JP4459857B2 - リソグラフィー用洗浄液及びそれを用いたレジストパターン形成方法 - Google Patents
リソグラフィー用洗浄液及びそれを用いたレジストパターン形成方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4459857B2 JP4459857B2 JP2005144788A JP2005144788A JP4459857B2 JP 4459857 B2 JP4459857 B2 JP 4459857B2 JP 2005144788 A JP2005144788 A JP 2005144788A JP 2005144788 A JP2005144788 A JP 2005144788A JP 4459857 B2 JP4459857 B2 JP 4459857B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cleaning liquid
- lithography
- resist pattern
- cleaning
- water
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/40—Treatment after imagewise removal, e.g. baking
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Detergent Compositions (AREA)
Description
(A)基板上にホトレジスト膜を設ける工程、
(B)該ホトレジスト膜に対しマスクパターンを介して選択的に露光処理する工程、
(C)露光後加熱(PEB)処理する工程、
(D)アルカリ現像する工程、
(E)上記のリソグラフィー用洗浄液で処理する工程
及び所望に応じさらに(F)純水を用いて洗浄処理する工程を行うことを特徴とするレジストパターン形成方法を提供するものである。
で表わされるアミンオキシドを含有することが必要である。
R−(OCH2CH2)n−
又は
R−(OCH2CH2CH2)m−
(ただし、Rはアルキル基、n又はmは式中の炭素数の合計が8〜20の範囲になるような整数である)
で表わされるアルキルオキシアルキレン化合物又はアルキル(ポリオキシアルキレン)化合物を挙げることができる。
このR2及びR3の炭素数が5よりも大きくなると、アミンオキシドが水に難溶性になるので、所定濃度以上の水性溶液に調製しにくくなる。
好ましいアルキル基は、メチル基、エチル基、プロピル基のような炭素数1〜3の低級アルキル基であり、好ましいヒドロキシアルキル基は、メチロール基、ヒドロキシエチル基、ヒドロキシプロピル基、ヒドロキシブチル基のような炭素数1〜4の低級ヒドロキシアルキル基である。これらは直鎖状、枝分れ状のいずれでもよい。
上記の水混和性有機溶剤としては、メタノール、エタノール又はプロパノールのような一価アルコール系有機溶剤、あるいはエチレングリコール、プロピレングリコール、ジエチレングリコール、グリセリンのような多価アルコール系有機溶剤が好ましい。これらは単独で用いてもよいし、また2種以上組み合わせて用いてもよい。
このように水混和性有機溶剤を配合することにより、300mm又はそれ以上のウェーハを処理する場合、リソグラフィー用洗浄液がその上に効率よく分散、拡散させることができる。
これらの含有割合としては、リソグラフィー用洗浄液全質量に基づき0.001〜5質量%、好ましくは100ppm〜3質量%の範囲内で選ばれる。
このポリアルキレングリコール又はそのアルキルエーテルを含ませることにより洗浄液のレジストパターン上への塗布性を向上させることができる。
で表わされる含窒素複素環基をもつ単量体単位を含む水溶性樹脂である。
これらの複素環基の結合位置は特に制限はなく、窒素原子でもよいし、炭素原子でもよい。
で表わされる含窒素複素環基をもつ単量体又はこれと単独で水溶性重合体を形成する窒素原子を含まない単量体との混合物を、重合又は共重合させることによって製造することができる。この重合又は共重合は、溶液重合法、懸濁重合法などの通常の重合体又は共重合体の製造に慣用されている方法によって行うことができる。
このような酸としては、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、イソ酪酸、グリコール酸、シュウ酸、フマル酸、マレイン酸、フタル酸、過酢酸、硫酸、トリフルオロ酢酸、及びアスコルビン酸等が挙げられる。
(A)基板上にホトレジスト膜を設ける工程、
(B)該ホトレジスト膜に対しマスクパターンを介して選択的に露光処理する工程、
(C)露光後加熱(PEB)処理する工程、
(D)アルカリ現像する工程、及び
(E)上記リソグラフィー用洗浄液で処理する工程
を含むレジストパターン形成方法に好適に用いることができる。
基板としては、一般にシリコンウェーハが用いられる。このようなシリコンウェーハとしては、8インチや12インチ以上のウェーハが実用化され、あるいは実用化されつつある中で、特にホトレジストパターン倒れの問題や、ディフェクト発生の問題が顕著となってきており、このような大口径シリコンウェーハを使用する工程において特に有効である。
