン形状、画像寸法の正確さなどの性能向上も同時に求められている。これに対し、短波長の放射線に感光性を有する高解像度の感放射線性樹脂組成物として、「化学増幅型感光性樹脂組成物」が提案されている。この化学増幅型感光性樹脂組成物は、放射線の照射により酸を発生する化合物を含み、放射線の照射によりこの酸発生化合物から酸が発生され、発生された酸による触媒的な画像形成工程により、高い感度が得られる点等で有利であるため、従来の感光性樹脂組成物に取って代わり、普及しつつある。
【0004】
しかしながら上記のように微細化が進むと、リソグラフィー工程の現像後におけるパターン倒れ、或いはパターン剥がれの問題が顕在化してきた。これらの問題は特にアスペクト比の高いパターン形成において顕著である。この問題を解決するための方法として、基板の表面処理や基板表面上への成膜処理などを行い、レジストと基板との接着力を向上させることにより、パターン倒れ或いはパターン剥れを防止する方法が提案されている。この方法によれば、ある程度のパターン倒れおよびパターン剥がれの抑制が可能である。しかし、微細化が進んでくると、レジストパターンと基板の接触面積が小さくなるため、この方法によっての問題解決には限界がある。
【0005】
ところで、リソグラフィー工程の現像後におけるパターン倒れ、或いはパターン剥がれが起る原因としては、次のようなことが知られている。すなわち、フォトレジストを露光した後、現像処理が行われるが、現像後、レジストパターンから現像液を洗い流すためリンス液によってパターンのリンス(洗浄)がなされる。このときリンス液として純水が一般に広く用いられている。しかしリンス液として用いられている純水は非常に表面張力が大きい。リンス液を用いてレジストパターンをリンスする際には、リンスされたパターンを乾燥する過程で、互いに隣接するパターン間にリンス液が留まった状態が生じる。リンス液として純水を用いると、このレジストパターン間に留まったリンス液がその表面張力によって窪んだ状態となり、リンス液の表面張力により隣接するパターン間に負圧が生じ、このためレジストパターンの乾燥時に隣接するレジストパターンが互いに引っ張られる。このとき複数のパターン間における表面張力による負圧に差が出ると、パターン倒れやパターン剥がれが起こることとなる(例えば、特許文献1〜5参照)。
【0006】
上記のパターン間に留まるリンス液の表面張力による負圧に基づくパターン倒れやパターンの剥れの問題を解決するために、例えば、感光性樹脂組成物の成分調整や現像液、リンス液によるレジスト表面の改質により、レジスト表面とリンス液の接触角を特定の範囲にするパターン形成方法(特許文献1参照)、最終リンス液として、加熱された温純水、界面活性剤を含有する純水或いは純水と相溶性を有する有機溶媒を用いるパターン形成方法(特許文献2参照)、界面活性剤としてフッ素系界面活性剤を用いるなどして液の表面張力或いはレジストパターンへの濡れ性を低下させたリンス液を用いるパターン形成方法(特許文献3参照)、アルコールなどの溶媒を含有する特定の表面張力を有するリンス液を用いるパターン形成方法(特許文献4参照)、リンス液として熱水などの低粘度のリンス液を用いるパターン形成方法(特許文献5参照)など多数報告されているが、なお安価でかつ安全性が高く、特に、微細で、アスペクト比の高いレジストパターンに対してパターン倒れやパターン剥がれを有効に防止できるリンス液が強く望まれている。
【0007】
【特許文献1】
特公平6−105683号公報(1〜4頁)
【特許文献2】
特開平8−8163号公報(1〜3頁)
【特許文献3】
特開平7−142349号公報(1頁、8頁)
【特許文献4】
特開平7−140674号公報(1〜2頁、4頁)
【特許文献5】
特開平6−222570号公報(2〜3頁)
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
上記のような状況に鑑み、本発明はリソグラフィーリンス液、さらに詳細には半導体デバイス、フラットパネルディスプレー(FPD)、カラーフィルター、回路素子等の製造に用いられる感光性樹脂組成物の現像工程で好適に用いられる、安価で安全性が高く、特に、微細で、アスペクト比の高いレジストパターンに対してパターン倒れやパターン剥がれを有効に防止できるリソグラフィー用リンス液およびそれを用いたパターン形成方法を提供することを目的とするものである。
