KR100916686B1 - 리소그래피용 세정액 및 레지스트패턴 형성방법 - Google Patents

리소그래피용 세정액 및 레지스트패턴 형성방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100916686B1
KR100916686B1 KR1020077014963A KR20077014963A KR100916686B1 KR 100916686 B1 KR100916686 B1 KR 100916686B1 KR 1020077014963 A KR1020077014963 A KR 1020077014963A KR 20077014963 A KR20077014963 A KR 20077014963A KR 100916686 B1 KR100916686 B1 KR 100916686B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
lithography
cleaning liquid
mass
group
washing
Prior art date
Application number
KR1020077014963A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20070086817A (ko
Inventor
요시히로 사와다
가즈마사 와키야
준 고시야마
아츠시 미야모토
히데카즈 타지마
Original Assignee
토쿄오오카코교 가부시기가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 토쿄오오카코교 가부시기가이샤 filed Critical 토쿄오오카코교 가부시기가이샤
Publication of KR20070086817A publication Critical patent/KR20070086817A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100916686B1 publication Critical patent/KR100916686B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/40—Treatment after imagewise removal, e.g. baking
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02057—Cleaning during device manufacture

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Detergent Compositions (AREA)

Abstract

본 발명은, 포토레지스트패턴에 대하여, 제품의 표면결함, 이른바 디펙트를 감소시켜서, 물 린스 시에 있어서의 패턴 도괴(倒壞)의 발생을 방지하고, 또 레지스트의 전자선조사에 대한 내성을 부여하여, 패턴의 수축을 억제하기 위해서 이용되며, 또한 보존 중에 박테리아에 의한 오염을 일으키지 않는 신규인 리소그래피용 세정액을 제공한다. 상기 리소그래피용 세정액은, 일반식
[화 1]
Figure 112007047728302-pct00005
(식 중의 R1은 산소원자로 중단되어 있어도 되는 탄소수 8~20의 알킬기 또는 히드록시알킬기, R2 및 R3은 탄소수 1~5의 알킬기 또는 히드록시알킬기임)
로 나타내지는 아민옥시드화합물을 함유한 수성용액으로 이루어지는 것을 특징으로 한 것이다.

