JP5067432B2 - 塗布、現像装置、現像方法及び記憶媒体 - Google Patents
塗布、現像装置、現像方法及び記憶媒体 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5067432B2 JP5067432B2 JP2010030546A JP2010030546A JP5067432B2 JP 5067432 B2 JP5067432 B2 JP 5067432B2 JP 2010030546 A JP2010030546 A JP 2010030546A JP 2010030546 A JP2010030546 A JP 2010030546A JP 5067432 B2 JP5067432 B2 JP 5067432B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- developing
- substrate
- developer
- module
- wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03B—APPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
- G03B27/00—Photographic printing apparatus
- G03B27/32—Projection printing apparatus, e.g. enlarger, copying camera
- G03B27/52—Details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
- H01L21/0274—Photolithographic processes
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
- G03F7/3021—Imagewise removal using liquid means from a wafer supported on a rotating chuck
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
- H01L21/67178—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers vertical arrangement
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/6719—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
- H01L21/67745—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber characterized by movements or sequence of movements of transfer devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
- H01L21/67748—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber horizontal transfer of a single workpiece
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68785—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support
Description
現像モジュールと、洗浄モジュールと、前記現像モジュールにより現像された基板を前記洗浄モジュールに搬送する搬送機構と、を備え、
前記現像モジュールは、処理雰囲気を形成する気密な処理容器と、この処理容器内に設けられ、基板を載置し、冷却するための温調プレートと、前記処理容器内の基板の表面に現像液のミストを供給して液膜を形成することにより現像処理を行うための雰囲気ガス供給部と、前記現像液の液膜による現像を停止させるために前記基板を乾燥させる乾燥部と、を備え、
前記乾燥部は、前記液膜を乾燥させて当該液膜による現像を停止させるために、処理容器内の処理雰囲気を外部雰囲気に開放する容器開閉機構により構成され、
前記搬送機構は、前記乾燥部により乾燥された基板を前記処理容器から搬出して前記洗浄モジュールへ搬送し、
前記洗浄モジュールは、前記基板を載置する載置部と、この載置部に載置された基板に洗浄液を供給して、前記レジスト膜にパターンを解像するための洗浄処理を行う洗浄液供給部と、を備えたことを特徴とする。
前記現像モジュールから洗浄モジュールに基板を搬送する搬送機構は、前記主搬送機構とは別個に設けられると共に、前記現像モジュールと洗浄モジュールと共に共通の筐体内に収納されていて現像ユニットを構成していてもよい。前記現像モジュールは複数段積層されていてもよい。
処理雰囲気を形成する気密な処理容器内に基板を搬入する工程と、
この処理容器内に設けられた温調プレートに基板を載置する工程と、
温調プレートで基板を冷却する工程と、
処理容器内に搬入された基板の表面に現像液のミストを含む雰囲気ガスを供給して当該現像液の液膜を形成することにより現像処理を行う工程と、
次いで、前記現像液の液膜による現像を停止させるために当該基板を乾燥させる乾燥工程と、
その後、乾燥された前記基板を処理容器から搬出して洗浄モジュール内に搬入し、当該基板を洗浄液により洗浄して前記レジスト膜にパターンを解像する工程と、を含み、
前記乾燥工程は、前記処理容器内の処理雰囲気を外部雰囲気に開放する工程を含むことを特徴とする。
前記コンピュータプログラムは、上述の現像方法を実施するためのものであることを特徴とする。
先ず、本発明の現像システムが適用された塗布、現像装置1について説明する。図1には塗布、現像装置1に露光装置C4が接続されたレジストパターン形成システムの平面図を示しており、図2は同システムの斜視図である。また、図3は同システムの縦断面図である。この塗布、現像装置1にはキャリアブロックC1が設けられており、その載置台11上に載置された密閉型のキャリアCから受け渡しアーム12がウエハWを取り出して処理ブロックC2に受け渡し、処理ブロックC2から受け渡しアーム12が処理済みのウエハWを受け取ってキャリアCに戻すように構成されている
