JPS63128628A - レジストの塗布方法 - Google Patents
レジストの塗布方法Info
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- JPS63128628A JPS63128628A JP27591086A JP27591086A JPS63128628A JP S63128628 A JPS63128628 A JP S63128628A JP 27591086 A JP27591086 A JP 27591086A JP 27591086 A JP27591086 A JP 27591086A JP S63128628 A JPS63128628 A JP S63128628A
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Links
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Landscapes
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、レジスト塗布方法に関し、特にストリエーシ
ョンを少なくしてレジストをスピン塗布する方法に関す
る。
ョンを少なくしてレジストをスピン塗布する方法に関す
る。
通常、半導体集積回路の製造には、微細パターンを形成
するため、短波長の可視光、紫外光を用いた光転写技術
が使用されている。この光転写技術は膜形成工程、レジ
スト塗布工程、露光工程。
するため、短波長の可視光、紫外光を用いた光転写技術
が使用されている。この光転写技術は膜形成工程、レジ
スト塗布工程、露光工程。
現像工程およびエツチング工程からなシ、一連の工程を
通して、再現性よく高能率で微細パターンを形成する。
通して、再現性よく高能率で微細パターンを形成する。
このうち、レジスト塗布工程は、最後の工、チング工程
で保護膜として働ら〈レジスト膜を形成する工程で、％
にミグ１ンオーダーのレジスト薄膜を再現性よく均一に
形成するため、以下に述べるスピン塗布法が広く用いら
れている。
で保護膜として働ら〈レジスト膜を形成する工程で、％
にミグ１ンオーダーのレジスト薄膜を再現性よく均一に
形成するため、以下に述べるスピン塗布法が広く用いら
れている。
スピン塗布法は、静止または低速度で回転する基板上に
適量のレジストを滴下し、粘度に応じた回転速度（２０
０〜１ｏｏｏｒｐｍ）で基板となじませたのち、望みの
厚さを得るために Ｓ：濃度 ｔ：膜厚 で与えられる回転数で、一定時間回転を続け１．不要な
レジストを振り切り、残ったレジストを乾燥させること
によシ、レジストの薄膜を形成する方法である。
適量のレジストを滴下し、粘度に応じた回転速度（２０
０〜１ｏｏｏｒｐｍ）で基板となじませたのち、望みの
厚さを得るために Ｓ：濃度 ｔ：膜厚 で与えられる回転数で、一定時間回転を続け１．不要な
レジストを振り切り、残ったレジストを乾燥させること
によシ、レジストの薄膜を形成する方法である。
上述した従来のスピン塗布法では、定速回転のためレジ
ス）Ｋ加わる力は水平面内では遠心力のみであるので、
基板上に何らかの構造が形成されている場合、レジスト
中に局所的な粘度・濃度の不均一を生じた場合等には、
放射状のストリエーションと呼ばれる脈理が発生し、微
細加工の重大な問題点となっていた。
ス）Ｋ加わる力は水平面内では遠心力のみであるので、
基板上に何らかの構造が形成されている場合、レジスト
中に局所的な粘度・濃度の不均一を生じた場合等には、
放射状のストリエーションと呼ばれる脈理が発生し、微
細加工の重大な問題点となっていた。
上記の問題点に対し、従来の塗布法が定速で基板を回転
させてレジスト膜を形成していたのに対し、本発明では
、基板を回転させて基板上のレジストを振シ切り乾燥さ
せる工程において、基板の回転速度をＯまたは低速から
ピークの高速回転、この高速回転からＯｔたけ低速回転
とくシ返し変化させることにより、レジストに加わる速
度変化の際の加速度に対応した力（遠心力との合力）の
方向および大きさを経時的に変化させ、回転によシ基板
の構造物等によシ生ずるレジストのストリエーションが
硬化する前に、膜厚の厚い部分と薄い部分との物質の対
流を促進し、ストリエーシ。
させてレジスト膜を形成していたのに対し、本発明では
、基板を回転させて基板上のレジストを振シ切り乾燥さ
せる工程において、基板の回転速度をＯまたは低速から
ピークの高速回転、この高速回転からＯｔたけ低速回転
とくシ返し変化させることにより、レジストに加わる速
度変化の際の加速度に対応した力（遠心力との合力）の
方向および大きさを経時的に変化させ、回転によシ基板
の構造物等によシ生ずるレジストのストリエーションが
硬化する前に、膜厚の厚い部分と薄い部分との物質の対
流を促進し、ストリエーシ。
ンを消すことによシ、均一な膜厚を有するレジスト薄膜
を形成する。
を形成する。
次に本発明について実施例によシ説明する。
第１図は、本発明の実施例の一つで、粘度が３９ ＣＰ
のレジストを、約１．４μｍの段差を有する基板上に厚
さ０．６μｍに塗布した時の基板回転の経時変化を示す
グラフである。第１図において、レジストは、静止期間
Ａ中に通常通り滴下され、低速回転期間Ｂ中では、基板
上全面にレジストが広げられ、基板との密着性の安定化
がはかられる。
のレジストを、約１．４μｍの段差を有する基板上に厚
さ０．６μｍに塗布した時の基板回転の経時変化を示す
グラフである。第１図において、レジストは、静止期間
Ａ中に通常通り滴下され、低速回転期間Ｂ中では、基板
上全面にレジストが広げられ、基板との密着性の安定化
がはかられる。
次に、振り切り期間Ｃで、余分のレジストを基板外へ振
シ切り、所望の膜厚を形成するのに必要なレジストのみ
を残す。最後の乾燥期間りで社、基板回転速度を０から
３０００回転のピーク高速回転へ、この高速回転から０
へ、つぎに０回転から２５００回転のピーク値、つぎに
また０回転へとくシ返して断続した回転をさせるととＫ
よシ、第２図（ａ）に示す、基板ｌの上のレジスト２に
おけるソリエージ、ン断面に速度変化の際のＦｌ 、Ｆ
２の力を加えると、凸部３から凹部４への物質流が起き
、これは第２図（ｂ）のように均一になったとζろで平
衡に達する。この間、基板の回転速度が大きいと、スト
リエーションの発生が継続的におきるため、最大ピーク
の回転速度を指数関数的におとし、基板中心部と周辺部
での膜厚差、基板間の膜厚のばらつきをおさえつつ、ス
トリエーションの発生を最小限にした。この結果、レジ
ストの乾燥が進むにつれストリエーション拡消滅してゆ
き、塗布終了時には、均一なレジスト薄膜が得られた。
シ切り、所望の膜厚を形成するのに必要なレジストのみ
を残す。最後の乾燥期間りで社、基板回転速度を０から
３０００回転のピーク高速回転へ、この高速回転から０
へ、つぎに０回転から２５００回転のピーク値、つぎに
また０回転へとくシ返して断続した回転をさせるととＫ
よシ、第２図（ａ）に示す、基板ｌの上のレジスト２に
おけるソリエージ、ン断面に速度変化の際のＦｌ 、Ｆ
２の力を加えると、凸部３から凹部４への物質流が起き
、これは第２図（ｂ）のように均一になったとζろで平
衡に達する。この間、基板の回転速度が大きいと、スト
リエーションの発生が継続的におきるため、最大ピーク
の回転速度を指数関数的におとし、基板中心部と周辺部
での膜厚差、基板間の膜厚のばらつきをおさえつつ、ス
トリエーションの発生を最小限にした。この結果、レジ
ストの乾燥が進むにつれストリエーション拡消滅してゆ
き、塗布終了時には、均一なレジスト薄膜が得られた。
第３図は本発明の他の実施例の基板回転の経時変化を示
すグラフである。第３図において、粘度が２５ｃｐのレ
ジストを約ｔ２μｍの段差を有する基板上に厚さ約０．
６μｍにダイナミ、クディスベンスする場合である。回
転滴下期間Ｅでは、レジスト社、低速で回転する基板上
に滴下され、ウェーハ全面に遠心力で広げられる。この
期間はレジストの乾燥も同時に進行するためス） ＩＪ
エージ１ンが発生しやすいので、特にこの期間Ｅの後半
では基板は定速回転か減速と加速の数回のくシ返し回転
に移行する。振り切り期間Ｃでは、不要なレジストを遠
心力で振シ切るが、ダイナミックディスペンスでは、高
速回転の時間をできるだけ短時間におさえている。乾燥
期間りでは、基板の回転ｔ−ｏ回転から２５００回の高
速回転へ加速し、ピークの高速回転から０回転へ減速し
、次にピーク値２０００回の高速回転、また０回転へと
く夛返す。
すグラフである。第３図において、粘度が２５ｃｐのレ
ジストを約ｔ２μｍの段差を有する基板上に厚さ約０．
６μｍにダイナミ、クディスベンスする場合である。回
転滴下期間Ｅでは、レジスト社、低速で回転する基板上
に滴下され、ウェーハ全面に遠心力で広げられる。この
期間はレジストの乾燥も同時に進行するためス） ＩＪ
エージ１ンが発生しやすいので、特にこの期間Ｅの後半
では基板は定速回転か減速と加速の数回のくシ返し回転
に移行する。振り切り期間Ｃでは、不要なレジストを遠
心力で振シ切るが、ダイナミックディスペンスでは、高
速回転の時間をできるだけ短時間におさえている。乾燥
期間りでは、基板の回転ｔ−ｏ回転から２５００回の高
速回転へ加速し、ピークの高速回転から０回転へ減速し
、次にピーク値２０００回の高速回転、また０回転へと
く夛返す。
このくり返しの回転速度の変化の際に、基板上のレジス
トは回転方向への力を受けながら乾燥され、ストリエー
ションのない膜厚の均一なレジスト薄膜が形成される。
トは回転方向への力を受けながら乾燥され、ストリエー
ションのない膜厚の均一なレジスト薄膜が形成される。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は、レジストを塗布する工程
で、断続的に基板を回転させ、この断続の際の回転速度
の変化率、すなわち、加速度に対応した力を基板上のレ
ジストに加えることによシ、遠心力が原因で発生したス
） ＩＪエニーョンや局所的な膜厚不均一を消滅させ、
均一なレジスト薄膜が得られる効果がある。
で、断続的に基板を回転させ、この断続の際の回転速度
の変化率、すなわち、加速度に対応した力を基板上のレ
ジストに加えることによシ、遠心力が原因で発生したス
） ＩＪエニーョンや局所的な膜厚不均一を消滅させ、
均一なレジスト薄膜が得られる効果がある。
第１図は本発明の一実施例のレジスト塗布方法に係る基
板回転の経時変化を示すグラフ、第２図（ａ） 、 （
ｂ）はストリエーションの消滅を説明するための断面図
、第３図は本発明の他の実施例に係る基板回転の経時変
化を示すグラフである。 １・・・・・・基板、２・・・・・・レジスト、３・・
・・・・凸部、４・・・・・・凹部、Ａ・・・・・・レ
ジスト滴下静止期間、Ｂ・・・・・・低速回転期間、Ｃ
