KR102379016B1 - 지지 유닛, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 이를 이용하는 기판 처리 방법 - Google Patents

지지 유닛, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 이를 이용하는 기판 처리 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 일 실시예에 의하면, 기판 처리 장치는, 내부에 처리 공간을 가지는 하우징과; 처리 공간으로 기판을 소수화시키는 소수화 가스를 공급하는 가스 공급 유닛과; 처리 공간에 놓인 기판을 지지하는 지지 유닛을 포함하되, 지지 유닛은, 지지 플레이트와; 지지 플레이트에 놓인 기판을 가열하도록 제공된 가열 부재와; 그리고 기판을 지지 플레이트의 상면 또는 지지 플레이트의 상면으로부터 상부로 제1거리 이격된 제1위치와, 지지 플레이트의 상면으로부터 상부로 제2거리 이격된 제2위치 간에 위치 변경하는 높이 조절 부재를 포함하되, 제2위치는 제1위치 보다 높은 위치일 수 있다.

Description

지지 유닛, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 이를 이용하는 기판 처리 방법{SUPPORTING UNIT, A SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS INCLUDING THE SAME AND A METHOD USING THE SAME}
본 발명은 지지 유닛, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 이를 이용하는 기판 처리 방법에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 소자를 제조하기 위해서는 세정, 증착, 사진, 에칭, 그리고 이온 주입 등과 같은 다양한 공정이 수행된다. 사진 공정은 웨이퍼 상에 원하는 패턴을 형성시키는 공정이다. 사진 공정은 보통 노광 설비가 연결되어 도포공정, 노광 공정, 그리고 현상 공정을 연속적으로 처리하는 스피너(spinner local) 설비에서 진행된다.
이러한 스피너 설비는 헥사메틸다이사이레인(Hexamethyl disilazane, 이하, HMDS라 한다) 처리 공정, 도포공정, 베이크 공정, 그리고 현상 공정을 순차적 또는 선택적으로 수행한다.
HMDS 처리 공정은 감광액(PR:Photo-resist)의 밀착 효율을 상승시키기 위해 감광액 도포 전에 웨이퍼 상에 HMDS를 공급하여 기판을 소수화 시키는 소수화 공정이다. 베이크 공정은 웨이퍼 상에 형성된 감광액 막을 강화시키기 위해, 또는 웨이퍼의 온도가 기설정된 온도로 조절되기 위해 웨이퍼를 가열 및 냉각시키는 공정이다.
종래의 소수화 공정에서 기판의 상면만을 소수화 시켜왔다. 그러나, 기판을 에칭액에 침지시키는 Ÿ‡에칭 공정과 같은 일부 공정에서 기판의 양면이 모두 소수화되지 않는 경우 기판에 얼룩이 발생하는 문제가 있다. 따라서, 기판의 상면과 하면을 모두 소수화시켜야 하는 필요성이 있다.
이에, 리프트 핀 등으로 기판을 들어올려 기판의 하면을 소수화 시키는 경우 기판이 아래 방향으로 힘을 받는, 이른바 스퀴즈 이펙트(Squeeze effect)가 발생한다. 이에 기판을 들어올리는 경우 기판이 튕겨오르고, 기판이 파손되는 문제가 있다.
본 발명은 기판의 상면과 하면을 소수화 처리할 수 있는 지지 유닛, 이를 포함하는 기판 처리 장치와 이를 이용하는 기판 처리 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 기판이 열 처리되면서 발생하는 스퀴즈 이펙트(Squeeze effect)를 최소화할 수 있는 지지 유닛, 이를 포함하는 기판 처리 장치와 이를 이용하는 기판 처리 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 일 실시예에 의하면, 기판 처리 장치는, 내부에 처리 공간을 가지는 하우징과; 처리 공간으로 기판을 소수화시키는 소수화 가스를 공급하는 가스 공급 유닛과; 처리 공간에 놓인 기판을 지지하는 지지 유닛을 포함하되, 지지 유닛은, 지지 플레이트와; 지지 플레이트에 놓인 기판을 가열하도록 제공된 가열 부재와; 그리고 기판을 지지 플레이트의 상면 또는 지지 플레이트의 상면으로부터 상부로 제1거리 이격된 제1위치와, 지지 플레이트의 상면으로부터 상부로 제2거리 이격된 제2위치 간에 위치 변경하는 높이 조절 부재를 포함하되, 제2위치는 제1위치 보다 높은 위치일 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 높이 조절 부재는, 돌출 위치와 삽입 위치 간에 상하 방향으로 이동 가능하게 제공되고, 돌출 위치에서 기판을 지지하는 플런저를 포함하되, 삽입 위치는 제1위치와 동일하거나 이보다 낮은 높이이고, 돌출 위치는 제2위치에 대응되는 높이일 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 높이 조절 부재는, 지지 플레이트의 상면으로부터 상단까지의 간격이 제1거리로 제공되는 프록시미티 핀을 포함할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 프록시미티 핀은 지지 유닛에 고정 설치될 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 플런저는, 지지 플레이트의 상면에 형성된 홈에 제공되고, 홈에는 홈의 내부를 감압하는 감압 유로가 연결될 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 플런저는, 감압 유로를 감압함에 따라 제2위치에서 제1위치로 이동되도록 제공될 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 플런저는, 플런저의 상하를 관통하는 관통홀이 형성되고, 관통홀은 감압 유로와 연통될 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 플런저는, 제1바디와; 제1바디로부터 위 방향으로 연장되는 제2바디를 포함하고, 상부에서 바라볼 때 제2바디의 면적은 제1바디의 면적보다 작게 제공되며, 제1바디는 돌출 위치에서 홈 내에 위치되고, 제2바디는 돌출 위치에서 기판을 지지할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 제1바디의 하면에는 탄성 부재가 제공되고, 탄성 부재는, 일측이 제1바디의 하면과 연결되고 타측이 지지 플레이트와 연결될 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 감압 유로는, 메인 유로와; 메인 유로로부터 분기되는 제1유로 및 제2유로를 포함하되, 제1유로는 홈과 연결되고, 제2유로는 지지 플레이트의 상면까지 연장될 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 플런저는, 지지 플레이트의 원주 방향으로 복수 개 제공될 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 소수화 가스는, 헥사메틸다이사이레인(Hexamethyldisilazane, HMDS)가스일 수 있다.
또한, 본 발명은 기판을 지지하는 지지 유닛을 제공한다. 일 실시 예에 의하면, 지지 유닛은, 지지 플레이트와; 지지 플레이트에 놓인 기판을 가열하도록 제공된 가열 부재와; 그리고 기판을 지지 플레이트의 상면로부터 상부로 제1거리 이격된 제1위치와 지지 플레이트의 상면으로부터 상부로 제2거리 이격된 제2위치 간에 위치 변경하는 높이 조절 부재를 포함하되, 제2거리는 제1거리 보다 더 클 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 높이 조절 부재는, 제2위치에서 기판을 지지하는 플런저를 포함하되, 플런저는 제1위치와 제2위치 간에 이동이 가능하도록 제공될 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 높이 조절 부재는, 지지 플레이트의 상면으로부터 상단까지의 간격이 제1거리로 제공되는 프록시미티 핀을 포함할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 프록시미티 핀은 지지 유닛에 고정 설치될 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 플런저는, 지지 플레이트의 상면에 형성된 홈에 제공되고, 홈은 지지 플레이트 내부에 형성된 감압 유로와 연통되며, 플런저는, 감압 유로를 감압함에 따라 플런저가 제2위치에서 제1위치로 이동될 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 플런저의 하면에는 탄성 부재가 제공되고, 탄성 부재는 일측이 플런저의 하면과 연결되고 타측이 지지 플레이트와 연결될 수 있다.
또한, 본 발명은 기판을 처리하는 방법을 제공한다. 일 실시 예에 의하면, 기판 처리 방법은, 처리 공간에 소수화 가스를 공급하여 기판의 표면을 소수화 처리하되, 기판을 제1위치와 제2위치 중 어느 하나에 위치시켜 기판의 상면과 하면 중 어느 하나의 면을 소수화 처리하고, 이후에 기판을 제1위치와 제2위치 중 다른 하나에 위치시켜 기판의 상면과 하면 중 다른 하나의 면을 소수화 처리할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 높이 조절 부재는, 지지 플레이트에 형성된 홈에 제공되는 플런저를 포함하고, 플런저가 돌출 위치와 삽입 위치 간에 이동됨으로써 기판을 제1위치와 제2위치 간에 높이 조절할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 플런저의 제2위치에서 제1위치로의 이동은, 지지 플레이트에 형성된 홈 내부를 감압하여 플런저를 하강시킴으로써 이루어지고, 플런저의 제1위치에서 제2위치로의 이동은, 홈 내부에 제공된 감압을 중지하여 플런저를 상승시킴으로써 이루어질 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 플런저의 상승은 플런저에 연결된 탄성부재의 탄성에 의해 이루어질 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 높이 조절 부재는, 지지 플레이트의 상면에 설치되는 프록시머티 핀을 포함하고, 제1위치는 프록시머티 핀의 상단과 대응되는 위치일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 의하면, 기판의 상면과 하면을 소수화 처리할 수 있는 이점이 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 의하면, 기판이 열 처리되면서 발생하는 스퀴즈 이펙트(Squeeze effect)를 최소화할 수 있는 이점이 있다.
본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 사시도이다.
도 2는 도 1의 도포 블럭 또는 현상 블럭을 보여주는 기판 처리 장치의 단면도이다.
도 3은 도 1의 기판 처리 장치의 평면도이다.
도 4는 도 3의 반송 유닛의 핸드를 보여주는 도면이다.
도 5은 도 3의 열처리 챔버를 개략적으로 보여주는 평단면도이다.
도 6은 도 5의 열처리 챔버의 정단면도이다.
도 7은 도 6의 가열 유닛의 정단면도이다.
도 8은 도 7의 지지 플레이트의 평면도이다.
도 9 내지 도 11은 각각 본 발명의 일 실시예에 따른 지지 유닛의 모습을 보여주는 단면도이다.
도 12 내지 도 14는 각각 본 발명의 다른 실시 예에 따른 플런저의 모습을 보여주는 단면도이다.
아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시 예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시 예에 한정되지 않는다. 또한, 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명함에 있어, 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 유사한 기능 및 작용을 하는 부분에 대해서는 도면 전체에 걸쳐 동일한 부호를 사용한다.
어떤 구성요소를 '포함'한다는 것은, 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있다는 것을 의미한다. 구체적으로, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 또한 도면에서 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있다.
도 1은 본 발명의 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 사시도이고, 도 2는 도 1의 도포 블럭 또는 현상 블럭을 보여주는 기판 처리 장치의 단면도이며, 도 3은 도 1의 기판 처리 장치의 평면도이다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 기판 처리 장치(1)는 인덱스 모듈(20, index module), 처리 모듈(30, treating module), 그리고 인터페이스 모듈(40, interface module)을 포함한다. 일 실시예에 의하며, 인덱스 모듈(20), 처리 모듈(30), 그리고 인터페이스 모듈(40)은 순차적으로 일렬로 배치된다. 이하, 인덱스 모듈(20), 처리 모듈(30), 그리고 인터페이스 모듈(40)이 배열된 방향을 X축 방향(12)이라 하고, 상부에서 바라볼 때 X축 방향(12)과 수직한 방향을 Y축 방향(14)이라 하고, X축 방향(12) 및 Y축 방향(14)에 모두 수직한 방향을 Z축 방향(16)이라 한다.
인덱스 모듈(20)은 기판(W)이 수납된 용기(10)로부터 기판(W)을 처리 모듈(30)로 반송하고, 처리가 완료된 기판(W)을 용기(10)로 수납한다. 인덱스 모듈(20)의 길이 방향은 Y축 방향(14)으로 제공된다. 인덱스 모듈(20)은 로드포트(22)와 인덱스 프레임(24)을 가진다. 인덱스 프레임(24)을 기준으로 로드포트(22)는 처리 모듈(30)의 반대 측에 위치된다. 기판(W)들이 수납된 용기(10)는 로드포트(22)에 놓인다. 로드포트(22)는 복수 개가 제공될 수 있으며, 복수의 로드포트(22)는 Y축 방향(14)을 따라 배치될 수 있다.
용기(10)로는 전면 개방 일체 식 포드(Front Open Unified Pod:FOUP)와 같은 밀폐용 용기(10)가 사용될 수 있다. 용기(10)는 오버헤드 트랜스퍼(Overhead Transfer), 오버헤드 컨베이어(Overhead Conveyor), 또는 자동 안내 차량(Automatic GuidedVehicle)과 같은 이송 수단(도시되지 않음)이나 작업자에 의해 로드포트(22)에 놓일 수 있다.
인덱스 프레임(24)의 내부에는 인덱스 로봇(2200)이 제공된다. 인덱스 프레임(24) 내에는 길이 방향이 Y축 방향(14)으로 제공된 가이드 레일(2300)이 제공되고, 인덱스 로봇(2200)은 가이드 레일(2300) 상에서 이동 가능하게 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(2200)은 기판(W)이 놓이는 핸드(2220)를 포함하며, 핸드(2220)는 전진 및 후진 이동, Z축 방향(16)을 축으로 한 회전, 그리고 Z축 방향(16)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다.
