JP2013171987A - 塗布処理方法及び塗布処理装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】粘性及び高吸湿性を有する塗布液の塗布膜の膜厚の塗布斑をなくし、膜厚の均一性を図れるようにした塗布処理方法及び塗布処理装置を提供すること。
【解決手段】ウエハの表面に粘性及び吸湿性を有する塗布液を塗布して塗布膜を形成する塗布処理方法において、ウエハの外部の待機位置に塗布液供給ノズルから塗布液を吐出した後、ウエハの中心位置より所定距離偏倚した位置に塗布液供給ノズルから塗布液を吐出し、その後、ウエハを第1の回転数で回転すると共に、塗布液供給ノズルを偏倚位置からウエハ中心位置に移動し、ウエハ中心位置に塗布液供給ノズルから塗布液を吐出し、その後、第1の回転数で回転するウエハに対して塗布液の吐出を停止して、塗布液を偏倚位置より外周側に広げ、その後、ウエハを第1の回転数より大きい第2の回転数で回転して、塗布液をウエハの全面に広げる。
【選択図】 図13
【解決手段】ウエハの表面に粘性及び吸湿性を有する塗布液を塗布して塗布膜を形成する塗布処理方法において、ウエハの外部の待機位置に塗布液供給ノズルから塗布液を吐出した後、ウエハの中心位置より所定距離偏倚した位置に塗布液供給ノズルから塗布液を吐出し、その後、ウエハを第1の回転数で回転すると共に、塗布液供給ノズルを偏倚位置からウエハ中心位置に移動し、ウエハ中心位置に塗布液供給ノズルから塗布液を吐出し、その後、第1の回転数で回転するウエハに対して塗布液の吐出を停止して、塗布液を偏倚位置より外周側に広げ、その後、ウエハを第1の回転数より大きい第2の回転数で回転して、塗布液をウエハの全面に広げる。
【選択図】 図13
Description
この発明は、塗布処理方法及び塗布処理装置に関するものである。
一般に、半導体デバイスの製造工程では、例えば半導体ウエハ(以下にウエハという)にフォトリソグラフィ処理を行い、ウエハ上の保護膜であるポリイミド膜にビアホールなどの所定のパターンを形成することが行われている。
すなわち、塗布処理装置を用いて、ウエハ上にポリイミド溶液を塗布してポリイミド膜を形成し、ポリイミド膜に所定のパターンを露光する露光処理、露光されたポリイミド膜を現像する現像処理などが順次行われ、ウエハ上のポリイミド膜に所定のパターンが形成される。
これらの一連のフォトリソグラフィ処理は、通常、ウエハを処理する各処理装置やウエハを搬送する搬送装置などを搭載した塗布・現像処理システムを用いて行われる。
従来、ポリイミド溶液を塗布してポリイミド膜を形成する塗布処理装置として、鉛直軸回りに回転するウエハの中心位置に、供給ノズルからポリイミド溶液を吐出して、ウエハ表面にポリイミド膜を形成するポリイミド塗布装置が知られている(例えば、特許文献1参照)。
しかしながら、ポリイミド溶液は高粘度かつ高吸湿であるため、特許文献1に記載のようにウエハの中心部にポリイミド溶液を吐出してポリイミド膜を形成する塗布処理においては、ウエハ中心部に円心状の塗布斑が生じると共に、中心部の膜厚が大幅に低下して、膜厚が不均一になる懸念があった。
この発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、粘性及び高吸湿性を有する塗布液の塗布膜の膜厚の塗布斑をなくし、膜厚の均一性を図れるようにした塗布処理方法及び塗布処理装置を提供することを目的とする。
上記目的を達成するため、この発明の塗布処理方法は、基板の表面に粘性及び吸湿性を有する塗布液を塗布して塗布膜を形成する塗布処理方法であって、 鉛直軸回りに回転可能に保持された基板の外部に塗布液供給ノズルから塗布液を吐出する工程と、 基板を回転していない状態で、基板の中心位置に対して所定距離偏倚した位置に上記塗布液供給ノズルから塗布液を吐出する工程と、 基板を第1の回転数で回転すると共に、上記塗布液供給ノズルを上記偏倚位置から基板の中心位置に向けて移動する工程と、 上記第1の回転数で回転する基板の中心位置に上記塗布液供給ノズルから塗布液を吐出して、塗布液を上記偏倚位置より外周側に広げる工程と、 基板に対して塗布液の吐出を停止した状態で、基板を上記第1の回転数より大きい第2の回転数で回転して塗布液を基板の全面に広げる工程と、を含むことを特徴とする(請求項1)。
この発明の塗布処理方法において、上記第1の回転数を50rpm〜150rpmとし、上記第2の回転数を1000rpm〜4000rpmとするのがよい(請求項2)。
第1の回転数を50rpm〜150rpmとした理由は、回転数が50rpmより小さいと、塗布液が偏倚位置より外周側に広がらなくなり、また、回転数が150rpmより大きいと、塗布液が偏倚位置より外周側に広がり過ぎて液膜の膜厚が不均一になるからである。また、第2の回転数を1000rpm〜4000rpmとした理由は、回転数が1000rpmより小さいと、塗布液が基板の全面に広がりにくくなり、また、回転数が4000rpmより大きくなると、塗布液が広がり過ぎて液膜の膜厚が不均一になるからである。
また、この発明の塗布処理方法において、上記塗布液を上記偏倚位置より外周側に広げる工程の後に、基板に対して塗布液の吐出を停止した状態で、上記第1の回転数より大きく、かつ、上記第2の回転数より小さい回転数で基板を回転させて、塗布液を外周に広げる工程を含むようにしてもよい(請求項3)。この場合、上記塗布液を外周に広げる工程の回転数を150rpm〜400rpmとするのがよい(請求項4)。
塗布液を外周に広げる工程の回転数を150rpm〜400rpmとした理由は、回転数が150rpmより小さいと、塗布液が外周側に広がりにくくなり、400rpmより大きくなると、塗布液が外周側に広がり過ぎて液膜の膜厚が不均一になるからである。
この発明の塗布処理装置は、請求項1記載の塗布処理方法を具現化するもので、基板の表面に粘性及び吸湿性を有する塗布液を塗布して塗布膜を形成する塗布処理装置であって、 基板を鉛直軸回りに回転自在に保持する基板保持部と、 上記基板保持部を回転する回転駆動部と、 上記基板保持部にて保持された基板の表面に塗布液を吐出する塗布液供給ノズルと、 上記塗布液供給ノズルを上記基板の外部待機位置と基板中心位置との間で移動するノズル移動機構と、 上記回転駆動部の回転、上記塗布液供給ノズルの塗布液の吐出及び上記ノズル移動機構の駆動を制御する制御部と、を具備し、 上記制御部からの信号に基づいて、上記基板の外部の上記待機位置に上記塗布液供給ノズルから塗布液を吐出した後、上記基板の中心位置より所定距離偏倚した位置に上記塗布液供給ノズルから塗布液を吐出し、その後、基板を第1の回転数で回転すると共に、上記塗布液供給ノズルを上記偏倚位置から基板中心位置に移動し、基板中心位置に上記塗布液供給ノズルから塗布液を吐出して、塗布液を上記偏倚位置より外周側に広げ、その後、塗布液の吐出を停止し、基板を上記第1の回転数より大きい第2の回転数で回転して、塗布液を基板の全面に広げる、ことを特徴とする(請求項5)。