Description

리소그래피용 세정액 및 레지스트패턴 형성방법{CLEANING LIQUID FOR LITHOGRAPHY AND METHOD FOR RESIST PATTERN FORMATION}
본 발명은, 상(像)형성 노광한 레지스트를 현상처리한 다음에, 그것에 접촉시킴으로써, 세정처리 후의 디펙트를 감소시켜서, 물 린스 시에 있어서의 패턴 도괴(倒壞)를 방지하고, 나아가서는 전자선 내성을 향상시켜서 전자선조사에 의해 생기는 패턴의 수축을 억제하는 데에 유효한 리소그래피용 세정액 및 그것을 이용한 레지스트패턴의 형성방법에 관한 것이다.
최근, 반도체 디바이스의 소형화, 집적화와 함께, 이 미세한 가공용 광원도 지금까지의 자외선에서, 보다 고해상성인 레지스트패턴 형성이 가능한 g선으로, g선(436㎚)에서 i선(365㎚)으로, i선에서 KrF 엑시머 레이저(248㎚)로 단파장화되고, 현재는 ArF 엑시머 레이저(193㎚), F2 엑시머 레이저(157㎚), 나아가서는 EB나 EUV 등의 전자선으로 주류가 전이되고 있으며, 그것과 동시에, 이들의 단파장 광원에 적합할 수 있는 프로세스나 포토레지스트 재료의 개발도 급피치로 진행되고 있다.
그런데, 지금까지의 포토레지스트에 대해서는, 예를 들면 감도, 해상성, 내 열성, 초점심도폭특성이나, 이들로부터 얻어지는 레지스트패턴 단면형상의 개선, 노광과 노광 후 가열(PEB) 사이의 아민 등의 오염에 의한 레지스트패턴의 형상 열화의 원인으로 되는 방치경시안정성의 향상, 및 실리콘질화막(SiN)과 같은 절연막, 다결정실리콘막(Poly-Si)과 같은 반도체막, 티탄나이트라이드막(TiN)과 같은 금속막 등의 각종 막이 형성된 실리콘웨이퍼에 대한 레지스트패턴 형상이 변화하는 기판의존성의 억제가 요구되며, 이들에 대해서는, 어느 정도 해결이 이루어져 왔지만, 특히 중요한 과제인 디펙트에 대해서는 미해결인 부분이 많다.
이 디펙트란, 표면결함관찰장치에 의해, 현상 후의 레지스트패턴을 바로 위에서 관찰했을 때에 검지되는 레지스트패턴과 마스크패턴과의 사이의 불일치점, 예를 들면, 레지스트패턴 형상의 차이, 찌끼(scum)나 먼지의 존재, 얼룩, 패턴간의 연결의 발생 등에 의한 불일치점을 의미하며, 디펙트의 수가 많을수록 반도체소자의 수율이 저하되기 때문에, 상기의 레지스트특성이 양호하더라도, 이 디펙트가 해결되지 않는 이상, 반도체소자의 양산화는 곤란하게 된다.
이 디펙트의 원인으로서는 여러 가지 고려되지만, 그 중 하나로 현상 시에 있어서의 마이크로 버블의 발생이나, 세정 시에 있어서 일단 제거된 불용물의 재부착이 있다.
이와 같은 디펙트를 감소시키는 방법으로서는, 패턴형성에 이용하는 포지티브형 레지스트 조성물 자체의 조성을 변경해서 개량하는 것(JP2002-148816A)이 제안되어 있지만, 이와 같은 조성의 변경은, 프로세스 자체의 변경도 수반하게 되므로 바람직하지 않다.
또, 레지스트패턴의 형성 시에, 소수기와 친수기를 함유한 화합물, 즉 계면활성제를 도포하는 방법도 제안되어 있지만(JP2001-23893A), 이 방법에 의하면, 레지스트패턴의 최상부분이 둥글게 되며, 단면 수직성이 저하될 뿐만 아니라, 이 처리에 의해 레지스트층의 막두께 감소를 발생시킨다고 하는 결점이 있다. 또한, 이 방법에서는, 사용되는 레지스트에 대해서 적합한 계면활성제를 선택하지 않으면 안되는데, 통상, 반도체 제조공장에 있어서는, 현상처리할 때에 현상액이 집중배관에 의해 공급되기 때문에, 이와 같은 방법을 이용하면, 여러 종류의 레지스트를 사용하는 경우에는, 각각의 레지스트에 대응해서 처리제를 변경하고, 그때마다 배관 속의 세정을 실행하지 않으면 안되게 되므로, 조작이 번잡하게 되며, 상기의 방법은 실용상 부적당하다.
또한, 포토리소그래피의 현상공정에 있어서, 금속이온을 함유하지 않은 유기염기와 비이온성 계면활성제를 주성분으로서 함유한 현상액을 이용하여, 디펙트를 저감시키는 방법(JP2001-159824A)이나, 분자량 200이상의 난휘발성 방향족 술폰산을 함유한, pH 3.5이하의 수성용액을 이용해서 노광 후 가열 전에 처리함으로써 디펙트를 저감시키는 방법(JP2002-323774A)도 공지되어 있지만, 충분한 효과를 얻는 데에 이르지 못하고 있다.
한편, 분자 중에 아미노기 또는 이미노기와, 탄소수 1~20의 탄화수소기를 가지며, 분자량 45~10000의 질소함유 화합물을 함유한 린스제 조성물을 이용함으로써, 린스공정이나 건조공정에서 발생하는 레지스트패턴의 도괴나 손상을 억제하는 방법도 공지되어 있지만(JP11-295902A), 이와 같은 린스제 조성물을 이용하는 방법 에서는, 상기한 디펙트의 저감을 실행할 수 없다. 그 외에, 에틸렌옥시드 또는 프로필렌옥시드계 활성제를 함유한 린스액도 공지되어 있지만(JP2004-184648A), 이와 같은 린스액은, 친수성기와 물과의 상호작용이 약하며, 패턴 도괴를 억제할 수 없다.
본 발명은, 이와 같은 사정 하에서, 포토레지스트패턴에 대하여, 제품의 표면결함, 이른바 디펙트를 감소시켜서, 물 린스 시에 있어서의 패턴 도괴의 발생을 방지하고, 또 레지스트의 전자선조사에 대한 내성을 부여하여, 패턴의 수축을 억제하기 위해서 이용되며, 또한 보존 중에 박테리아에 의한 오염을 일으키지 않는 신규인 리소그래피용 세정액, 및 그것을 이용한 레지스트패턴 형성방법을 제공하는 것을 목적으로서 이루어진 것이다.
본 발명자들은, 세정처리 자체의 성능을 손상시키지 않고, 얻어지는 레지스트패턴의 디펙트를 감소시키며, 또, 레지스트에 대해서 전자선 내성을 부여하여 수율을 향상시킬 수 있는 처리액을 개발하기 위해서 예의 연구를 거듭한 결과, 장쇄 알킬기를 가지는 아민옥시드화합물을 함유한 수성용액으로 이루어지는 세정액이 디펙트의 감소, 및 물 린스 시에 있어서의 패턴 도괴의 방지나, 레지스트의 전자선 내성의 부여에 유효한 것, 그리고 레지스트패턴의 형성 시에, 알칼리현상처리 후에, 포토레지스트막을 상기 용액에 의해 처리하면, 레지스트패턴이 양호한 형상을 유지하며, 용해나 팽윤 현상을 일으키지 않고 디펙트를 저감시킬 수 있는 동시에, 전자선조사에 의한 패턴의 수축을 억제할 수 있으며, 또한 보존 중에 박테리아에 의한 오염을 일으키지 않음을 발견하고, 이 식견에 의거해서 본 발명을 이루기에 이르렀다.
즉, 본 발명은, 특정의 아민옥시드화합물을 함유한 수성용액으로 이루어지는 리소그래피용 세정액, 및
(A) 기판 위에 포토레지스트막을 형성하는 공정,
(B) 상기 포토레지스트막에 대하여 마스크패턴을 개재해서 선택적으로 노광 처리하는 공정,
(C) 상기의 노광 처리된 포토레지스트막을 노광 후 가열처리(이하 PEB처리라고 함)하는 공정,
(D) 상기의 PEB처리된 포토레지스트막을 알칼리현상하는 공정,
(E) 상기의 알칼리현상한 포토레지스트막을, 상기한 리소그래피용 세정액에 의해 처리하는 공정 및 소망에 따라서 또한 (F) 순수를 이용해서 세정처리하는 공정을 실행하는 것을 특징으로 하는 레지스트패턴 형성방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 리소그래피용 세정액은, 일반식
[화 1]
Figure 112007047728302-pct00001
