JP2021072449A - 基板処理装置及び方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】基板表面の疎水化程度を調節することができる装置及び方法を提供する。【解決手段】本発明は基板をガス処理する装置及び方法を提供する。基板を処理する装置は基板を処理する処理空間を提供するチャンバー、前記処理空間で基板を支持する基板支持ユニット、前記基板支持ユニットに支持された基板上に疎水化ガスを供給するガス供給ユニット、そして前記基板支持ユニット及び前記ガス供給ユニットを制御する制御器を含み、前記基板支持ユニットは基板が置かれる支持プレートと前記支持プレートから基板を持ち上げるか、或いは前記支持プレートに基板を下ろすピンアセンブリを含み、前記制御器は前記ピンアセンブリを調節して基板の表面の疎水化程度を制御する。【選択図】図９

Description

本発明は基板を処理する装置及び方法に関り、より詳しくは基板をガス処理する装置及び方法に係る。
半導体素子を製造するためには洗浄、蒸着、写真、蝕刻、そしてイオン注入等のような多様な工程が遂行される。このような工程の中で内部に処理空間を有するチャンバーで進行される。
この中で、写真工程は基板上に塗布膜を形成する塗布工程を含み、このような塗布膜は形成する前には基板の表面を改質する作業が遂行されなければならない。表面改質作業は基板の表面を塗布膜と類似又は同一な性質に改質する作業である。表面改質作業は基板の表面に処理ガスを供給する作業を含む。例えば、塗布膜は疎水性性質を有し、処理ガスは疎水化ガスを含むことができる。
疎水化ガスは基板の表面を疎水化させ、このような疎水化程度は塗布膜の付着力と厚さ等塗布膜を形成させる重要要因として提供される。したがって、塗布膜の性質及び種類に応じて、工程に応じて、そして環境に応じて疎水化程度は異なりに適用されることができる。
しかし、疎水化ガスは疎水性液に気化して生成するガスとして、流量調節が難しい。例えば、疎水化ガスは疎水性液に気化ガスを供給して疎水化ガスを形成することができる。疎水化ガスの流量を調節するためにバルブ等の調節部材を設置する場合には気化ガスの供給等に影響を与えることができる。
これによって、基板表面の疎水化程度を異なりに適用しようとする場合には互いに異なる環境を有する装置で基板の疎水化工程を遂行しなければならない。
韓国特許公開第１０−２０１８−００２１２６３号公報
本発明の目的は基板表面の疎水化程度を調節することができる装置及び方法を提供することにある。
また、本発明の目的は同一装置内で基板表面の疎水化程度を異なりに適用することができる装置及び方法を提供することにある。
本発明の実施形態は基板を液処理する装置及び方法を提供する。
基板を処理する装置は基板を処理する処理空間を提供するチャンバー、前記処理空間で基板を支持する基板支持ユニット、前記基板支持ユニットに支持された基板上に疎水化ガスを供給するガス供給ユニット、そして前記基板支持ユニット及び前記ガス供給ユニットを制御する制御器を含み、前記基板支持ユニットは基板が置かれる支持プレートと前記支持プレートから基板を持ち上げるか、或いは前記支持プレートに基板を下ろすピンアセンブリを含み、前記制御器は前記ピンアセンブリを調節して基板の表面の疎水化程度を制御する。
前記制御器は第１基板の表面が第１疎水性を有するように前記第１基板を第１高さに移動させ、第２基板の表面が第２疎水性を有するように前記第２基板を第２高さに移動させ、前記第１疎水性は前記第２疎水性より疎水化程度が大きく提供され、前記第１高さは前記第２高さに比べて前記ガス供給ユニットにさらに近く位置される高さに提供されることができる。前記ガス供給ユニットは前記処理空間内に疎水化ガスを供給し、前記支持プレートの上部に位置されるガス供給管を含み、上部から見る時、前記ガス供給管の吐出端は前記支持プレートと重畳されるように位置され、前記第１高さは前記第２高さに比べて前記吐出端にさらに近く位置される高さに提供されることができる。前記制御器は前記ガス供給管から吐出される流量が一定するように前記ガス供給ユニットを制御することができる。
前記第１高さは前記第１基板が前記支持プレートから離隔された高さであり、前記第２高さは前記第２基板が前記支持プレートに安着された高さに提供されることができる。
前記第１高さは前記第１基板が前記支持プレートから離隔された高さであり、前記第２高さは前記第２基板が前記支持プレートから離隔された高さに提供されることができる。
また基板を処理する方法は第１基板に疎水化ガスを供給して前記第１基板の表面が第１疎水性を有するように疎水化処理する第１処理段階と第２基板に疎水化ガスを供給して前記第２基板の表面が第２疎水性を有するように疎水化処理する第２処理段階を含み、前記第１疎水性と前記第２疎水性は疎水化程度が互いに異なり、前記第１処理段階で疎水化ガスが吐出される吐出端と前記第１基板との間第１距離は前記第２処理段階で疎水化ガスが吐出される吐出端と前記第２基板との間の第２距離と異なる。
前記第１疎水性は前記第２疎水性に比べて大きい疎水化程度を有し、前記第１距離は前記第２距離より小さく提供されることができる。前記第１処理段階で使用される疎水化ガスと前記第２処理段階で使用される疎水化ガスは同一なガスである。前記第１処理段階と前記第２処理段階は同一チャンバーで遂行されることができる。
疎水化ガスが吐出される吐出端は前記第１基板と前記第２基板を支持する支持プレートに対向し、上部から見る時、前記支持プレートに重畳されるように位置されることができる。前記吐出端は前記第１基板と前記第２基板各々の中心に対向するように位置されることができる。
前記第１処理段階と前記第２処理段階各々で前記疎水化ガスが吐出される吐出流量は同様に提供されることができる。
前記疎水化ガスはヘキサメチルジシラン（ｈｅｘａｍｅｔｈｙｌｄｉｓｉｌａｎｅ、ＨＭＤＳ）ガスを含むことができる。
また基板を処理する方法は前記基板に疎水化ガスを供給して前記基板の表面を疎水化処理し、前記基板の位置を調節して前記表面の疎水化程度を調節する。
前記基板の位置を調節することは前記疎水化ガスが吐出される吐出位置と前記基板との間の距離を調節することを含むことができる。
