JPH06105683B2 - レジストパターン形成方法 - Google Patents
レジストパターン形成方法Info
- Publication number
- JPH06105683B2 JPH06105683B2 JP12932692A JP12932692A JPH06105683B2 JP H06105683 B2 JPH06105683 B2 JP H06105683B2 JP 12932692 A JP12932692 A JP 12932692A JP 12932692 A JP12932692 A JP 12932692A JP H06105683 B2 JPH06105683 B2 JP H06105683B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- resist pattern
- pattern
- rinsing
- contact angle
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Micromachines (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、ＵＬＳＩ、半導体素
子、表面弾性波素子、量子効果素子、超伝導素子、マイ
クロマシーンパーツ（マイクロギヤ等）、電子回路部
品、光電子素子等の製造におけるレジストパターン形成
方法に関し、特に微細なパターン又はアスペクト比の高
いパターン形成時におけるパターン倒れを有効に防止せ
んとするものである。
子、表面弾性波素子、量子効果素子、超伝導素子、マイ
クロマシーンパーツ（マイクロギヤ等）、電子回路部
品、光電子素子等の製造におけるレジストパターン形成
方法に関し、特に微細なパターン又はアスペクト比の高
いパターン形成時におけるパターン倒れを有効に防止せ
んとするものである。
【０００２】
【従来の技術】ＵＬＳＩの高集積化の要求と共に、極限
的な微細レジストパターンの形成が求められており、現
在最小寸法0.2〜0.3μmのレジストパターン形成が盛ん
に検討され、先端的な研究では0.1μmを対象にしている
ものもある。一方で膜厚が厚く、且つ微細なパターンの
形成方法についても研究が行なわれており、例えば、マ
イクロマシン作製のため、膜厚の厚いレジスト（例えば
100μm）を用いてアスペクト比の極めて高いレジストパ
ターンを形成する技術開発も進められている。
的な微細レジストパターンの形成が求められており、現
在最小寸法0.2〜0.3μmのレジストパターン形成が盛ん
に検討され、先端的な研究では0.1μmを対象にしている
ものもある。一方で膜厚が厚く、且つ微細なパターンの
形成方法についても研究が行なわれており、例えば、マ
イクロマシン作製のため、膜厚の厚いレジスト（例えば
100μm）を用いてアスペクト比の極めて高いレジストパ
ターンを形成する技術開発も進められている。
【０００３】更にレジストパターンの露光方法として
は、ｇ線、ｉ線等の紫外光、ＫrＦ、ＡrＦ等のエキシマ
レーザ光、電子線、荷電粒子、Ｘ線等種々の線源が用い
られているが、その現像には液体現像液を用いたウェッ
ト現像方法が主に用いられている。このウェット現像
は、工程の簡便さというメリットと共に、リンス液によ
る洗浄を伴なうためクリーンな処理になることから、今
後もその改良・発展が予想される。
は、ｇ線、ｉ線等の紫外光、ＫrＦ、ＡrＦ等のエキシマ
レーザ光、電子線、荷電粒子、Ｘ線等種々の線源が用い
られているが、その現像には液体現像液を用いたウェッ
ト現像方法が主に用いられている。このウェット現像
は、工程の簡便さというメリットと共に、リンス液によ
る洗浄を伴なうためクリーンな処理になることから、今
後もその改良・発展が予想される。
【０００４】図５はレジストパターン現像時にウェット
現像法を実施する従来のレジストパターン形成工程の一
例を示している。即ち同図(a)に示される様に、基板1上
にレジスト2を塗布し、次に同図(b)に示される様に、所
望のパターンの形成されたマスク3を近接させて該パタ
ーンの露光を行なう。或いはレンズ（図示なし）を介し
て該パターンの露光を行なう。この露光々としては、紫
外光、遠紫外光、Ｘ線、電子線、荷電粒子線等が用いら
れる。更に同図(c)に示される様に該レジスト2を現像液
4に浸し、感光領域と非感光領域におけるレジスト2の現