通常、レジストパターンを形成する場合には、レジスト組成物中のアルカリ不溶成分がアルカリ現像後の水リンス時に析出し、レジストパターン形成後のホトレジスト膜表面に付着することがディフェクトの原因の1つになっているが、本発明方法においては、現像後に本発明リソグラフィー用洗浄液で処理することにより、レジストパターン表面に親水性の特性を付与することにより、レジスト中のアルカリ溶解物がレジストパターン表面に再付着することを抑止することができ、再付着系のディフェクトが特に減少するものと推測される。
さらに、一般にLWR(Line Width Roughness)として知られているレジストパターンのライン幅の凹凸や、LER(Line Edge Roughness)として知られているライン端の凹凸を改善し、パターンの解像性能を向上させる。
(1)ディフェクト抑制効果;
8インチシリコンウェーハ上に反射防止膜形成用塗布液[ブリューワ(Brewer)社製、製品名「ARC−29A」]を塗布し、215℃で60秒間加熱処理して膜厚77nmの反射防止膜を設けたのち、この反射防止膜上に、ホトレジスト(東京応化工業社製、製品名「TARF−P7066」)を塗布し、130℃で90秒間加熱処理し、膜厚215nmのホトレジスト膜を形成させた。
このようにして得たホトレジスト膜に対して、露光装置(ニコン社製、製品名「Nikon NSR−S302A」)を用いて露光処理したのち、130℃で90秒加熱処理した。
次いで、2.38質量%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液を用いて23℃で60秒の現像処理することにより直径250nmのホールパターンを形成した。
次に、純水の代りに表1に示した本発明のリソグラフィー用洗浄液を用い、同じ条件下で洗浄処理したのち、上記と同様にしてレジストパターン上に発生したディフェクト数を計測し、この計測値の純水を用いた場合の計測値に対する百分比を求め、ディフェクト抑制効果とした。
(1)と同様にして80nmのラインアンドスペースパターン5本を形成しうる条件下で、フォーカスを+0.1μm、0μm及び−0.1μmの3点で測定し、露光量を37mjないし41mjの範囲において1mj単位でずらし、洗浄処理後のウェーハ面内のレジストパターンにおけるパターン倒れの数を測長SEM(日立ハイテクノロジー社製、製品名「S−9200」)を用いて観察した。
このようにして得られた全パターン中の未倒壊ラインパターンの割合を百分比で表わした。
(1)と同様にして、90nmのラインアンドスペースのレジストパターンを作成し、この表面を本発明のリソグラフィー用洗浄液を用いて2000rpmで7秒間洗浄処理したのち、ウェーハ面内のレジストパターンにおけるライン幅の凹凸(バラツキ)をSEMで計測し、その標準分散(3σ)を求め、LWRとして評価した。
(1)と同様にして90nmのラインアンドスペースのレジストパターンを作成し、本発明のリソグラフィー用洗浄液を用いて洗浄処理を行ったのち、SEMにより観察することにより、ナノディフェクト等による解像性能劣化を以下の3段階で評価した。
A 非常に良好な矩形性状を有する
B 良好な矩形性状を有する
C ナノディフェクトによる形状不良が認められる
ラウリルジメチルアミンオキシドを50〜1000ppmの濃度で純水に溶解し、リソグラフィー用洗浄液8種を調製した。これらの物性を表1に示す。
ラウリルジヒドロキシエチルアミンオキシドを100〜1000ppmの濃度で純水に溶解し、リソグラフィー用洗浄液7種を調製した。これらの物性を表2に示す。
8インチシリコンウェーハ上に反射防止膜形成用塗布液[ブリューワ(Brewer)社製、製品名「ARC−29A」]を塗布し、215℃で60秒間加熱処理して膜厚77nmの反射防止膜を設けたのち、この反射防止膜上に、ホトレジスト(東京応化工業社製、製品名「TARF−P6111」)を塗布し130℃で90秒間加熱処理し、膜厚460nmのホトレジスト膜を形成させた。
このようにして得たホトレジスト膜に対して、露光装置(ニコン社製、製品名「Nikon NSR−S302A」)を用いて、露光量を16〜28mjの範囲において1mj単位でずらし、露光処理したのち、130℃で90秒加熱処理した。
この処理後の基板上のレジストパターン中の、未倒壊だったパターンのアスペクト比の最大値、およびCD(ライン幅)の最小値を測長SEM(日立ハイテクノロジー社製、製品名「S−9200」)を用いて計測した。その結果を表3に示す。
ラウリルジヒドロキシエチルアミンオキシド、テトラデシルジメチルアミンオキシド又は式 C12H25−(OCH2CH2)3N(CH3)2Oで表わされるアミンオキシドを濃度300ppmで純水に溶かし、リソグラフィー用洗浄液3種を調製した。これらを用いて、130nmのラインアンドスペースのレジストパターンの洗浄処理を行った。この処理後の基板上のレジストパターン中の、未倒壊だったパターンのアスペクト比の最大値、およびCD(ライン幅)の最小値をSEMを用いて計測した。その結果を表3に示す。
洗浄液として純水を用いた以外は、実施例16と全く同様にしてレジストパターンの洗浄処理を行った。この処理後の基板上のレジストパターン中の、未倒壊だったパターンのアスペクト比の最大値、およびCD(ライン幅)の最小値をSEMを用いて計測した。その結果を表3に示す。
