JPH03153019A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH03153019A JPH03153019A JP29261089A JP29261089A JPH03153019A JP H03153019 A JPH03153019 A JP H03153019A JP 29261089 A JP29261089 A JP 29261089A JP 29261089 A JP29261089 A JP 29261089A JP H03153019 A JPH03153019 A JP H03153019A
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- Japan
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- photoresist
- semiconductor device
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Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 18
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 14
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 11
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims abstract description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 5
- 238000003860 storage Methods 0.000 abstract description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、半導体装置の製造方法に関し、特にフォトレ
ジストを用いた半導体基板上の素子形成技術に関する。
ジストを用いた半導体基板上の素子形成技術に関する。
［従来の技術］
従来フォトレジストを用いた半導体基板上の素子形成工
程において、フォトレジストの現像後から次工程である
エツチング又はイオン注入へ移行するまでの間、半導体
装置を製造するクリーンルーム内が温度、湿度ともに調
整されていることから第２図に示すように曝なる棚のよ
うな場所で保持されている。
程において、フォトレジストの現像後から次工程である
エツチング又はイオン注入へ移行するまでの間、半導体
装置を製造するクリーンルーム内が温度、湿度ともに調
整されていることから第２図に示すように曝なる棚のよ
うな場所で保持されている。
［発明が解決しようとする課題］
ところが、近年における半導体装置のａｍ化。
高集積化にともない素子形成にかかわるフォトレジスト
パターン形状への高精度と安定性に対する要求が非常に
厳しくなってきた。このような要求に対しレジスト材に
ついての様々な改良がなされ、高精度の微細加工に対応
し得るフォトレジストが発表されているが実際の製造工
程においては、フォトレジスト現像後から次工程である
エツチング又はイオン注入へ移行するまでの工程間の保
持の際の環境への管理が十分罠なされていない。
パターン形状への高精度と安定性に対する要求が非常に
厳しくなってきた。このような要求に対しレジスト材に
ついての様々な改良がなされ、高精度の微細加工に対応
し得るフォトレジストが発表されているが実際の製造工
程においては、フォトレジスト現像後から次工程である
エツチング又はイオン注入へ移行するまでの工程間の保
持の際の環境への管理が十分罠なされていない。
本発明は、このような従来の半導体装置の製造方法の問
題点を解決するもので、その目的とするところは、より
安定化した信頼性の高い微細パターンを半導体基板上に
形成する半導体装置の製造方法を提供するところにある
。
題点を解決するもので、その目的とするところは、より
安定化した信頼性の高い微細パターンを半導体基板上に
形成する半導体装置の製造方法を提供するところにある
。
［課題を解決するための手段］
本発明の半導体装置の製造方法は、フォトレジストによ
るパターン形成を行なう半導体装置の製造工程において
、フォトレジストの現像後からエツチング又はイオン注
入を開始するまでの期間を摂氏４０度〜摂氏８０度の雰
囲気中で保持することを特徴とする。
るパターン形成を行なう半導体装置の製造工程において
、フォトレジストの現像後からエツチング又はイオン注
入を開始するまでの期間を摂氏４０度〜摂氏８０度の雰
囲気中で保持することを特徴とする。
［実施例］
第１図に本発明の半導体装置の製造方法による一実施例
を示す。
を示す。
１１はウェーハキャリア、１２は保管庫、１３はへパフ
イルター １４は温調ユニットである。
イルター １４は温調ユニットである。
以下、詳細に説明する。
保管庫１２は前面に扉を有する温調チェンバーとなって
いる。ファンを有しチェンバー内の雰囲気を循環させる
働きをもつ温調ユニット１４により、保管庫内の温度を
クリーンルーム内の温度より高く設定された所定の温度
に保つことができるようになっている。
いる。ファンを有しチェンバー内の雰囲気を循環させる
働きをもつ温調ユニット１４により、保管庫内の温度を
クリーンルーム内の温度より高く設定された所定の温度
に保つことができるようになっている。
半導体製造工程中にあるウェーハキャリア１１は、フォ
トレジストの現像後に次工程であるエツチング又はイオ
ン注入の処理に移るまでの間このような保管庫によって
摂氏４０度〜摂氏８０度に保持されることが可能である
。このような温度雰囲気中で保持されることにより、ウ
ェーハ表面への水分の吸着が抑制され、より安定化した
信頼性の雇いレジストプロファイルが提供される。
トレジストの現像後に次工程であるエツチング又はイオ
ン注入の処理に移るまでの間このような保管庫によって
摂氏４０度〜摂氏８０度に保持されることが可能である
。このような温度雰囲気中で保持されることにより、ウ
ェーハ表面への水分の吸着が抑制され、より安定化した
信頼性の雇いレジストプロファイルが提供される。
［発明の効果］
以上述べてきたように本発明によれば、摂氏４０度〜摂
氏８０度の雰囲気中で現像後のフォトレジストを保持す
ることにより、水分の吸着を抑制し安定化した信頼性の
高いレジストプロファイルを提供することが可能となり
、微細パターンの高精度の加工に寄与することができる
。
氏８０度の雰囲気中で現像後のフォトレジストを保持す
ることにより、水分の吸着を抑制し安定化した信頼性の
高いレジストプロファイルを提供することが可能となり
、微細パターンの高精度の加工に寄与することができる
。
第１図は、本発明の実施例による半導体装置の製造方法
を示す工程図である。 第２図は、従来の半導体装置の製造方法を示す工程図で
ある。 １１２１・・・・・・ウェーハキャリア１２．２２・・
・・・・保管棚 １３・・・…へパフイルター １４・・・・・・温調ユニット 第 １ 図 以上
を示す工程図である。 第２図は、従来の半導体装置の製造方法を示す工程図で
ある。 １１２１・・・・・・ウェーハキャリア１２．２２・・
・・・・保管棚 １３・・・…へパフイルター １４・・・・・・温調ユニット 第 １ 図 以上
Claims (1)
- フォトレジストによるパターン形成を行なう半導体装
置の製造工程において、フォトレジストの現像後からエ
ッチング又はイオン注入を開始するまでの期間を、摂氏
４０度〜摂氏８０度の雰囲気中で保持することを特徴と
する半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29261089A JPH03153019A (ja) | 1989-11-10 | 1989-11-10 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29261089A JPH03153019A (ja) | 1989-11-10 | 1989-11-10 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03153019A true JPH03153019A (ja) | 1991-07-01 |
Family
ID=17784026
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29261089A Pending JPH03153019A (ja) | 1989-11-10 | 1989-11-10 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03153019A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6257778B1 (en) * | 1998-02-04 | 2001-07-10 | Tokyo Electron Limited | Method for developing front surface of substrate with improved developing function of developing solution and apparatus thereof |
| KR20070040072A (ko) * | 2005-10-11 | 2007-04-16 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 카세트 보관장치 |
-
1989
- 1989-11-10 JP JP29261089A patent/JPH03153019A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6257778B1 (en) * | 1998-02-04 | 2001-07-10 | Tokyo Electron Limited | Method for developing front surface of substrate with improved developing function of developing solution and apparatus thereof |
| KR20070040072A (ko) * | 2005-10-11 | 2007-04-16 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 카세트 보관장치 |
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