【0009】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、鋭意研究、検討を行った結果、リソグラフィー用リンス液として、水にエチレンオキシ基(−CH2CH2O−)を有しフッ素を有しない特定の非イオン性界面活性剤を含有せしめたものを用いることにより上記目的を達成できる、すなわち安価且つ安全で、特に微細でアスペクト比が大きなパターン形成においてもパターン倒れや剥がれを生じることなく、良好なパターン形成を行うことができることを見いだし、本発明に至ったものである。
【0010】
すなわち、本発明は、現像後のレジストパターンのリンス処理に用いられる、水およびフッ素原子を有しない非イオン性界面活性剤を含有し、前記非イオン性界面活性剤が、アセチレンアルコール類またはアセチレングリコール類のエチレンオキサイド付加物またはエチレンオキサイドおよびプロピレンオキサイド付加物、ポリオキシエチレンひまし油エーテル、ポリエチレングリコールジオレイルエステル、ポリオキシエチレンアルキルアミノエーテルの少なくとも何れか一種類であることを特徴とするリソグラフィー用リンス液に関する。
【0011】
また、本発明は、上記リソグラフィー用リンス液を用いて、現像後のレジストパターンのリンス処理を行うことを特徴とするレジストパターン形成方法に関する。
【0012】
以下、本発明をさらに詳細に説明する。
まず、本発明のリソグラフィー用リンス液において用いられる水としては、蒸留、イオン交換処理、フィルター処理、各種吸着処理等により、有機不純物、金属イオン等が除去されたもの、特に純水が好ましい。
【0013】
また、本発明のリソグラフィー用リンス液において用いられる界面活性剤は、エチレンオキシ基(−CH2CH2O−)を有しフッ素原子を有しない上記非イオン性界面活性剤であれば何れのものでも良い。
【0014】
上記アセチレンアルコール類或いはアセチレングリコール類のエチレンオキサイド付加物またはエチレンオキサイドおよびプロピレンオキサイド付加物におけるアセチレンアルコール類およびアセチレングリコール類としては、例えば次の一般式(A)または(B)で示されるものが代表的なものとして挙げられる。
【0015】
【化1】
【0016】
(式中、R1およびR2は、同一でも異なっていてもよい、直鎖または分岐鎖アルキル基を表す。)
【0017】
本発明のリソグラフィー用リンス液で用いられる上記非イオン性界面活性剤として好ましいものを具体的に例示すると、例えば、竹本油脂社製、パイオニンD−225(ポリオキシエチレンひまし油エーテル)、パイオニンD−2506D(ポリエチレングリコールジオレイルエステル)、パイオニンD−3110(ポリオキシエチレンアルキルアミノエーテル)、Air Products & Chemical Inc.製、サーフィノール420、同440(夫々アセチレングリコール類のポリエチレンオキサイドの1モル、3.5モル付加物)、同2502(アセチレングリコール類のエチレンオキサイド5モル、プロピレンオキサイド2モル付加物)などを挙げることができる。また、本発明において用いられる上記非イオン性界面活性剤は、多種類のものが市販されており、安価に入手可能で安全性にも優れている。
【0018】
本発明においては、非イオン性界面活性剤は、単独で用いられても、2種以上が併用されてもよい。また、本発明の非イオン性界面活性剤は、リソグラフィー用リンス液中、通常20〜5,000ppm、好ましくは50〜3,000ppmの量で用いられる。含有量が20ppm未満の場合は、活性剤添加の効果が表れ難くなり、パターン倒れまたはパターン剥離の発生率が高くなる。また、5,000ppmより高い場合は使用する界面活性剤によってはパターンの膨潤等が起り易くなり、パターン倒れまたはパターン剥離の発生率が高くなることが多くなる。
【0019】
