CN112750728A - 支承单元、基板处理装置及基板处理方法 - Google Patents

支承单元、基板处理装置及基板处理方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种支承单元、基板处理装置和基板处理方法。用于处理基板的装置包括：壳体，其在内部具有处理空间；气体供应单元，其将疏水性气体供应到处理空间中以使基板疏水化；以及支承单元，其在处理空间中支承基板。支承单元包括：支承板；加热构件，其加热放置在支承板上的基板；以及高度调节构件，其在第一位置和第二位置之间改变基板的位置，第一位置与支承板的上表面向上间隔开第一距离，第二位置与支承板的上表面向上间隔开第二距离，且第二位置是比第一位置高的位置。

Description

支承单元、基板处理装置及基板处理方法
相关申请的交叉引用
本申请要求于2019年10月31日提交韩国专利局的、申请号为10-2019-0138105的韩国专利申请的优先权和权益，其全部内容通过引用结合在本申请中。
技术领域
本文描述的发明构思的实施方式涉及支承单元、包括该支承单元的基板处理装置、以及使用该基板处理装置的基板处理方法。
背景技术
通常，执行诸如清洁、沉积、光刻、蚀刻和离子注入等的各种工艺以制造半导体设备。光刻工艺是在基板上形成期望的图案的工艺。光刻工艺通常在旋转器局部设备(spinner local equipment)中执行，该旋转器局部设备与曝光设备连接、并连续地执行涂覆工艺、曝光工艺和显影工艺。
旋转器设备依次或选择性地执行六甲基二硅氮烷(hexamethyldisilazane)(以下称为HMDS)工艺、涂覆工艺、烘烤工艺(bake process)和显影工艺。
HMDS工艺是通过在施用光刻胶(PR)之前将HMDS气体分配到基板上以改进光刻胶对基板的粘附效率的工艺。烘烤工艺是加热和冷却基板以增强形成在基板上的光刻胶膜、或将基板的温度调节至预定温度的工艺。
在传统的疏水化工艺中，仅使基板的上表面疏水化。然而，在基板的两个表面均未被疏水化的情况下，在一些工艺中，诸如在将基板浸入蚀刻液体中的湿法蚀刻工艺中，存在在基板上具有污点问题。因此，基板的上表面和下表面需要被疏水化。
在使由升降销升高的基板的下表面疏水化的情况下，发生所谓挤压效应，该挤压效应使基板向下受压。因此，基板在升高时会弹起并受损。
发明内容
本发明构思的实施方式提供了一种用于使基板的上表面和下表面疏水化的支承单元、包括该支承单元的基板处理装置、以及使用该基板处理装置的基板处理方法。
此外，本发明构思的实施方式提供了一种用于在基板经受热处理的情况下最小化发生的挤压效应的支承单元、包括该支承单元的基板处理装置、以及使用该基板处理装置的基板处理方法。
本发明构思要解决的技术问题不限于上述问题，且本发明构思所属领域的技术人员将从以下描述中清楚地理解本文中未提及的任何其他技术问题。
根据示例性实施方式，一种用于处理基板的装置包括：壳体，其在内部具有处理空间；气体供应单元，其将疏水性气体供应到处理空间中以使基板疏水化；以及支承单元，其在处理空间中支承基板。支承单元包括：支承板；加热构件，其加热放置在支承板上的基板；以及高度调节构件，其在第一位置和第二位置之间改变基板的位置，第一位置与支承板的上表面向上间隔开第一距离，第二位置与支承板的上表面向上间隔开第二距离，且第二位置是比第一位置高的位置。
根据一实施方式，高度调节构件可包括柱塞，该柱塞在突出位置和插入位置之间、在上下方向上是可移动的，且在突出位置支承基板。插入位置可以是等于或低于第一位置的高度，并且突出位置可以是对应于第二位置的高度。
根据一实施方式，高度调节构件还可以包括接近销(proximity pin)，该接近销在与支承板的上表面相距第一距离处具有上端。
根据一实施方式，接近销可以固定至支承单元。
根据一实施方式，柱塞可以位于形成在支承板的上表面上的凹部中，并且减小该凹部中的压力的减压通道可以连接至该凹部。
根据一实施方式，随着减压通道中压力的减小，柱塞可以从第二位置移动到第一位置。
根据一实施方式，柱塞可以具有穿过柱塞竖直形成的通孔，并且该通孔可以与减压通道连接。
根据一实施方式，柱塞可以包括第一主体和从第一主体向上延伸的第二主体，并且当从上方观察时，第二主体可以具有比第一主体小的面积。在突出位置，第一主体可以位于凹部中，并且在突出位置，第二主体可以支承基板。
根据一实施方式，在第一主体的下表面上可以设置有弹性构件。弹性构件的一侧可以与第一主体的下表面连接，并且弹性构件的相对侧可以与支承板连接。
根据一实施方式，减压通道可以包括主通道、以及从主通道分支的第一通道和第二通道。第一通道可以与凹部连接，并且第二通道可以延伸至支承板的上表面。
根据一实施方式，柱塞可以包括沿支承板的圆周方向布置的多个柱塞。
根据一实施方式，疏水性气体可以是六甲基二硅氮烷(HMDS)气体。
根据一示例性实施方式，用于支承基板的支承单元包括：支承板；加热构件，其加热放置在支承板上的基板；以及高度调节构件，其在第一位置和第二位置之间改变基板的位置，第一位置与支承板的上表面向上间隔开第一距离，第二位置与支承板的上表面向上间隔开第二距离，且第二距离比第一距离大。
根据一实施方式，高度调节构件可以包括在第二位置支承基板的柱塞，并且该柱塞在第一位置和第二位置之间可以是可移动的。
根据一实施方式，高度调节构件可以包括接近销，该接近销在与支承板的上表面相距第一距离处具有上端。
根据一实施方式，接近销可以固定至支承单元。
根据一实施方式，柱塞可以位于形成在支承板的上表面上的凹部中，该凹部可以与形成在支承板内部的减压通道连接，并且随着减压通道中的压力的减小，柱塞可以从第二位置移动到第一位置。
根据一实施方式，在柱塞的下表面上可以设置有弹性构件。弹性构件的一侧可以与柱塞的下表面连接，并且弹性构件的相对侧可以与支承板连接。
根据一示例性实施方式，一种用于处理基板的方法包括通过将疏水性气体供应到处理空间中来使基板的表面疏水化，其中使基板的上表面和下表面之一、在基板位于第一位置和第二位置之一的状态下疏水化，以及然后使基板的另一表面、在基板位于另一位置的状态下被疏水化。
根据一实施方式，高度调节构件可以包括位于形成在支承板上的凹部中的柱塞，并且该柱塞可以在突出位置和插入位置之间移动，以在第一位置和第二位置之间调节基板的高度。
根据一实施方式，可以通过减小形成在支承板上的凹部中的压力来降低柱塞，从而执行柱塞从第二位置到第一位置的移动，并且可以通过停止向凹部施加减小的压力来升高柱塞，从而执行柱塞从第一位置到第二位置的移动。
根据一实施方式，可以通过连接到柱塞的弹性构件的弹性来升高柱塞。
根据一实施方式，高度调节构件可以包括设置在支承板的上表面上的接近销，并且第一位置可以是与接近销的上端相对应的位置。
附图说明
参照以下附图，上述和其他目的及特征将从以下描述中变得显而易见，其中除非另有说明，否则贯穿各个附图，相同的附图标记指代相同的部件，且其中：
图1为示出了本发明构思的基板处理装置的示意性立体图；
图2为示出了图1的基板处理装置的涂覆块和显影块的截面图；
图3为示出了图1的基板处理装置的平面图；
图4为示出了图3的传送单元的手部的视图；
图5为示出了图3的热处理腔室的示意性水平截面图；
图6为示出了图5的热处理腔室的前部截面图；
图7为示出了图6的加热单元的前部截面图；
图8为示出了图7的支承板的平面图；
图9至图11为示出了根据本发明构思的一实施方式的支承单元的截面图；和
图12至图14为示出了根据本发明构思的另一实施方式的柱塞的截面图。
具体实施方式
下文中，将参照附图详细描述本发明构思的实施方式，使得本发明构思所属领域的技术人员可以容易地实行本发明构思。然而，本发明构思可以以各种不同的形式来实施，且不限于本文中描述的实施方式。此外，在描述本发明构思的实施方式时，当与已知功能或配置有关的详细描述可能使本发明构思的主题不必要地模糊时，该详细描述将被省略。另外，贯穿附图，执行相似功能和操作的组件设置有相同的附图标记。
说明书中的术语“包括(include)”和“包括(comprise)”为“开放式”表述，仅为了说明存在相应组件，并且除非另有特别说明，否则不排除而可能包括额外的组件。特别地，应当理解的是，术语“包括”、“包括”和“具有”在本文中使用时，特指存在所述特征、整数、步骤、操作、组件和/或部件，但不排除存在或增加一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、组件、部件和/或其组。
除非另有说明，否则单数形式的术语可以包括复数形式。此外，在附图中，为了说明的清楚，组件的形状和尺寸可能被夸大。
图1为示出了本发明构思的基板处理装置的示意性立体图。图2为示出了图1的基板处理装置的涂覆块和显影块的截面图。图3为示出了图1的基板处理装置的平面图。
参照图1至图3，基板处理装置1包括索引模块20、处理模块30和接口模块40。根据一实施方式，索引模块20、处理模块30和接口模块40依序设置成排。在下文中，布置索引模块20、处理模块30和接口模块40的方向被称为X轴方向12，当从上方观察时垂直于X轴方向12的方向被称为Y轴方向14，并且与X轴方向12和Y轴方向14垂直的方向被称为Z轴方向16。
索引模块20将基板W从其中容纳有基板W的载体10传送至处理模块30，并将完全处理过的基板W放置在载体10中。索引模块20的纵向方向与Y轴方向14平行。索引模块20具有装载端口22和索引框架24。装载端口22相对于索引框架24位于处理模块30的相对侧。载体10放置在装载端口22上，各载体10具有接收在其中的基板W。装载端口22可沿Y轴方向14设置。
