JPH06222570A - レジストパターン形成方法 - Google Patents
レジストパターン形成方法Info
- Publication number
- JPH06222570A JPH06222570A JP34108592A JP34108592A JPH06222570A JP H06222570 A JPH06222570 A JP H06222570A JP 34108592 A JP34108592 A JP 34108592A JP 34108592 A JP34108592 A JP 34108592A JP H06222570 A JPH06222570 A JP H06222570A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist pattern
- rinse liquid
- resist
- pattern
- liquid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Micromachines (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 密集した微細なレジストパターン、或いは高
アスペクトなレジストパターンがそのパターン倒れなし
に形成できるレジストパターン形成方法を提供せんとす
るものである。 【構成】 露光後現像液４を用いてレジスト２を現像す
ると共に、リンス液５により該現像液４の除去を行なっ
て、このリンス液５をスピン乾燥する段になった時に、
該リンス液５に粘度の低い液体を用いる。
アスペクトなレジストパターンがそのパターン倒れなし
に形成できるレジストパターン形成方法を提供せんとす
るものである。 【構成】 露光後現像液４を用いてレジスト２を現像す
ると共に、リンス液５により該現像液４の除去を行なっ
て、このリンス液５をスピン乾燥する段になった時に、
該リンス液５に粘度の低い液体を用いる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、レジストパターンの
倒れを有効に防止できるレジストパターン形成方法に関
する。
倒れを有効に防止できるレジストパターン形成方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】ＵＬＳＩの高集積化の要求と共に、極限
的な微細レジストパターンの形成が求められている。現
在最小寸法０．２〜０．３μｍのレジストパターンの形
成が盛んに検討されており、先端的な研究では、０．１
μｍを対象にしているものもある。またもう一つの流れ
として、膜厚が厚く且つ微細なパターンの要求もある。
例えば、マイクロマシン作製のため、膜厚の厚いレジス
ト（例えば１００μｍ）を用いてアスペクト比の極めて
高いレジストパターンを形成する技術開発も進められて
いる。
的な微細レジストパターンの形成が求められている。現
在最小寸法０．２〜０．３μｍのレジストパターンの形
成が盛んに検討されており、先端的な研究では、０．１
μｍを対象にしているものもある。またもう一つの流れ
として、膜厚が厚く且つ微細なパターンの要求もある。
例えば、マイクロマシン作製のため、膜厚の厚いレジス
ト（例えば１００μｍ）を用いてアスペクト比の極めて
高いレジストパターンを形成する技術開発も進められて
いる。
【０００３】レジストパターンの露光方法としては、ｇ
線，ｉ線等の紫外光、ＫｒＦ，ＡｒＦ等のエキシマレー
ザ光、電子線、荷電粒子、Ｘ線等種々線源が用いられて
いるが、その現像には液体現像液を用いたウェット現像
方法が主に用いられている。一方、シリル化反応等を利
用し、液体処理を不要にしたドライ現像方法も一部検討
されているが、スループットの低さ、処理装置の価格の
高さ、及び塵埃、汚染、プラズマダメージによる欠陥発
生率の高さからドライ現像方法は本格使用に至っていな
い。従ってウェット現像は、工程の簡便さというメリッ
トと共に、リンス液による洗浄を伴うため、クリーンな
処理になることから、今後も用いられる方向で検討が進
められている。
線，ｉ線等の紫外光、ＫｒＦ，ＡｒＦ等のエキシマレー
ザ光、電子線、荷電粒子、Ｘ線等種々線源が用いられて
いるが、その現像には液体現像液を用いたウェット現像
方法が主に用いられている。一方、シリル化反応等を利
用し、液体処理を不要にしたドライ現像方法も一部検討
されているが、スループットの低さ、処理装置の価格の
高さ、及び塵埃、汚染、プラズマダメージによる欠陥発
生率の高さからドライ現像方法は本格使用に至っていな
い。従ってウェット現像は、工程の簡便さというメリッ
トと共に、リンス液による洗浄を伴うため、クリーンな
処理になることから、今後も用いられる方向で検討が進
められている。
【０００４】図１に従来のレジストパターンの形成方法
を示す。同図（ａ）に示すように、基板１上にレジスト
２を塗布する。同図（ｂ）に示すように、マスク３を用
いて所望のパターンを露光する。その露光光としては、
紫外光、遠紫外光、Ｘ線、電子線、荷電粒子線等が用い