なお、本発明においては、リンス液の表面張力、フォトレジストへの濡れ性を改善するため、必要であれば更に水に可溶な有機溶剤を添加してもよい。これら溶剤は水との均質液とされて用いられる。水に可溶な有機溶媒としては、水に対して0.1重量%以上溶解する溶媒であれば特に制限はなく、例えば、メチルアルコール、エチルアルコール、イソプロピルアルコール等のアルコール類、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン類、酢酸メチル、酢酸エチル、乳酸エチル等のエステル類、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、メチルセロソルブ、セロソルブ、ブチルセロソルブ、セロソルブアセテート、アルキルセロソルブアセテート、プロピレングリコールアルキルエーテル、プロピレングリコールアルキルエーテルアセテート、ブチルカルビトール、カルビトールアセテート、テトラヒドロフラン等の溶媒が挙げられる。これら具体例は単に有機溶媒の例として挙げたにすぎないもので、本発明で使用される有機溶媒がこれらの溶媒に限られるものではない。これら溶剤は、通常水100重量部に対し10重量部以下の量で用いられる場合が多い。
【0020】
次に、本発明のリソグラフィー用リンス液が適用されるレジストパターンの形成方法について説明する。本発明のリソグラフィー工程は、公知のポジ型の感光性樹脂組成物、ネガ型の感光性樹脂組成物を用いてレジストパターンを形成する方法として知られた何れのものであってもよい。本発明のリソグラフィー用リンス液が適用される代表的なレジストパターン形成方法をあげると、次のような方法が挙げられる。
【0021】
まず、必要に応じて前処理されたシリコン基板、ガラス基板等に、感光性樹脂組成物をスピンコート法など従来から公知の塗布法により塗布する。感光性樹脂組成物の塗布に先立ち或いは塗布形成されたレジスト膜上に、必要に応じ反射防止膜が塗布、形成されてもよい。基板に塗布された感光性樹脂組成物は、例えばホットプレート上でプリベークされて溶剤が除去され、厚さが通常0.5〜2.5ミクロン程度のフォトレジスト膜とされる。プリベーク温度は、用いる溶剤或いは感光性樹脂組成物により異なるが、通常20〜200℃、好ましくは50〜150℃程度の温度で行われる。フォトレジスト膜はその後、高圧水銀灯、メタルハライドランプ、超高圧水銀ランプ、KrFエキシマレーザー、ArFエキシマレーザー、軟X線照射装置、電子線描画装置など公知の照射装置を用い、必要に応じマスクを介して露光が行われる。露光後、必要に応じベーキングを行った後、例えばパドル現像などの方法で現像が行われ、レジストパターンが形成される。レジストの現像は、通常アルカリ性現像液を用いて行われる。アルカリ性現像液としては、例えば水酸化ナトリウム、水酸化テトラメチルアンモニウム(TMAH)などの水溶液或いは水性溶液が用いられる。現像処理後、リンス液を用いてレジストパターンのリンス(洗浄)が行われる。なお、形成されたレジストパターンは、エッチング、メッキ、イオン拡散、染色処理などのレジストとして用いられ、その後必要に応じ剥離される。
【0022】
本発明のリソグラフィー用リンス液は、何れの感光性樹脂組成物により形成されたレジストパターンに対しても適用することができる。本発明のリソグラフィー用リンス液が適用できる感光性樹脂組成物の代表的なものを例示すると、ポジ型では、例えば、キノンジアジド系感光剤とアルカリ可溶性樹脂とからなるもの、化学増幅型感光性樹脂組成物などが、ネガ型では、例えば、ポリケイ皮酸ビニル等の感光性基を有する高分子化合物を含むもの、芳香族アジド化合物を含有するもの或いは環化ゴムとビスアジド化合物からなるようなアジド化合物を含有するもの、ジアゾ樹脂を含むもの、付加重合性不飽和化合物を含む光重合性組成物、化学増幅型ネガ型感光性樹脂組成物などが挙げられる。
【0023】
本発明のリソグラフィー用リンス液が好適に適用できる感光性樹脂組成物として、キノンジアジド系感光剤とアルカリ可溶性樹脂とからなるポジ型感光性樹脂組成物が挙げられるが、このキノンジアジド系感光剤とアルカリ可溶性樹脂とからなるポジ型感光性樹脂組成物において用いられるキノンジアジド系感光剤およびアルカリ可溶性樹脂を具体的に例示すると、キノンジアジド系感光剤としては、1,2−ベンゾキノンジアジド−4−スルホン酸、1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸、1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸、これらのスルホン酸のエステル或いはアミドなどが、またアルカリ可溶性樹脂としては、ノボラック樹脂、ポリビニルフェノール、ポリビニルアルコール、アクリル酸或はメタクリル酸の共重合体などが挙げられる。ノボラック樹脂としては、フェノール、o−クレゾール、m−クレゾール、p−クレゾール、キシレノール等のフェノール類の1種又は2種以上と、ホルムアルデヒド、パラホルムアルデヒド等のアルデヒド類の1種以上から製造されるものが好ましいものとして挙げられる。