現像ユニット20の構成については後に詳述する。この現像ユニット20に対向するように複数の積層されたモジュールからなる棚ユニットU1〜U5が設けられている。これら、棚ユニットU1〜U5は、現像処理前及び現像処理後で加熱処理を行う加熱モジュール13により構成されている。
続いて図12に第1のブロック(DEV層)B1の他の構成例を示す。この例では棚ユニットU1のモジュールが現像モジュール101として構成されている。また、第1の現像ユニット20に相当するユニットは洗浄処理ユニット2Aとして構成されている。洗浄処理ユニット2Aは、洗浄モジュール7が横方向に4基配列されていること及び現像モジュール2が設けられていないことを除いて現像ユニット20と同様に構成されている。
続いて、図15に示した第1のブロックB1のさらに他の構成例について、第1の実施形態との差異点を中心に説明する。図15の第1のブロックB1には、現像ユニット20の代わりに現像ユニット20Aが設けられており、現像ユニット20Aには現像モジュール2から洗浄モジュール7へウエハWの搬送を行う搬送手段111が設けられている。図16には、現像ユニット20Aの筐体21内の斜視図を示している。基台23上には洗浄モジュール7及び現像モジュールの配列方向に沿って伸びるガイド112が形成されている。搬送手段111を構成する水平移動部113が、このガイド112の伸長方向に沿って水平移動する。水平移動部113には昇降自在に構成された昇降部114が接続されており、この昇降部114には搬送アーム115が設けられている。搬送アーム115は各モジュールに対して進退自在に構成されており、現像モジュール2の昇降ピン42及び洗浄モジュール7の昇降ピン81との間でウエハWの受け渡しを行うことができるようになっている。
既述のようにDEV層B1に現像ユニットは2段に積層されている。上記の第3の実施形態において搬送手段111は例えば各層毎に設けられているが、これら各層の搬送手段を共通化し、上層のモジュールと下層のモジュールとの間でウエハWを搬送してもよい。図17(a)、(b)にはそのようにウエハWを搬送できるように構成した現像ユニット20Bの正面図、平面図を夫々示している。筐体21の奥側(搬送口22の反対側)は上下に連通しており、水平移動部113が下層から上層に向かって伸び、搬送アーム115が上層側及び下層側の各現像モジュール2及び洗浄モジュール7にアクセスすることができる。
評価試験1
レジストが塗布され、所定のパターンに沿って露光されたウエハW1〜ウエハW3に夫々ノズルにより現像液を供給した。ウエハW1については現像液供給後のレジストの断面を撮像した。ウエハW2については現像液供給後に洗浄液を2秒供給した後、レジストの断面を撮像した。ウエハW3については現像液供給後に洗浄液を13秒供給した後、レジストの断面を撮像した。また、各ウエハW1〜W3に塗布するレジストの種類を変更して、同様の実験を行った。
評価試験1と同様に露光されたウエハW1、W2を用意した。ウエハW1についてはスピンチャックに載置し、そのスピンチャックにより鉛直軸回りに回転させながら、ノズルより現像液を供給した。現像液を供給しながら当該現像液の供給位置を、ウエハW1の周縁部から中心部に向けて径方向に移動させ、その後は中心部に向けて所定の時間現像液の供給を続けた。現像液供給後、ウエハW1に洗浄液を供給して現像液を除去し、レジストの断面を撮像した。
評価試験1、2と同様に露光されたウエハWを複数枚用意した。容器本体と上蓋とからなる処理容器に順次ウエハWを搬送し、上蓋を閉じて気密な処理空間を形成した後、処理空間を排気しながら、当該処理空間に前記現像ミストを供給して処理雰囲気を形成した。現像ミストの供給時間は45秒、60秒、90秒と夫々ウエハW毎に変更した。現像ミスト供給後は、上蓋を開いて処理空間を外部雰囲気に開放した後、ウエハWを取り出し、当該ウエハWに洗浄処理を行った。そして、各ウエハW面内の各所におけるレジストパターンのCDの平均を算出すると共にCDについて、ばらつきの指標である3σを算出した。現像ミストの供給時間が45秒、60秒、90秒である実験を、夫々評価試験3−1、3−2、3−3とする。
評価試験2と同様にノズルから現像液を供給し、洗浄処理を行ったウエハWについても評価試験4と同様にCDの平均及び3σを算出した。ノズルからの現像液の供給時間は、ウエハWごとに変更した。この供給時間が短い順に夫々評価試験4−1、4−2、4−3とする。
ウエハWの径方向に伸びる吐出口を備えたノズルをウエハWの一端側から他端側へ、現像液を吐出しながら移動させてウエハWに液盛りを行った後、洗浄処理を行った。現像液の供給時間はウエハW毎に変更しており、この供給時間が30秒、60秒であるものを夫々評価試験5−1、5−2とする。
評価試験3と同様に、露光されたウエハWが搬入された処理空間を排気しながら、当該処理空間に現像ミストを供給した。現像ミストの供給時間は30秒とした。現像ミストの供給停止後、処理空間を外部雰囲気に開放してウエハW表面を乾燥させ、その後にウエハWの洗浄処理を行った。そして、評価試験3と同様にレジストパターンのCDの平均とCDの3σを算出した。現像ミストの供給停止から処理空間の開放までの時間はウエハW毎に設定し、夫々30秒、180秒とした。この開放までの時間が30秒であるものを評価試験6−1とし、180秒であるものを6−2とする。
評価試験3と同様に、露光されたウエハWが搬入された処理空間を排気しながら、当該処理空間に現像ミストを供給した。現像ミストの供給時間は60秒とした。現像ミストの供給停止後、処理空間を開放してウエハW表面を乾燥させ、その後にウエハWの洗浄処理を行った。処理空間を開放してから洗浄処理を行うまでの時間はウエハW毎に設定し、夫々10秒、45秒、90秒、180秒、600秒とした。洗浄処理後は、評価試験3と同様にレジストパターンのCDの平均とCDの3σを算出した。洗浄処理を行うまでの時間が10秒、45秒、90秒、180秒、600秒であるものを夫々評価試験7−1、7−2、7−3、7−4、7−5とする。
S 処理空間
1 塗布、現像装置
2 現像モジュール
20 現像ユニット
3 温調プレート
35 温調部
36、37 吸引口
42 昇降ピン
43 昇降機構
45 排気口
5 処理容器
56 現像蒸気供給部
7 洗浄モジュール
100 制御部
Claims (11)
