KR101570163B1 - 기판 처리 장치 및 방법 - Google Patents

기판 처리 장치 및 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101570163B1
KR101570163B1 KR1020140015670A KR20140015670A KR101570163B1 KR 101570163 B1 KR101570163 B1 KR 101570163B1 KR 1020140015670 A KR1020140015670 A KR 1020140015670A KR 20140015670 A KR20140015670 A KR 20140015670A KR 101570163 B1 KR101570163 B1 KR 101570163B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
speed
substrate
acceleration
rotation
velocity
Prior art date
Application number
KR1020140015670A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20150094416A (ko
Inventor
정재정
윤교상
장종수
Original Assignee
세메스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세메스 주식회사 filed Critical 세메스 주식회사
Priority to KR1020140015670A priority Critical patent/KR101570163B1/ko
Publication of KR20150094416A publication Critical patent/KR20150094416A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101570163B1 publication Critical patent/KR101570163B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C11/00—Component parts, details or accessories not specifically provided for in groups B05C1/00 - B05C9/00
    • B05C11/02—Apparatus for spreading or distributing liquids or other fluent materials already applied to a surface ; Controlling means therefor; Control of the thickness of a coating by spreading or distributing liquids or other fluent materials already applied to the coated surface
    • B05C11/08—Spreading liquid or other fluent material by manipulating the work, e.g. tilting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

본 발명은 기판의 회전 속도를 변경할 수 있는 기판 처리 장치 및 방법에 관한 것이다. 본 발명의 일실시예에 따른 기판 처리 장치는 기판이 로딩되고 기판을 회전시키는 스핀 척과, 상기 스핀 척을 회전시키는 스핀 모터를 구동하는 구동부와, 상기 스핀 척의 회전 속도가 변화되도록 상기 구동부를 제어하는 제어부를 포함하되, 기판의 회전 속도가 제1 속도와 제2 속도 간에 변경되는 동안 기판의 회전 가속도는 계속적으로 변경되는 구간을 가진다.

Description

기판 처리 장치 및 방법{APPARATUS AND METHOD FOR TREATING SUBSTRATE}
본 발명은 기판을 처리하는 장치 및 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 기판을 회전시키면서 기판을 처리하는 기판 처리 장치 및 방법에 관한 것이다.
반도체 디바이스의 제조 프로세스에 있어서의 포트리소그래피 공정에서는 웨이퍼 상에 레지스트액을 도포하여 레지스트막을 형성하는 레지스트 도포 처리, 레지스트막을 소정의 패턴으로 노광하는 노광 처리, 노광된 레지스트막을 현상하는 현상 처리 등이 순차적으로 행해져, 웨이퍼 상에 소정의 레지스트 패턴이 형성되어 있다.
상술한 레지스트 도포 처리에서는 회전하는 웨이퍼의 중심부에 노즐로부터 레지스트액을 공급하고, 원심력에 의해 웨이퍼 상에서 레지스트액을 확산시킴으로써 웨이퍼의 표면에 레지스트액을 도포하는 스핀 도포법이 많이 사용되고 있다.
도 1은 기판 처리 장치에서 기판의 회전시 시간에 대한 속도의 변화를 나타내는 그래프의 일예이고, 도 2는 도 1의 가속도 변화를 나타내는 그래프이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 일반적으로 레지스트액과 같은 처리액 도포시 웨이퍼 등의 기판을 회전시키는 방법에 있어서 일반적으로 가속 구간에 대해 동일한 가속값을 사용하여 가속한다. 가속 초기와 설정 목표 속도 도달시 감속 구간에서 항상 동일한 가감속 패턴을 사용하면서 기판의 회전과 이에 따른 노즐암의 이동, 처리액 도포 등을 별도의 네트워크를 통하여 제어하게 된다. 이때, 기판의 회전 속도 제어 인자는 가속시간, 등속시간, 회전수 3가지 항목으로 구성되어 항상 사다리꼴 형태의 속도 변화 패턴으로 기판을 회전하게 된다.
