JPS62274720A - 現像装置 - Google Patents
現像装置Info
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- JPS62274720A JPS62274720A JP11887686A JP11887686A JPS62274720A JP S62274720 A JPS62274720 A JP S62274720A JP 11887686 A JP11887686 A JP 11887686A JP 11887686 A JP11887686 A JP 11887686A JP S62274720 A JPS62274720 A JP S62274720A
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- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 16
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims description 10
- 239000012487 rinsing solution Substances 0.000 claims description 5
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract description 9
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 abstract description 5
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 abstract description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000036632 reaction speed Effects 0.000 abstract 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 9
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 5
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 4
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- WSGCRAOTEDLMFQ-UHFFFAOYSA-N nonan-5-one Chemical compound CCCCC(=O)CCCC WSGCRAOTEDLMFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
３、発明の詳細な説明
［産業上の利用分野］
本発明は半導体集積回路のパターン形成に使用される現
像装置に係り、待にポジ型放射線感応レジストを有機溶
剤系の処理液によりスプレー現像する為の現像装置の改
良に関する。
像装置に係り、待にポジ型放射線感応レジストを有機溶
剤系の処理液によりスプレー現像する為の現像装置の改
良に関する。
［従来の技術］
従来、この種の現像装置は自動化の容易性、低欠陥レベ
ルであること、レジストパターンの寸法精度が良い点等
の理由から回転する基板上に現像液、リンス液をノズル
からスプレー状に噴射することにより現像処理を行なう
いわゆるスプレ一式現像装置であった。
ルであること、レジストパターンの寸法精度が良い点等
の理由から回転する基板上に現像液、リンス液をノズル
からスプレー状に噴射することにより現像処理を行なう
いわゆるスプレ一式現像装置であった。
ところで、近年、半導体集積回路の微細化、高精度化の
要求に応じてＤｅｅｐ ＵＶレジスト、電子線レジスト
、Ｘ線レジスト等の放射線感応レジストが開発され実用
化されている。これらの放射線感応レジストは一般に現
像処理液とて有機系の溶剤、例えばケトン類、アルコー
ル類等が使用されているものが多い。
要求に応じてＤｅｅｐ ＵＶレジスト、電子線レジスト
、Ｘ線レジスト等の放射線感応レジストが開発され実用
化されている。これらの放射線感応レジストは一般に現
像処理液とて有機系の溶剤、例えばケトン類、アルコー
ル類等が使用されているものが多い。
［発明が解決しようとする問題点］
ところが、これらの有機）ｄ剤を用いた現像液。
リンス液は一般に揮発性が高く、上述したスプレ一方式
の現像装置に使用されると、現像処理中に気化し、気化
熱が奪われる為、処理液温度、被処理基板の温度が著し
く低下する。この温度低下は前記レジストがポジ型放射
線感応レジストの場合、感度を著しく低下せしめ、半導
体集積回路の製造において生産性を悪くする原因となっ
ていた。
の現像装置に使用されると、現像処理中に気化し、気化
熱が奪われる為、処理液温度、被処理基板の温度が著し
く低下する。この温度低下は前記レジストがポジ型放射
線感応レジストの場合、感度を著しく低下せしめ、半導
体集積回路の製造において生産性を悪くする原因となっ
ていた。
本発明の目的は基板に噴射される処理液の気化熱が原因
となる該基板上のレジストの反応感度低下を防止しうる
現像装置を提供することにある。
となる該基板上のレジストの反応感度低下を防止しうる
現像装置を提供することにある。
［問題点を解決するための手段］
本発明は有機溶剤系の現像液、リンス液を基板のレジス
トに噴射して現像を行う現像装置において、前記現像液
、リンス液を加熱する機構を有することを特徴とする現
像装置である。
トに噴射して現像を行う現像装置において、前記現像液
、リンス液を加熱する機構を有することを特徴とする現
像装置である。
［実施例］
次に本発明の一実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図は本発明による現像装置の一実施例を示す概略図
である。
である。
現像装置のチャンバー１内に設置された真空チャック２
はモーターにより回転する。レジスト４が塗布され次い
で選択露光された基板３は真空チャック２に水平に保持
されながら現像処理中所定の回転数で垂直な軸まわりに
回転される。ノズル５より現像液６がスプレー状に放出
されこれが前記基板３のレジスト４にあたることにより
レジスト４の現像がなされる。このとき、現像液は現像
タンク７からパイプ８を通って供給される。現像液タン
