KR20210013256A

KR20210013256A - 기판 처리 장치 및 방법

Info

Publication number: KR20210013256A
Application number: KR1020210010422A
Authority: KR
Inventors: 이종구; 강만규; 김기훈; 김준호; 이은탁; 신경식
Original assignee: 세메스 주식회사
Priority date: 2021-01-25
Filing date: 2021-01-25
Publication date: 2021-02-03

Abstract

본 발명의 실시예는 기판을 처리하는 장치 및 방법을 제공한다. 기판을 처리하는 장치는 기판을 처리하는 처리 공간을 가지는 처리 유닛, 상기 처리 공간을 배기하도록 상기 처리 유닛에 연결하되며, 단부가 개방된 개별 배기덕트, 상기 개별 배기 덕트의 단부로부터 거리 조절이 가능하도록 제공되어, 상기 개별 배기 덕트를 통해 배기되는 가스의 양을 조절하는 차단판, 그리고 상기 차단판의 위치를 제어하는 제어기를 포함하되, 상기 제어기는 상기 처리 공간에 기판 유무에 따라 상기 차단판의 위치를 제어한다. 이로 인해 챔버 내의 공정 부산물의 제거율을 높이고, 기판의 영역 별 처리량을 균일하도록 조절할 수 있다.

Description

기판 처리 장치 및 방법{Apparatus and Method for treating substrate}

본 발명은 기판을 처리하는 장치 및 방법에 관한 것이다.

반도체 소자를 제조하기 위해서는 세정, 증착, 사진, 식각, 그리고 이온주입 등과 같은 다양한 공정이 수행된다. 이러한 공정들 중 내부에 처리 공간을 가지는 챔버에서 진행된다.

일반적으로, 챔버의 처리 공간은 일정한 공정 분위기를 유지해야 한다. 이로 인해 공정 분위기는 기설정된 압력이 유지되도록 배기 장치에 의해 배기된다. 배기 장치는 공정 분위기를 일정 압력으로 유지시킬 뿐만 아니라, 기판 처리 시 발생된 공정 부산물을 배기한다. 예컨대, 기판을 케미칼로 처리하는 과정이나, 기판을 베이크 처리하는 과정에는 퓸(Fume)과 같은 공정 부산물이 발생되며, 이는 배기 장치에 의해 배기된다.

도 1은 일반적인 배기 장치를 보여주는 단면도이다. 도 1을 참조하면, 배기 장치는 메인 덕트(2), 개별 덕트(4), 감압 부재(6), 그리고 차단판(8)을 포함한다. 메인 덕트(2)는 감압 부재(6)에 의해 감압되며, 개별 덕트(4)는 챔버와 메인 덕트(2)를 연결한다. 챔버 내에서 발생된 공정 부산물은 개별 덕트(4) 및 메인 덕트(2)를 순차적으로 거쳐 배기된다. 차단판(8)은 처리 공간에 전달되는 배기압을 조절한다. 차단판(8)은 개별 덕트(4)의 개방률을 조절하여 개별 덕트(4)의 배기량을 조절한다. 차단판(8)은 작업자에 의해 설비를 셋업(Set-up) 시 조정된 위치에 고정되며, 공정이 진행되는 중에 차단판을 이동시키는 것은 어렵다.

실험 데이터에 의하면, 챔버 내의 배기량은 챔버 내의 공정 부산물의 제거율 및 기판의 영역 별 처리율에 큰 영향을 끼친다. 챔버 내의 배기량이 높아지는 경우에는 공정 부산물이 제거율이 높아지는 반면, 기판의 영역 별 처리량이 불균일해진다. 이에 반해 챔버 내의 배기량이 낮아지는 경우에는 기판의 영역 별 처리량이 균일해지는 반면, 공정 부산물의 제거율이 낮아지며, 기판의 처리 속도가 느려진다.

한국 공개 특허 2009-0058774

본 발명은 챔버 내의 배기량을 자유롭게 조절할 수 있는 장치 및 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.

또한 본 발명은 챔버 내의 배기량을 조절하여 공정 부산물의 제거율을 높이고, 기판의 영역 별 처리량을 균일하게 조절할 수 있는 장치 및 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.

본 발명의 실시예는 기판을 처리하는 장치 및 방법을 제공한다.

기판을 처리하는 장치는 기판을 처리하는 처리 공간을 가지는 처리 유닛, 상기 처리 공간을 배기하도록 상기 처리 유닛에 연결하되며, 단부가 개방된 개별 배기덕트, 상기 개별 배기 덕트의 단부로부터 거리 조절이 가능하도록 제공되어, 상기 개별 배기 덕트를 통해 배기되는 가스의 양을 조절하는 차단판, 그리고 상기 차단판의 위치를 제어하는 제어기를 포함하되, 상기 제어기는 상기 처리 공간에 기판 유무에 따라 상기 차단판의 위치를 제어한다.

상기 제어기는 상기 개별 배기 덕트를 완전 개방하는 완전 배기 모드와 상기 개별 배기 덕트를 일부 개방하는 일부 배기 모드 중 선택적으로 모드로 배기되는 가스의 양을 조절하되, 상기 처리 공간에 기판이 위치되지 않을 때에는 상기 완전 배기 모드로 배기를 진행하고, 상기 처리 공간에 기판이 위치된 때에는 상기 일부 배기 모드로 배기를 진행할 수 있다.

상기 제어기는 상기 차단판과 상기 개별 배기 덕트의 단부 간의 거리를 조절하되, 상기 완전 배기 모드에는 상기 차단판이 제1위치에 위치되고, 상기 일부 배기 모드에는 상기 차단판이 제2위치에 위치되며, 상기 제1위치는 상기 제2위치에 비해 상기 차단판이 상기 개별 배기 덕트의 단부로부터 멀리 이격된 위치로 제공될 수 있다.

상기 일부 배기 모드에서 상기 개별 배기 덕트의 배기량은 상기 완전 배기 모드에서 상기 개별 배기 덕트의 배기량의 10 내지 15 퍼센티지(%)로 제공될 수 있다. 상기 일부 배기 모드에서 상기 개별 배기 덕트의 배기압은 15 내지 25 파스칼(pa)로 제공될 수 있다.

상기 장치는, 상기 차단판을 상기 제1위치와 상기 제2위치 간에 이동되도록 구동시키는 구동 부재를 더 포함하되, 상기 구동 부재는 실린더를 포함할 수 있다.

상기 처리 유닛과 상기 개별 배기 덕트는 복수 개로 제공되고, 상기 처리 유닛들 각각에는 상기 개별 배기 덕트가 각각 연결되되, 상기 장치는 상기 개별 배기 덕트들 각각이 연결되는 메인 배기 덕트 및 상기 메인 배기 덕트를 감압하는 감압 부재를 더 포함할 수 있다.

또한 기판을 처리하는 장치는 기판을 처리하는 복수의 처리유닛, 내부에 메인 배기통로가 형성된 메인 배기덕트, 상기 메인 배기통로와 연결된 개별 배기 통로를 가지며, 상기 메인 배기 덕트에 상기 복수의 처리유닛을 각각 연결하는 개별 배기 덕트, 상기 메인 배기통로 측의 상기 개별 배기 통로의 단부로부터 일정 거리 이격되는 제1위치와 상기 단부를 일부 차단하는 제2위치 사이에 이동되어 상기 개별 배기통로를 통해 배기되는 가스의 량을 조절하는 차단판, 그리고 상기 차단판의 위치를 제어하는 제어기를 포함한다.

상기 제어기는 상기 처리유닛의 상태에 따라 상기 차단판의 위치를 제어하되, 상기 제어기는 상기 처리유닛에 기판이 위치되지 않는 동안에는 상기 차단판을 상기 제1위치에 위치되도록 하고, 상기 처리 유닛에 기판이 위치되어 기판을 처리하는 동안에는 상기 차단판을 상기 제2위치에 위치되도록 상기 차단판을 제어하며, 상기 차단판은 상기 제2위치보다 상기 제1위치에서 상기 단부로부터 더 멀리 이격되게 위치될 수 있다.