상기와 같은 경우 항상 동일한 기판 회전에 대한 가감속 제어를 함으로써 레시피 스텝(Recipe Step)을 분리한다. 이는 각기 다른 제어기에서 제어를 수행하게 되어 별도의 복잡한 제어 동기화 방법이 요구되며, 동기화시 가장 느린 제어 요소에 동기화됨으로써 공정 처리 시간이 늘어나는 경향이 발생한다.
본 발명은 기판에 처리액 도포시 전체 레시피 스텝(Recipe Step)을 감소시킬 수 있는 기판 처리 장치 및 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 통합된 제어 네트워크를 통해 동기화시 처리 시간이 지연되는 것을 방지하여 시간 정밀도를 높일 수 있는 기판 처리 장치 및 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 기판 처리 장치를 제공한다. 본 발명의 일실시예에 따른 기판 처리 장치는, 기판이 로딩되고 기판을 회전시키는 스핀 척과; 상기 스핀 척을 회전시키는 스핀 모터를 구동하는 구동부와; 상기 스핀 척의 회전 속도가 변화되도록 상기 구동부를 제어하는 제어부를 포함하되, 기판의 회전 속도가 제1 속도와 제2 속도 간에 변경되는 동안 기판의 회전 가속도는 계속적으로 변경되는 구간을 가진다.
일 예에 의하면, 상기 구간에서 상기 기판의 회전 가속도는 선형으로 변경된다.
일 예에 의하면, 상기 제1 속도에서 상기 제2 속도로의 변경시 시간에 대한 속도 그래프는 곡선으로 제공되도록 변경된다.
일 예에 의하면, 상기 제1 속도에서 상기 제2 속도로의 변경시 상기 제1 속도와 상기 제2 속도 사이에 제공되는 제3 속도 및 제4 속도를 더 포함하되, 상기 제1 속도에서 상기 제3 속도까지는 가속도가 증가하는 구간과, 상기 제4 속도에서 상기 제2 속도까지는 가속도가 감소하는 구간을 가진다.
일 예에 의하면, 상기 제3 속도에서 상기 제4 속도로의 변경시에는 가속도가 일정한 구간을 가지고, 상기 제1 속도에서 상기 제3 속도까지의 가속도와 상기 제4 속도에서 상기 제2 속도까지의 가속도는 기울기가 동일하다.
일 예에 의하면, 상기 제1 속도, 상기 제3 속도, 상기 제4 속도 및 상기 제2 속도는 순차적으로 제공되고, 상기 제1 속도에서 상기 제2 속도로 증가시 시간에 대한 가속도 그래프는 양의 값을 갖는 사다리꼴 또는 에스커브(S-Curve) 형상으로 제공되고, 상기 제2 속도에서 상기 제1 속도로 감소시 시간에 대한 가속도 그래프는 음의 값을 갖는 사다리꼴 또는 에스커브(S-curve) 형상으로 제공된다.
일 예에 의하면, 상기 기판 처리 장치는 액 공급 장치를 더 포함하여, 상기 제1 속도에서 상기 제2 속도로 변경시 기판으로 액을 공급한다.
또한, 본 발명은 기판 처리 방법을 제공한다. 본 발명의 일실시예에 따른 기판 처리 방법은, 스핀 척 상에 기판을 로딩하고 기판을 회전시킨 상태에서 기판을 처리하되, 기판의 회전 속도가 제1 속도와 제2 속도 사이에서 변경되는 동안 기판의 회전 가속도가 계속적으로 변경되는 구간을 가진다.
일 예에 의하면, 상기 구간에서 상기 기판의 회전 가속도는 선형으로 변경된다.
일 예에 의하면, 상기 제1 속도에서 상기 제2 속도로의 변경시 시간에 대한 속도 그래프는 곡선으로 제공되도록 변경된다.
