KR102570523B1 - 기판 처리 장치 - Google Patents

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KR102570523B1
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엄기상
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강종화
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세메스 주식회사
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Abstract

본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 기판 처리 장치는, 내부 공간을 가지는 챔버; 상기 내부 공간에서 기판을 지지하는 지지 유닛; 상기 지지 유닛에 지지된 상기 기판으로 가스를 공급하는 가스 공급관; 상기 내부 공간으로부터 상기 가스를 배기하는 가스 배기관; 및 상기 가스 공급관, 그리고 가스 배기관과 연결되며 상기 챔버의 상부에 제공되는 가스 블록을 포함할 수 있다.

Description

기판 처리 장치{APPRATUS FOR TREATING SUBSTRATE}
본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것이다.
반도체 소자를 제조하기 위해서는 세정, 증착, 사진, 식각, 그리고 이온주입 등과 같은 다양한 공정이 수행된다. 이러한 공정들 중 기판 상에 막을 형성하는 공정으로 증착 및 도포 공정이 사용된다. 일반적으로 증착 공정은 공정 가스를 기판 상에 증착하여 막을 형성하는 공정이고, 도포 공정은 처리액을 기판 상에 도포하여 액막을 형성하는 공정이다.
웨이퍼 등의 기판 상에 막을 형성하기 전후에는 기판을 베이크 처리하는 베이크 공정이 진행된다. 베이크 공정은 밀폐된 공간에서 기판을 공정 온도 또는 그 이상으로 가열 처리하는 과정이다. 기판 상에 막을 형성한 이후에 수행되는 베이크 공정은 기판 상에 도포된 포토레지스트 막 등을 가열하고 휘발시켜 막 두께를 설정 두께로 조절한다. 일반적으로, 베이크 공정에서는 기판 상에 가스를 공급한다. 가스는 기판 상에 도포된 포토레지스트 막을 효과적으로 휘발시킨다. 또한, 가스는 베이크 공정을 수행하는 챔버 내 흄(Fume)을 챔버 밖으로 배기시킨다. 기판 상의 막 두께를 정밀하게 제어하기 위해서는, 기판 상에 가스가 균일하게 공급되고, 기판 상에 공급된 가스가 균일하게 배기되어야 한다. 기판 상에 가스가 균일하게 공급되지 않거나, 가스가 균일하게 배기되지 않는 경우, 기판 상의 막 두께는 정밀하게 제어되지 않는다. 기판 상의 막 두께가 기판의 영역마다 상이한 경우, 제조되는 반도체 소자에는 불량이 발생될 수 있다.
본 발명은 기판 상에 도포된 막을 균일하게 조절할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 가열 공정시, 기판 상에 가스를 균일하게 공급할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 가열 공정시, 기판 상에 공급된 가스를 균일하게 배기할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 기판에 대한 가열 공정을 수행하는 가열 유닛이 차지하는 면적이 증가되는 것을 최소화 할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
본 발명의 목적은 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 기판 처리 장치는, 내부 공간을 가지는 챔버; 상기 내부 공간에서 기판을 지지하는 지지 유닛; 상기 지지 유닛에 지지된 상기 기판으로 가스를 공급하는 가스 공급관; 상기 내부 공간으로부터 상기 가스를 배기하는 가스 배기관; 및 상기 가스 공급관, 그리고 가스 배기관과 연결되며 상기 챔버의 상부에 제공되는 가스 블록을 포함할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 가스 블록에는, 상기 가스 공급관으로부터 공급되는 상기 가스의 공급 경로를 제공하는 공급 공간; 및 상기 가스 배기관에 의해 배기되는 상기 가스의 배기 경로를 제공하는 배기 공간이 형성될 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 가스 블록은, 상부에서 바라볼 때, 상기 공급 공간이 상기 내부 공간의 중앙 영역과 중첩되도록 배치될 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 배기 공간은, 상부에서 바라볼 때, 상기 공급 공간을 둘러싸도록 형성될 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 가스 배기관, 그리고 상기 가스 공급관 중 적어도 하나는, 상기 가스 블록의 측부에 연결될 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 배기 공간은, 제1영역, 그리고 상기 제1영역보다 상기 가스 배기관이 상기 배기 공간에 연결된 위치와 먼 영역인 제2영역을 포함하고, 상기 가스 블록에는, 상기 제1영역과 상기 제2영역을 유체 연통시키는 배기 채널이 형성될 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 배기 채널은, 상부에서 바라볼 때, 상기 공급 공간과 적어도 일부가 중첩되는 위치에 형성될 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 배기 공간의 상단은, 상기 공급 공간의 상단 보다 높도록 형성되고, 상기 배기 채널은, 정면에서 바라볼 때, 상기 공급 공간보다 상부에 형성될 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 배기 채널은, 제1배기 채널; 및 상부에서 바라볼 때, 상기 제1배기 채널과 교차하여 형성되는 제2배기 채널을 포함할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상부에서 바라볼 때, 상기 제1배기 채널과 상기 제2배기 채널이 이루는 교차각은, 70도~ 110도일 수 있다.
또한, 본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 기판 처리 장치는, 내부 공간을 가지는 챔버; 상기 내부 공간에서 기판을 지지하고, 상기 기판의 온도를 조절하는 지지 유닛; 및 상기 내부 공간으로 가스를 공급하거나, 상기 내부 공간으로부터 상기 가스를 배기하는 가스 유닛을 포함하고, 상기 가스 유닛은, 상기 챔버의 상부에 제공되며, 상기 가스의 공급 경로를 제공하는 공급 공간, 그리고 상기 가스의 배기 경로를 제공하는 배기 공간을 가지는 가스 블록; 상기 공급 공간과 연결되는 가스 공급관; 및 상기 배기 공간과 연결되는 가스 배기관을 포함할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 가스 공급관, 그리고 상기 가스 배기관 중 적어도 하나는, 상기 가스 블록의 측부에 연결될 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 공급 공간은, 상부에서 바라볼 때, 상기 가스 블록의 중앙 영역에 형성되고, 상기 배기 공간은, 상부에서 바라볼 때, 상기 공급 공간을 감싸도록 상기 가스 블록의 가장자리 영역에 형성될 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 배기 공간은, 제1영역, 그리고 상기 제1영역 보다 상기 가스 배기관이 상기 배기 공간에 연결된 위치와 먼 영역인 제2영역을 포함하고, 상기 가스 블록에는, 상기 제1영역과 상기 제2영역을 유체 연통시키는 배기 채널이 형성될 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 배기 채널은, 제1배기 채널; 및 상부에서 바라볼 때, 상기 제1배기 채널과 교차하여 형성되는 제2배기 채널을 포함할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 제1배기 채널, 그리고 상기 제2배기 채널의 교차점은, 상기 가스 배기관을 연장한 가상의 직선 상에 배치되고, 상기 제1배기 채널, 그리고 상기 제2배기 채널이 이루는 교차각은, 70도 ~ 90도일 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 배기 채널은, 상부에서 바라볼 때, 상기 공급 공간과 적어도 일부가 중첩되는 위치에 형성되고, 정면에서 바라볼 때, 상기 공급 공간보다 상부에 형성될 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 챔버는, 상부가 개방된 하우징; 상기 하우징보다 위쪽에 배치되며, 상기 하우징과 서로 조합되어 상기 내부 공간을 정의하는 커버; 및 상기 하우징, 그리고 상기 커버 사이에 갭(Gap)을 형성하는 갭 블록을 포함할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 챔버는, 상부가 개방된 하우징; 및 상기 하우징보다 위쪽에 배치되며, 상기 하우징과 서로 조합되어 상기 내부 공간을 정의하고, 상기 배기 공간과 유체 연통하는 배기 경로가 형성된 커버를 포함하고, 상기 가스 유닛은, 상기 커버에 설치되고, 상기 공급 공간으로부터 공급되는 상기 가스와 마주하도록 배치되는 배플을 포함할 수 있다.
또한, 본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 기판 처리 장치는, 기판을 처리하는 장치에 있어서, 내부 공간을 가지는 챔버; 상기 내부 공간에서 기판을 지지하고, 상기 기판을 가열하는 지지 유닛; 및 상기 내부 공간으로 가스를 공급하거나, 또는 상기 내부 공간으로부터 상기 가스를 배기하는 가스 유닛을 포함하고, 상기 챔버는, 상부가 개방된 하우징; 및 상기 하우징보다 위쪽에 배치되며, 배기 경로를 정의하는 커버을 포함하고, 상기 가스 유닛은, 상기 챔버의 상부에 제공되며, 상기 가스의 공급 경로를 제공하는 공급 공간, 그리고 상기 가스의 배기 경로를 제공하는 배기 공간을 가지는 가스 블록; 상기 공급 공간과 연결되는 가스 공급관; 상기 배기 공간과 연결되는 가스 배기관; 및 상기 커버에 설치되고, 상기 공급 공간으로부터 공급되는 상기 가스와 마주하도록 배치되는 배플을 포함하고, 상기 배기 공간은, 제1영역, 그리고 상기 제1영역 보다 상기 가스 배기관이 상기 배기 공간에 연결된 위치와 먼 영역인 제2영역을 포함하고, 상기 가스 블록에는, 상기 제1영역과 상기 제2영역을 유체 연통시키는 배기 채널이 형성되고, 상기 배기 채널은, 제1배기 채널; 및 상부에서 바라볼 때, 상기 제1배기 채널과 교차하여 형성되는 제2배기 채널을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판 상에 도포된 막을 균일하게 조절할 수 있다.
또한, 또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 가열 공정시, 기판 상에 가스를 균일하게 공급할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 가열 공정시, 기판 상에 공급된 가스를 균일하게 배기할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판에 대한 가열 공정을 수행하는 가열 유닛이 차지하는 면적이 증가되는 것을 최소화 할 수 있다.
본 발명의 효과는 상기한 효과로 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 상세한 설명 또는 특허청구범위에 기재된 발명의 구성으로부터 추론 가능한 모든 효과를 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 사시도이다.
도 2는 도 1의 도포 블럭 또는 현상 블럭을 보여주는 기판 처리 장치의 단면도이다.
도 3은 도 1의 기판 처리 장치의 평면도이다.
도 4는 도 3의 반송 로봇의 핸드의 일 예를 보여주는 도면이다.
도 5는 도 3의 열처리 챔버의 일 예를 개략적으로 보여주는 평면도이다.
도 6은 도 5의 열처리 챔버의 정면도이다.
도 7은 도 6의 가열 유닛에 제공되는 기판 처리 장치를 보여주는 도면이다.
도 8은 도 7의 하우징 및 갭 블록을 보여주는 도면이다.
도 9는 도 7의 가스 블록을 A-A' 단면에서 바라본 도면이다.
도 10은 도 7의 기판 처리 장치가 기판을 처리하는 모습을 보여주는 도면이다.
도 11은 도 7의 가스 블록에서 가스가 흐르는 모습을 보여주는 도면이다.
도 12는 도 7의 가스 블록에 배기 채널이 형성되지 않는 비교 실시 예를 보여주는 도면이다.
이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장된 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 사시도이고, 도 2는 도 1의 도포 블럭 또는 현상 블럭을 보여주는 기판 처리 장치의 단면도이고, 도 3은 도 1의 기판 처리 장치의 평면도이다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 기판 처리 장치(1)는 인덱스 모듈(20,index module), 처리 모듈(30, treating module), 그리고 인터페이스 모듈(40, interface module)을 포함한다. 일 실시예에 의하며, 인덱스 모듈(20), 처리 모듈(30), 그리고 인터페이스 모듈(40)은 순차적으로 일렬로 배치된다. 이하, 인덱스 모듈(20), 처리 모듈(30), 그리고 인터페이스 모듈(40)이 배열된 방향을 제1 방향(12)이라 하고, 상부에서 바라볼 때 제1 방향(12)과 수직한 방향을 제2 방향(14)이라 하고, 제1 방향(12) 및 제2 방향(14)에 모두 수직한 방향을 제3 방향(16)이라 한다.
인덱스 모듈(20)은 기판(W)이 수납된 용기(10)로부터 기판(W)을 처리 모듈(30)로 반송하고, 처리가 완료된 기판(W)을 용기(10)로 수납한다. 인덱스 모듈(20)의 길이 방향은 제2 방향(14)으로 제공된다. 인덱스 모듈(20)은 로드포트(22)와 인덱스 프레임(24)을 가진다. 인덱스 프레임(24)을 기준으로 로드포트(22)는 처리 모듈(30)의 반대 측에 위치된다. 기판(W)들이 수납된 용기(10)는 로드포트(22)에 놓인다. 로드포트(22)는 복수 개가 제공될 수 있으며, 복수의 로드포트(22)는 제2 방향(14)을 따라 배치될 수 있다.
용기(10)로는 전면 개방 일체 식 포드(Front Open Unified Pod:FOUP)와 같은 밀폐용 용기(10)가 사용될 수 있다. 용기(10)는 오버헤드 트랜스퍼(Overhead Transfer), 오버헤드 컨베이어(Overhead Conveyor), 또는 자동 안내 차량(Automatic GuidedVehicle)과 같은 이송 수단(도시되지 않음)이나 작업자에 의해 로드포트(22)에 놓일 수 있다.
인덱스 프레임(24)의 내부에는 인덱스 로봇(2200)이 제공된다. 인덱스 프레임(24) 내에는 길이 방향이 제2 방향(14)으로 제공된 가이드 레일(2300)이 제공되고, 인덱스 로봇(2200)은 가이드 레일(2300) 상에서 이동 가능하게 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(2200)은 기판(W)이 놓이는 핸드(2220)를 포함하며, 핸드(2220)는 전진 및 후진 이동, 제3 방향(16)을 축으로 한 회전, 그리고 제3 방향(16)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다.
처리 모듈(30)은 기판(W)에 대해 도포 공정 및 현상 공정을 수행한다. 처리 모듈(30)은 도포 블럭(30a) 및 현상 블럭(30b)을 가진다. 도포 블럭(30a)은 기판(W)에 대해 도포 공정을 수행하고, 현상 블럭(30b)은 기판(W)에 대해 현상 공정을 수행한다. 도포 블럭(30a)은 복수 개가 제공되며, 이들은 서로 적층되게 제공된다. 현상 블럭(30b)은 복수 개가 제공되며, 현상 블럭들(30b)은 서로 적층되게 제공된다. 도 1의 실시예에 의하면, 도포 블럭(30a)은 2개가 제공되고, 현상 블럭(30b)은 2개가 제공된다. 도포 블럭들(30a)은 현상 블럭들(30b)의 아래에 배치될 수 있다. 일 예에 의하면, 2개의 도포 블럭들(30a)은 서로 동일한 공정을 수행하며, 서로 동일한 구조로 제공될 수 있다. 또한, 2개의 현상 블럭들(30b)은 서로 동일한 공정을 수행하며, 서로 동일한 구조로 제공될 수 있다.
도 3을 참조하면, 도포 블럭(30a)은 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 액 처리 챔버(3600), 그리고 버퍼 챔버(3800)를 가진다. 열처리 챔버(3200)는 기판(W)에 대해 열처리 공정을 수행한다. 열처리 공정은 냉각 공정 및 가열 공정을 포함할 수 있다. 액처리 챔버(3600)는 기판(W) 상에 액을 공급하여 액막을 형성한다. 액막은 포토레지스트막 또는 반사방지막일 수 있다. 반송 챔버(3400)는 도포 블럭(30a) 내에서 열처리 챔버(3200)와 액처리 챔버(3600) 간에 기판(W)을 반송한다.
반송 챔버(3400)는 그 길이 방향이 제1 방향(12)과 평행하게 제공된다. 반송 챔버(3400)에는 반송 로봇(3422)이 제공된다. 반송 로봇(3422)은 열처리 챔버(3200), 액처리 챔버(3600), 그리고 버퍼 챔버(3800) 간에 기판을 반송한다. 일 예에 의하면, 반송 로봇(3420)은 기판(W)이 놓이는 핸드(3422)를 가지며, 핸드(3422)는 전진 및 후진 이동, 제3 방향(16)을 축으로 한 회전, 그리고 제3 방향(16)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다. 반송 챔버(3400) 내에는 그 길이 방향이 제1 방향(12)과 평행하게 제공되는 가이드 레일(3300)이 제공되고, 반송 로봇(3422)은 가이드 레일(3300) 상에서 이동 가능하게 제공될 수 있다.
도 4는 도 1의 반송 로봇의 핸드의 일 예를 보여주는 도면이다. 도 7을 참조하면, 핸드(3422)는 베이스(3428) 및 지지 돌기(3429)를 가진다. 베이스(3428)는 원주의 일부가 절곡된 환형의 링 형상을 가질 수 있다. 베이스(3428)는 기판(W)의 직경보다 큰 내경을 가진다. 지지 돌기(3429)는 베이스(3428)로부터 그 내측으로 연장된다. 지지 돌기(3429)는 복수 개가 제공되며, 기판(W)의 가장자리 영역을 지지한다. 일 예에 의하며, 지지 돌기(3429)는 등 간격으로 4개가 제공될 수 있다.
열처리 챔버(3200)는 복수 개로 제공된다. 열처리 챔버들(3200)은 제1방향(12)을 따라 나열되게 배치된다. 열처리 챔버들(3200)은 반송 챔버(3400)의 일측에 위치된다.
도 5는 도 3의 열처리 챔버의 일 예를 개략적으로 보여주는 평면도이고, 도 6은 도 5의 열처리 챔버의 정면도이다. 도 5 및 도 6을 참조하면, 열처리 챔버(3200)는 하우징(3210), 냉각 유닛(3220), 가열 유닛(4000), 그리고 반송 플레이트(3240)를 가진다.
하우징(3210)은 대체로 직육면체의 형상으로 제공된다. 하우징(3210)의 측벽에는 기판(W)이 출입되는 반입구(도시되지 않음)가 형성된다. 반입구는 개방된 상태로 유지될 수 있다. 선택적으로 반입구를 개폐하도록 도어(도시되지 않음)가 제공될 수 있다. 냉각 유닛(3220), 가열 유닛(4000), 그리고 반송 플레이트(3240)는 하우징(3210) 내에 제공된다. 냉각 유닛(3220) 및 가열 유닛(4000)은 제2 방향(14)을 따라 나란히 제공된다. 일 예에 의하면, 냉각 유닛(3220)은 가열 유닛(4000)에 비해 반송 챔버(3400)에 더 가깝게 위치될 수 있다.
냉각 유닛(3220)은 냉각판(3222)을 가진다. 냉각판(3222)은 상부에서 바라볼 때 대체로 원형의 형상을 가질 수 있다. 냉각판(3222)에는 냉각부재(3224)가 제공된다. 일 예에 의하면, 냉각부재(3224)는 냉각판(3222)의 내부에 형성되며, 냉각 유체가 흐르는 유로로 제공될 수 있다.
가열 유닛(4000)은 기판을 상온보다 높은 온도로 가열하는 장치로 제공된다. 가열 유닛(4000)은 상압 또는 이보다 낮은 감압 분위기에서 기판(W)을 가열 처리한다. 가열 유닛(4000)은 기판(W)에 대하여 베이크 공정을 수행할 수 있다. 가열 유닛(4000)에는 기판(W)에 대하여 베이크 공정을 수행하는 기판 처리 장치(3300)가 제공될 수 있다.
도 7은 도 6의 가열 유닛에 제공되는 기판 처리 장치를 보여주는 도면이다. 도 7을 참조하면, 가열 유닛(4000)은, 챔버(4100), 지지 유닛(4300), 가스 유닛(4500), 그리고 승강 유닛(4600)을 포함할 수 있다. 가열 유닛(4000)은 베이크 공정을 수행한다. 베이크 공정은 기판(W) 상에 도포된 막, 예컨대 포토레지스트 막을 안정화 시킬 수 있다. 또한, 베이크 공정은 기판(W) 상에 도포된 막의 두께를 설정 두께로 조절할 수 있다.
챔버(4100)는 내부에 기판(W)이 처리되는 내부 공간(4102)을 가질 수 있다. 챔버(4100)는 하우징(4110), 커버(4120), 그리고 갭 블록(4130)을 포함할 수 있다. 하우징(4110)와 커버(4120)는 서로 조합되어 내부 공간(41020)을 정의할 수 있다. 하우징(4110)는 상부가 개방된 통 형상을 가질 수 있다. 하우징(4110)은 상부가 개방된 원통 형상을 가질 수 있다. 하우징(4110)의 하부, 중앙 영역에는 개구(4112)가 형성될 수 있다. 개구(4112)에는 지지 유닛(4300)을 구동하는데 필요한 다양한 인터페이스 라인들이 통과할 수 있다. 예컨대, 후술하는 히터 전원(4332)과 히터(4330)를 서로 연결하는 전원 라인, 또는 구동 전원(4377)과 구동기(4375)를 서로 연결하는 전원 라인이 통과할 수 있다.
커버(4120)는 하우징(4110)의 상부를 덮을 수 있다. 커버(4120)는 승강 유닛(4600)에 의해 상하 방향으로 이동가능하게 제공될 수 있다. 커버(4120)는 승강 유닛(4600)에 의해 상하 방향으로 이동되고, 하우징(4110)과 서로 조합되어 내부 공간을 정의할 수 있다.
커버(4120)는 외벽, 그리고 내벽을 포함할 수 있다. 커버(4120)의 외벽, 그리고 외벽 사이 공간은 후술하는 가스 유닛(4500)이 공급하는 가스가 배기되는 배기 경로(4122)를 형성할 수 있다. 배기 경로(4122)는 배기 홀(4124)을 매개로 내부 공간(4102)과 유체 연통할 수 있다. 또한, 배기 경로(4122)는 후술하는 가스 블록(4530)의 배기 공간(4533)과 유체 연통할 수 있다. 또한, 배기 홀(4124)은 상부에서 바라본, 내부 공간(4102)의 가장자리 영역에 배치되도록 형성될 수 있다. 배기 홀(4124)은 복수 개가 형성될 수 있다. 배기 홀(4124)은 복수 개가 서로 이격되어 형성될 수 있다. 커버(4120)는 상부에서 바라볼 때, 원 형상을 가질 수 있다. 배기 홀(4124)들은 상부에서 바라본, 커버(4120)의 가장자리 영역을 따라 형성될 수 있다. 배기 홀(4124)들은 원주 방향을 따라 서로 이격되어 형성될 수 있다. 또한, 커버(4120)의 내벽에는, 후술하는 가스 블록(4530)의 공급 공간(4531)과 직접 유체 연통되는 공급 개구(4121)이 형성될 수 있다. 또한, 커버(4120)의 외벽에는, 후술하는 가스 블록(4530)의 배기 공간(4533)과 직접 유체 연통되는 배기 개구가 형성될 수 있다.
또한, 하우징(4110)과 커버(4120) 사이에는 갭(G, Gap)이 형성될 수 있다. 예컨대, 도 8에 도시된 바와 같이, 하우징(4110)에는 홈이 형성되고, 홈에는 갭 블록(4130)이 끼워질 수 있다. 갭 블록(4130)은 복수 개가 제공되고, 하우징(4110)에 형성된 홈은 갭 블록(4130)에 대응하는 수로 형성될 수 있다. 갭 블록(4130)의 상단은, 커버(4120)와 서로 접촉될 수 있다. 갭 블록(4130)에 의해, 하우징(4110), 그리고 커버(4120) 사이에는 갭(Gap)이 형성될 수 있다.
다시 도 7을 참조하면, 지지 유닛(4300)은 기판(W)을 지지할 수 있다. 지지 유닛(4300)은 내부 공간(4102)에서 기판(W)을 지지할 수 있다. 지지 유닛(4300)은 기판(W)의 온도를 조절할 수 있다. 예컨대, 지지 유닛(4300)은 기판(W)을 가열할 수 있다.
지지 유닛(4300)은 가열 플레이트(4310), 히터(4330), 지지 핀(4350), 그리고 리프트 핀 모듈(4370)을 포함할 수 있다. 가열 플레이트(4310)는 판 형상을 가질 수 있다. 가열 플레이트(4310)는 열 전도율이 높은 소재로 제공될 수 있다. 가열 플레이트(4310) 는 금속을 포함하는 소재로 제공될 수 있다. 가열 플레이트(4310)는 후술하는 히터(4330)로부터 열을 전달 받아 히터(4330)가 발생시키는 열을 기판으로 전달할 수 있다. 가열 플레이트(4310)는 하우징의 바닥면으로부터 이격되도록 설치될 수 있다. 가열 플레이트(4310)는 지지 부재(4312)에 의해 지지될 수 있다. 지지 부재(4312)는 막대 형상을 가질 수 있다. 지지 부재(4312)는 복수 개가 제공될 수 있다. 지지 부재(4312)는 복수 개가 제공되어 가열 플레이트(4310)의 하면을 하우징의 바닥면과 이격시킬 수 있다.
히터(4330)는 가열 플레이트(4310)를 가열할 수 있다. 히터(4330)는 가열 플레이트(4310)의 하면에 제공될 수 있다. 히터(4330)는 가열 플레이트(4310)의 하면이 패턴 형식으로 제공될 수 있다. 히터(4330)는 히터 전원(4332)으로부터 전력을 전달받아 열을 발생시킬 수 있다. 히터(4330)가 발생시키는 열은 가열 플레이트(4310)로 전달될 수 있다. 가열 플레이트(4310)에 전달된 열은 기판으로 전달될 수 있다. 상술한 예에서는 히터(4330)가 가열 플레이트(4310)의 하면에 패턴 형식으로 부착되는 것을 예로 들어 설명하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 히터(4330)는 가열 플레이트(4310)의 내부에 매설될 수 있다. 예컨대, 히터(4330)는 코일 형태로 제공될 수 도 있다.
지지 핀(4350)은 기판(W)의 하면을 지지할 수 있다. 지지 핀(4350)은 가열 공정시 기판(W)의 하면과 가열 플레이트(4310)의 상면을 일정 거리 이격시킬 수 있다. 지지 핀(4350)은 복수 개가 제공될 수 있다. 지지 핀(4350)은 가열 플레이트(4310)의 상부에 설치될 수 있다. 지지 핀(4350)의 상단 높이는 고정될 수 있다.
리프트 핀 모듈(4370)은 기판을 상하 방향으로 이동시킬 수 있다. 리프트 핀 모듈(4370)은 기판(W)을 지지 유닛(4300)에 로딩, 또는 언로딩 시킬 수 있다. 리프트 핀 모듈(4370)은 리프트 핀(4371), 승강 플레이트(4373), 그리고 구동기(4375)를 포함할 수 있다. 리프트 핀은 승강 플레이트에 고정 설치될 수 있다. 리프트 핀(4371)은 가열 플레이트(4310)에 형성되는 리프트 핀 홀에 삽입될 수 있다. 승강 플레이트(4373)는 실린더, 모터 등일 수 있는 구동기(4375)로부터 구동력을 전달 받아 상하 방향으로 이동될 수 있다. 구동기(4375)는 구동 전원(4377)으로부터 전력을 전달받아 구동력을 발생시킬 수 있다.
가스 유닛(4500)은 내부 공간(4102)으로 가스를 공급할 수 있다. 가스는 외기일 수 있다. 가스 유닛(4500)이 공급하는 가스는 청정 에어일 수 있다. 가스 유닛(4500)이 공급하는 가스는 온도와 습도가 조절된 가스일 수 있다. 가스 유닛(4500)은 내부 공간(4102)에 하강 기류를 형성할 수 있다. 또한, 가스 유닛(4500)은 내부 공간(4102)에 공급된 가스를 배기할 수 있다. 가스 유닛(4500)은 내부 공간(4102)으로 공급되는 가스를 배기하여, 내부 공간(4102)에서 발생될 수 있는 흄(Fume)과 같은 공정 부산물을 외부로 배출할 수 있다.
가스 유닛(4500)은, 제1배플(4512), 제2배플(4514), 가스 블록(4530), 가스 공급관(4550), 그리고 가스 배기관(4570)을 포함할 수 있다.
제1배플(4512), 그리고 제2배플(4514)은 통칭하여 배플 유닛으로 불릴 수도 있다. 제1배플(4512)에는 제1홀(4513)이 복수 개가 형성될 수 있다. 제2배플(4514)에는 제2홀(4515)이 복수 개가 형성될 수 있다. 제1배플(4512), 그리고 제2배플(4514)은 커버(4120)의 내벽에 설치될 수 있다. 제1배플(4512), 그리고 제2배플(4514)은 가스 공급관(4550)에 의해 공급되는 가스가 공급 개구(4521)를 거쳐 내부 공간(4102)으로 유입시, 내부 공간(4102)으로 유입되는 가스와 서로 마주할 수 있다. 제1배플(4512), 그리고 제2배플(4514) 각각에 형성된 제1홀(4514), 그리고 제2홀(4515)들은 상부에서 바라볼 때 서로 중첩되지 않도록 형성될 수 있다. 이에, 공급 개구(4521)를 거쳐 내부 공간(4102)으로 유입되는 가스는, 제1배플(4512), 그리고 제2배플(4514)에 의해 분산될 수 있다. 분산된 가스는 내부 공간(4102)에서 지지되는 기판(W)으로 균일하게 공급될 수 있다.
도 9는 도 7의 가스 블록을 A-A' 단면에서 바라본 도면이다. 도 7 및 도 9를 참조하면, 가스 블록(4530)은 챔버(4100)의 상부에 제공될 수 있다. 가스 블록(4530)은 챔버(4100)의 상부 중앙 영역에 제공될 수 있다. 가스 블록(4530)은 커버(4120)의 상부 중앙 영역에 삽입되어 제공될 수 있다. 이와 달리, 가스 블록(4530)은 커버(4120)와 일체로 제공될 수도 있다. 가스 블록(4530)에는, 가스 공급관(4550) 및 가스 배기관(4570)과 연결될 수 있다. 가스 공급관(4550)은 가스 공급 라인(4552)과 연결될 수 있다. 가스 배기관(4570)은 가스 배기 라인(4572)과 연결될 수 있다. 가스 공급관(4550)과 가스 배기관(4570)은 가스 블록(4530)의 측 부에 연결될 수 있다. 이는, 가스 공급관(4550) 및/또는 가스 배기관(4570)이 가스 블록(4530)의 상부와 연결되는 경우, 가열 유닛(4000)이 차지하는 면적을 매우 증가시킬 수 있기 때문이다. 본 발명의 실시 예에 의하면, 가스 공급관(4550) 및/또는 가스 배기관(4570)이 가스 블록(4530)의 측부와 연결되어, 이와 같은 면적 증가를 최소화 할 수 있다.
가스 블록(4530)에는, 공급 공간(4531), 배기 공간(4533), 그리고 배기 채널(4535)이 형성될 수 있다. 공급 공간(4531)은 가스 공급관(4550)으로부터 공급되는 가스의 공급 경로를 제공할 수 있다. 공급 공간(4531)은 상술한 공급 개구(4121)와 직접 연통될 수 있다. 공급 공간(4531)은 가스 공급관(4550)이 가지는 유로와 직접 연통될 수 있다. 공급 공간(4531)은 상부에서 바라볼 때, 가스 블록(4530)의 중앙 영역에 형성될 수 있다. 공급 공간(4531)은 가스 블록(4530)의 하단으로부터 아래에서 위를 향하는 방향으로 만입되어 형성될 수 있다. 공급 공간(4531)은 상부에서 바라볼 때, 내부 공간(41020의 중앙 영역과 중첩될 수 있다.
배기 공간(4533)은 상부에서 바라볼 때, 공급 공간(4531)을 둘러싸도록 형성될 수 있다. 배기 공간(4533)은 상술한 배기 경로(4122)와 직접 연통되는 공간일 수 있다. 배기 공간(4533)의 상단은 공급 공간(4531)의 상단보다 높게 형성될 수 있다. 배기 공간(4533)의 하단은 공급 공간(4531)의 하단보다 높게 형성될 수 있다. 배기 공간(4533)은 가스 배기관(4570)에 의해 배기되는 가스의 배기 경로를 제공할 수 있다.
배기 공간(4533)은 제1영역(4533a)과 제2영역(4533b)을 포함할 수 있다. 제1영역(4533a)과 제2영역(4533b)은 배기 공간(4533)의 일부 영역일 수 있다. 제1영역(4533a)은, 제2영역(4533b)보다 가스 배기관(4570)과 인접할 수 있다. 상부에서 바라볼 때, 제1영역(4533a)은 가스 배기관(4570)과 인접한 배기 공간(4533)의 영역으로 정의될 수 있고, 제2영역(4533b)은 가스 배기관(4570)과 상대적으로 먼 배기 공간(4533)의 영역으로 정의될 수 있다.
배기 채널(4533)은 제1영역(4533a)과, 제2영역(4533b) 사이를 유체 연통시킬 수 있다. 배기 채널(4533)은 제1영역(4533a)과, 제2영역(4533b) 사이에 직선 유체 경로를 제공할 수 있다. 배기 채널(4533)은 가스 블록(4530)의 측부를 드릴을 이용하여 가공하는 드릴 가공 형식으로 형성될 수 있다. 드릴 가공 형식에 의해 형성되는 구멍은 밀폐 부재(4536)로 폐쇄될 수 있다.
배기 채널(4533)은 상부에서 바라볼 때, 공급 공간(4531)과 적어도 일부가 중첩되는 위치에 형성될 수 있다. 배기 채널(4533)은 가스 블록(4530)의 정단면에서 바라볼 때, 공급 공간(4531)보다 상부에 형성될 수 있다.
또한, 배기 채널(4533)은 복수로 형성될 수 있다. 예컨대, 배기 채널(4533)은 제1배기 채널(4533a)과, 제2배기 채널(4533b)을 포함할 수 있다. 제1배기 채널(4533a)과, 제2배기 채널(4533b)은 서로 교차하여 형성될 수 있다. 상부에서 바라볼 때, 제1배기 채널(4533a)과, 제2배기 채널(4533b)이 이루는 교차각(CA)은, 바람직하게는 약 70 도 내지 약 90 도 일 수 있다. 아래는, 시뮬레이션을 통해 교차각(CA)의 변화에 따라, 배기 공간(4533)에 흐르는 가스의 유속 평균의 특이 값, 3 시그마 법을 통해 검출한 표이다.
교차각 50도 70도 90도
3 σ 0.00564 0.00403 0.00395
배기되는 가스가 균일한 속도로 배기되기 위해서, 교차각(CA)은 약 70도 ~ 90도 일 수 있다. 보다 바람직하게는, 교차각(CA)은 90도 일 수 있다. 또한, 제1배기 채널(4533a)과, 제2배기 채널(4533b)의 가상의 교차점(CP)은 상부에서 바라볼 때, 가스 배기관(4570)의 중심을 연장한 가상의 직선(VL) 상에 배치될 수 있다.도 10은 도 7의 기판 처리 장치가 기판을 처리하는 모습을 보여주는 도면이다. 도 10을 참조하면, 가스 공급관(4550)이 공급하는 가스는, 가스 공급관(4550), 공급 공간(4531), 공급 개구(4121), 제1홀(4512), 그리고 제2홀(4515)을 거쳐 기판(W)으로 공급될 수 있다. 가스 공급관(4550)이 공급하는 가스는, 제1배플(4512)과 제2배플(4514)에 의해 균일하게 확산되어 기판(W)으로 공급될 수 있다.
가스 배기관(4570)에 의해서, 내부 공간(4102)의 가스가 배기되는 경로는, 내부 공간(4102), 배기 홀(4124), 배기 경로(4122), 배기 공간(4533), 그리고 배기 관(4570)을 거쳐 내부 공간(4102)으로부터 배기될 수 있다. 배기 공간(4533) 중 제1영역(4533a)으로 유입되는 가스는, 가스 배기관(4570)으로 곧바로 유입될 수 있다. 배기 공간(4533) 중 제2영역(4533b)으로 유입되는 가스는, 도 11에 도시된 바와 같이 배기 채널(4535), 그리고 제1영역(4533a)을 거쳐 가스 배기관(4570)으로 유입될 수 있다.
가스 공급관(4550) 및 가스 배기관(4570)을 가스 블록(4530)의 측부에 연결하는 경우, 가스의 공급 및 배기가 균일하게 이루어지지 못할 수 있다. 이러한 문제를 해결하기 위해 가스 공급관(4550) 및 가스 배기관(4570)을 가스 블록(4530)의 상부에 연결하는 방안도 고려할 수 있으나, 이는 가열 유닛(4000)이 가지는 면적을 증가시키기 때문에 바람직하지 못하다. 이에, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 가스 공급관(4550) 및 가스 배기관(4570)을 가스 블록(4530)의 측부에 연결하여 가열 유닛(4000)이 차지하는 면적 증가(구체적으로는, 상하 면적)를 최소화하되, 가스 공급을 균일하게 하기 위해서 제1배플(4512) 및 제2배플(4514)을 배치한다.
또한, 가스 배기를 균일하게 하기 위해, 가스 블록(4530)에 배기 채널(4533)을 형성한다. 구체적으로, 도 12에 도시된 바와 같이 가스 블록(4530)에 배기 채널(4533)이 형성되지 않은 경우, 가스 배기관(4570)과 인접한 A1 영역에서의 가스 배기 속도가, 가스 배기관(4570)과 먼 A2 영역에서의 가스 배기 속도가 서로 상이하다. 구체적으로, A1 영역에서의 가스 배기 속도가 더 빠르다. 이 경우, 내부 공간(4102)에 공급된 가스는 균일하게 배기되지 않을 수 있다. 그러나, 도 11에 도시된 본 발명의 실시 예와 같이, 배기 채널(4533)을 형성하는 경우, 제1영역(4533a)과 제2영역(4533b) 사이에서 배기 속도 차이가 발생하는 것을 완화 할 수 있다.
다시 도 4 및 도 5를 참조하면, 액처리 챔버(3600)는 복수 개로 제공된다. 액처리 챔버들(3600) 중 일부는 서로 적층되도록 제공될 수 있다. 액 처리 챔버들(3600)은 반송 챔버(3402)의 일측에 배치된다. 액 처리 챔버들(3600)은 제1방향(12)을 따라 나란히 배열된다. 액 처리 챔버들(3600) 중 일부는 인덱스 모듈(20)과 인접한 위치에 제공된다. 이하, 이들 액처리 챔버를 전단 액처리 챔버(3602)(front liquid treating chamber)라 칭한다. 액 처리 챔버들(3600)은 중 다른 일부는 인터페이스 모듈(40)과 인접한 위치에 제공된다. 이하, 이들 액처리 챔버를 후단 액처리 챔버(3604)(rear heat treating chamber)라 칭한다.
전단 액처리 챔버(3602)는 기판(W)상에 제1액을 도포하고, 후단 액처리 챔버(3604)는 기판(W) 상에 제2액을 도포한다. 제1액과 제2액은 서로 상이한 종류의 액일 수 있다. 일 실시예에 의하면, 제1액은 반사 방지막이고, 제2액은 포토레지스트이다. 포토레지스트는 반사 방지막이 도포된 기판(W) 상에 도포될 수 있다. 선택적으로 제1액은 포토레지스트이고, 제2액은 반사방지막일 수 있다. 이 경우, 반사방지막은 포토레지스트가 도포된 기판(W) 상에 도포될 수 있다. 선택적으로 제1액과 제2액은 동일한 종류의 액이고, 이들은 모두 포토레지스트일 수 있다.
버퍼 챔버(3800)는 복수 개로 제공된다. 버퍼 챔버들(3800) 중 일부는 인덱스 모듈(20)과 반송 챔버(3400) 사이에 배치된다. 이하, 이들 버퍼 챔버를 전단 버퍼(3802)(front buffer)라칭한다. 전단 버퍼들(3802)은 복수 개로 제공되며, 상하 방향을 따라 서로 적층되게 위치된다. 버퍼 챔버들(3802, 3804) 중 다른 일부는 반송 챔버(3400)와 인터페이스 모듈(40) 사이에 배치된다 이하. 이들 버퍼 챔버를 후단 버퍼(3804)(rear buffer)라칭한다. 후단 버퍼들(3804)은 복수 개로 제공되며, 상하 방향을 따라 서로 적층되게 위치된다. 전단 버퍼들(3802) 및 후단 버퍼들(3804) 각각은 복수의 기판들(W)을 일시적으로 보관한다. 전단 버퍼(3802)에 보관된 기판(W)은 인덱스 로봇(2200) 및 반송 로봇(3422)에 의해 반입 또는 반출된다. 후단 버퍼(3804)에 보관된 기판(W)은 반송 로봇(3422) 및 제1로봇(4602)에 의해 반입 또는 반출된다.
현상 블럭(30b)은 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 그리고 액처리 챔버(3600)를 가진다. 현상 블럭(30b)의 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 그리고 액처리 챔버(3600)는 도포 블럭(30a)의 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 그리고 액처리 챔버(3600)와 대체로 유사한 구조 및 배치로 제공되므로, 이에 대한 설명은 생략한다. 다만, 현상 블록(30b)에서 액처리 챔버들(3600)은 모두 동일하게 현상액을 공급하여 기판을 현상 처리하는 현상 챔버(3600)로 제공된다.
인터페이스 모듈(40)은 처리 모듈(30)을 외부의 노광 장치(50)와 연결한다. 인터페이스 모듈(40)은 인터페이스 프레임(4100), 부가 공정 챔버(4200), 인터페이스 버퍼(4400), 그리고 반송 부재(4600)를 가진다.
인터페이스 프레임(4100)의 상단에는 내부에 하강기류를 형성하는 팬필터유닛이 제공될 수 있다. 부가 공정 챔버(4200), 인터페이스 버퍼(4400), 그리고 반송 부재(4600)는 인터페이스 프레임(4100)의 내부에 배치된다. 부가 공정 챔버(4200)는 도포 블럭(30a)에서 공정이 완료된 기판(W)이 노광 장치(50)로 반입되기 전에 소정의 부가 공정을 수행할 수 있다. 선택적으로 부가 공정 챔버(4200)는 노광 장치(50)에서 공정이 완료된 기판(W)이 현상 블럭(30b)으로 반입되기 전에 소정의 부가 공정을 수행할 수 있다. 일 예에 의하면, 부가 공정은 기판(W)의 에지 영역을 노광하는 에지 노광 공정, 또는 기판(W)의 상면을 세정하는 상면 세정 공정, 또는 기판(W)의 하면을 세정하는 하면 세정공정일 수 있다. 부가 공정 챔버(4200)는 복수 개가 제공되고, 이들은 서로 적층되도록 제공될 수 있다. 부가 공정 챔버(4200)는 모두 동일한 공정을 수행하도록 제공될 수 있다. 선택적으로 부가 공정 챔버(4200)들 중 일부는 서로 다른 공정을 수행하도록 제공될 수 있다.
인터페이스 버퍼(4400)는 도포 블럭(30a), 부가 공정챔버(4200), 노광 장치(50), 그리고 현상 블럭(30b) 간에 반송되는 기판(W)이 반송도중에 일시적으로 머무르는 공간을 제공한다. 인터페이스 버퍼(4400)는 복수 개가 제공되고, 복수의 인터페이스 버퍼들(4400)은 서로 적층되게 제공될 수 있다.
일 예에 의하면, 반송 챔버(3400)의 길이 방향의 연장선을 기준으로 일 측면에는 부가 공정 챔버(4200)가 배치되고, 다른 측면에는 인터페이스 버퍼(4400)가 배치될 수 있다.
반송 부재(4600)는 도포 블럭(30a), 부가 공정챔버(4200), 노광 장치(50), 그리고 현상 블럭(30b) 간에 기판(W)을 반송한다. 반송 부재(4600)는 1개 또는 복수 개의 로봇으로 제공될 수 있다. 일 예에 의하면, 반송 부재(4600)는 제1로봇(4602) 및 제2로봇(4606)을 가진다. 제1로봇(4602)은 도포 블럭(30a), 부가 공정챔버(4200), 그리고 인터페이스 버퍼(4400) 간에 기판(W)을 반송하고, 인터페이스 로봇(4606)은 인터페이스 버퍼(4400)와 노광 장치(50) 간에 기판(W)을 반송하고, 제2로봇(4604)은 인터페이스 버퍼(4400)와 현상 블럭(30b) 간에 기판(W)을 반송하도록 제공될 수 있다.
제1로봇(4602) 및 제2로봇(4606)은 각각 기판(W)이 놓이는 핸드를 포함하며, 핸드는 전진 및 후진 이동, 제3 방향(16)에 평행한 축을 기준으로 한 회전, 그리고 제3 방향(16)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다.
인덱스 로봇(2200), 제1로봇(4602), 그리고 제2 로봇(4606)의 핸드는 모두 반송 로봇(3422, 3424)의 핸드(3420)와 동일한 형상으로 제공될 수 있다. 선택적으로 열처리 챔버의 반송 플레이트(3240)와 직접 기판(W)을 주고받는 로봇의 핸드는 반송 로봇(3422, 3424)의 핸드(3420)와 동일한 형상으로 제공되고, 나머지 로봇의 핸드는 이와 상이한 형상으로 제공될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 인덱스 로봇(2200)은 도포 블럭(30a)에 제공된 전단 열처리 챔버(3200)의 가열 유닛(4000)과 직접 기판(W)을 주고받을 수 있도록 제공된다.
또한, 도포 블럭(30a) 및 현상 블럭(30b)에 제공된 반송 로봇(3422)은 열처리 챔버(3200)에 위치된 반송 플레이트(3240)와 직접 기판(W)을 주고받을 수 있도록 제공될 수 있다.
상술한 예에서는, 가스 블록(4530)이 하나의 몸체로 제공 및 가공되는 원 바디인 것을 예로 들어 설명하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 가스 블록(4530)은 공급 공간(4531)을 형성하는 제1바디 및 제1바디와 서로 조합되어 배기 공간(4533)을 형성하는 제2바디를 로 구성될 수도 있다.
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 상술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
기판 처리 장치 : 4000
챔버 : 4100
내부 공간 : 4102
하우징 : 4110
개구 : 4112
커버 : 4120
공급 개구 : 4121
배기 경로 : 4122
배기 홀 : 4124
갭 블록 : 4130
갭 : G
지지 유닛 : 4300
가열 플레이트 : 4310
지지 부재 : 4312
히터 : 4330
히터 전원 : 4332
지지 핀 : 4350
리프트 핀 모듈 : 4370
리프트 핀 : 4371
승강 플레이트 : 4373
구동기 : 4375
구동 전원 : 4377
가스 유닛 : 4500
제1배플 : 4512
제1홀 : 4513
제2배플 : 4514
제2홀 : 4515
가스 블록 : 4530
공급 공간 : 4531
배기 공간 : 4533
제1영역 : 4533a
제2영역 : 4533b
배기 채널 : 4535
제1배기 채널 : 4535a
제2배기 채널 : 4535b
가스 공급관 : 4550
가스 배기관 : 4570

Claims (20)

  1. 기판을 처리하는 장치에 있어서,
    내부 공간을 가지는 챔버;
    상기 내부 공간에서 기판을 지지하는 지지 유닛;
    상기 지지 유닛에 지지된 상기 기판으로 가스를 공급하는 가스 공급관;
    상기 내부 공간으로부터 상기 가스를 배기하는 가스 배기관; 및
    상기 가스 공급관, 그리고 가스 배기관과 연결되며 상기 챔버의 상부에 제공되는 가스 블록을 포함하고
    상기 챔버는,
    상부가 개방된 하우징;
    상기 하우징보다 위쪽에 배치되며, 상기 하우징과 서로 조합되어 상기 내부 공간을 정의하는 커버; 및
    상기 하우징, 그리고 상기 커버 사이에 갭(Gap)을 형성하는 갭 블록을 포함하는,
    기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 가스 블록에는,
    상기 가스 공급관으로부터 공급되는 상기 가스의 공급 경로를 제공하는 공급 공간; 및
    상기 가스 배기관에 의해 배기되는 상기 가스의 배기 경로를 제공하는 배기 공간이 형성되는, 기판 처리 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 가스 블록은,
    상부에서 바라볼 때, 상기 공급 공간이 상기 내부 공간의 중앙 영역과 중첩되도록 배치되는, 기판 처리 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 배기 공간은,
    상부에서 바라볼 때, 상기 공급 공간을 둘러싸도록 형성되는, 기판 처리 장치.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 가스 배기관, 그리고 상기 가스 공급관 중 적어도 하나는,
    상기 가스 블록의 측부에 연결되는, 기판 처리 장치.
  6. 기판을 처리하는 장치에 있어서,
    내부 공간을 가지는 챔버;
    상기 내부 공간에서 기판을 지지하는 지지 유닛;
    상기 지지 유닛에 지지된 상기 기판으로 가스를 공급하는 가스 공급관;
    상기 내부 공간으로부터 상기 가스를 배기하는 가스 배기관; 및
    상기 가스 공급관, 그리고 가스 배기관과 연결되며 상기 챔버의 상부에 제공되는 가스 블록을 포함하고,
    상기 가스 블록에는,
    상기 가스 공급관으로부터 공급되는 상기 가스의 공급 경로를 제공하는 공급 공간; 및
    상기 가스 배기관에 의해 배기되는 상기 가스의 배기 경로를 제공하는 배기 공간이 형성되고,
    상기 배기 공간은,
    제1영역, 그리고 상기 제1영역보다 상기 가스 배기관이 상기 배기 공간에 연결된 위치와 먼 영역인 제2영역을 포함하고,
    상기 가스 블록에는,
    상기 제1영역과 상기 제2영역을 유체 연통시키는 배기 채널이 형성되는, 기판 처리 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 배기 채널은,
    상부에서 바라볼 때, 상기 공급 공간과 적어도 일부가 중첩되는 위치에 형성되는, 기판 처리 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 배기 공간의 상단은, 상기 공급 공간의 상단 보다 높도록 형성되고,
    상기 배기 채널은,
    정면에서 바라볼 때, 상기 공급 공간보다 상부에 형성되는, 기판 처리 장치.
  9. 제6항에 있어서,
    상기 배기 채널은,
    제1배기 채널; 및
    상부에서 바라볼 때, 상기 제1배기 채널과 교차하여 형성되는 제2배기 채널을 포함하는, 기판 처리 장치.
  10. 제9항에 있어서,
    상부에서 바라볼 때, 상기 제1배기 채널과 상기 제2배기 채널이 이루는 교차각은, 70도~ 110도인, 기판 처리 장치.
  11. 기판을 처리하는 장치에 있어서,
    내부 공간을 가지는 챔버;
    상기 내부 공간에서 기판을 지지하고, 상기 기판의 온도를 조절하는 지지 유닛; 및
    상기 내부 공간으로 가스를 공급하거나, 상기 내부 공간으로부터 상기 가스를 배기하는 가스 유닛을 포함하고,
    상기 가스 유닛은,
    상기 챔버의 상부에 제공되며, 상기 가스의 공급 경로를 제공하는 공급 공간, 그리고 상기 가스의 배기 경로를 제공하는 배기 공간을 가지는 가스 블록;
    상기 공급 공간과 연결되는 가스 공급관; 및
    상기 배기 공간과 연결되는 가스 배기관을 포함하고
    상기 챔버는,
    상부가 개방된 하우징;
    상기 하우징보다 위쪽에 배치되며, 상기 하우징과 서로 조합되어 상기 내부 공간을 정의하는 커버; 및
    상기 하우징, 그리고 상기 커버 사이에 갭(Gap)을 형성하는 갭 블록을 포함하는,
    기판 처리 장치.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 가스 공급관, 그리고 상기 가스 배기관 중 적어도 하나는,
    상기 가스 블록의 측부에 연결되는, 기판 처리 장치.
  13. 제11항 또는 제12항에 있어서,
    상기 공급 공간은,
    상부에서 바라볼 때, 상기 가스 블록의 중앙 영역에 형성되고,
    상기 배기 공간은,
    상부에서 바라볼 때, 상기 공급 공간을 감싸도록 상기 가스 블록의 가장자리 영역에 형성되는, 기판 처리 장치.
  14. 기판을 처리하는 장치에 있어서,
    내부 공간을 가지는 챔버;
    상기 내부 공간에서 기판을 지지하고, 상기 기판의 온도를 조절하는 지지 유닛; 및
    상기 내부 공간으로 가스를 공급하거나, 상기 내부 공간으로부터 상기 가스를 배기하는 가스 유닛을 포함하고,
    상기 가스 유닛은,
    상기 챔버의 상부에 제공되며, 상기 가스의 공급 경로를 제공하는 공급 공간, 그리고 상기 가스의 배기 경로를 제공하는 배기 공간을 가지는 가스 블록;
    상기 공급 공간과 연결되는 가스 공급관; 및
    상기 배기 공간과 연결되는 가스 배기관을 포함하고,
    상기 공급 공간은,
    상부에서 바라볼 때, 상기 가스 블록의 중앙 영역에 형성되고,
    상기 배기 공간은,
    상부에서 바라볼 때, 상기 공급 공간을 감싸도록 상기 가스 블록의 가장자리 영역에 형성되고,
    상기 배기 공간은,
    제1영역, 그리고 상기 제1영역 보다 상기 가스 배기관이 상기 배기 공간에 연결된 위치와 먼 영역인 제2영역을 포함하고,
    상기 가스 블록에는,
    상기 제1영역과 상기 제2영역을 유체 연통시키는 배기 채널이 형성되는, 기판 처리 장치.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 배기 채널은,
    제1배기 채널; 및
    상부에서 바라볼 때, 상기 제1배기 채널과 교차하여 형성되는 제2배기 채널을 포함하는, 기판 처리 장치.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 제1배기 채널, 그리고 상기 제2배기 채널의 교차점은,
    상기 가스 배기관을 연장한 가상의 직선 상에 배치되고,
    상기 제1배기 채널, 그리고 상기 제2배기 채널이 이루는 교차각은,
    70도 ~ 90도인, 기판 처리 장치.
  17. 제14항에 있어서,
    상기 배기 채널은,
    상부에서 바라볼 때, 상기 공급 공간과 적어도 일부가 중첩되는 위치에 형성되고,
    정면에서 바라볼 때, 상기 공급 공간보다 상부에 형성되는, 기판 처리 장치.
  18. 삭제
  19. 제11항 또는 제12항에 있어서,
    상기 챔버는,
    상부가 개방된 하우징; 및
    상기 하우징보다 위쪽에 배치되며, 상기 하우징과 서로 조합되어 상기 내부 공간을 정의하고, 상기 배기 공간과 유체 연통하는 배기 경로가 형성된 커버를 포함하고,
    상기 가스 유닛은,
    상기 커버에 설치되고, 상기 공급 공간으로부터 공급되는 상기 가스와 마주하도록 배치되는 배플을 포함하는, 기판 처리 장치.
  20. 기판을 처리하는 장치에 있어서,
    내부 공간을 가지는 챔버;
    상기 내부 공간에서 기판을 지지하고, 상기 기판을 가열하는 지지 유닛; 및
    상기 내부 공간으로 가스를 공급하거나, 또는 상기 내부 공간으로부터 상기 가스를 배기하는 가스 유닛을 포함하고,
    상기 챔버는,
    상부가 개방된 하우징; 및
    상기 하우징보다 위쪽에 배치되며, 배기 경로를 정의하는 커버을 포함하고,
    상기 가스 유닛은,
    상기 챔버의 상부에 제공되며, 상기 가스의 공급 경로를 제공하는 공급 공간, 그리고 상기 가스의 배기 경로를 제공하는 배기 공간을 가지는 가스 블록;
    상기 공급 공간과 연결되는 가스 공급관;
    상기 배기 공간과 연결되는 가스 배기관; 및
    상기 커버에 설치되고, 상기 공급 공간으로부터 공급되는 상기 가스와 마주하도록 배치되는 배플을 포함하고,
    상기 배기 공간은,
    제1영역, 그리고 상기 제1영역 보다 상기 가스 배기관이 상기 배기 공간에 연결된 위치와 먼 영역인 제2영역을 포함하고,
    상기 가스 블록에는,
    상기 제1영역과 상기 제2영역을 유체 연통시키는 배기 채널이 형성되고,
    상기 배기 채널은,
    제1배기 채널; 및
    상부에서 바라볼 때, 상기 제1배기 채널과 교차하여 형성되는 제2배기 채널을 포함하는, 기판 처리 장치.
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006091127A (ja) * 2004-09-21 2006-04-06 Shibaura Mechatronics Corp 真空装置、基板貼り合わせ装置、及び基板貼り合わせ方法
JP4666912B2 (ja) * 2001-08-06 2011-04-06 エー・エス・エムジニテックコリア株式会社 プラズマで補強した原子層蒸着装置及びこれを利用した薄膜形成方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3989221B2 (ja) 2001-10-25 2007-10-10 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置および熱処理方法
JP2008016768A (ja) 2006-07-10 2008-01-24 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 熱処理装置
JP2008016765A (ja) 2006-07-10 2008-01-24 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 熱処理装置
JP5107318B2 (ja) 2009-08-24 2012-12-26 東京エレクトロン株式会社 加熱処理装置
KR102366180B1 (ko) * 2017-07-04 2022-02-22 세메스 주식회사 기판 처리 장치
KR102455643B1 (ko) * 2018-01-26 2022-10-19 주식회사 케이씨텍 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4666912B2 (ja) * 2001-08-06 2011-04-06 エー・エス・エムジニテックコリア株式会社 プラズマで補強した原子層蒸着装置及びこれを利用した薄膜形成方法
JP2006091127A (ja) * 2004-09-21 2006-04-06 Shibaura Mechatronics Corp 真空装置、基板貼り合わせ装置、及び基板貼り合わせ方法

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