この発明の塗布処理装置において、上記第1の回転数を50rpm〜150rpmとし、上記第2の回転数を1000rpm〜4000rpmとするのがよい(請求項6)。
また、この発明の塗布処理装置において、上記制御部からの信号に基づいて、上記塗布液を上記偏倚位置より外周側に広げた後に、塗布液の吐出を停止し、上記第1の回転数より大きく、かつ、上記第2の回転数より小さい回転数で基板を回転させて、塗布液を外周に広げるようにしてもよい(請求項7)。この場合、上記塗布液を外周に広げる際の回転数を150rpm〜400rpmとするのがよい(請求項8)。
請求項1,2,5,6記載の発明によれば、基板の外部に塗布液供給ノズルから塗布液を吐出した後、基板の中心位置より所定距離偏倚した位置に塗布液供給ノズルから塗布液を吐出し、その後、基板を第1の回転数で回転すると共に、塗布液供給ノズルを基板中心位置に移動して塗布液を吐出し、その後、第1の回転数で回転する基板に対して塗布液の吐出を停止して、塗布液を偏倚位置より外周側に広げ、その後、基板を第1の回転数より大きい第2の回転数で回転して、塗布液を基板の全面に広げることができる。
請求項3,4,7,8記載の発明によれば、第1の回転数で回転する基板に対して塗布液の吐出を停止して、塗布液を偏倚位置より外周側に広げた後、第1の回転数より大きく、かつ、第2の回転数より小さい回転数で基板を回転させて、塗布液を更に外周に広げ、その後、基板を第1の回転数より大きい第2の回転数で回転して、塗布液を基板の全面に広げることができる。
この発明によれば、上記のように構成されているので、粘性及び高吸湿性を有する塗布液の塗布膜の塗布斑をなくすと共に、膜厚の均一性の向上が図れる。
以下、この発明の実施の形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。ここでは、この発明に係る塗布処理装置を半導体ウエハ(以下にウエハという)の塗布・現像処理システムに適用した場合について説明する。
塗布・現像処理システム1は、図1に示すように、例えば外部との間で複数枚のウエハWを収容したカセット12が搬入出されるカセットステーション2と、フォトリソグラフィ処理の中で枚葉式に所定の処理を施す複数の各種処理装置を備えた処理ステーション3と、処理ステーション3に隣接する露光装置4との間でウエハWの受け渡しを行うインターフェイスステーション5とを一体に接続した構成を有している。
カセットステーション2には、カセット載置台10が設けられており、カセット載置台10には、複数、例えば4つのカセット載置板11が設けられている。この場合、カセット載置板11は、水平方向のX方向(図1中の上下方向)に一列に並べて設けられている。これらのカセット載置板11には、塗布・現像処理システム1の外部に対してカセット12を搬入出する際に、カセット12を載置することができる。
カセットステーション2には、図1に示すように、X方向に延びる搬送路20上を移動自在な受渡しアーム21が設けられている。この受渡しアーム21は、鉛直方向(Z方向)及び鉛直軸回り(θ方向)にも移動自在であり、各カセット載置板11上のカセット12と、後述する処理ステーション3の第3の処理ブロックB3の所定の装置との間でウエハWを搬送できる。
処理ステーション3には、各種装置を備えた複数、例えば4つの処理ブロックB1,B2,B3,B4が設けられている。例えば処理ステーション3の正面側(図1のX方向負方向側)には、第1の処理ブロックB1が設けられ、処理ステーション3の背面側(図1のX方向正方向側)には、第2の処理ブロックB2が設けられている。
また、処理ステーション3のカセットステーション2側(図1のY方向負方向側)には、他の処理ブロックとしての第3の処理ブロックB3が設けられ、処理ステーション3のインターフェイスステーション5側(図1のY方向正方向側)には、他の処理ブロックとしての第4の処理ブロックB4が設けられている。
第1の処理ブロックB1には、図3に示すように、複数の液処理装置が鉛直方向に積層されている。例えばウエハWを現像処理する現像処理装置30,31、後述する塗布処理装置33で排出された廃液を回収する廃液回収装置32、ウエハW上に塗布液としてのポリイミド溶液を塗布して塗布膜としてのポリイミド膜を形成する塗布処理装置33、ウエハWの周縁部上のポリイミド膜を洗浄除去する周縁部洗浄装置34が下から順に5段に重ねられている。
なお、ポリイミド溶液は、ポリイミド前駆体、例えばポリアミド酸を溶媒に溶解させた溶液である。このポリイミド溶液は、粘度が500cp〜1500cpであり、吸湿率が1重量%以上、特に吸湿率が3%以上の高吸湿率を有する。
現像処理装置30,31は、処理時にウエハWを収容するカップFを水平方向に複数、例えば4つ有し、複数のウエハWを並行して処理することができる。
第2の処理ブロックB2には、図2に示すように、ウエハWの熱処理を行う熱処理モジュール40や、ウエハWを疎水化処理する疎水化処理モジュールADH、ウエハWの中心位置を調節する位置調節モジュールALI、ウエハWの外周部を露光する周辺露光モジュール43が鉛直方向と水平方向に並設されている。なお、熱処理モジュール40、疎水化処理モジュールADH、位置調節モジュールALI及び周辺露光モジュールWEEの数や配置は、任意に選択できる。
本実施の形態においては、例えば第2の処理ブロックB2は鉛直方向に4層に分けて設けられている。例えば第2の処理ブロックB2において、第1の処理ブロックB1の現像処理装置30,31に対応する位置の層には、熱処理モジュール40が配置されている。
例えば第1の処理ブロックB1の廃液回収装置32に対応する位置の層には、熱処理モジュール40と疎水化処理モジュールADHが配置されている。また、第1の処理ブロックB1の塗布処理装置33に対応する位置の層には、熱処理モジュール40と位置調節モジュールALIが配置されている。また、第1の処理ブロックB1の周縁部洗浄装置34に対応する位置の層には、熱処理モジュール40、位置調節モジュールALI及び周辺露光モジュールWEEが配置されている。