일 예에 의하면, 상기 제1 속도에서 상기 제2 속도로의 변경시 상기 제1 속도와 상기 제2 속도 사이에 제공되는 제3 속도 및 제4 속도를 더 포함하되, 상기 제1 속도에서 상기 제3 속도까지는 가속도가 증가하는 구간과, 상기 제4 속도에서 상기 제2 속도까지는 가속도가 감소하는 구간을 가진다.
일 예에 의하면, 상기 제3 속도에서 상기 제4 속도로의 변경시에는 가속도가 일정한 구간을 가지고, 상기 제1 속도에서 상기 제3 속도까지의 가속도와 상기 제4 속도에서 상기 제2 속도까지의 가속도는 기울기가 동일하다.
일 예에 의하면, 상기 제1 속도, 상기 제3 속도, 상기 제4 속도 및 상기 제2 속도는 순차적으로 제공되고, 상기 제1 속도에서 상기 제2 속도로 증가시 시간에 대한 가속도 그래프는 양의 값을 갖는 사다리꼴 또는 에스커브(S-Curve) 형상으로 제공되고, 상기 제2 속도에서 상기 제1 속도로 감소시 시간에 대한 가속도 그래프는 음의 값을 갖는 사다리꼴 또는 에스커브(S-curve) 형상으로 제공된다.
일 예에 의하면, 상기 기판 처리 방법은 상기 제1 속도에서 상기 제2 속도로 변경시 기판으로 액을 공급한다.
본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치 및 방법은 기판에 처리액 도포시 전체 레시피 스텝(Recipe Step)을 감소시킬 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치 및 방법은 통합된 제어 네트워크를 통해 동기화시 처리 시간이 지연되는 것을 방지하여 시간 정밀도를 높일 수 있다.
본 발명의 효과들은 이상에서 언급한 효과들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 효과들은 청구범위의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 명세서에 첨부되는 다음의 도면들은 본 발명의 바람직한 실시예를 예시하는 것이며, 전술한 발명의 내용과 함께 본 발명의 기술사상을 더욱 이해시키는 역할을 하는 것이므로, 본 발명은 그러한 도면에 기재된 사항에만 한정되어 해석되어서는 아니된다.
도 1은 기판 처리 장치에서 기판의 회전시 시간에 대한 속도의 변화를 나타내는 그래프의 일예이다.
도 2는 도 1의 가속도 변화를 나타내는 그래프이다.
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 기판 처리 장치의 개략적인 모습을 보여주는 도면이다.
도 4는 본 발명의 일실시예에 따라 시간에 대한 기판의 회전 속도 변화를 도시한 그래프이다.
도 5는 도 4의 가속도 변화를 도시한 그래프이다.
이하에서는 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 상세하게 설명한다. 각 도면은 명확한 설명을 위해 일부가 간략하거나 과장되게 표현되었다. 각 도면의 구성 요소들에 참조 번호를 부가함에 있어서, 동일한 구성 요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 동일한 부호를 가지도록 도시되었음에 유의해야 한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 기판 처리 장치의 개략적인 모습을 보여주는 도면이다. 도 3을 참조하면, 기판 처리 장치(10)는 스핀 척(100), 스핀 모터(110), 구동부(200), 제어부(300), 그리고 액 공급 장치(400)를 포함한다. 이하 각 구성에 대하여 상세히 설명한다.
기판 처리 장치(10)는 하우징(미도시)을 갖고 상기 하우징 내의 중앙부에 스핀 척(100)이 설치된다. 스핀 척(100)은 웨이퍼 등의 기판(W)이 로딩되고 기판(W)을 회전시킨다. 즉 스핀 척(100)은 기판(W)을 지지하며 회전시키는 회전 지지부로서 기능한다. 스핀 척(100)은 수평한 상면을 갖고, 당해 상면에는 예를 들어 기판(W)을 흡입하는 흡입구가 형성될 수 있다. 이 흡입구로부터의 흡입에 의해 기판(W)을 스핀 척(100) 상에 흡착 유지할 수 있다.