例如前开式晶圆盒(front opening unified pod,FOUP)的气密性(airtight)载体10可以用作载体10。载体10可以通过诸如高架传送器、高架输送机的传送单元(未示出)、自动引导车、或通过操作者而被放置在装载端口22上。
索引机械手2200设置在索引框架24中。导轨2300设置在索引框架24中，导轨2300的纵向方向与Y轴方向14平行。索引机械手2200在导轨2300上为可移动的。索引机械手2200包括手部(hand)2220，基板W放置在手部2220上，并且手部2220为向前和向后可移动的、围绕面向Z轴方向16的轴线可旋转的、以及沿Z轴方向16可移动的。
处理模块30在基板W上执行涂覆工艺和显影工艺。处理模块30具有涂覆块30a和显影块30b。涂覆块30a在基板W上执行涂覆工艺，且显影块30b在基板W上执行显影工艺。涂覆块30a彼此堆叠。显影块30b彼此堆叠。根据图2的实施方式，设置两个涂覆块30a和两个显影块30b。涂覆块30a可以设置在显影块30b的下方。根据一实施方式，两个涂覆块30a可以执行相同的工艺，并且可以具有相同的结构。此外，两个显影块30b可以执行相同的工艺，并且可以具有相同的结构。
参照图3，各涂覆块30a具有热处理腔室3200、传送腔室3400、液体处理腔室3600和缓冲腔室3800。各热处理腔室3200在基板W上执行热处理工艺。热处理工艺可以包括冷却工艺和加热工艺。各液体处理腔室3600通过将液体分配到基板W上而在基板W上形成液膜。液膜可以是光刻胶膜或增透膜(anti-reflection film)。在涂覆块30a中，传送腔室3400在热处理腔室3200和液体处理腔室3600之间传送基板W。
传送腔室3400设置成使得其纵向方向平行于X轴方向12。传送单元3420设置在传送腔室3400中。传送单元3420在热处理腔室3200、液体处理腔室3600和缓冲腔室3800之间传送基板W。根据一实施方式，传送单元3420具有手部A，基板W放置在该手部A上，且手部A为向前和向后可移动的、围绕面向Z轴方向16的轴线可旋转的、以及沿Z轴方向16可移动的。导轨3300设置在传送腔室3400中，导轨3300的纵向方向与X轴方向12平行。传送单元3420在导轨3300上为可移动的。
图4为示出了图3的传送单元的手部的一个实施例的视图。参照图4，手部A具有基部3428和支承突起3429。基部3428可以具有环孔形状(annular ring shape)，基部3428的圆周是部分弯曲的。基部3428具有比基板W的直径大的内径。支承突起3429从基部3428向内延伸。支承突起3429支承基板W的边缘区域。根据一实施方式，可以以相等的间隔设置四个支承突起3429。
再次参照图2和图3，热处理腔室3200沿X轴方向12布置。热处理腔室3200位于传送腔室3400的一侧上。
图5为示出了图3的热处理腔室的示意性水平截面图，且图6为示出了图5的热处理腔室的前部截面图。热处理腔室3200包括处理容器3201、冷却单元3220和加热单元3230。
处理容器3201具有内部空间3202。处理容器3201具有基本矩形平行六面体的形状。处理容器3201在其侧壁中具有入口/出口(未示出)，基板W通过该入口/出口进入或离开处理容器3201。此外，可以设置门(未示出)以打开和关闭该入口/出口。选择性地，该入口/出口可以保持打开。该入口/出口可以形成在与冷却单元3220邻近的区域中。冷却单元3220、加热单元3230和测量单元3240设置在处理容器3201的内部空间3202中。冷却单元3220和加热单元3230沿Y轴方向14并排设置。排出线3210可以连接至处理容器3201。排出线3210可以将由风扇单元(fan unit)3250供应的气体释放到处理容器3201的外部。排出线3210可以连接至处理容器3201的底部。然而，不限于此，排出线3210可以连接至处理容器3201的侧面。
冷却单元3220具有冷却板3222。基板W可以安置在冷却板3222上。当从上方观察时，冷却板3222可以具有基本圆形的形状。冷却构件(未示出)设置在冷却板3222的内部。根据一实施方式，冷却构件可形成在冷却板3222的内部，并可以用作冷却流体流过的流体通道。因此，冷却板3222可以冷却基板W。冷却板3222可以具有与基板W相对应的直径。冷却板3222可以在其边缘处具有槽口(notch)。槽口可以具有与形成在如上所述的手部A中的支承突起3429相对应的形状。此外，与形成在手部A中的支承突起3429一样多的槽口，可以形成于与支承突起3429相对应的位置。当手部A和冷却板3222的竖直位置改变时，基板W在手部A和冷却板3222之间传送。缝形状的多个导向槽(guide groove)3242形成在冷却板3222中。导向槽3224从冷却板3222的边缘向内延伸。导向槽3224的纵向方向与Y轴方向14平行，并且导向槽3224定位成沿X轴方向12彼此间隔开。导向槽3224防止当基板W在冷却板3222和加热单元3230之间传送时、冷却板3222和升降销3236彼此干扰。