(식 중의 R1은 산소원자로 중단되어 있어도 되는 탄소수 8~20의 알킬기 또는 히드록시알킬기, R2 및 R3은 탄소수 1~5의 알킬기 또는 히드록시알킬기임)
로 나타내지는 아민옥시드를 함유하는 것이 필요하다.
이 일반식 (I) 중의 R1은 직쇄형상 또는 분기형상인 장쇄 알킬기, 예를 들면 옥틸기, 노닐기, 데실기, 라우릴기, 펜타데실기, 미리스틸기, 팔미틸기, 스테아릴기 등이다. 이 장쇄 알킬기는, 탄소사슬이 산소원자로 중단되어 있어도 되며, 이와 같은 기의 예로서는, 일반식
R - (OCH2CH2)n -
또는
R - (OCH2CH2CH2)m -
(단, R은 알킬기, n 또는 m은 식 중 탄소수의 합계가 8~20의 범위로 되는 정수임)
로 나타내지는 알킬옥시알킬렌화합물 또는 알킬(폴리옥시알킬렌)화합물을 들 수 있다.
또, 이 R2 및 R3은, 알킬기나 히드록시알킬기인데, 어느 경우에서도, 탄소수 1~5의 저급 알킬기 또는 저급 히드록시알킬기인 것이 필요하다.
이 R2 및 R3의 탄소수가 5보다도 커지면, 아민옥시드가 물에 난용성이 되므로, 소정 농도 이상의 수성용액으로 조제하기 어려워진다.
바람직한 알킬기는, 메틸기, 에틸기, 프로필기와 같은 탄소수 1~3의 저급 알킬기이며, 바람직한 히드록시알킬기는, 메틸올기, 히드록시에틸기, 히드록시프로필기, 히드록시부틸기와 같은 탄소수 1~4의 저급 히드록시알킬기이다. 이들은 직쇄형상, 분지형상 중 어느 것이어도 된다.
따라서, 상기 일반식 (I)로 나타내지는 화합물 중, R2와 R3이 알킬기인 경우의 바람직한 예로서는, 옥틸디메틸아민옥시드, 데실디메틸아민옥시드, 라우릴디메틸아민옥시드, 세틸디메틸아민옥시드, 스테아릴디메틸아민옥시드, 노닐디에틸아민옥시드, 라우릴디에틸아민옥시드, 이소펜타데실메틸에틸아민옥시드, 스테아릴메틸프로필아민옥시드 등의 장쇄 알킬 디저급알킬아민옥시드를 들 수 있다. 또 R2와 R3이 히드록시알킬기인 경우의 바람직한 예로서는, 라우릴디(히드록시에틸)아민옥시드, 세틸디(히드록시에틸)아민옥시드, 스테아릴디(히드록시에틸)아민옥시드와 같은 장쇄 알킬 디저급히드록시알킬아민옥시드나 도데실옥시에톡시에톡시에틸디메틸아민옥시드, 스테아릴옥시에틸디메틸아민옥시드 등의 장쇄 알킬 옥시알킬디저급알킬아민옥시드를 들 수 있다.
상기 아민옥시드화합물은, 디펙트의 발생을 억제하고, 전자선 내성을 향상시키며, 나아가서는 물 린스 시에 있어서의 패턴 도괴를 방지할 수 있는 효과를 얻을 수 있다. 또한, 레지스트패턴에 있어서의 세정처리 전후의 실질적인 치수변동을 억제하고, 높은 대전방지기능을 부여함으로써, 디펙트를 저감시키고, 부착수분의 제거나 세정처리시간 등의 택트타임(tact time)도 단축할 뿐만 아니라, 높은 안전성에 의해 취급을 용이하게 하며, 또한 우수한 박테리아방지기능을 가져오는 등, 다양한 부대적 효과를 나타낸다.
본 발명의 리소그래피용 세정액에 있어서는, 용매로서는 물을 단독으로 이용하는 것이 바람직하지만, 소망에 따라서 세정효과가 저하되지 않는 범위에서 물혼화(水混和)성 유기용매를 함유시킬 수도 있다.
상기의 물혼화성 유기용제로서는, 메탄올, 에탄올 또는 프로판올과 같은 1가 알코올계 유기용제, 혹은 에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 디에틸렌글리콜, 글리세린과 같은 다가 알코올계 유기용제가 바람직하다. 이들은 단독으로 이용해도 되며, 또 2종 이상 조합해서 이용해도 된다.
이 물혼화성 유기용제의 함유비율로서는, 통상, 용매 전체의 질량에 의거하여 0.01~10질량%, 바람직하게는 0.1~5질량%의 범위에서 선택된다.
이와 같이 물혼화성 유기용제를 배합함으로써, 300㎜ 또는 그 이상의 웨이퍼의 처리 시에, 리소그래피용 세정액을 그 표면에 효율적으로 분산, 확산시킬 수 있다고 하는 효과를 나타낸다.
본 발명의 리소그래피용 세정액에 있어서의 아민옥시드화합물의 농도로서는, 디펙트를 감소시키는 목적 또는 전자선 내성을 향상시켜서 전자선조사에 의해 생기는 패턴의 수축을 억제하는 목적으로 사용하는 경우에는, 세정액 전체질량에 의거하여 적어도 0.1ppm, 바람직하게는 0.5ppm의 양이, 또, 물 린스 시에 있어서의 패턴 도괴를 방지하는 목적으로 사용하는 경우에는, 적어도 1Oppm, 바람직하게는 적어도 1OOppm의 양이 선택된다.
이 아민옥시드화합물의 농도의 상한에 대해서는 특별히 제한은 없지만, 너무 고농도를 이용하면, 후속인 물 린스 시의 순수의 사용량 및 수세시간이 증대되므로, 통상은 10질량%이하, 바람직하게는 3질량%이하로 한다. 그러나, 희석장치를 이용하여 리소그래피용 현상액과 조합해서 이용하는 경우에는, 40질량% 혹은 그 이상인 농도의 세정액으로서 이용할 수도 있다.
본 발명의 리소그래피용 세정액에는, 상기의 아민옥시드화합물에 추가해서, 소망에 따라서, 또한 폴리알킬렌글리콜 예를 들면 폴리에틸렌글리콜, 폴리프로필렌글리콜, 폴리(에틸렌글리콜-프로필렌글리콜)나 그들의 알킬에테르 예를 들면 메틸에테르, 에틸에테르를 함유시킬 수 있다.
이들의 함유비율로서는, 리소그래피용 세정액 전체질량에 의거해서 0.001~5질량%, 바람직하게는 0.01~3질량%의 범위 내에서 선택된다.
이와 같이 폴리알킬렌글리콜 또는 그 알킬에테르를 함유시킴으로써 세정액의 레지스트패턴 위에의 도포성을 향상시킬 수 있다.
본 발명의 리소그래피용 세정액에는, 소망에 따라서 또한 분자구조 중에 질소원자를 함유한 가용성 폴리머, 즉 사용되는 용매에 가용인 폴리머를 함유시킬 수 있다. 이 질소원자는, 중합체의 기간(基幹) 분자쇄 중에 함유되어 있어도 되며, 질소함유 치환기로서 측쇄 중에 함유되어 있어도 된다.
질소원자가 기간 분자쇄 중에 함유되어 있는 가용성 폴리머로서는, 예를 들면, 저급 알킬렌이민의 중합체 또는 저급 알킬렌이민과 단독으로 수용성 중합체를 형성하는 다른 단량체와의 공중합체를 들 수 있는데, 입수가 용이하다고 하는 점에서, 특히 폴리에틸렌이민이 바람직하다.
이 폴리에틸렌이민은, 예를 들면, 에틸렌이민을 이산화탄소, 염소, 브롬화수소산, p-톨루엔술폰산 등의 산촉매의 존재 하에서 폐환(閉環) 중합시킴으로써 용이하게 제조할 수 있으며, 시판품으로서 입수할 수 있다.
또, 질소함유 치환기를 측쇄 중에 함유한 가용성 폴리머로서는, 아미노기 혹은 치환 아미노기나 질소함유 복소환기를 가지는 불포화 탄화수소의 중합체 또는 공중합체를 들 수 있다. 아미노기를 가지는 불포화 탄화수소의 중합체로서는, 예를 들면 폴리알릴아민을 들 수 있다. 이 폴리알릴아민은, 예를 들면 알릴아민염산염을 라디칼 중합개시제의 존재 하에서 가열함으로써 용이하게 얻을 수 있다.
그러나, 본 발명에 있어서 이용하는 질소함유 치환기를 함유한 가용성 폴리머로서 바람직한 것은, 일반식
[화 2]
Figure 112007047728302-pct00002
(식 중의 R4는 수소원자 또는 메틸기, X는 질소함유 복소환기임)
로 나타내지는 질소함유 복소환기를 가지는 단량체 단위를 함유한 수용성 수지이다.
상기의 일반식 (Ⅱ) 중의 X로 표시되는 질소함유 복소환기의 예로서는, 예를 들면 피롤릴기, 이미다졸릴기, 피라졸릴기, 티아졸릴기, 옥사졸릴기, 이속사졸릴기, 피리딜기, 피라딜기, 피리미딜기, 피리다딜기, 트리아졸릴기, 인드릴기, 퀴놀릴기, 뷰티로락탐기, 카프로락탐기 등을 들 수 있지만, 이외의 질소함유 복소환기이어도 된다.
