JPS61207018A - 現像装置 - Google Patents
現像装置Info
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- JPS61207018A JPS61207018A JP4770985A JP4770985A JPS61207018A JP S61207018 A JPS61207018 A JP S61207018A JP 4770985 A JP4770985 A JP 4770985A JP 4770985 A JP4770985 A JP 4770985A JP S61207018 A JPS61207018 A JP S61207018A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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- Power Engineering (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は現像装置にかかり、特に半導体集積回路の基板
上の選択露光を施されたレジスト層を現像処理する為の
現像装置の改良に関するものである０ 〔従来の技術〕 従来、この種の現像装置は、自動化の容易性、低欠陥レ
ベルである墨、レジストパターンの寸法精度が良い等の
理由から、回転する基板上に現像液、リンス液をノズル
からスプレー状に噴射し、あらかじめ設定した時間、現
像処理を行なう方式のスプレ一式規像装置が使用されて
いた。
上の選択露光を施されたレジスト層を現像処理する為の
現像装置の改良に関するものである０ 〔従来の技術〕 従来、この種の現像装置は、自動化の容易性、低欠陥レ
ベルである墨、レジストパターンの寸法精度が良い等の
理由から、回転する基板上に現像液、リンス液をノズル
からスプレー状に噴射し、あらかじめ設定した時間、現
像処理を行なう方式のスプレ一式規像装置が使用されて
いた。
近年、半導体集積回路の微細化、高精度化の要求に応じ
てυｅｅｐ ＵＶレジスト、電子線レジスト、Ｘ線レジ
スト等の放射線感応レジストが開発され実用化されつつ
ある。これらのレジストは一般に現像処理液として有機
系の溶剤、例えばケトン類、アルコール類等が匣用され
ているものが多い。ところがこれらの有機溶剤を用いた
現像液、す／ス液は一般に揮発性が高く、スプレー状に
なる時に気化熱が奪われる為、処理液温度、被処理基板
の温度が低下する特性を有している。
てυｅｅｐ ＵＶレジスト、電子線レジスト、Ｘ線レジ
スト等の放射線感応レジストが開発され実用化されつつ
ある。これらのレジストは一般に現像処理液として有機
系の溶剤、例えばケトン類、アルコール類等が匣用され
ているものが多い。ところがこれらの有機溶剤を用いた
現像液、す／ス液は一般に揮発性が高く、スプレー状に
なる時に気化熱が奪われる為、処理液温度、被処理基板
の温度が低下する特性を有している。
−力現像液温度は前記レジスト特にポジ型レジストの感
度に影響を及ぼし、最終的にはパターニングされた素子
の寸法相変に影響を及ぼす為、一定に保つ必袂があった
。ところが上述した従来の現像装置は、現像処理液温度
を一定に保つ為現像処理ｆＬ４％ｌを恒温槽に入れる等
の工夫はなされていたが、スプレー形状の変動、排気ダ
クトの風量の変化、連続して処理する枚数の変化で、現
像される基板の温度や、スプレー状になった時の現像処
理液の温度が変動してしまうという欠点がある。
度に影響を及ぼし、最終的にはパターニングされた素子
の寸法相変に影響を及ぼす為、一定に保つ必袂があった
。ところが上述した従来の現像装置は、現像処理液温度
を一定に保つ為現像処理ｆＬ４％ｌを恒温槽に入れる等
の工夫はなされていたが、スプレー形状の変動、排気ダ
クトの風量の変化、連続して処理する枚数の変化で、現
像される基板の温度や、スプレー状になった時の現像処
理液の温度が変動してしまうという欠点がある。
本発明の現像装置ｒま、有機溶剤系の現像処理液を用い
たスプレー現像による温度変化を検知する温度センサー
と、温度センサーからの情報を受けて現像処理時間をコ
ントロールする＠構とを有している。
たスプレー現像による温度変化を検知する温度センサー
と、温度センサーからの情報を受けて現像処理時間をコ
ントロールする＠構とを有している。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明による現像装置の一実施例な示す概略図
である。
である。
現像装置のチャンバー１内に設置された真空チャック２
はモーターにより回転し、レジスト４が塗布され、次い
で選択露光された基＆３を水平に保持しながら現像処理
中、所定の回転数で垂直な軸まわりに回転する。レジス
ト層４の現像は、ノズル５が現像処理液６を被処理基板
の所望エリアをカバーするように、スプレー状に放出す
ることにより行なわれる。この時現像処理中に放出され
ているスプレー状の現像処理液の温度を横知子７が測定
する。あらかじめ求めておいた同一感度となるような現
像液温度と現像処理時間の関係を記憶しているコントロ
ーラー８に、測定された現像液温度の情報を送り、現像
時間をコントロールする。
はモーターにより回転し、レジスト４が塗布され、次い
で選択露光された基＆３を水平に保持しながら現像処理
中、所定の回転数で垂直な軸まわりに回転する。レジス
ト層４の現像は、ノズル５が現像処理液６を被処理基板
の所望エリアをカバーするように、スプレー状に放出す
ることにより行なわれる。この時現像処理中に放出され
ているスプレー状の現像処理液の温度を横知子７が測定
する。あらかじめ求めておいた同一感度となるような現
像液温度と現像処理時間の関係を記憶しているコントロ
ーラー８に、測定された現像液温度の情報を送り、現像
時間をコントロールする。
現像時間の決定方法は、現像開始直後に測定した現像液
温度に対応する時間または現像開始後任意の時間経過し
た時に測定した現像液温度に対応する時間または経時変
化する現像液温度をモニターしながら現像時間を決定す