冷却板3222可以由支承构件3237支承。支承构件3237可以包括具有杆形状的第一支承构件、和耦合至第一支承构件的中心的第二支承构件。第一支承构件的一端和相对端与致动器3226耦合。致动器3226安装在导轨3229上。当从上方观察时，导轨3229的纵向方向可以与Y轴方向14平行，并且导轨3229可以设置在处理容器3201的相对侧上。冷却板3222可以通过安装在导轨3229上的致动器3226而沿Y轴方向14移动。
加热单元3230可以包括壳体3232、支承板3234、加热构件3235、升降销3236和驱动构件3238。壳体3232可以包括主体和盖。主体可以设置在盖的下方。主体可以具有在顶部处敞开的形状。主体可以具有在顶部处敞开的圆柱形状。盖可以覆盖主体的敞开顶部。盖可以具有在底部处敞开的圆柱形状。可替代地，盖可以具有覆盖主体的敞开顶部的板形状。主体和盖可以彼此组合以形成处理空间3233。此外，盖可以与驱动构件3238连接，该驱动构件3238在上下方向上移动盖。因此，盖可以在上下方向上移动以打开或关闭处理空间3233。例如，当基板W装载到处理空间3233中或从处理空间3233中卸载时，盖可以向上移动以打开处理空间3233。此外，当在处理空间3233中处理基板W时，盖可以向下移动以关闭处理空间3233。
支承板3234可以在处理空间3233中支承基板W。基板W可以安置在支承板3234上。当从上方观察时，支承板3234具有基本圆形的形状。支承板3234具有比基板W大的直径。
加热构件3235设置在支承板3234的内部。在一实施方式中，加热构件3235由加热器实施。加热器可以用向其施加电流的电阻加热元件实施。因此，支承板3234可以加热基板W。支承板3234包括沿Z轴方向16竖直可移动的升降销3236。升降销3236从加热单元3230外部的传送机构(means)接收基板W，并将基板W下降到支承板3234上，或将基板W从支承板3234上抬起并将基板W传送至加热单元3230外部的传送机构。根据一实施方式，可以设置三个升降销3236。
图7为示出了图6的加热单元的前部截面图，且图8为示出了图7的支承板的平面图。参照图7和图8，加热单元1000包括壳体1100、支承单元1300和气体供应单元1600。
壳体1100在其中具有处理空间1110，基板W在该处理空间1110中被加热。处理空间1110从外部密封。壳体1100包括上主体1120、下主体1140和密封构件1160。
上主体1120具有在底部处敞开的容器形状，而下主体1140具有在顶部处敞开的容器形状。下主体1140位于上主体1120的下方。上主体1120和下主体1140定位成在上下方向上彼此面对。上主体1120和下主体1140彼此组合以在内部形成处理空间1110。上主体1120和下主体1140定位成使得上主体1120和下主体1140的中心轴在上下方向上彼此对齐。下主体1140可以具有与上主体1120相同的直径。即，下主体1140的上端可以定位成面对上主体1120的下端。
上主体1120和下主体1140之一通过升降构件1130移动至打开位置或关闭位置，而另一个固定在适当的位置。在该实施方式中，示例了下主体1140固定在适当的位置而上主体1120被移动。打开位置是上主体1120和下主体1140彼此间隔开的位置，因此，处理空间1110是敞开的。关闭位置是通过下主体1140和上主体1120从外部密封处理空间1110的位置。
密封构件1160位于上主体1120和下主体1140之间。当上主体1120和下主体1140彼此接触时，密封构件1160从外部密封处理空间1110。密封构件1160可以具有环孔形状。密封构件1160可以固定地耦合至下主体1140的上端。
支承单元1300在处理空间1110中支承基板W。支承单元1300包括支承板4100、加热单元1400和高度调节构件4300。
当从上方观察时，支承板4100可以具有基本圆形的形状。支承板4100可以具有形成在其中的减压通道4110。减压通道4110可以形成在支承板4100的内部。当从上方观察时，减压通道4110可以形成在支承板4100的中心区域和边缘区域之间。在一实施方式中，可以形成多个减压通道4110。多个减压通道4110可以形成在支承板4100的内部，以相对于支承板4100的中心形成同心圆。此外，多个减压通道4110可以连接在一起。
当从上方观察时，各减压通道4110的一端与减压构件4115连接。减压构件4115可以将减小的压力施用至减压通道4110。减压构件4115可以连接至减压通道4110的一端。减压构件4115可以是泵。然而，不限于此，减压构件4115可以由能够将减小的压力施用至减压通道4110的各种已知设备来实施。
此外，支承板4100包括柱塞4400和接近销4500。柱塞4400和接近销4500支承基板W。柱塞4400可以通过由减压通道4110施加的减小的压力而竖直地移动。接近销4500的高度可以是固定的。
加热单元1400加热放置在支承板4100上的基板W。在一实施方式中，加热单元1400包括支承板4100内部的多个同心加热器1420。
气体供应单元1600将气体供应至位于处理空间1110中的基板W。气体供应单元1600包括气体供应管1610和气体供应线1620。气体供应管1610连接至上主体1120。气体供应管1610将从气体供应线1620输送的气体供应至基板W。在基板W被加热的情况下，气体可以供应到处理空间1110中，并且可以改进光刻胶对基板W的粘附。
根据一实施方式，气体可以是六甲基二硅氮烷(HMDS)气体。HMDS气体可以将基板W的性质从亲水性质改变为疏水性质。在一实施方式中，可以供应与载气(carrier gas)混合的HMDS。在一实施方式中，载气可以是惰性气体。例如，惰性气体可以是氮气。
图9至图11为示出了根据本发明构思的一实施方式的支承单元1300的截面图。参照图9，各高度调节构件4300包括柱塞4400和接近销4500。
柱塞4400在突出位置和插入位置之间、在上下方向上是可移动的。在突出位置，柱塞4400支承基板W。在一实施方式中，突出位置是与第二位置相对应的高度。即，在第二位置，柱塞4400支承基板W。插入位置是低于或等于第一位置的高度。
在第一位置，接近销4500支承基板W。接近销4500在与支承板4100的上表面相距第一距离处具有上端。从支承板4100的上表面到接近销4500的上端的距离可以是固定的。在一实施方式中，接近销4500固定至支承板4100。例如，接近销4500可以螺纹耦合至支承板4100。
凹部4120可以形成在支承板4100上。柱塞4400位于凹部4120中。凹部4120可以从支承板4100的上表面向下凹入地形成。在一实施方式中，在凹部4120的横向上呈阶梯状的第一止动端4122可以形成在凹部4120中。在第二凹部4130的横向上呈阶梯状的第二止动端4132可以形成在第二凹部4130中。
用于减小凹部4120中的压力的减压通道4110连接至凹部4120。减压通道4110包括主通道4112、第一通道4114和第二通道4116。主通道4112与减压构件4115连接。第一通道4114和第二通道4116从主通道4112分支。随着减压通道4110中压力的减小，柱塞4400从第二位置移动至第一位置。
此外，真空孔4140可以形成在支承板4100上。真空孔4140可以形成在支承板4100的上表面上。上述减压通道4110的第一通道4114与凹部4120连接。第二通道4116延伸至支承板4100的上表面，并形成真空孔4140。
下文中，将详细描述柱塞4400的形状。
在一实施方式中，柱塞4400可以具有形成在其中的通孔4403。通孔4403可以穿过柱塞4400竖直地形成。通孔4403可以连接至减压通道4110。通孔4403可以连接至第一通道4114。凹部4120中柱塞4400下方的区域与减压通道4110连接。
在一实施方式中，柱塞4400可以包括第一主体4401和第二主体4402。当从上方观察时，第二主体4402可以具有比第一主体4401更小的面积。第二主体4402可以从第一主体4401的上表面向上延伸。在一实施方式中，第一主体4401和第二主体4402可以具有圆柱形状。
在一实施方式中，第二主体4402的上端可以具有圆形(rounded)形状。因此，当基板W安置在柱塞4400上时，可以最小化基板W的下表面上的刮擦。
柱塞4400可以由含有合成树脂或陶瓷(Al2O3)的材料形成。在一实施方式中，合成树脂可以是聚醚醚酮(polyeheretherketone,PeeK)树脂。例如，合成树脂可以是聚苯并咪唑(polybenzimidazol,PBI)树脂。
第一止动构件4410可以设置在第一主体4401的上表面与凹部4120中的第一止动端4122之间。在一实施方式中，第一止动构件4410可以具有环形形状。第一止动构件4410可以具有在一侧处带有开口的环形形状。例如，第一止动构件4410可以是C-环形。第一止动构件4410可以设置在第一止动端4122和第一主体4401的上表面之间，并且在柱塞4400向上和向下移动时、可以防止柱塞4400的脱出(escape)。在由于继续使用柱塞4400而需要更换柱塞4400的情况下，柱塞4400向下移动，移除第一止动构件4410，柱塞4400与凹部4120分离。
