JP4853536B2 - 塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体 - Google Patents
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Description
複数枚の基板を収納するキャリアが搬入出されるキャリアブロックと、
基板を撥水処理する撥水モジュールと、基板にレジストを塗布する塗布モジュールと、基板を加熱する加熱板を備えた加熱モジュールと、液浸露光された基板に現像液を供給して現像する現像モジュールと、これら各モジュール間で基板を搬送する基板搬送手段と、を含む、前記キャリアから取り出された基板を処理する処理ブロックと、
この処理ブロックと前記レジストを液浸露光する露光装置との間で基板の受け渡しを行なうインターフェイスブロックと、
基板に対して、少なくとも側面部を前記撥水モジュールで撥水処理するステップ及び塗布モジュールで全面に第1のレジスト塗布を行うステップの一方及び他方を実行し、さらに前記露光装置で第1の液浸露光が行われた後に前記現像モジュールで第1の現像を行うステップと、その後塗布モジュールで全面に第2のレジスト塗布を行うステップと、
さらに前記露光装置で第2の液浸露光が行われた後に現像モジュールで第2の現像を行うステップと、を実行するように前記基板搬送手段及び各モジュールの動作を制御する制御部と、
前記第1の現像終了後から第2の液浸露光が行われるまでの間に基板の側面部を撥水処理するための基板側面部撥水モジュールと、
を備え、
前記基板側面部撥水モジュールは、前記加熱モジュールに組み込まれ、前記加熱モジュールは、前記加熱板に載置された基板の側面部に、当該側面部を撥水処理する撥水処理用ガスを局所的に供給するための撥水処理用ガス供給部と、
余剰の撥水処理用ガスを基板の外周へと押し流すために、前記基板の中央部にパージ用ガスを供給するパージ用ガス供給部と、
を備えたことを特徴とする。
前記蓋体の中央部に、前記加熱板に載置された基板の中央部と対向し、前記パージ用ガスが流通する第1のパージ用ガス流通空間を設け、
前記前記パージ用ガス流通空間の外側に向かって順番に、前記撥水処理用ガスが流通する撥水処理用ガス流通空間と、基板の外周へ押し流された撥水処理用ガスを基板の下方へとさらに押し流すためのガスが流通する第2のパージ用ガス流通空間とが、互いに同心円状に形成されて設けられ、
第1のパージ用ガス流通空間、撥水処理用ガス空間及び第2のパージ用ガス流通空間は互いに区画されていてもよい。
基板に対して、少なくとも側面部を撥水処理する工程と、
基板に対して、全面にレジストを塗布する第1のレジスト塗布を行う工程と、
前記撥水処理及び第1のレジスト塗布後、さらに第1の液浸露光が行われた基板に現像液を供給する第1の現像を行う工程と、
前記第1の現像後、基板に対して全面にレジストを塗布する第2のレジスト塗布を行う工程と、
前記第2のレジスト塗布後、さらに第2の液浸露光が行われた基板に現像液を供給する第2の現像を行う工程と、
前記第1の現像終了後から第2の液浸露光が行われるまでの間に基板の側面部を撥水処理する工程と、を含み、
前記撥水処理工程は、
基板を加熱するための加熱板に載置する工程と、
前記基板を加熱する工程と、
前記基板が加熱されているときに基板の側面部に、当該側面部を撥水処理する撥水処理用ガスを局所的に供給して当該側面部を撥水処理する工程と、
余剰の撥水処理用ガスを基板の外周へと押し流すために、前記基板の中央部にパージ用ガスを供給する工程と、
を含むことを特徴とする。
前記コンピュータプログラムは、上記の塗布、現像方法を実施するためのものであることを特徴とする。
図1は塗布、現像装置2に露光装置C5が接続されたレジストパターン形成システムの平面図であり、図2は同システムの斜視図である。また、図3は同システムの縦断面図である。この塗布、現像装置2にはキャリアブロックC1が設けられており、その載置台21上に載置された密閉型のキャリア20から受け渡しアーム22がウエハWを取り出して処理ブロックC2に受け渡し、処理ブロックC2から受け渡しアーム22が処理済みのウエハWを受け取ってキャリア20に戻すように構成されている。
ところで、上記のベベル部の撥水処理は1回目の現像処理後、2回目の液浸露光前に行えばよく、例えばCOT層B2の棚ユニットU1〜U4でPAB処理を行う加熱モジュールを、加熱モジュール3として構成し、撥水処理を行ってもよい。図10のフローチャートは、そのように加熱モジュール3をCOT層B2に配置したときの塗布、現像装置2の処理工程の一例を示したものである。既述の第1の実施形態との差異点を中心に説明すると、ステップS3においてウエハWをその加熱モジュール3の加熱板37により加熱してPAB処理を行う。このときはウエハWにエアのみ供給し、HMDSガスの供給は行わない。そして、ステップS7においてDEV層B1でウエハWのポストベーク処理を行うときにもウエハWにHMDSガスの供給は行わない。そして、2回目のレジスト塗布後、再びPAB処理を行うために加熱モジュール3にウエハWが搬入されたときに、第1の実施形態のポストベーク処理時と同様にウエハWを加熱しながら処理空間40にエア及びHMDSガスを供給して、ベベル部を撥水処理する。この第2の実施形態においても第1の実施形態と同様の効果が得られる。
洗浄ブロックC3の露光前洗浄モジュール25にウエハWのベベル部を撥水処理する手段を設けて、その露光前洗浄モジュール25で洗浄と撥水処理とを行ってもよい。図11、図12はそのように撥水処理を行う手段を備えた露光前洗浄モジュール5の縦断側面図、平面図を夫々示している。露光前洗浄モジュール5はウエハWの搬送口51が形成された筐体50を備えている。図中52はウエハWの裏面側中央部を吸引吸着して水平に保持する載置台をなすスピンチャックであり、駆動機構53と接続されており、この駆動機構53によりウエハWを保持した状態で回転及び昇降することができる。スピンチャック52に保持されたウエハWを囲むように上部側が開口するカップ体54が設けられている。
上記の各実施形態ではウエハWのベベル部の撥水性を向上させると共にレジストのウエハWへの密着性を向上させるために、1回目のレジスト塗布前にADHモジュールにてウエハWにHMDSガスを供給しているが、このADHモジュールによる処理を行わず、ウエハWに1回目のレジスト塗布後、1回目の液浸露光開始前にウエハWのベベル部のみを露光する処理工程について説明する。ここでは、例えば上記のようにレジスト塗布モジュールに撥水液供給ノズル71が設けられているものとする。このレジスト塗布モジュールでウエハWへの1回目のレジスト塗布が行われた後に、撥水液供給ノズル71から撥水液が供給され、ウエハWのベベル部が撥水処理される。その後、ウエハWが1回目の現像処理を終え、再びこのレジスト塗布モジュールに搬送される。そして、レジスト塗布前あるいは塗布後に再びベベル部の撥水処理を行う。
背景技術の欄で簡単に説明したように、ウエハW全体にHMDSガスを供給して処理した基板を現像する前と、その基板を現像した後で接触角を測定した。図15はそのときの結果を示しており、ウエハWの接触角は現像前で64.9°だったのに対して現像後には47.2°に低下していた。つまり現像液に接触した後は、ウエハWの撥水性が低下している。従って、上記の各実施形態に示されるように1回目の現像処理後、2回目の液浸露光前までにウエハWのベベル部を撥水処理することが有効である。
F 撥水液
10 露光手段
14,17 レジスト膜
15,16 レジストパターン
19 撥水性の薄膜
2 塗布、現像装置
23 現像モジュール
3 加熱モジュール
37 加熱板
4 蓋体
40 処理空間
5 露光前洗浄モジュール
100 制御部
Claims (8)
- 基板にレジストパターンを連続して複数回形成するための塗布、現像装置において、
複数枚の基板を収納するキャリアが搬入出されるキャリアブロックと、
基板を撥水処理する撥水モジュールと、基板にレジストを塗布する塗布モジュールと、基板を加熱する加熱板を備えた加熱モジュールと、液浸露光された基板に現像液を供給して現像する現像モジュールと、これら各モジュール間で基板を搬送する基板搬送手段と、を含む、前記キャリアから取り出された基板を処理する処理ブロックと、
この処理ブロックと前記レジストを液浸露光する露光装置との間で基板の受け渡しを行なうインターフェイスブロックと、
基板に対して、少なくとも側面部を前記撥水モジュールで撥水処理するステップ及び塗布モジュールで全面に第1のレジスト塗布を行うステップの一方及び他方を実行し、さらに前記露光装置で第1の液浸露光が行われた後に前記現像モジュールで第1の現像を行うステップと、その後塗布モジュールで全面に第2のレジスト塗布を行うステップと、
さらに前記露光装置で第2の液浸露光が行われた後に現像モジュールで第2の現像を行うステップと、を実行するように前記基板搬送手段及び各モジュールの動作を制御する制御部と、
前記第1の現像終了後から第2の液浸露光が行われるまでの間に基板の側面部を撥水処理するための基板側面部撥水モジュールと、
を備え、
前記基板側面部撥水モジュールは、前記加熱モジュールに組み込まれ、
前記加熱モジュールは、前記加熱板に載置された基板の側面部に、当該側面部を撥水処理する撥水処理用ガスを局所的に供給するための撥水処理用ガス供給部と、
余剰の撥水処理用ガスを基板の外周へと押し流すために、前記基板の中央部にパージ用ガスを供給するパージ用ガス供給部と、
を備えたことを特徴とする塗布、現像装置。 - 前記加熱モジュールは、前記第1の現像後、第2のレジスト塗布前の基板を加熱する現像後加熱モジュールであることを特徴とする請求項1記載の塗布、現像装置。
- 前記加熱モジュールは、第2のレジスト塗布後、第2の液浸露光が行われるまでに基板を加熱する塗布後加熱モジュールであることを特徴とする請求項1記載の塗布、現像装置。
- 前記加熱モジュールは、前記加熱板上に昇降自在な蓋体を備え、
前記蓋体の中央部に、前記加熱板に載置された基板の中央部と対向し、前記パージ用ガスが流通する第1のパージ用ガス流通空間を設け、
前記前記パージ用ガス流通空間の外側に向かって順番に、前記撥水処理用ガスが流通する撥水処理用ガス流通空間と、基板の外周へ押し流された撥水処理用ガスを基板の下方へとさらに押し流すためのガスが流通する第2のパージ用ガス流通空間とが、互いに同心円状に形成されて設けられ、
第1のパージ用ガス流通空間、撥水処理用ガス空間及び第2のパージ用ガス流通空間は互いに区画されていることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか一つに記載の塗布、現像装置。 - 基板にレジストパターンを連続して複数回形成する塗布、現像方法において、
基板に対して、少なくとも側面部を撥水処理する工程と、
基板に対して、全面にレジストを塗布する第1のレジスト塗布を行う工程と、
前記撥水処理及び第1のレジスト塗布後、さらに第1の液浸露光が行われた基板に現像液を供給する第1の現像を行う工程と、
前記第1の現像後、基板に対して全面にレジストを塗布する第2のレジスト塗布を行う工程と、
前記第2のレジスト塗布後、さらに第2の液浸露光が行われた基板に現像液を供給する第2の現像を行う工程と、
前記第1の現像終了後から第2の液浸露光が行われるまでの間に基板の側面部を撥水処理する工程と、を含み、
前記撥水処理工程は、
基板を加熱するための加熱板に載置する工程と、
前記基板を加熱する工程と、
前記基板が加熱されているときに基板の側面部に、当該側面部を撥水処理する撥水処理用ガスを局所的に供給して当該側面部を撥水処理する工程と、
余剰の撥水処理用ガスを基板の外周へと押し流すために、前記基板の中央部にパージ用ガスを供給する工程と、
を含むことを特徴とする塗布、現像方法。 - 前記加熱板に載置される基板は、第1の現像後、第2のレジスト塗布前の基板であることを特徴とする請求項5記載の塗布、現像方法。
- 前記加熱板に載置される基板は、第2のレジスト塗布後、第2の液浸露光が行われる前の基板であることを特徴とする請求項5記載の塗布、現像方法。
- 基板にレジストパターンを連続して複数回形成するための塗布、現像装置に用いられるコンピュータプログラムが記憶された記憶媒体であって、
前記コンピュータプログラムは、請求項5ないし7のいずれか一つに記載の塗布、現像方法を実施するためのものであることを特徴とする記憶媒体。
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