처리 모듈(30)은 기판(W)에 대해 도포 공정 및 현상 공정을 수행한다. 처리 모듈(30)은 도포 블럭(30a) 및 현상 블럭(30b)을 가진다. 도포 블럭(30a)은 기판(W)에 대해 도포 공정을 수행하고, 현상 블럭(30b)은 기판(W)에 대해 현상 공정을 수행한다. 도포 블럭(30a)은 복수 개가 제공되며, 이들은 서로 적층되게 제공된다. 현상 블럭(30b)은 복수 개가 제공되며, 현상 블럭들(30b)은 서로 적층되게 제공된다. 도 2의 실시예에 의하면, 도포 블럭(30a)은 2개가 제공되고, 현상 블럭(30b)은 2개가 제공된다. 도포 블럭들(30a)은 현상 블럭들(30b)의 아래에 배치될 수 있다. 일 예에 의하면, 2개의 도포 블럭들(30a)은 서로 동일한 공정을 수행하며, 서로 동일한 구조로 제공될 수 있다. 또한, 2개의 현상 블럭들(30b)은 서로 동일한 공정을 수행하며, 서로 동일한 구조로 제공될 수 있다.
도 3을 참조하면, 도포 블럭(30a)은 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 액 처리 챔버(3600), 그리고 버퍼 챔버(3800)를 가진다. 열처리 챔버(3200)는 기판(W)에 대해 열처리 공정을 수행한다. 열처리 공정은 냉각 공정 및 가열 공정을 포함할 수 있다. 액 처리 챔버(3600)는 기판(W) 상에 액을 공급하여 액막을 형성한다. 액막은 포토레지스트막 또는 반사방지막일 수 있다. 반송 챔버(3400)는 도포 블럭(30a) 내에서 열처리 챔버(3200)와 액처리 챔버(3600) 간에 기판(W)을 반송한다.
반송 챔버(3400)는 그 길이 방향이 X축 방향(12)과 평행하게 제공된다. 반송 챔버(3400)에는 반송 유닛(3420)이 제공된다. 반송 유닛(3420)은 열처리 챔버(3200), 액 처리 챔버(3600), 그리고 버퍼 챔버(3800) 간에 기판을 반송한다. 일 예에 의하면, 반송 유닛(3420)은 기판(W)이 놓이는 핸드(A)를 가지며, 핸드(A)는 전진 및 후진 이동, Z축 방향(16)을 축으로 한 회전, 그리고 Z축 방향(16)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다. 반송 챔버(3400) 내에는 그 길이 방향이 X축 방향(12)과 평행하게 제공되는 가이드 레일(3300)이 제공되고, 반송 유닛(3420)은 가이드 레일(3300) 상에서 이동 가능하게 제공될 수 있다.
도 3는 도 3의 반송 유닛의 핸드의 일 예를 보여주는 도면이다. 도 3을 참조하면, 핸드(A)는 베이스(3428) 및 지지 돌기(3429)를 가진다. 베이스(3428)는 원주의 일부가 절곡된 환형의 링 형상을 가질 수 있다. 베이스(3428)는 기판(W)의 직경보다 큰 내경을 가진다. 지지 돌기(3429)는 베이스(3428)로부터 그 내측으로 연장된다. 지지 돌기(3429)는 복수 개가 제공되며, 기판(W)의 가장자리 영역을 지지한다. 일 예에 의하며, 지지 돌기(3429)는 등 간격으로 4개가 제공될 수 있다.
다시 도 2와 도 3을 참조하면, 열 처리 챔버(3200)는 복수 개로 제공된다. 열 처리 챔버들(3200)은 제1방향(12)을 따라 나열되게 배치된다. 열 처리 챔버(3200)들은 반송 챔버(3400)의 일측에 위치된다.
도 5는 도 3의 열처리 챔버를 개략적으로 보여주는 평단면도이고, 도 6은 도 5의 열처리 챔버의 정단면도이다. 열처리 챔버(3200)는 처리 용기(3201), 냉각 유닛(3220), 가열 유닛(3230)을 포함한다.
처리 용기(3201)는 내부 공간(3202)을 가진다. 처리 용기(3201)는 대체로 직육면체의 형상으로 제공된다. 처리 용기(3201)의 측벽에는 기판(W)이 출입되는 반입구(미도시)가 형성된다. 또한, 반입구를 개폐하도록 도어(미도시)가 제공될 수 있다. 반입구는 선택적으로 개방된 상태로 유지될 수 있다. 반입구는 냉각 유닛(3220)과 인접한 영역에 형성될 수 있다. 냉각 유닛(3220), 가열 유닛(3230), 측정 유닛(3240)은 처리 용기(3201)의 내부 공간(3202) 내에 제공된다. 냉각 유닛(3220) 및 가열 유닛(3230)은 Y축 방향(14)을 따라 나란히 제공된다. 처리 용기(3201)에는 배기 라인(3210)이 연결될 수 있다. 배기 라인(3210)은 팬 유닛(3250)이 공급하는 가스를 처리 용기(3201)의 외부로 배기할 수 있다. 배기 라인(3210)은 처리 용기(3201)의 하부에 연결될 수 있다. 그러나, 이에 한정되는 것은 아니고 배기 라인(3210)은 처리 용기(3201)의 측부 등에 연결될 수 있다.
냉각 유닛(3220)은 냉각 플레이트(3222)를 가진다. 냉각 플레이트(3222)에는 기판(W)이 안착될 수 있다. 냉각 플레이트(3222)는 상부에서 바라볼 때 대체로 원형의 형상을 가질 수 있다. 냉각 플레이트(3222)에는 냉각 부재(미도시)가 제공된다. 일 예에 의하면, 냉각 부재는 냉각 플레이트(3222)의 내부에 형성되며, 냉각 유체가 흐르는 유로로 제공될 수 있다. 이에 냉각 플레이트(3222)는 기판(W)을 냉각시킬 수 있다. 냉각 플레이트(3222)는 기판(W)과 대응하는 직경을 가질 수 있다. 냉각 플레이트(3222)의 가장 자리에는 노치가 형성될 수 있다. 노치는 상술한 핸드(A)에 형성된 지지 돌기(3429)와 대응되는 형상을 가질 수 있다. 또한, 노치는 핸드(A)에 형성된 지지 돌기(3429)와 대응되는 수로 제공되고, 지지 돌기(3429)에 대응되는 위치에 형성될 수 있다. 핸드(A)와 냉각 플레이트(3222)의 상하 위치가 변경하면 핸드(A)와 냉각 플레이트(3222) 간에 기판(W)의 전달이 이루어진다. 냉각 플레이트(3222)에는 슬릿 형상의 가이드 홈(3224)이 복수 개 제공된다. 가이드 홈(3224)은 냉각 플레이트(3222)의 끝단에서 냉각 플레이트(3222)의 내부까지 연장된다. 가이드 홈(3224)은 그 길이 방향이 Y축 방향(14)을 따라 제공되고, 가이드 홈(3224)들은 X축 방향(12)을 따라 서로 이격되게 위치된다. 가이드 홈(3224)은 냉각 플레이트(3222)와 가열 유닛(3230) 간에 기판(W)의 인수인계가 이루어질 때 냉각 플레이트(3222)와 리프트 핀(1340)이 서로 간섭되는 것을 방지한다.
냉각 플레이트(3222)는 지지 부재(3237)에 의해 지지될 수 있다. 지지 부재(3237)는 막대 형상의 제1지지 부재와 제1지지 부재의 중단에 결합되는 제2지지 부재를 포함할 수 있다. 제1지지 부재의 일단과 타단은 구동기(3226)와 결합된다. 구동기(3226)는 가이드 레일(3229) 상에 장착된다. 가이드 레일(3229)은 상부에서 바라볼 때, 그 길이 방향이 Y축 방향(14)이고 처리 용기(3201)의 양측에 제공될 수 있다. 냉각 플레이트(3222)는 가이드 레일(3229)에 장착되는 구동기(3226)에 의해 Y축 방향(14)을 따라 이동할 수 있다.
가열 유닛(3230)은 하우징(3232), 지지 플레이트(4100), 가열 부재(1400), 리프트 핀(1340), 그리고 구동 부재(3238)를 포함할 수 있다. 하우징(3232)은 바디, 그리고 커버를 포함할 수 있다. 바디는 커버의 하부에 배치될 수 있다. 바디는 상부가 개방된 형상을 가질 수 있다. 바디는 상부가 개방된 원통 형상을 가질 수 있다. 커버는 바디의 상부를 덮을 수 있다. 커버는 하부가 개방된 원통 형상을 가질 수 있다. 이와 달리 커버는 바디의 상부를 덮는 판 형상을 가질 수도 있다. 바디와 커버는 서로 조합되어 처리 공간(1110)을 형성할 수 있다. 또한, 커버는 커버를 상하 방향으로 이동시키는 구동 부재(3238)와 연결될 수 있다. 이에, 커버는 상하 방향으로 이동하여 처리 공간(1110)을 개폐할 수 있다. 예컨대, 기판(W)이 처리 공간(1110)으로 반입 또는 반입되는 경우 커버는 상승하여, 처리 공간(1110)을 개방할 수 있다. 또한, 기판(W)이 처리 공간(1110)에서 처리되는 경우 커버를 하강하여 처리 공간(1110)을 폐쇄할 수 있다.
지지 플레이트(4100)는 처리 공간(1110)에서 기판(W)을 지지할 수 있다. 지지 플레이트(4100)에는 기판(W)이 안착될 수 있다. 지지 플레이트(4100)는 상부에서 바라볼 때 대체로 원형의 형상을 가진다. 지지 플레이트(4100)는 기판(W)보다 큰 직경을 가진다.
지지 플레이트(4100)에는 가열 부재(1400)가 제공된다. 일 예에서, 가열 부재(1400)는 히터(1420)로 제공된다. 히터(1420)는 전류가 인가되는 발열 저항체로 제공될 수 있다. 이에 지지 플레이트(4100)는 기판(W)을 가열할 수 있다. 지지 플레이트(4100)에는 Z축 방향(16)을 따라 상하 방향으로 구동 가능한 리프트 핀(1340)들이 제공된다. 리프트 핀(1340)은 가열 유닛(3230) 외부의 반송 수단으로부터 기판(W)을 인수받아 지지 플레이트(4100) 상에 내려놓거나 지지 플레이트(4100)로부터 기판(W)을 들어올려 가열 유닛(3230) 외부의 반송 수단으로 인계한다. 일 예에 의하면, 리프트 핀(1340)은 3개가 제공될 수 있다.
도 7은 도 6의 가열 유닛의 정단면도이고, 도 8은 도 7의 지지 플레이트의 평면도이다. 도 7 내지 도 8을 참조하면, 가열 유닛(1000)은 하우징(1100), 지지 유닛(1300) 가스 공급 유닛(1600)을 포함한다.
하우징(1100)은 내부에 기판(W)을 가열 처리하는 처리 공간(1110)을 제공한다. 처리 공간(1110)은 외부와 차단된 공간으로 제공된다. 하우징(1100)은 상부 바디(1120), 하부 바디(1140), 그리고 실링 부재(1160)를 포함한다.
상부 바디(1120)는 하부가 개방된 통 형상으로 제공되고, 하부 바디(1140)는 상부가 개방된 통 형상으로 제공된다. 하부 바디(1140)는 상부 바디(1120)의 아래에 위치된다. 상부 바디(1120) 및 하부 바디(1140)는 상하 방향으로 서로 마주보도록 위치된다. 상부 바디(1120) 및 하부 바디(1140)는 서로 조합되어 내부에 처리 공간(1110)을 형성한다. 상부 바디(1120) 및 하부 바디(1140)는 상하 방향에 대해 서로의 중심축이 일치되게 위치된다. 하부 바디(1140)는 상부 바디(1120)와 동일한 직경을 가질 수 있다. 즉, 하부 바디(1140)의 상단은 상부 바디(1120)의 하단과 대향되게 위치될 수 있다.
상부 바디(1120) 및 하부 바디(1140) 중 하나는 승강 부재(1130)에 의해 개방 위치와 차단 위치로 이동되고, 다른 하나는 그 위치가 고정된다. 본 실시예에는 하부 바디(1140)의 위치가 고정되고, 상부 바디(1120)가 이동되는 것으로 설명한다. 개방 위치는 상부 바디(1120)와 하부 바디(1140)가 서로 이격되어 처리 공간(1110)이 개방되는 위치이다. 차단 위치는 하부 바디(1140) 및 상부 바디(1120)에 의해 처리 공간(1110)이 외부로부터 밀폐되는 위치이다.
실링 부재(1160)는 상부 바디(1120)와 하부 바디(1140) 사이에 위치된다. 실링 부재(1160)는 상부 바디(1120)와 하부 바디(1140)가 접촉될 때 처리 공간(1110)이 외부로부터 밀폐되도록 한다. 실링 부재(1160)는 환형의 링 형상으로 제공될 수 있다. 실링 부재(1160)는 하부 바디(1140)의 상단에 고정 결합될 수 있다.
지지 유닛(1300)은 처리 공간(1110)에서 기판(W)을 지지한다. 지지 유닛(1300)은 지지 플레이트(4100), 가열 유닛(1400) 그리고 높이 조절 부재(4300)를 포함한다.
지지 플레이트(4100)는 상부에서 바라볼 때 대체로 원형의 형상을 가질 수 있다. 지지 플레이트(4100)에는 감압 유로(4110)가 형성될 수 있다. 감압 유로(4110)는 지지 플레이트(4100) 내부에 형성될 수 있다. 감압 유로(4110)는 상부에서 바라볼 때 지지 플레이트(4100)의 중심 영역과 가장자리 영역 사이에 형성될 수 있다. 일 예에서, 감압 유로(4110)는 복수 개 형성된다. 복수 개의 감압 유로(4110)는 각각 지지 플레이트(4100)의 중심을 기준으로 동심원을 그리도록 지지 플레이트(4100) 내에 형성될 수 있다. 또한, 복수 개로 분기된 감압 유로(4110)는 서로 연통할 수 있다.
감압 유로(4110)는 상부에서 바라볼 때 일단이 감압 부재(4115)와 연결된다. 감압 부재(4115)는 감압 유로(4110)에 감압을 제공할 수 있다. 감압 부재(4115)는 감압 유로(4110)의 일단에 연결될 수 있다. 감압 부재(4115)는 펌프일 수 있다. 그러나, 이에 한정되는 것은 아니고 감압 부재(4115)는 감압 유로(4110)에 감압을 제공할 수 있는 공지의 장치로 다양하게 변형될 수 있다.
또한, 지지 플레이트(4100)에는 플런저(4400) 그리고 프록시미티 핀(4500)이 제공된다. 플런저(4400), 그리고 프록시미티 핀(4500)은 기판(W)을 지지한다. 플런저(4400)는 감압 유로(4110)가 제공하는 감압에 의해 상하로 이동될 수 있다. 프록시미티 핀(4500)은 높이가 고정될 수 있다.
가열 유닛(1400)은 지지 플레이트(4100)에 놓인 기판을 가열한다. 일 예에서 가열 유닛(1400)은 가열 플레이트에 동심원으로 제공되는 복수 개의 히터(1420)이다.
가스 공급 유닛(1600)은 처리 공간(1110) 내에 위치한 기판(W)으로 가스를 공급한다. 가스 공급 유닛(1600)은 가스 공급관(1610)과 가스 공급 라인(1620)을 포함한다. 가스 공급관(1610)은 상부 바디(1120)에 연결된다. 가스 공급관(1610)은 가스 공급 라인(1620)에서 전달된 가스를 기판(W)으로 공급한다. 가스는 기판(W)의 가열 중에 처리 공간(1110)으로 공급되어 포토레지스트의 기판(W) 부착률을 향상시킬 수 있다.
일 예에 의하면, 가스는 헥사메틸다이사이레인(Hexamethyldisilazane, HMDS) 가스일 수 있다. HMDS 가스는 기판(W)의 성질은 친수성에서 소수성으로 변화시킬 수 있다. 일 예에서, HMDS 가스는 캐리어 가스와 혼합되어 제공될 수 있다. 일 예에서, 캐리어 가스는 불활성 가스로 제공될 수 있다. 예컨대, 불활성 가스는 질소일 수 있다.
도 9 내지 도 11은 각각 본 발명의 일 실시예에 따른 지지 유닛(1300)의 모습을 보여주는 단면도이다. 도 9를 참조하면, 높이 조절 부재(4300)는 플런저(4400) 그리고 프록시미티 핀(4500)을 포함한다.
플런저(4400)는 돌출 위치와 삽입 위치 간에 상하 방향으로 이동 가능하게 제공된다. 플런저(4400)는, 돌출 위치에서 기판을 지지한다. 일 예에서, 돌출 위치는 제2위치에 대응되는 높이이다. 즉, 플런저(4400)는 제2위치에서 기판을 지지한다. 삽입 위치는 제1위치와 동일하거나 이보다 낮은 높이이다.
프록시미티 핀(4500)은 제1위치에서 기판을 지지한다. 프록시미티 핀(4500)은 지지 플레이트(4100)의 상면으로부터 상단까지의 간격이 제1거리로 제공된다. 프록시미티 핀(4500)은 지지 플레이트(4100)의 상면으로부터 프록시미티 핀(4500)의 상단까지의 간격이 고정될 수 있다. 일 예에서, 프록시미티 핀(4500)은 지지 플레이트(4100)에 고정된다. 예컨대, 프록시미티 핀(4500)은 지지 플레이트(4100)에 나사 결합될 수 있다.
지지 플레이트(4100)에는 홈(4120)이 형성될 수 있다. 홈(4120)에는 플런저(4400)가 제공된다. 홈(4120)은 지지 플레이트(4100)의 상면에서 아래 방향으로 만입되어 형성될 수 있다. 일 예에서, 홈(4120)에는 홈(4120)의 측 방향으로 단차지는 제1걸림단(4122)이 형성될 수 있다. 제2홈(4130)에는 제2홈(4130)의 측 방향으로 단차지는 제2걸림단(4132)이 형성될 수 있다.
홈(4120)은, 홈(4120)의 내부를 감압하는 감압 유로(4110)가 연결된다. 감압 유로(4110)는 메인 유로(4112), 제1유로(4114), 그리고 제2유로(4116)를 포함한다. 메인 유로(4112)는 감압 부재(4115)와 연결된다. 제1유로(4114)와 제2유로(4116)는 메인 유로(4112)로부터 분기된다. 플런저(4400)는, 감압 유로(4110)를 감압함에 따라 제2위치에서 제1위치로 이동된다.
또한, 지지 플레이트(4100)에는 진공홀(4140)이 형성될 수 있다. 진공홀(4140)은 지지 플레이트(4100)의 상면에 형성될 수 있다. 상술한 감압 유로(4110) 중 제1유로(4114)는 홈(4120)과 연결된다. 제2유로(4116)는 지지 플레이트(4100)의 상면까지 연장되어 진공홀(4140)을 형성한다.
이하, 플런저(4400)의 형상에 대해 상세히 설명한다.
일 예에서, 플런저(4400)에는 관통홀(4403)이 형성될 수 있다. 관통홀(4403)은 플런저(4400)의 상부와 하부를 관통할 수 있다. 관통홀(4403)은 감압 유로(4110)와 연통할 수 있다. 관통홀(4403)은 제1유로(4114)와 연통할 수 있다. 홈(4120)에서 플런저(4400)의 아래 영역은 감압 유로(4110)와 연결된다.
일 예에서, 플런저(4400)는 제1바디(4401), 그리고 제2바디(4402)를 포함할 수 있다. 상부에서 바라봤을 때, 제2바디(4402)는 제1바디(4401)보다 작은 면적을 가질 수 있다. 제2바디(4402)는 제1바디(4401)의 상면으로부터 위 방향으로 연장될 수 있다. 일 예에서, 제1바디(4401)와 제2(4402)는 원통 형상으로 제공될 수 있다.
일 예에서, 제2바디(4402)의 상단은 라운드(Round)진 형상을 가질 수 있다. 이에 기판(W)이 안착 시 기판(W)의 하면에 스크래치가 발생하는 것을 최소화할 수 있다.
플런저(4400)는 합성 수지 또는 세라믹(AlO3)을 포함하는 재질로 제공될 수 있다. 일 예에서, 합성 수지는 폴리에텔에텔 케톤(Polyetheretherketone, Peek) 수지일 수 있다. 예컨대, 합성 수지는 폴리벤즈이미다졸(PBI) 수지일 수 있다.
홈(4120)에는, 제1바디(4401)의 상면과 제1걸림단(4122) 사이에 제1걸림 부재(4410)가 제공될 수 있다. 일 예에서, 제1걸림 부재(4410)는 링 형상을 가질 수 있다. 제1걸림 부재(4410)는 일 측이 개방된 링 형상을 가질 수 있다. 예컨대, 제1걸림 부재(4410)는 C-Ring 일 수 있다. 제1걸림 부재(4410)는 제1걸림단(4122)과 제1바디(4401)의 상면 사이에 제공되어 플런저(4400)가 상하 이동시 플런저(4400)의 이탈을 막을 수 있다. 플런저(4400)의 계속된 사용으로, 플런저(4400)의 교체가 요구되는 경우, 플런저(4400)를 하방으로 이동시킨 후 제1걸림 부재(4410)를 제거하고 플런저(4400)를 홈(4120)으로부터 분리할 수 있다.
제1바디(4401)의 하면에는 탄성 부재(4420)가 제공될 수 있다. 탄성 부재(4420)는 홈(4120)에 내에 배치될 수 있다. 일 예에서, 탄성 부재(4420)는 스프링일 수 있다. 탄성 부재(4420)의 상단은 제1바디(4401)의 하면과 연결되고 탄성 부재(4420)의 하단은 홈(4120)의 하면에 연결될 수 있다. 이에, 탄성 부재(4420)는 플런저(4400)를 상하 방향으로 이동시킬 수 있다.
예컨대, 감압 유로(4110)에 감압이 제공되면, 감압 유로(4110)와 연결되는 홈(4120)에 감압이 제공된다. 그리고 플런저(4400)는 감압 유로(4110)가 제공하는 감압에 의해 아래 방향으로 이동될 수 있다. 또한, 감압 유로(4110)에 감입 제공이 중단되면 감압 유로(4110)와 연결되는 홈(4120)에도 감압이 제공이 중단된다. 그리고 플런저(4400)는 탄성 부재(4420)의 탄성력에 의해 위 방향으로 이동될 수 있다.
이하, 도 10과 도 11을 참조하여 본 발명의 기판 처리 방법에 대해 설명한다.
기판(W)이 지지 유닛(1300)에 안착되고, 처리 공간(1110)으로 소수화 가스가 도입되면 기판의 소수화 공정이 시작된다. 소수화 공정에서 기판의 상면과 하면을 모두 소수화 처리한다.
기판의 상면과 하면의 처리는 순서에 구애받지 않고, 기판을 제1위치와 제2위치 중 어느 하나에 위치시켜 기판의 상면과 하면 중 어느 하나의 면을 소수화 처리하고, 이후에 기판을 제1위치와 제2위치 중 다른 하나에 위치시켜 기판의 상면과 하면 중 다른 하나의 면을 소수화 처리한다. 일 예에서, 제1위치는 지지 플레이트(4100)로부터 제1거리(D1)만큼 떨어진 위치이고, 제2위치는 지지 플레이트(4100)로부터 제2거리(D2)만큼 떨어진 위치이다.
일 예에서, 처리 공간(1110)에 소수화 가스를 공급할 때에 기판을 제1위치에 약 15초 위치시킨 후 기판을 제2위치에 위치시킨다. 기판은 제2위치에서 기판의 하면 전체가 소수화 되는 시간 동안 머무른다.
도 10을 참조하면, 처리 공간(1110)에 소수화 가스가 도입되고, 기판은 지지 플레이트(4100)의 상면으로부터 제1위치에 놓인다. 프록시미티 핀(4500)이 고정되어 제공됨에 따라 히터로부터 기판은 균일한 간격을 유지한다. 이에, 기판의 온도는 균일하게 상승한다. 기판이 제1위치에 놓일 때, 감압 유로(4110)에는 감압이 제공된다. 감압 유로(4110)가 제공하는 감압은 홈(4120)에 전달된다. 이에 플런저(4400)는 아래 방향으로 이동되어 지지 플레이트(4100)와 기판(W) 사이의 거리가 좁아진다. 프록시미티 핀(4500)에 의해 기판은 지지 플레이트(4100)로부터 제1거리 보다 더 가까워지지 않고, 기판과 지지 플레이트(4100) 사이의 거리는 제1거리(D1)를 유지한다.
또한, 감압 유로(4110)가 제공하는 감압은 플런저(4400)의 관통홀(4403)에도 전달된다. 이에, 기판(W)은 관통홀(4403)에 흡착될 수 있다. 또한, 감압 유로(4110)가 제공하는 감압은 진공홀(4140)에도 전달된다. 이에, 기판(W)은 안정적으로 지지 유닛(1300)에 안착될 수 있다.
도 11을 참조하면, 기판은 지지 플레이트(4100)의 상면으로부터 제2거리(D2)만큼 떨어진 제2위치에 놓인다. 가스 공급 유닛(1600)이 기판(W)의 상부에서 소수화 가스를 공급하고, 기판(W)이 지지 플레이트(4100)에 근접하게 위치함에 따라 기판의 상면은 소수화가 용이하고, 기판의 하면은 상대적으로 소수화가 어렵다. 따라서, 본 발명은 기판(W)을 제2위치에 위치시켜 기판(W)의 하면도 소수화가 가능하도록 제공한다.
감압 유로(4110)에 감압 제공이 중단되면 탄성 부재(4420)의 탄성력에 의해 플런저(4400)는 위 방향으로 이동될 수 있다. 이에 플런저(4400)에 지지된 기판(W)은 위 방향으로 이동될 수 있다. 일 예에서, 기판(W)을 제2위치로 이동시키기 위해 감압 유로(4110)에는 감압 제공이 중단된다. 이에 플런저(4400)는 위 방향으로 이동된다. 플런저(4400)가 위 방향으로 이동되면서 기판(W)은 지지 플레이트(4100)로부터 멀어지는 방향으로 이동될 수 있다. 일 예에서, 플런저(4400)가 기판(W)의 하면에 위 방향으로 가하는 힘은 탄성 부재(4420)의 탄성력에 의한다.
또한, 플런저(4400)는 기판(W)의 상부와 하부의 압력 차이에 따라 위로 상승하는 힘을 받는다. 기판(W)의 상부와 하부의 압력 차이가 클 경우, 탄성 부재(4420)에 가해지는 저항이 커짐에 따라, 플런저(4400)는 천천히 상승할 수 있다. 이에 기판(W)을 들어올릴 때 기판은 튕겨 올라감에 따라 기판이 파손되는 스퀴즈 이펙트를 제거할 수 있다.
또한, 플런저(4400)에 관통홀(4403)이 형성되지 않는 경우 제2유로(4116), 그리고 진공홀(4140)은 플런저(4400)와 인접한 영역에 형성되어야 한다. 그렇지 않으면 감압이 제공되는 지점과 플런저(4400)가 지지하는 지점 사이의 거리가 멀어진다. 이 경우 기판(W)이 진공홀(4140)이 제공하는 압력에 의해 기판(W)이 휘어질 수 있다. 또한 플런저(4400)에 로드가 가해질 수 있다.
그러나, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 플런저(4400)에는 관통홀(4403)이 형성된다. 이에 플런저(4400)가 기판(W)의 하면을 흡착할 수 있다. 즉, 플런저(4400)가 기판(W)을 흡착할 수 있으므로, 도 12에 도시된 바와 같이 제2유로(4116)의 위치는 자유롭게 변경될 수 있다.
또한, 휨 현상이 발생한 기판(W)이 지지 유닛(1300)에 안착되는 경우 플런저(4400)의 흡착만으로는 기판(W)을 적절히 안착하기 어려울 수 있다. 제2유로(4116), 그리고 진공홀(4140)은 휨 현상이 발생된 기판(W)을 적절히 안착시킬 수 있도록 기판(W)의 하면에 감압을 제공할 수 있다. 즉 제2유로(116), 그리고 진공홀(4140)은 플런저(4400)의 기판(W) 흡착을 보완할 수 있다.
상술한 예에서는, 플런저(4400)의 삽입 위치를 제1위치로 설명하였다. 그러나, 도 13에 도시된 바와 같이 플런저(4400)의 삽입 위치는 제2바디(4402)가 홈(4120)에 완전히 삽입된 위치일 수 있다.
상술한 예에서는, 플런저(4400)에 관통홀(4403)이 제공되는 것으로 설명하였다. 그러나, 도 14에 도시된 바와 같이 플런저(4400a)는 홀이 형성되지 않은 제1바디(4401a)와 제2바디(4402a)를 가질 수 있다. 플런저(4400a)는 홈(4120)에 제공되는 감압에 의해 하강하고, 탄성부재(4420)의 탄성력에 의해 상승할 수 있다.
다시 도 2 내지 도 4를 참조하면, 현상 블럭(30b)은 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 그리고 액처리 챔버(3600)를 가진다. 현상 블럭(30b)의 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 그리고 액처리 챔버(3600)는 도포 블럭(30a)의 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 그리고 액처리 챔버(3600)와 대체로 유사한 구조 및 배치로 제공되므로, 이에 대한 설명은 생략한다. 다만, 현상 블록(30b)에서 액처리 챔버들(3600)은 모두 동일하게 현상액을 공급하여 기판을 현상 처리하는 현상 챔버(3600)로 제공된다.
인터페이스 모듈(40)은 처리 모듈(30)을 외부의 노광 장치(50)와 연결한다. 인터페이스 모듈(40)은 인터페이스 프레임(4100), 부가 공정 챔버(4200), 인터페이스 버퍼(4400), 그리고 반송 부재(4600)를 가진다.
인터페이스 프레임(4100)의 상단에는 내부에 하강기류를 형성하는 팬필터유닛이 제공될 수 있다. 부가 공정 챔버(4200), 인터페이스 버퍼(4400), 그리고 반송 부재(4600)는 인터페이스 프레임(4100)의 내부에 배치된다. 부가 공정 챔버(4200)는 도포 블럭(30a)에서 공정이 완료된 기판(W)이 노광 장치(50)로 반입되기 전에 소정의 부가 공정을 수행할 수 있다. 선택적으로 부가 공정 챔버(4200)는 노광 장치(50)에서 공정이 완료된 기판(W)이 현상 블럭(30b)으로 반입되기 전에 소정의 부가 공정을 수행할 수 있다. 일 예에 의하면, 부가 공정은 기판(W)의 에지 영역을 노광하는 에지 노광 공정, 또는 기판(W)의 상면을 세정하는 상면 세정 공정, 또는 기판(W)의 하면을 세정하는 하면 세정공정일 수 있다. 부가 공정 챔버(4200)는 복수 개가 제공되고, 이들은 서로 적층되도록 제공될 수 있다. 부가 공정 챔버(4200)는 모두 동일한 공정을 수행하도록 제공될 수 있다. 선택적으로 부가 공정 챔버(4200)들 중 일부는 서로 다른 공정을 수행하도록 제공될 수 있다.
인터페이스 버퍼(4400)는 도포 블럭(30a), 부가 공정챔버(4200), 노광 장치(50), 그리고 현상 블럭(30b) 간에 반송되는 기판(W)이 반송도중에 일시적으로 머무르는 공간을 제공한다. 인터페이스 버퍼(4400)는 복수 개가 제공되고, 복수의 인터페이스 버퍼들(4400)은 서로 적층되게 제공될 수 있다.
일 예에 의하면, 반송 챔버(3400)의 길이 방향의 연장선을 기준으로 일 측면에는 부가 공정 챔버(4200)가 배치되고, 다른 측면에는 인터페이스 버퍼(4400)가 배치될 수 있다.
반송 부재(4600)는 도포 블럭(30a), 부가 공정챔버(4200), 노광 장치(50), 그리고 현상 블럭(30b) 간에 기판(W)을 반송한다. 반송 부재(4600)는 1개 또는 복수 개의 로봇으로 제공될 수 있다. 일 예에 의하면, 반송 부재(4600)는 제1로봇(4602) 및 제2로봇(4606)을 가진다. 제1로봇(4602)은 도포 블럭(30a), 부가 공정챔버(4200), 그리고 인터페이스 버퍼(4400) 간에 기판(W)을 반송하고, 인터페이스 로봇(4606)은 인터페이스 버퍼(4400)와 노광 장치(50) 간에 기판(W)을 반송하고, 제2로봇(4604)은 인터페이스 버퍼(4400)와 현상 블럭(30b) 간에 기판(W)을 반송하도록 제공될 수 있다.
제1로봇(4602) 및 제2로봇(4606)은 각각 기판(W)이 놓이는 핸드를 포함하며, 핸드는 전진 및 후진 이동, Z축 방향(16)에 평행한 축을 기준으로 한 회전, 그리고 Z축 방향(16)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다.
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
지지 플레이트: 4100
감압 유로: 4110
플랜저: 4400
제1바디: 4401
제2바디: 4402
탄성 부재: 4420
프록시미티 핀: 4500

Claims (23)

  1. 기판을 처리하는 장치에 있어서,
    내부에 처리 공간을 가지는 하우징과;
    상기 처리 공간으로 기판을 소수화시키는 소수화 가스를 공급하는 가스 공급 유닛과;
    상기 처리 공간에 놓인 기판을 지지하는 지지 유닛; 및,
    제어기를 포함하되,
    상기 지지 유닛은,
    지지 플레이트와;
    상기 지지 플레이트에 놓인 기판을 가열하도록 제공된 가열 부재와; 그리고
    상기 기판을 상기 지지 플레이트의 상면 또는 상기 지지 플레이트의 상면으로부터 상부로 제1거리 이격된 제1위치와, 상기 지지 플레이트의 상면으로부터 상부로 제2거리 이격된 제2위치 간에 위치 변경하는 높이 조절 부재를 포함하되,
    상기 제2위치는 상기 제1위치 보다 높은 위치이며,
    상기 제어기는,
    상기 소수화 가스로 상기 기판을 처리할 시에 상기 기판을 상기 제1위치와 상기 제2위치 중 어느 하나에 위치시켜 상기 기판을 처리하고 이후에 다른 어느 하나에 위치시키켜 상기 기판을 처리하도록 상기 가스 공급 유닛 그리고 상기 지지 유닛을 제어하고,
    상기 높이 조절 부재는,
    돌출 위치와 삽입 위치 간에 상하 방향으로 이동 가능하게 제공되고, 상기 돌출 위치에서 상기 기판을 지지하는 플런저를 포함하고,
    상기 플런저에는,
    상기 플런저의 상하를 관통하는 관통홀이 형성되고,
    상기 관통홀은 감압 유로와 연통되는 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 삽입 위치는 상기 제1위치와 동일하거나 이보다 낮은 높이이고,
    상기 돌출 위치는 상기 제2위치에 대응되는 높이인 기판 처리 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 높이 조절 부재는,
    상기 지지 플레이트의 상면으로부터 상단까지의 간격이 제1거리로 제공되는 프록시미티 핀을 포함하는 기판 처리 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 프록시미티 핀은 상기 지지 유닛에 고정 설치되는 기판 처리 장치.