実施例16で洗浄処理する前の洗浄液について、ICP分析及び原子吸光分析を行い、その中に含まれるNa、K、Fe、Ca、Mg、Mn、Cu、Al、Cr、Ni、Siの11種の元素を測定したところ、全元素の合計濃度は30ppb未満であった。
比較のために市販のベタインを1000ppm含有する水溶液からなる洗浄液について、同様の条件下で全元素の含有濃度を分析したところ、500ppm以上であった。このことから、本発明のリソグラフィー用洗浄液は、金属に対して安定である(異物のリスクが低い)ことが分る。
洗浄液のバクテリア発生に対する抗菌性を評価するため、ラウリルジメチルアミンオキシドの500ppm水溶液200mlに対して、水道水10mlを加え、真空ろ過システム[ミリポア社製、ろ過システム名「Millpore Millflex−100」、フィルター名「Millpore Millflex−100フィルターユニット MXHABG124」]を用いて真空ろ過を行い、ろ過後のフィルターを培地である好気性従属栄養細菌用液体[ミリポア社製、製品名「Millpore MX00TT220」]にて1週間培養した。
この培養結果を観察したところ、バクテリアの発生は全く認められなかった。
上記実施例26の洗浄液をポリエチレングリコール・ポリプロピレングリコールブロック共重合体に代えた以外は、実施例26と全く同様の操作で実験を行った。
その結果、随所にバクテリアが発生していたことが確認された。
8インチシリコンウェーハ上にホトレジスト(東京応化工業社製、製品名「TArF−P6111」)を塗布し130℃で90秒間加熱処理し、膜厚300nmのホトレジスト膜を形成させた。
このようにして得たホトレジスト膜に対して、洗浄液としてラウリルジメチルアミンオキシドの300ppm水溶液を2000rpmにてウェーハを回転させながら6秒間滴下させた際に発生した電荷を、測定装置[春日電機社製、製品名「KSD−0303」]を用いて帯電電荷を計測したところ、その電荷は4Vであり、洗浄処理前の状態の帯電電荷である6Vに比べほとんど差は認められなかった。
実施例27のホトレジストをホトレジスト(東京応化工業社製、製品名「TArF−P7066」)に代えた以外は、実施例27と全く同様の操作で帯電電荷を測定したところ、6Vであり、洗浄処理前の状態の帯電電荷である6Vと同等であった。
実施例27の洗浄液を純水とした以外は、実施例27と全く同様の操作で帯電電荷を測定したところ、−8Vであり、洗浄処理前の状態の帯電電荷である6Vからの差が大きかった。
8インチシリコンウェーハ上に反射防止膜形成用塗布液[ブリューワ(Brewer)社製、製品名「ARC−29A」]を塗布し、215℃にて60秒間加熱処理して膜厚77nmの反射防止膜を設けたのち、この反射防止膜上に、ホトレジスト(東京応化工業社製、製品名「TARF−P6111」)を塗布し130℃で90秒間加熱処理し、膜厚460nmのホトレジスト膜を形成させた。
このようにして得たホトレジスト膜に対して、露光装置(ニコン社製、製品名「Nikon NSR−S302A」)を用い、130nmラインアンドスペースのマスクパターンを介して露光処理したのち、130℃で90秒加熱処理した。
次に、ラウリルジメチルアミンオキシドの500ppm水溶液からなる洗浄液をレジストパターンの表面に2000rpmで7秒間適用し洗浄処理を行った。
このようにして得たレジストパターンを測長SEM(日立ハイテクノロジー社製、製品名「S−9300」)を用いて、電子線を30回繰り返し照射したときのライン幅を測定した。
図中の●のプロットは、本発明のリソグラフィー用洗浄液で洗浄したもの、◆のプロットは純水のみで洗浄したものである。
この図から分るように、本発明のリソグラフィー用洗浄液を用いることにより、これを用いない場合に比べ、膜減り量は約10%程度向上しており、電子線耐性は明らかに向上している。
Claims (13)
- 一般式中のR2及びR3が炭素数1〜5のアルキル基である請求項1記載のリソグラフィー用洗浄液。
- 一般式中のR2及びR3が炭素数1〜5のヒドロキシアルキル基である請求項1記載のリソグラフィー用洗浄液。
- 水性溶液が水を溶媒とするものである請求項1、2又は3記載のリソグラフィー用洗浄液。
- 水性溶液が水と水混和性有機溶剤との混合物を溶媒とするものである請求項1、2又は3記載のリソグラフィー用洗浄液。
- 水混和性有機溶剤が一価又は多価アルコール系有機溶剤である請求項5記載のリソグラフィー用洗浄液。
- 溶媒中の水混和性有機溶剤の含有割合が0.01〜10質量%の範囲にある請求項5又は6記載のリソグラフィー用洗浄液。
- アミンオキシド化合物の濃度がリソグラフィー用洗浄液全質量に基づき、0.1ppm〜10質量%の範囲にある請求項1ないし7のいずれかに記載のリソグラフィー用洗浄液。
- アミンオキシド化合物の濃度がリソグラフィー用洗浄液全質量に基づき、100ppm〜3質量%である請求項8記載のリソグラフィー用洗浄液。