【0024】
また、化学増幅型の感光性樹脂組成物は、ポジ型であれネガ型であれ本発明のリンス液が適用されるに好ましいものである。化学増幅型レジストは、放射線照射により酸を発生させ、この酸の触媒作用による化学変化により放射線照射部分の現像液に対する溶解性を変化させてパターンを形成するもので、例えば、放射線照射により酸を発生させる酸発生化合物と、酸の存在下に分解しフェノール性水酸基或いはカルボキシル基のようなアルカリ可溶性基が生成される酸感応性基含有樹脂からなるもの、アルカリ可溶樹脂と架橋剤、酸発生剤からなるものが挙げられる。
【0025】
本発明のリソグラフィー用リンス液は、特に、微細で、アスペクト比の高いレジストパターンに対しても有効にパターン倒れ、パターン剥離を改善することができるものであり、このような微細なレジストパターンが形成されるリソグラフィー工程、すなわち、露光光源として、KrFエキシマレーザーやArFエキシマレーザー、更にはX線、電子線などを用いる、250nm以下の露光波長での露光を含むリソグラフィー工程によりレジストパターンを形成する方法が好ましい方法として挙げられる。さらに、レジストパターンのパターン寸法でみると、ライン・アンド・スペース・パターンにおける線幅、またはコンタクトホール・パターンにおける孔径が300nm以下のレジストパターンを形成するリソグラフィー工程を含むものが好ましい。
【0026】
本発明のリンス液は、水、例えば純水を用いて現像後のレジストパターンをリンスした後の最終リンス液として用いてもよいし、また本発明のリンス液のみを用いて現像後のレジストパターンのリンス処理を行ってもよいが、本発明のリンス液の適用方法がこれらに限定されるものではない。例えば、必要に応じ水によるパターン洗浄を行った後本発明のリンス液を用いてパターンのリンス処理を行い、さらに水、例えば純水でリンス処理を行う方法による適用などであっても良い。
【0027】
以下に本発明をその実施例をもって説明するが、本発明の態様はこれらの実施例に限定されるものではない。
【0028】
実施例1〜17、比較例1〜11(リンス液の調整)
純水に表1の界面活性剤A〜C、E〜Iを各々表2および表3の濃度となるよう添加し、常温で1時間攪拌、溶解させることにより、実施例1〜17および比較例1〜11のリンス液R−1〜R−11およびR−17〜R−33を調整した。
【0029】
【表1】
【0030】
表中、界面活性剤Aはポリオキシエチレンひまし油エーテル、同Bはポリエチレングリコールジオレイルエステル、同Cはポリオキシエチレンアルキルアミノエーテル、同Eはアセチレングリコール類のエチレンオキサイド付加物、同Fはアセチレングリコール類のポリエチレンオキサイド付加物、同Gはジオクチルホスフェート、同HはC12アルキルジメチルベンジルアンモニウム・クロライド、同IはC12アルキルジメチルベタインである。
【0031】
【表2】
【0032】
【表3】
【0033】
実施例18
クラリアント社製反射防止膜AZ KrF−17Bを東京エレクトロン社製スピンコーターにより6インチシリコンウェハーに回転塗布し、190℃、90秒間ホットプレートにてベークを行い、800Åの膜が得られるように調整した。膜厚はプロメトリスク社製膜厚測定装置にて測定した。次にクラリアント社製フォトレジストAZ DX5160P(‘AZ’は登録商標、以下同じ)を、得られた反射防止膜上に回転塗布し、130℃、60秒間ホットプレートにてベークを行い、0.51μmのレジスト膜が得られるように調整した。そしてキヤノン社製縮小投影露光装置FPA3000EX5(波長248nm)にて、2/3Annulerを使用し露光した。露光後、ホットプレートにて110℃、60秒間ベークを行い、クラリアント社製現像液AZ 300MIFデベロッパー(2.38重量%水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液)を用いパドル現像(23℃、1分間)した。次いで、純水でリンス後、実施例1のリンス液R−1でリンス処理を行い、スピン乾燥し、レジストパターンを得た。得られたレジストパターンを、表面観察装置KLA(KLAテンコール社製)にて、パターンサイズが140nmである1:1のライン・アンド・スペースを観察することにより、パターン倒れの評価を行った。その結果を表4に示す。なおパターン倒れ発生率は、被検体の観察時被検体中にパターン倒れが1つでも確認できればパターン倒れありとし、複数の被検体におけるパターン倒れありの被検体が存在する割合として示した。
