KR102641441B1 - 링 어셈블리 및 이를 포함하는 척 어셈블리 - Google Patents

링 어셈블리 및 이를 포함하는 척 어셈블리 Download PDF

Info

Publication number
KR102641441B1
KR102641441B1 KR1020160124737A KR20160124737A KR102641441B1 KR 102641441 B1 KR102641441 B1 KR 102641441B1 KR 1020160124737 A KR1020160124737 A KR 1020160124737A KR 20160124737 A KR20160124737 A KR 20160124737A KR 102641441 B1 KR102641441 B1 KR 102641441B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
upper side
edge ring
ring
chuck body
substrate
Prior art date
Application number
KR1020160124737A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20180035263A (ko
Inventor
김성협
김동욱
박성문
엄정환
오태석
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020160124737A priority Critical patent/KR102641441B1/ko
Priority to US15/470,044 priority patent/US10672629B2/en
Publication of KR20180035263A publication Critical patent/KR20180035263A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102641441B1 publication Critical patent/KR102641441B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32623—Mechanical discharge control means
    • H01J37/32642—Focus rings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68721—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge clamping, e.g. clamping ring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/6732—Vertical carrier comprising wall type elements whereby the substrates are horizontally supported, e.g. comprising sidewalls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68735—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge profile or support profile
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68785—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support

Abstract

본 발명은 링 어셈블리 및 이를 포함하는 척 어셈블리에 관한 것이다. 본 발명의 링 어셈블리는 기판을 지지하는 척 본체를 둘러싸는 에지 링을 포함한다. 에지 링은 제1 상측면; 상기 제1 상측면의 외측에, 상기 제1 상측면보다 상측에 위치되는 제2 상측면; 상기 제1 상측면과 상기 제2 상측면을 연결하는 제1 내측면; 및 상기 제1 상측면 및 상기 제1 내측면 중 어느 하나로부터 외측을 향해 연장되어, 상기 에지 링을 관통하는 적어도 하나의 제1 유동 홀을 포함할 수 있다.

Description

링 어셈블리 및 이를 포함하는 척 어셈블리{Ring assembly and chuck assembly having the same}
본 발명은 링 어셈블리 및 이를 포함하는 척 어셈블리에 관한 것이다.
반도체 소자들은 그들의 작은 크기, 다기능, 및/또는 낮은 제조 단가 특성들로 인하여 전자 산업에서 널리 사용되고 있다. 반도체 소자들은 증착 공정들, 이온 주입 공정들, 포토리소그라피 공정들, 및/또는 식각 공정들과 같은 다양한 반도체 제조 공정들을 이용하여 형성된다. 이러한 반도체 제조 공정들 중에서 일부는 공정 가스로부터 발생된 플라즈마를 이용하여 수행될 수 있다. 플라즈마를 이용한 기판 처리 장치는 플라즈마 밀도 분포를 균일하게 하기 위해, 척 본체의 외측에 에지 링을 필수적으로 사용하고 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 기판의 에지 영역과 에지 링 사이의 기류변화를 방지하는 링 어셈블리 및 이를 포함하는 척 어셈블리에 관한 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 기판의 공정 산포를 향상시키는 링 어셈블리 및 이를 포함하는 척 어셈블리에 관한 것이다.
본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명에 따른 기판을 지지하는 척 본체를 둘러싸는 에지 링을 포함하는 링 어셈블리에 있어서, 에지 링은 제1 상측면; 상기 제1 상측면의 외측에, 상기 제1 상측면보다 상측에 위치되는 제2 상측면; 상기 제1 상측면과 상기 제2 상측면을 연결하는 제1 내측면; 및 상기 제1 상측면 및 상기 제1 내측면 중 어느 하나로부터 외측을 향해 연장되어, 상기 에지 링을 관통하는 적어도 하나의 제1 유동 홀을 포함한다.
본 발명에 따른 기판을 지지하는 척 본체를 둘러싸는 링 어셈블리에 있어서, 링 어셈블리는, 제1 에지 링; 상기 제1 에지 링의 상측에 이격된 제2 에지 링; 및 상기 제1 및 제2 에지 링들 사이에 위치되어, 상기 제1 및 제2 에지 링들을 연결하는 복수의 지지 부재들을 포함한다.
본 발명에 따른 척 어셈블리는, 기판을 지지하는 척 본체; 및 상기 척 본체를 둘러싸는 에지 링을 포함하고, 상기 에지 링은: 상기 척 본체의 상면보다 하측에 위치되는 제1 상측면; 상기 제1 상측면의 외측에, 상기 제1 상측면보다 상측에 위치되는 제2 상측면; 상기 제1 상측면과 상기 제2 상측면을 연결하는 제1 내측면; 및 상기 제1 상측면 및 상기 제1 내측면 중 어느 하나로부터 외측을 향해 연장되어, 상기 에지 링을 관통하는 적어도 하나의 제1 유동 홀을 포함한다.
본 발명에 따른 기판 처리 장치는, 공정 챔버; 상기 공정 챔버 내로 공정 가스를 공급하기 위한 가스 공급 유닛; 상기 공정 챔버 내의 가스를 배출하기 위한 가스 배기 유닛; 상기 공정 챔버 내에 위치하고, 상기 공정 가스로부터 플라즈마를 발생시키기 위한 상부 전극부; 및 상기 공정 챔버 내에서, 상기 상부 전극부의 하측에 위치되는 척 어셈블리를 포함하고, 상기 척 어셈블리는: 기판을 지지하는 척 본체; 및 상기 척 본체를 둘러싸는 에지 링을 포함하고, 상기 에지 링은: 상기 척 본체의 상면보다 하측에 위치되는 제1 상측면; 상기 제1 상측면의 외측에, 상기 제1 상측면보다 상측에 위치되는 제2 상측면; 상기 제1 상측면과 상기 제2 상측면을 연결하는 제1 내측면; 및 상기 제1 상측면 및 상기 제1 내측면 중 어느 하나로부터 외측을 향해 연장되어, 상기 에지 링을 관통하는 적어도 하나의 제1 유동 홀을 포함한다.
기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 기판과 에지 링 사이에 기류 변화가 발생하는 것을 방지할 수 있어, 기판의 공정 산포를 향상시킬 수 있다.
본 발명의 효과들은 이상에서 언급한 효과들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 효과들은 청구범위의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 실시예들에 따른 기판 처리 장치를 설명하기 위한 개략도이다.
도 2는 도 1의 척 어셈블리를 설명하기 위한 개략도이다.
도 3은 도 2의 에지 링을 설명하기 위한 평면도이다.
도 4는 도 2의 에지 링의 일부가 절단된 사시도이다.
도 5은 도 2의 A부분을 확대한 확대도이다.
도 6a는 도 5의 에지 링에 유동 홀이 없을 경우, 공정 가스의 흐름을 설명하기 위한 개략도이다.
도 6b은 도 5의 에지 링에 따른 공정 가스의 흐름을 설명하기 위한 개략도이다.
도 7 내지 도 9는 도 5의 에지 링의 변형 예들을 설명하기 위한 개략도이다.
도 10는 본 발명의 실시예들에 따른 척 어셈블리를 설명하기 위한 개략도이다.
도 11은 도 10의 B부분을 확대한 확대도이다.
도 12은 도 10의 링 어셈블리를 설명하기 위한 분해 사시도이다.
이하, 도면을 참조하여, 본 발명의 개념 및 이에 따른 실시예들에 대해 상세히 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 실시예들에 따른 기판 처리 장치를 설명하기 위한 개략도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 실시예들에 따른 척 어셈블리(30)를 이용하여, 기판 처리 공정을 수행하는 기판 처리 장치(1)가 제공될 수 있다. 기판 처리 장치(1)는 플라즈마를 이용하여, 기판을 식각, 세정, 증착 등의 공정들(이하, 플라즈마 공정)을 수행할 수 있다. 기판 처리 장치(1)는 공정 챔버(10), 가스 배기 유닛(12), 가스 공급 유닛(14), 상부 전극부(20), 및 척 어셈블리(30)를 포함할 수 있다.
공정 챔버(10)는 내부에 플라즈마 공정이 수행되는 공간을 제공할 수 있다. 공정 챔버(10)의 공간은 플라즈마 공정 진행 시, 밀폐될 수 있다. 공정 챔버(10)는 접지될 수 있다. 공정 챔버(10)는 적어도 하나의 배기 홀(10a)을 가질 수 있다. 배기 홀(10a)은 공정 챔버(10)의 하부에 제공될 수 있고, 가스 배기 유닛(12)과 연결될 수 있다. 실시예에 따르면, 배기 홀(10a)은 척 어셈블리(30)의 하측에 위치될 수 있다.
공정 챔버(10)는 상부에 적어도 하나의 공급 홀(10b)을 가질 수 있다. 실시예들에 따르면, 공급 홀(10b)은 공정 챔버(10)의 상부 중심에 제공될 수 있고, 가스 공급 유닛(14)과 연결될 수 있다.
가스 배기 유닛(12)은 배기 홀(10a)을 통해 공정 챔버(10) 내의 부산물 및/또는 공정 가스를 배기할 수 있다. 실시예에 따르면, 가스 배기 유닛(12)은 공정 챔버(10) 내에 진공압을 제공하는 진공 펌프일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 가스 공급 유닛(14)은 공급 홀(10b)을 통해 공정 챔버(10) 내로 공정 가스를 공급할 수 있다.
상부 전극부(20)는 공정 챔버(10) 내에 제공될 수 있다. 상부 전극부(20)는 도전성 재질로 이루어질 수 있으며, 제1 외부 전원(16a)으로부터 전력을 인가 받을 수 있다. 이에 따라, 상부 전극부(20)는 상부 전극의 기능을 할 수 있다. 상부 전극부(20)는 공정 챔버(10) 내로 공급된 공정 가스를 척 어셈블리(30)를 향해 분사할 수 있다. 실시예들에 따르면, 상부 전극부(20)는 샤워 헤드일 수 있다. 샤워 헤드인 상부 전극부(20)는 측벽부(21)와 분사판(22)을 포함할 수 있다.
측벽부(21)는 공정 챔버(10)의 상부로부터 하측을 향해 연장될 수 있다. 측벽부(21)는 원통형으로 제공될 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 분사판(22)은 분사판(22)은 공정 가스가 분사되는 복수의 분사 홀들(22a)을 가질 수 있다. 분사판(22)은 측벽부(21)의 하단에 연결될 수 있다. 즉, 분사판(22)은 공정 챔버(10)의 상부에 이격될 수 있다. 그러므로, 분사판(22)과 공정 챔버(10)의 상부 사이에 공정 가스가 머무르는 공간이 제공될 수 있다. 공정 가스는 분사판(22)과 공정 챔버(10)의 상부 사이의 공간에 머무른 후, 분사 홀들(22a)을 통해 척 어셈블리(30)를 향해 분사될 수 있다.
척 어셈블리(30)는 공정 챔버(10) 내에 배치될 수 있다. 척 어셈블리(30)는 상부 전극부(20)이 하측에 이격 배치될 수 있다. 척 어셈블리(30)는 기판을 지지할 수 있다. 실시예들에 따르면, 척 어셈블리(30)는 정전 척 어셈블리일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
척 어셈블리(30)는 하부 전극(미도시)을 포함하고, 하부 전극은 제2 외부 전원(16b)과 연결되어, 제2 외부 전원(16b)으로부터 전력을 인가 받을 수 있다. 실시예들에 따르면, 제1 및 제2 외부 전원들(16a, 16b)의 각각은 상부 전극부(20) 및 척 어셈블리(30)에 주파수 전력을 인가할 수 있다. 예를 들면, 상부 전극부(20)는 제1 외부 전원(16a)으로부터 고주파 전력을 인가 받아, 공정 가스로부터 플라즈마를 생성할 수 있다. 척 어셈블리(30)는 제2 외부 전원(16b)으로부터 저주파 전력을 인가 받아, 플라즈마의 입자들(예를 들면, 이온, 라디칼 등)을 기판으로 입사시킬 수 있다.
도 2는 도 1의 척 어셈블리를 설명하기 위한 개략도이다.
도 2를 참조하면, 실시예들에 따르면, 척 어셈블리(30)는 척 본체(31), 링 어셈블리(RA) 및 베이스(36)를 포함할 수 있다.
척 본체(31)는 베이스(36) 상에 위치될 수 있다. 기판(S)이 척 본체(31)의 상면에 위치될 수 있다. 즉, 척 본체(31)는 기판(S)을 지지할 수 있다. 실시예들에 따르면, 척 본체(31)는 정전 척(ESC; Electro Static Chuck)일 수 있다. 척 본체(31)는 내부에 냉각수가 흐르는 유로를 가질 수 있어, 척 본체(31)의 온도를 제어할 수 있다. 척 본체(31)의 상면은 기판(S)의 형상과 대응될 수 있다. 예를 들면, 기판(S)이 원형 플레이트 형상으로 제공될 때, 척 본체(31)의 상면은 원형일 수 있다. 또한, 척 본체(31)의 상면은 단차지게 형성될 수 있다. 척 본체(31)의 자세한 사항은 후술한다.
링 어셈블리(RA)는 에지 링(32)과 커버 링(35)을 포함할 수 있다. 링 어셈블리(RA)는 척 본체(31)와 베이스(36)의 외측에 위치될 수 있다. 링 어셈블리(RA)는 척 본체(31)와, 베이스(36)를 둘러쌀 수 있다.
에지 링(32)은 베이스(36) 상에 위치될 수 있다. 에지 링(32)은 척 본체(31)를 둘러쌀 수 있다. 에지 링(32)은 척 본체(31)의 상면에 위치된 기판(S)을 둘러쌀 수 있다. 에지 링(32)은 산화 알루미늄(Al2O3), 실리콘(Si), 탄화 규소(SiC), 석영 및 산화이트륨(Y2O3) 중 어느 하나를 포함할 수 있다. 예를 들면, 에지 링(32)은 기판(S)과 동일한 실리콘(Si)으로 이루어질 수 있다. 에지 링(32)은 그를 관통하는 적어도 하나의 제1 유동 홀(325)을 가질 수 있다. 에지 링(32)에 대한 자세한 사항은 후술하기로 한다.
커버 링(35)은 척 본체(31), 에지 링(32), 및 베이스(36)를 둘러쌀 수 있다. 이에 따라, 척 본체(31), 에지 링(32), 및 베이스(36)는 커버 링(35)에 의해 플라즈마로부터 보호될 수 있다. 커버 링(35)은 절연성 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들면, 커버 링(35)은 석영으로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 본 명세서에서 외측 방향은 척 본체(31)의 중심을 수직하게 지나가는 중심선(CL)으로부터 멀어지는 방향을 의미할 수 있고, 내측 방향은 상기 중심선(CL)으로 가까워지는 방향을 의미할 수 있다.
베이스(36)는 척 본체(31)와 에지 링(32)의 하측에 위치되어, 척 본체(31)와 에지 링(32)를 지지할 수 있다.
도 3은 도 2의 에지 링을 설명하기 위한 평면도이다. 도 4는 도 2의 에지 링(32)의 일부가 절단된 사시도이다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 에지 링(32)은 내경과 외경을 갖는 원형의 링 형상으로 제공될 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 에지 링(32)은 링 몸체부(321) 및, 플랜지부(322)를 포함할 수 있다. 플랜지부(322)는 링 몸체부(321)으로부터 내측을 향해 연장될 수 있다. 즉, 플랜지부(322)는 링 몸체부(321)으로부터 척 본체(31)를 향해 연장될 수 있다.
에지 링(32)은 에지 링(32)을 관통하는 복수의 유동 홀들(325)을 가질 수 있다. 유동 홀들(325)은 에지 링(32)의 내측 공간과 외측 공간을 연결할 수 있다. 유동 홀들(325)은 에지 링(32)의 상면 또는 내측면으로부터 에지 링(32)의 외측면으로 연장되어, 에지 링(32)을 관통할 수 있다. 예를 들면, 유동 홀들(325)는 링 몸체부(321)를 관통할 수 있다. 또한, 유동 홀들(325)은, 플랜지부(321)의 상측에 위치될 수 있다. 유동 홀들(325)은 에지 링(32)의 원주 방향을 따라 일정 간격으로 이격 배치될 수 있다. 유동 홀들(325)의 각각은 전술한 중심선(CL)과 수직한 평면적 관점에서, 아치 형상으로 제공될 수 있다. 이와 달리, 다른 실시예에서, 유동 홀들(325)의 각각은 중심선(CL)과 수직한 평면적 관점에서, 직선의 배관 형상으로 제공될 수 있다.
도 5은 도 2의 A부분을 확대한 확대도이다.
도 2 내지 도 5를 참조하면, 기판(S)은 척 본체(31)의 상면(31a)에 위치될 수 있다. 이에 따라, 척 본체(31)의 상면(31a, 이하, 지지면)은 기판(S)을 지지할 수 있다. 지지면(31a)은 기판(S)의 하면(S1)과 접촉할 수 있다. 지지면(31a)은 평탄 면일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 전술한 바와 같이, 지지면(31a)은 원형일 수 있다. 지지면(31a)의 직경은 기판(S)의 직경보다 작을 수 있다. 이에 따라, 기판(S)의 에지 영역은 지지면(31a)의 외측에 위치될 수 있다. 즉, 기판(S)의 에지 영역은 지지면(31a)과 중첩되지 않을 수 있다.
척 본체(31)는 지지면(31a)의 경계로부터 하측으로 연장된 제1 외측면(31b)을 가질 수 있다. 제1 외측면(31b)은 지지면(31a)의 경계로부터 베이스(36)를 향해 연장될 수 있다. 제1 외측면(31b)은 지지면(31a)과 수직할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 실시예에서, 제1 외측면(31b)은 플랜지부(322)와 이격될 수 있다.
척 본체(31)는 제1 외측면(31b)의 하단으로부터 외측으로 연장된 단차면(31c)을 가질 수 있다. 즉, 단차면(31c)은 제1 외측면(31b)의 하단으로부터 에지 링(32)을 향해 연장될 수 있다. 단차면(31c)는 지지면(31a)과 단차를 형성할 수 있다. 단차면(31c)은 평탄 면일 수 있다. 단차면(31c)은 제1 외측면(31b)과 수직할 수 있고, 지지면(31a)과 평행할 수 있다. 단차면(31c)은 에지 링(32)의 플랜지부(322)의 하면과 접촉할 수 있다. 단차면(31c)은 플랜지부(322)를 지지할 수 있다.
지지면(31a)과 단차면(31c) 간의 수직 거리는 플랜지부(322)의 두께보다 클 수 있다. 이에 따라, 플랜지부(322)의 상면과 기판(S)의 하면(S1) 사이에 갭(G)이 형성될 수 있다. 본 명세서에서 두께는 수직 방향의 길이를 의미할 수 있다.
에지 링(32)은 척 본체(31)의 상면(31a)보다 하측에 위치되는 제1 상측면(320a)과, 제1 상측면(320a)의 외측에 위치되는 제2 상측면(320b)과, 제1 상측면(320a)과 제2 상측면(320b)을 연결하는 제1 내측면(320c)을 포함할 수 있다. 실시예에 따르면, 제1 상측면(320a)는 플랜지부(322)의 상면을 의미할 수 있고, 제2 상측면(320b)는 링 몸체부(321)의 상면을 의미할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
제1 상측면(320a)은 전술한 지지면(31a)보다 하측에 위치될 수 있다. 이에 따라, 기판(S)의 하면(S1)과 제1 상측면(320a) 사이에 갭(G)이 형성될 수 있다. 예를 들면, 기판(S)의 하면(S1)과 제1 상측면(320a) 사이의 갭(G)은 대략 1mm 내지 대략 10mm일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
제1 상측면(320a)은 평탄 면일 수 있다. 제1 상측면(320a)은 지지면(31a) 및/또는 기판(S)의 하면(S1)과 평행할 수 있다. 제1 상측면(320a)의 적어도 일부는 기판(S)의 에지 영역과 수직하게 중첩될 수 있다.