- アミンオキシド化合物に加えて、さらにリソグラフィー用洗浄液全質量に基づき0.001〜5質量%の割合でポリオキシアルキレングリコール及びそのアルキルエーテルの中から選ばれた化合物を含有する請求項1ないし9のいずれかに記載のリソグラフィー用洗浄液。
- アミンオキシド化合物に加えて、さらにリソグラフィー用洗浄液全質量に基づき0.1ppm〜10質量%の濃度で、分子構造中に窒素原子を含む可溶性ポリマーを含有する請求項1ないし10のいずれかに記載のリソグラフィー用洗浄液。
- (A)基板上にホトレジスト膜を設ける工程、
(B)該ホトレジスト膜に対しマスクパターンを介して選択的に露光処理する工程、
(C)露光後加熱(PEB)処理する工程、
(D)アルカリ現像する工程、及び
(E)請求項1ないし11のいずれかに記載のリソグラフィー用洗浄液で処理する工程を行うことを特徴とするレジストパターン形成方法。 - 前記(D)工程及び(E)工程を順次行ったのち、さらに(F)純水を用いて洗浄処理する工程を行う請求項12記載のレジストパターン形成方法。
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005144788A JP4459857B2 (ja) | 2004-12-09 | 2005-05-17 | リソグラフィー用洗浄液及びそれを用いたレジストパターン形成方法 |
CN2005800425424A CN101076759B (zh) | 2004-12-09 | 2005-11-29 | 光蚀刻用清洗液及抗蚀图案的形成方法 |
PCT/JP2005/021861 WO2006062005A1 (ja) | 2004-12-09 | 2005-11-29 | リソグラフィー用洗浄液及びレジストパターン形成方法 |
KR1020077014963A KR100916686B1 (ko) | 2004-12-09 | 2005-11-29 | 리소그래피용 세정액 및 레지스트패턴 형성방법 |
EP05811391A EP1832931A4 (en) | 2004-12-09 | 2005-11-29 | CLEANING LIQUID FOR LITHOGRAPHY AND METHOD FOR FORMING RESIN PATTERN |
US11/791,723 US7795197B2 (en) | 2004-12-09 | 2005-11-29 | Cleaning liquid for lithography and method for resist pattern formation |
TW094143449A TWI340302B (en) | 2004-12-09 | 2005-12-08 | Lithographic rinse solution and resist-pattern forming method |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004357461 | 2004-12-09 | ||
JP2005144788A JP4459857B2 (ja) | 2004-12-09 | 2005-05-17 | リソグラフィー用洗浄液及びそれを用いたレジストパターン形成方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006189755A JP2006189755A (ja) | 2006-07-20 |
JP4459857B2 true JP4459857B2 (ja) | 2010-04-28 |
Family
ID=36577837
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005144788A Active JP4459857B2 (ja) | 2004-12-09 | 2005-05-17 | リソグラフィー用洗浄液及びそれを用いたレジストパターン形成方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7795197B2 (ja) |
EP (1) | EP1832931A4 (ja) |
JP (1) | JP4459857B2 (ja) |
KR (1) | KR100916686B1 (ja) |
CN (1) | CN101076759B (ja) |
TW (1) | TWI340302B (ja) |
WO (1) | WO2006062005A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20120135958A (ko) * | 2011-06-08 | 2012-12-18 | 주식회사 동진쎄미켐 | 포토리소그래피용 세정액 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트 미세패턴 형성방법 |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4523888B2 (ja) * | 2005-07-19 | 2010-08-11 | 東京応化工業株式会社 | リソグラフィー用洗浄液及びそれを用いたレジストパターン形成方法 |