【0034】
実施例19〜34
リンス液をR−1に代えてR−2〜R−11およびR−17〜R−22とすること以外は実施例18と同様に行い、表4の結果を得た。
【0035】
【表4】
【0036】
比較例12〜22
リンス液をR−1に代えてR−23〜R−33とすること以外は実施例18と同様に行い、表5の結果を得た。
【0037】
【表5】
【0038】
実施例35
クラリアント社製反射防止膜AZ ArF1C5Dを東京エレクトロン社製スピンコーターにより6インチシリコンウェハーに回転塗布し、200℃、60秒間ホットプレートにてベークを行い、390Åの膜が得られるように調整した。膜厚はプロメトリスク社製膜厚測定装置にて測定した。次にクラリアント社製フォトレジスAZ Exp.T9479を、得られた反射防止膜上に回転塗布し、130℃、60秒間ホットプレートにてベークを行い、0.44μmのレジスト膜が得られるように調整した。そしてニコン社製ステッパーNSR−305B(波長193nm)にて、2/3Annulerを使用し露光した。露光後、ホットプレートにて110℃、60秒間ベークを行い、クラリアント社製現像液AZ 300MIFデベロッパー(2.38重量%水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液)を用いパドル現像(23℃、1分間)した。次いで純水でリンス後、実施例1のリンス液R−1でリンス処理を行い、スピン乾燥しレジストパターンを得た。得られたレジストパターンを、表面観察装置KLAにて、パターンサイズが130nmである1:1のライン・アンド・スペースを観察することにより、パターン倒れの評価を行った。その結果を表6に示す。
【0039】
実施例36〜51
リンス液をR−1に代えてR−2〜R−11およびR−17〜R−22とすること以外は実施例35と同様に行い、表6の結果を得た。
【0040】
【表6】
【0041】
比較例23〜33
リンス液をR−1に代えてR−23〜33とすること以外は実施例35と同様に行い、表7の結果を得た。
【0042】
【表7】
【0043】
実施例52
クラリアント社製フォトレジストAZ EXP.5555を東京エレクトロン社製スピンコーターにより6インチシリコンウェハーに回転塗布し、110℃、120秒間ホットプレートにてベークを行い、0.275μmの膜が得られるように調整した。膜厚はプロメトリスク社製膜厚測定装置にて測定した。そして日立社製電子線(EB)照射装置HLD−800にて電子線照射後、ホットプレートにて110℃、120秒間ベークを行い、クラリアント社製現像液AZ 300MIFデベロッパー(2.38重量%水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液)を用いパドル現像(23℃、1分間)した。現像後、純水でリンスし、次いで実施例1のリンス液R−1でリンス処理を行い、スピン乾燥しレジストパターンを得た。得られたレジストパターンを、KLAにてパターンサイズが80nmである1:1のライン・アンド・スペースを観察することにより、パターン倒れの評価を行った。その結果を表8に示す。
【0044】
実施例53〜68
リンス液をR−1に代えてR−2〜R−11およびR−17〜R−22とすること以外は実施例52と同様に行い、表8の結果を得た。
【0045】
【表8】
【0046】
比較例34〜44
リンス液をR−1に代えてR−23〜R−33とすること以外は実施例52と同様に行い、表9の結果を得た。
【0047】
【表9】
【0048】
実施例69