熱処理モジュール40は、ウエハWを載置して加熱する熱板40aと、ウエハWを載置して冷却する冷却板40bを有し、加熱処理と冷却処理の両方を行うことができる。
第3の処理ブロックB3には、図2及び図3に示すように、ウエハWを受け渡すための受渡しモジュールBU1,TRS1,BU2,BU3とウエハWの温度を調節する温度調節モジュールCPL1〜CPL3が設けられている。これらモジュールは下からBU1,CPL1,TRS1,CPL2,BU2,CPL3,BU4の順に配置されている。
また、第3の処理ブロックB3の最下層には、廃液回収装置32で回収した廃液や周縁部洗浄装置34から排出される廃液を一旦貯留し、貯留した廃液を塗布・現像処理システム1の外部に排出するための廃液排出モジュール50が配置されている。この廃液排出モジュール50には、廃液を一旦貯留するためのタンク(図示せず)や、廃液を排出するためのポンプ(図示せず)などが設けられている。
また、第4の処理ブロックB4には、ウエハWを受け渡すための受渡しモジュールBU4,TRS2,BU5,BU6とウエハWの温度を調節する温度調節モジュールCPL4〜CPL6が設けられている。これらモジュールは下からBU4,CPL4,TRS2,CPL5,BU5,CPL6,BU6の順に配置されている。
図1に示すように、第1の処理ブロックB1〜第4の処理ブロックB4に囲まれた領域には、ウエハ搬送領域Dが形成されている。このウエハ搬送領域Dには、例えば基板搬送装置としてのウエハ搬送アーム60が配設されている。
ウエハ搬送アーム60は、例えばY方向、X方向、鉛直軸回り(θ方向)及び鉛直方向(Z方向)に移動自在なアーム体61を具備している。ウエハ搬送アーム60は、ウエハ搬送領域D内を移動し、周囲の第1の処理ブロックB1、第2の処理ブロックB2、第3の処理ブロックB3及び第4の処理ブロックB4内の所定の装置にウエハWを搬送できる。
ウエハ搬送アーム60は、例えば図2に示すように、鉛直方向に複数基、例えば4基配置され、例えば各処理ブロックB1〜B4の同程度の高さの所定の装置にウエハWを搬送できる。なお、本実施の形態では、複数のウエハ搬送アーム60は、第2の処理ブロックB2が分割された4層に対応する位置にそれぞれ設けられている。
また、ウエハ搬送領域Dには、第3の処理ブロックB3と第4の処理ブロックB4との間で直線的にウエハWを搬送するシャトルアーム70が設けられている。このシャトルアーム70は、例えばY方向に直線的に移動自在に形成されており、ウエハWを支持した状態でY方向に移動し、第3の処理ブロックB3の受渡しモジュールTRS1と第4の処理ブロックB4の受渡しモジュールTRS2との間でウエハWを搬送できる。
図1に示すように、第3の処理ブロックB3のX方向正方向側の隣には、他の基板搬送装置としての受渡しアーム80が設けられている。この受渡しアーム80は、例えばX方向、鉛直軸回り(θ方向)及び鉛直方向(Z方向)に移動自在なアーム体81を具備しており、ウエハWを支持した状態で鉛直方向に移動して、第3の処理ブロックB3内の所定の装置にウエハWを搬送できるようになっている。
また、第4の処理ブロックB4のX方向正方向側の隣にも、他の基板搬送装置としての受渡しアーム82が設けられている。この受渡しアーム82は、例えばX方向、鉛直軸回り(θ方向)及び鉛直方向(Z方向)に移動自在なアーム体83を具備しており、ウエハWを支持した状態で鉛直方向に移動して、第4の処理ブロックB4内の所定の装置にウエハWを搬送できるようになっている。なお、受渡しアーム82は、後述する受渡しアーム84の搬送性能が高い場合には省略することができる。
インターフェイスステーション5には、受渡しアーム84と受渡しモジュール90が設けられている。受渡しアーム84は、例えばY方向、鉛直軸回り(θ方向)及び鉛直方向(Z方向)に移動自在なアーム体85を具備しており、アーム体85にウエハWを支持して、第4の処理ブロックB4内の所定のモジュール、受渡しモジュール90及び露光装置4との間でウエハWを受け渡しできるようになっている。
次に、塗布処理装置33の構成について説明する。塗布処理装置33は、図4及び図5に示すように、内部を密閉することができる処理容器100を有している。処理容器100のウエハ搬送領域D側の側面には、図5に示すように、ウエハWの搬入出口101が例えば4箇所に形成されている。これら搬入出口101は、後述する塗布部110〜113に対応する位置にそれぞれ形成されている。
処理容器100の内部には、例えばウエハW上にポリイミド溶液を塗布する4つの塗布部110〜113が設けられている。これら塗布部110〜113は、Y方向負方向(図5の左方向)側からY方向正方向(図5の右方向)側にこの順で並設されている。
図5に示すように、塗布部110〜113のX方向負方向(図5の下方向)側には、Y方向(図5の左右方向)に沿って延在するガイドレール120が配設されている。このガイドレール120は、例えば塗布部110のY方向負方向(図5の左方向)側の外方から塗布部113のY方向正方向(図5の右方向)側の外方まで形成されている。
ガイドレール120には、2本のアーム121,122が移動自在に装着されている。ここで、X方向負方向側に設けられたアーム121を第1のアーム121といい、X方向正方向側に設けられたアーム122を第2のアーム122という。
第1のアーム121には、図4及び図5に示すように、ポリイミド溶液を吐出する塗布液供給ノズルとしての第1の供給ノズル131が支持されている。この第1のアーム121は、図5に示すノズル移動機構であるノズル駆動部123により、ガイドレール120上を移動自在に形成されている。
これにより、第1の供給ノズル131は、塗布部110のY方向負方向側の外方の待機位置に設置された待機部141から各塗布部110,111内のウエハWの中心部上方まで移動でき、さらに当該ウエハWの表面上をウエハWの径方向に移動できる。また、第1のアーム121は、ノズル駆動部123によって昇降自在であり、第1の供給ノズル131の高さを調節できるようになっている。
第1の供給ノズル131には、図6に示すように、供給管133を介して、第1の供給ノズル131にポリイミド溶液を供給するポリイミド供給源134が接続されている。また、供給管133には流量制御開閉弁V1が介設されている。