られる。次に同図（ｃ）に示すように、レジスト２を現
像液４に浸す。感光領域と非感光領域におけるレジスト
２の現像液４に対する溶解速度差を利用して、レジスト
パターン２ａを形成する。そして、同図（ｄ）に示すよ
うに、リンス液５により現像液４及びこの溶解液４に溶
解したレジスト２を洗い流す。このリンス液５として
は、一般に２０〜２５℃の水が用いられる。更に同図
（ｅ）に示すように、リンス液５を乾燥させて、レジス
トパターン２ａが完成する。この乾燥工程では、普通ウ
ェハを高速で回転するスピン乾燥が用いられる。
を示す。同図（ａ）に示すように、基板１上にレジスト
２を塗布する。同図（ｂ）に示すように、マスク３を用
いて所望のパターンを露光する。その露光光としては、
紫外光、遠紫外光、Ｘ線、電子線、荷電粒子線等が用い
られる。次に同図（ｃ）に示すように、レジスト２を現
像液４に浸す。感光領域と非感光領域におけるレジスト
２の現像液４に対する溶解速度差を利用して、レジスト
パターン２ａを形成する。そして、同図（ｄ）に示すよ
うに、リンス液５により現像液４及びこの溶解液４に溶
解したレジスト２を洗い流す。このリンス液５として
は、一般に２０〜２５℃の水が用いられる。更に同図
（ｅ）に示すように、リンス液５を乾燥させて、レジス
トパターン２ａが完成する。この乾燥工程では、普通ウ
ェハを高速で回転するスピン乾燥が用いられる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】以上のような方法で形
成されるレジストパターンでは、大きなレジストパター
ンにおけるパターン倒れは生じないものの、微細パター
ン（例えば０．２μｍ）は倒れるといった問題があっ
た。またアスペクト比（レジスト高さ／レジストパター
ン幅）の高いパターンでも、該パターン倒れが生じてい
る。これらのパターン倒れは、図２に示すように、近接
したパターン２ａが密集し、もたれ掛かるようにして倒
れることで発生している。
成されるレジストパターンでは、大きなレジストパター
ンにおけるパターン倒れは生じないものの、微細パター
ン（例えば０．２μｍ）は倒れるといった問題があっ
た。またアスペクト比（レジスト高さ／レジストパター
ン幅）の高いパターンでも、該パターン倒れが生じてい
る。これらのパターン倒れは、図２に示すように、近接
したパターン２ａが密集し、もたれ掛かるようにして倒
れることで発生している。
【０００６】このようなパターン倒れは所望のレジスト
パターン形成ができないことを意味し、作ろうとしてい
る製品の歩留り低下、信頼性低下に直結する。素子を高
密度に集積し、或いはコンパクトな製品を作ろうとする
と、微細なパターンが必要になると共に、微細なパター
ンを微細な間隔で配置する必要があるが、パターン倒れ
により、目標とするような高集積或いはコンパクトな製
品を作ることができなくなる。
パターン形成ができないことを意味し、作ろうとしてい
る製品の歩留り低下、信頼性低下に直結する。素子を高
密度に集積し、或いはコンパクトな製品を作ろうとする
と、微細なパターンが必要になると共に、微細なパター
ンを微細な間隔で配置する必要があるが、パターン倒れ
により、目標とするような高集積或いはコンパクトな製
品を作ることができなくなる。
【０００７】本発明は従来技術の以上のような問題に鑑
み創案されたもので、前記レジストパターン形成時にパ
ターン倒れを有効に防止できる方法を検討し、特に密集
した微細なレジストパターン、或いは高アスペクトなレ
ジストパターンがそのパターン倒れなしに形成できるレ
ジストパターン形成方法を提供せんとするものである。
み創案されたもので、前記レジストパターン形成時にパ
ターン倒れを有効に防止できる方法を検討し、特に密集
した微細なレジストパターン、或いは高アスペクトなレ
ジストパターンがそのパターン倒れなしに形成できるレ
ジストパターン形成方法を提供せんとするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】そのため本発明は、露光
後現像液を用いてレジストを現像すると共に、リンス液
により該現像液の除去を行ない、更にこのリンス液の乾
燥を行なうレジストパターン形成方法において、該リン
ス液に粘度の低いものを用いることを基本的特徴として
いる。
後現像液を用いてレジストを現像すると共に、リンス液
により該現像液の除去を行ない、更にこのリンス液の乾
燥を行なうレジストパターン形成方法において、該リン
ス液に粘度の低いものを用いることを基本的特徴として
いる。
【０００９】本発明ではウェット現像法の実施を前提と
しているため、上記現像液としては液状のものを用いる
ことになる。また、リンス液には、０．４×１０-3Ｐａ
・ｓ以下の粘度のものを用いると、その乾燥が速やかに
行われ、パターン倒れの防止に非常に有効である。
しているため、上記現像液としては液状のものを用いる
ことになる。また、リンス液には、０．４×１０-3Ｐａ
・ｓ以下の粘度のものを用いると、その乾燥が速やかに
行われ、パターン倒れの防止に非常に有効である。
【００１０】