상기 차단판은 상기 제1위치에서 상기 개별 배기 통로를 제1배기량으로 조절하고, 상기 제2위치에서 상기 개별 배기 통로를 제2배기량으로 조절하되, 상기 제2배기량은 상기 제1배기량의 10 내지 15퍼센티지(%)로 제공될 수 있다.

기판을 처리하는 방법으로는, 처리 공간 내에 위치된 상기 기판을 처리하는 공정 진행 단계 및 상기 공정 진행 단계 전후에, 상기 처리 공간으로부터 기판이 제거된 상태에서 공정의 진행이 대기되는 공정 대기 단계를 포함하되, 상기 공정 진행 단계에서 배기되는 가스의 양과 상기 공정 대기 단계에서 배기되는 가스의 양은 서로 다르다.

상기 공정 대기 단계에는 상기 처리 공간에 연결된 개별 배기 덕트를 완전 개방하고, 상기 공정 진행 단계에는 상기 처리 공간에 연결된 개별 배기 덕트를 일부 개방하여, 상기 공정 대기 단계에서의 가스 배기량을 상기 공정 진행 단계에서의 가스 배기량보다 크게 조절할 수 있다.

상기 공정 진행 단계의 가스 배기량은 상기 공정 대기 단계의 가스 배기량의 10 내지 15 퍼센티지(%)로 제공될 수 있다. 상기 공정 진행 단계의 가스 배기압은 15 내지 25 파스칼(pa)로 제공될 수 있다.

본 발명의 실시예에 의하면, 개별 배기 덕트의 배기량은 차단판의 위치 이동에 의해 조절되며, 차단판은 실린더를 포함하는 구동 부재에 의해 구동된다. 이로 인해 챔버 내의 배기량을 실시간으로 자유롭게 조절 가능하다.

또한 본 발명의 실시예에 의하면, 기판의 유무에 따라 챔버 내의 배기량을 달리한다. 이로 인해 챔버 내의 공정 부산물의 제거율을 높이고, 기판의 영역 별 처리량을 균일하도록 조절할 수 있다.

도 1은 일반적인 배기 장치를 보여주는 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 사시도이다.
도 3은 도 2의 도포 블럭 또는 현상 블럭을 보여주는 기판 처리 장치의 단면도이다.
도 4는 도 2의 기판 처리 장치의 평면도이다.
도 5는 도 4의 반송 로봇의 핸드의 일 예를 보여주는 도면이다.
도 6은 도 4의 열처리 챔버의 일 예를 개략적으로 보여주는 평면도이다.
도 7은 도 6의 열처리 챔버의 정면도이다.
도 8은 도 7의 가열 유닛을 보여주는 단면도이다.
도 9는 도 8의 배기 어셈블리를 보여주는 사시도이다.
도 10은 도 9의 메인 배기 덕트 및 개별 배기 덕트를 보여주는 단면도이다.
도 11은 제1위치로 이동된 차단판을 보여주는 단면도이다.
도 12는 제2위치로 이동된 차단판을 보여주는 단면도이다.
도 13은 도 4의 액 처리 챔버의 일 예를 개략적으로 보여주는 도면이다.

이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장된 것이다.

도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 사시도이고, 도 3은 도 2의 도포 블럭 또는 현상 블럭을 보여주는 기판 처리 장치의 단면도이며, 도 4는 도 2의 기판 처리 장치의 평면도이다.

도 2 내지 도 4를 참조하면, 기판 처리 장치(1)는 인덱스 모듈(20,index module), 처리 모듈(30, treating module), 그리고 인터페이스 모듈(40, interface module)을 포함한다. 일 실시예에 의하며, 인덱스 모듈(20), 처리 모듈(30), 그리고 인터페이스 모듈(40)은 순차적으로 일렬로 배치된다. 이하, 인덱스 모듈(20), 처리 모듈(30), 그리고 인터페이스 모듈(40)이 배열된 방향을 제1 방향(12)이라 하고, 상부에서 바라볼 때 제1 방향(12)과 수직한 방향을 제2 방향(14)이라 하고, 제1 방향(12) 및 제2 방향(14)에 모두 수직한 방향을 제3 방향(16)이라 한다.

인덱스 모듈(20)은 기판(W)이 수납된 용기(10)로부터 기판(W)을 처리 모듈(30)로 반송하고, 처리가 완료된 기판(W)을 용기(10)로 수납한다. 인덱스 모듈(20)의 길이 방향은 제2 방향(14)으로 제공된다. 인덱스 모듈(20)은 로드포트(22)와 인덱스 프레임(24)을 가진다. 인덱스 프레임(24)을 기준으로 로드포트(22)는 처리 모듈(30)의 반대 측에 위치된다. 기판(W)들이 수납된 용기(10)는 로드포트(22)에 놓인다. 로드포트(22)는 복수 개가 제공될 수 있으며, 복수의 로드포트(22)는 제2 방향(14)을 따라 배치될 수 있다.

용기(10)로는 전면 개방 일체 식 포드(Front Open Unified Pod:FOUP)와 같은 밀폐용 용기(10)가 사용될 수 있다. 용기(10)는 오버헤드 트랜스퍼(Overhead Transfer), 오버헤드 컨베이어(Overhead Conveyor), 또는 자동 안내 차량(Automatic GuidedVehicle)과 같은 이송 수단(도시되지 않음)이나 작업자에 의해 로드포트(22)에 놓일 수 있다.

인덱스 프레임(24)의 내부에는 인덱스 로봇(2200)이 제공된다. 인덱스 프레임(24) 내에는 길이 방향이 제2 방향(14)으로 제공된 가이드 레일(2300)이 제공되고, 인덱스 로봇(2200)은 가이드 레일(2300) 상에서 이동 가능하게 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(2200)은 기판(W)이 놓이는 핸드(2220)를 포함하며, 핸드(2220)는 전진 및 후진 이동, 제3 방향(16)을 축으로 한 회전, 그리고 제3 방향(16)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다.

처리 모듈(30)은 기판(W)에 대해 도포 공정 및 현상 공정을 수행한다. 처리 모듈(30)은 도포 블럭(30a) 및 현상 블럭(30b)을 가진다. 도포 블럭(30a)은 기판(W)에 대해 도포 공정을 수행하고, 현상 블럭(30b)은 기판(W)에 대해 현상 공정을 수행한다. 도포 블럭(30a)은 복수 개가 제공되며, 이들은 서로 적층되게 제공된다. 현상 블럭(30b)은 복수 개가 제공되며, 현상 블럭들(30b)은 서로 적층되게 제공된다. 도 2의 실시예에 의하면, 도포 블럭(30a)은 2개가 제공되고, 현상 블럭(30b)은 2개가 제공된다. 도포 블럭들(30a)은 현상 블럭들(30b)의 아래에 배치될 수 있다. 일 예에 의하면, 2개의 도포 블럭들(30a)은 서로 동일한 공정을 수행하며, 서로 동일한 구조로 제공될 수 있다. 또한, 2개의 현상 블럭들(30b)은 서로 동일한 공정을 수행하며, 서로 동일한 구조로 제공될 수 있다.

도 4를 참조하면, 도포 블럭(30a)은 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 액 처리 챔버(3600), 그리고 버퍼 챔버(3800)를 가진다. 열처리 챔버(3200)는 기판(W)에 대해 열처리 공정을 수행한다. 열처리 공정은 냉각 공정 및 가열 공정을 포함할 수 있다. 액처리 챔버(3600)는 기판(W) 상에 액을 공급하여 액막을 형성한다. 액막은 포토레지스트막 또는 반사방지막일 수 있다. 반송 챔버(3400)는 도포 블럭(30a) 내에서 열처리 챔버(3200)와 액처리 챔버(3600) 간에 기판(W)을 반송한다.