なお、待機部141は、第1の供給ノズル131が待機中、当該第1の供給ノズル131の先端部を収容して洗浄するノズルバスにて形成されている。この第1の供給ノズル131の洗浄は、例えばポリイミド溶液のリンス液によって行われる。そして、第1の供給ノズル131の洗浄によって発生する廃液は、例えば待機部141に接続された排液管143から排出され、廃液回収装置32で回収される。
本実施形態では、待機部141のウエハ側近傍には、第1の供給ノズル131の使用前にノズル先端部のポリイミド溶液を吐出するダミーディスペンス部141aが設けられている。このダミーディスペンス部141aは排液管141bを介して排液管143に接続されている。なお、ダミーディスペンス部141aを待機部141であるノズルバスと一体に設けてもよい。
第2のアーム122には、図4及び図5に示すように、ポリイミド溶液を吐出する塗布液供給ノズルとしての第2の供給ノズル132が支持されている。この第2のアーム122は、図5に示すノズル移動機構であるノズル駆動部124により、ガイドレール120上を移動自在形成されている。
これにより、第2の供給ノズル132は、塗布部113のY方向正方向側の外方に設置された待機部142から各塗布部112,113内のウエハWの中心部上方まで移動でき、さらに当該ウエハWの表面上をウエハWの径方向に移動できる。また、第2のアーム152は、ノズル駆動部124によって昇降自在であり、第2の供給ノズル132の高さを調節できるようになっている。なお、上述したポリイミド供給源134は、第2の供給ノズル132にも接続され、当該第2の供給ノズル132にポリイミド溶液を供給する。
なお、待機部142は、第2の供給ノズル132が待機中、当該第2の供給ノズル132の先端部を収容して洗浄するノズルバスにて形成されている。この第2の供給ノズル132の洗浄は、例えばポリイミド溶液のリンス液によって行われる。そして、第2の供給ノズル132の洗浄によって発生する廃液は、例えば待機部142に接続された排液管144から排出され、廃液回収装置32で回収される。
本実施形態では、待機部142のウエハ側近傍には、第2の供給ノズル132の使用前にノズル先端部のポリイミド溶液を吐出するダミーディスペンス部142aが設けられている。このダミーディスペンス部142aは排液管142bを介して排液管144に接続されている。なお、ダミーディスペンス部142aを待機部142であるノズルバスと一体に設けてもよい。
塗布部110には、図6に示すように、ウエハWの裏面の中心部を保持して回転させる基板保持部であるスピンチャック150が設けられている。このスピンチャック150は、水平な上面を有し、当該上面には、例えばウエハWを吸引する吸引口(図示せず)が設けられている。この吸引口からの吸引により、ウエハWをスピンチャック150上に吸着保持できる。
スピンチャック150の下方には、シャフト151を介して例えばモータやシリンダなどを備えた回転駆動部152が設けられている。この回転駆動部152により、スピンチャック150は鉛直軸回りに所定の速度で回転でき、かつ昇降可能になっている。
また、スピンチャック150の下方側には、シャフト151を囲むようにカップベース153が設けられている。このカップベース153は、スピンチャック150に保持されたウエハWの裏面側に落下する液体を受け止め、回収することができる。なお、カップベース153には、回収した廃液を排出するための排液管174が接続されている。
スピンチャック150の下方であって、カップベース153上には、ウエハWの裏面にリンス液を噴射するバックリンスノズル155が例えば対向する2箇所に設けられている。このバックリンスノズル155は、リンス液供給管154を介して、ポリイミド溶液のリンス液が貯留されているリンス液供給源156に接続されている。このリンス液供給管157には、流量制御開閉弁V2が介設されている。また、カップベース153の外周部には、断面形状が山形、すなわち上方に凸に突出した形状のガイドリング158が設けられている。このガイドリング158の外周部は下方側に屈曲して垂下している。
スピンチャック150、スピンチャック150に保持されたウエハW、及びガイドリング158の側方には、これらスピンチャック150、ウエハW及びガイドリング158を囲むようにカップ160が設けられている。このカップ160は、ウエハWから飛散又は落下する液体を受け止めることができ、回収することができる。
カップ160は、上面にスピンチャック150が昇降できるようにウエハWよりも大きい開口部が形成されていると共に、内周側面とガイドリング158の外周縁との問に排出路をなす隙間161が形成されている。
また、カップ160の下部には、カップ160内の雰囲気を排気すると共に、カップ160内の廃液を回収する気液分離部162が環状に形成されている。この気液分離部162には、ガイドリング158の外周部と、カップ160の底面に設けられた仕切壁163とにより迂回路が形成されている。そして、この迂回路により気液分離部162で気体と液体が分離される。すなわち、気液分離部162は、仕切壁163によって、カップ160内の廃液を排出するための外側領域164と、カップ160内の雰囲気を排気するための内側領域165に区画されている。外側領域164には、カップ160内の廃液を排出する排液管166が接続されている。また、内側領域165には、カップ160内の雰囲気を排気するための排気管167が接続されている。
カップ160の下方には、カップベース153とカップ160内で回収された廃液を収集し、廃液回収装置32に排出するための廃液容器170が設けられている。この廃液容器170の上面には、カップベース153で回収した廃液を排出する排液管154と、カップ160内で回収した廃液を排出する排液管166とが接続されている。また、廃液容器170は、配管171を介して廃液回収装置32を構成する廃液回収タンク32aが接続されている。廃液回収タンク32aにはポンプ32bを介設した排液管32cが接続されており、ポンプ32bの駆動により廃液回収装置32から塗布・現像処理システム1の外部に廃液が排出されるようになっている。
なお、塗布部111、112、113の構成については、上述した塗布部110と同様であるので説明を省略する。
また、周縁部洗浄装置34は、上述した塗布処理装置33の構成とほぼ同様の構成を有している。この場合、周縁部洗浄装置34は、塗布処理装置33の第1及び第2の供給ノズル131,132に代えて、スピンチャック150に保持されたウエハWの周縁部にリンス液を供給するエッジリンスノズルを有している。このエッジリンスノズルは、各塗布部110〜113にそれぞれ個別に設けられていてもよい。
また、各塗布部110〜113の廃液容器170で回収される廃液は、直接、廃液排出モジュール50に排出される。なお、周縁部洗浄装置34のその他の構成は、塗布処理装置33の構成と同様であるので説明を省略する。
上記のように構成される塗布処理装置33において、回転駆動部152、ノズル駆動部123,124、流量制御開閉弁V1、及びリンス液供給管157に介設される開閉弁V2は、それぞれ制御部200に電気的に接続されており、制御部200から信号に基づいて、回転駆動部152の回転、供給ノズル131,132のポリイミド溶液の吐出及びノズル駆動部123,124の駆動を制御するようになっている。
制御部200は、例えば制御コンピュータであり、プログラム格納部(図示せず)を有している。プログラム格納部には、塗布・現像処理システム1におけるウエハ処理を実行するプログラムが格納されている。なお、前記プログラムは、例えばコンピュータ読み取り可能なハードディスク、フレキシブルディスク、コンパクトディスク、マグネットオプティカルデスク、メモリーカードなどのコンピュータに読み取り可能な記憶媒体Hに記録されていたものであって、その記憶媒体Hから制御部200にインストールされたものであってもよい。
次に、この発明に係る塗布処理方法について、図7〜図14を参照して説明する。ここでは、第1の供給ノズル131(以下に単に供給ノズル131という)を用いたポリイミド溶液の塗布処理について説明する。なお、直径300mmのウエハWを塗布処理する。
<第1実施形態>
図7〜図11は第1実施形態に係る塗布処理方法における各工程を示す概略平面図及びその側面図であり、図13は第1の塗布処理方法における各工程を示すフローチャートである。
図7〜図11は第1実施形態に係る塗布処理方法における各工程を示す概略平面図及びその側面図であり、図13は第1の塗布処理方法における各工程を示すフローチャートである。
第1実施形態の塗布処理方法は、まず、スピンチャック150に保持されたウエハWの外部のダミーディスペンス部141aに供給ノズル131からポリイミド溶液300を吐出(ダミーディスペンス)する(ステップS−1、図7(a),(b)参照)。供給ノズル131から供給されるポリイミド溶液300の吐出量は50ml/minであって、吐出時間は1秒である。
次に、ウエハWを回転していない状態で、ウエハWの中心位置C1に対して所定距離例えば5mm偏倚した位置C2(以下に偏倚位置C2という)に供給ノズル131を移動し(ステップS−2)、供給ノズル131からポリイミド溶液300を吐出する(ステップS−3、図8(a),(b)参照)。供給ノズル131から供給されるポリイミド溶液300の吐出量は1.0ml/minであって、吐出時間は1秒である。
次に、ウエハWを第1の回転数(50〜150rpm)例えば100rpmで回転すると共に、供給ノズル131を偏倚位置C2からウエハWの中心位置C1に向けて移動する(ステップS−4、図9(a),(b)参照)。その後、第1の回転数(50〜150rpm)例えば100rpmで回転するウエハWの中心位置C1に供給ノズル131からポリイミド溶液300を吐出して、ポリイミド溶液300を偏倚位置C2より外周側に広げる(ステップS−5、図10(a),(b)参照)。供給ノズル131から供給されるポリイミド溶液の吐出量は1.0ml/minであって、吐出時間は4.5秒である。
次に、供給ノズル131からのポリイミド溶液300の吐出を停止した状態で、ウエハWを第1の回転数より大きい第2の回転数(1000〜4000rpm)例えば3000rpmで回転してポリイミド溶液300をウエハWの全面に広げる(ステップS−6、図11(a),(b)参照)。この工程を3秒間行う。
上記のようにしてウエハWの全面にポリイミド溶液300を広げた後、ウエハWの回転数を例えば1970rpmにしてポリイミド膜厚を調整する(ステップS−7)。この膜厚調整工程を25秒間行う。次に、ウエハWの回転数を例えば1000rpmにした状態で、バックリンスノズル155からウエハWの裏面外周部にリンス液を吐出して、ウエハWのエッジ部と裏面部を洗浄する(ステップS−8)。このときのリンスノズル155から吐出されるリンス液の流量は、ウエハ周縁部に20ml/min、周縁裏面部に50ml/minであり、リンス液の吐出位置をウエハWの裏面周縁と、その周縁内部に異なる位置に数秒毎に代えて間欠的に行う。そして、ウエハWの回転数を例えば1000rpmにして、振り切り乾燥する(ステップS−9)。この乾燥工程を5秒行う。その後、塗布されたポリイミド膜の周縁部に冠状に隆起する部分を滑らかにするために、ウエハWの回転数を例えば4000rpmにして乾燥処理を行ってもよい。
本実施形態の第1の塗布処理方法によれば、ウエハWの外部のダミーディスペンス部141aに供給ノズル131からポリイミド溶液300を吐出した後、ウエハWの中心位置より所定距離例えば5mm偏倚した偏倚位置C2に供給ノズル131からポリイミド溶液300を吐出し、その後、ウエハWを第1の回転数(50〜150rpm)例えば100rpmで回転すると共に、供給ノズル131をウエハ中心位置C1に移動してポリイミド溶液300を吐出し、その後、第1の回転数(50〜150rpm)例えば100rpmで回転するウエハWに対してポリイミド溶液300の吐出を停止して、ポリイミド溶液300を偏倚位置C2より外周側に広げ、その後、ウエハWを第1の回転数より大きい第2の回転数(1000〜4000rpm)例えば3000rpmで回転して、ポリイミド溶液300をウエハWの全面に広げることができる。したがって、粘性及び高吸湿性を有するポリイミド溶液300の塗布膜の特にウエハ中心部付近の塗布斑をなくすと共に、膜厚の均一性の向上が図れる。
<第2実施形態>
図12は第2実施形態の塗布処理方法における第2のポリイミド溶液を広げる工程を示す概略平面図及びその側面図であり、図14は第2実施形態の塗布処理方法における各工程を示すフローチャートである。なお、第2実施形態の塗布処理方法において、ステップS−1〜ステップS−5、ステップS−6〜ステップS−9の処理は第1実施形態の塗布処理方法と同じであるので、図7〜図11を参照して説明する。