弹性构件4420可以设置在第一主体4401的下表面上。弹性构件4420可以设置在凹部4120中。在一实施方式中，弹性构件4420可以是弹簧。弹性构件4420的上端可以与第一主体4401的下表面连接，并且弹性构件4420的下端可以连接至凹部4120的下表面。因此，弹性构件4420可以在上下方向上移动柱塞4400。
例如，当将减小的压力施加至减压通道4110时，减小的压力被施加至与减压通道4110连接的凹部4120。柱塞4400可以通过由减压通道4110施加的减小的压力而向下移动。此外，当停止向减压通道4110施加减小的压力时，也停止向向与减压通道4110连接的凹部4120施加减小的压力。柱塞4400可以通过弹性构件4420的弹力而向上移动。
下文中，将参照图10和图11描述本发明构思的基板处理方法。
当基板W安置在支承单元1300上并且将疏水性气体引入到处理空间1110中时，开始基板W的疏水化工艺。在疏水化工艺中，使基板W的上表面和下表面均疏水化。
可以不考虑顺序地处理基板W的上表面和下表面。例如，基板W可以位于第一位置和第二位置之一，并且可以使基板W的上表面和下表面之一疏水化。之后，基板W可以位于另一位置，且可以使基板W的另一表面疏水化。在一实施方式中，第一位置是与支承板4100向上间隔开第一距离D1的位置，并且第二位置是与支承板4100向上间隔开第二距离D2的位置。
在一实施方式中，当将疏水性气体供应到处理空间1110中时，基板W位于第一位置约15秒，然后位于第二位置。在使基板W的整个下表面疏水化的情况下，基板W停留在第二位置。
参照图10，将疏水性气体引入到处理空间1110中，并且基板W位于从支承板4100的上表面的第一位置。由于接近销4500被固定，基板W与加热器1420保持均匀的间隔。因此，基板W的温度被均匀地升高。当基板W位于第一位置时，减小的压力被施加至减压通道4110。由减压通道4110施加的减小的压力被输送至凹部4120。因此，柱塞4400向下移动，并且支承板4100和基板W之间的距离减小。接近销4500允许基板W在不朝向支承板4100移动的情况下保持在支承板4100上方的第一距离D1处。
此外，由减压通道4110施加的减小的压力也被输送至柱塞4400的通孔4403。因此，基板W可以通过通孔4403中的减小的压力而被夹持在柱塞4400上。另外，由减压通道4110施加的减小的压力被输送至真空孔4140。因此，基板W可以稳定地安置在支承板1300上。
参照图11，基板W位于与支承板4100的上表面间隔开第二距离D2的第二位置。由于气体供应单元1600从基板W上方供应疏水性气体，并且基板W位于靠近支承板4100的位置，因此基板W的上表面容易疏水化，但是基板W的下表面相对难以疏水化。因此，在本发明构思中，基板W位于第二位置以使基板W的下表面能够疏水化。
当停止向减压通道4110施加减小的压力时，柱塞4400可以通过弹性构件4420的弹力而向上移动。因此，支承在柱塞4400上的基板W可以向上移动。在一实施方式中，停止向减压通道4110施加减小的压力以将基板W移动至第二位置。因此，柱塞4400向上移动。当柱塞4400向上移动时，基板W可以在远离支承板4100的方向上移动。在一实施方式中，弹性构件4420使柱塞4400将力在向上方向上施加至基板W的下表面。
此外，由于基板W的上方和下方之间的压力差，柱塞4400向上受力。当基板W的上方和下方之间存在显著的压力差时，随着施加至弹性构件4420的阻力增加，柱塞4400可以缓慢地向上移动。因此，可以消除使基板在升高时弹起并受损的挤压效应。
在柱塞4400中未形成通孔4403的情况下，第二通道4116和真空孔4140必须邻近柱塞4400形成。否则，施加减小的压力的点与柱塞4400支承的点相距较远。在这种情况下，基板W可能会因从真空孔4140施加的压力而弯曲(warp)。此外，可以将载荷施加至柱塞4400。
然而，根据本发明构思的实施方式，柱塞4400具有形成在其中的通孔4403。因此，柱塞4400可以吸引基板W的下表面。当柱塞4400夹持基板W时，如图12所示，第二通道4116的位置可以自由地改变。
在弯曲的基板W安置在支承单元1300上的情况下，可能难以仅利用柱塞4400适当地定位基板W。第二通道4116和真空孔4140可以将减小的压力施加至基板W的下表面，以适当地定位弯曲的基板W。即，第二通道4116和真空孔4140可以通过柱塞4400来补充基板W的夹持。
在上述实施方式中，已经描述了柱塞4400的插入位置对应于第一位置。然而，如图13所示，柱塞4400的插入位置可以是第二主体4402完全插入到凹部4120中的位置。
在上述实施方式中，已经描述了柱塞4400具有形成在其中的通孔4403。然而，如图14所示，柱塞4400a可以具有其中没有形成孔的第一主体4401a和第二主体4402a。柱塞4400a可以通过施加至凹部4120的减小的压力而向下移动，并且可以通过弹性构件4420的弹力而向上移动。
再次参照图1至图3，各显影块30b具有热处理腔室3200、传送腔室3400和液体处理腔室3600。显影块30b的热处理腔室3200、传送腔室3400和液体处理腔室3600以与涂覆块30a的热处理腔室3200、传送腔室3400和液体处理腔室3600的结构和布置基本相似的结构和布置而设置。因此，将省略对其的详细描述。然而，显影块30b中的液体处理腔室3600设置为显影腔室3600，所有的显影腔室3600通过将显影溶液分配到基板W上而在基板W上同一地(identically)执行显影工艺。
接口模块40将处理模块30与外部曝光装置50连接。接口模块40具有接口框架4100、附加工艺腔室4200、接口缓冲器4400和传送构件4600。
接口框架4100在其顶部处可以具有风扇过滤单元，该风扇过滤单元在接口框架4100中形成向下气流。附加工艺腔室4200、接口缓冲器4400和传送构件4600设置在接口框架4100中。在将在涂覆块30a中完全处理的基板W传送至曝光装置50之前，附加工艺腔室4200可以在基板W上执行预定的附加工艺。选择性地，在将在曝光装置50中完全处理的基板W传送至显影块30b之前，附加工艺腔室4200可以在基板W上执行预定的附加工艺。根据一实施方式，附加工艺可以是将基板W的边缘区域暴露于光的边缘暴露工艺、清洁基板W的顶侧的顶侧清洁工艺或清洁基板W的背面的背面清洁工艺。可以设置多个附加工艺腔室4200。附加工艺腔室4200可以彼此堆叠。附加工艺腔室4200可以全部执行相同的工艺。选择性地，一些附加工艺腔室4200可以执行不同的工艺。
接口缓冲器4400提供在涂覆块30a、附加工艺腔室4200、曝光装置50和显影块30b之间传送的基板W临时停留的空间。可以设置多个接口缓冲器4400。接口缓冲器4400可以彼此堆叠。
根据一实施方式，附加工艺腔室4200可以设置在面向传送腔室3400的纵向方向的延长线的一侧上，并且接口缓冲器4400可以设置在该延长线的相对侧上。
传送构件4600在涂覆块30a、附加工艺腔室4200、曝光装置50和显影块30b之间传送基板W。传送构件4600可以由一个或多个机械手实施。根据一实施方式，传送构件4600具有第一机械手4602和第二机械手4606。第一机械手4602可以在涂覆块30a、附加工艺腔室4200和接口缓冲器4400之间传送基板W。接口机械手4604可以在接口缓冲器4400和曝光装置50之间传送基板W。第二机械手4606可以在接口缓冲器4400和显影块30b之间传送基板W。
第一机械手4602和第二机械手4606各自包括手部，基板W放置在该手部上，并且该手部为向前和向后可移动的、围绕平行于Z轴方向16的轴线可旋转的、以及沿Z轴方向16可移动的。
如上所述，根据实施方式，本发明构思具有使基板的上表面和下表面疏水化的优点。
此外，根据实施方式，本发明构思具有使在基板经受热处理的情况下发生的挤压效应最小化的优点。
本发明构思的效果不限于上述效果，且本发明构思所属领域的技术人员可从本说明书和附图中清楚地理解本文中未提及的任何其他效果。
以上描述例证了本发明构思。此外，上述内容描述了本发明构思的示例性实施方案，并且本发明构思可以用于各种其他的组合、变化和环境中。也就是说，在不脱离本说明书中公开的本发明构思的范围、与书面公开的等同范围、和/或本领域技术人员的技术或知识范围的情况下，可以对本发明构思进行变化或修改。书面实施方案描述了实现本发明构思的技术精神的最佳状态，且可以进行本发明构思的特定应用和目的所需的各种改变。因此，本发明构思的详细描述并非旨在将发明构思限制在所公开的实施方案状态中。另外，应当理解的是，所附权利要求包括其他的实施方案。
虽然已经参照示例性实施方案描述了本发明构思，但对于本领域技术人员而言将显而易见的是，在不脱离本发明构思的精神和范围的情况下，可以做出各种改变和修改。因此，应当理解的是，上述实施方案并非限制性的，而是说明性的。

Claims (20)

1.一种用于处理基板的装置，所述装置包括：
壳体，其在内部具有处理空间；
气体供应单元，其配置为将疏水性气体供应到所述处理空间中以使所述基板疏水化；和
支承单元，其配置为在所述处理空间中支承所述基板，
其中，所述支承单元包括：
支承板；
加热构件，其配置为加热放置在所述支承板上的所述基板；和