이들의 복소환기의 결합위치는 특별히 제한은 없으며, 질소원자이어도 되고, 탄소원자이어도 된다.
이들의 질소함유 복소환기를 가지는 단량체단위를 함유한 가용성 폴리머는, 예를 들면 일반식
[화 3]
Figure 112007047728302-pct00003
(식 중의 R4 및 X는 상기와 같은 의미를 지님)
로 나타내지는 질소함유 복소환기를 가지는 단량체 또는 이것과 단독으로 수용성 중합체를 형성하는 질소원자를 함유하지 않은 단량체와의 혼합물을, 중합 또는 공중합시킴으로써 제조할 수 있다. 이 중합 또는 공중합은, 용액중합법, 현탁중합법 등 통상의 중합체 또는 공중합체의 제조에 관용되고 있는 방법에 의해서 실행할 수 있다.
상기의 일반식 (Ⅲ)으로 나타내지는 단량체 중에서 특히 바람직한 것은, 비닐이미다졸, 비닐이미다졸린, 비닐피리딘, 비닐피롤리돈, 비닐모르폴린 및 비닐카프로락탐이며, 그 중에서도 비닐이미다졸, 비닐이미다졸린 및 비닐피롤리돈이 특히 바람직하다.
상기의 단독으로 수용성 중합체를 형성하는 질소원자를 함유하지 않은 단량체로서는, 예를 들면 비닐알코올, 아크릴산 혹은 메타크릴산의 히드록시알킬에스테르 등이 이용된다. 이들의 단량체는, 단독으로 이용해도 되며, 또 2종 이상 조합해서 이용해도 된다.
이때의 질소함유 복소환기를 가지는 단량체와, 단독으로 수용성 중합체를 형성하는 단량체와의 비율은, 질량비로 10:0 내지 1:9, 바람직하게는 9:1 내지 2:8의 범위가 선택된다. 질소함유 복소환기를 가지는 단량체의 비율이 이것보다도 적어지면, 레지스트 표면에의 흡착성능이 낮아지며, 소망하는 특성, 즉 패턴 도괴 방지능력이 저하된다. 이 공중합체의 질량평균분자량은, 500~1,500,000, 바람직하게는 1,000~50,000의 범위 내에서 선택된다. 이 공중합체로서는, 특히 양이온성의 단량체를 포함하는 것이 바람직하다.
이와 같은 공중합체는, 예를 들면, 비ㆍ에이ㆍ에스ㆍ에프(BASF)사에서 시판되고 있으며[제품명 「루비텍(LUVITEC) VPI55K72W」 및 「소카란(Sokalan) HP56」], 또 폴리비닐이미다졸린은 토소(TOSOH)사에서 시판되고 있다.
본 발명의 리소그래피용 세정액에 있어서의 상기 가용성 폴리머의 농도는, 디펙트를 감소시키는 목적 또는 전자선 내성을 향상시켜서 전자선조사에 의해 생기는 패턴의 수축을 억제하는 목적으로 사용되는 경우에는, 세정액 전체질량에 의거해서 적어도 0.1ppm, 바람직하게는 0.5ppm의 범위에서 선택되지만, 물 린스 시에 있어서의 패턴 도괴를 방지하는 목적으로 사용되는 경우에는, 적어도 10ppm, 바람직하게는 적어도 0.01질량%의 범위에서 선택하는 것이 좋다.
이 가용성 폴리머의 농도의 상한에 대해서는, 특별히 제한은 없지만, 너무 농도가 높으면, 후속인 물 린스 시의 순수의 사용량 및 수세시간이 증대되는 원인이 되므로, 통상은 10질량%이하, 바람직하게는 5질량%이하의 범위에서 선택된다.
이들의 가용성 폴리머는, 세정처리 시에, 세정액 중에 부유하는 레지스트의 재부착방지기능을 부여하여, 재석출에 유래하는 디펙트를 한층더 저감시킬 뿐만 아니라, 레지스트패턴 표면의 세정효과를 높이는 작용을 가진다.
본 발명의 리소그래피용 세정액에는, 소망에 따라서 산을 첨가해서 pH 6이하의 산성으로 조정할 수도 있으며, 또 아민화합물이나 제4암모늄수산화물을 첨가해서 pH 8이상의 알칼리성으로 조정할 수도 있다. 이와 같은 화합물의 첨가는 박테리아의 발생 등에 기인하는 세정액의 경시적 열화를 방지하는 데에 유효하다.
이와 같은 산으로서는, 포름산, 아세트산, 프로피온산, 부티르산, 이소부티르산, 글리콜산, 옥살산, 푸마르산, 말레산, 프탈산, 과아세트산, 황산, 트리플루오르아세트산, 및 아스코르빈산 등을 들 수 있다.
또한 아민화합물로서는, 모노에탄올아민이나 2-(2-아미노에톡시)에탄올 등을, 또 제4암모늄수산화물로서는, 테트라메틸암모늄 수산화물, 테트라에틸암모늄수산화물, 2-히드록시에틸트리메틸암모늄수산화물, 테트라프로필암모늄수산화물, 메틸트리프로필암모늄수산화물, 테트라부틸암모늄수산화물, 및 메틸트리부틸암모늄수산화물 등을 각각 이용할 수 있다.
본 발명의 리소그래피용 세정액은, 기판 위의 상형성 노광된 레지스트막을 알칼리현상한 후의 단계에서, 이 기판을 처리하는 데에 이용된다. 이 처리는, 레지스트막을 담지한 기판을, 이 처리액 속에 침지하거나, 혹은 레지스트막에 이 세정액을 도포 또는 분무함으로써 실행된다. 이 세정액에서의 처리시간은, 1~30초로 충분하다.
본 발명의 리소그래피용 세정액은,
(A) 기판 위에 포토레지스트막을 형성하는 공정,
(B) 상기 포토레지스트막에 대하여 마스크패턴을 개재해서 선택적으로 노광 처리하는 공정,
(C) 상기의 노광 처리된 포토레지스트막을 PEB처리하는 공정,
(D) 상기의 PEB처리된 포토레지스트막을 알칼리현상하는 공정,
(E) 상기의 알칼리현상한 포토레지스트막을, 상기한 리소그래피용 세정액에 의해 처리하는 공정을 포함한 레지스트패턴 형성방법에 매우 적합하게 이용할 수 있다.
이들의 공정에 대해서 상세히 설명하면, 우선, (A)공정은, 기판 위에 포토레지스트막을 형성하는 공정이다.
기판으로서는, 일반적으로 실리콘웨이퍼가 이용된다. 이와 같은 실리콘웨이퍼로서는, 8인치나 12인치 이상인 웨이퍼가 실용화되거나, 혹은 실용화되고 있는 가운데, 특히 포토레지스트패턴 도괴의 문제나, 디펙트 발생의 문제가 현저해지고 있으며, 이와 같은 대구경 실리콘웨이퍼를 사용하는 공정에 있어서 특히 유효하다.
또, 포토레지스트막을 형성하기 위한 포토레지스트 조성물로서는 공지된 것이 이용된다. 이와 같은 포토레지스트 조성물에 대해서도, 현재는 노볼락수지를 이용한 i선(365㎚) 대응 레지스트를 이용한 리소그래피에서, 히드록시스티렌계 수지를 이용한 KrF 엑시머 레이저(248㎚) 대응 레지스트, 나아가서는 아크릴계 수지나 시클로올레핀계 수지를 이용한 ArF 엑시머 레이저(193㎚) 대응 레지스트를 이용한 리소그래피, 또한 향후의 리소그래피로서 주목받는 액침 리소그래피에 있어서, 레지스트패턴의 미세화, 고애스펙트비화가 진행되는 가운데, 특히 포토레지스트패턴 도괴의 문제나, 디펙트 발생의 문제가 현저해지고 있으며, 이와 같은 대구경 실리콘웨이퍼를 사용하는 공정에 있어서 특히 유효하다.
이 (A)공정에 있어서는, 실리콘웨이퍼와 같은 기판 위에, 상기와 같이 해서 조제된 포토레지스트 조성물의 용액을 스피너 등으로 도포하고, 건조처리해서 포토레지스트막을 형성시킨다.
다음에, (B)공정에서, (A)공정에서 형성된 레지스트막에 대하여, 마스크패턴을 개재해서 선택적으로 노광 처리해서 잠상을 형성시킨 후, (C)공정에서 노광 후 가열처리(PEB)한다. 이들의 (B)공정 및 (C)공정은, 종래의 레지스트를 이용해서 레지스트패턴을 형성시키는 방법과 완전 동일하게 실행할 수 있다.
이와 같이 해서 PEB처리된 레지스트막은, 다음에 (D)공정에 있어서 알칼리현상처리된다. 이 알칼리현상처리는, 예를 들면 1~10질량% 농도, 바람직하게는 2.38질량% 농도의 테트라메틸암모늄 수산화물 수용액(이하 TMAH수용액이라고 약칭함)을 이용해서 실행된다.
본 발명 방법에 따라서, 레지스트패턴을 형성하는 경우에는, 상기의 (D)공정 즉 알칼리현상처리한 다음에 레지스트막을, 다음의 (E)공정에 있어서, 상기한 리소그래피용 세정액에 의해 처리하는 것이 필요하다.
통상 반도체소자는, 대량생산되며, 처리량이 중요한 조건으로 되기 때문에, 이 처리시간은, 가능한 한 짧게 하는 것이 바람직하다. 이 처리시간은 1~30초의 범위에서 선택된다.
이 리소그래피용 세정액에 의한 처리는, 예를 들면 이 세정액을 레지스트패턴 표면에 도포 또는 분무함으로써, 혹은 레지스트패턴을 세정액 속에 침지함으로써 실행된다.
본 발명 방법에 있어서는, 이 (E)공정 뒤에, 또한 소망에 따라서 (F) 순수에 의한 세정공정을 추가할 수도 있다.
통상, 레지스트패턴을 형성하는 경우에는, 포토레지스트 조성물 중의 알칼리불용성분이 알칼리현상 후의 물 린스 시에 석출되고, 레지스트패턴 형성 후의 포토레지스트막 표면에 부착되는 것이 디펙트의 원인 중 하나가 되고 있다. 그러나, 본 발명 방법에 있어서는, 현상 후에 본 발명 리소그래피용 세정액에 의해 처리함으로써, 레지스트패턴 표면에 친수성의 특성을 부여하므로, 포토레지스트 중의 알칼리용해물이 레지스트패턴 표면에 재부착되는 것을 억제할 수 있으며, 재부착계의 디펙트가 특히 감소하는 것이라고 추측된다.
도 1은 실시예 29에 있어서의 쇼트횟수와 축소 폭과의 관계를 나타내는 그래프.
다음에, 실시예에 의해 본 발명을 실시하기 위한 최선의 형태를 설명하지만, 본 발명은 이들의 예에 의해서 하등 한정되는 것은 아니다.
또한, 각 예 중에 기재된 물성은, 이하의 방법에 의해서 평가하였다.
(1) 디펙트 억제효과;
8인치 실리콘웨이퍼 위에 반사방지막형성용 도포액[브루어(Brewer)사 제품, 제품명 「ARC-29A」]를 도포하고, 215℃에서 60초 동안 가열처리해서 막두께 77㎚의 반사방지막을 형성하였다. 이 반사방지막 위에, 포토레지스트(도쿄오카고교사 제품, 제품명 「TARF-P7066」)를 도포하고, 13O℃에서 9O초 동안 가열처리하여, 막두께 215㎚의 포토레지스트막을 형성시켰다.
이와 같이 해서 얻은 포토레지스트막에 대하여, ArF 엑시머 레이저 스텝퍼(니콘(Nikon)사 제품, 제품명 「NSR-S302A」)를 이용해서 노광 처리한 후, 130℃에서 90초 동안 가열처리하였다.
다음에, 2.38질량% 테트라메틸암모늄 수산화물 수용액을 이용해서 23℃에서 60초 동안 현상처리함으로써 직경 250㎚의 홀(hole) 패턴을 형성하였다.
이와 같이 해서 제작된 홀 패턴에 순수를 이용해서 2000rpm으로 7초 동안 세정처리를 실행한 후, 이 레지스트패턴 위에 발생한 디펙트의 수를, 표면결함관찰장치[케이ㆍ엘ㆍ에이(KLA) 텐콜사 제품, 제품명 「KLA-2351」]를 이용해서 계측하였다.
다음에, 순수 대신에 표 1 및 표 2에 나타낸 본 발명의 리소그래피용 세정액을 이용하여, 동일한 조건 하에서 세정처리한 후, 상기와 같이 해서 레지스트패턴 위에 발생한 디텍트의 수를 계측하고, 이 계측치의 순수를 이용했을 경우의 계측치에 대한 백분비를 구하고, 디펙트 억제효과로 하였다.
(2) 미도괴 패턴 비율
(1)과 같이 해서 80㎚의 라인 앤드 스페이스 패턴 5개를 형성할 수 있는 조건 하에서, 초점을 +0.1㎛, 0㎛ 및 -0.1㎛의 3점에서 측정하고, 노광량을 37mj 내지 41mj의 범위에 있어서 1mj단위로 이동시키고, 세정처리 후의 웨이퍼면 내의 레지스트패턴에 있어서의 패턴 도괴의 수를 측장(測長) SEM(히타치 하이테크놀로지사 제품, 제품명 「S-9200」)을 이용해서 관찰하였다.
이와 같이 해서 얻어진 전체패턴 중의 미도괴 라인 패턴의 비율을 백분비로 나타냈다.
(3) LWR(Line Width Roughness)의 평가;
(1)과 같이 해서, 90㎚의 라인 앤드 스페이스의 레지스트패턴을 제작하고, 이 표면을 본 발명의 리소그래피용 세정액을 이용해서 2000rpm으로 7초 동안 세정처리한 후, 웨이퍼면 내의 레지스트패턴에 있어서의 라인 폭의 요철(불균일)을 SEM 을 이용해서 계측하고, 그 표준분산(3σ)을 구하고, LWR로서 평가하였다.
(4) 해상성능평가;
(1)과 같이 해서 90㎚의 라인 앤드 스페이스의 레지스트패턴을 작성하고, 본 발명의 리소그래피용 세정액을 이용해서 세정처리를 실행한 후, SEM을 이용해서 관찰함으로써, 나노 디펙트 등에 의한 해상성능 열화를 이하의 3단계에 의해 평가하였다.
A 매우 양호한 직사각형 성상을 가짐
B 양호한 직사각형 성상을 가짐
C 나노 디펙트에 의한 형상불량이 확인됨
실시예 1~8
라우릴디메틸아민옥시드를 50~1000ppm의 농도로 순수에 용해하고, 리소그래피용 세정액 8종을 조제하였다. 이들의 물성을 표 1에 나타낸다.
예 세정액 농도 (ppm) 디펙트 발생률 (%) 미도괴 패턴 비율 (%) LWR 해상 성능
대조 순수 100 17 11.0 C
실시예 1 1000 0.29 57 9.5 A
실시예 2 600 0.54 52 10.2 B
실시예 3 500 0.38 55 10.0 A
실시예 4 400 0.30 45 9.8 A
실시예 5 300 0.34 41 9.5 A
실시예 6 200 2.08 41 8.0 A
실시예 7 100 12.58 25 10.5 B
실시예 8 50 51.19 - - -
실시예 9~15
라우릴디히드록시에틸아민옥시드를 1OO~1OOOppm의 농도로 순수에 용해하고, 리소그래피용 세정액 7종을 조제하였다. 이들의 물성을 표 2에 나타낸다.
예 세정액 농도 (ppm) 디펙트 발생율 (%) 미도괴 패턴 비율 (%) LWR 해상 성능
대조 순수 100 17 11.0 C
실시예 9 1000 0.05 61 9.1 A
실시예 10 600 0.28 67 9.3 A
실시예 11 500 0.08 60 8.8 A
실시예 12 400 0.40 57 8.3 A
실시예 13 300 11.67 36 9.4 A
실시예 14 200 14.17 45 9.4 A
실시예 15 100 22.50 17 10.3 B
실시예 16~21
8인치 실리콘웨이퍼 위에 반사방지막형성용 도포액(브루어사 제품, 제품명 「ARC-29A」)을 도포하고, 215℃에서 60초 동안 가열처리해서 막두께 77㎚의 반사방지막을 형성하였다. 이 반사방지막 위에, 포토레지스트(도쿄오카고교사 제품, 제품명 「TARF-P6111」)를 도포하여 13O℃에서 9O초 동안 가열처리하고, 막두께 460㎚의 포토레지스트막을 형성시켰다.
이와 같이 해서 얻은 포토레지스트막에 대하여, ArF 엑시머 레이저 스텝퍼(니콘사 제품, 제품명 「NSR-S302A」)를 이용해서, 노광량을 16~28mj의 범위에 있어서 1mj단위로 이동시키고, 노광 처리한 후, 130℃에서 90초 동안 가열처리하였다.
다음에, 2.38질량% 테트라메틸암모늄 수산화물 수용액을 이용해서 23℃에서 60초 동안 현상처리함으로써 130㎚ 라인 앤드 스페이스의 레지스트패턴을 형성하였다.
다음에, 하기 표 3에 나타낸 농도 50~1000ppm의 세정액 6종을 조제하고, 상기 130㎚의 라인 앤드 스페이스의 레지스트패턴의 세정처리를 실행하였다.
이 처리 후의 기판 위의 레지스트패턴 중의, 미도괴였던 패턴의 애스펙트비의 최대치, 및 CD(라인 폭)의 최소치를 측장 SEM(히타치 하이테크놀로지사 제품, 제품명 「S-9200」)을 이용해서 계측하였다. 그 결과를 표 3에 나타낸다.
실시예 22~24
라우릴디히드록시에틸아민옥시드, 테트라데실디메틸아민옥시드 또는 식 C12H25 - (OCH2CH2)3N(CH3)2O으로 나타내지는 도데실옥시에톡시에톡시에틸디메틸아민옥시드를 농도 300ppm으로 순수에 용해시키고, 리소그래피용 세정액 3종을 조제하였다. 이들을 이용해서, 130㎚의 라인 앤드 스페이스의 레지스트패턴의 세정처리를 실행하였다. 이 처리 후의 기판 위의 레지스트패턴 중의, 미도괴였던 패턴의 애스펙트비의 최대치, 및 CD(라인 폭)의 최소치를 측장 SEM을 이용해서 계측하였다. 그 결과를 표 3에 나타낸다.
비교예 1
세정액으로서 순수를 이용한 것 이외는, 실시예 16과 완전 동일하게 해서 레지스트패턴의 세정처리를 실행하였다. 이 처리 후의 기판 위의 레지스트패턴 중의, 미도괴였던 패턴의 애스펙트비의 최대치, 및 CD(라인 폭)의 최소치를 측장 SEM을 이용해서 계측하였다. 그 결과를 표 3에 나타낸다.
아민옥시드의 종류 세정액 농도 (ppm) 애스펙트비의 최대치 CD의 최소치
실시예 16 라우릴디메틸 아민옥시드 500 4.8 96
실시예 17 1000 4.9 90
실시예 18 300 4.8 96
실시예 19 200 4.5 102
실시예 20 100 4.2 110
실시예 21 50 4.2 110
실시예 22 라우릴디히드록시 에틸아민옥시드 300 4.5 102
실시예 23 테트라데실디메틸 아민옥시드 300 5.1 90
실시예 24 도데실옥시에톡시 에톡시에틸디메틸 아민옥시드 (C12H25 - (OCH2CH2)3N(CH3)2O) 300 4.8 96
비교예 1 순수 - 3.8 121
실시예 25
실시예 16에서 이용된 세정액에 대해서, ICP 분석 및 원자흡광분석을 실행하여, 그 중에 함유되는 Na, K, Fe, Ca, Mg, Mn, Cu, Al, Cr, Ni, Si의 11종의 원소를 측정했던바, 전체원소의 합계농도는 30ppb 미만이었다.
비교를 위해서 시판되는 베타인을 1OOOppm 함유하는 수용액으로 이루어지는 세정액에 대해서, 동일한 조건 하에서 전체원소의 함유농도를 분석했던바, 500ppm 이상이었다. 이런 연유로, 본 발명의 리소그래피용 세정액은, 금속에 대해서 안정적임(이물의 리스크가 낮음)을 알 수 있다.
실시예 26
세정액의 박테리아 발생에 대한 항균성을 평가하기 위해서, 라우릴디메틸아민옥시드의 500ppm 수용액 200ml에 대해서, 수돗물 10ml를 첨가하고, 진공 여과시스템 [밀리포어사 제품, 여과시스템명 「Millipore Milliflex-100」, 필터명 「Millipore Milliflex-100 필터유닛 MXHABG124」]을 이용해서 진공 여과를 실행하여, 여과 후의 필터를 배양기인 호기성 종속영양세균용 액체[밀리포어사 제품, 제품명 「Millipore MX00TT220」]에서 1주일간 배양하였다.
이 배양결과를 관찰했던바, 박테리아의 발생은 전혀 확인되지 않았다.
비교예 2
상기 실시예 26의 세정액을 폴리에틸렌글리콜ㆍ폴리프로필렌글리콜블록 공중합체로 대체한 것 이외는, 실시예 26과 완전 동일한 조작으로 실험을 실행하였다.
그 결과, 여기저기에 박테리아가 발생하고 있었던 것이 확인되었다.
이상 실시예 25 및 비교예 2에서, 지금까지 관용되고 있는 세정액은, 보존 중에 박테리아에 의한 오염을 일으킬 가능성이 있음에도 불구하고, 본 발명의 리소그래피용 세정액은 보존 중에 박테리아에 의한 오염을 일으키지 않음을 알 수 있다.
실시예 27
8인치 실리콘웨이퍼 위에 포토레지스트(도쿄오카고교사 제품, 제품명 「TARF-P6111」)를 도포하여 130℃에서 90초 동안 가열처리하고, 막두께 300㎚의 포토레지스트막을 형성시켰다.
이와 같이 해서 얻은 포토레지스트막에 대해서, 세정액으로서 라우릴디메틸아민옥시드의 300ppm 수용액을 2000rpm에서 웨이퍼를 회전시키면서 6초 동안 적하시켰을 때에 발생한 전하를, 측정장치[카스가 덴키사(KASUGA ELECTRIC WORKS LTD.) 제품, 제품명 「KSD-0303」]를 이용해서 대전 전하를 계측했던바, 그 전하는 4V이며, 세정처리 전의 상태 대전 전하인 6V에 비해서 거의 차이는 확인되지 않았다.
실시예 28
실시예 27의 포토레지스트를 포토레지스트(도쿄오카고교사 제품, 제품명 「TARF-P7066」)로 대체한 것 이외는, 실시예 27과 완전 동일한 조작으로 대전 전하를 측정했던바, 6V이며, 세정처리 전의 상태 대전 전하인 6V와 동일하였다.
비교예 3
실시예 27의 세정액을 순수로 한 것 이외는, 실시예 27과 완전 동일한 조작으로 대전 전하를 측정했던바, -8V이며, 세정처리 전의 상태 대전 전하인 6V에서의 차이가 컸다.
실시예 29
8인치 실리콘웨이퍼 위에 반사방지막형성용 도포액(브루어사 제품, 제품명 「ARC-29A」)을 도포하고, 215℃에서 60초 동안 가열처리해서 막두께 77㎚의 반사방지막을 형성한 후, 이 반사방지막 위에, 포토레지스트(도쿄오카고교사 제품, 제품명 「TARF-P6111」)를 도포하여 130℃에서 90초 동안 가열처리하고, 막두께 460㎚의 포토레지스트막을 형성시켰다.
이와 같이 해서 얻은 포토레지스트막에 대하여, ArF 엑시머 레이저 스텝퍼(니콘사 제품, 제품명 「NSR-S302A」)를 이용해서, 130㎚ 라인 앤드 스페이스의 마스크패턴을 개재해서 노광 처리한 후, 130℃에서 90초 동안 가열처리하였다.
다음에, 2.38질량% 테트라메틸암모늄 수산화물 수용액을 이용해서 23℃에서 60초 동안 현상처리함으로써 130㎚ 라인 앤드 스페이스의 레지스트패턴을 형성하였다.
다음에, 라우릴디메틸아민옥시드의 500ppm 수용액으로 이루어지는 세정액을 레지스트패턴의 표면에 2000rpm으로 7초 동안 적용해서 세정처리를 실행하였다.
이와 같이 해서 얻은 레지스트패턴을 측장 SEM(히타치 하이테크놀로지사 제품, 제품명 「S-9200」)을 이용해서, 전자선을 30회 반복 조사했을 때의 라인 폭을 측정하였다.
그 결과를, 가로축을 쇼트 수, 세로축을 라인의 축소 폭(㎚)의 그래프로서 도 1에 나타냈다.
도면 중 ●의 플롯은, 본 발명의 리소그래피용 세정액에 의해 세정한 것, ◆의 플롯은 순수에 의해서만 세정한 것이다.
이 도면에서 알 수 있는 바와 같이, 본 발명의 리소그래피용 세정액을 이용함으로써, 이것을 이용하지 않은 경우에 비해서, 막두께 감소량은 약 10%정도로 향상되었으며, 전자선 내성은 분명히 향상되었다.
본 발명의 리소그래피용 세정액은, 300㎜이상인 사이즈의 대형 웨이퍼에 대해서도 균일하게 분산, 확산시키고, 이것을 이용해서 현상처리한 다음에 레지스트패턴을 처리하면, 세정처리 시에 생기는 패턴의 도괴나 일단 용해된 수지의 재석출에 기인하는 디펙트의 발생을 저감시킬 뿐만 아니라, 세정 후의 회전건조 시의 부착수분의 제거시간을 현저히 단축할 수 있다. 또, 전자선 내성을 향상시켜서 전자선조사에 의해 생기는 패턴의 수축을 억제할 수 있다.
또한, 일반적으로 LWR(Line Width Roughness)로서 공지되어 있는 레지스트패 턴의 라인 폭의 요철이나, LER(Line Edge Roughness)로서 공지되어 있는 라인단부의 요철을 개선하여, 패턴의 해상성능을 향상시킨다. 따라서, 본 발명은, 리소그래피법을 이용한 LSI, ULSI 등의 반도체 디바이스의 제조에 이용할 수 있다.

Claims (13)

  1. 일반식
    [화 1]
    Figure 112007047728302-pct00004
    (식 중의 R1은 산소원자로 중단되어 있어도 되는 탄소수 8~20의 알킬기 또는 히드록시알킬기, R2 및 R3은 탄소수 1~5의 알킬기 또는 히드록시알킬기임)
    로 나타내지는 아민옥시드화합물의 적어도 1종을 함유한 수성용액으로 이루어지는 리소그래피용 세정액.
  2. 제 1항에 있어서,
    일반식 중의 R2 및 R3이 탄소수 1~5의 알킬기인 것을 특징으로 하는 리소그래피용 세정액.
  3. 제 1항에 있어서,
    일반식 중의 R2 및 R3이 탄소수 1~5의 히드록시알킬기인 것을 특징으로 하는 리소그래피용 세정액.
  4. 제 1항, 제 2항 또는 제 3항에 있어서,
    수성용액이 물을 용매로 하는 것을 특징으로 하는 리소그래피용 세정액.
  5. 제 1항, 제 2항 또는 제 3항에 있어서,
    수성용액이 물과 물혼화(水混和)성 유기용제와의 혼합물을 용매로 하는 것을 특징으로 하는 리소그래피용 세정액.
  6. 제 5항에 있어서,
    물혼화성 유기용제가 1가 또는 다가 알코올계 유기용제인 것을 특징으로 하는 리소그래피용 세정액.
  7. 제 5항에 있어서,
    용매 중의 물혼화성 유기용제의 함유비율이 O.01~10질량%의 범위에 있는 것을 특징으로 하는 리소그래피용 세정액.
  8. 제 1항, 제 2항 또는 제 3항에 있어서,
    아민옥시드화합물의 농도가 리소그래피용 세정액 전체질량에 의거하여, O.1ppm~10질량%의 범위에 있는 것을 특징으로 하는 리소그래피용 세정액.
  9. 제 8항에 있어서,
    아민옥시드화합물의 농도가 리소그래피용 세정액 전체질량에 의거하여, 1OOppm~3질량%인 것을 특징으로 하는 리소그래피용 세정액.
  10. 제 1항, 제 2항 또는 제 3항에 있어서,
    아민옥시드화합물에 추가해서, 또한 리소그래피용 세정액 전체질량에 의거하여 0.001~5질량%의 비율로 폴리옥시알킬렌글리콜 및 그 알킬에테르 중에서 선택된 화합물을 함유하는 것을 특징으로 하는 리소그래피용 세정액.
  11. 제 1항, 제 2항 또는 제 3항에 있어서,
    아민옥시드화합물에 추가해서, 또한 리소그래피용 세정액 전체질량에 의거하여 0.1ppm~1O질량%의 농도로, 분자구조 중에 질소원자를 함유한 가용성 폴리머를 함유하는 것을 특징으로 하는 리소그래피용 세정액.
  12. (A) 기판 위에 포토레지스트막을 형성하는 공정,
    (B) 상기 포토레지스트막에 대하여 마스크패턴을 개재해서 선택적으로 노광 처리하는 공정,
    (C) 상기의 노광 처리된 포토레지스트막을 노광 후 가열처리하는 공정,
    (D) 상기의 노광 후 가열처리된 포토레지스트막을 알칼리현상하는 공정, 및
    (E) 상기의 알칼리현상한 포토레지스트막을, 제 1항, 제 2항 또는 제 3항에 기재된 리소그래피용 세정액에 의해 처리하는 공정을 실행하는 것을 특징으로 하는 레지스트패턴 형성방법.
  13. 제 12항에 있어서,
    상기 (E)공정을 실행한 후, 또한 (F) 순수를 이용해서 세정처리하는 공정을 실행하는 것을 특징으로 하는 레지스트패턴 형성방법.
KR1020077014963A 2004-12-09 2005-11-29 리소그래피용 세정액 및 레지스트패턴 형성방법 KR100916686B1 (ko)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2004-00357461 2004-12-09
JP2004357461 2004-12-09
JP2005144788A JP4459857B2 (ja) 2004-12-09 2005-05-17 リソグラフィー用洗浄液及びそれを用いたレジストパターン形成方法
JPJP-P-2005-00144788 2005-05-17

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20070086817A KR20070086817A (ko) 2007-08-27
KR100916686B1 true KR100916686B1 (ko) 2009-09-11

Family

ID=36577837

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020077014963A KR100916686B1 (ko) 2004-12-09 2005-11-29 리소그래피용 세정액 및 레지스트패턴 형성방법

Country Status (7)

Country Link
US (1) US7795197B2 (ko)
EP (1) EP1832931A4 (ko)
JP (1) JP4459857B2 (ko)
KR (1) KR100916686B1 (ko)
CN (1) CN101076759B (ko)
TW (1) TWI340302B (ko)
WO (1) WO2006062005A1 (ko)

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4523888B2 (ja) * 2005-07-19 2010-08-11 東京応化工業株式会社 リソグラフィー用洗浄液及びそれを用いたレジストパターン形成方法
JP5591623B2 (ja) * 2010-08-13 2014-09-17 ＡｚエレクトロニックマテリアルズＩｐ株式会社 リソグラフィー用リンス液およびそれを用いたパターン形成方法
JP6063879B2 (ja) * 2011-03-18 2017-01-18 ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアＢａｓｆ Ｓｅ 集積回路デバイス、光デバイス、マイクロマシン及び線幅５０ｎｍ以下のパターニングされた材料層を有する機械的精密デバイスの製造方法
KR101863636B1 (ko) * 2011-06-08 2018-06-04 주식회사 동진쎄미켐 포토리소그래피용 세정액 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트 미세패턴 형성방법
CN102435547B (zh) * 2011-09-15 2014-02-05 上海华力微电子有限公司 敏感光阻耐受程度检测方法及晶圆缺陷检验方法
SG11201504607QA (en) 2012-12-14 2015-07-30 Basf Se Use of compositions comprising a surfactant and a hydrophobizer for avoiding anti pattern collapse when treating patterned materials with line-space dimensions of 50 nm or below
JP6044428B2 (ja) * 2013-04-04 2016-12-14 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法、基板処理装置及び記憶媒体
JP6466650B2 (ja) * 2014-04-03 2019-02-06 信越化学工業株式会社 レジスト組成物の製造方法
EP3472671A1 (en) 2016-06-20 2019-04-24 AZ Electronic Materials Luxembourg S.à.r.l. A rinse composition, a method for forming resist patterns and a method for making semiconductor devices
EP3572493A1 (en) 2018-05-24 2019-11-27 The Procter & Gamble Company Spray container comprising a detergent composition
EP3572491A1 (en) 2018-05-24 2019-11-27 The Procter & Gamble Company Spray container comprising a detergent composition
EP3572490A1 (en) 2018-05-24 2019-11-27 The Procter & Gamble Company Spray container comprising a detergent composition
EP3572489A1 (en) 2018-05-24 2019-11-27 The Procter & Gamble Company Spray container comprising a detergent composition
EP3572492A1 (en) 2018-05-24 2019-11-27 The Procter & Gamble Company Fine mist hard surface cleaning spray

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19980018433A (ko) * 1996-08-09 1998-06-05 오오히라 아키라 반도체소자제조용 세정액 및 그것을 사용한 반도체소자의 제조방법

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
PH17613A (en) 1981-05-29 1984-10-05 Unilever Nv General-purpose cleaning composition
JPS6386798A (ja) * 1986-09-30 1988-04-18 花王株式会社 台所用液体洗浄剤組成物
US4895617A (en) 1989-05-04 1990-01-23 Olin Corporation Etchant solution for photoresist-patterned metal layers
JPH0798498A (ja) * 1993-09-28 1995-04-11 Konica Corp 感光性平版印刷版
JP3361613B2 (ja) * 1994-05-24 2003-01-07 富士写真フイルム株式会社 平版印刷版用水洗水及び平版印刷版の製版方法
JPH08225970A (ja) * 1995-02-16 1996-09-03 Nippon Parkerizing Co Ltd アルミニウム及びアルミニウム合金用アルカリ性液体脱脂剤
DE69728853T2 (de) 1997-02-14 2005-04-21 Procter & Gamble Flüssige Reinigungsmittelzusammensetzungen für harte Oberflächen
US6484735B1 (en) 1997-02-14 2002-11-26 The Procter & Gamble Company Alkaline liquid hard-surface cleaning compositions comprising N-vinylpyrrolidone copolymer
JPH11246310A (ja) 1998-02-25 1999-09-14 Showa Kk 殺菌剤
JP4027494B2 (ja) * 1998-04-07 2007-12-26 花王株式会社 リンス剤組成物
JP2000250229A (ja) 1999-02-24 2000-09-14 Nec Corp フォトレジスト膜の現像方法
GB9911816D0 (en) 1999-05-21 1999-07-21 Reckitt & Colman Inc Improvements in or relating to organic compositions
JP2001023893A (ja) 1999-07-12 2001-01-26 Nec Corp フォトレジストパターンの形成方法
JP3868686B2 (ja) 1999-12-03 2007-01-17 東京応化工業株式会社 ディフェクトの発生を抑えたホトレジストパターンの形成方法およびディフェクト低減用現像液
JP2001356494A (ja) * 2000-06-14 2001-12-26 Fuji Photo Film Co Ltd 感光性平版印刷版の処理方法
EP1167503B1 (en) * 2000-06-21 2006-03-22 Ciba SC Holding AG Surface-active preparations
JP4694686B2 (ja) 2000-08-31 2011-06-08 東京応化工業株式会社 半導体素子製造方法
JP4693969B2 (ja) * 2000-09-11 2011-06-01 花王株式会社 液体洗浄剤組成物
US6616922B2 (en) * 2001-03-27 2003-09-09 The Dial Corporation Antibacterial compositions
JP2002323774A (ja) 2001-04-25 2002-11-08 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 化学増幅型レジストパターンディフェクト低減用処理剤及びそれを用いるレジストパターン形成方法
US6756183B2 (en) 2001-08-24 2004-06-29 Fuji Photo Film Co., Ltd. Method for preparing lithographic printing plate
JP2003066624A (ja) * 2001-08-24 2003-03-05 Fuji Photo Film Co Ltd 感光性平版印刷版用現像液及び平版印刷版の製版方法
JP4045180B2 (ja) * 2002-12-03 2008-02-13 Ａｚエレクトロニックマテリアルズ株式会社 リソグラフィー用リンス液およびそれを用いたレジストパターン形成方法
JP2004346046A (ja) * 2003-05-26 2004-12-09 Shin Etsu Chem Co Ltd 化粧料
JP3908213B2 (ja) * 2003-09-30 2007-04-25 富士通株式会社 レジストパターンの形成方法及び半導体装置の製造方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19980018433A (ko) * 1996-08-09 1998-06-05 오오히라 아키라 반도체소자제조용 세정액 및 그것을 사용한 반도체소자의 제조방법

Also Published As

Publication number Publication date
WO2006062005A1 (ja) 2006-06-15
JP2006189755A (ja) 2006-07-20
EP1832931A4 (en) 2010-05-26
TWI340302B (en) 2011-04-11
CN101076759B (zh) 2010-12-01
EP1832931A1 (en) 2007-09-12
US7795197B2 (en) 2010-09-14
US20080096141A1 (en) 2008-04-24
KR20070086817A (ko) 2007-08-27
TW200632592A (en) 2006-09-16
CN101076759A (zh) 2007-11-21
JP4459857B2 (ja) 2010-04-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100916686B1 (ko) 리소그래피용 세정액 및 레지스트패턴 형성방법
JPWO2006025303A1 (ja) リソグラフィー用リンス液とレジストパターン形成方法
EP2158277B1 (en) Aqueous composition comprising lactam for coating over a photoresist pattern
EP2294149B1 (en) Aqueous composition for coating over a photoresist pattern
KR20080069252A (ko) 리소그래피용 세정제 및 그것을 이용한 레지스트 패턴형성방법
JP4864698B2 (ja) リソグラフィー用リンス液
KR100858594B1 (ko) 레지스트 패턴 형성방법 및 복합 린스액
KR20070054234A (ko) 리소그래피용 현상액 조성물과 레지스트패턴 형성방법
US7897325B2 (en) Lithographic rinse solution and method for forming patterned resist layer using the same
JP4523888B2 (ja) リソグラフィー用洗浄液及びそれを用いたレジストパターン形成方法
JP2008145674A (ja) レジスト表面改質剤及びそれを用いたレジストパターン形成方法
JP2008145672A (ja) レジスト表面改質剤及びそれを用いたレジストパターン形成方法
WO2008069014A1 (ja) レジスト表面改質剤及びそれを用いたレジストパターン形成方法
JP2008145673A (ja) レジスト表面改質剤及びそれを用いたレジストパターン形成方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120821

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130822

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140825

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150730

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160818

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170818

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180816

Year of fee payment: 10