図12は第2実施形態の塗布処理方法における第2のポリイミド溶液を広げる工程を示す概略平面図及びその側面図であり、図14は第2実施形態の塗布処理方法における各工程を示すフローチャートである。なお、第2実施形態の塗布処理方法において、ステップS−1〜ステップS−5、ステップS−6〜ステップS−9の処理は第1実施形態の塗布処理方法と同じであるので、図7〜図11を参照して説明する。
第2実施形態の塗布処理方法は、まず、スピンチャック150に保持されたウエハWの外部のダミーディスペンス部141aに供給ノズル131からポリイミド溶液300を吐出(ダミーディスペンス)する(ステップS−1、図7(a),(b)参照)。供給ノズル131から供給されるポリイミド溶液300の吐出量は50ml/minであって、吐出時間は1秒である。
次に、ウエハWを回転していない状態で、ウエハWの中心位置C1に対して所定距離例えば5mm偏倚した位置C2(以下に偏倚位置C2という)に供給ノズル131を移動し(ステップS−2)、供給ノズル131からポリイミド溶液300を吐出する(ステップS−3、図8(a),(b)参照)。供給ノズル131から供給されるポリイミド溶液300の吐出量は1.0ml/minであって、吐出時間は1秒である。
次に、ウエハWを第1の回転数(50〜150rpm)例えば100rpmで回転すると共に、供給ノズル131を偏倚位置C2からウエハWの中心位置C1に向けて移動する(ステップS−4、図9(a),(b)参照)。その後、第1の回転数(50〜150rpm)例えば100rpmで回転するウエハWの中心位置C1に供給ノズル131からポリイミド溶液300を吐出して、ポリイミド溶液300を偏倚位置C2より外周側に広げる(ステップS−5、図10(a),(b)参照)。供給ノズル131から供給されるポリイミド溶液の吐出量は1.0ml/minであって、吐出時間は4.5秒である。
次に、供給ノズル131からのポリイミド溶液300の吐出を停止した状態で、回転数(150〜400rpm)例えば200rpmで回転してポリイミド溶液300を更に外周側に広げる(ステップS−5a、図12(a),(b)参照)。この工程を2秒間行う。
次に、ポリイミド溶液300の吐出を停止した状態で、ウエハWを第1の回転数及びステップS−5aの回転数より大きい第2の回転数(1000〜4000rpm)例えば3000rpmで回転してポリイミド溶液300をウエハWの全面に広げる(ステップS−6、図11(a),(b)参照)。この工程を3秒間行う。
上記のようにしてウエハWの全面にポリイミド溶液300を広げた後、ウエハWの回転数を例えば1970rpmにしてポリイミド膜厚を調整する(ステップS−7)。この膜厚調整工程を25秒間行う。次に、ウエハWの回転数を例えば1000rpmにした状態で、バックリンスノズル155からウエハWの裏面外周部にリンス液を吐出して、ウエハWのエッジ部と裏面部を洗浄する(ステップS−8)。このときのリンスノズル155から吐出されるリンス液の流量は、ウエハ周縁部に20ml/min、周縁裏面部に50ml/minであり、リンス液の吐出位置をウエハWの裏面周縁と、その周縁内部に異なる位置に数秒毎に代えて間欠的に行う。そして、ウエハWの回転数を例えば1000rpmにして、振り切り乾燥する(ステップS−9)。この乾燥工程を5秒行う。その後、塗布されたポリイミド膜の周縁部に冠状に隆起する部分を滑らかにするために、ウエハWの回転数を例えば4000rpmにして乾燥処理を行ってもよい。
本実施形態の第2の塗布処理方法によれば、ウエハWの外部のダミーディスペンス部141aに供給ノズル131からポリイミド溶液300を吐出した後、ウエハWの中心位置より所定距離例えば5mm偏倚した偏倚位置C2に供給ノズル131からポリイミド溶液300を吐出し、その後、ウエハWを第1の回転数(50〜150rpm)例えば100rpmで回転すると共に、供給ノズル131をウエハ中心位置C1に移動してポリイミド溶液300を吐出し、その後、第1の回転数(50〜150rpm)例えば100rpmで回転するウエハWに対してポリイミド溶液300の吐出を停止して、ポリイミド溶液300を偏倚位置C2より外周側に広げ、更に、供給ノズル131からのポリイミド溶液300の吐出を停止した状態で、回転数(150〜400rpm)例えば200rpmで回転してポリイミド溶液300を更に外周側に広げる。その後、ウエハWを例えば3000rpmで回転して、ポリイミド溶液300をウエハWの全面に広げることができる。したがって、粘性及び高吸湿性を有するポリイミド溶液300の塗布膜の特にウエハ中心部付近の塗布斑をなくすと共に、膜厚の均一性の向上が図れる。また、第2の塗布処理方法によれば、例えば、粘度の高いポリイミド溶液300の塗布膜形成に対して有効である。
次に、上記のように構成される塗布・現像処理システム1を用いたウエハWの処理方法について簡単に説明する。
まず、複数枚のウエハWを収容したカセット12が、カセットステーション2の所定のカセット載置板11に載置される。その後、ウエハ受渡しアーム21によりカセット12内の各ウエハWが順次取り出され、処理ステーション3の第3の処理ブロックB3の例えば受渡しモジュールBU2に搬送される。
次に、ウエハWは、受渡しアーム80によって温度調節モジュールCPL2に搬送され、所定の温度、例えば常温に調節される。その後、ウエハWは、ウエハ搬送アーム60によって第2の処理ブロックB2の疎水化処理モジュールADHに搬送され、疎水化処理される。その後、ウエハWは、ウエハ搬送アーム60によって第3の処理ブロックB3の温度調節モジュールCPL3に搬送され、所定の温度、例えば常温に調節される。
その後、ウエハWは、ウエハ搬送アーム60によって第2の処理ブロックB2の位置調節モジュールALIに搬送され、位置調節モジュールALIでは、ウエハWの中心位置が調節される。
中心位置が調節されたウエハWは、位置調節モジュールALIからウエハ搬送アーム60に受け渡されて、塗布処理部33に搬送され、塗布部110のスピンチャック150に受け渡される。
塗布部110において、上述の第1又は第2の塗布処理方法によってウエハW上にポリイミド膜が形成される。なお、ウエハW上にポリイミド膜を形成した後、バックリンスノズル155からウエハWの裏面にリンス液を噴射し、当該ウエハWの裏面を洗浄する。
