TW201544197A

TW201544197A - 塗佈處理方法、程式、電腦記憶媒體及塗佈處理裝置

Info

Publication number: TW201544197A
Application number: TW104103426A
Authority: TW
Inventors: Kazuhiro Nishijima; Hideo Shite
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 2014-02-13
Filing date: 2015-02-02
Publication date: 2015-12-01
Also published as: CN104849963A; CN104849963B; JP2015153857A

Abstract

在將塗佈液塗佈於基板上之際，一邊將塗佈液之供給量抑制為少量，一邊在基板面內均一地塗佈塗佈液。一種在晶圓上塗佈中黏度光阻液的方法，一邊以第1旋轉數(超過0rpm未滿200rpm)使基板旋轉，一邊開始朝向基板之中心部供給塗佈液，而形成積液(工程S1)。使晶圓加速至比第1旋轉數快的第2旋轉數，並以該第2旋轉數維持基板之旋轉(工程S2)。在使晶圓減速至第3旋轉數而到達該第3旋轉數之後，停止塗佈液之供給(工程S3)。

Description

塗佈處理方法、程式、電腦記憶媒體及塗佈處理裝置

本發明，係關於在基板上塗佈塗佈液之塗佈處理方法、程式、電腦記憶媒體及塗佈處理裝置。

例如在半導體元件之製造程序的光微影工程中，係在例如半導體晶圓(以下稱為「晶圓」)上塗佈光阻液，依次進行形成光阻膜之光阻塗佈處理、將該光阻膜曝光為預定圖案的曝光處理、對所曝光之光阻膜進行顯像之顯像處理等，從而在晶圓上形成預定的光阻圖案。

在上述的光阻塗佈處理中，係大多使用所謂的旋轉塗布法，其係從噴嘴對旋轉中之晶圓的中心部供給光阻液，藉由離心力使光阻液在晶圓上擴散，藉此，在晶圓上塗佈光阻液。在進行像這樣的光阻塗佈時，係必需具有高面內均一性地將光阻液塗佈於晶圓上。又，在旋轉塗布法中，係會造成供給至晶圓上之光阻液的一大部分被甩掉，而因光阻液昂貴，故使光阻液供給至晶圓上的供給量減少之一事亦為重要。

在像這樣的旋轉塗布法中，作為以少量均一地塗佈光阻液的方法，有人提倡實行以下第1工程至第3工程的塗佈處理方法。首先，在第1工程中，一邊對靜止之基板的中心供給溶劑，且對該溶劑供給光阻液，一邊藉由以第1旋轉數使晶圓旋轉的方式，使光阻液擴散。接著，在第2工程中，藉由將晶圓之旋轉暫時減速至第2旋轉數的方式，調整擴散之光阻液的形狀。然後，在第3工程中，藉由使低於第1旋轉數且高於第2旋轉數之晶圓的旋轉以第3旋轉數旋轉之方式，使光阻液均一地在晶圓表面擴散，並且進行光阻液之乾燥。藉此，即使為將光阻液之供給量設成為少量的情況下，亦可在晶圓上塗佈均一膜厚的光阻液(專利文獻1)。

〔先前技術文獻〕〔專利文獻〕

[專利文獻1]日本特開2010-207788號公報

可是，近來雖係使用黏度為例如90cp左右之比以往之黏度高的中黏度光阻液，但該中黏度光阻液，係比以往之黏度低的光阻劑更難以在晶圓上擴散。因此，經本發明者們確認，在塗佈中黏度光阻液時，即使使用上述之以往的方法，當使中黏度光阻液之供給量減少時，則面內均一性會下降，特別是在基板的外周緣部會產生塗佈斑。因此，在中黏度光阻液之塗佈中，係必須確保不產生塗佈斑程度的供給量，而無法減少中黏度光阻液之供給量。