前記吐出位置は前記基板の上部に位置され、前記基板を第１高さに移動させて前記表面が第１疎水性を有するか、前記基板を第２高さに移動させて前記表面が第２疎水性を有するように前記疎水化程度を調節し、前記第１高さは前記第２高さより高い位置であり、前記第１疎水性は前記第２疎水性に比べて前記疎水化程度が大きいことができる。
前記疎水化ガスの吐出流量を一定に提供されることができる。前記疎水化ガスはヘキサメチルジシラン（ｈｅｘａｍｅｔｈｙｌｄｉｓｉｌａｎｅ、ＨＭＤＳ）ガスを含むことができる。
本発明の実施形態によれば、基板の位置を調節して基板表面の疎水化程度を調節することができる。
また、本発明の実施形態によれば、基板表面の疎水化程度を調節することにおいて、疎水化ガスの流量調節が必要としない。
本発明の一実施形態による基板処理装置を概略的に示す斜視図である。 図１の塗布ブロック又は現像ブロックを示す基板処理装置の断面図である。 図２の基板処理装置の平面図である。 図３の搬送ロボットのハンドの一例を示す図面である。 図３の熱処理チャンバーの一例を概略的に示す平面図である。 図５の熱処理チャンバーの正面図である。 図６の加熱ユニットを示す断面図である。 図７の基板支持ユニットを示す平面図である。 図７の装置を利用して基板を処理する過程を示すフローチャートである。 図７の装置で第１基板を処理する過程を示す図面である。 図７の装置で第２基板を処理する過程を示す図面である。 図３の液処理チャンバーの一例を概略的に示す図面である。
以下、本発明の実施形態を添付された図面を参照してさらに詳細に説明する。本発明の実施形態は様々な形態に変形することができ、本発明の範囲が以下の実施形態に限定されることして解釈されてはならない。本実施形態は当業界で平均的な知識を有する者に本発明をさらに完全に説明するために提供されることである。したがって、図面での要素の形状はより明確な説明を強調するために誇張されたことである。
図１は本発明の一実施形態による基板処理装置を概略的に示す斜視図であり、図２は図１の塗布ブロック又は現像ブロックを示す基板処理装置の断面図であり、図３は図２の基板処理装置の平面図である。図１乃至図３を参照すれば、基板処理装置１はインデックスモジュール２０（ｉｎｄｅｘ ｍｏｄｕｌｅ）、処理モジュール３０（ｔｒｅａｔｉｎｇ ｍｏｄｕｌｅ）、そしてインターフェイスモジュール４０（ｉｎｔｅｒｆａｃｅ ｍｏｄｕｌｅ）を含む。一実施形態によれば、インデックスモジュール２０、処理モジュール３０、そしてインターフェイスモジュール４０は順次的に一列に配置される。以下、インデックスモジュール２０、処理モジュール３０、そしてインターフェイスモジュール４０が配列された方向を第１方向１２とし、上部から見る時、第１方向１２と垂直になる方向を第２方向１４とし、第１方向１２及び第２方向１４と全て垂直になる方向を第３方向１６とする。
インデックスモジュール２０は基板Ｗが収納された容器１０から基板Ｗを処理モジュール３０に搬送し、処理が完了された基板Ｗを容器１０に収納する。インデックスモジュール２０の長さ方向は第２方向１４に提供される。インデックスモジュール２０はロードポート２２とインデックスフレーム２４を有する。インデックスフレーム２４を基準にロードポート２２は処理モジュール３０の反対側に位置される。基板Ｗが収納された容器１０はロードポート２２に置かれる。ロードポート２２は複数が提供されることができ、複数のロードポート２２は第２方向１４に沿って配置されることができる。
容器１０としては前面開放一体型ポッド（Ｆｒｏｎｔ Ｏｐｅｎ Ｕｎｉｆｉｅｄ Ｐｏｄ：ＦＯＵＰ）のような密閉用容器１０が使用されることができる。容器１０はオーバーヘッドトランスファー（Ｏｖｅｒｈｅａｄ Ｔｒａｎｓｆｅｒ）、オーバーヘッドコンベア（Ｏｖｅｒｈｅａｄ Ｃｏｎｖｅｙｏｒ）、又は自動案内車両（Ａｕｔｏｍａｔｉｃ Ｇｕｉｄｅｄ Ｖｅｈｉｃｌｅ）のような移送手段（図示せず）や作業者によってロードポート２２に置かれることができる。
インデックスフレーム２４の内部にはインデックスロボット２２００が提供される。インデックスフレーム２４内には長さ方向が第２方向１４に提供されたガイドレール２３００が提供され、インデックスロボット２２００はガイドレール２３００上で移動可能に提供されることができる。インデックスロボット２２００は基板Ｗが置かれるハンド２２２０を含み、ハンド２２２０は前進及び後進移動、第３方向１６を軸とした回転、そして第３方向１６を沿って移動可能に提供されることができる。
処理モジュール３０は基板Ｗに対して塗布工程及び現像工程を遂行する。処理モジュール３０は塗布ブロック３０ａ及び現像ブロック３０ｂを有する。塗布ブロック３０ａは基板Ｗに対して塗布工程を遂行し、現像ブロック３０ｂは基板Ｗに対して現像工程を遂行する。塗布ブロック３０ａは複数が提供され、これらは互いに積層されるように提供される。現像ブロック３０ｂは複数が提供され、現像ブロック３０ｂは互いに積層されるように提供される。本実施形態によれば、塗布ブロック３０ａは２つが提供され、現像ブロック３０ｂは２つが提供される。塗布ブロック３０ａは現像ブロック３０ｂの下に配置されることができる。一例によれば、２つの塗布ブロック３０ａは互いに同一な工程を実行し、互いに同一な構造に提供されることができる。また、２つの現像ブロック３０ｂは互いに同一な工程を実行し、互いに同一な構造に提供されることができる。
塗布ブロック３０ａは熱処理チャンバー３２００、搬送チャンバー３４００、液処理チャンバー３６００、そしてバッファチャンバー３８００を有する。熱処理チャンバー３２００は基板Ｗに対して熱処理工程を遂行する。熱処理工程は冷却工程及び加熱工程を含むことができる。液処理チャンバー３６００は基板Ｗ上に液を供給して液膜を形成する。液膜はフォトレジスト膜又は反射防止膜である。搬送チャンバー３４００は塗布ブロック３０ａ内で熱処理チャンバー３２００と液処理チャンバー３６００との間に基板Ｗを搬送する。
搬送チャンバー３４００はその長さ方向が第１方向１２と平行に提供される。搬送チャンバー３４００には搬送ロボット３４２２が提供される。搬送ロボットは３４２２は熱処理チャンバー３２００、液処理チャンバー３６００、そしてバッファチャンバー３８００の間に基板を搬送する。一例によれば、搬送ロボット３４２２は基板Ｗが置かれるハンド３４２０を有し、ハンド３４２０は前進及び後進移動、第３方向１６を軸とした回転、そして第３方向１６に沿って移動可能に提供されることができる。搬送チャンバー３４００内にはその長さ方向が第１方向１２と平行に提供されるガイドレール３３００が提供され、搬送ロボット３４２０はガイドレール３３００上で移動可能に提供されることができる。
図４は図３の搬送ユニットのハンドの一例を示す図面である。図４を参照すれば、ハンド３４２０はベース３４２８及び支持突起３４２９を有する。ベース３４２８は円周の一部が切断された環状のリング形状を有することができる。ベース３４２８は基板Ｗの直径より大きい内径を有する。支持突起３４２９はベース３４２８からその内側に延長される。支持突起３４２９は複数が提供され、基板Ｗの縁領域を支持する。一実施形態によれば、支持突起３４２９は等間隔に４つが提供されることができる。
熱処理チャンバー３２００は複数に提供される。熱処理チャンバー３２００は第１の方向１２に沿って並べに配置される。熱処理チャンバー３２０２は搬送チャンバー３４００の一側に位置される。熱処理チャンバー３２００の中でインデックスモジュール２０に最も隣接するように位置される熱処理チャンバー３２０２は液処理チャンバー３６００に基板を搬送する前に基板を液処理し、その以外の熱処理チャンバー３２０６は液処理チャンバー３６００で液処理された基板を熱処理する。本実施形態にはインデックスモジュール２０に最も隣接するように位置される熱処理チャンバーを前段熱処理チャンバー３２０２として定義する。
本実施形態は複数の熱処理チャンバー３２００の中で前段に位置された熱処理チャンバー３２０２を一例として説明する。前段熱処理チャンバー３２０２は基板Ｗの加熱のうちに処理ガスを供給してフォトレジストの基板Ｗ付着率を向上させることができる。処理ガスは基板Ｗの表面を改質する。処理ガスは基板Ｗの表面を親水性で疎水性に転換させる。一例によれば、ガスはヘキサメチルジシラン（ｈｅｘａｍｅｔｈｙｌｄｉｓｉｌａｎｅ）ガスである。これと異なりに、後段に位置された熱処理チャンバー３２０６には処理ガスを供給しない。
図５は図３の熱処理チャンバーの一例を概略的に示す平面図であり、図６は図５の熱処理チャンバーの正面図である。図５及び図６を参照すれば、熱処理チャンバー３２０２はハウジング３２１０、冷却ユニット３２２０、加熱ユニット３２３０、そして搬送プレート３２４０を有する。
ハウジング３２１０は大体に直方体の形状に提供される。ハウジング３２１０の側壁には、基板Ｗが出入される搬入口（図示せず）が形成される。搬入口は開放された状態に維持されることができる。選択的に搬入口を開閉するようにドア（図示せず）が提供されることができる。冷却ユニット３２２０、加熱ユニット３２３０、そして搬送プレート３２４０はハウジング３２１０内に提供される。冷却ユニット３２２０及び加熱ユニット３２３０は第２方向１４に沿って並んで提供される。一例によれば、冷却ユニット３２２０は加熱ユニット３２３０に比べて搬送チャンバー３４００にさらに近く位置されることができる。
冷却ユニット３２２０は冷却板３２２２を有する。冷却板３２２２は上部から見る時、大体に円形の形状を有することができる。冷却板３２２２には冷却部材３２２４が提供される。一実施形態によれば、冷却部材３２２４は冷却板３２２２の内部に形成され、冷却流体が流れる流路として提供されることができる。
加熱ユニット３２３０は基板を常温より高い温度に加熱する装置１０００に提供される。加熱ユニット３２３０は常圧又はがより低い減圧雰囲気で基板Ｗを加熱処理する。図７は図６の加熱ユニットを示す断面図である。図７を参照すれば、加熱ユニット３２３０はチャンバー１１００、基板支持ユニット１３００、ヒーターユニット１４００、ガス供給ユニット、そして制御器を含む。
チャンバー１１００は内部に基板Ｗを加熱処理する処理空間１１１０を提供する。処理空間１１１０は外部と遮断された空間として提供される。チャンバー１１００は上部ボディー１１２０、下部ボディー１１４０、そしてシーリング部材１１６０を含む。
上部ボディー１１２０は下部が開放された筒形状に提供される。上部ボディー１１２０の上面には中心ホール１１２４及び周辺ホール１１２２が形成される。中心ホール１１２４は上部ボディー１１２０の中心に形成される。中心１１２４は処理ガスをチャンバー１１００内に流入させる流入ホール１１２４として機能する。周辺ホール１１２２は処理空間１１１０の雰囲気を排気する。周辺ホール１１２２は複数が離隔されるように提供され、中心ホール１１２４を囲むように配列される。一例によれば、周辺ホール１１２２は４つである。
下部ボディー１１４０は上部が開放された筒形状に提供される。下部ボディー１１４０は上部ボディー１１２０の下に位置される。上部ボディー１１２０及び下部ボディー１１４０は上下方向に互いに対向するように位置される。上部ボディー１１２０及び下部ボディー１１４０は互いに組み合わせて内部に処理空間１１１０を形成する。上部ボディー１１２０及び下部ボディー１１４０は上下方向に対して互いの中心軸が一致するように配置される。下部ボディー１１４０は上部ボディー１１２０と同一な直径を有することができる。即ち、下部ボディー１１４０の上端は上部ボディー１１２０の下端に対向されるように位置されることができる。
上部ボディー１１２０及び下部ボディー１１４０の中で１つは昇降部材１１３０によって開放位置と遮断位置に移動され、他の１つはその位置が固定される。本実施形態には下部ボディー１１４０の位置が固定され、上部ボディー１１２０が移動されることと説明する。ここで、開放位置は上部ボディー１１２０と下部ボディー１１４０が互いに離隔されて処理空間１１１０が開放される位置である。遮断位置は下部ボディー１１４０及び上部ボディー１１２０によって処理空間１１１０が外部から密閉される位置である。
シーリング部材１１６０は上部ボディー１１２０と下部ボディー１１４０との間に位置される。シーリング部材１１６０は上部ボディー１１２０と下部ボディー１１４０が接触される時、処理空間が外部から密閉されるようにする。シーリング部材１１６０は環状のリング形状に提供されることができる。シーリング部材１１６０は下部ボディー１１４０の上端に固定結合されることができる。
支持ユニット１３００は処理空間１１１０で基板Ｗを支持する。図８は図７の基板支持ユニットを示す平面図である。図７及び図８を参照すれば、基板支持ユニット１３００は下部ボディー１１４０に固定結合される。基板支持ユニット１３００は支持プレート１３２０、支持ピン１３６０、ピンアセンブリ１３４０、そしてガイド１３８０を含む。支持プレート１３２０はヒーターユニット１４００から発生された熱を基板Ｗに伝達する。支持プレート１３２０は円形の板形状に提供される。支持プレート１３２０の上面は基板Ｗより大きい直径を有する。支持プレート１３２０の上面にはピンホール１３２２及び支持ピン１３６０が各々提供される。ピンホール１３２２はピンアセンブリ１３４０が提供される空間に提供される。支持ピン１３６０は基板Ｗが支持プレート１３２０の上面に直接的に接触されることを防止する。支持ピン１３６０は横方向が上下方向に向かうピン形状であるか、或いは上に突出された突起形状に提供される。支持ピン１３６０は複数に提供され、の各々は安着面に固定設置される。支持ピン１３６０の上端は基板Ｗの底面に直接接触される接触面として提供され、接触面は上に膨らんでいる形状を有する。したがって、支持ピン１３６０と基板Ｗとの間の接触面積を最小化することができる。例えば、ピンホールは３つが提供され、支持ピン１３６０はそれより多く提供されることができる。
ピンアセンブリ１３４０は基板Ｗを支持プレート１３２０から持ち上げるか、或いは、下ろす。より詳しくは、ピンアセンブリ１３４０は基板Ｗを支持ピン１３６０から持ち上げるか、或いは支持ピン１３６０に下ろす。ピンアセンブリ１３４０はリフトピン１３４２及び駆動器（図示せず）を含む。リフトピン１３４２はピンホール１３２２と一対一に対応される数に提供される。リフトピン１３４２は各ピンホール１３２２に位置される。リフトピン１３４２は垂直になる上下方向に向かうピン形状に提供される。リフトピン１３４２はピンホール１３２２で昇降位置又は下降位置に移動されることができる。ここで、昇降位置はリフトピン１３４２がピンホール１３２２から上に突出された位置であり、下降位置はリフトピン１３４２がピンホール１３２２に挿入された位置である。より具体的に、昇降位置はリフトピン１３４２の上端が支持プレート１３２０の上端より高い位置であり、下降位置はリフトピン１３４２の上端が支持プレート１３２０の上端より低い位置である。リフトピン１３４２は昇降位置で２以上の互いに異なるの高さに移動が可能である。駆動器（図示せず）はリフトピン１３４２を昇降位置と下降位置に移動させる。例えば、駆動器（図示せず）はモーターで提供されることができる。したがって、駆動器（図示せず）はリフトピン１３４２が昇降位置に位置された状態で高さを調節することができる。
ガイド１３８０は基板Ｗが安着面の正位置に置かれるように基板Ｗをガイドする。ガイド１３８０は案着面を囲む環状のリング形状を有するように提供される。ガイド１３８０は基板Ｗより大きい直径を有する。ガイド１３８０の内側面は支持プレート１３２０の中心軸に近くなるほど、下方傾いた形状を有する。したがって、ガイド１３８０の内側面に掛けた基板Ｗはその傾斜面に乗って正位置に移動される。また、ガイド１３８０は基板Ｗと安着面との間に流入される気流を少量に防止することができる。
ヒーターユニット１４００は支持プレート１３２０に置かれた基板Ｗを加熱処理する。ヒーターユニット１４００は支持プレート１３２０に置かれた基板Ｗより下に位置される。ヒーターユニット１４００は複数のヒーター１４２０を含む。ヒーター１４２０は各々支持プレート１３２０内に位置される。選択的にヒーター１４２０は支持プレート１３２０の底面に位置されることができる。各ヒーター１４２０は同一平面上に位置される。一例によれば、各ヒーター１４２０は安着面の互いに異なる領域を互いに異なる温度に加熱することができる。ヒーター１４２０の中で一部は安着面の中央領域を第１温度に加熱し、ヒーター１４２０の中で他の一部は安着面の縁領域を第２温度に加熱することができる。第２温度は第１温度より高い温度である。ヒーター１４２０はプリンティングされたパターン又は熱線である。
再び図７を参照すれば、ガス供給ユニット１５００は流れ形成プレート１５４０及び供給管１５２０を含む。流れ形成プレート１５４０は中空を有する円板形状に提供される。流れ形成プレート１５４０は上部ボディー１１２０に対応される高さに提供される。供給管１５２０は基板Ｗ上に処理ガスを吐出する吐出部材として機能する。供給管１５２０は中心ホール１１２４に挿入されるように位置される。供給管１５２０は下端が処理空間１１１０内に位置され、上端が処理空間１１１０の外部に位置されるように提供される。流れ形成プレート１５４０の中空には供給管１５２０が固定結合される。例えば、流れ形成プレート１５４０と供給管は一体に提供されることができる。供給管１５２０の下端である吐出端１５２２はその位置が固定されるように提供されることができる。流れ形成プレート１５４０と供給管１５２０は下端の高さが一致するように提供されることができる。流れ形成プレート１５４０は処理空間１１１０を上部空間１１１０ａと下部空間１１１０ｂに区画する。したがって、下部空間１１１０ｂは処理ガスが導入されて基板Ｗを処理する空間として機能し、上部空間１１１０ａは処理ガスが排気される排気空間として機能することができる。流れ形成プレート１５４０は上部ボディー１１２０の内径と一致する外径を有するように提供される。流れ形成プレート１５４０の縁領域には複数の排気ホール１５４２が形成される。排気ホール１５４２は流れ形成プレートの中空を囲むように円周方向に沿って配列される。例えば、上部から見る時、排気ホール１５４２は円形のホールとして提供されることができる。選択的に、排気ホール１５４２は中空を囲む弧形状に提供されることができる。本実施形態によれば、排気ホール１５４２は基板支持ユニット１３００に置かれた基板Ｗと対向しないように提供される。即ち、上部から見る時、排気ホール１５４２は基板支持ユニット１３００に置かれた基板Ｗの周辺を囲むように円周方向に沿って配列されることができる。排気ホール１５４２を通過した工程副産物は周辺ホール１１２２に連結された排気ライン１５６０を通じて外部に排気される。排気ライン１５６０には減圧部材１５８０が設置され、減圧部材１５８０による排気圧によって排気される。したがって、基板Ｗの縁領域に処理ガスの供給干渉を最小化することができる。例えば、処理ガスは基板Ｗの表面を改質するヘキサメチルジシラン（Ｈｅｘａｍｅｔｈｙｌｄｉｓｉｌａｚａｎｅ、ＨＭＤＳ）である。処理ガスは感光液と類似又は同一な性質を有することができる。感光液は疎水性性質に提供され、処理ガスは疎水性性質を有する疎水化ガスである。
制御器１９００はピンアセンブリ１３４０を制御する。制御器１９００は基板Ｗの高さを調節して基板Ｗ表面の疎水化程度を制御する。制御器１９００は基板Ｗ表面を疎水化しようとする程度に応じて基板Ｗの高さを調節する。基板Ｗの高さを調節することは基板Ｗと供給管１５２０の吐出端１５２２との間の距離を調節することを含む。即ち、基板Ｗ表面の疎水化程度を調節するために基板Ｗと吐出端１５２２との間の距離を調節することができる。一例によれば、基板Ｗ表面の疎水化程度を大きくしようとする場合には基板Ｗと吐出端１５２２との間の距離を小さくし、疎水化程度を小さくしようとする場合には基板Ｗと吐出端１５２２との間の距離を大きくすることができる。即ち、疎水化程度を大きくしようとする場合には基板Ｗの高さを高め、疎水化程度を小さくしようとする場合には基板Ｗの高さを下げることができる。疎水化程度を大きくしようとする場合にはリフトピン１３４２が昇降位置に移動され、疎水化程度を小さくしようとする場合にはリフトピン１３４２が下降位置に移動されることができる。
次は上述した装置を利用して基板Ｗを処理する過程を説明する。図９を参照して単一の基板Ｗを処理する方法を説明すれば、リフトピン１３４２は昇降位置に移動されて搬送ロボット３４２２から基板Ｗを引き受ける。リフトピン１３４２は基板Ｗが支持ピン１３６０に置かれるように下降位置に移動される。その後に、上部ボディーは開放位置で遮断位置に移動されて処理空間１１１０を密閉する。例えば、基板Ｗを支持プレート１３２０から離隔された位置で処理しても、基板Ｗを支持ピン１３６０に置き、チャンバー１１００を遮断した後に基板Ｗを再び持ち上げる。これは基板Ｗがリフトピン１３４２に置かれた状態でチャンバー１１００を移動する時、基板Ｗの安定性を考慮して基板Ｗの位置がずれる問題点を防止するためである。処理空間１１１０が密閉されれば、供給管１５２０の吐出端１５２２から疎水化ガスが供給される。疎水化ガスは基板Ｗに供給されて基板Ｗの表面を疎水化処理する。基板Ｗを疎水化処理する過程において、基板Ｗ表面の疎水化程度を調節するために基板Ｗの位置を調節する。
本実施形態には基板Ｗの高さを調節して基板Ｗと吐出端１５２２との間の距離を調節して疎水化程度を調節することができる。基板Ｗの表面を第１疎水性及びがより小さい第２疎水性の中でいずれか１つに調節しようとする時、基板Ｗの高さは異なりに調節されることができる。表面が第１疎水性を有するようにする場合には基板Ｗをリフトピン１３４２から持ち上げて基板Ｗが第１高さを有するように基板Ｗを昇降移動させることができる。第１高さは基板Ｗが支持ピン１３６０から離隔される高さである。これと異なりに、表面が第２疎水性を有するようにする場合には基板Ｗが第１高さより低い第２高さを有するように基板Ｗを昇下降移動させることができる。第２高さは基板Ｗが支持ピン１３６０から離隔される高さであり、基板Ｗが支持ピン１３６０に置かれる高さである。本実施形態で第２高さは基板Ｗが支持ピン１３６０に置かれる高さとして説明する。第１高さは第２高さに比べて吐出端１５２２と基板Ｗとの間の距離が近い。したがって、第１高さに位置された基板Ｗの表面は第２高さに位置された基板Ｗの表面より大きい疎水性を有することができる。
また、第１基板Ｗ１と第２基板Ｗ２が互いに異なる疎水性程度を有するように第１基板と第２基板Ｗ２を処理する方法を説明する。本実施形態は第１基板Ｗ１の表面が第１疎水性を有し、第２基板Ｗ２の表面が第２疎水性を有するように基板を処理することと説明する。第１基板Ｗ１と第２基板Ｗ２は互いに同一チャンバー１１００で疎水化処理工程が行われる。
図１０及び図１１を参照すれば、処理空間１１１０が密閉され、第１基板Ｗ１はリフトピン１３４２によって第１高さに移動され、第２基板Ｗ２は支持ピン１３６０に置かれた第２高さを有する。第１基板Ｗ１を疎水化処理する第１処理段階と第２基板Ｗ２を疎水化処理する第２処理段階の各々には互いに同一な流量の疎水化ガスが供給される。また、第１処理段階と第２処理段階の各々には同種の疎水化ガスが供給される。したがって、第１基板Ｗ１と第２基板Ｗ２はガスの種類及び流量等のガス供給に対する雰囲気が同一環境で進行したにも拘らず、互いに異なるの疎水化程度を有することができる。
再び図５及び図６を参照すれば、搬送プレート３２４０は大体に円板形状を提供され、基板Ｗと対応される直径を有する。搬送プレート３２４０の縁にはノッチ３２４４が形成される。ノッチ３２４４は上述した搬送ロボット３４２２のハンド３４２０に形成された突起３４２９と対応される形状を有することができる。また、ノッチ３２４４はハンド３４２０に形成された突起３４２９と対応される数に提供され、突起３４２９と対応される位置に形成される。ハンド３４２０と搬送プレート３２４０が上下方向に整列された位置でハンド３４２０と搬送プレート３２４０の上下位置が変更すれば、ハンド３４２０と搬送プレート３２４０との間に基板Ｗの伝達が行われる。搬送プレート３２４０はガイドレール３２４９上に装着され、駆動器３２４６によってガイドレール３２４９に沿って第１領域３２１２と第２領域３２１４との間に移動されることができる。搬送プレート３２４０にはスリット形状のガイド溝３２４２が複数が提供される。ガイド溝３２４２は搬送プレート３２４０の終端で搬送プレート３２４０の内部まで延長される。ガイド溝３２４２はその長さ方向が第２方向１４に沿って提供され、ガイド溝３２４２は第１方向１２に沿って互いに離隔されるように位置される。ガイド溝３２４２は搬送プレート３２４０と加熱ユニット３２３０との間に基板Ｗの引受引渡が行われる時、搬送プレート３２４０とリフトピンが互いに干渉されることを防止する。
基板Ｗの加熱は基板Ｗが支持プレート１３２０上に直接置かれる状態で成され、基板Ｗの冷却は基板Ｗが置かれる搬送プレート３２４０が冷却板３２２２に接触された状態で行われる。冷却板３２２２と基板Ｗとの間に熱伝達がよく行われるように搬送プレート３２４０は熱伝達率が高い材質で提供される。一例によれば、搬送プレート３２４０は金属材質で提供されることができる。
液処理チャンバー３６００は複数に提供される。液処理チャンバー３６００の中で一部は互いに積層されるように提供されることができる。液処理チャンバー３６００は搬送チャンバー３４０２の一側に配置される。液処理チャンバー３６００は第１の方向１２に沿って並んで配列される。液処理チャンバー３６００の中で一部はインデックスモジュール２０と隣接する位置に提供される。以下、これらの液処理チャンバーを前段液処理チャンバー３６０２（ｆｒｏｎｔｌｉｑｕｉｄ ｔｒｅａｔｉｎｇ ｃｈａｍｂｅｒ）と称する。液処理チャンバー３６００の中で他の一部はインターフェイスモジュール４０と隣接する位置に提供される。以下、これらの液処理チャンバーを後段液処理チャンバー３６０４（ｒｅａｒ ｈｅａｔ ｔｒｅａｔｉｎｇ ｃｈａｍｂｅｒ）と称する。
前段液処理チャンバー３６０２は基板Ｗ上に第１液を塗布し、後段液処理チャンバー３６０４は基板Ｗ上に第２液を塗布する。第１液と第２液は互いに異なる種類の液である。一実施形態によれば、第１液は反射防止膜であり、第２液はフォトレジストである。フォトレジストは反射防止膜が塗布された基板Ｗ上に塗布されることができる。選択的に第１液はフォトレジストであり、第２液は反射防止膜である。この場合、反射防止膜はフォトレジストが塗布された基板Ｗ上に塗布されることができる。選択的に、第１液と第２液は同一な種類の液であり、これらは全てフォトレジストである。
図１２は図３の液処理チャンバーの一例を概略的に示す図面である。図１２を参照すれば、液処理チャンバー３６００はハウジング３６１０、処理容器３６２０、基板支持ユニット３６４０、そして液供給ユニット３６６０を有する。ハウジング３６１０は大体に直方体の形状に提供される。ハウジング３６１０の側壁には、基板Ｗが出入される搬入口（図示せず）が形成される。搬入口はドア（図示せず）によって開閉されることができる。処理容器３６２０、基板支持ユニット３６４０、そして液供給ユニット３６６０はハウジング３６１０内に提供される。ハウジング３６１０の上壁にはハウジング３２６０内に下降気流を形成するファンフィルターユニット３６７０が提供されることができる。処理容器３６２０は上部が開放されたカップ形状に提供される。処理容器３２０は内部に基板を処理する処理空間を有する。基板支持ユニット３６４０は処理空間内に配置し、基板Ｗを支持する。基板支持ユニット３６４０は液処理の途中に基板Ｗが回転可能するように提供される。液供給ユニット３６６０は基板支持ユニット３６４０に支持された基板Ｗに液を供給する。
液供給ユニット３６６０は処理液ノズル３６６２を含む。処理液ノズル３６６２は基板支持ユニット３６４０に支持された基板Ｗに処理液を吐出する。例えば、液はフォトレジストのような感光液である。処理液ノズル３６６２は工程位置と待機位置との間に移動される。ここで、工程位置は処理液ノズル３６６２が基板支持ユニット３６４０に支持された基板Ｗの上部で基板Ｗと対向する位置であり、待機位置は処理液ノズル３６６２が工程位置をずれた位置である。工程位置は処理液ノズル３６６２が基板Ｗの中心に処理液吐出が可能な位置である。
再び、図２及び図３を参照すれば、バッファチャンバー３８００は複数に提供される。バッファチャンバー３８００の中で一部はインデックスモジュール２０と搬送チャンバー３４００との間に配置される。以下、これらのバッファチャンバーを前段バッファ３８０２（ｆｒｏｎｔ ｂｕｆｆｅｒ）と称する。前段バッファ３８０２は複数に提供され、上下方向に沿って互いに積層されるように位置される。バッファチャンバー３８０２、３８０４の中で他の一部は搬送チャンバー３４００とインターフェイスモジュール４０との間に配置される。以下、これらのバッファチャンバーを後段バッファ３８０４（ｒｅａｒ ｂｕｆｆｅｒ）と称する。後段バフファ３８０４は複数に提供され、上下方向に沿って互いに積層されるように位置される。前段バッファ３８０２及びリアーバフファ３８０４の各々は複数の基板がＷを一時的に保管する。前段バッファ３８０２に保管された基板Ｗはインデックスロボット２２００及び搬送ロボット３４２２によって搬入又は搬出される。後段バフファ３８０４に保管された基板Ｗは搬送ロボット３４２２及び第１ロボット４６０２によって搬入又は搬出される。
前段バッファ３８０２の一側には前段搬送ロボットが位置される。前段搬送ロボットは前段バッファ３８０２と前段熱処理チャンバーとの間に基板を搬送する。
現像ブロック３０ｂは熱処理チャンバー３２００、搬送チャンバー３４００、そして液処理チャンバー３６００を有する。現像ブロック３０ｂの熱処理チャンバー３２００、そして搬送チャンバー３４００は塗布ブロック３０ａの熱処理チャンバー３２００、そして搬送チャンバー３４００と大体に類似な構造及び配置に提供するので、これに対する説明は省略する。
現像ブロック３０ｂで液処理チャンバー３６００は全て同様に現像液を供給して基板を現像処理する現像チャンバー３６００として提供される。
インターフェイスモジュール４０は処理モジュール３０を外部の露光装置５０と連結する。インターフェイスモジュール４０はインターフェイスフレーム４１００、付加工程チャンバー４２００、インターフェイスバッファ４４００、そして搬送部材４６００を有する。
インターフェイスフレーム４１００の上端には内部に下降気流を形成するファンフィルターユニットが提供されることができる。付加工程チャンバー４２００、インターフェイスバッファ４４００、そして搬送部材４６００はインターフェイスフレーム４１００の内部に配置される。付加工程チャンバー４２００は塗布ブロック３０ａから工程が完了された基板Ｗが露光装置５０に搬入される前に所定の付加工程を遂行することができる。選択的に、付加工程チャンバー４２００は露光装置５０から工程が完了された基板Ｗが現像ブロック３０ｂに搬入される前に所定の付加工程を遂行することができる。一実施形態によれば、付加工程は基板Ｗのエッジ領域を露光するエッジ露光工程、又は基板Ｗの上面を洗浄する上面洗浄工程、又は基板Ｗの下面を洗浄する下面洗浄工程である。付加工程チャンバー４２００は複数が提供され、これらは互いに積層されるように提供されることができる。付加工程チャンバー４２００は全て同一な工程を遂行するように提供されることができる。選択的に、付加工程チャンバー４２００の中で一部は互いに異なる工程を遂行するように提供されることができる。
インターフェイスバッファ４４００は塗布ブロック３０ａ、付加工程チャンバー４２００、露光装置５０、そして現像ブロック３０ｂとの間に搬送される基板Ｗが搬送される途中に一時的に留まる空間を提供する。インターフェイスバッファ４４００は複数が提供され、複数のインターフェイスバッファ４４００は互いに積層されるように提供されることができる。
一実施形態によれば、搬送チャンバー３４００の長さ方向の延長線を基準として一側面には付加工程チャンバー４２００が配置し、他の側面にはインターフェイスバッファ４４００が配置されることができる。
搬送部材４６００は塗布ブロック３０ａ、付加工程チャンバー４２００、露光装置５０、そして現像ブロック３０ｂとの間に基板Ｗを搬送する。搬送部材４６００は１つ又は複数のロボットが提供されることができる。一実施形態によれば、搬送部材４６００は第１ロボット４６０２及び第２ロボット４６０６を有する。第１ロボット４６０２は塗布ブロック３０ａ、付加工程チャンバー４２００、そしてインターフェイスバッファ４４００との間に基板Ｗを搬送し、インターフェイスロボット４６０６はインターフェイスバッファ４４００と露光装置５０との間に基板Ｗを搬送し、第２ロボット４６０４はインターフェイスバッファ４４００と現像ブロック３０ｂとの間に基板Ｗを搬送するように提供されることができる。
第１ロボット４６０２及び第２ロボット４６０６は各々基板Ｗが置かれるハンドを含み、ハンドは前進及び後進移動、第３方向１６と平行である軸を基準とした回転、そして第３方向１６に沿って移動可能に提供されることができる。
インデックスロボット２２００、第１ロボット４６０２、そして第２ロボット４６０６のハンドは全て搬送ロボット３４２２のハンド３４２０と同一な形状に提供されることができる。選択的に、熱処理チャンバーの搬送プレート３２４０と直接基板Ｗを受け渡すロボットのハンドは搬送ロボット３４２２のハンド３４２０と同一な形状に提供され、残りのロボットのハンドはこれと異なる形状に提供されることができる。
一実施形態によれば、インデックスロボット２２００は塗布ブロック３０ａに提供された前段熱処理チャンバー３２００の加熱ユニット３２３０と直接基板Ｗを受け渡すことができるように提供される。
また、塗布ブロック３０ａ及び現像ブロック３０ｂに提供された搬送ロボット３４２２は熱処理チャンバー３２００に位置された搬送プレート３２４０と直接基板Ｗを受け渡すことができるように提供されることができる。
次には上述した基板処理装置１を利用して基板を処理する方法の一実施形態に対して説明する。
基板Ｗに対して塗布処理工程、エッジ露光工程、露光工程、そして現像処理工程が順次的に遂行される。
塗布処理工程は熱処理チャンバー３２００で熱処理工程 、前段液処理チャンバー３６０２で反射防止膜塗布工程、熱処理チャンバー３２００で熱処理工程、後段液処理チャンバー３６０４でフォトレジスト膜塗布工程、そして熱処理チャンバー３２００で熱処理工程が順次的に行われることによって遂行される。
以下、容器１０で露光装置５０まで基板Ｗの搬送経路の一例を説明する。
インデックスロボット２２００は基板Ｗを容器１０で取り出して前段バッファ３８０２に搬送する。搬送ロボット３４２２は前段バッファ３８０２に保管された基板Ｗを前段熱処理チャンバー３２００に搬送する。基板Ｗは搬送プレート３２４０によって加熱ユニット３２３０に基板Ｗを搬送する。加熱ユニット３２３０で基板の加熱工程が完了すると、搬送プレート３２４０は基板を冷却ユニット３２２０に搬送する。搬送プレート３２４０は基板Ｗを支持した状態で、冷却ユニット３２２０に接触されて基板Ｗの冷却工程を遂行する。冷却工程が完了すると、搬送プレート３２４０が冷却ユニット３２２０の上部に移動され、搬送ロボット３４２２は熱処理チャンバー３２００から基板Ｗを搬出し、前段液処理チャンバー３６０２に搬送する。
前段液処理チャンバー３６０２で基板Ｗ上に反射防止膜を塗布する。
搬送ロボット３４２２が前段液処理チャンバー３６０２から基板Ｗを搬出し、熱処理チャンバー３２００に基板Ｗを搬入する。熱処理チャンバー３２００には上述した加熱工程及び冷却工程順次的に進行され、各熱処理工程が完了すると、搬送ロボット３４２２は基板Ｗを搬出し、後段液処理チャンバー３６０４に搬送する。
その後、後段液処理チャンバー３６０４で基板Ｗ上にフォトレジスト膜を塗布する。
搬送ロボット３４２２が後段液処理チャンバー３６０４から基板Ｗを搬出し、熱処理チャンバー３２００に基板Ｗを搬入する。熱処理チャンバー３２００には上述した加熱工程及び冷却工程が順次的に進行され、各熱処理工程が完了すると、搬送ロボット３４２２は基板Ｗを後段バッファ３８０４に搬送する。インターフェイスモジュール４０の第１ロボット４６０２が後段バッファ３８０４から基板Ｗを搬出し、補助工程チャンバー４２００に搬送する。
補助工程チャンバー４２００で基板Ｗに対してエッジ露光工程が遂行される。
その後、第１ロボット４６０２が補助工程チャンバー４２００から基板Ｗを搬出し、インターフェイスバッファ４４００に基板Ｗを搬送する。
その後、第２ロボット４６０６はインターフェイスバッファ４４００から基板Ｗを搬出し、露光装置５０に搬送する。
現像処理工程は熱処理チャンバー３２００で熱処理工程、液処理チャンバー３６００で現像工程、そして熱処理チャンバー３２００で熱処理工程が順次的に行われることによって遂行される。
以下、露光装置５０で容器１０まで基板Ｗの搬送経路の一例を説明する。、
第２ロボット４６０６が露光装置５０から基板Ｗを搬出し、インターフェイスバッファ４４００に基板Ｗを搬送する。
その後、第１ロボット４６０２がインターフェイスバッファ４４００から基板Ｗを搬出し、後段バッファ３８０４に基板Ｗを搬送する。搬送ロボット３４２２は後段バッファ３８０４から基板Ｗを搬出し、熱処理チャンバー３２００に基板Ｗを搬送する。熱処理チャンバー３２００には基板Ｗの加熱工程及び冷却工程が順次的に遂行する。冷却工程が完了すると、基板Ｗは搬送ロボット３４２２によって現像チャンバー３６００に搬送する。
現像チャンバー３６００には基板Ｗ上に現像液を供給して現像工程を遂行する。
基板Ｗは搬送ロボット３４２２によって現像チャンバー３６００から搬出されて熱処理チャンバー３２００に搬入される。基板Ｗは熱処理チャンバー３２００で加熱工程及び冷却工程が順次的に遂行される。冷却工程が完了すると、基板Ｗは搬送ロボット３４２２によって熱処理チャンバー３２００から基板Ｗを搬出されて前段バッファ３８０２に搬送する。
その後、インデックスロボット２２００が前段バッファ３８０２から基板Ｗを取り出して容器１０に搬送する。
以上の詳細な説明は本発明を例示することである。また、前述した内容は本発明の好ましい実施形態を例として説明することであり、本発明は多様な他の組合、変更、及び環境で使用することができる。即ち、本明細書に開示された発明の概念の範囲、前述した開示内容と均等な範囲及び／又は当業界の技術又は知識の範囲内で変更又は修正が可能である。前述した実施形態は本発明の技術的思想を具現するための最善の状態を説明することであり、本発明の具体的な適用分野及び用途で要求される多様な変更も可能である。したがって、以上の発明の詳細な説明は開示された実施状態に本発明を制限しようとする意図ではない。添付された請求の範囲は他の実施状態も含むこととして解析されなければならない。
１３００ 基板支持ユニット
１３２０ 支持プレート
１３４０ ピンアセンブリ
１３６０ 支持ピン
１３８０ ガイド

Claims (20)

  1. 基板を処理する装置において、
    基板を処理する処理空間を提供するチャンバーと、
    前記処理空間で基板を支持する基板支持ユニットと、
    前記基板支持ユニットに支持された基板上に疎水化ガスを供給するガス供給ユニットと、
    前記基板支持ユニット及び前記ガス供給ユニットを制御する制御器と、を含み、
    前記基板支持ユニットは、
    基板が置かれる支持プレートと、
    前記支持プレートから基板を持ち上げるか、或いは前記支持プレートに基板を下ろすピンアセンブリと、を含み、
    前記制御器は、前記ピンアセンブリを調節して基板の表面の疎水化程度を制御する基板処理装置。
  2. 前記制御器は、第１基板の表面が第１疎水性を有するように前記第１基板を第１高さに移動させ、第２基板の表面が第２疎水性を有するように前記第２基板を第２高さに移動させ、
    前記第１疎水性は、前記第２疎水性より疎水化程度が大きく提供され、
    前記第１高さは、前記第２高さに比べて前記ガス供給ユニットにさらに近く位置される高さに提供される請求項１に記載の基板処理装置。
  3. 前記ガス供給ユニットは、
    前記処理空間内に疎水化ガスを供給し、前記支持プレートの上部に位置されるガス供給管を含み、
    上部から見る時、前記ガス供給管の吐出端は、前記支持プレートと重畳されるように位置され、
    前記第１高さは、前記第２高さに比べて前記吐出端にさらに近く位置される高さに提供される請求項２に記載の基板処理装置。
  4. 前記制御器は、前記ガス供給管から吐出される流量が一定するように前記ガス供給ユニットを制御する請求項３に記載の基板処理装置。
  5. 前記第１高さは、前記第１基板が前記支持プレートから離隔された高さであり、
    前記第２高さは、前記第２基板が前記支持プレートに安着された高さに提供される請求項２乃至請求項４のいずれかの一項に記載の基板処理装置。
  6. 前記第１高さは、前記第１基板が前記支持プレートから離隔された高さであり、
    前記第２高さは、前記第２基板が前記支持プレートから離隔された高さに提供される請求項２乃至請求項４のいずれかの一項に記載の基板処理装置。
  7. 前記ガス供給ユニットが供給する前記疎水化ガスは、ヘキサメチルジシラン（ｈｅｘａｍｅｔｈｙｌｄｉｓｉｌａｎｅ、ＨＭＤＳ）ガスを含む請求項１乃至請求項４のいずれかの一項に記載の基板処理装置。
  8. 基板を処理する方法において、
    第１基板に疎水化ガスを供給して前記第１基板の表面が第１疎水性を有するように疎水化処理する第１処理段階と、
    第２基板に疎水化ガスを供給して前記第２基板の表面が第２疎水性を有するように疎水化処理する第２処理段階と、を含み、
    前記第１疎水性と前記第２疎水性は、疎水化程度が互いに異なり、
    前記第１処理段階で疎水化ガスが吐出される吐出端と前記第１基板との間の第１距離は、前記第２処理段階で疎水化ガスが吐出される吐出端と前記第２基板との間の第２距離と異なる基板処理方法。
  9. 前記第１疎水性は、前記第２疎水性に比べて大きい疎水化程度を有し、
    前記第１距離は、前記第２距離より小さく提供される請求項８に記載の基板処理方法。
  10. 前記第１処理段階で使用される疎水化ガスと前記第２処理段階で使用される疎水化ガスは、同一なガスである請求項９に記載の基板処理方法。
  11. 前記第１処理段階と前記第２処理段階は、同一チャンバーで遂行される請求項１０に記載の基板処理方法。
  12. 疎水化ガスが吐出される吐出端は、前記第１基板と前記第２基板を支持する支持プレートに対向し、上部から見る時、前記支持プレートに重畳されるように位置される請求項１１に記載の基板処理方法。
  13. 前記吐出端は、前記第１基板と前記第２基板各々の中心に対向するように位置される請求項１２に記載の基板処理方法。
  14. 前記第１処理段階と前記第２処理段階の各々で前記疎水化ガスが吐出される吐出流量は、同一に提供される請求項８乃至請求項１３のいずれかの一項に記載の基板処理方法。
  15. 前記疎水化ガスは、ヘキサメチルジシラン（ｈｅｘａｍｅｔｈｙｌｄｉｓｉｌａｎｅ、ＨＭＤＳ）ガスを含む請求項１４に記載の基板処理方法。
  16. 基板を処理する方法において、
    前記基板に疎水化ガスを供給して前記基板の表面を疎水化処理し、
    前記基板の位置を調節して前記表面の疎水化程度を調節する基板処理方法。
  17. 前記基板の位置を調節することは、前記疎水化ガスが吐出される吐出位置と前記基板との間の距離を調節することを含む請求項１６に記載の基板処理方法。
  18. 前記吐出位置は、前記基板の上部に位置され、
    前記基板を第１高さに移動させて前記表面が第１疎水性を有するか、或いは前記基板を第２高さに移動させて前記表面が第２疎水性を有するように前記疎水化程度を調節し、
    前記第１高さは、前記第２高さより高い位置であり、
    前記第１疎水性は、前記第２疎水性に比べて前記疎水化程度が大きい請求項１７に記載の基板処理方法。
  19. 前記疎水化ガスの吐出流量を一定に提供される請求項１７又は請求項１８に記載の基板処理方法。
  20. 前記疎水化ガスは、ヘキサメチルジシラン（ｈｅｘａｍｅｔｈｙｌｄｉｓｉｌａｎｅ、ＨＭＤＳ）ガスを含む請求項１９に記載の基板処理方法。
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