JP4864698B2 - リソグラフィー用リンス液 - Google Patents
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Description
(A)基板上にホトレジスト膜を設ける工程、
(B)該ホトレジスト膜に対しマスクパターンを介して選択的に潜像を形成させるために露光処理する工程、
(C)上記の露光処理したホトレジスト膜を露光後加熱処理(以下PEB処理という)する工程、
(D)上記のPEB処理したホトレジスト膜をアルカリ現像処理する工程、及び
(E)上記の現像処理したホトレジスト膜を前記したリソグラフィー用リンス液で処理する工程
を行うことを特徴とするレジストパターン形成方法を提供するものである。
このポリエチレンイミンは、例えば、エチレンイミンを二酸化炭素、塩素、臭化水素酸、p−トルエンスルホン酸などの酸触媒の存在下で開環重合させることによって容易に製造することができ、市販品として入手することができる。
で表わされる含窒素複素環基をもつ単量体単位を含む水溶性樹脂である。
これらの複素環基の結合位置は特に制限はなく、窒素原子でもよいし、炭素原子でもよい。
で表わされる含窒素複素環基をもつ単量体又はこれと単独で水溶性重合体を形成する窒素原子を含まない単量体との混合物を、重合又は共重合させることによって製造することができる。この重合又は共重合は、溶液重合法、懸濁重合法などの通常の重合体又は共重合体の製造に慣用されている方法によって行うことができる。
基板としては、一般にシリコンウェーハが用いられる。また、ホトレジスト膜を形成するためのホトレジスト組成物としては公知のものが用いられる。
このように、水溶性樹脂としてポリアリルアミンを含むリソグラフィー用リンス液でリンスすると、場合により行われる後続のレジスト表面の純水接触角を上昇させるための水溶性フロロカーボン化合物を含むリンス液で処理する際に、水切れ、すなわち水の振り切りがよくなるという効果がある。この際のポリアリルアミンの分子量は、特定の分子量に限定されるものではないが、1,000〜60,000の範囲が好ましい。このリンス液におけるポリアリルアミンの含有量をある程度多くすると、他の水溶性樹脂を用いた場合の振り切り時間10秒程度に比べ、約1/3の3秒程度に短縮可能である。
通常、レジストパターンを形成する場合には、レジスト組成物中のアルカリ不溶成分がアルカリ現像後の水リンス時に析出し、レジストパターン形成後のポジ型レジスト膜表面に付着することがディフェクトの原因の1つになっているが、本発明方法においては、現像後に本発明リソグラフィー用リンス液で処理することにより、レジストパターン表面に親水性の特性を付与するので、レジスト中のアルカリ溶解物がレジストパターン表面に再付着することを抑止することができ、再付着系のディフェクトが特に減少するものと推測される。
なお、各例中の物性値は、次の方法によって測定した。
接触角計(協和界面科学社製、製品名「CA−X150」)を用いて計測した。
表面欠陥観察装置[ケー・エル・エー(KLA)テンコール社製、製品名「KLA−2131」]を用いて計測した。
6インチシリコンウェーハにポジ型レジスト(東京応化工業社製、製品名「TARF−P6111」)を180nm厚で塗布し、これを露光することなく、2.38質量%TMAH水溶液(液温23℃)で60秒間処理したのち、その表面に供試用リンス液を2000rpmで6秒塗布し、さらに純水を500rpmで3秒塗布して試料を作成し、1000rpmで完全に振り切るまでの時間を秒で表わした。
シリコン基板上に、幅130nmのラインパターンを形成させ、測長SEM(日立ハイテクノロジー社製、製品名「S−9300」)を用いて30回繰り返して照射したときのライン幅を測定した。
シリコンウェーハ上に反射防止膜剤[ブリューワ(Brewer)社製、製品名「ARC29A」]を塗布し、215℃にて60秒間加熱処理し、膜厚77nmの反射防止膜を形成した。この反射防止膜上に、樹脂成分として、式
次いで、2.38質量%TMAH水溶液を用いて23℃で60秒の現像処理を行った。
このようにして、接触角76度の表面をもつレジストパターンを得た。
シリコンウェーハ上に反射防止膜剤[ブリューワ(Brewer)社製、製品名「ARC29A」]を塗布し、215℃にて60秒間加熱処理し、膜厚77nmの反射防止膜を形成した。この反射防止膜上にポジ型レジスト(東京応化工業社製、製品名「TARF−P6111」)を塗布し、膜厚460nmのホトレジスト膜を形成した。
露光終了後、2.38質量%TMAH水溶液を用いて23℃で60秒の現像処理を行った。
シリコンウェーハ上に反射防止膜剤[ブリューワ(Brewer)社製、製品名「ARC29A」]を塗布し、215℃にて60秒間加熱処理し、膜厚77nmの反射防止膜を形成した。この反射防止膜上にポジ型レジスト(東京応化工業社製、製品名「TARF−P6111」)を塗布し、膜厚460nmのホトレジスト膜を形成した。
露光終了後、2.38質量%TMAH水溶液を用いて23℃で60秒の現像処理を行った。
◆:VP/VI(分子量1,200,000)
×:PAA(分子量15,000)
●:PVI(分子量5,000)
▲:VP/VI(分子量10,000)
*:ポリエチレンイミン(分子量70,000)
■:樹脂なし
ポジ型ホトレジストとして、「TDUR−P3187」(東京応化工業社製)を用いて形成したシリコンウェーハ上のホトレジストパターン膜に実施例1と同様にして露光、現像処理を施して、レジストパターンを得た。
次に、ビニルピロリドンとビニルイミダゾールの共重合体(モル比50:50)を50ppmの濃度で含有した水溶液からなるリンス液を調製し、これを用いて上記レジストパターンの表面を2000rpmで7秒間処理したのち、水リンスし、乾燥してディフェクト数を測定した。この際のディフェクト数は、リンス液として純水を用いて処理した場合のディフェクト数に比べ、1%以下であった。
ポジ型ホトレジストとして、「TARF−P7066」(東京応化工業社製)を用いること以外は、実施例4と同様にしてレジストパターンを得た。
次に、ビニルピロリドンとビニルイミダゾールの共重合体(モル比50:50)を1ppm又は50ppmの濃度で含む水溶液からなるリンス液をそれぞれ調製し、これらを用いて上記レジストパターンの表面を2000rpmで7秒間処理したのち、水リンスし、乾燥してディフェクト数を測定した。この際のディフェクト数は、いずれもリンス液として純水を用いて処理した場合のディフェクト数に比べ、1%以下であった。
Claims (6)
- 分子構造中に窒素原子を有する水溶性樹脂を含有する溶液からなり、該水溶性樹脂が、ビニルイミダゾール又はビニルイミダゾリンから誘導される少なくとも1種の単量体単位を構成単位として含む重合体又は共重合体、若しくはアリルアミンの重合体であることを特徴とするリソグラフィー用リンス液。
- 水溶性樹脂が、ビニルイミダゾール又はビニルイミダゾリンから誘導される少なくとも1種の単量体単位を構成単位として含む重合体又は共重合体である請求項1記載のリソグラフィー用リンス液。
- 水溶性樹脂が、質量平均分子量500〜1,500,000をもつ請求項1又は2記載のリソグラフィー用リンス液。
- 水溶性樹脂を全量に基づき少なくとも0.1ppmの濃度で含有する請求項1ないし3のいずれか1項に記載のリソグラフィー用リンス液。
- (A)基板上にホトレジスト膜を設ける工程、
(B)該ホトレジスト膜に対しマスクパターンを介して選択的に潜像を形成させるために露光処理する工程、
(C)露光処理したホトレジスト膜を露光後加熱(PEB)処理する工程、
(D)PEB処理したホトレジスト膜をアルカリ現像処理する工程、及び
(E)現像処理したホトレジスト膜を請求項1ないし4のいずれか1項に記載のリソグラフィー用リンス液で処理する工程を行うことを特徴とするレジストパターン形成方法。 - 該(E)工程を行ったのち、さらに(F)純水を用いてリンス処理する工程を行う請求項5記載のレジストパターン形成方法。
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