因此，期望一種即使在使用中黏度光阻液的情況下，亦可一邊抑制光阻液之供給量，一邊在晶圓面內均一地塗佈光阻液的手法。

本發明，係有鑑於該觀點進行研究者，且以下述作為目的：在基板上塗佈塗佈液之際，一邊將塗佈液之供給量抑制為少量，一邊在基板面內均一地塗佈塗佈液。

為了達成前述目的，本發明，係一種在基板上塗佈塗佈液的方法，其特徵係，具有：第1工程，一邊以第1旋轉數使基板旋轉，一邊開始朝前述基板之中心部供給塗佈液而形成積液；第2工程，使基板加速至比第1旋轉數快的第2旋轉數，並以該第2旋轉數維持基板之旋轉；及第3工程，然後，在使基板減速至第3旋轉數而到達該第3旋轉數之後，停止前述塗佈液之供給，前述第1旋轉數，係超過0rpm未滿200rpm。

本發明者們進行審慎調查後，獲得前述塗佈斑之原因的見解：在中黏度光阻液朝向基板之外周方向擴散之際，當該中黏度光阻液之進行方向之界面的膜厚較薄時，則中黏度光阻液不規則地擴散為條狀而引起液體截斷。因此，在本發明中，係首先一邊使基板以超過0rpm未滿200rpm的低旋轉旋轉，一邊開始對基板的中心部供給塗佈液。藉此，可抑制塗佈液朝基板外周方向擴散，而在基板中心部形成塗佈液的積液。然後，可藉由以第2旋轉數使基板旋轉的方式，將塗佈液之界面的膜厚維持為不產生塗佈斑之程度，而使塗佈液擴散。然後，在第3工程中，可藉由減速至比第2旋轉數低的第3旋轉數後停止供給塗佈液之方式，控制基板中心部之塗佈液的膜厚，從而抑制液體截斷。藉此，即使為使用中黏度光阻劑作為塗佈液的情況下，亦可將塗佈液之供給量抑制為比以往更少量，且在基板面內無塗佈斑而均一地塗佈塗佈液。

亦可在前述第1工程中，一邊以前述第1旋轉數使基板旋轉，一邊繼續朝前述基板之中心部供給塗佈液0.5秒以上而形成積液。

亦可在前述第3工程中，以未滿3000rpm/秒的加速度，使基板之旋轉數減速。

前述塗佈液之黏度，係亦可為10cp以上。

亦可在前述第1工程之前，對基板之中心部供給溶劑，然後使基板旋轉，在基板上之前述溶劑到達基板的周緣部之前，開始前述第1工程。

亦可具有第4工程，其係在前述第3工程之後，以比前述第1旋轉數快而且比前述第2旋轉數慢的第4旋轉數，使基板旋轉。

在前述第4工程中，係亦可維持基板之旋轉直至塗佈液之膜厚成為1μm以上的範圍內。

根據另一個觀點之本發明，係提供一種在控制該塗佈處理裝置之控制部的電腦上進行動作的程式，以便藉由塗佈處理裝置執行前述塗佈處理方法。

又，根據另一個觀點之本發明，係提供一種儲存有前述程式之可讀取的電腦記憶媒體。

而且，另一觀點之本發明，係一種在基板上塗佈塗佈液的塗佈處理裝置，其特徵係，具有：旋轉保持部，保持基板並使其旋轉；塗佈液噴嘴，對基板供給塗佈液；及控制部，執行下述者工程：第1工程，一邊以第1旋轉數使基板旋轉，一邊開始朝前述基板之中心部供給塗佈液而形成積液；第2工程，使基板加速至比第1旋轉數快的第2旋轉數，並以該第2旋轉數維持基板之旋轉；及第3工程，然後，在使基板減速至第3旋轉數而到達該第3旋轉數之後，停止前述塗佈液之供給，而且，以將前述第1旋轉數設成為超過0rpm未滿200rpm的方式，控制前述旋轉保持部及前述塗佈液噴嘴。