스핀 척(100)은 하부에 위치되어 구동부(200)에 의해 구동되는 스핀 모터(110)에 의해 회전될 수 있다. 스핀 모터(110)에 실린더 등의 승강 구동원이 설치되는 경우 스핀 척(100)은 상하로 이동 가능하다. 더불어, 스핀 척(100)의 주위에는 기판(W)으로부터 비산 또는 낙하하는 처리액을 받아 회수하는 컵(미도시)이 설치된다. 상기 컵의 하면에는 회수한 처리액을 배출하는 배출관과 상기 컵 내의 분위기를 배기하는 배기관이 접속될 수 있다.
액 공급 장치(400)는 처리액을 토출하는 노즐(411)과 노즐(411)을 지지하는 노즐암(412)을 갖는 노즐 부재(410), 노즐 부재(410)를 구동시키는 노즐 구동부(미도시), 노즐(411)로 처리액을 공급하는 액 공급 라인(420) 및 액 공급 라인(420)에 설치되는 밸브(미도시) 등을 포함한다.
액 공급 장치(400)는 기판(W)의 상부에 위치되어 후술할 기판의 회전 속도(V)가 제1 속도(V1)에서 제2 속도(V2)로 변경시 기판(W)으로 처리액을 공급한다. 여기서 처리액은 현상액으로서, 일 예로 포토레지스트액일 수 있다.
구동부(200)는 제어부(300)로부터의 제어 신호에 응답해서 스핀 모터(110)를 회전시킨다. 즉, 제어부(300)는 스핀 척(100)의 회전 속도가 변화되도록 구동부(200)를 제어한다.
또한, 제어부(300)는 스핀 척(100)의 회전 동작 뿐만 아니라, 상기 노즐 구동부에 의한 노즐(411)의 이동 동작, 상기 밸브에 의한 노즐(411)의 처리액 토출의 ON/OFF 동작 등을 제어할 수 있다.
제어부(300)는, 예를 들어 CPU나 메모리 등을 구비한 컴퓨터에 의해 구성되고, 메모리에 기억된 프로그램을 실행함으로써 기판 처리 장치(10)에 있어서의 기판의 회전 및 레지스트 도포 등의 공정 처리를 실현할 수 있다.
또한, 기판 처리 장치(10)에 있어서의 기판의 회전 속도 변화 및 레지스트 도포 처리 등을 실현하기 위한 각종 프로그램은, 예를 들어 컴퓨터 판독 가능한 CD 등의 기억 매체에 기억되어 있었던 것으로, 그 기억 매체로부터 제어부(300)에 인스톨된 것이 사용될 수 있다.
도 4는 본 발명의 일실시예에 따라 시간(t)에 대한 기판의 회전 속도(V) 변화를 도시한 그래프이고, 도 5는 도 4의 가속도(a) 변화를 도시한 그래프이다.
본 발명은 기판의 회전 속도(V)가 제1 속도(V1)와 제2 속도(V2) 사이에서 변경되는 동안, 기판의 회전 가속도(a)는 계속적으로 변경되는 구간을 갖는다.
도 4 및 도 5의 제1 구간(S1), 제2 구간(S2) 및 제3 구간(S3)의 그래프를 예로 들어 설명한다.
본 발명은 도 4의 그래프와 같이 기판의 회전 속도(V)가 제1 구간(S1)의 초기 제1 속도(V1)에서 제3 구간(S3)의 제2 속도(V2)로 증가되는 동안, 도 5의 기판의 회전 가속도(a)는 제1 구간(S1)에서는 계속적으로 증가하고 제3 구간(S2)에서는 계속적으로 감소한다. 이때, 제1 구간(S1)과 제3 구간(S3)에서 기판의 회전 가속도(a)는 선형으로 변경된다.
더불어, 본 발명은 도 4와 같이 기판의 회전 속도(V)가 제1 속도(V1)에서 제2 속도(V2)로 증가되는 동안 시간(t)에 대한 속도(V) 그래프는 곡선으로 제공되도록 변경된다. 이는 도 1의 속도 그래프가 초기부터 일정 속도로 증가할 때, 도 2의 가속도 그래프는 처음부터 급가속되는 것과 비교된다.