その後、ウエハWは、ウエハ搬送アーム60によって塗布処理装置33から搬出され、ウエハ搬送アーム60によって熱処理モジュール40に搬送されて、プリベーク処理される。その後、ウエハWは、ウエハ搬送アーム60によって第4の処理ブロックB4の温度調節モジュールCPL6に搬送され、所定の温度、例えば常温に調節される。
その後、ウエハWは、ウエハ搬送アーム60によって第2の処理ブロックB2の位置調節モジュールALIに搬送される。位置調節モジュールALIでは、ウエハWの中心位置が調節される。
その後、ウエハWは、ウエハ搬送アーム60によって周辺露光モジュールWEEに搬送され、周辺露光処理される。周辺露光処理された後、エハWは、ウエハ搬送アーム60によって第3の処理ブロックB3の受渡しモジュールBU3に搬送される。
次に、ウエハWは、受渡しアーム80によって受渡しモジュールTRS1に搬送され、シャトルアーム70によって第4の処理ブロックB4の受渡しモジュールTRS2に搬送される。その後、ウエハWは、インターフェイスステーション5の受渡しアーム84によって露光装置4に搬送され、露光処理される。
次に、ウエハWは、受渡しアーム84によって露光装置4から第4の処理ブロックB4の受け渡し装置70に搬送される。その後、ウエハWは、ウエハ搬送アーム60によって第2の処理ブロックB2の熱処理モジュール40に搬送され、露光後ベーク処理される。その後、ウエハWは、ウエハ搬送アーム60によって第1の処理ブロックB1の現像処理装置30に搬送され、現像される。
現像終了後、ウエハWは、ウエハ搬送アーム60によって第2の処理ブロックB2の熱処理モジュール40に搬送され、ポストベーク処理される。
その後、ウエハWは、ウエハ搬送アーム60によって第3の処理ブロックB3の受渡しモジュールBU1に搬送され、その後カセットステーション2のウエハ受渡しアーム21によって所定のカセット載置板11のカセット12に搬送される。このようにして、ウエハW上のポリイミド膜に所定のパターンが形成され、一連のフォトリソグラフィ処理が終了する。
<その他の実施形態>
上記実施形態では、この発明に係る塗布処理方法(装置)を半導体ウエハに適用した場合に付いて説明したが、この発明は、半導体ウエハだけでなく、フラットパネルディスプレイ用のガラス基板に対しても適用することができる。
上記実施形態では、この発明に係る塗布処理方法(装置)を半導体ウエハに適用した場合に付いて説明したが、この発明は、半導体ウエハだけでなく、フラットパネルディスプレイ用のガラス基板に対しても適用することができる。
次に、この発明に係る塗布処理方法と従来の塗布方法との評価実験について説明する。
<実験条件>
・塗布液:ポリイミド樹脂系溶液
・試料:300mmφウエハ
・塗布液温度:23℃
・カップ温度:23℃
・カップ湿度:45%
・塗布液:ポリイミド樹脂系溶液
・試料:300mmφウエハ
・塗布液温度:23℃
・カップ温度:23℃
・カップ湿度:45%
<比較例1>
ウエハ中心位置に塗布液(ポリイミド溶液)を吐出(吐出量1.0ml/sec、吐出時間4.5秒)、次に、回転数200rpmで2秒間回転した後、回転数3000rpmで3秒間回転してポリイミド溶液をウエハ全面に広げる。
ウエハ中心位置に塗布液(ポリイミド溶液)を吐出(吐出量1.0ml/sec、吐出時間4.5秒)、次に、回転数200rpmで2秒間回転した後、回転数3000rpmで3秒間回転してポリイミド溶液をウエハ全面に広げる。
<比較例2>
ウエハ外部にダミーディスペンス(吐出量1.0ml/sec、吐出時間1秒)を行った後、回転数100rpmで回転した状態で、ウエハ中心位置にポリイミド溶液を吐出(吐出量1.0ml/sec、吐出時間4.5秒)、次に、回転数200rpmで2秒間回転した後、回転数3000rpmで3秒間回転してポリイミド溶液をウエハ全面に広げる。
ウエハ外部にダミーディスペンス(吐出量1.0ml/sec、吐出時間1秒)を行った後、回転数100rpmで回転した状態で、ウエハ中心位置にポリイミド溶液を吐出(吐出量1.0ml/sec、吐出時間4.5秒)、次に、回転数200rpmで2秒間回転した後、回転数3000rpmで3秒間回転してポリイミド溶液をウエハ全面に広げる。
<比較例3>
ウエハ中心位置から5mm偏倚した偏倚位置にポリイミド溶液を吐出(吐出量1.0ml/sec、吐出時間1秒)、その後、供給ノズルをウエハ中心位置に移動して、回転数100rpmで回転した状態で、ウエハ中心位置にポリイミド溶液を吐出(吐出量1.0ml/sec、吐出時間4.5秒)、その後、ポリイミド溶液の吐出を停止した状態で、回転数200rpmで2秒間回転した後、回転数3000rpmで3秒間回転してポリイミド溶液をウエハ全面に広げる。
ウエハ中心位置から5mm偏倚した偏倚位置にポリイミド溶液を吐出(吐出量1.0ml/sec、吐出時間1秒)、その後、供給ノズルをウエハ中心位置に移動して、回転数100rpmで回転した状態で、ウエハ中心位置にポリイミド溶液を吐出(吐出量1.0ml/sec、吐出時間4.5秒)、その後、ポリイミド溶液の吐出を停止した状態で、回転数200rpmで2秒間回転した後、回転数3000rpmで3秒間回転してポリイミド溶液をウエハ全面に広げる。
<実施例1>
ウエハ外部にダミーディスペンス(吐出量1.0ml/sec、吐出時間1秒)を行った後、ウエハ中心位置から5mm偏倚した偏倚位置に供給ノズルを移動してポリイミド溶液を吐出(吐出量1.0ml/sec、吐出時間1秒)、その後、供給ノズルをウエハ中心位置に移動して、回転数100rpmで回転した状態で、ウエハ中心位置にポリイミド溶液を吐出(吐出量1.0ml/sec、吐出時間4.5秒)、次に、回転数200rpmで2秒間回転した後、回転数3000rpmで3秒間回転してポリイミド溶液をウエハ全面に広げる。
ウエハ外部にダミーディスペンス(吐出量1.0ml/sec、吐出時間1秒)を行った後、ウエハ中心位置から5mm偏倚した偏倚位置に供給ノズルを移動してポリイミド溶液を吐出(吐出量1.0ml/sec、吐出時間1秒)、その後、供給ノズルをウエハ中心位置に移動して、回転数100rpmで回転した状態で、ウエハ中心位置にポリイミド溶液を吐出(吐出量1.0ml/sec、吐出時間4.5秒)、次に、回転数200rpmで2秒間回転した後、回転数3000rpmで3秒間回転してポリイミド溶液をウエハ全面に広げる。
<実施例2>