根據本發明，可在基板上塗佈塗佈液之際，一邊將塗佈液之供給量抑制為少量，一邊在基板面內均一地塗佈塗佈液。

1‧‧‧光阻塗佈裝置

20‧‧‧旋轉夾盤

33‧‧‧光阻液噴嘴

40‧‧‧溶劑噴嘴

50‧‧‧控制部

R‧‧‧光阻液

W‧‧‧晶圓

[圖1]表示本實施形態之光阻塗佈裝置之構成之概略的縱剖面圖。

[圖2]表示本實施形態之光阻塗佈裝置之構成之概略的橫剖面圖。

[圖3]表示塗佈處理程序之各工程之晶圓的旋轉數與光阻液及溶劑的供給時序之曲線圖。

[圖4]表示在晶圓上供給溶劑與中黏度光阻液之態樣的說明圖。

[圖5]表示溶劑與中黏度光阻液在晶圓上擴散之態樣的說明圖。

[圖6]表示中黏度光阻液在晶圓上擴散之態樣的說明圖。

[圖7]表示在工程S3中，在晶圓上供給中黏度光阻液之態樣的說明圖。

[圖8]表示液滴從噴嘴落下至晶圓上之態樣的說明圖。

[圖9]表示因液滴而形成於晶圓之塗佈斑的平面圖。

[圖10]表示其他實施形態之塗佈處理程序之各工程之晶圓的旋轉數與光阻液及溶劑的供給時序之曲線圖。

[圖11]表示其他實施形態之塗佈處理程序之各工程之晶圓的旋轉數與光阻液及溶劑的供給時序之曲線圖。

以下，說明本發明之實施形態。圖1，係表示進行本實施形態之塗佈處理方法之作為塗佈處理裝置之光阻塗佈裝置1之構成之概略的縱剖面圖。圖2，係表示光阻塗佈裝置1之構成之概略的橫剖面圖。另外，在本實施形態中，作為塗佈液，係使用黏度為10cp以上，更具體而言為10cp~220cp左右的中黏度光阻液。又，在本實施形態中，使用作為基板之晶圓W的直徑，係300mm。

光阻塗佈裝置1，係如圖1所示，具有處理容器10。在處理容器10內的中央部，係設置有作為旋轉保持部(該旋轉保持部，係保持晶圓W並使其旋轉)的旋轉夾盤20。旋轉夾盤20，係具有水平的上面，在該上面，係設置有吸引例如晶圓W的吸引口(未圖示)。藉由來自該吸引口的吸引，可使晶圓W吸附保持於旋轉夾盤20上。

旋轉夾盤20，係具有卡盤驅動機構21(該卡盤驅動機構21，係具有例如馬達等)，且可藉由該卡盤驅動機構21以預定速度進行旋轉。又，在卡盤驅動機構21，係設置有缸筒等的升降驅動源，旋轉夾盤20，係可上下移動。

在旋轉夾盤20的周圍，係設置有阻擋從晶圓W飛散或落下之液體而加以回收的罩杯22。在罩杯22的下面，係連接有排出所回收之液體的排出管23與對罩杯22內的環境進行排氣的排氣管24。在排氣管24，係連接有未圖示的排氣機構。

如圖2所示，在罩杯22之X方向負方向(圖2的下方向)側，係形成有沿著Y方向(圖2的左右方向)延伸的導軌30。導軌30，係從例如罩杯22之Y方向負方向(圖2的左方向)側的外方形成至Y方向正方向(圖2的右方向)側的外方。在導軌30中，係安裝有例如二根臂部31、32。

在第1臂部31，係如圖1及圖2所示，支撐有作為對晶圓W供給中黏度光阻液之塗佈液噴嘴的光阻液噴嘴33。第1臂部31，係藉由圖2所示的噴嘴驅動部34，在導軌30上移動自如。藉此，光阻液噴嘴33，係可從設置於罩杯22之Y方向正方向側之外方的待機部35移動至罩杯22內之晶圓W的中心部上方，而且可在該晶圓W的表面上沿晶圓W的徑方向移動。又，第1臂部31，係藉由噴嘴驅動部34升降自如，且可調整光阻液噴嘴33的高度。

在光阻液噴嘴33，係如圖1所示，連接有與光阻液供給源36連通的供給管37。在光阻液供給源36內，係儲存有中黏度光阻液。在供給管37，係設置有包含控制中黏度光阻液之流動的閥或流量調節部等的供給機器群38。

在第2臂部32，係支撐有供給作為中黏度光阻液之溶劑之例如稀釋劑的溶劑噴嘴40。第2臂部32，係藉由圖2所示的噴嘴驅動部41，在導軌30上自由移動，且可使溶劑噴嘴40從設置於罩杯22之Y方向負方向側之外方的待機部42移動至罩杯22內之晶圓W的中心部上方。又，第2臂部32，係藉由噴嘴驅動部41升降自如，且可調節溶劑噴嘴40的高度。

在溶劑噴嘴40，係如圖1所示，連接有與溶劑供給源43連通的供給管44。在溶劑供給源43內，係儲存有溶劑。在供給管44，係設置有包含控制溶劑之流動的閥或流量調節部等的供給機器群45。另外，在上述的構成中，雖然供給中黏度光阻液的光阻液噴嘴33與供給溶劑的溶劑噴嘴40，係支撐於個別的臂部，但亦可藉由支撐於相同的臂部，控制該臂部之移動，來控制光阻液噴嘴33與溶劑噴嘴40的移動與供給時序。

上述旋轉夾盤20的旋轉動作與上下動作、藉由噴嘴驅動部34進行光阻液噴嘴33的移動動作、藉由供給機器群38進行光阻液噴嘴33之光阻液的供給動作、藉由噴嘴驅動部41進行溶劑噴嘴40的移動動作、藉由供給機器群45進行溶劑噴嘴40之溶劑的供給動作等之驅動系統的動作，係藉由控制部50予以控制，從而實施後述的各工程。控制部50，係藉由具備有例如CPU或記憶體等的電腦所構成，且藉由執行記憶於例如記憶體之程式的方式，可實現光阻塗佈裝置1之光阻塗佈處理。另外，用於實現光阻塗佈裝置1之光阻塗佈處理的各種程式，係被記憶於例如電腦可讀取之硬碟(HD)、軟碟片(FD)、光碟(CD)、磁光碟(MO)、記憶卡等的記憶媒體H者，且使用從該記憶媒體H安裝於控制部50者。

接下來，說明在如上述構成之光阻塗佈裝置1所進行的塗佈處理程序。圖3，係表示塗佈處理程序之各工程之晶圓W的旋轉數與中黏度光阻液及溶劑的供給時序之曲線圖。另外，圖3之程序的時間長度，係以理解技術之容易度為優先，因而不一定對應於實際的時間長度。

被搬入至光阻塗佈裝置1的晶圓W，係首先被吸附保持於旋轉夾盤20。接下來，待機部42之溶劑噴嘴40，係藉由第2臂部32移動至晶圓W之中心部的上方。接下來，如圖3所示，在晶圓W停止的狀態下，從溶劑噴嘴40將預定量之溶劑供給至晶圓W的中心部。藉此，在晶圓W上面的中心部形成有溶劑之積液。然後，溶劑噴嘴40，係從晶圓W的中心部上方進行移動，並且待機部35的光阻液噴嘴33，係藉由第1臂部31移動至晶圓W的中心部上方。

接下來，控制卡盤驅動機構21，藉由旋轉夾盤20，使晶圓W以例如10000rpm/sec的加速度上升至第1旋轉數，然後，使晶圓W以第1旋轉數旋轉例如0.5秒。另外，經由本發明者們確認：作為第1旋轉數，係在後述的確認試驗中未滿200rpm為較佳，在本實施形態中，係例如為100rpm。而且，一邊使晶圓W以第1旋轉數旋轉，一邊開始從光阻液噴嘴33供給中黏度光阻液(圖3之工程S1)。在該工程S1中，係由於晶圓W之旋轉數為100rpm的極低旋轉，因此，例如如圖4所示，在形成於晶圓W上之溶劑Q的積液內形成有中黏度光阻液的端部。