- 基板にレジスト膜を形成し、露光された基板を現像する塗布、現像装置において、
現像モジュールと、洗浄モジュールと、前記現像モジュールにより現像された基板を前記洗浄モジュールに搬送する搬送機構と、を備え、
前記現像モジュールは、処理雰囲気を形成する気密な処理容器と、この処理容器内に設けられ、基板を載置し、冷却するための温調プレートと、前記処理容器内の基板の表面に現像液のミストを供給して液膜を形成することにより現像処理を行うための雰囲気ガス供給部と、前記現像液の液膜による現像を停止させるために前記基板を乾燥させる乾燥部と、を備え、
前記乾燥部は、前記液膜を乾燥させて当該液膜による現像を停止させるために、処理容器内の処理雰囲気を外部雰囲気に開放する容器開閉機構により構成され、
前記搬送機構は、前記乾燥部により乾燥された基板を前記処理容器から搬出して前記洗浄モジュールへ搬送し、
前記洗浄モジュールは、前記基板を載置する載置部と、この載置部に載置された基板に洗浄液を供給して、前記レジスト膜にパターンを解像するための洗浄処理を行う洗浄液供給部と、を備えたことを特徴とする塗布、現像装置。 - 露光後、現像前の基板を加熱処理する加熱モジュールと、この加熱モジュールにて加熱処理された基板を前記現像モジュールに受け渡す主搬送機構と、を備え、
前記現像モジュールから洗浄モジュールに基板を搬送する搬送機構は、前記主搬送機構とは別個に設けられると共に、前記現像モジュールと洗浄モジュールと共に共通の筐体内に収納されていて現像ユニットを構成していることを特徴とする請求項1に記載の塗布、現像装置。 - 前記現像モジュールは複数段積層されていることを特徴とする請求項1または2に記載の塗布、現像装置。
- 前記雰囲気ガス供給部は、基板の表面に現像液の液膜を形成するために現像液のミストを供給するものであることに代えて、基板の表面に現像液を結露させて液膜を形成するために当該処理容器内に現像液の蒸気を含む気体を供給するものであり、前記温調プレートは基板表面に前記蒸気が結露するように基板の温度を制御することを特徴とする請求項1ないし3のいずれか一項に記載の現像装置。
- 前記雰囲気ガス供給部は、雰囲気ガスを加熱する加熱手段を備えることを特徴とする請求項1ないし4のいずれか一項に記載の現像装置。
- 雰囲気ガスは、加熱雰囲気における現像液の飽和温度よりも高い温度に加熱されることを特徴とする請求項5に記載の現像装置。
- レジスト膜が形成され、露光された基板を現像する現像方法において、
処理雰囲気を形成する気密な処理容器内に基板を搬入する工程と、
この処理容器内に設けられた温調プレートに基板を載置する工程と、
温調プレートで基板を冷却する工程と、
処理容器内に搬入された基板の表面に現像液のミストを含む雰囲気ガスを供給して当該現像液の液膜を形成することにより現像処理を行う工程と、
次いで、前記現像液の液膜による現像を停止させるために当該基板を乾燥させる乾燥工程と、
その後、乾燥された前記基板を処理容器から搬出して洗浄モジュール内に搬入し、当該基板を洗浄液により洗浄して前記レジスト膜にパターンを解像する工程と、を含み、
前記乾燥工程は、前記処理容器内の処理雰囲気を外部雰囲気に開放する工程を含むことを特徴とする現像方法。 - 基板の表面に現像液のミストを供給することに代えて、基板の表面に現像液の蒸気を含む気体を供給する工程を含み、
前記温調プレートは基板表面に前記蒸気が結露するように基板の温度を制御する工程を含むことを特徴とする請求項7に記載の現像方法。 - 前記雰囲気ガスを加熱手段により加熱する工程を含むことを特徴とする請求項7または8記載の現像方法。
- 雰囲気ガスは、加熱雰囲気における現像液の飽和温度よりも高い温度に加熱されることを特徴とする請求項9記載の現像方法。
- 塗布、現像装置に用いられるコンピュータプログラムが記憶された記憶媒体であって、
前記コンピュータプログラムは、請求項7ないし10のいずれか一つに記載の現像方法を実施するためのものであることを特徴とする記憶媒体。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010030546A JP5067432B2 (ja) | 2010-02-15 | 2010-02-15 | 塗布、現像装置、現像方法及び記憶媒体 |
TW099144778A TWI492281B (zh) | 2010-02-15 | 2010-12-20 | 塗佈、顯像裝置、顯像方法及記憶媒體 |
KR1020110007700A KR101685961B1 (ko) | 2010-02-15 | 2011-01-26 | 도포 현상 장치, 현상 방법 및 기억 매체 |
US13/025,300 US8262300B2 (en) | 2010-02-15 | 2011-02-11 | Coating and developing apparatus, developing method and non-transitory medium |
CN201110039003.2A CN102193342B (zh) | 2010-02-15 | 2011-02-15 | 涂覆-显影装置和显影方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010030546A JP5067432B2 (ja) | 2010-02-15 | 2010-02-15 | 塗布、現像装置、現像方法及び記憶媒体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011166088A JP2011166088A (ja) | 2011-08-25 |
JP5067432B2 true JP5067432B2 (ja) | 2012-11-07 |
Family
ID=44369716
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010030546A Expired - Fee Related JP5067432B2 (ja) | 2010-02-15 | 2010-02-15 | 塗布、現像装置、現像方法及び記憶媒体 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8262300B2 (ja) |
JP (1) | JP5067432B2 (ja) |
KR (1) | KR101685961B1 (ja) |