JP5591623B2 (ja) * | 2010-08-13 | 2014-09-17 | AzエレクトロニックマテリアルズIp株式会社 | リソグラフィー用リンス液およびそれを用いたパターン形成方法 |
EP2686737A4 (en) * | 2011-03-18 | 2014-09-03 | Basf Se | METHOD FOR PRODUCING INTEGRATED SWITCHING DEVICES, OPTICAL DEVICES, MICROMATIC MACHINES AND MECHANICAL PRECISION DEVICES WITH STRUCTURED MATERIAL LAYERS WITH LINE DISTANCE DISTANCE OF 50 NM OR LESS |
CN102435547B (zh) * | 2011-09-15 | 2014-02-05 | 上海华力微电子有限公司 | 敏感光阻耐受程度检测方法及晶圆缺陷检验方法 |
SG11201504607QA (en) | 2012-12-14 | 2015-07-30 | Basf Se | Use of compositions comprising a surfactant and a hydrophobizer for avoiding anti pattern collapse when treating patterned materials with line-space dimensions of 50 nm or below |
JP6044428B2 (ja) * | 2013-04-04 | 2016-12-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法、基板処理装置及び記憶媒体 |
JP6466650B2 (ja) * | 2014-04-03 | 2019-02-06 | 信越化学工業株式会社 | レジスト組成物の製造方法 |
WO2017220479A1 (en) * | 2016-06-20 | 2017-12-28 | Az Electronic Materials (Luxembourg) S.A.R.L. | A rinse composition, a method for forming resist patterns and a method for making semiconductor devices |
EP3572490A1 (en) | 2018-05-24 | 2019-11-27 | The Procter & Gamble Company | Spray container comprising a detergent composition |
EP3572492A1 (en) | 2018-05-24 | 2019-11-27 | The Procter & Gamble Company | Fine mist hard surface cleaning spray |
EP3572489A1 (en) | 2018-05-24 | 2019-11-27 | The Procter & Gamble Company | Spray container comprising a detergent composition |
EP3572493A1 (en) | 2018-05-24 | 2019-11-27 | The Procter & Gamble Company | Spray container comprising a detergent composition |
EP3572491A1 (en) | 2018-05-24 | 2019-11-27 | The Procter & Gamble Company | Spray container comprising a detergent composition |
Family Cites Families (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
PH17613A (en) * | 1981-05-29 | 1984-10-05 | Unilever Nv | General-purpose cleaning composition |
JPS6386798A (ja) * | 1986-09-30 | 1988-04-18 | 花王株式会社 | 台所用液体洗浄剤組成物 |
US4895617A (en) | 1989-05-04 | 1990-01-23 | Olin Corporation | Etchant solution for photoresist-patterned metal layers |
JPH0798498A (ja) * | 1993-09-28 | 1995-04-11 | Konica Corp | 感光性平版印刷版 |
JP3361613B2 (ja) * | 1994-05-24 | 2003-01-07 | 富士写真フイルム株式会社 | 平版印刷版用水洗水及び平版印刷版の製版方法 |
JPH08225970A (ja) * | 1995-02-16 | 1996-09-03 | Nippon Parkerizing Co Ltd | アルミニウム及びアルミニウム合金用アルカリ性液体脱脂剤 |