반송 챔버(3400)는 그 길이 방향이 제1 방향(12)과 평행하게 제공된다. 반송 챔버(3400)에는 반송 로봇(3422)이 제공된다. 반송 로봇(3422)은 열처리 챔버(3200), 액처리 챔버(3600), 그리고 버퍼 챔버(3800) 간에 기판을 반송한다. 일 예에 의하면, 반송 로봇(3422)은 기판(W)이 놓이는 핸드(3420)를 가지며, 핸드(3420)는 전진 및 후진 이동, 제3 방향(16)을 축으로 한 회전, 그리고 제3 방향(16)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다. 반송 챔버(3400) 내에는 그 길이 방향이 제1 방향(12)과 평행하게 제공되는 가이드 레일(3300)이 제공되고, 반송 로봇(3422)은 가이드 레일(3300) 상에서 이동 가능하게 제공될 수 있다.

도 5는 도 4의 반송 로봇의 핸드의 일 예를 보여주는 도면이다. 도 5를 참조하면, 핸드(3420)는 베이스(3428) 및 지지 돌기(3429)를 가진다. 베이스(3428)는 원주의 일부가 절곡된 환형의 링 형상을 가질 수 있다. 베이스(3428)는 기판(W)의 직경보다 큰 내경을 가진다. 지지 돌기(3429)는 베이스(3428)로부터 그 내측으로 연장된다. 지지 돌기(3429)는 복수 개가 제공되며, 기판(W)의 가장자리 영역을 지지한다. 일 예에 의하며, 지지 돌기(3429)는 등 간격으로 4개가 제공될 수 있다.

열처리 챔버(3200)는 복수 개로 제공된다. 열처리 챔버들(3200)은 제1방향(12)을 따라 나열되게 배치된다. 열처리 챔버들(3200)은 반송 챔버(3400)의 일측에 위치된다.

도 6은 도 4의 열처리 챔버의 일 예를 개략적으로 보여주는 평면도이고, 도 7은 도 6의 열처리 챔버의 정면도이다. 도 6 및 도 7을 참조하면, 열처리 챔버(3200)는 하우징(3210), 냉각 유닛(3220), 가열 유닛(3230), 그리고 반송 플레이트(3240)를 가진다.

하우징(3210)은 대체로 직육면체의 형상으로 제공된다. 하우징(3210)의 측벽에는 기판(W)이 출입되는 반입구(도시되지 않음)가 형성된다. 반입구는 개방된 상태로 유지될 수 있다. 선택적으로 반입구를 개폐하도록 도어(도시되지 않음)가 제공될 수 있다. 냉각 유닛(3220), 가열 유닛(3230), 그리고 반송 플레이트(3240)는 하우징(3210) 내에 제공된다. 냉각 유닛(3220) 및 가열 유닛(3230)은 제2 방향(14)을 따라 나란히 제공된다. 일 예에 의하면, 냉각 유닛(3220)은 가열 유닛(3230)에 비해 반송 챔버(3400)에 더 가깝게 위치될 수 있다.

냉각 유닛(3220)은 냉각판(3222)을 가진다. 냉각판(3222)은 상부에서 바라볼 때 대체로 원형의 형상을 가질 수 있다. 냉각판(3222)에는 냉각부재(3224)가 제공된다. 일 예에 의하면, 냉각부재(3224)는 냉각판(3222)의 내부에 형성되며, 냉각 유체가 흐르는 유로로 제공될 수 있다.

가열 유닛(3230)은 기판을 상온보다 높은 온도로 가열하는 장치(1000)로 제공된다. 가열 유닛(3230)은 상압 또는 이보다 낮은 감압 분위기에서 기판(W)을 가열 처리한다. 도 9는 도 8의 가열 유닛을 보여주는 단면도이다. 도 9를 참조하면, 가열 유닛(3230)은 챔버(1100), 기판 지지 유닛(1300), 히터 유닛(1420), 그리고 배기 유닛(1500), 그리고 배기 어셈블리(1800)를 포함한다.

챔버(1100)는 내부에 기판(W)을 가열 처리하는 처리 공간(1110)을 제공한다. 처리 공간(1110)은 외부와 차단된 공간으로 제공된다. 챔버(1100)은 상부 바디(1120), 하부 바디(1140), 그리고 실링 부재(1160)를 포함한다.

상부 바디(1120)는 하부가 개방된 통 형상으로 제공된다. 상부 바디(1120)의 상면에는 배기홀(1124) 및 유입홀(1122)이 형성된다. 배기홀(1124)은 상부 바디(1120)의 중심에 형성된다. 배기홀(1124)은 처리 공간(1110)의 분위기를 배기한다. 유입홀(1122)은 복수 개가 이격되도록 제공되며, 배기홀(1124)을 감싸도록 배열된다. 유입홀들(1124)은 처리 공간(1110)에 외부의 기류를 유입한다. 일 예에 의하면, 유입홀(1122)은 4 개이고, 외부의 기류는 에어일 수 있다.

하부 바디(1140)는 상부가 개방된 통 형상으로 제공된다. 하부 바디(1140)는 상부 바디(1120)의 아래에 위치된다. 상부 바디(1120) 및 하부 바디(1140)는 상하 방향으로 서로 마주보도록 위치된다. 상부 바디(1120) 및 하부 바디(1140)는 서로 조합되어 내부에 처리 공간(1110)을 형성한다. 상부 바디(1120) 및 하부 바디(1140)는 상하 방향에 대해 서로의 중심축이 일치되게 위치된다. 하부 바디(1140)는 상부 바디(1120)와 동일한 직경을 가질 수 있다. 즉, 하부 바디(1140)의 상단은 상부 바디(1120)의 하단과 대향되게 위치될 수 있다.

상부 바디(1120) 및 하부 바디(1140) 중 하나는 승강 부재(1130)에 의해 개방 위치와 차단 위치로 이동되고, 다른 하나는 그 위치가 고정된다. 본 실시예에는 하부 바디(1140)의 위치가 고정되고, 상부 바디(1120)가 이동되는 것으로 설명한다. 개방 위치는 상부 바디(1120)와 하부 바디(1140)가 서로 이격되어 처리 공간(1110)이 개방되는 위치이다. 차단 위치는 하부 바디(1140) 및 상부 바디(1120)에 의해 처리 공간(1110)이 외부로부터 밀폐되는 위치이다.

실링 부재(1160)는 상부 바디(1120)와 하부 바디(1140) 사이에 위치된다. 실링 부재(1160)는 상부 바디(1120)와 하부 바디(1140)가 접촉될 때 처리 공간이 외부로부터 밀폐되도록 한다. 실링 부재(1160)는 환형의 링 형상으로 제공될 수 있다. 실링 부재(1160)는 하부 바디(1140)의 상단에 고정 결합될 수 있다.

기판 지지 유닛(1300)은 처리 공간(1110)에서 기판(W)을 지지한다. 기판 지지 유닛(1300)은 하부 바디(1140)에 고정 결합된다. 기판 지지 유닛(1300)은 지지 플레이트(1320), 리프트 핀(1340), 그리고 지지핀(1360)을 포함한다. 지지 플레이트(1320)는 히터 유닛(1400)으로부터 발생된 열을 기판(W)으로 전달한다. 지지 플레이트(1320)는 원형의 판 형상으로 제공된다. 지지 플레이트(1320)의 상면은 기판(W)보다 큰 직경을 가진다. 지지 플레이트(1320)의 상면은 기판(W)이 놓이는 안착면(1320a)으로 기능한다. 안착면(1320a)에는 복수의 리프트 홀들(1322), 삽입홀들(1324), 그리고 진공홀들(1326)이 형성된다. 리프트 홀들(1322), 삽입홀들(1324), 그리고 진공홀들(1326)은 서로 상이한 영역에 위치된다. 상부에서 바라볼 때 리프트 홀들(1322) 및 진공홀들(1326)은 각각 지지 플레이트(1320)의 상면의 중심을 감싸도록 배열된다. 각각의 리프트 홀들(1322)은 원주 방향을 따라 서로 이격되게 배열된다. 각각의 진공홀들(1326)은 원주 방향을 따라 서로 이격되게 배열된다. 진공홀들(13260)은 안착면(1320a)과 기판(W) 사이에 음압을 제공하여, 기판(W)을 진공 흡착할 수 있다. 예컨대, 리프트 홀들(1322) 및 진공홀들(1326)은 서로 조합되어 환형의 링 형상을 가지도록 배열될 수 있다. 리프트 홀들(1322)은 서로 간에 동일 간격으로 이격되게 위치되고, 진공홀들(1326)은 서로 간에 동일 간격으로 이격되게 위치될 수 있다. 삽입홀들(1324)은 리프트 홀들(1322) 및 진공홀(1326)과 다르게 배열된다. 삽입홀들(1324)은 안착면(1320a)의 전체 영역에 균등하게 배열될 수 있다.

예컨대, 리프트 홀들(1322) 및 진공홀(1326)은 각각 3 개로 제공될 수 있다. 지지 플레이트(1320)는 질화 알루미늄(AlN)을 포함하는 재질로 제공될 수 있다.

리프트 핀(1340)은 지지 플레이트(1320) 상에서 기판(W)을 승하강시킨다. 리프트 핀(1342)은 복수 개로 제공되며, 각각은 수직한 상하 방향을 향하는 핀 형상으로 제공된다. 각각의 리프트 홀(1322)에는 리프트 핀(1340)이 위치된다. 구동 부재(미도시)는 각각의 리프트 핀들(1342)을 승강 위치와 하강 위치 간에 이동시킨다. 여기서 승강 위치는 리프트 핀(1342)의 상단이 안착면(1320a)보다 높은 위치이고, 하강 위치는 리프트 핀(1342)의 상단이 안착면(1320a)과 동일하거나 이보다 낮은 위치로 정의한다. 구동 부재(미도시)는 챔버(1100)의 외부에 위치될 수 있다. 구동 부재(미도시)는 실린더일 수 있다.

지지핀(1360)은 기판(W)이 안착면(1320a)에 직접적으로 접촉되는 것을 방지한다. 지지핀(1360)은 리프트 핀(1342)과 평행한 길이 방향을 가지는 핀 형상으로 제공된다. 지지핀(1360)은 복수 개로 제공되며, 각각은 안착면(1320a)에 고정 설치된다. 지지핀들(1360)은 안착면(1320a)으로부터 위로 돌출되게 위치된다. 지지핀(1360)의 상단은 기판(W)의 저면에 직접 접촉되는 접촉면으로 제공되며, 접촉면은 위로 볼록한 형상을 가진다. 이에 따라 지지핀(1360)과 기판(W) 간의 접촉 면적을 최소화할 수 있다.

가이드(1380)는 기판(W)이 안착면(1320a)의 정 위치에 놓여지도록 기판(W)을 가이드한다. 가이드(1380)는 안착면(1320a)을 감싸는 환형의 링 형상을 가지도록 제공된다. 가이드(1380)는 기판(W)보다 큰 직경을 가진다. 가이드(1380)의 내측면은 지지 플레이트(1320)의 중심축에 가까워질수록 하향 경사진 형상을 가진다. 이에 따라 가이드(1380)의 내측면에 걸친 기판(W)은 그 경사면을 타고 정위치로 이동된다. 또한 가이드(1380)는 기판(W)과 안착면(1320a)의 사이에 유입되는 기류를 소량 방지할 수 있다.

히터 유닛(1420)은 지지 플레이트(1320)에 놓여진 기판(W)을 가열 처리한다. 히터 유닛(1420)은 지지 플레이트(1320)에 놓여진 기판(W)보다 아래에 위치된다. 히터 유닛(1420)은 복수 개의 히터들(1420)을 포함한다. 히터들(1420)은 각각 지지 플레이트(1320) 내에 위치된다. 선택적으로 히터들(1420)은 지지 플레이트(1320)의 저면에 위치될 수 있다. 각 히터들(1420)은 동일 평면 상에 위치된다. 일 예에 의하면, 각 히터들(1420)은 안착면의 서로 상이한 영역을 서로 다른 온도로 가열할 수 있다. 히터들(1420) 중 일부는 안착면(1320a)의 중앙 영역을 제1온도로 가열하고, 히터들(1420) 중 다른 일부는 안착면(1320a)의 가장자리 영역을 제2온도로 가열할 수 있다. 제2온도는 제1온도보다 높은 온도일 수 있다. 히터들(1420)은 프린팅된 패턴 또는 열선일 수 있다.

배기 유닛(1500)은 처리 공간(1110) 내부를 강제 배기한다. 배기 유닛(1500)은 배기관(1530) 및 안내판(1520)을 포함한다. 배기관(1530)는 길이 방향이 수직한 상하 방향을 향하는 관 형상을 가진다. 배기관(1530)는 상부 바디(1120)의 상벽을 관통하도록 위치된다. 일 예에 의하면, 배기관(1530)는 배기홀(1122)에 삽입되게 위치될 수 있다. 즉, 배기관(1530)의 하단은 처리 공간(1110) 내에 위치되고, 배기관(1530)의 상단은 처리 공간(1110)의 외부에 위치된다. 이에 따라 처리 공간(1110)의 분위기는 통공(1522) 및 배기관(1530)를 순차적으러 거쳐 배기된다.

안내판(1520)은 중심에 통공(1522)을 가지는 판 형상을 가진다. 안내판(1520)은 배기관(1530)의 하단으로부터 연장된 원형의 판 형상을 가진다. 안내판(1520)은 통공(1522)과 배기관(1530)의 내부가 서로 통하도록 배기관(1530)에 고정 결합된다. 안내판(1520)은 지지 플레이트(1320)의 상부에서 지지 플레이트(1320)의 지지면과 마주하게 위치된다. 안내판(1520)은 하부 바디(1140)보다 높게 위치된다. 일 예에 의하면, 안내판(1520)은 상부 바디(1120)와 마주하는 높이에 위치될 수 있다. 상부에서 바라볼 때 안내판(1520)은 유입홀(1124)과 중첩되게 위치되고, 상부 바디(1120)의 내측면과 이격되는 직경을 가진다. 이에 따라 안내판(1520)의 측단과 상부 바디(1120)의 내측면 간에는 틈이 발생되며, 이 틈은 유입홀(1124)을 통해 유입된 기류가 기판(W)으로 공급되는 흐름 경로로 제공된다.

배기 어셈블리(1800)는 챔버(1100) 내의 처리 공간(1110)에 발생된 공정 부산물을 배기한다. 예컨대, 공정 부산물은 기판(W) 상에 도포된 막으로부터 휘발된 퓸(Fume)일 수 있다. 복수의 챔버들(1100)은 서로 적층되게 위치되고, 배기 어셈블리(1800)는 이들 각각에 대한 처리 공간(1110)을 배기한다. 일 예에 의하면, 배기 어셈블리(1800)는 복수 개로 제공되며, 이 중 어느 하나는 도포 모듈(30a)에 위치된 챔버들(1100)에 연결되고, 다른 하나는 현상 모듈(30b)에 위치된 챔버들(1100)에 연결될 수 있다. 배기 어셈블리(1800)에 의해 처리 공간(1110)은 제1배기량 또는 제2배기량으로 배기된다.

도 9는 도 8의 배기 어셈블리를 보여주는 사시도이고, 도 10은 도 9의 메인 배기 덕트 및 개별 배기 덕트를 보여주는 단면도이다. 도 9 및 도 10을 참조하면, 배기 어셈블리(1800)는 메인 배기 덕트(1810), 개별 배기 덕트(1820), 감압 부재(1880), 조절 부재(1840), 구동 부재(1860), 그리고 제어기(1900)를 포함한다.