クラリアント社製反射防止膜AZ KrF−17Bを東京エレクトロン社製スピンコーターにより6インチシリコンウェハーに回転塗布し、190℃、90秒間ホットプレートにてベークを行い、800Åの膜が得られるように調整した。膜厚はプロメトリスク社製膜厚測定装置にて測定した。次にクラリアント社製フォトレジストAZ DX5160Pを、得られた反射防止膜上に回転塗布し、130℃、60秒間ホットプレートにてベークを行い、0.51μmのレジスト膜が得られるように調整した。そしてキヤノン社製縮小投影露光装置FPA3000EX5(波長248nm)にて、2/3Annulerを使用し、フォーカスを変えながら、9本の1:1ライン・アンド・スペースパターンの露光を順次行った後、ホットプレートにて110℃、60秒間ベークを行い、クラリアント社製現像液AZ 300MIFデベロッパー(2.38重量%水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液)を用いパドル現像(23℃、1分間)した。現像後、純水でリンスを行い、次いで実施例1のリンス液R−1でリンス処理を行い、スピン乾燥してパターンサイズが140nmの9本の1:1ライン・アンド・スペースレジストパターンを得た。得られたレジストパターンを日立社製走査線型電子顕微鏡で観察し、DOF(Depth of Focus:焦点深度)の評価を行った。DOFの値は、最終リンス後に9本のラインの何れもが倒れていないレジストパターンが得られるフォーカスの範囲を表した。フォーカス位置が適性フォーカスからずれるにしたがって、露光量の関係から、リンス後に得られる9本のライン・アンド・スペースパターンの両端のパターンが倒れ易くなる。結果を表10に示す。
【0049】
実施例70〜85
リンス液をR−1に代えてR−2〜R−11およびR−17〜R−22とすること以外は実施例69と同様に行い、表10の結果を得た。
【0050】
【表10】
【0051】
比較例45〜55
リンス液をR−1に代えてR−23〜R−33とすること以外は実施例69と同様に行い、表11の結果を得た。
【0052】
【表11】
【0053】
表10、表11から、本発明のリンス液を用いることによりリンス後のパターン倒れが起き難くなり、露光の際のフォーカスズレに対する裕度も改善されることが分る。
【0054】
上記ではリンス液のシーケンスは、現像→純水→本発明のリンス液で行った結果を示したが、現像→本発明のリンス液、或いは現像→純水→本発明のリンス液→純水で行った場合も同様の結果が得られた。
【0055】
さらに本発明のリンス処理後にベーク処理を行えば、レジストパターンの膨潤が防止できるという効果も得られる。
【0056】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明のリソグラフィー用リンス液は安価かつ安全で、レジストパターンの剥がれや倒れを防止することができ、特にアスペクト比の大きなレジストパターンの形成に好適に使用することができる。
Claims (5)
- 現像後のレジストパターンのリンス処理に用いられる、水およびフッ素原子を有しない非イオン性界面活性剤を含有し、前記非イオン性界面活性剤が、アセチレンアルコール類またはアセチレングリコール類のエチレンオキサイド付加物またはエチレンオキサイドおよびプロピレンオキサイド付加物、ポリオキシエチレンひまし油エーテル、ポリエチレングリコールジオレイルエステル、ポリオキシエチレンアルキルアミノエーテルの少なくとも何れか一種類であることを特徴とするリソグラフィー用リンス液。
- 請求項1に記載のリソグラフィー用リンス液において、上記非イオン性界面活性剤の濃度が20〜5,000ppmであることを特徴とするリソグラフィー用リンス液。
- 請求項1または2に記載のリソグラフィー用リンス液を用いて、現像後のレジストパターンのリンス処理を行うことを特徴とするレジストパターン形成方法。
- 請求項3記載のレジストパターン形成方法において、パターン寸法が300nm以下のレジストパターンを含むことを特徴とするレジストパターン形成方法。
- 請求項3または4に記載のレジストパターン形成方法において、レジストパターンが250nm以下の露光波長での露光を含むリソグラフィー工程で形成されたものであることを特徴とするレジストパターン形成方法。
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