CN (1) | CN102193342B (ja) |
TW (1) | TWI492281B (ja) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5086948B2 (ja) * | 2008-09-10 | 2012-11-28 | トヨタ自動車株式会社 | キャリア位置決め方法及びキャリア搬送装置 |
JP5003774B2 (ja) | 2010-02-15 | 2012-08-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 現像装置、現像方法及び記憶媒体 |
JP5003773B2 (ja) * | 2010-02-15 | 2012-08-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 現像装置、現像方法及び記憶媒体 |
JP5857864B2 (ja) * | 2012-04-23 | 2016-02-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置、液処理方法及び記憶媒体 |
JP5867462B2 (ja) * | 2013-07-26 | 2016-02-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置 |
CN104076622A (zh) * | 2014-06-16 | 2014-10-01 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显影装置 |
JP6512119B2 (ja) * | 2015-04-16 | 2019-05-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法、基板処理システム及び基板処理装置 |
US10418264B2 (en) * | 2016-06-08 | 2019-09-17 | Hermes-Epitek Corporation | Assembling device used for semiconductor equipment |
WO2019188453A1 (ja) * | 2018-03-26 | 2019-10-03 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、空調方法及び記憶媒体 |
JP7090468B2 (ja) * | 2018-05-15 | 2022-06-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP7166089B2 (ja) * | 2018-06-29 | 2022-11-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理システムおよび基板処理方法 |
CN109976106A (zh) * | 2019-04-12 | 2019-07-05 | 云谷(固安)科技有限公司 | 一种显影装置及显影方法 |
KR102316239B1 (ko) * | 2019-10-17 | 2021-10-25 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 방법 |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03190120A (ja) * | 1989-12-20 | 1991-08-20 | Fujitsu Ltd | レジスト現像装置 |
JP2549006B2 (ja) * | 1990-08-15 | 1996-10-30 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板の表面処理方法 |
JPH07175223A (ja) * | 1993-12-21 | 1995-07-14 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板現像装置 |
JP2982853B2 (ja) * | 1994-03-04 | 1999-11-29 | 株式会社日立製作所 | レジスト現像装置及び現像方法 |
JP3280883B2 (ja) * | 1996-05-08 | 2002-05-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 現像処理方法及び現像処理装置 |
TW442336B (en) * | 1997-08-19 | 2001-06-23 | Tokyo Electron Ltd | Film forming method |
JP4052820B2 (ja) * | 2001-07-17 | 2008-02-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 現像処理装置 |
JP3862596B2 (ja) * | 2002-05-01 | 2006-12-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法 |
JP2005277268A (ja) * | 2004-03-26 | 2005-10-06 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置及び基板処理方法 |
JP2008072016A (ja) * | 2006-09-15 | 2008-03-27 | Tokyo Electron Ltd | 液処理装置、液処理方法及び記憶媒体 |
JP5200371B2 (ja) * | 2006-12-01 | 2013-06-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜方法、半導体装置及び記憶媒体 |
JP4687682B2 (ja) * | 2007-03-30 | 2011-05-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布、現像装置及びその方法並びに記憶媒体 |
JP5018388B2 (ja) * | 2007-10-11 | 2012-09-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体 |