메인 배기 덕트(1810)에는 감압 부재(1880)가 설치된다. 메인 배기 덕트(1810)의 내부에는 메인 배기 통로(1812)가 형성되며, 메인 배기 통로(1812)는 감압 부재(1880)에 의해 배기된다. 메인 배기 덕트(1810)에는 복수 개의 챔버들(1100)이 연결된다. 일 예에 의하면, 복수 개의 챔버들(1100)은 서로 적층되게 위치되고, 메인 배기 덕트(1810)는 이들 챔버들(1100)의 일측에 위치된다. 메인 배기 덕트(1810)는 상하 방향을 향하는 길이 방향을 가질 수 있다. 각각의 가열 유닛(3230)에는 일정 또는 서로 다른 배기압을 제공할 수 있다. 메인 배기 덕트(1810)에는 복수의 연결홀들(1814) 및 복수의 조절홀(1816)들이 형성된다. 각각의 연결홀(1814)은 상하 방향으로 서로 이격되게 배열된다. 각각의 연결홀(1814)은 상하 방향으로 서로 이격되게 배열된다. 각각의 조절홀(1816)은 상하 방향으로 서로 이격되게 배열된다. 각각의 조절홀(1816)은 상하 방향으로 서로 이격되게 배열된다. 연결홀(1814) 및 조절홀(1816)은 서로 동일 개수로 제공된다. 연결홀(1814) 및 조절홀(1816)은 서로 동일한 높이에서 서로 마주보도록 위치된다.

개별 배기 덕트(1820)는 메인 배기 덕트(1810)와 챔버를 연결한다. 개별 배기 덕트(1820)는 복수 개로 제공되며, 각각은 연결홀(1814)에 설치된다. 각각의 개별 배기 덕트(1820)는 각 가열 유닛(3230)에 일대일 대응되게 연결한다. 이에 따라 각각의 처리 공간(1110)과 메인 배기 덕트(1810)는 개별 배기 덕트(1820)를 통해 서로 연통될 수 있다.

조절 부재(1840)는 감압 부재(1880)로부터 처리 공간(1110)에 전달되는 배기 압력을 조절한다. 즉, 처리 공간(1110)의 배기량을 조절한다. 조절 부재(1840)는 연결홀(1814)로부터 이격되어 배기량을 조절한다. 조절 부재(1840)는 복수 개로 제공되며, 각각은 연결홀(1814)에 일대일 대응되게 위치된다. 조절 부재(1840)는 차단판(1842) 및 차단 몸체(1844)를 포함한다. 차단판(1842)은 메인 배기 덕트(1810) 내에 위치된다. 차단판(1842)은 연결홀(1814)과 동일 높이에서 마주보도록 위치된다. 차단판(1842)은 연결홀(1814)과 마주하는 블럭면은 가진다. 블럭면은 연결홀(1814)에 비해 큰 면적을 가진다.

차단판(1842)은 구동 부재(1860)에 의해 제1위치 및 제2위치 간에 이동 가능하다. 도 11은 차단판(1842)이 제1위치로 이동된 도면이고, 도 12는 차단판(1842)이 제2위치로 이동된 도면이다. 여기서 제1위치와 제2위치는 차단판(1842)이 개별 배기 덕트(1820)의 단부로부터 멀어지거나 가까워지는 방향으로 이동되는 거리이다. 차단판(1842)은 제2위치보다 제1위치에서 개별 배기 덕트(1820)의 단부에 더 멀리 이격되게 위치된다. 즉, 차단판(1842)이 제1위치로 이동될 때 개별 배기 덕트(1820)에 제1배기량이 제공되고, 차단판(1842)이 제2위치로 이동될 때 개별 배기 덕트(1820)에 제2배기량이 제공되며, 제1배기량은 제2배기량보다 큰 배기량으로 제공된다.

일 예에 의하면, 차단판(1842)이 제1위치로 이동될 때 개별 배기 덕트(1820) 및 처리 공간(1110)의 배기량은 최대치를 가질 수 있다. 제2배기량은 제1배기량의 10 내지 15퍼센티지(%)로 제공될 수 있다. 차단판(1842)이 제1위치로 이동될 때 개별 배기 덕트(1820)의 배기압은 100 파스칼(pa) 이상으로 제공되며, 차단판(1842)이 제2위치로 이동될 때 개별 배기 덕트(1820)의 배기압은 15 내지 25 파스칼(pa) 일 수 있다.

차단 몸체(1844)는 차단판(1842)으로부터 연장된다. 차단 몸체(1844)는 개별 배기 덕트(1820)의 단부로부터 멀어지는 방향으로 연장되어 구동 부재(1860)에 연결된다. 차단 몸체(1844)는 차단판(1842)으로부터 메인 배기 덕트(1810)의 외측까지 연장될 수 있다.

구동 부재(1860)는 차단판(1842)이 제1위치와 제2위치로 이동되도록 구동력을 제공한다. 구동 부재(1860)는 메인 배기 덕트(1810)의 외측에서, 조절 부재(1840)를 개별 배기 덕트(1820)의 단부에 가까워지거나 멀어지는 방향으로 이동시킨다. 일 예에 의하면, 구동 부재(1860)는 실린더일 수 있다.

제어기(1900)는 챔버(1100) 내의 처리 공간(1110)에 기판(W)의 유무를 근거로 구동 부재(1860)를 제어한다. 제어기(1900)는 기판(W)의 유무에 따라 차단판(1842)이 제1위치 또는 제2위치로 이동되도록 구동 부재(1860)를 제어한다. 제어기(1900)는 처리 공간(1110)에 기판(W)이 제거된 때에는 처리 공간(1110)을 완전 배기 모드로 배기하고, 처리 공간(1110)에 기판(W)이 위치된 때에는 처리 공간(1110)을 일부 배기 모드로 배기한다. 여기서 완전 배기 모드는 차단판(1842)이 제1위치로 이동되어 처리 공간(1110)을 제1배기량으로 배기하는 모드이고, 일부 배기 모드는 차단판(1842)이 제2위치로 이동되어 처리 공간(1110)을 제2배기량으로 배기하는 모드이다.

다음은 상술한 가열 유닛(3230)을 이용하여 기판(W)을 처리하는 방법을 설명한다.

기판(W)을 처리하는 방법으로는 공정 진행 단계와 공정 대기 단계를 포함한다. 공정 진행 단계는 챔버(1100) 내에 기판(W)이 위치되어 기판(W)을 처리하는 단계이고, 공정 대기 단계는 공정 진행 단계의 전후 각각에 진행되는 단계로써, 처리 공간(1110)으로부터 기판(W)이 제거되어 공정의 진행이 대기되는 단계이다.

공정 진행 단계와 공정 대기 단계에서 배기되는 가스의 양은 각각 상이하게 제공된다. 공정 대기 단계에는 완전 배기 모드가 진행되고, 공정 진행 단계에는 일부 배기 모드가 진행될 수 있다. 일 예에 의하면, 공정 대기 단계에는 차단판(1842)은 제1위치로 이동되고, 공정 진행 단계에는 차단판(1842)이 제2위치로 이동될 수 있다. 이에 따라 공정 대기 단계에서의 가스 배기량은 공정 진행 단계에서의 가스 배기량보다 크게 제공된다.

실험 데이터에 의하면, 가스 배기량이 클수록 공정 부산물의 제거율은 높아지나, 기판(W) 상에 도포된 막은 영역에 따라 불균일하게 베이크 처리된다. 이로 인해 기판(W)의 도포막은 영역 별로 불균일한 두께를 가질 수 있다.

본 실시예는 처리 공간(1110)에 기판(W)이 위치된 때에는 일부 배기 모드를 진행하여 도포막의 두께를 영역 별로 균일하게 조절하고, 기판(W)이 제거된 때에 처리 공간(1110) 내에 잔류된 공정 부산물의 제거율을 높여 공정 부산물을 제거한다.

이에 따라 도포막의 두께를 균일하게 베이크 처리할 수 있을 뿐만 아니라, 공정 부산물의 제거율을 높일 수 있다.

다시 도 6 및 도 7을 참조하면, 반송 플레이트(3240)는 대체로 원판 형상을 제공되고, 기판(W)과 대응되는 직경을 가진다. 반송 플레이트(3240)의 가장자리에는 노치(3244)가 형성된다. 노치(3244)는 상술한 반송 로봇(3422, 3424)의 핸드(3420)에 형성된 돌기(3429)와 대응되는 형상을 가질 수 있다. 또한, 노치(3244)는 핸드(3420)에 형성된 돌기(3429)와 대응되는 수로 제공되고, 돌기(3429)와 대응되는 위치에 형성된다. 핸드(3420)와 반송 플레이트(3240)가 상하 방향으로 정렬된 위치에서 핸드(3420)와 반송 플레이트(3240)의 상하 위치가 변경하면 핸드(3420)와 반송 플레이트(3240) 간에 기판(W)의 전달이 이루어진다. 반송 플레이트(3240)는 가이드 레일(3249) 상에 장착되고, 구동기(3246)에 의해 가이드 레일(3249)을 따라 제1영역(3212)과 제2영역(3214) 간에 이동될 수 있다. 반송 플레이트(3240)에는 슬릿 형상의 가이드 홈(3242)이 복수 개 제공된다. 가이드 홈(3242)은 반송 플레이트(3240)의 끝단에서 반송 플레이트(3240)의 내부까지 연장된다. 가이드 홈(3242)은 그 길이 방향이 제2 방향(14)을 따라 제공되고, 가이드 홈(3242)들은 제1 방향(12)을 따라 서로 이격되게 위치된다. 가이드 홈(3242)은 반송 플레이트(3240)와 가열 유닛(3230) 간에 기판(W)의 인수인계가 이루어질 때 반송 플레이트(3240)와 리프트 핀(1340)이 서로 간섭되는 것을 방지한다.

기판(W)의 가열은 기판(W)이 지지 플레이트(1220) 상에 직접 놓인 상태에서 이루어지고, 기판(W)의 냉각은 기판(W)이 놓인 반송 플레이트(3240)가 냉각판(3222)에 접촉된 상태에서 이루어진다. 냉각판(3222)과 기판(W) 간에 열전달이 잘 이루어지도록 반송 플레이트(3240)은 열전달율이 높은 재질로 제공된다. 일 예에 의하면, 반송 플레이트(3240)은 금속 재질로 제공될 수 있다.

열처리 챔버들(3200) 중 일부의 열처리 챔버에 제공된 가열 유닛(3230)은 기판(W) 가열 중에 가스를 공급하여 포토레지스트의 기판(W) 부착률을 향상시킬 수 있다. 일 예에 의하면, 가스는 헥사메틸디실란(hexamethyldisilane) 가스일 수 있다.

액처리 챔버(3600)는 복수 개로 제공된다. 액처리 챔버들(3600) 중 일부는 서로 적층되도록 제공될 수 있다. 액 처리 챔버들(3600)은 반송 챔버(3402)의 일측에 배치된다. 액 처리 챔버들(3600)은 제1방향(12)을 따라 나란히 배열된다. 액 처리 챔버들(3600) 중 일부는 인덱스 모듈(20)과 인접한 위치에 제공된다. 이하, 이들 액처리 챔버를 전단 액처리 챔버(3602)(front liquid treating chamber)라 칭한다. 액 처리 챔버들(3600)은 중 다른 일부는 인터페이스 모듈(40)과 인접한 위치에 제공된다. 이하, 이들 액처리 챔버를 후단 액처리 챔버(3604)(rear heat treating chamber)라 칭한다.

전단 액처리 챔버(3602)는 기판(W)상에 제1액을 도포하고, 후단 액처리 챔버(3604)는 기판(W) 상에 제2액을 도포한다. 제1액과 제2액은 서로 상이한 종류의 액일 수 있다. 일 실시예에 의하면, 제1액은 반사 방지막이고, 제2액은 포토레지스트이다. 포토레지스트는 반사 방지막이 도포된 기판(W) 상에 도포될 수 있다. 선택적으로 제1액은 포토레지스트이고, 제2액은 반사방지막일 수 있다. 이 경우, 반사방지막은 포토레지스트가 도포된 기판(W) 상에 도포될 수 있다. 선택적으로 제1액과 제2액은 동일한 종류의 액이고, 이들은 모두 포토레지스트일 수 있다.

도 13은 도 4의 액 처리 챔버의 일 예를 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 13을 참조하면, 액 처리 챔버(3602, 3604)는 하우징(3610), 컵(3620), 지지유닛(3640), 그리고 액 공급 유닛(3660)을 가진다. 하우징(3610)은 대체로 직육면체의 형상으로 제공된다. 하우징(3610)의 측벽에는 기판(W)이 출입되는 반입구(도시되지 않음)가 형성된다. 반입구는 도어(도시되지 않음)에 의해 개폐될 수 있다. 컵(3620), 지지유닛(3640), 그리고 액 공급 유닛(3660)은 하우징(3610) 내에 제공된다. 하우징(3610)의 상벽에는 하우징(3260) 내에 하강 기류를 형성하는 팬필터유닛(3670)이 제공될 수 있다. 컵(3620)은 상부가 개방된 처리 공간을 가진다. 지지유닛(3640)은 처리 공간 내에 배치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지유닛(3640)은 액처리 도중에 기판(W)이 회전 가능하도록 제공된다. 액 공급유닛(3660)은 지지유닛(3640)에 지지된 기판(W)으로 액을 공급한다.

다시 도 3 및 도 4를 참조하면, 버퍼 챔버(3800)는 복수 개로 제공된다. 버퍼 챔버들(3800) 중 일부는 인덱스 모듈(20)과 반송 챔버(3400) 사이에 배치된다. 이하, 이들 버퍼 챔버를 전단 버퍼(3802)(front buffer)라칭한다. 전단 버퍼들(3802)은 복수 개로 제공되며, 상하 방향을 따라 서로 적층되게 위치된다. 버퍼 챔버들(3802, 3804) 중 다른 일부는 반송 챔버(3400)와 인터페이스 모듈(40) 사이에 배치된다 이하. 이들 버퍼 챔버를 후단 버퍼(3804)(rear buffer)라칭한다. 후단 버퍼들(3804)은 복수 개로 제공되며, 상하 방향을 따라 서로 적층되게 위치된다. 전단 버퍼들(3802) 및 후단 버퍼들(3804) 각각은 복수의 기판들(W)을 일시적으로 보관한다. 전단 버퍼(3802)에 보관된 기판(W)은 인덱스 로봇(2200) 및 반송 로봇(3422)에 의해 반입 또는 반출된다. 후단 버퍼(3804)에 보관된 기판(W)은 반송 로봇(3422) 및 제1로봇(4602)에 의해 반입 또는 반출된다.

현상 블럭(30b)은 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 그리고 액처리 챔버(3600)를 가진다. 현상 블럭(30b)의 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 그리고 액처리 챔버(3600)는 도포 블럭(30a)의 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 그리고 액처리 챔버(3600)와 대체로 유사한 구조 및 배치로 제공되므로, 이에 대한된다. 다만, 현상 블록(30b)에서 액처리 챔버들(3600)은 모두 동일하게 현상액을 공급하여 기판을 현상 처리하는 현상 챔버(3600)로 제공된다.

인터페이스 모듈(40)은 처리 모듈(30)을 외부의 노광 장치(50)와 연결한다. 인터페이스 모듈(40)은 인터페이스 프레임(4100), 부가 공정 챔버(4200), 인터페이스 버퍼(4400), 그리고 반송 부재(4600)를 가진다.

인터페이스 프레임(4100)의 상단에는 내부에 하강기류를 형성하는 팬필터유닛이 제공될 수 있다. 부가 공정 챔버(4200), 인터페이스 버퍼(4400), 그리고 반송 부재(4600)는 인터페이스 프레임(4100)의 내부에 배치된다. 부가 공정 챔버(4200)는 도포 블럭(30a)에서 공정이 완료된 기판(W)이 노광 장치(50)로 반입되기 전에 소정의 부가 공정을 수행할 수 있다. 선택적으로 부가 공정 챔버(4200)는 노광 장치(50)에서 공정이 완료된 기판(W)이 현상 블럭(30b)으로 반입되기 전에 소정의 부가 공정을 수행할 수 있다. 일 예에 의하면, 부가 공정은 기판(W)의 에지 영역을 노광하는 에지 노광 공정, 또는 기판(W)의 상면을 세정하는 상면 세정 공정, 또는 기판(W)의 하면을 세정하는 하면 세정공정일 수 있다. 부가 공정 챔버(4200)는 복수 개가 제공되고, 이들은 서로 적층되도록 제공될 수 있다. 부가 공정 챔버(4200)는 모두 동일한 공정을 수행하도록 제공될 수 있다. 선택적으로 부가 공정 챔버(4200)들 중 일부는 서로 다른 공정을 수행하도록 제공될 수 있다.

인터페이스 버퍼(4400)는 도포 블럭(30a), 부가 공정챔버(4200), 노광 장치(50), 그리고 현상 블럭(30b) 간에 반송되는 기판(W)이 반송도중에 일시적으로 머무르는 공간을 제공한다. 인터페이스 버퍼(4400)는 복수 개가 제공되고, 복수의 인터페이스 버퍼들(4400)은 서로 적층되게 제공될 수 있다.

일 예에 의하면, 반송 챔버(3400)의 길이 방향의 연장선을 기준으로 일 측면에는 부가 공정 챔버(4200)가 배치되고, 다른 측면에는 인터페이스 버퍼(4400)가 배치될 수 있다.

반송 부재(4600)는 도포 블럭(30a), 부가 공정챔버(4200), 노광 장치(50), 그리고 현상 블럭(30b) 간에 기판(W)을 반송한다. 반송 부재(4600)는 1개 또는 복수 개의 로봇으로 제공될 수 있다. 일 예에 의하면, 반송 부재(4600)는 제1로봇(4602) 및 제2로봇(4606)을 가진다. 제1로봇(4602)은 도포 블럭(30a), 부가 공정챔버(4200), 그리고 인터페이스 버퍼(4400) 간에 기판(W)을 반송하고, 인터페이스 로봇(4606)은 인터페이스 버퍼(4400)와 노광 장치(50) 간에 기판(W)을 반송하고, 제2로봇(4604)은 인터페이스 버퍼(4400)와 현상 블럭(30b) 간에 기판(W)을 반송하도록 제공될 수 있다.

제1로봇(4602) 및 제2로봇(4606)은 각각 기판(W)이 놓이는 핸드를 포함하며, 핸드는 전진 및 후진 이동, 제3 방향(16)에 평행한 축을 기준으로 한 회전, 그리고 제3 방향(16)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다.

인덱스 로봇(2200), 제1로봇(4602), 그리고 제2 로봇(4606)의 핸드는 모두 반송 로봇(3422, 3424)의 핸드(3420)와 동일한 형상으로 제공될 수 있다. 선택적으로 열처리 챔버의 반송 플레이트(3240)와 직접 기판(W)을 주고받는 로봇의 핸드는 반송 로봇(3422, 3424)의 핸드(3420)와 동일한 형상으로 제공되고, 나머지 로봇의 핸드는 이와 상이한 형상으로 제공될 수 있다.

일 실시예에 의하면, 인덱스 로봇(2200)은 도포 블럭(30a)에 제공된 전단 열처리 챔버(3200)의 가열 유닛(3230)과 직접 기판(W)을 주고받을 수 있도록 제공된다.

또한, 도포 블럭(30a) 및 현상 블럭(30b)에 제공된 반송 로봇(3422)은 열처리 챔버(3200)에 위치된 반송 플레이트(3240)와 직접 기판(W)을 주고받을 수 있도록 제공될 수 있다.

다음에는 상술한 기판 처리 장치(1)를 이용하여 기판을 처리하는 방법의 일 실시예에 대해 설명한다.

기판(W)에 대해 도포 처리 공정(S20), 에지 노광 공정(S40), 노광 공정(S60), 그리고 현상 처리 공정(S80)이 순차적으로 수행된다.

도포 처리 공정(S20)은 열처리 챔버(3200)에서 열처리 공정(S21), 전단 액처리 챔버(3602)에서 반사방지막 도포 공정(S22), 열처리 챔버(3200)에서 열처리 공정(S23), 후단 액처리 챔버(3604)에서 포토레지스트막 도포 공정(S24), 그리고 열처리 챔버(3200)에서 열처리 공정(S25)이 순차적으로 이루어짐으로써 수행된다.

이하, 용기(10)에서 노광 장치(50)까지 기판(W)의 반송 경로의 일 예를 설명한다.

인덱스 로봇(2200)은 기판(W)을 용기(10)에서 꺼내서 전단 버퍼(3802)로 반송한다. 반송 로봇(3422)은 전단 버퍼(3802)에 보관된 기판(W)을 전단 열처리 챔버(3200)로 반송한다. 기판(W)은 반송 플레이트(3240)에 의해 가열 유닛(3230)에 기판(W)을 반송한다. 가열 유닛(3230)에서 기판의 가열 공정이 완료되면, 반송 플레이트(3240)는 기판을 냉각 유닛(3220)으로 반송한다. 반송 플레이트(3240)는 기판(W)을 지지한 상태에서, 냉각 유닛(3220)에 접촉되어 기판(W)의 냉각 공정을 수행한다. 냉각 공정이 완료되면, 반송 플레이트(3240)가 냉각 유닛(3220)의 상부로 이동되고, 반송 로봇(3422)은 열처리 챔버(3200)에서 기판(W)을 반출하여 전단 액처리 챔버(3602)로 반송한다.

전단 액처리 챔버(3602)에서 기판(W) 상에 반사 방지막을 도포한다.

반송 로봇(3422)이 전단 액처리 챔버(3602)에서 기판(W)을 반출하여 열처리 챔버(3200)로 기판(W)을 반입한다. 열처리 챔버(3200)에는 상술한 가열 공정 및 냉각 공정 순차적으로 진행되고, 각 열처리 공정이 완료되면, 반송 로봇(3422)은 기판(W)을 반출하여 후단 액처리 챔버(3604)로 반송한다.

이후, 후단 액처리 챔버(3604)에서 기판(W) 상에 포토레지스트막을 도포한다.

반송 로봇(3422)이 후단 액처리 챔버(3604)에서 기판(W)을 반출하여 열처리 챔버(3200)으로 기판(W)을 반입한다. 열처리 챔버(3200)에는 상술한 가열 공정 및 냉각 공정이 순차적으로 진행되고, 각 열처리 공정이 완료되면, 반송 로봇(3422)은 기판(W)을 후단 버퍼(3804)로 반송한다. 인터페이스 모듈(40)의 제1로봇(4602)이 후단 버퍼(3804)에서 기판(W)을 반출하여 보조 공정챔버(4200)로 반송한다.

보조 공정챔버(4200)에서 기판(W)에 대해 에지 노광 공정이 수행된다.

이후, 제1로봇(4602)이 보조 공정챔버(4200)에서 기판(W)을 반출하여 인터페이스 버퍼(4400)로 기판(W)을 반송한다.

이후, 제2로봇(4606)은 인터페이스 버퍼(4400)에서 기판(W)을 반출하여 노광 장치(50)로 반송한다.

현상 처리 공정(S80)은 열처리 챔버(3200)에서 열처리 공정(S81), 액처리 챔버(3600)에서 현상 공정(S82), 그리고 열처리 챔버(3200)에서 열처리 공정(S83)이 순차적으로 이루어짐으로써 수행된다.

이하, 노광 장치(50)에서 용기(10)까지 기판(W)의 반송 경로의 일 예를 설명한다,

제2로봇(4606)이 노광 장치(50)에서 기판(W)을 반출하여 인터페이스 버퍼(4400)로 기판(W)을 반송한다.

