JP2013230468A - 塗布処理方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び塗布処理装置 - Google Patents
塗布処理方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び塗布処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013230468A JP2013230468A JP2013124139A JP2013124139A JP2013230468A JP 2013230468 A JP2013230468 A JP 2013230468A JP 2013124139 A JP2013124139 A JP 2013124139A JP 2013124139 A JP2013124139 A JP 2013124139A JP 2013230468 A JP2013230468 A JP 2013230468A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- rotation
- wafer
- rotational speed
- coating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000576 coating method Methods 0.000 title claims abstract description 117
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 title claims abstract description 105
- 238000003860 storage Methods 0.000 title claims description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 141
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 50
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract description 49
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 66
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 claims description 54
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 39
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 15
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 claims description 12
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 10
- 238000003672 processing method Methods 0.000 claims description 10
- 230000007480 spreading Effects 0.000 claims description 4
- 238000003892 spreading Methods 0.000 claims description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 10
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 7
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 5
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 4
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 3
- 238000012795 verification Methods 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Materials For Photolithography (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
【解決手段】回転中のウェハ上に溶剤を供給し、ウェハを第6の回転数で回転させて溶剤を拡散させる(工程S1)。ウェハの回転を第1の回転数まで加速させ、第1の回転数でウェハを回転させる(工程S2)。ウェハの回転を第2の回転数まで減速させ、ウェハWを第2の回転数で回転させる(工程S3)。ウェハの回転を第3の回転数までさらに加速し、第3の回転数でウェハを回転させる(工程S4)。ウェハの回転を第4の回転数である0rpm超500rpm以下まで減速させ、第4の回転数で1〜10秒間ウェハを回転させる(工程S5)。ウェハの回転を第5の回転数まで加速し、第5の回転数でウェハを回転させる(工程S6)。工程S2から工程S3の途中まで、あるいは工程S2の間ウェハの中心にレジスト液を連続的に供給する。
【選択図】図3
Description
20 スピンチャック
33 レジスト液ノズル
40 溶剤ノズル
50 制御部
F レジスト膜
R レジスト液
W ウェハ
Claims (17)
- 基板上に塗布液を塗布する方法であって、
第1の回転数で基板を回転させる第1の工程と、
その後、基板の回転を減速し、第1の回転数より遅い第2の回転数で基板を回転させる第2の工程と、
その後、基板の回転を加速し、第2の回転数より速く且つ第1の回転数より遅い第3の回転数で基板を回転させる第3の工程と、
その後、基板の回転を減速し、第3の回転数より遅い第4の回転数で基板を回転させて塗布液の乾燥を抑えつつ基板中心部の塗布液を基板の外周に広げる第4の工程と、
その後、基板の回転を加速し、第4の回転数より速い第5の回転数で基板を回転させる第5の工程と、を有し、
前記第1の回転数は2000rpm〜3500rpmであり、
基板の中心部への塗布液の供給を前記第1の工程から前記第2の工程の途中まで、あるいは前記第1の工程の間連続して行い、前記第4の回転数は0rpm超500rpm以下であることを特徴とする、塗布処理方法。 - 前記第4の工程において、第4の回転数での基板の回転を1〜10秒間行うことを特徴とする、請求項1に記載の塗布処理方法。
- 前記第1の工程の前に、第1の回転数より遅い第6の回転数で基板を回転させる第6の工程をさらに有することを特徴とする、請求項1または2のいずれかに記載の塗布処理方法。
- 前記第1の工程において、基板の回転の加速度を第1の加速度、前記第1の加速度よりも大きい第2の加速度、前記第2の加速度よりも小さい第3の加速度の順に変化させ、当該基板を第6の回転数から第1の回転数まで加速回転させることを特徴とする、請求項3に記載の塗布処理方法。
- 前記第1の工程において、開始前に第6の回転数であった基板の回転を、開始後にその回転数が連続的に変動するように次第に加速させ、終了時には、基板の回転の加速度を次第に減少させて、基板の回転を第1の回転数に収束させることを特徴とする、請求項3に記載の塗布処理方法。
- 前記第1の工程において、基板の回転の加速度を一定にして、当該基板を第6の回転数から第1の回転数まで加速回転させることを特徴とする、請求項3に記載の塗布処理方法。
- 前記第6の工程の前に、第6の回転数より速い回転数で基板を回転させながら基板上に溶剤を塗布することを特徴とする、請求項3〜6のいずれかに記載の塗布処理方法。
- 前記第6の工程において、第6の回転数で基板を回転させながら基板上に溶剤を塗布することを特徴とする、請求項3〜6のいずれかに記載の塗布処理方法。
- 前記第1の工程において、第1の回転数で基板を回転させる前に、第1の回転数より速い第7の回転数で基板を回転させることを特徴とする、請求項1〜3のいずれかに記載の塗布処理方法。
- 前記第7の回転数は4000rpm以下であり、
前記第1の工程において当該第7の回転数での基板の回転を0.1秒〜0.5秒間行うことを特徴とする、請求項9に記載の塗布処理方法。 - 前記第1の工程と前記第2の工程の間に、第1の回転数より遅く、且つ第2の回転数より速い第8の回転数で基板を回転させる第7の工程を有し、