JPH1055993A (ja) | 1996-08-09 | 1998-02-24 | Hitachi Ltd | 半導体素子製造用洗浄液及びそれを用いた半導体素子の製造方法 |
ATE265518T1 (de) | 1997-02-14 | 2004-05-15 | Procter & Gamble | Flüssige reinigungsmittelzusammensetzungen für harte oberflächen |
US6484735B1 (en) | 1997-02-14 | 2002-11-26 | The Procter & Gamble Company | Alkaline liquid hard-surface cleaning compositions comprising N-vinylpyrrolidone copolymer |
JPH11246310A (ja) | 1998-02-25 | 1999-09-14 | Showa Kk | 殺菌剤 |
JP4027494B2 (ja) * | 1998-04-07 | 2007-12-26 | 花王株式会社 | リンス剤組成物 |
JP2000250229A (ja) | 1999-02-24 | 2000-09-14 | Nec Corp | フォトレジスト膜の現像方法 |
GB9911816D0 (en) | 1999-05-21 | 1999-07-21 | Reckitt & Colman Inc | Improvements in or relating to organic compositions |
JP2001023893A (ja) | 1999-07-12 | 2001-01-26 | Nec Corp | フォトレジストパターンの形成方法 |
JP3868686B2 (ja) | 1999-12-03 | 2007-01-17 | 東京応化工業株式会社 | ディフェクトの発生を抑えたホトレジストパターンの形成方法およびディフェクト低減用現像液 |
JP2001356494A (ja) * | 2000-06-14 | 2001-12-26 | Fuji Photo Film Co Ltd | 感光性平版印刷版の処理方法 |
ES2259654T3 (es) * | 2000-06-21 | 2006-10-16 | Ciba Specialty Chemicals Holding Inc. | Preparados tensoactivos. |
JP4694686B2 (ja) | 2000-08-31 | 2011-06-08 | 東京応化工業株式会社 | 半導体素子製造方法 |
JP4693969B2 (ja) * | 2000-09-11 | 2011-06-01 | 花王株式会社 | 液体洗浄剤組成物 |
US6616922B2 (en) * | 2001-03-27 | 2003-09-09 | The Dial Corporation | Antibacterial compositions |
JP2002323774A (ja) | 2001-04-25 | 2002-11-08 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 化学増幅型レジストパターンディフェクト低減用処理剤及びそれを用いるレジストパターン形成方法 |
US6756183B2 (en) | 2001-08-24 | 2004-06-29 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Method for preparing lithographic printing plate |
JP2003066624A (ja) * | 2001-08-24 | 2003-03-05 | Fuji Photo Film Co Ltd | 感光性平版印刷版用現像液及び平版印刷版の製版方法 |
JP4045180B2 (ja) * | 2002-12-03 | 2008-02-13 | Azエレクトロニックマテリアルズ株式会社 | リソグラフィー用リンス液およびそれを用いたレジストパターン形成方法 |
JP2004346046A (ja) * | 2003-05-26 | 2004-12-09 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 化粧料 |
JP3908213B2 (ja) * | 2003-09-30 | 2007-04-25 | 富士通株式会社 | レジストパターンの形成方法及び半導体装置の製造方法 |
-
2005
- 2005-05-17 JP JP2005144788A patent/JP4459857B2/ja active Active
- 2005-11-29 US US11/791,723 patent/US7795197B2/en active Active
- 2005-11-29 WO PCT/JP2005/021861 patent/WO2006062005A1/ja active Application Filing
- 2005-11-29 EP EP05811391A patent/EP1832931A4/en not_active Withdrawn
- 2005-11-29 CN CN2005800425424A patent/CN101076759B/zh active Active
- 2005-11-29 KR KR1020077014963A patent/KR100916686B1/ko active IP Right Grant
- 2005-12-08 TW TW094143449A patent/TWI340302B/zh active
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20120135958A (ko) * | 2011-06-08 | 2012-12-18 | 주식회사 동진쎄미켐 | 포토리소그래피용 세정액 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트 미세패턴 형성방법 |
KR101863636B1 (ko) | 2011-06-08 | 2018-06-04 | 주식회사 동진쎄미켐 | 포토리소그래피용 세정액 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트 미세패턴 형성방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI340302B (en) | 2011-04-11 |
KR20070086817A (ko) | 2007-08-27 |
WO2006062005A1 (ja) | 2006-06-15 |
JP2006189755A (ja) | 2006-07-20 |
CN101076759B (zh) | 2010-12-01 |
EP1832931A4 (en) | 2010-05-26 |
TW200632592A (en) | 2006-09-16 |
US7795197B2 (en) | 2010-09-14 |
CN101076759A (zh) | 2007-11-21 |
KR100916686B1 (ko) | 2009-09-11 |
US20080096141A1 (en) | 2008-04-24 |
EP1832931A1 (en) | 2007-09-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4459857B2 (ja) | リソグラフィー用洗浄液及びそれを用いたレジストパターン形成方法 | |
TWI291602B (en) | Photolithographic rinse solution and resist-pattern forming method | |
US7745077B2 (en) | Composition for coating over a photoresist pattern | |
TWI357539B (ja) | ||
JP4864698B2 (ja) | リソグラフィー用リンス液 | |
KR100841194B1 (ko) | 리소그래피용 린스액 및 그것을 이용한 레지스트패턴형성방법 | |
JP4564489B2 (ja) | レジストパターン形成方法及びリンス液セット | |
WO2006025292A1 (ja) | リソグラフィー用現像液組成物とレジストパターン形成方法 | |
JP4767829B2 (ja) | リソグラフィー用洗浄剤及びそれを用いたレジストパターン形成方法 | |
JP4523888B2 (ja) | リソグラフィー用洗浄液及びそれを用いたレジストパターン形成方法 | |
JP2008145674A (ja) | レジスト表面改質剤及びそれを用いたレジストパターン形成方法 | |
JP2008145672A (ja) | レジスト表面改質剤及びそれを用いたレジストパターン形成方法 | |
JP2008145673A (ja) | レジスト表面改質剤及びそれを用いたレジストパターン形成方法 | |
WO2008069014A1 (ja) | レジスト表面改質剤及びそれを用いたレジストパターン形成方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080215 |
|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20090608 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100129 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100210 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4459857 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130219 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140219 Year of fee payment: 4 |