본 발명은 제1 구간(S1)에서 제1 속도(V1)에서 천천히 회전하기 시작하여 점점 회전 속도가 빨라지는 식으로 회전 가속도가 일정하게 증가하는 패턴이다. 이러한 기판의 회전 속도(V) 또는 회전 가속도(a)의 변화 패턴은 초기의 급작스런 회전으로 인한 진동 등을 방지하고 장치에 무리가 가지 않게 하면서도 공정 처리 준비를 원활하게 함으로써 레지스트액 등이 기판 전체에서 균일하게 도포될 수 있도록한다.
또한, 본 발명은 제1 속도(V1)에서 제2 속도(V2)로의 증가시 제1 속도(V1)와 제2 속도(V2) 사이에 제공되는 제3 속도(V3) 및 제4 속도(V4)를 더 포함한다. 도 4에 도시된 바와 같이, 제1 속도(V1), 제3 속도(V3), 제4 속도(V4) 및 제2 속도(V2)는 순차적으로 제공된다.
도 5와 같이, 본 발명은 제1 속도(V1)에서 제3 속도(V3)까지는 가속도(a1)가 증가하는 구간(S1)과, 제4 속도(V4)에서 제2 속도(V2)까지는 가속도(a2)가 감소하는 구간(S3)을 갖는다. 이때, 제1 속도(V1)에서 제3 속도(V3)까지의 가속도(a1)와 제4 속도(V4)에서 제2 속도(V2)까지의 가속도(a2)는 기울기가 동일할 수 있다.
또한, 본 발명은 제3 속도(V3)에서 제4 속도(V4)로의 증가시에는 가속도(a3)가 일정한 구간(S2)을 갖는다. 즉, 제2 구간(S2)에서는 속도가 일정하게 선형으로 증가하여 가속도(a3)가 일정하다.
상술한 예에서는 제1 구간(S1), 제2 구간(S2) 및 제3 구간(S3)에서 기판의 회전 속도(V)가 증가할 때 기판의 회전 가속도(a)의 변화율을 예시하였다. 그러나 본 발명은 제5 구간(S5), 제6 구간(S6) 및 제7 구간(S7)에서 기판의 회전 속도(V)가 제2 속도(V2)에서 제1 속도(V1)로 감소할 때 기판의 회전 가속도(a)의 변화율에도 동일하게 적용될 수 있다.
따라서, 도 4 및 도 5를 참조하면, 기판의 회전 속도(v)가 제1 속도(V1)에서 제2 속도(V2)로 증가시, 시간(t)에 대한 가속도(a) 그래프는 양의 값을 갖는 사다리꼴 형상으로 제공된다.
대칭적으로, 기판의 회전 속도(v)가 제2 속도(V2)에서 제1 속도(V1)로 감소시, 시간(t)에 대한 가속도(a) 그래프는 음의 값을 갖는 사다리꼴 형상으로 제공된다.
상기 사다리꼴 형상은 제1 속도(V1)와 제2 속도(V2) 사이에서 변경되는 속도의 변화율이 일정하지 않을 경우 에스커브(S-curve) 형상으로 변형될 수 있다. 더불어, 속도 변화의 패턴에 따라 그 형상은 사다리꼴과 에스커브(S-curve)의 중간 형태로 제공될 수도 있다.
따라서, 상술한 바와 같이 본 발명은 기판의 회전 속도 변경 동안 일정 구간에서 계속적으로 가속도가 변경되도록 하여 실제 가속 초기 및 설정 목표 속도 도달시 다양한 가감속 패턴을 사용할 수 있도록 구성한다.
즉, 본 발명은 기판의 회전 속도 제어 인자로서 기존 항목인 가속시간, 등속시간, 회전수에 저크(JERK) 제어 인자를 추가하여 다양한 패턴으로 기판의 회전 속도 변화를 수행한다. 여기서 저크(JERK)는 가속도의 시간 변화율을 지정하는 벡터를 의미한다. 또한, 기판 처리 레시피 작성시 가감속값 변화 정도(JERK 인자)를 레시피 작성 항목 부분에 추가하여 사용자가 직접 변경할 수 있도록 할 수 있다.
따라서 본 발명은 하나의 레시피 스텝(Recipe Step)에서 기판의 회전 속도에 대한 다양한 가감속 제어를 구현함으로써 전체 레시피 스텝을 감소시킬 수 있는 효과가 있다. 또한, 본 발명은 통합된 제어부 상에서 기판의 회전, 노즐암의 이동 및 처리액의 토출 등을 수행함으로써 동기화시 공정 처리 시간이 지연되는 것을 방지하여 시간 정밀도를 높일 수 있다.
본 발명의 일실시예에 따른 기판 처리 방법은, 스핀 척(100) 상에 기판(W)을 로딩하고 기판(W)을 스핀 모터(110)에 의해 회전시킨 상태에서 기판의 회전 속도(V)를 변경하면서 기판(W)의 처리를 수행한다.
여기서, 기판의 회전 속도(V)가 제1 속도(V1)와 제2 속도(V2) 사이에서 변경되는 동안 기판의 회전 가속도(a)가 계속적으로 변경되는 구간(S1,S3)을 가진다. 일 예에 의하면, 제1 구간(S1)과 제3 구간(S3)에서 기판의 회전 가속도(a)는 선형으로 변경된다. 또한, 제1 속도(V1)에서 제2 속도(V2)로의 변경시 시간(t)에 대한 속도(V) 그래프는 곡선으로 제공되도록 변경된다.
상기와 같이, 기판의 회전 속도(V)가 제1 속도(V1)에서 제2 속도(V2)로 변경시 액 공급 장치(400)를 통해 기판(W) 상으로 액을 공급하여 기판의 처리 공정이 수행된다.
상기와 같이 본 발명은 기판 처리시 기판을 회전하는 인자에 가감속 변화량을 설정한 가감속 프로파일을 이용하여 사용자가 레시피의 스텝 단축 및 통합된 기판 회전, 노즐암 구동 및 토출 밸브 제어를 통한 각 제어 구성 요소의 동기화 정밀도를 향상시킬 수 있다.
이상의 실시 형태에서는, 레지스트액의 도포 처리를 예로 들어 설명했으나, 본 발명은 레지스트액 이외의 다른 도포액, 예를 들어 반사 방지막, SOG(Spin On Glass)막, SOD(Spin On Dielectric)막 등을 형성하는 도포액의 도포 처리에도 적용할 수 있다. 또한, 이상의 실시 형태에서는 웨이퍼(W)에 도포 처리를 행하는 예였으나, 본 발명은 웨이퍼 이외의 예를 들어 FPD(플랫 패널 디스플레이), 포토마스크용의 마스크 레티클 등의 다른 기판의 도포 처리에도 적용할 수 있다. 더불어, 상술한 예에서는 액 공급 장치를 예로 들어 기판의 처리를 수행하는 것을 예시하였으나, 기판의 가열 또는 냉각시에도 적용될 수 있다.
이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시 예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시 예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
10 : 기판 처리 장치 100 : 스핀 척
110 : 스핀 모터 200 : 구동부
300 : 제어부 400 : 액 공급 장치
410 : 노즐 부재 411 : 노즐
412 : 노즐암 420 : 액 공급 라인

Claims (14)

  1. 기판을 처리하는 장치에 있어서,
    기판이 로딩되고 기판을 회전시키는 스핀 척과;
    상기 스핀 척을 회전시키는 스핀 모터를 구동하는 구동부와;
    상기 스핀 척의 회전 속도가 변화되도록 상기 구동부를 제어하는 제어부; 및
    액 공급 장치를 포함하되,
    기판의 회전 속도가 제1 속도에서 제2 속도로 증가하는 동안 기판의 회전 가속도는 계속적으로 변경되는 구간을 가지고,
    상기 제2 속도에 도달하는 시점부터 상기 기판으로 액을 공급하는 기판 처리 장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 구간에서 상기 기판의 회전 가속도는 선형으로 변경되는 기판 처리 장치.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 제1 속도에서 상기 제2 속도로의 변경시 시간에 대한 속도 그래프는 곡선으로 제공되도록 변경되는 기판 처리 장치.
  4. 제 1항 내지 제 3항 중 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 제1 속도에서 상기 제2 속도로의 변경시 상기 제1 속도와 상기 제2 속도 사이에 제공되는 제3 속도 및 제4 속도를 더 포함하되,
    상기 제1 속도에서 상기 제3 속도까지는 가속도가 증가하는 구간과, 상기 제4 속도에서 상기 제2 속도까지는 가속도가 감소하는 구간을 가지는 기판 처리 장치.
  5. 제 4항에 있어서,
    상기 제3 속도에서 상기 제4 속도로의 변경시에는 가속도가 일정한 구간을 가지고,
    상기 제1 속도에서 상기 제3 속도까지의 가속도와 상기 제4 속도에서 상기 제2 속도까지의 가속도는 기울기가 동일한 기판 처리 장치.
  6. 제 4항에 있어서,
    상기 제1 속도, 상기 제3 속도, 상기 제4 속도 및 상기 제2 속도는 순차적으로 제공되고,
    상기 제1 속도에서 상기 제2 속도로 증가시 시간에 대한 가속도 그래프는 양의 값을 갖는 사다리꼴 또는 에스커브(S-Curve) 형상으로 제공되고,
    상기 제2 속도에서 상기 제1 속도로 감소시 시간에 대한 가속도 그래프는 음의 값을 갖는 사다리꼴 또는 에스커브(S-curve) 형상으로 제공되는 기판 처리 장치.
  7. 삭제
  8. 기판을 처리하는 방법에 있어서,
    스핀 척 상에 기판을 로딩하고 기판을 회전시킨 상태에서 기판을 처리하되, 기판의 회전 속도가 제1 속도에서 제2 속도로 증가하는 동안 기판의 회전 가속도가 계속적으로 변경되는 구간을 가지고,
    상기 제2 속도에 도달하는 시점부터 상기 기판으로 액을 공급하는 기판 처리 방법.
  9. 제 8항에 있어서,
    상기 구간에서 상기 기판의 회전 가속도는 선형으로 변경되는 기판 처리 방법.
  10. 제 8항에 있어서,
    상기 제1 속도에서 상기 제2 속도로의 변경시 시간에 대한 속도 그래프는 곡선으로 제공되도록 변경되는 기판 처리 방법.
  11. 제 8항 내지 제 10항 중 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 제1 속도에서 상기 제2 속도로의 변경시 상기 제1 속도와 상기 제2 속도 사이에 제공되는 제3 속도 및 제4 속도를 더 포함하되,
    상기 제1 속도에서 상기 제3 속도까지는 가속도가 증가하는 구간과, 상기 제4 속도에서 상기 제2 속도까지는 가속도가 감소하는 구간을 가지는 기판 처리 방법.
  12. 제 11항에 있어서,
    상기 제3 속도에서 상기 제4 속도로의 변경시에는 가속도가 일정한 구간을 가지고,
    상기 제1 속도에서 상기 제3 속도까지의 가속도와 상기 제4 속도에서 상기 제2 속도까지의 가속도는 기울기가 동일한 기판 처리 방법.
  13. 제 11항에 있어서,
    상기 제1 속도, 상기 제3 속도, 상기 제4 속도 및 상기 제2 속도는 순차적으로 제공되고,
    상기 제1 속도에서 상기 제2 속도로 증가시 시간에 대한 가속도 그래프는 양의 값을 갖는 사다리꼴 또는 에스커브(S-Curve) 형상으로 제공되고,
    상기 제2 속도에서 상기 제1 속도로 감소시 시간에 대한 가속도 그래프는 음의 값을 갖는 사다리꼴 또는 에스커브(S-curve) 형상으로 제공되는 기판 처리 방법.