然後，如圖3所示，使晶圓W以例如2500rpm/sec的加速度減速至第3旋轉數，然後，使晶圓W以第3旋轉數旋轉例如0.5秒(圖3的工程S3)。第3旋轉數，係例如50rpm~500rpm為較佳，在本實施形態中，係例如為50rpm。在工程S3中，藉由以2500rpm/sec之加速度緩慢地使晶圓W減速的方式，例如如圖7所示，形成使晶圓W中心部的中黏度光阻液R，具有比晶圓W外周部之中黏度光阻液R厚的區域。具有該厚度的區域，係形成為從晶圓W之中心起例如半徑50mm左右的範圍。又，在工程S3中，係例如在晶圓W的旋轉數到達第3旋轉數之後，停止從光阻液噴嘴33供給中黏度光阻液R。在停止中黏度光阻液R之供給時，以使晶圓W之中心部之中黏度光阻液R具有厚度的方式，來抑制在後述的工程S4中產生塗佈斑。

然後，如圖3所示，使晶圓W以例如10000rpm/sec的加速度加速至第4旋轉數，然後，使晶圓W以例如低於第2旋轉數的第4旋轉數旋轉例如1秒(圖3之工程S4)。另外，本實施形態之第4旋轉數，係例如為2000rpm。在工程S4中，藉由使晶圓W加速而以2000rpm使其旋轉的方式，使在晶圓W之中心部具有預定厚度的中黏度光阻液R朝向晶圓W的外周部擴散。藉此，與上述圖6的情況同樣地，不會引起液體截斷而均一地擴散至晶圓W的端部。另外，在工程S4中，中黏度光 R之積液，而中黏度光阻液R並未擴散至晶圓W的邊緣。另外，來自光阻液噴嘴33的中黏度光阻液R，係以例如1mL/sec的流量來予以供給。

然後，如圖3所示，使晶圓W以例如10000rpm/sec的加速度上升至第2旋轉數，然後，使晶圓W以第2旋轉數旋轉例如5.5秒(圖3的工程S2)。另外，作為第2旋轉數，係例如為1000rpm~3500rpm為較佳，在本實施形態中，係例如為2500rpm。在該工程S2中，係藉由使晶圓W以2500rpm旋轉的方式，例如如圖5所示，溶劑Q及中黏度光阻液R在晶圓W上擴散。此時，在工程S1中，由於在溶劑Q的積液內形成了中黏度光阻液R的積液，因此，在工程S2的開始時間點中，中黏度光阻液R，係被溶劑Q先導而在晶圓W上擴散，或者溶劑Q對擴散之中黏度光阻液R發揮壁的作用。藉此，中黏度光阻液R之前端部分，係在具有預定厚度的狀態下，在晶圓W上朝向晶圓W的外周部擴散。又，在工程S2中，當中黏度光阻液R擴散至晶圓W的外周部附近時，雖然溶劑Q及中黏度光阻液R之前端部分的厚度會慢慢地減少，但如圖5所示，溶劑Q會形成為壁而使中黏度光阻液R的前端部分具有厚度，如圖6所示，即使在晶圓W的外周部附近，中黏度光阻液R的前端部分，亦確保有預定之厚度，例如不會在中黏度光阻液R之前端部分引起液體截斷程度的厚度。因此，在工程S2中，中黏度光阻液R，係不會引起液體截斷而均一地擴散至晶圓W 阻液R之膜厚，係例如為1μm以上，較佳的是維持晶圓W之旋轉直到調整成1μm~12μm的範圍。

又，在工程S3中，藉由使晶圓W之中心部之中黏度光阻液R具有預定厚度的方式，在工程S3中使從光阻液噴嘴33朝晶圓W供給中黏度光阻液R停止之際，即使在中黏度光阻液R之截斷性差而導致中黏度光阻液的液滴R1落下時，亦可防止在工程S4中產生塗佈斑。亦即，在工程S2中，以使中黏度光阻液R擴散的方式，例如如圖8所示，中黏度光阻液R之下層R2的區域已進行乾燥，且當晶圓W之中心部之中黏度光阻液R的厚度較薄時，則導致從光阻液噴嘴33落下的液滴R1到達下層R2。如此一來，液滴R1，係附著於下層R2，且在該狀態下，當在工程S4中使晶圓W的旋轉數上升時，則液滴R1不會在晶圓W的全體擴散，例如如圖9所示，從而導致形成線狀的塗佈斑R3。該觀點，於工程S3，以使晶圓W之中心部之中黏度光阻液R具有預定厚度的方式，液滴R1不會到達中黏度光阻液R的下層R2，而在工程S4中，可均一地使中黏度光阻液R在晶圓W全面擴散，從而形成均一性高之中黏度光阻液R的膜。另外，工程S1~工程S3之中黏度光阻液R的供給量，係約5mL，該量，係形成為比藉由以往的方法在晶圓W上均一地塗佈中黏度光阻液R之情形更小的值。

然後，晶圓W之背面被洗淨，光阻塗佈裝置1之一連串的塗佈處理結束。

在此，驗證關於下述：在上述的工程S1中，藉由將晶圓W之旋轉數設成為第1旋轉數亦即未滿200rpm而開始供給中黏度光阻液R的方式，在接下來的工程S2中，可使中黏度光阻液R的前端部分具有厚度並擴散，且將中黏度光阻液R均一地塗佈至晶圓W的端部，而不引起液體截斷。

本發明者們，係在具有300mm之直徑的晶圓W塗佈中黏度光阻液R時，於下述兩種情況下，進行試驗以確認在工程S2中，以第2旋轉數使晶圓W上的中黏度光阻液R擴散後之晶圓W上之中黏度光阻液R的塗佈狀況會如何變化：使工程S1之第1旋轉數中的旋轉時間於0.5秒~1.5秒變化之情況；及將第1旋轉數中的旋轉時間設成為0秒，亦即如以往不以第1旋轉數使晶圓W旋轉，而以第2旋轉數使晶圓W旋轉之情況(比較例)。此時，第1旋轉數，係設成為100prm。

其結果，在將第1旋轉數中的旋轉時間設成為0.5秒~1.5秒時，雖然在晶圓W上未觀察到塗佈斑，但在不以第1旋轉數進行旋轉的比較例中，卻在晶圓W上觀察到塗佈斑。從該結果可確認，在工程S1中，藉由以第1旋轉數開始供給中黏度光阻液R的方式，可在工程S2中，使中黏度光阻液R均一地擴散於晶圓W上而無塗佈斑。

又，亦同樣地確認關於：使工程S1之第1旋轉數變化為50rpm、100rpm、200rpm，且在工程S2中以第2旋轉數，使晶圓W上的中黏度光阻液R擴散後之晶圓W上之中黏度光阻液R的塗佈狀態。此時，第1旋轉數的保持時間，係設成為例如0.5秒。

其結果，在將第1旋轉數設成為50rpm、100rpm時，雖然在晶圓W上未觀察到塗佈斑，但在將第1旋轉數設成為200rpm時，卻在晶圓W上觀察到塗佈斑。從該結果可確認，第1旋轉數，係未滿200rpm為較佳。

又，本發明者們，亦同樣地確認關於：在工程S3中，使從第2旋轉數減速至第3旋轉數時的加速度變化為1000rpm/sec、2300rpm/sec、2500rpm/sec、3000rpm/sec，且在工程S4中以第4旋轉數，使晶圓W上的中黏度光阻液R擴散後之晶圓W上之中黏度光阻液R的塗佈狀況。

其結果，在將加速度設成為1000rpm/sec、2300rpm/sec、2500rpm/sec時，雖未在晶圓W上觀察到塗佈斑，但在將加速度設成為3000rpm/sec時，卻在晶圓W上觀察到塗佈斑。從該結果可確認：在工程S3中，使晶圓W減速時的加速度，係設成為未滿300rpm為較佳。經推測，在加速度過快時，由於供給至晶圓W上的中黏度光阻液R幾乎不會擴展，而具有厚度的區域僅形成於晶圓W中心部的狹窄區域，因此，在接下來的工程S4中，無法抑制塗佈斑之產生。另外，在上述的確認試驗中，亦確認了下述情況：塗佈完成後之中黏度光阻液R之膜厚的範圍(膜厚的最小值與最大值之差)，係不論在本發明之方法中還是在以往的方法中，亦大概為50~70nm的範圍內，又，在晶圓W面內之膜厚的輪廓其本身亦不會產生大的差異。

根據上述之實施形態，首先，由於在工程S1中，一邊以100rpm即低旋轉的第1旋轉數使晶圓W旋轉，一邊對晶圓W的中心部供給中黏度光阻液R，因此，可抑制中黏度光阻液R朝晶圓W之外周方向擴散，而在晶圓W中心部形成中黏度光阻液R之積液。而且，在工程S2中，藉由以第2旋轉數使晶圓W旋轉的方式，可在使中黏度光阻液R之前端部分具有不會產生塗佈斑之程度之厚度的狀態下，使中黏度光阻液R朝向晶圓W的外周部擴散。然後，在工程S3中，藉由減速至50rpm來作為第3旋轉數之後，停止供給中黏度光阻液R的方式，可使晶圓W中心部之中黏度光阻液R具有厚度，從而在接下來的第4工程中抑制塗佈斑之產生。因此，根據本發明之塗佈處理方法，即使是使用中黏度光阻液R的情況下，亦可一邊將該中黏度光阻液R之供給量抑制為少量，一邊在晶圓W之面內無塗佈斑而均一地塗佈中黏度光阻液R。

另外，經發明者們調查後，在使用本實施形態之塗佈處理方法的情況下，為了不使塗佈斑在晶圓W產生而塗佈中黏度光阻液R，所需之中黏度光阻液R的供給量為5ml。相對於此，在使用以往之塗佈處理方法的情況下，所需之中黏度光阻液R的供給量為7mL。經推測，一般光阻液朝向晶圓W的外周部擴散時，由於不受限於光阻液的黏度，而依次流向易流動的部位，因此，當光阻液之前端部分的膜厚較薄時，則會在該前端部引起液體截斷，但如本發明，以使前端部具有預定厚度的方式，即使減少光阻液的供給量，亦可防止液體截斷之發生。因此，根據本實施形態，得知可飛躍性地降低中黏度光阻液R的供給量。

另外，在上述的實施形態中，雖然在工程S1之前，在晶圓W的中心部形成溶劑Q之積液，而在工程S1中，在溶劑Q之積液內形成中黏度光阻液R之積液，但不必非要形成溶劑Q之積液，亦可例如在供給溶劑Q後，暫時使晶圓W以預定旋轉數旋轉，從而使溶劑Q在晶圓W全面擴散，然後，將晶圓W之旋轉數設成為第1旋轉數，開始供給中黏度光阻液R。然而，可藉由在溶劑Q到達晶圓W的周緣部之前，開始供給中黏度光阻液R的方式，進一步減少中黏度光阻液R的供給量。

又，經本發明者們，亦確認了下述情況：本實施形態之塗佈處理方法，係在晶圓W上形成1μm以上之膜厚之塗佈膜的情況下特別有效。

在上述的實施形態中，雖然第3旋轉數是比第1旋轉數慢的旋轉數，但如圖7所示，在工程S3中，只要是可在晶圓W中心部以預定厚度形成中黏度光阻液R的旋轉數，則第3旋轉數可任意設定，且亦可為比第1 旋轉數快的旋轉數。又，不必非要在到達第3旋轉數之後，以第3旋轉數使其旋轉預定時間，亦可如圖10所示，在到達第3旋轉數之後，進一步減速至低於第3旋轉數的旋轉數，或亦可如圖11所示，在到達第3旋轉數之後立即使其加速至第4旋轉數。

以上，雖一邊參閱附加圖面一邊說明本發明之適當的實施形態，但本發明不限定於該例。只要是所屬技術領域中具有通常知識者，可於申請專利範圍所記載之思想範圍內，想到各種變形例或修正例係屬顯見，且了解到關於該等當然亦屬於本發明之技術範圍者。本發明，係不限於該例，可採用各種態樣者。例如在上述之實施形態中，雖係以中黏度光阻液之塗佈處理為例來進行說明，但本發明，係亦適用於形成中黏度光阻液以外之其他塗佈液，例如聚醯亞胺等的高黏度光阻液、反射防止膜、SOG(Spin On Glass)膜、SOD(Spin On Dielectric)膜等之塗佈液的塗佈處理。又，上述的實施形態，雖為在晶圓進行塗佈處理的例子，但本發明，係亦可適用於基板為晶圓以外的FPD(平板顯示器)、光罩用之掩模原版(Mask Reticle)等其他基板的情形。

〔產業上之可利用性〕

本發明，係例如在半導體晶圓等的基板上塗佈塗佈液時有用。

Claims

一種塗佈處理方法，係在基板上塗佈塗佈液的方法，其特徵係，具有：第1工程，一邊以第1旋轉數使基板旋轉，一邊開始朝前述基板之中心部供給塗佈液而形成積液；第2工程，使基板加速至比第1旋轉數快的第2旋轉數，並以該第2旋轉數維持基板之旋轉；及第3工程，然後，在使基板減速至第3旋轉數而到達該第3旋轉數之後，停止前述塗佈液之供給，前述第1旋轉數，係超過0rpm未滿200rpm。
如申請專利範圍第1項之塗佈處理方法，其中，在前述第1工程中，一邊以前述第1旋轉數使基板旋轉，一邊繼續朝前述基板之中心部供給塗佈液0.5秒以上而形成積液。
如申請專利範圍第1或2項之塗佈處理方法，其中，在前述第3工程中，以未滿3000rpm/秒的加速度，使基板之旋轉數減速。
如申請專利範圍第1或2項之塗佈處理方法，其中，前述塗佈液之黏度，係10cp以上。
如申請專利範圍第1或2項之塗佈處理方法，其中，在前述第1工程之前，對基板之中心部供給溶劑，然後使基板旋轉，在基板上之前述溶劑到達基板的周緣部之前，開始前述第1工程之塗佈液的供給。
如申請專利範圍第1或2項之塗佈處理方法，其中，具有：第4工程，其係在前述第3工程之後，以比前述第1旋轉數快而且比前述第2旋轉數慢的第4旋轉數，使基板旋轉。
如申請專利範圍第6項之塗佈處理方法，其中，在前述第4工程中，係維持基板之旋轉直至塗佈液的膜厚成為1μm以上。
一種可讀取之電腦記憶媒體，其特徵係，儲存有在控制該塗佈處理裝置之控制部的電腦上進行動作的程式，以便藉由塗佈處理裝置執行如申請專利範圍第1或2項之塗佈處理方法。
一種塗佈處理裝置，係在基板上塗佈塗佈液的塗佈處理裝置，其特徵係，具有：旋轉保持部，保持基板並使其旋轉；塗佈液噴嘴，對基板供給塗佈液；及控制部，執行下述者工程：第1工程，一邊以第1旋轉數使基板旋轉，一邊開始朝前述基板之中心部供給塗佈液而形成積液；第2工程，使基板加速至比第1旋轉數快的第2旋轉數，並以該第2旋轉數維持基板之旋轉；及第3工程，然後，在使基板減速至第3旋轉數而到達該第3旋轉數之後，停止前述塗佈液之供給，而且，以將前述第1旋轉數設成為超過0rpm未滿200rpm的方式，控制前述旋轉保持部及前述塗佈液噴嘴。