  5. 제2항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 플런저는,
    상기 지지 플레이트의 상면에 형성된 홈에 제공되고,
    상기 홈에는 상기 홈의 내부를 감압하는 상기 감압 유로가 연결되는 기판 처리 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 플런저는,
    상기 감압 유로를 감압함에 따라 제2위치에서 상기 제1위치로 이동되도록 제공되는 기판 처리 장치.
  7. 삭제
  8. 제5항에 있어서,
    상기 플런저는,
    제1바디와;
    상기 제1바디로부터 위 방향으로 연장되는 제2바디를 포함하고,
    상부에서 바라볼 때 상기 제2바디의 면적은 상기 제1바디의 면적보다 작게 제공되며,
    상기 제1바디는 상기 돌출 위치에서 상기 홈 내에 위치되고,
    상기 제2바디는 상기 돌출 위치에서 상기 기판을 지지하는 기판 처리 장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 제1바디의 하면에는 탄성 부재가 제공되고,
    상기 탄성 부재는,
    일측이 상기 제1바디의 하면과 연결되고 타측이 상기 지지 플레이트와 연결되는 기판 처리 장치.
  10. 제5항에 있어서,
    상기 감압 유로는,
    메인 유로와;
    상기 메인 유로로부터 분기되는 제1유로 및 제2유로를 포함하되,
    상기 제1유로는 상기 홈과 연결되고,
    상기 제2유로는 상기 지지 플레이트의 상면까지 연장되는 기판 처리 장치.
  11. 제2항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 플런저는,
    상기 지지 플레이트의 원주 방향으로 복수 개 제공되는 기판 처리 장치.
  12. 제2항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 소수화 가스는,
    헥사메틸다이사이레인(Hexamethyldisilazane, HMDS)가스인 기판 처리 장치.
  13. 처리 공간 내에 위치하며 기판을 지지하는 지지 유닛에 있어서,
    지지 플레이트와;
    상기 지지 플레이트에 놓인 기판을 가열하도록 제공된 가열 부재와;
    상기 기판을 상기 지지 플레이트의 상면로부터 상부로 제1거리 이격된 제1위치와 상기 지지 플레이트의 상면으로부터 상부로 제2거리 이격된 제2위치 간에 위치 변경하는 높이 조절 부재와;
    제어기를 포함하되,
    상기 제2거리는 상기 제1거리 보다 더 크고,
    상기 제어기는,
    상기 기판을 처리할 시에 상기 기판을 상기 제1위치와 상기 제2위치 중 어느 하나에 위치시켜 상기 기판을 처리하고 이후에 다른 어느 하나에 위치시키켜 상기 기판을 처리하도록 상기 지지 유닛을 제어하고,
    상기 높이 조절 부재는,
    상기 제2위치에서 상기 기판을 지지하는 플런저를 포함하되,
    상기 플런저는,
    상기 지지 플레이트의 상면에 형성된 홈 - 상기 홈은 상기 지지 플레이트 내부에 형성된 감압 유로와 연통 됨 - 에 제공되고,
    상기 감압 유로를 감압함에 따라 상기 플런저는 상기 기판을 상기 제2위치에서 상기 제1위치로 이동시키고,
    상기 플런저에는 상기 플런저의 상하를 관통하는 관통홀이 형성되고,
    상기 관통홀은 상기 감압 유로와 연통되는 지지 유닛.
  14. 삭제
  15. 제13항에 있어서,
    상기 높이 조절 부재는,
    상기 지지 플레이트의 상면으로부터 상단까지의 간격이 제1거리로 제공되는 프록시미티 핀을 포함하는 지지 유닛.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 프록시미티 핀은 상기 지지 유닛에 고정 설치되는 지지 유닛.
  17. 삭제
  18. 제13항에 있어서,
    상기 플런저의 하면에는 탄성 부재가 제공되고,
    상기 탄성 부재는 일측이 상기 플런저의 하면과 연결되고 타측이 상기 지지 플레이트와 연결되는 지지 유닛.
  19. 제1항의 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 처리하는 방법에 있어서,
    상기 처리 공간에 상기 소수화 가스를 공급하여 기판의 표면을 소수화 처리하되,
    상기 기판을 상기 제1위치와 상기 제2위치 중 어느 하나에 위치시켜 상기 기판의 상면과 하면 중 어느 하나의 면을 소수화 처리하고, 이후에 상기 기판을 상기 제1위치와 상기 제2위치 중 다른 하나에 위치시켜 상기 기판의 상면과 하면 중 다른 하나의 면을 소수화 처리하는 기판 처리 방법.
  20. 제19항에 있어서,
    상기 높이 조절 부재는,
    상기 지지 플레이트에 형성된 홈에 제공되는 상기 플런저를 포함하고,
    상기 플런저가 돌출 위치와 삽입 위치 간에 이동됨으로써 상기 기판을 상기 제1위치와 상기 제2위치 간에 높이 조절하는 기판 처리 방법
  21. 제20항에 있어서,
    상기 플런저의 상기 제2위치에서 상기 제1위치로의 이동은,
    상기 지지 플레이트에 형성된 홈 내부를 감압하여 상기 플런저를 하강시킴으로써 이루어지고,
    상기 플런저의 상기 제1위치에서 상기 제2위치로의 이동은,
    상기 홈 내부에 제공된 감압을 중지하여 상기 플런저를 상승시킴으로써 이루어지는 기판 처리 방법.
  22. 제20항에 있어서,
    상기 플런저의 상승은 상기 플런저에 연결된 탄성부재의 탄성에 의해 이루어지는 기판 처리 방법.
  23. 제19항에 있어서,
    상기 높이 조절 부재는,
    상기 지지 플레이트의 상면에 설치되는 프록시머티 핀을 포함하고,
    상기 제1위치는 상기 프록시머티 핀의 상단과 대응되는 위치인 기판 처리 방법.
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