【作用】レジストパターン倒れは現像液の滴下からリン
ス液の乾燥までの工程の内に生ずることは明かである。
但し、どの工程で生ずるかは明らかになっていなかっ
た。そこで詳細に調べた結果、リンス液が乾燥する時に
リンス液の表面張力によりレジストパターン間に吸引力
が働き、パターン倒れが生ずることが分かった。即ち、
リンス液が乾いていく途中で、図３に示すように、レジ
ストパターン２ａがリンス液５の中から顔を出すと、リ
ンス液５の表面張力が突然レジストパターン２ａ間に働
き、パターン倒れが生ずる。レジストパターン２ａがリ
ンス液５に埋もれている時は、パターン倒れの源となる
吸引力は全く働かず、リンス液５が顔を出し、リンス液
５がなくなるまで吸引力が働く。更に詳細に調べてみる
と、レジストパターン２ａ間に溜まったリンス液５の水
切れはレジストパターン２ａの長手方向の端から起こ
り、長手方向に沿って水が引くように流れてリンス液５
が乾燥することが分かった。そこで本発明では、粘度の
低いリンス液５を用いてリンス液５の流れを早め、リン
ス液５からレジストパターン２ａが顔を出してからリン
ス液５が引ききるまでの時間、即ち吸引力が作用してい
る時間を短くすることで、パターン倒れを防止する。
ス液の乾燥までの工程の内に生ずることは明かである。
但し、どの工程で生ずるかは明らかになっていなかっ
た。そこで詳細に調べた結果、リンス液が乾燥する時に
リンス液の表面張力によりレジストパターン間に吸引力
が働き、パターン倒れが生ずることが分かった。即ち、
リンス液が乾いていく途中で、図３に示すように、レジ
ストパターン２ａがリンス液５の中から顔を出すと、リ
ンス液５の表面張力が突然レジストパターン２ａ間に働
き、パターン倒れが生ずる。レジストパターン２ａがリ
ンス液５に埋もれている時は、パターン倒れの源となる
吸引力は全く働かず、リンス液５が顔を出し、リンス液
５がなくなるまで吸引力が働く。更に詳細に調べてみる
と、レジストパターン２ａ間に溜まったリンス液５の水
切れはレジストパターン２ａの長手方向の端から起こ
り、長手方向に沿って水が引くように流れてリンス液５
が乾燥することが分かった。そこで本発明では、粘度の
低いリンス液５を用いてリンス液５の流れを早め、リン
ス液５からレジストパターン２ａが顔を出してからリン
ス液５が引ききるまでの時間、即ち吸引力が作用してい
る時間を短くすることで、パターン倒れを防止する。
【００１１】
【実施例】以下、本発明の具体的実施例につき詳述す
る。本発明の一実施例として行なったレジストパターン
の形成方法では、基本的に前記従来例で示した図１の工
程と同じ工程でレジストパターンの形成を行なってい
る。
る。本発明の一実施例として行なったレジストパターン
の形成方法では、基本的に前記従来例で示した図１の工
程と同じ工程でレジストパターンの形成を行なってい
る。
【００１２】即ち、同図（ａ）に示すように、基板１上
にレジスト２を塗布し、ベークする。本実施例では、こ
のレジスト２としてヘキスト社のＡＺ−ＰＮ１００（商
品名）を用い、またそのベーク温度は１２０℃とした。
そして同図（ｂ）に示すように、マスク３を用いてＸ線
を照射し、所望のパターンを露光する。その露光光とし
ては、Ｘ線に限らず、電子線、荷電粒子線等による露光
でも良い。その後１１０℃に温度を設定して、ベークを
行なった。次に同図（ｃ）に示すように、テトラメチル
アンモニウムハイドロオキサイド水溶液４を用いて、レ
ジスト２を現像する。該現像液濃度は０．１８Ｎ（規
定）、また現像時間は６０秒とした。そして、同図
（ｄ）に示すように、２３℃の水をリンス液５としてこ
れに漬け、現像液４及びこの溶解液４に溶解したレジス
ト２を洗い流す。その水を切らないまま、７０℃以上の
熱水に漬け、その後同図（ｅ）に示すように、スピン乾
燥を行なって、リンス液５を除去し、レジストパターン
２ａを完成させる。
にレジスト２を塗布し、ベークする。本実施例では、こ
のレジスト２としてヘキスト社のＡＺ−ＰＮ１００（商
品名）を用い、またそのベーク温度は１２０℃とした。
そして同図（ｂ）に示すように、マスク３を用いてＸ線
を照射し、所望のパターンを露光する。その露光光とし
ては、Ｘ線に限らず、電子線、荷電粒子線等による露光
でも良い。その後１１０℃に温度を設定して、ベークを
行なった。次に同図（ｃ）に示すように、テトラメチル
アンモニウムハイドロオキサイド水溶液４を用いて、レ
ジスト２を現像する。該現像液濃度は０．１８Ｎ（規
定）、また現像時間は６０秒とした。そして、同図
（ｄ）に示すように、２３℃の水をリンス液５としてこ
れに漬け、現像液４及びこの溶解液４に溶解したレジス
ト２を洗い流す。その水を切らないまま、７０℃以上の
熱水に漬け、その後同図（ｅ）に示すように、スピン乾
燥を行なって、リンス液５を除去し、レジストパターン
２ａを完成させる。
【００１３】水の粘度を調べてみると、２５℃で０．８
９×１０-3Ｐａ・ｓ、７０℃で０．４０×１０-3Ｐａ・
ｓであり、８０℃で０．３５５×１０-3Ｐａ・ｓという
ように、温度と共にその粘度は下がる。本実施例におい
て行なった実験では、最終のリンス液５として常温の水
を用いた場合は、１．３μｍ膜厚の０．２μｍライン＆
スペースパターンがパターン倒れを起こしたが、熱水を
用い、粘度を下げた場合には、パターン倒れが起こらな
かった。
９×１０-3Ｐａ・ｓ、７０℃で０．４０×１０-3Ｐａ・
ｓであり、８０℃で０．３５５×１０-3Ｐａ・ｓという
ように、温度と共にその粘度は下がる。本実施例におい
て行なった実験では、最終のリンス液５として常温の水
を用いた場合は、１．３μｍ膜厚の０．２μｍライン＆
スペースパターンがパターン倒れを起こしたが、熱水を
用い、粘度を下げた場合には、パターン倒れが起こらな
かった。
【００１４】
【発明の効果】以上詳述した本発明法によれば、レジス
トパターン、特に密集した微細なレジストパターンや高
アスペクトなレジストパターンの場合に、近接した同士
のパターン倒れを防止することができる。そのため、本
発明法により形成されたレジストパターンを基に製造さ
れる製品の歩留りが向上することになる。尚、本発明法
をリソグラフィに用いる場合は、光、電子線、Ｘ線、荷
電粒子線等のいずれのリソグラフィにも適用できる。
トパターン、特に密集した微細なレジストパターンや高
アスペクトなレジストパターンの場合に、近接した同士
のパターン倒れを防止することができる。そのため、本
発明法により形成されたレジストパターンを基に製造さ
れる製品の歩留りが向上することになる。尚、本発明法
をリソグラフィに用いる場合は、光、電子線、Ｘ線、荷
電粒子線等のいずれのリソグラフィにも適用できる。
【図１】レジストパターン形成工程の説明図である。
【図２】代表的なレジストパターン倒れの状態を示す説
明図である。
明図である。
【図３】リンス液の溜まり方と水切れの流れの様子を示
す説明図である。
す説明図である。
１ 基板 ２ レジスト ２ａ レジストパターン ３ マスク ４ 現像液 ５ リンス液
Claims (2)
- 【請求項１】 露光後現像液を用いてレジストを現像す
ると共に、リンス液により該現像液の除去を行ない、更
にこのリンス液の乾燥を行なうレジストパターン形成方
法において、該リンス液に粘度の低いものを用いること
を特徴とするレジストパターン形成方法。 - 【請求項２】 請求項第１項記載のレジストパターン形
成方法において、リンス液の粘度が０．４×１０-3Ｐａ
・ｓ以下であることを特徴とする請求項第１項記載のレ
ジストパターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34108592A JPH06222570A (ja) | 1992-11-30 | 1992-11-30 | レジストパターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34108592A JPH06222570A (ja) | 1992-11-30 | 1992-11-30 | レジストパターン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06222570A true JPH06222570A (ja) | 1994-08-12 |
Family
ID=18343115
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34108592A Pending JPH06222570A (ja) | 1992-11-30 | 1992-11-30 | レジストパターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06222570A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010064600A1 (ja) | 2008-12-01 | 2010-06-10 | Ａｚエレクトロニックマテリアルズ株式会社 | レジストパターン形成方法 |
| US8101333B2 (en) | 2006-10-19 | 2012-01-24 | Az Electronic Materials Usa Corp. | Method for formation of miniaturized pattern and resist substrate treatment solution for use in the method |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62274720A (ja) * | 1986-05-23 | 1987-11-28 | Nec Corp | 現像装置 |
| JPH01173032A (ja) * | 1987-12-28 | 1989-07-07 | Mitsubishi Rayon Co Ltd | レジストパターン形成法 |
| JPH06196397A (ja) * | 1992-08-27 | 1994-07-15 | Nec Corp | レジスト現像方法及びその装置 |
-
1992
- 1992-11-30 JP JP34108592A patent/JPH06222570A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62274720A (ja) * | 1986-05-23 | 1987-11-28 | Nec Corp | 現像装置 |
| JPH01173032A (ja) * | 1987-12-28 | 1989-07-07 | Mitsubishi Rayon Co Ltd | レジストパターン形成法 |
| JPH06196397A (ja) * | 1992-08-27 | 1994-07-15 | Nec Corp | レジスト現像方法及びその装置 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8101333B2 (en) | 2006-10-19 | 2012-01-24 | Az Electronic Materials Usa Corp. | Method for formation of miniaturized pattern and resist substrate treatment solution for use in the method |
| WO2010064600A1 (ja) | 2008-12-01 | 2010-06-10 | Ａｚエレクトロニックマテリアルズ株式会社 | レジストパターン形成方法 |
| US8618002B2 (en) | 2008-12-01 | 2013-12-31 | Az Electronic Materials Usa Corp. | Resist pattern formating method |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4396705A (en) | Pattern forming method and pattern forming apparatus using exposures in a liquid | |
| JP4579927B2 (ja) | 浸漬リソグラフィのための除去可能なペリクル | |
| JP4476979B2 (ja) | 半導体基板の液浸リソグラフィ形成方法および半導体ウェハの処理方法 | |
| KR100272797B1 (ko) | 레지스트 패턴 형성방법 및 레지스트 패턴 | |
| JPH06105683B2 (ja) | レジストパターン形成方法 | |
| US6730458B1 (en) | Method for forming fine patterns through effective glass transition temperature reduction | |
| JP2002148820A (ja) | パターン形成方法及びこの方法に使用される処理剤 | |
| KR0179718B1 (ko) | 전자부품의 패턴형성방법 | |
| JP2010181872A (ja) | フォトマスクの製造方法、パターン転写方法、フォトマスク基板用処理装置、及び薄膜パターニング方法 | |
| JPH06222570A (ja) | レジストパターン形成方法 | |
| WO2001098836A2 (en) | Method of reducing post-development defects in and around openings formed in photoresist by use of non-patterned exposure | |
| JP2006317774A (ja) | パターン形成方法 | |
| JPH07335519A (ja) | パタン形成方法 | |
| JPH07226358A (ja) | レジスト現像方法 | |
| JP2745443B2 (ja) | レジストパターン形成方法 | |
| JPH07106226A (ja) | レジスト現像方法および装置 | |
| JPH06105684B2 (ja) | レジストパターン形成方法 | |
| JPH06208947A (ja) | レジスト処理方法及びレジスト処理装置 | |
| JP2007180253A (ja) | フォトレジストパターン形成方法 | |
| JPH06110214A (ja) | レジストパターンの形成方法 | |
| JPH06291024A (ja) | 微細パターンの形成方法 | |
| JPH11297607A (ja) | パターン形成方法 | |
| US20060292500A1 (en) | Cure during rinse to prevent resist collapse | |
| JPS61241745A (ja) | ネガ型フオトレジスト組成物及びレジストパタ−ン形成方法 | |
| JPH0943855A (ja) | レジストパターン形成方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19970701 |