・・・・・・振シ切ｐ期間、Ｄ・・・・・・乾燥期間、
Ｅ・・・・・・回転塗布期間＠ 目献牧６、Ｐ− 第 １ 図 給２図
板回転の経時変化を示すグラフ、第２図（ａ） 、 （
ｂ）はストリエーションの消滅を説明するための断面図
、第３図は本発明の他の実施例に係る基板回転の経時変
化を示すグラフである。 １・・・・・・基板、２・・・・・・レジスト、３・・
・・・・凸部、４・・・・・・凹部、Ａ・・・・・・レ
ジスト滴下静止期間、Ｂ・・・・・・低速回転期間、Ｃ
・・・・・・振シ切ｐ期間、Ｄ・・・・・・乾燥期間、
Ｅ・・・・・・回転塗布期間＠ 目献牧６、Ｐ− 第 １ 図 給２図
Claims (1)
- 基板上にレジストを滴下し、この基板を回転させて該
基板上のレジストを振り切り乾燥させることを含むレジ
ストの塗布方法において、前記基板の回転速度を０また
は低速回転からピークの高速回転へ、このピーク高速回
転から０または低速回転にくり返し変化させることを特
徴とするレジストの塗布方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27591086A JPS63128628A (ja) | 1986-11-18 | 1986-11-18 | レジストの塗布方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27591086A JPS63128628A (ja) | 1986-11-18 | 1986-11-18 | レジストの塗布方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63128628A true JPS63128628A (ja) | 1988-06-01 |
Family
ID=17562132
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27591086A Pending JPS63128628A (ja) | 1986-11-18 | 1986-11-18 | レジストの塗布方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63128628A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4971931A (en) * | 1990-02-12 | 1990-11-20 | Eastman Kodak Company | Diffuser features for spin-coated films |
| JP2011119597A (ja) * | 2009-12-07 | 2011-06-16 | Sokudo Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
| JP2013230468A (ja) * | 2013-06-12 | 2013-11-14 | Tokyo Electron Ltd | 塗布処理方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び塗布処理装置 |
| US8940649B2 (en) | 2010-07-23 | 2015-01-27 | Tokyo Electron Limited | Coating treatment method, non-transitory computer storage medium and coating treatment apparatus |
-
1986
- 1986-11-18 JP JP27591086A patent/JPS63128628A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4971931A (en) * | 1990-02-12 | 1990-11-20 | Eastman Kodak Company | Diffuser features for spin-coated films |
| JP2011119597A (ja) * | 2009-12-07 | 2011-06-16 | Sokudo Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
| US8580340B2 (en) | 2009-12-07 | 2013-11-12 | Sokudo Co., Ltd. | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
| US8940649B2 (en) | 2010-07-23 | 2015-01-27 | Tokyo Electron Limited | Coating treatment method, non-transitory computer storage medium and coating treatment apparatus |
| JP2013230468A (ja) * | 2013-06-12 | 2013-11-14 | Tokyo Electron Ltd | 塗布処理方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び塗布処理装置 |
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