JP5136103B2 (ja) * | 2008-02-12 | 2013-02-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 洗浄装置及びその方法、塗布、現像装置及びその方法、並びに記憶媒体 |
JP5056582B2 (ja) * | 2008-05-22 | 2012-10-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体 |
JP5003774B2 (ja) * | 2010-02-15 | 2012-08-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 現像装置、現像方法及び記憶媒体 |
JP5003773B2 (ja) * | 2010-02-15 | 2012-08-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 現像装置、現像方法及び記憶媒体 |
-
2010
- 2010-02-15 JP JP2010030546A patent/JP5067432B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2010-12-20 TW TW099144778A patent/TWI492281B/zh active
-
2011
- 2011-01-26 KR KR1020110007700A patent/KR101685961B1/ko active IP Right Grant
- 2011-02-11 US US13/025,300 patent/US8262300B2/en active Active
- 2011-02-15 CN CN201110039003.2A patent/CN102193342B/zh active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR101685961B1 (ko) | 2016-12-28 |
US20110200321A1 (en) | 2011-08-18 |
US8262300B2 (en) | 2012-09-11 |
KR20110094242A (ko) | 2011-08-23 |
JP2011166088A (ja) | 2011-08-25 |
CN102193342B (zh) | 2014-07-09 |
TWI492281B (zh) | 2015-07-11 |
CN102193342A (zh) | 2011-09-21 |
TW201142930A (en) | 2011-12-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5067432B2 (ja) | 塗布、現像装置、現像方法及び記憶媒体 | |
JP5003773B2 (ja) | 現像装置、現像方法及び記憶媒体 | |
JP5003774B2 (ja) | 現像装置、現像方法及び記憶媒体 | |
JP4853536B2 (ja) | 塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体 | |
JP4535489B2 (ja) | 塗布・現像装置 | |
TWI294641B (en) | Coating and developing apparatus and coating and developing method | |
JP5099054B2 (ja) | 基板処理装置、基板処理方法、塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体 | |
JP4654119B2 (ja) | 塗布・現像装置及び塗布・現像方法 | |
JP4975790B2 (ja) | レジスト液供給装置、レジスト液供給方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 | |
JP5584176B2 (ja) | 現像処理装置、現像処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 | |
JP2010141162A (ja) | 基板の処理方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び基板処理システム | |
JP4807749B2 (ja) | 露光・現像処理方法 | |
JP7158549B2 (ja) | 基板処理方法、基板処理システム及びコンピュータ読み取り可能な記憶媒体 | |
JP5065121B2 (ja) | レジスト液供給装置、レジスト液供給方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 | |
JP4748263B2 (ja) | 塗布、現像装置 | |
JP2011049353A (ja) | 塗布膜形成方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び基板処理システム |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20111213 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120131 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120402 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120424 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120622 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120717 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120730 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150824 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |