JP2010128464A - レジストパターン形成方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】露光後、レジスト表面に酸性の膜を形成させてから、加熱処理を行い、現像をするパターン形成方法。ArFエキシマーレーザーなどの短波長光や液浸リソグラフィーなどの非常に微細なパターンを形成する場合に用いられる。
【選択図】なし
Description
基板上にレジスト組成物を塗布してレジスト膜を形成させ、
前記レジスト膜を露光し、
前記レジスト膜に、前記レジスト膜を溶解しない溶剤とポリマーとを含んでなる酸性膜形成組成物を塗布して酸性膜で被覆し、
前記レジスト膜を加熱し、
現像液により現像する
ことを含んでなることを特徴とするものである。
基板上にレジスト組成物を塗布してレジスト膜を形成させ、
前記レジスト膜を露光し、
前記レジスト膜を加熱し、
現像液により現像する
ことを含んでなる。本発明はこのような従来のパターン形成方法に対して、レジスト膜を露光し、その後に加熱するまでの間に、酸性膜を形成させることを含むものである。すなわち、形成されるパターンの欠陥をこのような簡単な方法によって改善できる。
重量平均分子量3000のポリビニルピロリドン(以下、PVPという)の粉末を超純水中に固形分含有量6%の濃度で溶解させ、さらに炭素数が約12個の直鎖アルキルスルホン酸を溶液中重量濃度0.06%として添加し、日本エンテグリス株式会社製UPEフィルター(ポアサイズ0.05μm)でろ過して、サンプル1(pH=2.9)とした。
シリコン基板上にAZエレクトロニックマテリアルズ株式会社製のKrFレジストDX5250P(商品名)を膜厚510nmになるように塗布し、90℃/60秒の条件でベークした。次に、キャノン株式会社製KrF露光装置FPA−EX5(商品名)で、ピッチ1:1の200nmのコンタクトホールパターンが得られる露光条件で露光した。このような方法で、露光済みのレジスト塗膜を複数準備した。
シリコン基板上にAZエレクトロニックマテリアルズ株式会社製のArFレジストAX2050P(商品名)を膜厚120nmで塗布して、100℃60秒ベークした。ArF露光装置(株式会社ニコン製)でピッチ1:1の130nmコンタクトホールが得られる露光条件で液浸露光した。このような方法で、露光済みのレジスト塗膜を複数準備した。
シリコン基板上にAZエレクトロニックマテリアルズ株式会社製のArFレジストを膜厚100nmの厚さで塗布して、100℃60秒ベークした。これをArF液浸露光装置でピッチ1:1の70nmのラインが得られる条件で露光した後、調製例で作成したサンプル3をレジスト表面に塗布して、110℃60秒の条件でPEBを行なってから、2.38%TMAHで現像した。
Claims (6)
- 基板上にレジスト組成物を塗布してレジスト膜を形成させ、
前記レジスト膜を露光し、
前記レジスト膜に、前記レジスト膜を溶解しない溶剤とポリマーとを含んでなる酸性膜形成組成物を塗布して酸性膜で被覆し、
前記レジスト膜を加熱し、
現像液により現像する
ことを含んでなることを特徴とする、パターン形成方法。 - 前記露光に用いる露光波長が250nm以下である、請求項1に記載のパターン形成方法。
- 前記露光を、電子ビームまたは極紫外線で行う、請求項1に記載のパターン形成方法。
- 前記露光を液浸露光により行う、請求項1〜3のいずれか1項に記載のパターン形成方法。
- 前記酸性膜形成組成物のpHが0.5〜6.5である、請求項1〜4のいずれか1項に記載のパターン形成方法。
- 請求項1〜5の方法により製造されたパターンを具備することを特徴とする半導体装置。
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