前記第8の回転数は1500rpm〜2000rpmであることを特徴とする、請求項1〜10のいずれかに記載の塗布処理方法。 - 前記第7の工程において、基板の回転の加速度を第4の加速度、前記第4の加速度よりも大きい第5の加速度の順に変化させ、当該基板を第1の回転数から第8の回転数まで減速回転させることを特徴とする、請求項11に記載の塗布処理方法。
- 前記第7の工程において、開始前に第1の回転数であった基板の回転を、開始後にその回転数が連続的に変動するように次第に減速させ、終了時には、基板の回転の加速度を次第に増加させて、基板の回転を第8の回転数に収束させることを特徴とする、請求項11に記載の塗布処理方法。
- 前記第7の工程において、基板の回転の加速度を一定にして、当該基板を第1の回転数から第8の回転数まで減速回転させることを特徴とする、請求項11のいずれかに記載の塗布処理方法。
- 請求項1〜14のいずれかに記載の塗布処理方法を塗布処理装置によって実行させるために、当該塗布処理装置を制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラム。
- 請求項15に記載のプログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体。
- 基板上に塗布液を塗布する塗布処理装置であって、基板を保持して回転させる回転保持部と、基板に塗布液を供給する塗布液ノズルと、2000rpm〜3500rpmである第1の回転数で基板を回転させる第1の工程と、その後、基板の回転を減速し、第1の回転数より遅い第2の回転数で基板を回転させる第2の工程と、その後、基板の回転を加速し、第2の回転数より速く且つ第1の回転数より遅い第3の回転数で基板を回転させる第3の工程と、その後、基板の回転を減速し、第3の回転数より遅い0rpm超500rpm以下である第4の回転数で基板を回転させて塗布液の乾燥を抑えつつ基板中心部の塗布液を基板の外周に広げる第4の工程と、その後、基板の回転を加速し、第4の回転数より速い第5の回転数で基板を回転させる第5の工程と、を実行するように前記回転保持部を制御し、かつ基板の中心部への塗布液の供給を前記第1の工程から前記第2の工程の途中まで、あるいは前記第1の工程の間連続して行うように前記塗布液ノズルを制御する制御部と、を有することを特徴とする、塗布処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013124139A JP5731578B2 (ja) | 2013-06-12 | 2013-06-12 | 塗布処理方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び塗布処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013124139A JP5731578B2 (ja) | 2013-06-12 | 2013-06-12 | 塗布処理方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び塗布処理装置 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010166243A Division JP5296021B2 (ja) | 2010-07-23 | 2010-07-23 | 塗布処理方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び塗布処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013230468A true JP2013230468A (ja) | 2013-11-14 |
JP5731578B2 JP5731578B2 (ja) | 2015-06-10 |
Family
ID=49677432
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013124139A Active JP5731578B2 (ja) | 2013-06-12 | 2013-06-12 | 塗布処理方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び塗布処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5731578B2 (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015109306A (ja) * | 2013-12-03 | 2015-06-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布膜形成装置、塗布膜形成方法、記憶媒体 |
KR101570163B1 (ko) * | 2014-02-11 | 2015-11-19 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 방법 |
JP2015213887A (ja) * | 2014-05-12 | 2015-12-03 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布膜形成方法、塗布膜形成装置及び記憶媒体 |
KR20160135905A (ko) * | 2015-05-18 | 2016-11-29 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 방법 및 장치 |
KR20160135903A (ko) * | 2015-05-18 | 2016-11-29 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 방법 및 장치 |
WO2017145840A1 (ja) * | 2016-02-26 | 2017-08-31 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法、基板処理装置及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
US9793118B2 (en) | 2015-03-31 | 2017-10-17 | Semes Co., Ltd. | Method and apparatus for treating substrate |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63128628A (ja) * | 1986-11-18 | 1988-06-01 | Nec Corp | レジストの塗布方法 |
JP2006156565A (ja) * | 2004-11-26 | 2006-06-15 | Sharp Corp | 回転塗布方法 |
JP2008060462A (ja) * | 2006-09-01 | 2008-03-13 | Tokyo Electron Ltd | 塗布処理方法、プログラム、コンピュータ読み取り可能な記録媒体及び塗布処理装置 |
JP2008071960A (ja) * | 2006-09-14 | 2008-03-27 | Tokyo Electron Ltd | 塗布処理方法 |
JP2008251810A (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-16 | Fujitsu Microelectronics Ltd | 塗布液の塗布方法及び半導体装置の製造方法 |
JP5296021B2 (ja) * | 2010-07-23 | 2013-09-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布処理方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び塗布処理装置 |
-
2013
- 2013-06-12 JP JP2013124139A patent/JP5731578B2/ja active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63128628A (ja) * | 1986-11-18 | 1988-06-01 | Nec Corp | レジストの塗布方法 |
JP2006156565A (ja) * | 2004-11-26 | 2006-06-15 | Sharp Corp | 回転塗布方法 |
JP2008060462A (ja) * | 2006-09-01 | 2008-03-13 | Tokyo Electron Ltd | 塗布処理方法、プログラム、コンピュータ読み取り可能な記録媒体及び塗布処理装置 |