  14. 삭제
KR1020140015670A 2014-02-11 2014-02-11 기판 처리 장치 및 방법 KR101570163B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140015670A KR101570163B1 (ko) 2014-02-11 2014-02-11 기판 처리 장치 및 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140015670A KR101570163B1 (ko) 2014-02-11 2014-02-11 기판 처리 장치 및 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20150094416A KR20150094416A (ko) 2015-08-19
KR101570163B1 true KR101570163B1 (ko) 2015-11-19

Family

ID=54057910

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020140015670A KR101570163B1 (ko) 2014-02-11 2014-02-11 기판 처리 장치 및 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101570163B1 (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160002612A (ko) * 2015-12-11 2016-01-08 이현재 반도체 전공정, 의료 장비 및 이화학기기용 스핀장치

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2950849B2 (ja) * 1989-06-02 1999-09-20 東京エレクトロン株式会社 塗布方法
JP2009078250A (ja) 2007-09-27 2009-04-16 Tokyo Electron Ltd 塗布処理方法、塗布処理装置及びコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
JP2009207997A (ja) * 2008-03-04 2009-09-17 Toshiba Corp 回転塗布方法、および回転塗布装置
JP2013230468A (ja) * 2013-06-12 2013-11-14 Tokyo Electron Ltd 塗布処理方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び塗布処理装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2950849B2 (ja) * 1989-06-02 1999-09-20 東京エレクトロン株式会社 塗布方法
JP2009078250A (ja) 2007-09-27 2009-04-16 Tokyo Electron Ltd 塗布処理方法、塗布処理装置及びコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
JP2009207997A (ja) * 2008-03-04 2009-09-17 Toshiba Corp 回転塗布方法、および回転塗布装置
JP2013230468A (ja) * 2013-06-12 2013-11-14 Tokyo Electron Ltd 塗布処理方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び塗布処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR20150094416A (ko) 2015-08-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5296021B2 (ja) 塗布処理方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び塗布処理装置
KR101597848B1 (ko) 도포 처리 방법, 컴퓨터 기억 매체 및 도포 처리 장치
US8043657B2 (en) Coating treatment method
KR101332138B1 (ko) 도포 처리 방법, 도포 처리 장치 및 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체
US20070009839A1 (en) Pattern forming method, film forming apparatus and pattern forming apparatus
KR101509595B1 (ko) 도포 처리 방법 및 컴퓨터 기억 매체
JP5731578B2 (ja) 塗布処理方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び塗布処理装置
JP2012196609A (ja) 塗布処理方法および塗布処理装置
US8580340B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
KR101337840B1 (ko) 액침 노광용 세정 장치 및 세정 방법, 및 기억 매체
JP5091722B2 (ja) 塗布処理方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び塗布処理装置
US11065639B2 (en) Coating treatment method, computer storage medium and coating treatment apparatus
JP2019016654A (ja) 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
JP6448064B2 (ja) スピンコーティングにおける欠陥制御のためのカバープレート
JP6148210B2 (ja) 現像方法及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体
CN103116248A (zh) 涂布装置及其涂布方法
KR101570163B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
TW201544197A (zh) 塗佈處理方法、程式、電腦記憶媒體及塗佈處理裝置
JP4934060B2 (ja) 基板の処理方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び塗布処理システム
US11571709B2 (en) Substrate treatment method and substrate treatment apparatus
KR20030010656A (ko) 코팅 방법들 및 코팅용 기기들
US9786524B2 (en) Developing unit with multi-switch exhaust control for defect reduction
JP2015216168A (ja) 塗布膜形成装置、塗布膜形成方法、記憶媒体
JP2006194577A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
KR20220157319A (ko) 도포 처리 방법 및 도포 처리 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20191106

Year of fee payment: 5