る等の方法がある。
温度に対応する時間または現像開始後任意の時間経過し
た時に測定した現像液温度に対応する時間または経時変
化する現像液温度をモニターしながら現像時間を決定す
る等の方法がある。
現像液温度変化のパターン寸法に与える影響は、例えば
東しく株）ｒＲのポジ型電子線感応レジストＥＢＲ−９
の場合、感度６μＣ／ｃＩｉで露光し現像液としてメチ
ルイソブチルケトンとイソプロピルアルコールの混合イ
ビ（容積比）８対２のものを用いて、スプレー現像を３
分間行なうと室温付近では１℃の温度変化に対して約０
．０６μｍの変化であった。従って高精度なパターン寸
法を得ようとすると、現像液温度を±１℃程度にコント
ロールしなければならないが、従来のスプレ一方式の現
像装置では困難であった。本発明によれば現像液温度に
変化が生じた場合でも現像時間を自動的にコントロール
されるのでパターン寸法精度の高い現像処理ができる。
東しく株）ｒＲのポジ型電子線感応レジストＥＢＲ−９
の場合、感度６μＣ／ｃＩｉで露光し現像液としてメチ
ルイソブチルケトンとイソプロピルアルコールの混合イ
ビ（容積比）８対２のものを用いて、スプレー現像を３
分間行なうと室温付近では１℃の温度変化に対して約０
．０６μｍの変化であった。従って高精度なパターン寸
法を得ようとすると、現像液温度を±１℃程度にコント
ロールしなければならないが、従来のスプレ一方式の現
像装置では困難であった。本発明によれば現像液温度に
変化が生じた場合でも現像時間を自動的にコントロール
されるのでパターン寸法精度の高い現像処理ができる。
以上説明したように本発明による現像装置は、従来の現
像装置では困難であった有機溶剤を用いた場合に生じる
現像処理液温度の変化によるレジスト感度変化の補正を
、現像処理時間を変えることにより達成し、高精度な半
導体集積回路の製造を可能にした。
像装置では困難であった有機溶剤を用いた場合に生じる
現像処理液温度の変化によるレジスト感度変化の補正を
、現像処理時間を変えることにより達成し、高精度な半
導体集積回路の製造を可能にした。
第１図は本発明に係る現像！！置の一実施例を示す概略
図である。 同、図において、１・・・・・・チャンバー、２・・・
・・・チャック、３・・−・−・基板、４・・・・・・
選択露光されたレジスト、５・・・・・・ノズル、６・
・・・・・現像処理液、７・・・・・・温度センサー、
８・・・・・・コントローラー。
図である。 同、図において、１・・・・・・チャンバー、２・・・
・・・チャック、３・・−・−・基板、４・・・・・・
選択露光されたレジスト、５・・・・・・ノズル、６・
・・・・・現像処理液、７・・・・・・温度センサー、
８・・・・・・コントローラー。
Claims (1)
- 現像チャンバー内の下方に基板を回転せしめるチャッ
クと現像チャンバー内の上方に現像ノズル及びリンスノ
ズルを有し、前記チャック上の基板を回転させながら、
前記現像ノズル及びリンスノズルから有機溶剤系の現像
液及びリンス液を噴射することにより現像処理を行なう
現像装置において、前記回転基板近傍又は回転基板の温
度を感知するセンサーを有し、且つ前記センサーから情
報により現像時間をコントロールする機構を有すること
を特徴とした現像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4770985A JPS61207018A (ja) | 1985-03-11 | 1985-03-11 | 現像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4770985A JPS61207018A (ja) | 1985-03-11 | 1985-03-11 | 現像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61207018A true JPS61207018A (ja) | 1986-09-13 |
Family
ID=12782828
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4770985A Pending JPS61207018A (ja) | 1985-03-11 | 1985-03-11 | 現像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61207018A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100607735B1 (ko) | 2004-12-27 | 2006-08-01 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 반도체 현상 장치에서의 현상액 누출 감지 및 경보 시스템 |
| JP2013021004A (ja) * | 2011-07-07 | 2013-01-31 | Tokyo Electron Ltd | 現像処理装置、現像処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
-
1985
- 1985-03-11 JP JP4770985A patent/JPS61207018A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100607735B1 (ko) | 2004-12-27 | 2006-08-01 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 반도체 현상 장치에서의 현상액 누출 감지 및 경보 시스템 |
| JP2013021004A (ja) * | 2011-07-07 | 2013-01-31 | Tokyo Electron Ltd | 現像処理装置、現像処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
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