JP2008071960A (ja) * | 2006-09-14 | 2008-03-27 | Tokyo Electron Ltd | 塗布処理方法 |
JP2008251810A (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-16 | Fujitsu Microelectronics Ltd | 塗布液の塗布方法及び半導体装置の製造方法 |
JP5296021B2 (ja) * | 2010-07-23 | 2013-09-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布処理方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び塗布処理装置 |
Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI607805B (zh) * | 2013-12-03 | 2017-12-11 | 東京威力科創股份有限公司 | 塗佈膜形成裝置、塗佈膜形成方法、記憶媒體 |
US9687873B2 (en) | 2013-12-03 | 2017-06-27 | Tokyo Electron Limited | Coating film forming apparatus having ring-shaped baffle member movable between processing position and retreated position |
KR102289735B1 (ko) * | 2013-12-03 | 2021-08-12 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 도포막 형성 장치, 도포막 형성 방법, 및 기억 매체 |
JP2015109306A (ja) * | 2013-12-03 | 2015-06-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布膜形成装置、塗布膜形成方法、記憶媒体 |
KR20150064667A (ko) * | 2013-12-03 | 2015-06-11 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 도포막 형성 장치, 도포막 형성 방법, 및 기억 매체 |
KR101570163B1 (ko) * | 2014-02-11 | 2015-11-19 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 방법 |
JP2015213887A (ja) * | 2014-05-12 | 2015-12-03 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布膜形成方法、塗布膜形成装置及び記憶媒体 |
KR101842118B1 (ko) * | 2015-03-31 | 2018-05-15 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 방법 및 장치 |
US9793118B2 (en) | 2015-03-31 | 2017-10-17 | Semes Co., Ltd. | Method and apparatus for treating substrate |
KR20160135903A (ko) * | 2015-05-18 | 2016-11-29 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 방법 및 장치 |
KR20160135905A (ko) * | 2015-05-18 | 2016-11-29 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 방법 및 장치 |
KR102315661B1 (ko) * | 2015-05-18 | 2021-10-22 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 방법 및 장치 |
KR102330278B1 (ko) * | 2015-05-18 | 2021-11-25 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 방법 및 장치 |
WO2017145840A1 (ja) * | 2016-02-26 | 2017-08-31 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法、基板処理装置及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
JPWO2017145840A1 (ja) * | 2016-02-26 | 2018-12-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法、基板処理装置及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5731578B2 (ja) | 2015-06-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5296021B2 (ja) | 塗布処理方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び塗布処理装置 | |
JP5282072B2 (ja) | 塗布処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 | |
JP5731578B2 (ja) | 塗布処理方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び塗布処理装置 | |
JP5091722B2 (ja) | 塗布処理方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び塗布処理装置 | |
JP2012196609A (ja) | 塗布処理方法および塗布処理装置 | |
JP5886935B1 (ja) | 塗布処理方法、コンピュータ記憶媒体及び塗布処理装置 | |
JP4805769B2 (ja) | 塗布処理方法 | |
JP5337180B2 (ja) | 塗布処理方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び塗布処理装置 | |
JP6212066B2 (ja) | 塗布処理方法、コンピュータ記憶媒体及び塗布処理装置 | |
JP2007115936A (ja) | レジスト塗布方法およびレジスト塗布装置 | |
US10921713B2 (en) | Developing method, computer-readable storage medium and developing apparatus | |
WO2018116745A1 (ja) | 塗布処理方法、コンピュータ記憶媒体及び塗布処理装置 | |
JP2008307488A (ja) | 塗布処理方法、塗布処理装置、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 | |
JP2015153857A (ja) | 塗布処理方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び塗布処理装置 | |
JP2016115939A (ja) | 塗布処理方法、コンピュータ記憶媒体及び塗布処理装置 | |
KR101570163B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 방법 | |
JP2022178623A (ja) | 塗布処理方法および塗布処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140805 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20141003 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150331 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150409 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5731578 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |