KR20200006316A - 기판 처리 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판을 가열 처리하는 장치를 제공한다. 기판 처리 장치는 내부에 처리 공간을 가지는 공정 챔버, 상기 처리 공간 내에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛, 상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판을 가열하는 가열 유닛, 상기 처리 공간 내부를 배기하는 배기 유닛, 그리고 상기 처리 공간 내의 기류 흐름을 안내하는 가이드 부재를 포함하되, 상기 가이드 부재는 상기 상벽과 상기 기판 지지 유닛의 사이에 위치되며, 상기 챔버의 내경보다 작은 직경을 가지고 상기 챔버의 내측벽으로부터 이격된게 제공되는 블로킹 플레이트를 포함하고, 상부에서 바라볼 때 상기 배기 유닛은 상기 블로킹 플레이트와 중첩되는 위치에서 상기 공정 챔버의 상벽에 연결된다. 기류의 흐름으로 인한 기판의 영역 별 온도가 달라지는 것을 방지할 수 있다.

Description

기판 처리 장치{Apparatus for treating substrate}
본 발명은 기판을 처리하는 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 기판을 가열 처리하는 장치에 관한 것이다.
반도체 소자를 제조하기 위해서는 세정, 증착, 사진, 식각, 그리고 이온주입 등과 같은 다양한 공정이 수행된다. 이러한 공정들 중 사진 공정은 기판 상에 감광액과 같은 액막을 형성하는 공정을 포함한다.
기판 상에 액막을 형성한 후에는 기판을 가열하는 베이크 처리 공정이 진행되며, 베이크 처리 공정에는 기판의 전체 영역을 균일한 온도로 가열하는 것이 요구된다. 액막 내에 포함된 유기물은 휘발되어 외부로부터 유입된 기류와 배기된다.
도 1은 일반적인 베이크 장치의 기류 방향을 보여주는 도면이고, 도 2는 도 1의 장치를 이용하여 베이크 처리된 기판을 보여주는 도면이다. 도 1 및 도 2를 참조하면, 기류는 기판(W)의 외측으로부터 유입되어 기판의 상부 중앙으로 배기된다. 이로 인해 기판(W)의 가장자리 영역을 지나는 기류와 기판(W)의 중앙 영역을 지나는 기류는 온도차가 발생된다. 예컨대, 기판(W)의 중앙 영역을 지나는 기류는 가장자리 영역을 지나는 기류보다 높은 온도를 가진다. 이러한 상부 중앙 배기 방식은 기판의 영역 별 액막의 휘발량 차이가 발생되며, 가장자리 영역은 중앙 영역보다 두꺼운 액막을 가진다.
한국 공개 특허 2010-0066399
본 발명은 기판 상에 형성된 액막을 균일하게 가열할 수 있는 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
본 발명은 기판을 열 처리 시 상부 중앙 배기 방식으로 인한 문제점을 해결할 수 있는 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
본 발명의 실시예는 기판을 가열 처리하는 장치를 제공한다. 기판 처리 장치는 내부에 처리 공간을 가지는 공정 챔버, 상기 처리 공간 내에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛, 상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판을 가열하는 가열 유닛, 상기 처리 공간 내부를 배기하는 배기 유닛, 그리고 상기 처리 공간 내의 기류 흐름을 안내하는 가이드 부재를 포함하되, 상기 가이드 부재는 상기 상벽과 상기 기판 지지 유닛의 사이에 위치되며, 상기 챔버의 내경보다 작은 직경을 가지고 상기 챔버의 내측벽으로부터 이격된게 제공되는 블로킹 플레이트를 포함하고, 상부에서 바라볼 때 상기 배기 유닛은 상기 블로킹 플레이트와 중첩되는 위치에서 상기 공정 챔버의 상벽에 연결된다.
상기 가이드 부재는 상기 블로킹 플레이트와 상기 챔버의 내측벽 간의 이격된 공간에 위치되는 배플 플레이트를 더 포함하되, 상기 배플 플레이트에는 상기 블로킹 플레이트와 상기 내측벽 각각에 접촉되게 위치되고, 상기 배플 플레이트에는 일단에서 타단까지 관통되는 배플홀들이 복수 개로 형성될 수 있다.
또한 상기 가이드 부재는 상기 블로킹 플레이트와 상기 챔버의 상벽 간의 이격된 공간에 위치되는 배플 플레이트를 더 포함하되, 상기 배플 플레이트에는 상기 블로킹 플레이트와 상기 상벽 각각에 접촉되게 위치되고, 상기 배플 플레이트에는 일단에서 타단까지 관통되는 배플홀들이 복수 개로 형성될 수 있다.
상기 공정 챔버는 상기 배기 유닛이 연결되는 상부 바디 및 상기 상부 바디와 조합되어 내부에 상기 처리 공간을 형성하는 하부 바디를 포함하되, 상기 하부 바디는 상기 기판 지지 유닛의 측부 및 하부를 감싸는 내측 용기, 상기 내측 용기를 감싸며, 상기 상부 바디와 상하로 마주하는 외측 용기, 그리고 상기 내측 용기를 감싸며, 상기 내측 용기와 상기 외측 용기의 사이에 위치되는 중간 용기를 포함하되, 상기 기판 지지 유닛, 상기 내측 용기, 상기 중간 용기, 그리고 상기 외측 용기는 서로 이격되게 위치되고, 상기 내측 용기, 상기 중간 용기, 그리고 상기 외측 용기 각각에는 상기 공정 챔버의 외부로부터 기류가 유입되는 유입홀들이 형성될 수 있다.
또한 기판을 처리하는 장치는 내부에 처리 공간을 가지는 공정 챔버, 상기 처리 공간 내에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛, 상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판을 가열하는 가열 유닛, 상기 처리 공간 내부를 배기하는 배기 유닛, 그리고 상기 처리 공간 내의 기류 흐름을 안내하며, 상기 처리 공간을 제1공간과 제2공간으로 구획하는 가이드 부재를 포함하되, 상기 배기 유닛은 상기 공정 챔버의 상벽에 형성된 배기홀에 연결되고, 상기 가이드 부재에는 상기 제1공간과 상기 제2공간을 연통시키는 배플홀들이 형성되며, 상기 제1공간은 상기 기판 지지 유닛이 위치되는 공간으로 제공되고, 상기 제2공간은 상기 배기홀을 포함하는 상기 상벽과 인접한 공간으로 제공된다.
상기 가이드 부재는 블로킹된 중앙 영역과 배플홀이 형성된 가장자리 영역을 포함할 수 있다. 상부에서 바라볼 때 상기 가장자리 영역은 상기 기판 지지 유닛의 외측에 배열될 수 있다. 상기 중앙 영역과 상기 가장자리 영역은 동일 평면 상에 위치될 수 있다.
또한 상기 가장자리 영역은 상기 중앙 영역의 끝단으로부터 상부로 연장될 수 있다.
본 발명의 실시예에 의하면, 챔버 내에 기류 흐름은 기판의 외측 상부로 배기된다. 이로 인해 기류의 흐름으로 인한 기판의 영역 별 온도가 달라지는 것을 방지할 수 있다.
또한 본 발명의 실시예에 의하면, 기류는 히터와 인접한 영역을 통과하여 처리 공간 내에 유입된다. 이로 인해 기류에 의한 기판의 온도 저하를 최소화할 수 있다.
도 1은 일반적인 베이크 장치의 기류 방향을 보여주는 도면이다.
도 2는 도 1의 장치를 이용하여 베이크 처리된 기판을 보여주는 도면이다.
도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 사시도이다.
도 4는 도 3의 기판 처리 장치의 정면도이다.
도 5는 도 1의 도포 블럭 또는 현상 블럭을 보여주는 기판 처리 장치의 평면도이다.
도 6은 도 5의 반송 로봇의 핸드의 일 예를 보여주는 도면이다.
도 7은 도 5의 열처리 챔버의 일 예를 개략적으로 보여주는 평면도이다.
도 8은 도 5의 열처리 챔버의 정면도이다.
도 9는 도 8의 가열 유닛을 보여주는 단면도이다.
도 10은 도 9의 기판 지지 유닛을 보여주는 평면도이다.
도 11은 도 9의 상부 바디 및 가이드 부재를 보여주는 절단 사시도이다.
도 12는 도 11의 가이드 부재를 보여주는 평면도이다.
도 13은 도 9의 처리 공간에서 기류의 흐름을 보여주는 도면이다.
도 14는 도 9의 가이드 부재의 다른 실시예를 보여주는 단면도이다.
도 15는 도 4의 액 처리 챔버의 일 예를 개략적으로 보여주는 도면이다.
이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장된 것이다.
도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 사시도이고, 도 4는 도 3의 기판 처리 장치의 정면도이다. 도 5는 도 4의 도포 블럭 또는 현상 블럭을 보여주는 도 3의 기판 처리 장치의 평면도이다.
도 3 내지 도 5를 참조하면, 기판 처리 장치(1)는 인덱스 모듈(20,index module), 처리 모듈(30, treating module), 그리고 인터페이스 모듈(40, interface module)을 포함한다. 일 실시예에 의하며, 인덱스 모듈(20), 처리 모듈(30), 그리고 인터페이스 모듈(40)은 순차적으로 일렬로 배치된다. 이하, 인덱스 모듈(20), 처리 모듈(30), 그리고 인터페이스 모듈(40)이 배열된 방향을 제1 방향(12)이라 하고, 상부에서 바라볼 때 제1 방향(12)과 수직한 방향을 제2 방향(14)이라 하고, 제1 방향(12) 및 제2 방향(14)에 모두 수직한 방향을 제3 방향(16)이라 한다.
인덱스 모듈(20)은 기판(W)이 수납된 용기(10)로부터 기판(W)을 처리 모듈(30)로 반송하고, 처리가 완료된 기판(W)을 용기(10)로 수납한다. 인덱스 모듈(20)의 길이 방향은 제2 방향(14)으로 제공된다. 인덱스 모듈(20)은 로드포트(22)와 인덱스 프레임(24)을 가진다. 인덱스 프레임(24)을 기준으로 로드포트(22)는 처리 모듈(30)의 반대 측에 위치된다. 기판(W)들이 수납된 용기(10)는 로드포트(22)에 놓인다. 로드포트(22)는 복수 개가 제공될 수 있으며, 복수의 로드포트(22)는 제2 방향(14)을 따라 배치될 수 있다.
용기(10)로는 전면 개방 일체 식 포드(Front Open Unified Pod:FOUP)와 같은 밀폐용 용기(10)가 사용될 수 있다. 용기(10)는 오버헤드 트랜스퍼(Overhead Transfer), 오버헤드 컨베이어(Overhead Conveyor), 또는 자동 안내 차량(Automatic Guided Vehicle)과 같은 이송 수단(도시되지 않음)이나 작업자에 의해 로드포트(22)에 놓일 수 있다.
인덱스 프레임(24)의 내부에는 인덱스 로봇(2200)이 제공된다. 인덱스 프레임(24) 내에는 길이 방향이 제2 방향(14)으로 제공된 가이드 레일(2300)이 제공되고, 인덱스 로봇(2200)은 가이드 레일(2300) 상에서 이동 가능하게 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(2200)은 기판(W)이 놓이는 핸드(2220)를 포함하며, 핸드(2220)는 전진 및 후진 이동, 제3 방향(16)을 축으로 한 회전, 그리고 제3 방향(16)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다.
처리 모듈(30)은 기판(W)에 대해 도포 공정 및 현상 공정을 수행한다. 처리 모듈(30)은 도포 블럭(30a) 및 현상 블럭(30b)을 가진다. 도포 블럭(30a)은 기판(W)에 대해 도포 공정을 수행하고, 현상 블럭(30b)은 기판(W)에 대해 현상 공정을 수행한다. 도포 블럭(30a)은 복수 개가 제공되며, 이들은 서로 적층되게 제공된다. 현상 블럭(30b)은 복수 개가 제공되며, 현상 블럭들(30b)은 서로 적층되게 제공된다. 도 3의 실시예에 의하면, 도포 블럭(30a)은 2개가 제공되고, 현상 블럭(30b)은 2개가 제공된다. 도포 블럭들(30a)은 현상 블럭들(30b)의 아래에 배치될 수 있다. 일 예에 의하면, 2개의 도포 블럭들(30a)은 서로 동일한 공정을 수행하며, 서로 동일한 구조로 제공될 수 있다. 또한, 2개의 현상 블럭들(30b)은 서로 동일한 공정을 수행하며, 서로 동일한 구조로 제공될 수 있다.
도 5를 참조하면, 도포 블럭(30a)은 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 액 처리 챔버(3600), 그리고 버퍼 챔버(3800)를 가진다. 열처리 챔버(3200)는 기판(W)에 대해 열처리 공정을 수행한다. 열처리 공정은 냉각 공정 및 가열 공정을 포함할 수 있다. 액처리 챔버(3600)는 기판(W) 상에 액을 공급하여 액막을 형성한다. 액막은 포토레지스트막 또는 반사방지막일 수 있다. 반송 챔버(3400)는 도포 블럭(30a) 내에서 열처리 챔버(3200)와 액처리 챔버(3600) 간에 기판(W)을 반송한다.
반송 챔버(3400)는 그 길이 방향이 제1 방향(12)과 평행하게 제공된다. 반송 챔버(3400)에는 반송 로봇(3422)이 제공된다. 반송 로봇(3422)은 열처리 챔버(3200), 액처리 챔버(3600), 그리고 버퍼 챔버(3800) 간에 기판을 반송한다. 일 예에 의하면, 반송 로봇(3422)은 기판(W)이 놓이는 핸드(3420)를 가지며, 핸드(3420)는 전진 및 후진 이동, 제3 방향(16)을 축으로 한 회전, 그리고 제3 방향(16)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다. 반송 챔버(3400) 내에는 그 길이 방향이 제1 방향(12)과 평행하게 제공되는 가이드 레일(3300)이 제공되고, 반송 로봇(3422)은 가이드 레일(3300) 상에서 이동 가능하게 제공될 수 있다.
도 6은 도 5의 반송 로봇의 핸드의 일 예를 보여주는 도면이다. 도 6을 참조하면, 핸드(3420)는 베이스(3428) 및 지지 돌기(3429)를 가진다. 베이스(3428)는 원주의 일부가 절곡된 환형의 링 형상을 가질 수 있다. 베이스(3428)는 기판(W)의 직경보다 큰 내경을 가진다. 지지 돌기(3429)는 베이스(3428)로부터 그 내측으로 연장된다. 지지 돌기(3429)는 복수 개가 제공되며, 기판(W)의 가장자리 영역을 지지한다. 일 예에 의하며, 지지 돌기(3429)는 등 간격으로 4개가 제공될 수 있다.
열처리 챔버(3200)는 복수 개로 제공된다. 도 4와 도 5를 참조하면, 열처리 챔버들(3200)은 제1방향(12)을 따라 나열되게 배치된다. 열처리 챔버들(3200)은 반송 챔버(3400)의 일측에 위치된다.
도 7은 도 5의 열처리 챔버의 일 예를 개략적으로 보여주는 평면도이고, 도 8은 도 7의 열처리 챔버의 정면도이다. 열처리 챔버(3200)는 하우징(3210), 냉각 유닛(3220), 가열 유닛(3230), 그리고 반송 플레이트(3240)를 가진다.
하우징(3210)은 대체로 직육면체의 형상으로 제공된다. 하우징(3210)의 측벽에는 기판(W)이 출입되는 반입구(도시되지 않음)가 형성된다. 반입구는 개방된 상태로 유지될 수 있다. 선택적으로 반입구를 개폐하도록 도어(도시되지 않음)가 제공될 수 있다. 냉각 유닛(3220), 가열 유닛(3230), 그리고 반송 플레이트(3240)는 하우징(3210) 내에 제공된다. 냉각 유닛(3220) 및 가열 유닛(3230)은 제2 방향(14)을 따라 나란히 제공된다. 일 예에 의하면, 냉각 유닛(3220)은 가열 유닛(3230)에 비해 반송 챔버(3400)에 더 가깝게 위치될 수 있다.
냉각 유닛(3220)은 냉각판(3222)을 가진다. 냉각판(3222)은 상부에서 바라볼 때 대체로 원형의 형상을 가질 수 있다. 냉각판(3222)에는 냉각부재(3224)가 제공된다. 일 예에 의하면, 냉각부재(3224)는 냉각판(3222)의 내부에 형성되며, 냉각 유체가 흐르는 유로로 제공될 수 있다.
가열 유닛(3230)은 기판을 상온보다 높은 온도로 가열하는 장치(1000)로 제공된다. 가열 유닛(3230)은 상압 또는 이보다 낮은 감압 분위기에서 기판(W)을 가열 처리한다. 도 9는 가열 유닛을 개략적으로 보여주는 단면도이다. 도 9를 참조하면, 가열 유닛(1000)는 챔버(1100), 기판 지지 유닛(1200), 히터 유닛(1400), 배기 유닛(1500), 그리고 가이드 부재(1600)를 포함한다.
챔버(1100)는 내부에 기판(W)을 가열 처리하는 처리 공간(1110)을 제공한다. 처리 공간(1110)은 외부와 차단된 공간으로 제공된다. 챔버(1100)은 상부 바디(1120), 하부 바디(1140), 그리고 실링 부재(1160)를 포함한다.
상부 바디(1120)는 하부가 개방된 통 형상으로 제공된다. 상부 바디(1120)의 상면에는 배기홀(1122)이 형성된다. 배기홀(1122)은 상부 바디(1120)의 중심에 형성된다. 배기홀(1122)은 처리 공간(1110)의 분위기를 배기한다. 이에 따라 처리 공간(1110)은 상부 배기 방식으로 배기된다.
하부 바디(1140)는 히터 유닛(1400)으로부터 발생된 열이 외부로 방열되는 것을 최소화시킨다. 하부 바디(1140)는 상부가 개방된 통 형상으로 제공된다. 하부 바디(1140)는 상부 바디(1120)의 아래에 위치된다. 상부 바디(1120) 및 하부 바디(1140)는 서로 조합되어 내부에 처리 공간(1110)을 형성한다. 상부 바디(1120) 및 하부 바디(1140)는 상하 방향에 대해 서로의 중심축이 일치되게 위치된다.
하부 바디(1140)는 내측 용기(1146), 중간 용기(1144), 그리고 외측 용기(1142)를 포함한다. 내측 용기(1146)는 기판 지지 유닛(1300)의 주변을 감싸는 통 형상을 가진다. 내측 용기(1146)는 기판 지지 유닛(1300)으로부터 소정 이격되게 위치된다. 내측 용기(1146)의 상단은 기판 지지 유닛(1300)과 동일하거나 이보다 높을 수 있다. 중간 용기(1144)는 내측 용기(1146)의 주변을 감싸는 통 형상을 가진다. 중간 용기(1144)는 내측 용기(1146)로부터 소정 이격되게 위치된다. 중간 용기(1144)의 상단은 내측 용기(1146)와 동일하게 제공될 수 있다. 외측 용기(1142)는 중간 용기(1144)의 주변을 감싸는 통 형상을 가진다. 외측 용기(1142)는 중간 용기(1144)로부터 소정 이격되게 위치된다. 외측 용기(1142)의 상단은 중간 용기(1144)와 동일하거나 이보다 높을 수 있다. 서로 인접한 용기들 사이에는 이들이 이격되도록 용기들을 지지하는 지지대(미도시)가 설치된다.
각각의 용기(1142,1144,1146)에는 외부로부터 기류가 유입되는 유입홀들(1142a,1144a,1146a)이 형성된다. 기판 지지 유닛(1300)과 내측 용기(1146)의 사이 공간, 그리고 각각의 용기(1142,1144,1146)의 사이 공간은 기류가 도입되는 도입 공간으로 제공된다. 예컨대, 상부에서 바라볼 때 각각의 유입홀(1142a,1144a,1146a)은 서로 중첩되지 않도록 배열될 수 있다. 내측 용기(1146)에 형성된 유입홀들(1146a)은 중간 용기(1144) 및 외측 용기(1142)에 형성된 유입홀들(1142a,1144a)보다 기판(W)의 중심축에 더 가까이 위치될 수 있다. 이에 따라 각 도입 공간의 경로 길이를 동일하게 조절할 수 있다.
선택적으로 상부에서 바라볼 때 각각의 유입홀(1142a,1144a,1146a)은 서로 중첩되게 배열될 수 있다.
외측 용기(1142)는 상부 바디(1120)와 상하 방향으로 서로 마주보도록 위치된다. 외측 용기(1142)는 상부 바디(1120)와 동일한 직경을 가질 수 있다. 즉, 외측 용기(1142)의 상단은 상부 바디(1120)의 하단과 대향되게 위치될 수 있다.
상부 바디(1120) 및 외측 용기(1142) 중 하나는 승강 부재(1130)에 의해 개방 위치와 차단 위치로 이동되고, 다른 하나는 그 위치가 고정된다. 본 실시예에는 외측 용기(1142)의 위치가 고정되고, 상부 바디(1120)가 이동되는 것으로 설명한다. 개방 위치는 상부 바디(1120)와 외측 용기(1142)가 서로 이격되어 처리 공간(1110)이 개방되는 위치이다. 차단 위치는 외측 용기(1142) 및 상부 바디(1120)에 의해 처리 공간(1110)이 외부로부터 밀폐되는 위치이다.
실링 부재(1160)는 상부 바디(1120)와 외측 용기 사이에 위치된다. 실링 부재(1160)는 차단 위치로 이동된 상부 바디(1120)와 하부 바디(1140)의 틈이 밀폐되도록 실링한다. 실링 부재(1160)는 환형의 링 형상으로 제공될 수 있다. 실링 부재(1160)는 외측 용기(1142)의 상단에 고정 결합될 수 있다.
기판 지지 유닛(1300)은 처리 공간(1110)에서 기판(W)을 지지한다. 기판 지지 유닛(1300)은 하부 바디(1140)에 고정 결합된다. 기판 지지 유닛(1300)은 지지 플레이트(1320) 및 리프트 부재(1340)를 포함한다. 도 10은 도 9의 기판 지지 유닛을 보여주는 평면도이다. 도 9 및 도 10을 참조하면, 지지 플레이트(1320)는 히터 유닛(1400)으로부터 발생된 열을 기판(W)으로 전달한다. 지지 플레이트(1320)는 원형의 판 형상으로 제공된다. 지지 플레이트(1320)의 상면은 기판(W)보다 큰 직경을 가진다. 지지 플레이트(1320)의 상면은 기판(W)이 놓이는 안착면(1320a)으로 기능한다. 안착면(1320a)에는 복수의 리프트 홀들(1322)이 형성된다. 상부에서 바라볼 때 리프트 홀들(1322)은 지지 플레이트(1320)의 상면의 중심을 감싸도록 배열된다. 각각의 리프트 홀들(1322)은 원주 방향을 따라 서로 이격되게 배열된다. 리프트 홀들(1322)은 서로 간에 동일 간격으로 이격되게 위치될 수 있다.
예컨대, 리프트 홀들(1322)은 각각 3 개로 제공될 수 있다. 지지 플레이트(1320)는 질화 알루미늄(AlN)을 포함하는 재질로 제공될 수 있다.
리프트 부재(1340)는 지지 플레이트(1320) 상에서 기판(W)을 승하강시킨다. 리프트 부재(1340)는 리프트 핀(1342) 및 구동 부재(미도시)를 포함한다. 리프트 핀(1342)은 복수 개로 제공되며, 각각은 수직한 상하 방향을 향하는 핀 형상으로 제공된다. 각각의 리프트 홀(1322)에는 리프트 핀(1340)이 위치된다. 구동 부재(미도시)는 각각의 리프트 핀들(1342)을 승강 위치와 하강 위치 간에 이동시킨다. 여기서 승강 위치는 리프트 핀(1342)의 상단이 안착면(1320a)보다 높은 위치이고, 하강 위치는 리프트 핀(1342)의 상단이 안착면(1320a)과 동일하거나 이보다 낮은 위치로 정의한다. 구동 부재(미도시)는 챔버(1100)의 외부에 위치될 수 있다. 구동 부재(미도시)는 실린더일 수 있다.
히터 유닛(1400)은 지지 플레이트(1320)에 놓여진 기판(W)을 가열 처리한다. 히터 유닛(1400)은 지지 플레이트(1320)에 놓여진 기판(W)보다 아래에 위치된다. 히터 유닛(1400)은 복수 개의 히터들(1420)을 포함한다. 히터들(1420)은 지지 플레이트(1320) 내에 위치된다. 선택적으로 히터들(1420)은 지지 플레이트(1320)의 저면에 위치될 수 있다. 히터들(1420)은 동일 평면 상에 위치된다. 히터들(1420)은 지지면의 서로 상이한 영역을 가열한다. 상부에서 바라볼 때 각 히터(1420)에 대응되는 지지 플레이트(1320)의 영역은 히팅존들로 제공될 수 있다. 히팅존들 중 일부는 지지 플레이트(1320)의 중앙 영역에 위치되고, 다른 일부는 가장자리 영역에 위치될 수 있다. 각각의 히터(1420)는 온도가 독립 조절 가능하다. 예컨대, 히팅존은 15 개일 수 있다. 각 히팅존은 측정 부재(미도시)에 의해 온도가 측정된다. 히터(1400)는 열전 소자 또는 열선일 수 있다.
배기 유닛(1500)은 처리 공간(1110) 내부를 강제 배기한다. 배기 유닛(1500)은 배기관(1530) 및 감압 부재를 포함한다. 배기관(1530)는 길이 방향이 수직한 상하 방향을 향하는 관 형상을 가진다. 배기관(1530)는 상부 바디(1120)의 상벽을 연결된다. 일 예에 의하면, 배기관(1530)는 배기홀(1122)에 삽입되게 위치될 수 있다. 배기관(1530)에는 감압 부재(1560)가 연결된다. 감압 부재(1560)는 배기관(1530)를 감압한다. 이에 따라 가이드 부재(1520)에 의해 구획된 처리 공간(1110)의 분위기는 제1공간(1110a), 제2공간(1110b), 그리고 배기관(1530)를 순차적으로 거쳐 배기된다.
가이드 부재(1600)는 처리 공간(1110) 내 기류의 흐름을 안내한다. 가이드 부재(1600)는 처리 공간(1110)을 제1공간(1110a)과 제2공간(1110b)으로 구획한다. 여기서 제1공간(1110a)은 처리 공간(1110)의 하부 공간이고, 제2공간(1110b)은 처리 공간(1110)의 상부 공간으로 정의한다. 예컨대, 제1공간(1110a)은 기판 지지 유닛(1300)의 상면과 가이드 부재(1600)의 저면의 사이 공간이고, 제2공간(1110b)은 가이드 부재(1600)의 상면과 챔버의 상벽의 사이 공간일 수 있다. 제1공간(1110a)은 기판 지지 유닛(1300)이 위치되는 공간이고, 제2공간(1110b)은 배기홀(1122)을 포함하는 상벽과 인접한 공간일 수 있다. 따라서 처리 공간(1110) 내 기류 흐름은 제1공간(1110a), 제2공간(1110b), 그리고 배기홀(1122)을 순차적으로 거쳐 이동된다. 가이드 부재(1600)는 제1공간(1110a) 내 유입된 기류가 기판의 상면을 거치지 않고, 제2공간(1110b)으로 이동되도록 안내한다. 다만, 제1공간(1110a)의 중앙 영역에는 기류의 이동이 정체되는 것이 아니며, 열팽창으로 인한 기류 이동이 발생된다.
도 11은 도 9의 상부 바디 및 가이드 부재를 보여주는 절단 사시도이고, 도 12는 도 11의 가이드 부재를 보여주는 평면도이다. 도 11 및 도 12를 참조하면, 가이드 부재(1600)는 블로킹 플레이트(1620) 및 배플 플레이트(1640)를 포함한다. 블로킹 플레이트(1620)는 가이드 부재(1600)의 블로킹 영역인 중앙 영역을 포함하고, 배플 플레이트(1640)는 가이드 부재(1600)의 중앙 영역을 감싸는 가장자리 영역을 포함한다. 블로킹 플레이트(1620)는 처리 공간(1110)에서 기판 지지 유닛(1300)의 상부에 위치된다. 블로킹 플레이트(1620)는 기판 지지 유닛(1300)과 마주하는 판 형상으로 제공된다. 블로킹 플레이트(1620)는 기판(W)보다 크고, 챔버(1100)의 내경보다 작은 직경을 가진다. 블로킹 플레이트(1620)는 챔버(1100)의 내측벽과 이격되게 위치될 수 있다. 상부에서 바라볼 때 블로킹 플레이트(1620)는 기판 지지 유닛(1300)과 중첩되게 위치된다. 블로킹 플레이트(1620)는 챔버(1100)와 중심축이 일치되도록 위치될 수 있다. 배플 플레이트(1640)는 블로킹 플레이트(1620)와 챔버(1100)의 내측벽의 사이 공간을 감싸는 링 형상으로 제공된다. 배플 플레이트(1640)는 블로킹 플레이트(1620)의 측단으로부터 반경 방향으로 연장되게 제공된다. 배플 플레이트(1640)에는 상단에서 하단까지 관통되는 배플홀(1642)들이 형성된다. 배플홀(1642)들은 배플 플레이트(1640)의 원주 방향을 따라 배열된다. 배플홀(1642)들은 서로 조합되어 링 형상을 가지도록 배열된다. 상부에서 바라볼 때 배플홀(1642)들은 기판 지지 유닛(1300)의 외측과 중첩되게 배열될 수 있다. 배플홀(1642)들은 원형 또는 슬릿 형상으로 제공될 수 있다. 배플홀(1642)들은 원주 방향을 따라 복수 열로 배열될 수 있다. 각각의 배플홀(1642)은 서로 동일한 폭을 가질 수 있다. 선택적으로 배플홀들(1642)은 배플 플레이트(1640)의 중심축으로부터 떨어진 거리에 따라 서로 다른 폭을 가질 수 있다. 일 예에 의하면, 배플 플레이트(1640)는 블로킹 플레이트(1620)와 챔버(1100)의 내측벽 각각에 접촉되게 위치될 수 있다.
이로 인해 기판 지지 유닛(1300)의 외측으로부터 유입되는 기류는 제1공간(1110a)의 중앙 영역을 거치지 않고, 제1공간(1110a)의 가장자리 영역에 마주하는 배플홀(1642)로 이동된다. 제1공간(1110a)의 중앙 영역에는 열팽창으로 인한 기류의 이동이 발생되며, 도 13과 같은 기류 흐름이 형성된다. 배플홀(1642)을 통과하여 제2공간(1110b)으로 이동된 기류는 배기홀(1122)을 통해 배기된다.
이에 따라 기판(W)의 가장자리 영역은 중앙 영역에 비해 상대적으로 낮은 온도로 가열될지라도, 제1공간(1110a)의 중앙 영역에서 열팽창으로 인한 기류 이동으로 인해, 기판(W)의 중앙 영역과 가장자리 영역 간 액막의 유기물 휘발량을 균일하게 조절할 수 있다.
또한 기류는 히터 유닛(1400)이 위치되는 내측 용기(1146), 이를 감싸는 중간 용기(1144), 그리고 이들을 감싸는 외측 용기(1142)를 통해 유입되므로, 제1공간(1110a)에 이동되는 과정에서 예열된다. 이로 인해 처리 공간(1110)에 유입된 기류가 기판(W)의 온도를 하락시키는 것을 최소화할 수 있다.
상술한 실시예에는 처리공간(1110) 내 기류를 상부 가장자리 배기하는 방식으로, 배플 플레이트(1640)가 블로킹 플레이트(1620)의 끝단에서 반경 방향으로 연장된 링 형상으로 설명하였다. 그러나 도 14와 같이, 상부 가장자리 배기 방식으로 배플 플레이트(1640)는 블로킹 플레이트(1620)의 끝단에서 상부 방향으로 연장된 링 형상으로 제공될 수있다.
다시 도 7 및 도 8을 참조하면, 반송 플레이트(3240)는 대체로 원판 형상을 제공되고, 기판(W)과 대응되는 직경을 가진다. 반송 플레이트(3240)의 가장자리에는 노치(3244)가 형성된다. 노치(3244)는 상술한 반송 로봇(3422, 3424)의 핸드(3420)에 형성된 돌기(3429)와 대응되는 형상을 가질 수 있다. 또한, 노치(3244)는 핸드(3420)에 형성된 돌기(3429)와 대응되는 수로 제공되고, 돌기(3429)와 대응되는 위치에 형성된다. 핸드(3420)와 반송 플레이트(3240)가 상하 방향으로 정렬된 위치에서 핸드(3420)와 반송 플레이트(3240)의 상하 위치가 변경하면 핸드(3420)와 반송 플레이트(3240) 간에 기판(W)의 전달이 이루어진다. 반송 플레이트(3240)는 가이드 레일(3249) 상에 장착되고, 구동기(3246)에 의해 가이드 레일(3249)을 따라 제1영역(3212)과 제2영역(3214) 간에 이동될 수 있다. 반송 플레이트(3240)에는 슬릿 형상의 가이드 홈(3242)이 복수 개 제공된다. 가이드 홈(3242)은 반송 플레이트(3240)의 끝단에서 반송 플레이트(3240)의 내부까지 연장된다. 가이드 홈(3242)은 그 길이 방향이 제2 방향(14)을 따라 제공되고, 가이드 홈(3242)들은 제1 방향(12)을 따라 서로 이격되게 위치된다. 가이드 홈(3242)은 반송 플레이트(3240)와 가열 유닛(3230) 간에 기판(W)의 인수인계가 이루어질 때 반송 플레이트(3240)와 리프트 핀(1340)이 서로 간섭되는 것을 방지한다.
기판(W)의 가열은 기판(W)이 지지 플레이트(1320) 상에 직접 놓인 상태에서 이루어지고, 기판(W)의 냉각은 기판(W)이 놓인 반송 플레이트(3240)가 냉각판(3222)에 접촉된 상태에서 이루어진다. 냉각판(3222)과 기판(W) 간에 열전달이 잘 이루어지도록 반송 플레이트(3240)은 열전달율이 높은 재질로 제공된다. 일 예에 의하면, 반송 플레이트(3240)은 금속 재질로 제공될 수 있다.
열처리 챔버들(3200) 중 일부의 열처리 챔버에 제공된 가열 유닛(3230)은 기판(W) 가열 중에 가스를 공급하여 포토레지스트의 기판(W) 부착률을 향상시킬 수 있다. 일 예에 의하면, 가스는 헥사메틸디실란(hexamethyldisilane) 가스일 수 있다.
액처리 챔버(3600)는 복수 개로 제공된다. 액처리 챔버들(3600) 중 일부는 서로 적층되도록 제공될 수 있다. 도 8은 액처리 챔버의 일 예를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 4 및 도 5를 참조하면, 액 처리 챔버들(3600)은 반송 챔버(3402)의 일측에 배치된다. 액 처리 챔버들(3600)은 제1방향(12)을 따라 나란히 배열된다. 액 처리 챔버들(3600) 중 일부는 인덱스 모듈(20)과 인접한 위치에 제공된다. 이하, 이들 액처리 챔버를 전단 액처리 챔버(3602)(front liquid treating chamber)라 칭한다. 액 처리 챔버들(3600)은 중 다른 일부는 인터페이스 모듈(40)과 인접한 위치에 제공된다. 이하, 이들 액처리 챔버를 후단 액처리 챔버(3604)(rear heat treating chamber)라 칭한다.
전단 액처리 챔버(3602)는 기판(W)상에 제1액을 도포하고, 후단 액처리 챔버(3604)는 기판(W) 상에 제2액을 도포한다. 제1액과 제2액은 서로 상이한 종류의 액일 수 있다. 일 실시예에 의하면, 제1액은 반사 방지막이고, 제2액은 포토레지스트이다. 포토레지스트는 반사 방지막이 도포된 기판(W) 상에 도포될 수 있다. 선택적으로 제1액은 포토레지스트이고, 제2액은 반사방지막일 수 있다. 이 경우, 반사방지막은 포토레지스트가 도포된 기판(W) 상에 도포될 수 있다. 선택적으로 제1액과 제2액은 동일한 종류의 액이고, 이들은 모두 포토레지스트일 수 있다.
도 15는 도 4의 액 처리 챔버의 일 예를 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 15를 참조하면, 액 처리 챔버(3602, 3604)는 하우징(3610), 컵(3620), 지지유닛(3640), 그리고 액 공급 유닛(3660)을 가진다. 하우징(3610)은 대체로 직육면체의 형상으로 제공된다. 하우징(3610)의 측벽에는 기판(W)이 출입되는 반입구(도시되지 않음)가 형성된다. 반입구는 도어(도시되지 않음)에 의해 개폐될 수 있다. 컵(3620), 지지유닛(3640), 그리고 액 공급 유닛(3660)은 하우징(3610) 내에 제공된다. 하우징(3610)의 상벽에는 하우징(3260) 내에 하강 기류를 형성하는 팬필터유닛(3670)이 제공될 수 있다. 컵(3620)은 상부가 개방된 처리 공간을 가진다. 지지유닛(3640)은 처리 공간 내에 배치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지유닛(3640)은 액처리 도중에 기판(W)이 회전 가능하도록 제공된다. 액 공급유닛(3660)은 지지유닛(3640)에 지지된 기판(W)으로 액을 공급한다.
다시 도 4 및 도 5를 참조하면, 버퍼 챔버(3800)는 복수 개로 제공된다. 버퍼 챔버들(3800) 중 일부는 인덱스 모듈(20)과 반송 챔버(3400) 사이에 배치된다. 이하, 이들 버퍼 챔버를 전단 버퍼(3802)(front buffer)라 칭한다. 전단 버퍼들(3802)은 복수 개로 제공되며, 상하 방향을 따라 서로 적층되게 위치된다. 버퍼 챔버들(3802, 3804) 중 다른 일부는 반송 챔버(3400)와 인터페이스 모듈(40) 사이에 배치된다 이하. 이들 버퍼 챔버를 후단 버퍼(3804)(rear buffer)라 칭한다. 후단 버퍼들(3804)은 복수 개로 제공되며, 상하 방향을 따라 서로 적층되게 위치된다. 전단 버퍼들(3802) 및 후단 버퍼들(3804) 각각은 복수의 기판들(W)을 일시적으로 보관한다. 전단 버퍼(3802)에 보관된 기판(W)은 인덱스 로봇(2200) 및 반송 로봇(3422)에 의해 반입 또는 반출된다. 후단 버퍼(3804)에 보관된 기판(W)은 반송 로봇(3422) 및 제1로봇(4602)에 의해 반입 또는 반출된다.
현상 블럭(30b)은 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 그리고 액처리 챔버(3600)를 가진다. 현상 블럭(30b)의 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 그리고 액처리 챔버(3600)는 도포 블럭(30a)의 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 그리고 액처리 챔버(3600)와 대체로 유사한 구조 및 배치로 제공되므로, 이에 대한된다. 다만, 현상 블록(30b)에서 액처리 챔버들(3600)은 모두 동일하게 현상액을 공급하여 기판을 현상 처리하는 현상 챔버(3600)로 제공된다.
인터페이스 모듈(40)은 처리 모듈(30)을 외부의 노광 장치(50)와 연결한다. 인터페이스 모듈(40)은 인터페이스 프레임(4100), 부가 공정 챔버(4200), 인터페이스 버퍼(4400), 그리고 반송 부재(4600)를 가진다.
인터페이스 프레임(4100)의 상단에는 내부에 하강기류를 형성하는 팬필터유닛이 제공될 수 있다. 부가 공정 챔버(4200), 인터페이스 버퍼(4400), 그리고 반송 부재(4600)는 인터페이스 프레임(4100)의 내부에 배치된다. 부가 공정 챔버(4200)는 도포 블럭(30a)에서 공정이 완료된 기판(W)이 노광 장치(50)로 반입되기 전에 소정의 부가 공정을 수행할 수 있다. 선택적으로 부가 공정 챔버(4200)는 노광 장치(50)에서 공정이 완료된 기판(W)이 현상 블럭(30b)으로 반입되기 전에 소정의 부가 공정을 수행할 수 있다. 일 예에 의하면, 부가 공정은 기판(W)의 에지 영역을 노광하는 에지 노광 공정, 또는 기판(W)의 상면을 세정하는 상면 세정 공정, 또는 기판(W)의 하면을 세정하는 하면 세정공정일 수 있다. 부가 공정 챔버(4200)는 복수 개가 제공되고, 이들은 서로 적층되도록 제공될 수 있다. 부가 공정 챔버(4200)는 모두 동일한 공정을 수행하도록 제공될 수 있다. 선택적으로 부가 공정 챔버(4200)들 중 일부는 서로 다른 공정을 수행하도록 제공될 수 있다.
인터페이스 버퍼(4400)는 도포 블럭(30a), 부가 공정챔버(4200), 노광 장치(50), 그리고 현상 블럭(30b) 간에 반송되는 기판(W)이 반송도중에 일시적으로 머무르는 공간을 제공한다. 인터페이스 버퍼(4400)는 복수 개가 제공되고, 복수의 인터페이스 버퍼들(4400)은 서로 적층되게 제공될 수 있다.
일 예에 의하면, 반송 챔버(3400)의 길이 방향의 연장선을 기준으로 일 측면에는 부가 공정 챔버(4200)가 배치되고, 다른 측면에는 인터페이스 버퍼(4400)가 배치될 수 있다.
반송 부재(4600)는 도포 블럭(30a), 부가 공정챔버(4200), 노광 장치(50), 그리고 현상 블럭(30b) 간에 기판(W)을 반송한다. 반송 부재(4600)는 1개 또는 복수 개의 로봇으로 제공될 수 있다. 일 예에 의하면, 반송 부재(4600)는 제1로봇(4602) 및 제2로봇(4606)을 가진다. 제1로봇(4602)은 도포 블럭(30a), 부가 공정챔버(4200), 그리고 인터페이스 버퍼(4400) 간에 기판(W)을 반송하고, 인터페이스 로봇(4606)은 인터페이스 버퍼(4400)와 노광 장치(50) 간에 기판(W)을 반송하고, 제2로봇(4604)은 인터페이스 버퍼(4400)와 현상 블럭(30b) 간에 기판(W)을 반송하도록 제공될 수 있다.
제1로봇(4602) 및 제2로봇(4606)은 각각 기판(W)이 놓이는 핸드를 포함하며, 핸드는 전진 및 후진 이동, 제3 방향(16)에 평행한 축을 기준으로 한 회전, 그리고 제3 방향(16)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다.
인덱스 로봇(2200), 제1로봇(4602), 그리고 제2 로봇(4606)의 핸드는 모두 반송 로봇(3422, 3424)의 핸드(3420)와 동일한 형상으로 제공될 수 있다. 선택적으로 열처리 챔버의 반송 플레이트(3240)와 직접 기판(W)을 주고받는 로봇의 핸드는 반송 로봇(3422, 3424)의 핸드(3420)와 동일한 형상으로 제공되고, 나머지 로봇의 핸드는 이와 상이한 형상으로 제공될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 인덱스 로봇(2200)은 도포 블럭(30a)에 제공된 전단 열처리 챔버(3200)의 가열 유닛(3230)과 직접 기판(W)을 주고받을 수 있도록 제공된다.
또한, 도포 블럭(30a) 및 현상 블럭(30b)에 제공된 반송 로봇(3422)은 열처리 챔버(3200)에 위치된 반송 플레이트(3240)와 직접 기판(W)을 주고받을 수 있도록 제공될 수 있다.
다음에는 상술한 기판 처리 장치(1)를 이용하여 기판을 처리하는 방법의 일 실시예에 대해 설명한다.
기판(W)에 대해 도포 처리 공정(S20), 에지 노광 공정(S40), 노광 공정(S60), 그리고 현상 처리 공정(S80)이 순차적으로 수행된다.
도포 처리 공정(S20)은 열처리 챔버(3200)에서 열처리 공정(S21), 전단 액처리 챔버(3602)에서 반사방지막 도포 공정(S22), 열처리 챔버(3200)에서 열처리 공정(S23), 후단 액처리 챔버(3604)에서 포토레지스트막 도포 공정(S24), 그리고 열처리 챔버(3200)에서 열처리 공정(S25)이 순차적으로 이루어짐으로써 수행된다.
이하, 용기(10)에서 노광 장치(50)까지 기판(W)의 반송 경로의 일 예를 설명한다.
인덱스 로봇(2200)은 기판(W)을 용기(10)에서 꺼내서 전단 버퍼(3802)로 반송한다. 반송 로봇(3422)은 전단 버퍼(3802)에 보관된 기판(W)을 전단 열처리 챔버(3200)로 반송한다. 기판(W)은 반송 플레이트(3240)에 의해 가열 유닛(3230)에 기판(W)을 반송한다. 가열 유닛(3230)에서 기판의 가열 공정이 완료되면, 반송 플레이트(3240)는 기판을 냉각 유닛(3220)으로 반송한다. 반송 플레이트(3240)는 기판(W)을 지지한 상태에서, 냉각 유닛(3220)에 접촉되어 기판(W)의 냉각 공정을 수행한다. 냉각 공정이 완료되면, 반송 플레이트(3240)가 냉각 유닛(3220)의 상부로 이동되고, 반송 로봇(3422)은 열처리 챔버(3200)에서 기판(W)을 반출하여 전단 액처리 챔버(3602)로 반송한다.
전단 액처리 챔버(3602)에서 기판(W) 상에 반사 방지막을 도포한다.
반송 로봇(3422)이 전단 액처리 챔버(3602)에서 기판(W)을 반출하여 열처리 챔버(3200)로 기판(W)을 반입한다. 열처리 챔버(3200)에는 상술한 가열 공정 및 냉각 공정 순차적으로 진행되고, 각 열처리 공정이 완료되면, 반송 로봇(3422)은 기판(W)을 반출하여 후단 액처리 챔버(3604)로 반송한다.
이후, 후단 액처리 챔버(3604)에서 기판(W) 상에 포토레지스트막을 도포한다.
반송 로봇(3422)이 후단 액처리 챔버(3604)에서 기판(W)을 반출하여 열처리 챔버(3200)으로 기판(W)을 반입한다. 열처리 챔버(3200)에는 상술한 가열 공정 및 냉각 공정이 순차적으로 진행되고, 각 열처리 공정이 완료되면, 반송 로봇(3422)은 기판(W)을 후단 버퍼(3804)로 반송한다. 인터페이스 모듈(40)의 제1로봇(4602)이 후단 버퍼(3804)에서 기판(W)을 반출하여 보조 공정챔버(4200)로 반송한다.
보조 공정챔버(4200)에서 기판(W)에 대해 에지 노광 공정이 수행된다.
이후, 제1로봇(4602)이 보조 공정챔버(4200)에서 기판(W)을 반출하여 인터페이스 버퍼(4400)로 기판(W)을 반송한다.
이후, 제2로봇(4606)은 인터페이스 버퍼(4400)에서 기판(W)을 반출하여 노광 장치(50)로 반송한다.
현상 처리 공정(S80)은 열처리 챔버(3200)에서 열처리 공정(S81), 액처리 챔버(3600)에서 현상 공정(S82), 그리고 열처리 챔버(3200)에서 열처리 공정(S83)이 순차적으로 이루어짐으로써 수행된다.
이하, 노광 장치(50)에서 용기(10)까지 기판(W)의 반송 경로의 일 예를 설명한다,
제2로봇(4606)이 노광 장치(50)에서 기판(W)을 반출하여 인터페이스 버퍼(4400)로 기판(W)을 반송한다.
이후, 제1로봇(4602)이 인터페이스 버퍼(4400)에서 기판(W)을 반출하여 후단 버퍼(3804)로 기판(W)을 반송한다. 반송 로봇(3422)은 후단 버퍼(3804)에서 기판(W)을 반출하여 열처리 챔버(3200)로 기판(W)을 반송한다. 열처리 챔버(3200)에는 기판(W)의 가열 공정 및 냉각 공정이 순차적으로 수행한다. 냉각 공정이 완료되면, 기판(W)은 반송 로봇(3422)에 의해 현상 챔버(3600)로 반송한다.
현상 챔버(3600)에는 기판(W) 상에 현상액을 공급하여 현상 공정을 수행한다.
기판(W)은 반송 로봇(3422)에 의해 현상 챔버(3600)에서 반출되어 열처리 챔버(3200)로 반입된다. 기판(W)은 열처리 챔버(3200)에서 가열 공정 및 냉각 공정이 순차적으로 수행된다. 냉각 공정이 완료되면, 기판(W)은 반송 로봇(3422)에 의해 열처리 챔버(3200)에서 기판(W)을 반출되어 전단 버퍼(3802)로 반송한다.
이후, 인덱스 로봇(2200)이 전단 버퍼(3802)에서 기판(W)을 꺼내어 용기(10)로 반송한다.
상술한 기판 처리 장치(1)의 처리 블럭은 도포 처리 공정과 현상 처리 공정을 수행하는 것으로 설명하였다. 그러나 이와 달리 기판 처리 장치(1)는 인터페이스 모듈 없이 인덱스 모듈(20)과 처리 블럭(37)만을 구비할 수 있다. 이 경우, 처리 블럭(37)은 도포 처리 공정만을 수행하고, 기판(W) 상에 도포되는 막은 스핀 온 하드마스크막(SOH)일 수 있다.
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 상술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
1110a: 제1공간 1110b: 제2공간
1122: 배기홀 1142: 외측 용기
1144: 중간 용기 1146: 내측 용기
1600: 가이드 부재 1620: 블로킹 플레이트
1640: 배플 플레이트

Claims (9)

  1. 기판을 처리하는 장치에 있어서,
    내부에 처리 공간을 가지는 공정 챔버와;
    상기 처리 공간 내에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛과;
    상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판을 가열하는 가열 유닛과;
    상기 처리 공간 내부를 배기하는 배기 유닛과;
    상기 처리 공간 내의 기류 흐름을 안내하는 가이드 부재를 포함하되,
    상기 가이드 부재는,
    상기 상벽과 상기 기판 지지 유닛의 사이에 위치되며, 상기 챔버의 내경보다 작은 직경을 가지고 상기 챔버의 내측벽으로부터 이격된게 제공되는 블로킹 플레이트를 포함하고,
    상부에서 바라볼 때 상기 배기 유닛은 상기 블로킹 플레이트와 중첩되는 위치에서 상기 공정 챔버의 상벽에 연결되는 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 가이드 부재는,
    상기 블로킹 플레이트와 상기 챔버의 내측벽 간의 이격된 공간에 위치되는 배플 플레이트를 더 포함하되,
    상기 배플 플레이트에는 상기 블로킹 플레이트와 상기 내측벽 각각에 접촉되게 위치되고,
    상기 배플 플레이트에는 일단에서 타단까지 관통되는 배플홀들이 복수 개로 형성되는 기판 처리 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 가이드 부재는,
    상기 블로킹 플레이트와 상기 챔버의 상벽 간의 이격된 공간에 위치되는 배플 플레이트를 더 포함하되,
    상기 배플 플레이트에는 상기 블로킹 플레이트와 상기 상벽 각각에 접촉되게 위치되고,
    상기 배플 플레이트에는 일단에서 타단까지 관통되는 배플홀들이 복수 개로 형성되는 기판 처리 장치.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 공정 챔버는,
    상기 배기 유닛이 연결되는 상부 바디와;
    상기 상부 바디와 조합되어 내부에 상기 처리 공간을 형성하는 하부 바디를 포함하되,
    상기 하부 바디는,
    상기 기판 지지 유닛의 측부 및 하부를 감싸는 내측 용기와;
    상기 내측 용기를 감싸며, 상기 상부 바디와 상하로 마주하는 외측 용기와;
    상기 내측 용기를 감싸며, 상기 내측 용기와 상기 외측 용기의 사이에 위치되는 중간 용기를 포함하되,
    상기 기판 지지 유닛, 상기 내측 용기, 상기 중간 용기, 그리고 상기 외측 용기는 서로 이격되게 위치되고,
    상기 내측 용기, 상기 중간 용기, 그리고 상기 외측 용기 각각에는 상기 공정 챔버의 외부로부터 기류가 유입되는 유입홀들이 형성되는 기판 처리 장치.
  5. 기판을 처리하는 장치에 있어서,
    내부에 처리 공간을 가지는 공정 챔버와;
    상기 처리 공간 내에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛과;
    상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판을 가열하는 가열 유닛과;
    상기 처리 공간 내부를 배기하는 배기 유닛과;
    상기 처리 공간 내의 기류 흐름을 안내하며, 상기 처리 공간을 제1공간과 제2공간으로 구획하는 가이드 부재를 포함하되,
    상기 배기 유닛은 상기 공정 챔버의 상벽에 형성된 배기홀에 연결되고,
    상기 가이드 부재에는 상기 제1공간과 상기 제2공간을 연통시키는 배플홀들이 형성되며,
    상기 제1공간은 상기 기판 지지 유닛이 위치되는 공간으로 제공되고,
    상기 제2공간은 상기 배기홀을 포함하는 상기 상벽과 인접한 공간으로 제공되는 기판 처리 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 가이드 부재는 블로킹된 중앙 영역과 배플홀이 형성된 가장자리 영역을 포함하는 기판 처리 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상부에서 바라볼 때 상기 가장자리 영역은 상기 기판 지지 유닛의 외측에 배열되는 기판 처리 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 중앙 영역과 상기 가장자리 영역은 동일 평면 상에 위치되는 기판 처리 장치.
  9. 제7항에 있어서,
    상기 가장자리 영역은 상기 중앙 영역의 끝단으로부터 상부로 연장되는 기판 처리 장치.

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