이후, 제1로봇(4602)이 인터페이스 버퍼(4400)에서 기판(W)을 반출하여 후단 버퍼(3804)로 기판(W)을 반송한다. 반송 로봇(3422)은 후단 버퍼(3804)에서 기판(W)을 반출하여 열처리 챔버(3200)로 기판(W)을 반송한다. 열처리 챔버(3200)에는 기판(W)의 가열 공정 및 냉각 공정이 순차적으로 수행한다. 냉각 공정이 완료되면, 기판(W)은 반송 로봇(3422)에 의해 현상 챔버(3600)로 반송한다.

현상 챔버(3600)에는 기판(W) 상에 현상액을 공급하여 현상 공정을 수행한다.

기판(W)은 반송 로봇(3422)에 의해 현상 챔버(3600)에서 반출되어 열처리 챔버(3200)로 반입된다. 기판(W)은 열처리 챔버(3200)에서 가열 공정 및 냉각 공정이 순차적으로 수행된다. 냉각 공정이 완료되면, 기판(W)은 반송 로봇(3422)에 의해 열처리 챔버(3200)에서 기판(W)을 반출되어 전단 버퍼(3802)로 반송한다.

이후, 인덱스 로봇(2200)이 전단 버퍼(3802)에서 기판(W)을 꺼내어 용기(10)로 반송한다.

상술한 기판 처리 장치(1)의 처리 블럭은 도포 처리 공정과 현상 처리 공정을 수행하는 것으로 설명하였다. 그러나 이와 달리 기판 처리 장치(1)는 인터페이스 모듈 없이 인덱스 모듈(20)과 처리 블럭(37)만을 구비할 수 있다. 이 경우, 처리 블럭(37)은 도포 처리 공정만을 수행하고, 기판(W) 상에 도포되는 막은 스핀 온 하드마스크막(SOH)일 수 있다.

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 상술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.

1800: 배기 어셈블리 1810: 메인 배기 덕트
1820: 개별 배기 덕트 1840: 조절 부재
1842: 차단판 1860: 구동 부재
1880: 감압 부재 1900: 제어기

Claims

기판을 처리하는 장치에 있어서,
기판을 처리하는 처리 공간을 가지는 처리 유닛과;
상기 처리 공간을 배기하도록 상기 처리 유닛에 연결되며, 단부가 개방된 개별 배기 덕트와;
상기 개별 배기 덕트의 단부로부터 거리 조절이 가능하도록 제공되어, 상기 개별 배기 덕트를 통해 배기되는 가스의 양을 조절하는 차단판과;
상기 차단판의 위치를 제어하는 제어기를 포함하되,
상기 기판의 처리는,
상기 처리 공간 내에서 상기 기판을 처리하는 공정 진행 단계와;
상기 처리 공간 내에서 상기 기판을 제거하여 공정을 대기하는 공정 대기 단계를 포함하고,
상기 공정 대기 단계는 상기 공정 진행 단계 전후에 수행되며,
상기 제어기는,
상기 공정 대기 단계에서 상기 차단판이 제1위치에 놓이는 완전 배기 모드로 상기 처리 공간을 배기하고,
상기 공정 진행 단계에서 상기 차단판이 제2위치에 놓이는 일부 배기 모드로 상기 처리 공간을 배기하도록 상기 차단판을 제어하며,
상기 제1위치는 상기 제2위치에 비해 상기 차단판이 상기 개별 배기 덕트의 단부로부터 멀리 이격된 위치로 제공되는 기판 처리 장치.
제1항에 있어서,
상기 제1위치는 상기 차단판이 상기 개별 배기 덕트를 완전히 개방하는 위치인 기판 처리 장치.
제1항에 있어서,
상기 일부 배기 모드에서 상기 개별 배기 덕트의 배기량은 상기 완전 배기 모드에서 상기 개별 배기 덕트의 배기량의 10 내지 15 퍼센티지(%)로 제공되는 기판 처리 장치.
제3항에 있어서,
상기 일부 배기 모드에서 상기 개별 배기 덕트의 배기압은 15 내지 25 파스칼(pa)로 제공되는 기판 처리 장치.
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 장치는,
상기 차단판을 상기 제1위치와 상기 제2위치 간에 이동되도록 구동시키는 구동 부재를 더 포함하되,
상기 구동 부재는 실린더를 포함하는 기판 처리 장치.
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 처리 유닛과 상기 개별 배기 덕트는 복수 개로 제공되고,
상기 처리 유닛들 각각에는 상기 개별 배기 덕트가 각각 연결되되,
상기 장치는,
상기 개별 배기 덕트들 각각이 연결되는 메인 배기 덕트와;
상기 메인 배기 덕트를 감압하는 감압 부재를 더 포함하는 기판 처리 장치.
기판을 처리하는 장치에 있어서,
내부에 처리 공간을 가지며 상기 처리 공간에서 기판을 처리하는 복수의 처리유닛과;
내부에 메인 배기통로가 형성된 메인 배기 덕트와;
상기 메인 배기통로와 연결된 개별 배기 통로를 가지며, 상기 메인 배기 덕트에 상기 복수의 처리유닛을 각각 연결하는 개별 배기 덕트와;
상기 메인 배기통로 측의 상기 개별 배기 통로의 단부로부터 일정 거리 이격되는 제1위치와 상기 단부를 일부 차단하는 제2위치 사이에 이동되어 상기 개별 배기 통로를 통해 배기되는 가스의 량을 조절하는 차단판과;
상기 차단판의 위치를 제어하는 제어기를 포함하고,
상기 기판의 처리는,
상기 처리 공간 내에서 상기 기판을 처리하는 공정 진행 단계와;
상기 처리 공간 내에서 상기 기판을 제거하여 공정을 대기하는 공정 대기 단계를 포함하고,
상기 공정 대기 단계는 상기 공정 진행 단계 전후에 수행되며,
상기 제어기는,
상기 공정 대기 단계에서 상기 차단판이 제1위치에 놓이는 완전 배기 모드로 상기 처리 공간을 배기하고,
상기 공정 진행 단계에서 상기 차단판이 제2위치에 놓이는 일부 배기 모드로 상기 처리 공간을 배기하도록 상기 차단판을 제어하는 기판 처리 장치.
제7항에 있어서,
상기 제1위치는 상기 차단판이 상기 개별 배기 덕트를 완전히 개방하는 위치인 기판 처리 장치.
제7항에 있어서,
상기 차단판은 상기 제1위치에서 상기 개별 배기 통로를 제1배기량으로 조절하고, 상기 제2위치에서 상기 개별 배기 통로를 제2배기량으로 조절하되,
상기 제2배기량은 상기 제1배기량의 10 내지 15퍼센티지(%)로 제공되는 기판 처리 장치.
제9항에 있어서,
상기 차단판이 제2위치에 놓일 때 상기 개별 배기 덕트의 배기압은 15 내지 25 파스칼(pa)로 제공되는 기판 처리 장치.
기판을 처리하는 방법에 있어서,
처리 공간 내에 위치된 상기 기판을 처리하는 공정 진행 단계와;
상기 공정 진행 단계 전후에, 상기 처리 공간으로부터 기판이 제거된 상태에서 공정의 진행이 대기되는 공정 대기 단계를 포함하되,
상기 공정 대기 단계에서의 가스 배기량을 상기 공정 진행 단계에서의 가스 배기량보다 크게 조절하는 기판 처리 방법.
제11항에 있어서,
상기 공정 대기 단계에는 상기 처리 공간에 연결된 개별 배기 덕트를 완전 개방하고, 상기 공정 진행 단계에는 상기 처리 공간에 연결된 개별 배기 덕트를 일부 개방하는 기판 처리 방법.
제12항에 있어서,
상기 공정 진행 단계의 가스 배기량은 상기 공정 대기 단계의 가스 배기량의 10 내지 15 퍼센티지(%)로 제공되는 기판 처리 방법.
제13항에 있어서,
상기 공정 진행 단계의 가스 배기압은 15 내지 25 파스칼(pa)로 제공되는 기판 처리 방법.