クは恒温槽９に入れられタンク内の現像液は所望の温度
に加熱されている。現像液温度が一定に保たれるように
温度センサー１０により液温を測定し、情報をフィード
バックし恒温槽９をコントロールする構造となっている
。
はモーターにより回転する。レジスト４が塗布され次い
で選択露光された基板３は真空チャック２に水平に保持
されながら現像処理中所定の回転数で垂直な軸まわりに
回転される。ノズル５より現像液６がスプレー状に放出
されこれが前記基板３のレジスト４にあたることにより
レジスト４の現像がなされる。このとき、現像液は現像
タンク７からパイプ８を通って供給される。現像液タン
クは恒温槽９に入れられタンク内の現像液は所望の温度
に加熱されている。現像液温度が一定に保たれるように
温度センサー１０により液温を測定し、情報をフィード
バックし恒温槽９をコントロールする構造となっている
。
またパイプ８は二重構造左なっており、外側を加熱され
た水が流れ中心部を流れる現像液６がパイプを通過する
間に温度低下するのを防止する構造となっている。外側
を流れる水は所望の温度を一定に保つ様にコントロール
されている。リンス液についても上述したと同様に加熱
して噴射する。
た水が流れ中心部を流れる現像液６がパイプを通過する
間に温度低下するのを防止する構造となっている。外側
を流れる水は所望の温度を一定に保つ様にコントロール
されている。リンス液についても上述したと同様に加熱
して噴射する。
以上の構造により、現像液温度は所望温度に加熱され、
現像液の気化による基板の温度降下を防止することがで
きる。例えば、従来の現像装置の場合、現像液の温度が
室温（２３℃）であった為、スプレー現像を行なった場
合、基板温度が１４°Ｃまで低下した。−５本発明によ
る現像装置を使用した場合、恒温槽及びパイプ内の水温
を４０’Ｃとすると、基板上の温度は２５°Ｃまで回復
した。
現像液の気化による基板の温度降下を防止することがで
きる。例えば、従来の現像装置の場合、現像液の温度が
室温（２３℃）であった為、スプレー現像を行なった場
合、基板温度が１４°Ｃまで低下した。−５本発明によ
る現像装置を使用した場合、恒温槽及びパイプ内の水温
を４０’Ｃとすると、基板上の温度は２５°Ｃまで回復
した。
本発明による現像装置を用いると、例えば東しく株）製
のポジ型電子線感応レジストＥＢＲ−９の感度は現像液
としてメチルインブチルケトンとイソプロピルアルコー
ルの混合比（容積比〉８対２のものを用いて３分間スプ
レー現像を行なったところ前述した通常のスプレー現像
では、約１５μｃ／ｃｍ２ （加速電圧２０ＫＶ）で
めッたものが、６μｃ／ｃｍ２に向上した。
のポジ型電子線感応レジストＥＢＲ−９の感度は現像液
としてメチルインブチルケトンとイソプロピルアルコー
ルの混合比（容積比〉８対２のものを用いて３分間スプ
レー現像を行なったところ前述した通常のスプレー現像
では、約１５μｃ／ｃｍ２ （加速電圧２０ＫＶ）で
めッたものが、６μｃ／ｃｍ２に向上した。
［発明の効果］
以上説明したように本発明は現像液、リンス液を加熱す
る機構を設けることにより、有機溶剤系の現像処理液を
使用して放射線感応レジストのスプレー現像を行なう場
合に生じる処理液及び基板の温度低下によるレジスト感
度の著しい低下を防止し、レジストの高感度化が達成で
き高い生産性を有する半導体集積回路の製造を実現でき
る効果を有するものである。
る機構を設けることにより、有機溶剤系の現像処理液を
使用して放射線感応レジストのスプレー現像を行なう場
合に生じる処理液及び基板の温度低下によるレジスト感
度の著しい低下を防止し、レジストの高感度化が達成で
き高い生産性を有する半導体集積回路の製造を実現でき
る効果を有するものである。
第１図は本発明に係る現像装置の一実施例を示す概略図
である。
である。
Claims (1)
- 有機溶剤系の現像液、リンス液を基板のレジストに噴射
する現像装置において、前記現像液、リンス液を加熱す
る機構を有することを特徴とする現像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11887686A JPS62274720A (ja) | 1986-05-23 | 1986-05-23 | 現像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11887686A JPS62274720A (ja) | 1986-05-23 | 1986-05-23 | 現像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62274720A true JPS62274720A (ja) | 1987-11-28 |
Family
ID=14747304
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11887686A Pending JPS62274720A (ja) | 1986-05-23 | 1986-05-23 | 現像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62274720A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06222570A (ja) * | 1992-11-30 | 1994-08-12 | Soltec:Kk | レジストパターン形成方法 |
| US5474877A (en) * | 1994-02-24 | 1995-12-12 | Nec Corporation | Method for developing a resist pattern |
-
1986
- 1986-05-23 JP JP11887686A patent/JPS62274720A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06222570A (ja) * | 1992-11-30 | 1994-08-12 | Soltec:Kk | レジストパターン形成方法 |
| US5474877A (en) * | 1994-02-24 | 1995-12-12 | Nec Corporation | Method for developing a resist pattern |
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