高度调节构件，其配置为在第一位置和第二位置之间改变所述基板的位置，所述第一位置与所述支承板的上表面向上间隔开第一距离，所述第二位置与所述支承板的所述上表面向上间隔开第二距离，并且
其中，所述第二位置是比所述第一位置高的位置。
2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述高度调节构件包括柱塞，所述柱塞配置为在突出位置和插入位置之间、在上下方向上是可移动的，且所述柱塞配置为在所述突出位置支承所述基板，
其中，所述插入位置是等于或低于所述第一位置的高度，并且
其中，所述突出位置是与所述第二位置相对应的高度。
3.根据权利要求2所述的装置，其中，所述高度调节构件还包括接近销，所述接近销在与所述支承板的所述上表面相距所述第一距离处具有上端。
4.根据权利要求3所述的装置，其中，所述接近销固定至所述支承单元。
5.根据权利要求2至4中任一项所述的装置，其中，所述柱塞位于形成在所述支承板的所述上表面上的凹部中，并且
其中，配置为减小所述凹部中的压力的减压通道连接至所述凹部。
6.根据权利要求5所述的装置，其中，随着所述减压通道中压力的减小，所述柱塞从所述第二位置移动至所述第一位置。
7.根据权利要求5所述的装置，其中，所述柱塞具有穿过所述柱塞竖直地形成的通孔，并且
其中，所述通孔与所述减压通道连接。
8.根据权利要求5所述的装置，其中，所述柱塞包括：
第一主体；和
从所述第一主体向上延伸的第二主体，
其中，当从上方观察时，所述第二主体具有比所述第一主体小的面积，
其中，在所述突出位置，所述第一主体位于所述凹部中，并且
其中，在所述突出位置，所述第二主体支承所述基板。
9.根据权利要求8所述的装置，其中，在所述第一主体的下表面上设置有弹性构件，且
其中，所述弹性构件的一侧与所述第一主体的所述下表面连接，且所述弹性构件的相对侧与所述支承板连接。
10.根据权利要求5所述的装置，其中，所述减压通道包括：
主通道；和
第一通道和第二通道，所述第一通道和所述第二通道配置为从所述主通道分支，
其中，所述第一通道与所述凹部连接，并且
其中，所述第二通道延伸到所述支承板的所述上表面。
11.根据权利要求2至4中任一项所述的装置，其中，所述柱塞包括多个柱塞，所述多个柱塞沿所述支承板的圆周方向布置。
12.根据权利要求2至4中任一项所述的装置，其中，所述疏水性气体为六甲基二硅氮烷HMDS气体。
13.一种用于在处理空间中支承基板的支承单元，所述支承单元包括：
支承板；
加热构件，其配置为加热放置在所述支承板上的所述基板；和
高度调节构件，其配置为在第一位置和第二位置之间改变所述基板的位置，所述第一位置与所述支承板的上表面向上间隔开第一距离，所述第二位置与所述支承板的所述上表面向上间隔开第二距离，
其中，所述第二距离大于所述第一距离。
14.根据权利要求13所述的支承单元，其中，所述高度调节构件包括柱塞，所述柱塞配置为在所述第二位置支承所述基板，并且
其中，所述柱塞在所述第一位置和所述第二位置之间是可移动的。
15.根据权利要求13或14所述的支承单元，其中，所述高度调节构件包括接近销，所述接近销在与所述支承板的所述上表面相距所述第一距离处具有上端。
16.根据权利要求14所述的支承单元，其中，所述柱塞位于形成在所述支承板的所述上表面上的凹部中，
其中，所述凹部与形成在所述支承板内部的减压通道连接，并且
其中，随着所述减压通道中压力的减小，所述柱塞从所述第二位置移动至所述第一位置。
17.根据权利要求14所述的支承单元，其中，在所述柱塞的下表面上设置有弹性构件，且
其中，所述弹性构件的一侧与所述柱塞的所述下表面连接，且所述弹性构件的相对侧与所述支承板连接。
18.一种用于使用根据权利要求1所述的装置处理所述基板的方法，所述方法包括：
通过将疏水性气体供应到所述处理空间中来使所述基板的表面疏水化，
其中，使所述基板的上表面和下表面之一、在所述基板位于第一位置和第二位置之一的状态下疏水化，然后使所述基板的另一表面、在所述基板位于另一位置的状态下疏水化。
19.根据权利要求18所述的方法，其中，所述高度调节构件包括柱塞，所述柱塞位于形成在所述支承板上的凹部中，且
其中，所述柱塞在突出位置和插入位置之间移动，以在所述第一位置和所述第二位置之间调节所述基板的高度。
20.根据权利要求19所述的方法，其中，通过减小形成在所述支承板上的所述凹部中的压力来降低所述柱塞，从而执行所述柱塞从所述第二位置到所述第一位置的移动，且
其中，通过停止向所述凹部施加减小的压力来升高所述柱塞，从而执行所述柱塞从所述第一位置到所述第二位置的移动。
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