像液4に対する溶解速度差を利用してレジストパターン2
aを形成する。そして同図(d)に示される様にリンス液5
により現像液及び該現像液に溶解したレジストを洗い流
す。最後に同図(e)に示される様に、リンス液を乾燥さ
せてレジストパターン2aを完成する。普通この乾燥は、
基板1を高速で回転して行なうスピン乾燥により行なわ
れる。
現像法を実施する従来のレジストパターン形成工程の一
例を示している。即ち同図(a)に示される様に、基板1上
にレジスト2を塗布し、次に同図(b)に示される様に、所
望のパターンの形成されたマスク3を近接させて該パタ
ーンの露光を行なう。或いはレンズ（図示なし）を介し
て該パターンの露光を行なう。この露光々としては、紫
外光、遠紫外光、Ｘ線、電子線、荷電粒子線等が用いら
れる。更に同図(c)に示される様に該レジスト2を現像液
4に浸し、感光領域と非感光領域におけるレジスト2の現
像液4に対する溶解速度差を利用してレジストパターン2
aを形成する。そして同図(d)に示される様にリンス液5
により現像液及び該現像液に溶解したレジストを洗い流
す。最後に同図(e)に示される様に、リンス液を乾燥さ
せてレジストパターン2aを完成する。普通この乾燥は、
基板1を高速で回転して行なうスピン乾燥により行なわ
れる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】以上の方法でレジスト
パターンを形成した場合、微細なパターン（例えばパタ
ーン幅が0.2μm以下のパターン）や、アスペクト比（レ
ジスト高さ／レジストパターン幅）の高いパターンで
は、図６(a)に示される様に、近接したパターン20a、20
b、20cの上部が寄り集まったり、同図(b)(c)に示される
様に、近接したパターン21a、22aが他のパターン21b、2
2bにもたれ掛かる様にして倒れる等、パターン倒れの発
生頻度が高くなる。
パターンを形成した場合、微細なパターン（例えばパタ
ーン幅が0.2μm以下のパターン）や、アスペクト比（レ
ジスト高さ／レジストパターン幅）の高いパターンで
は、図６(a)に示される様に、近接したパターン20a、20
b、20cの上部が寄り集まったり、同図(b)(c)に示される
様に、近接したパターン21a、22aが他のパターン21b、2
2bにもたれ掛かる様にして倒れる等、パターン倒れの発
生頻度が高くなる。
【０００６】従って素子を高密度に集積し、或いはコン
パクトな製品を作るために、微細なパターンを微細な間
隔で配置する場合、パターン倒れによって所望のレジス
トパターンが形成できなくなり、製品の歩留り低下、信
頼性低下に直結することになる。
パクトな製品を作るために、微細なパターンを微細な間
隔で配置する場合、パターン倒れによって所望のレジス
トパターンが形成できなくなり、製品の歩留り低下、信
頼性低下に直結することになる。
【０００７】本発明は従来技術の以上の様な問題に鑑み
創案されたもので、レジストパターン形成時、特に密集
した微細なレジストパターン、或いは高アスペクトなレ
ジストパターンの形成時に、パターン倒れを有効に防止
し、それによって歩留りの高い製品を得られるようにし
ようとするものである。
創案されたもので、レジストパターン形成時、特に密集
した微細なレジストパターン、或いは高アスペクトなレ
ジストパターンの形成時に、パターン倒れを有効に防止
し、それによって歩留りの高い製品を得られるようにし
ようとするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の開発経緯につ
き、以下詳述する。
き、以下詳述する。
【０００９】レジストのパターン倒れが現像液の滴下か
らリンス液の乾燥までの工程のうちに生ずることは明ら
かであるが、どの工程で生ずるかは明らかになっていな
かった。そこで本発明者等が追究したところ、リンス液
が乾燥する時にレジストパターン倒れが発生することが
わかった。更に検討を重ねた結果、以下のことが明らか
となった。
らリンス液の乾燥までの工程のうちに生ずることは明ら
かであるが、どの工程で生ずるかは明らかになっていな
かった。そこで本発明者等が追究したところ、リンス液
が乾燥する時にレジストパターン倒れが発生することが
わかった。更に検討を重ねた結果、以下のことが明らか
となった。
【００１０】即ち、現像処理前のレジスト（一般的には
ノボラック樹脂、スチレン樹脂、フェノール樹脂等をベ
ースにしている）はリンス液（一般に水）に対し疎水性
を有しているが、一旦現像液（一般的にアルカリ水溶
液）に触れると、その表面は親水性に変わる。このこと
により、リンス液が乾燥する時隣接するレジストパター
ン間に溜るリンス液5は、図２に示される様に、その表
面が窪んだ状態になる。この状態におけるリンス液5内
部に発生する圧力Ｐは次式数１で表わされる。
ノボラック樹脂、スチレン樹脂、フェノール樹脂等をベ
ースにしている）はリンス液（一般に水）に対し疎水性
を有しているが、一旦現像液（一般的にアルカリ水溶
液）に触れると、その表面は親水性に変わる。このこと
により、リンス液が乾燥する時隣接するレジストパター
ン間に溜るリンス液5は、図２に示される様に、その表
面が窪んだ状態になる。この状態におけるリンス液5内
部に発生する圧力Ｐは次式数１で表わされる。
【００１１】
【数１】Ｐ＝σ（１／Ｒ1＋１／Ｒ2）
【００１２】液面が窪んでいることから、内部に発生す
る圧力は負圧であり、壁面に相当するレジストパターン
2a、2b間には引力が働く。尚、σは液体の表面張力で、
Ｒ1、Ｒ2は接触面の一点における主曲率半径（液面上の
一点から立てた法線を含む平面で液面を切った時、その
切り口の曲率半径は一般にこの平面を回転するに従って
変わるが、その両極値が主曲率半径Ｒ1とＲ2である）で
ある。
る圧力は負圧であり、壁面に相当するレジストパターン
2a、2b間には引力が働く。尚、σは液体の表面張力で、
Ｒ1、Ｒ2は接触面の一点における主曲率半径（液面上の
一点から立てた法線を含む平面で液面を切った時、その
切り口の曲率半径は一般にこの平面を回転するに従って
変わるが、その両極値が主曲率半径Ｒ1とＲ2である）で
ある。
【００１３】0.2μmラインアンドスペースパターン（0.
2μmのラインとスペースが交互に並んでいるパターン）
における吸引力を計算すると、23℃における水の表面張
力σは、72.28dyn／cm、又その接触角について測定した
ところ0であることが明らかとなったため、Ｒ1=0.2×10
-4／2cm、Ｒ2＝∞ということになり、約7×106dyn／cm2
（約7kgw／cm2）の負圧力を生ずる。この負圧が、寄り
添うようにしてパターン倒れを生ずる原因であることが
わかった。パターン間隔が狭い場合、液体面は表面張力
によって一様な曲率の弧を描く。パターン間隔をｌ、接
触角をθとすると、次式数２の様になる。
2μmのラインとスペースが交互に並んでいるパターン）
における吸引力を計算すると、23℃における水の表面張
力σは、72.28dyn／cm、又その接触角について測定した
ところ0であることが明らかとなったため、Ｒ1=0.2×10
-4／2cm、Ｒ2＝∞ということになり、約7×106dyn／cm2
（約7kgw／cm2）の負圧力を生ずる。この負圧が、寄り
添うようにしてパターン倒れを生ずる原因であることが
わかった。パターン間隔が狭い場合、液体面は表面張力
によって一様な曲率の弧を描く。パターン間隔をｌ、接
触角をθとすると、次式数２の様になる。
【００１４】
【数２】Ｒ1＝ｌ／（2・cosθ）
【００１５】従って負圧Ｐは、次式数３に示されるもの
となり、パターンが微細になればなる程、パターン間隔
ｌに反比例して引力が増す。
となり、パターンが微細になればなる程、パターン間隔
ｌに反比例して引力が増す。
【００１６】
【数３】Ｐ∝１／ｌ
【００１７】パターンが微細になる程、パターン倒れが
増え、又膜厚の薄い（アスペクト比の小さな）パターン
までもパターン倒れが生ずる。
増え、又膜厚の薄い（アスペクト比の小さな）パターン
までもパターン倒れが生ずる。
【００１８】そこで本発明の基本的な考え方としては、
Ｒ1を大きくすることで、この負圧を低減することとな
る。前記数１及び数２から圧力Ｐの式は次式数４に示さ
れる様になり、θ＝90°であれば、即ち、図１に示すよ
うな状態になればパターン間に引力は発生しないことに
なる。
Ｒ1を大きくすることで、この負圧を低減することとな
る。前記数１及び数２から圧力Ｐの式は次式数４に示さ
れる様になり、θ＝90°であれば、即ち、図１に示すよ
うな状態になればパターン間に引力は発生しないことに
なる。
【００１９】
【数４】Ｐ≒（2σcosθ）／ｌ
【００２０】以上の考え方を基に、本発明構成では後述
する実験結果から前記接触角θを所定の範囲内に制御す
ることにより、レジストパターン倒れを防止することが
できるようにした。
する実験結果から前記接触角θを所定の範囲内に制御す
ることにより、レジストパターン倒れを防止することが
できるようにした。
【００２１】即ち本発明のレジストパターン形成方法
は、レジストパターン現像時のリンス工程で、現像液の
処理を受けたレジストの表面とリンス液との接触角が60
〜120°の範囲となる様にしてリンス処理を行なうこと
を基本的特徴としている。
は、レジストパターン現像時のリンス工程で、現像液の
処理を受けたレジストの表面とリンス液との接触角が60
〜120°の範囲となる様にしてリンス処理を行なうこと
を基本的特徴としている。
【００２２】一方、第２発明法はリンス工程におけるレ
ジスト表面とリンス液との接触角を任意のものに調整す
る構成の提案に係り、リンス工程で使用されるリンス液
に対する任意のレジストの疎水性・親水性を左右する成
分（例えば炭素等）の該レジストにおける成分調整を予
め行なっておくことで、該接触角の調整を行えるように
するものである。
ジスト表面とリンス液との接触角を任意のものに調整す
る構成の提案に係り、リンス工程で使用されるリンス液
に対する任意のレジストの疎水性・親水性を左右する成
分（例えば炭素等）の該レジストにおける成分調整を予
め行なっておくことで、該接触角の調整を行えるように
するものである。
【００２３】又、現像液によってレジスト現像パターン
を形成した後、該現像液中に一定時間このレジストパタ
ーンを晒しておくことで、それまでリンス液に対して強
い疎水性を有していたレジスト表面が次第に該リンス液
に対して親水性を有するようになり、この様なレジスト
表面の改質を促することによって、リンス工程における
該レジスト表面とリンス液との接触角を任意のものに調
整するようにしても良い。更に、リンス工程で２種以上
のリンス液を用い、その前半工程でレジスト表面の改質
を行なえるリンス液を使用して一定時間レジストパター
ンを該リンス液中に晒すようにすることでその表面の改
質を促し、後半リンス工程における、レジスト表面とリ
ンス液との接触角の調整を行なうようにすることも可能
である。
を形成した後、該現像液中に一定時間このレジストパタ
ーンを晒しておくことで、それまでリンス液に対して強
い疎水性を有していたレジスト表面が次第に該リンス液
に対して親水性を有するようになり、この様なレジスト
表面の改質を促することによって、リンス工程における
該レジスト表面とリンス液との接触角を任意のものに調
整するようにしても良い。更に、リンス工程で２種以上
のリンス液を用い、その前半工程でレジスト表面の改質
を行なえるリンス液を使用して一定時間レジストパター
ンを該リンス液中に晒すようにすることでその表面の改
質を促し、後半リンス工程における、レジスト表面とリ
ンス液との接触角の調整を行なうようにすることも可能
である。
【００２４】
【実施例】以下本発明法の具体的実施例につき詳述す
る。
る。
【００２５】添加量を種々変えたカーボン含有のレジス
トを調製して、リンス工程時にレジスト表面とリンス液
との接触角が異なる様になる数種のレジストを、まず用
意した。カーボンは疎水性を有しているので、その含有
率により上記接触角の調整が可能となる。
トを調製して、リンス工程時にレジスト表面とリンス液
との接触角が異なる様になる数種のレジストを、まず用
意した。カーボンは疎水性を有しているので、その含有
率により上記接触角の調整が可能となる。
【００２６】そしてこれらのレジストを通常のリソグラ
フィ工程に従って、塗布、熱処理、現像、リンスを行な
い、リンス液を一旦乾かした後、再度リンス液をレジス
ト上に滴下し、該レジスト2表面とリンス液5との接触角
θを図３の様にして測定した。ここでは現像液としてテ
トラメチルアンモニウムハイドロオキサイドの水溶液
を、又リンス液として水を夫々用いた（尚、これらに限
らず、例えば現像液として、水酸化ナトリウム水溶液、
水酸化カリウム水溶液等のアルカリ水溶液を用いること
も可能である）。
フィ工程に従って、塗布、熱処理、現像、リンスを行な
い、リンス液を一旦乾かした後、再度リンス液をレジス
ト上に滴下し、該レジスト2表面とリンス液5との接触角
θを図３の様にして測定した。ここでは現像液としてテ
トラメチルアンモニウムハイドロオキサイドの水溶液
を、又リンス液として水を夫々用いた（尚、これらに限
らず、例えば現像液として、水酸化ナトリウム水溶液、
水酸化カリウム水溶液等のアルカリ水溶液を用いること
も可能である）。
【００２７】以上の方法によって、0.15μmラインアン
ドスペースパターンの接触角θとパターン倒れが生ずる
最小のレジスト膜厚の関係を調べた。その結果を図４に
示す。
ドスペースパターンの接触角θとパターン倒れが生ずる
最小のレジスト膜厚の関係を調べた。その結果を図４に
示す。
【００２８】ラインアンドスペースパターンが0.15μm
クラスのＬＳＩのパターン作成には、レジストの膜厚に
つき一般的に１μmが要求されるが、この厚みのレジス
トパターンを、パターン倒れなしに形成するためには、
上記図面からその接触角を60〜120°に設定すれば良い
ことがわかる。更にこの図面では接触角が75〜105°の
範囲にかけて、パターン倒れを生ずるレジスト膜厚臨界
曲線の立ち上がりが急峻になっており、この範囲では顕
著なパターン倒れ防止効果があることがわかる。
クラスのＬＳＩのパターン作成には、レジストの膜厚に
つき一般的に１μmが要求されるが、この厚みのレジス
トパターンを、パターン倒れなしに形成するためには、
上記図面からその接触角を60〜120°に設定すれば良い
ことがわかる。更にこの図面では接触角が75〜105°の
範囲にかけて、パターン倒れを生ずるレジスト膜厚臨界
曲線の立ち上がりが急峻になっており、この範囲では顕
著なパターン倒れ防止効果があることがわかる。
【００２９】 一般にラインアンドスペースパターンが
0.18〜0.2μmルールで設計された場合で１ＧbitのＤＲ
ＡＭが、又0.13〜0.18μmルールで設計された場合で４
ＧbitのＤＲＡＭが、更に0.1μmルールで設計された場
合で16ＧbitのＤＲＡＭ及び量子効果デバイスが製造可
能であるとされている。従って、４ＧbitクラスのＤＲ
ＡＭ製造では、上記接触角を60〜120°の範囲に制御で
きればパターン倒れの発生が有効に防止できることにな
る。
0.18〜0.2μmルールで設計された場合で１ＧbitのＤＲ
ＡＭが、又0.13〜0.18μmルールで設計された場合で４
ＧbitのＤＲＡＭが、更に0.1μmルールで設計された場
合で16ＧbitのＤＲＡＭ及び量子効果デバイスが製造可
能であるとされている。従って、４ＧbitクラスのＤＲ
ＡＭ製造では、上記接触角を60〜120°の範囲に制御で
きればパターン倒れの発生が有効に防止できることにな
る。
【００３０】尚、本発明者等の他の実験によれば、現像
液及びリンス液として、有機現像液及び有機リンス液で
も同様な効果が確認され、又リンス液としてイソプロピ
ルアルコールと水、或いはイソプロピルアルコールとフ
レオン等２種以上を用いた時等は、最終のリンス液に対
して接触角を上記の範囲に設定できれば問題は生じなか
った。
液及びリンス液として、有機現像液及び有機リンス液で
も同様な効果が確認され、又リンス液としてイソプロピ
ルアルコールと水、或いはイソプロピルアルコールとフ
レオン等２種以上を用いた時等は、最終のリンス液に対
して接触角を上記の範囲に設定できれば問題は生じなか
った。
【００３１】一方、リンス液中にレジストパターン全体
が浸っている場合は、表面に作用せず、乾燥時に図１に
示される様にレジスト面が一部顔を出した際に表面張力
が作用する。それ故、最終リンス液において、上記接触
角の条件を満たせば良い。
が浸っている場合は、表面に作用せず、乾燥時に図１に
示される様にレジスト面が一部顔を出した際に表面張力
が作用する。それ故、最終リンス液において、上記接触
角の条件を満たせば良い。
【００３２】
【発明の効果】以上詳述した本発明のレジストパターン
形成方法によれば、レジスト表面とリンス液との接触角
を所定の範囲に調整するだけで、微細なレジストパター
ンや高アスペクトなレジストパターンを形成する時に頻
発していたパターン倒れを有効に防止できることにな
り、その結果歩留りの高い製品を製造することが可能と
なる。
形成方法によれば、レジスト表面とリンス液との接触角
を所定の範囲に調整するだけで、微細なレジストパター
ンや高アスペクトなレジストパターンを形成する時に頻
発していたパターン倒れを有効に防止できることにな
り、その結果歩留りの高い製品を製造することが可能と
なる。
【図１】本発明法で最も理想とされる接触角に調整され
たレジストとリンス液の状態を示す説明図である。
たレジストとリンス液の状態を示す説明図である。
【図２】リンス工程におけるレジストとリンス液の通常
の状態を示す説明図である。
の状態を示す説明図である。
【図３】接触角の測定の仕方を示す説明図である。
【図４】本実施例においてパターン倒れを生ずる最小レ
ジスト膜厚と接触角の関係を示すグラフである。
ジスト膜厚と接触角の関係を示すグラフである。
【図５】従来のレジストパターン形成工程を示す説明図
である。
である。
【図６】代表的なレジストパターン倒れの状態を示す説
明図である。
明図である。
1 基板 2 レジスト 2a、2b、20a、20b、20c、21a、21b、22a、22b レ
ジストパターン 3 マスク 4 現像液 5 リンス液
ジストパターン 3 マスク 4 現像液 5 リンス液
Claims (6)
- 【請求項１】 レジストパターン現像時のリンス工程
で、現像液の処理を受けたレジストの表面とリンス液と
の接触角が60〜120°の範囲となる様にしてリンス処理
を行なうことを特徴とするレジストパターン形成方法。 - 【請求項２】 請求項第１項記載のレジストパターン形
成方法において、前記接触角が75〜105°の範囲となる
様にしてリンス処理を行なうことを特徴とする請求項第
１項記載のレジストパターン形成方法。 - 【請求項３】 請求項第１項記載のレジストパターン形
成方法において、前記接触角が90°となる様にしてリン
ス処理を行なうことを特徴とする請求項第１項記載のレ
ジストパターン形成方法。 - 【請求項４】 リンス液に対する任意のレジストの疎水
性・親水性を左右する成分の該レジストにおける成分調
整を行なうことで、レジストパターン現像時のリンス工
程で、現像液の処理を受けたレジストの表面とリンス液
との接触角を所望のものに調整することを特徴とするレ
ジストパターン形成方法。 - 【請求項５】 レジストパターン現像時に、現像液の処
理を受けたレジスト表面をそのまま該現像液に晒してお
いて該レジスト表面の改質を促し、その後のリンス工程
でこのレジスト表面とリンス液との接触角を所望のもの
に調整するようにしたことを特徴とするレジストパター
ン形成方法。 - 【請求項６】 レジストパターン現像時のリンス工程で
２種以上のリンス液を使用し、その前半工程で使用する
リンス液に、現像液の処理を受けたレジスト表面を晒し
ておいて該レジスト表面の改質を促し、後半工程で使用
するリンス液とこのレジスト表面との接触角を所望のも
のに調整するようにしたことを特徴とするレジストパタ
ーン形成方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12932692A JPH06105683B2 (ja) | 1992-04-23 | 1992-04-23 | レジストパターン形成方法 |
| US07/964,715 US5326672A (en) | 1992-04-23 | 1992-10-22 | Resist patterns and method of forming resist patterns |
| KR1019930001189A KR100272797B1 (ko) | 1992-04-23 | 1993-01-30 | 레지스트 패턴 형성방법 및 레지스트 패턴 |
| DE4306033A DE4306033A1 (de) | 1992-04-23 | 1993-02-26 | Resistmuster und Verfahren zu deren Herstellung |
| US08/083,131 US5374502A (en) | 1992-04-23 | 1993-06-25 | Resist patterns and method of forming resist patterns |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12932692A JPH06105683B2 (ja) | 1992-04-23 | 1992-04-23 | レジストパターン形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05299336A JPH05299336A (ja) | 1993-11-12 |
| JPH06105683B2 true JPH06105683B2 (ja) | 1994-12-21 |
Family
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