ウエハ外部にダミーディスペンス(吐出量1.0ml/sec、吐出時間1秒)を行った後、ウエハ中心位置から5mm偏倚した偏倚位置に供給ノズルを移動してポリイミド溶液を吐出(吐出量0.5ml/sec、吐出時間1秒)、その後、供給ノズルをウエハ中心位置に移動して、回転数100rpmで回転した状態で、ウエハ中心位置にポリイミド溶液を吐出(吐出量1.0ml/sec、吐出時間4.5秒)、次に、回転数200rpmで2秒間回転した後、回転数3000rpmで3秒間回転してポリイミド溶液をウエハ全面に広げる。
ウエハ外部にダミーディスペンス(吐出量1.0ml/sec、吐出時間1秒)を行った後、ウエハ中心位置から5mm偏倚した偏倚位置に供給ノズルを移動してポリイミド溶液を吐出(吐出量0.5ml/sec、吐出時間1秒)、その後、供給ノズルをウエハ中心位置に移動して、回転数100rpmで回転した状態で、ウエハ中心位置にポリイミド溶液を吐出(吐出量1.0ml/sec、吐出時間4.5秒)、次に、回転数200rpmで2秒間回転した後、回転数3000rpmで3秒間回転してポリイミド溶液をウエハ全面に広げる。
上記比較例1〜3と実施例1,2によってウエハ表面に形成されたポリイミド膜の膜厚を測定したところ、図15に示すような結果が得られた。
上記実験の結果、変化が見られたウエハ中心部付近を観察したところ、比較例1では中心部の膜厚が低下した円心状の塗布斑があった。また、比較例2においては、中心部に突起状の塗布斑があった。また、比較例3においては、比較例1,2に比較して中心部の変化は少ないものの、中心部に彗星状の塗布斑があった。これに対して、実施例1,2のいずれにおいても中心部の塗布斑は全くなかった。
なお、上記実験の比較例2,3と実施例1,2において、ウエハ中心位置への吐出時の回転数100rpmを50〜150rpmの範囲にし、回転数200rpmを150〜400rpmの範囲にし、回転数3000rpmを1000〜4000rpmの範囲にしても、上記と同様の結果が得られた。
33 塗布処理装置
123,124 ノズル駆動部(ノズル移動機構)
131 第1の供給ノズル(塗布液供給ノズル)
132 第2の供給ノズル(塗布液供給ノズル)
134 ポリイミド供給源
141,142 ノズルバス(待機部)
141a,141b ダミーディスペンス部(待機部)
150 スピンチャック(基板保持部)
152 回転駆動部
200 制御部
300 ポリイミド溶液
V1,V2 流量制御弁
W 半導体ウエハ(基板)
123,124 ノズル駆動部(ノズル移動機構)
131 第1の供給ノズル(塗布液供給ノズル)
132 第2の供給ノズル(塗布液供給ノズル)
134 ポリイミド供給源
141,142 ノズルバス(待機部)
141a,141b ダミーディスペンス部(待機部)
150 スピンチャック(基板保持部)
152 回転駆動部
200 制御部
300 ポリイミド溶液
V1,V2 流量制御弁
W 半導体ウエハ(基板)
Claims (8)
- 基板の表面に粘性及び吸湿性を有する塗布液を塗布して塗布膜を形成する塗布処理方法であって、
鉛直軸回りに回転可能に保持された基板の外部に塗布液供給ノズルから塗布液を吐出する工程と、
基板を回転していない状態で、基板の中心位置に対して所定距離偏倚した位置に上記塗布液供給ノズルから塗布液を吐出する工程と、
基板を第1の回転数で回転すると共に、上記塗布液供給ノズルを上記偏倚位置から基板の中心位置に向けて移動する工程と、
上記第1の回転数で回転する基板の中心位置に上記塗布液供給ノズルから塗布液を吐出して、塗布液を上記偏倚位置より外周側に広げる工程と、
基板に対して塗布液の吐出を停止した状態で、基板を上記第1の回転数より大きい第2の回転数で回転して塗布液を基板の全面に広げる工程と、
を含むことを特徴とする塗布処理方法。 - 請求項1に記載の塗布処理方法において、
上記第1の回転数が50rpm〜150rpm、上記第2の回転数が1000rpm〜4000rpmである、ことを特徴とする塗布処理方法。 - 請求項1又は2に記載の塗布処理方法において、
上記塗布液を上記偏倚位置より外周側に広げる工程の後に、基板に対して塗布液の吐出を停止した状態で、上記第1の回転数より大きく、かつ、上記第2の回転数より小さい回転数で基板を回転させて、塗布液を外周に広げる工程を含む、ことを特徴とする塗布処理方法。 - 請求項3に記載の塗布処理方法において、
上記塗布液を外周に広げる工程の回転数が150rpm〜400rpmである、ことを特徴とする塗布処理方法。 - 基板の表面に粘性及び吸湿性を有する塗布液を塗布して塗布膜を形成する塗布処理装置であって、
基板を鉛直軸回りに回転自在に保持する基板保持部と、
上記基板保持部を回転する回転駆動部と、
上記基板保持部にて保持された基板の表面に塗布液を吐出する塗布液供給ノズルと、
上記塗布液供給ノズルを上記基板の外部待機位置と基板中心位置との間で移動するノズル移動機構と、
上記回転駆動部の回転、上記塗布液供給ノズルの塗布液の吐出及び上記ノズル移動機構の駆動を制御する制御部と、を具備し、
上記制御部からの信号に基づいて、上記基板の外部の上記待機位置に上記塗布液供給ノズルから塗布液を吐出した後、上記基板の中心位置より所定距離偏倚した位置に上記塗布液供給ノズルから塗布液を吐出し、その後、基板を第1の回転数で回転すると共に、上記塗布液供給ノズルを上記偏倚位置から基板中心位置に移動し、基板中心位置に上記塗布液供給ノズルから塗布液を吐出して、塗布液を上記偏倚位置より外周側に広げ、その後、塗布液の吐出を停止し、基板を上記第1の回転数より大きい第2の回転数で回転して、塗布液を基板の全面に広げる、ことを特徴とする塗布処理装置。 - 請求項5に記載の塗布処理装置において、
上記第1の回転数が50rpm〜150rpm、上記第2の回転数が1000rpm〜4000rpmである、ことを特徴とする塗布処理装置。 - 請求項5又は6に記載の塗布処理装置において、
上記制御部からの信号に基づいて、上記塗布液を上記偏倚位置より外周側に広げた後に、塗布液の吐出を停止し、上記第1の回転数より大きく、かつ、上記第2の回転数より小さい回転数で基板を回転させて、塗布液を外周に広げる、ことを特徴とする塗布処理装置。 - 請求項7に記載の塗布処理装置において、
上記塗布液を外周に広げる際の回転数が150rpm〜400rpmである、ことを特徴とする塗布処理装置。
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