제2 상측면(320b)은 제1 상측면(320a)보다 상측에 위치될 수 있다. 이에 따라, 제1 상측면(320a)과 제2 상측면(320b)은 서로 단차를 형성할 수 있다. 제2 상측면(320b)은 지지면(31a)보다 상측에 위치될 수 있다. 도 5에 도시된 바와 같이, 제2 상측면(320b)은 지지면(31a)에 위치된 기판(S)의 상면(S2)보다 상측에 위치될 수 있다. 이에 따라, 에지 링(32)이 플라즈마에 의해 식각될 때, 척 어셈블리(30, 도 2 참조)가 형성한 전기장의 변화가 최소화될 수 있다. 실시예에서, 제2 상측면(320b)은 평탄 면일 수 있다. 또한, 제2 상측면(320b)은 제1 상측면(320a) 및/또는 지지면(31a)과 평행할 수 있다.
제1 내측면(320c)은 제1 상측면(320a)과 제2 상측면(320b)을 연결할 수 있다. 실시예들에 따르면, 제1 내측면(320c)은 제1 상측면(320a)으로부터 외측으로 상향 경사지게 연장될 수 있다. 즉, 제1 내측면(320c)은 경사면일 수 있다. 제1 내측면(320c)는 링 몸체부(321)의 내측면의 일부일 수 있다.
유동 홀들(325)은 에지 링(32)을 관통할 수 있다. 상세하게, 유동 홀(325)은 제1 상측면(320a) 또는 제1 내측면(320c)으로부터 외측을 향해 연장될 수 있다. 실시예에서, 유동 홀(325)은 제1 내측면(320c)과 에지 링(32)의 외측면(320f)을 관통할 수 있다. 유동 홀(325)의 입구는 제1 내측면(320c)에 위치되고, 유동 홀(325)의 출구는 에지 링(32)의 외측면(320f)에 위치될 수 있다.
유동 홀(325)은 제1 상측면(320a)과 제2 상측면(320b) 사이에 위치될 수 있다. 유동 홀(325)은 제1 상측면(320a) 및/또는 제2 상측면(320b)과 평행할 수 있다. 실시예에서, 유동 홀(325)은 척 본체(31)의 상면(31a)보다 상측에 위치될 수 있다. 이와 달리, 다른 실시예에서, 유동 홀(325)은 척 본체(31)의 상면(31a)보다 하측에 위치될 수 있다. 이에 따라, 기판(S)의 하면(S1)과 제1 상측면(320a) 사이 공간의 공정 가스는 유동 홀(325)을 통해 에지 링(32)의 외측으로 유동할 수 있다.
링 몸체부(321)는 베이스(36)와 커버 링(35) 상에 위치될 수 있고, 플랜지부(322)는 척 본체(31)의 단차면(31c) 상에 위치될 수 있다. 즉, 에지 링(32)은 척 본체(31), 커버 링(35) 및 베이스(36)에 의해 지지될 수 있다.
도 6a는 도 5의 에지 링에 유동 홀이 없을 경우, 공정 가스의 흐름을 설명하기 위한 개략도이다. 도 6b은 도 5의 에지 링에 따른 공정 가스의 흐름을 설명하기 위한 개략도이다.
도 6a를 참조하면, 에지 링(32)과 기판(S)의 에지 영역은 이격 배치될 수 있다. 즉, 에지 링(32)과 기판(S) 사이에 공간(이하, 정체 영역)이 형성될 수 있다. 공정 가스(PG)는 정체 영역으로 유입될 수 있다.
에지 링(32)의 제1 상측면(320a)은 기판(S)의 하면(S1)보다 하측에 위치되고, 에지 링(32)의 제2 상측면(320b)은 기판(S)의 상면(S2)보다 상측에 위치될 수 있다. 즉, 에지 링(32)의 상면은 단차를 형성할 수 있다. 정체 영역 내의 공정 가스(PG)는 에지 링(32)의 상면의 단차, 기판(S)과 에지 링(32) 상에 흐르는 공정 가스, 및 정체 영역에서 발생된 와류(votex, V)에 의해 정체될 수 있다.
정체 영역에 정체된 공정 가스(PG, 이하, 잔류 가스)는 기판 처리 공정 중 발생하는 라디칼(Radical), 폴리머(Polymer) 등과 같은 공정 부산물들을 포함할 수 있다. 공정 부산물들은 에지 링(32)의 제1 상측면(320a) 상에 쌓일 수 있고, 공정 부산물들의 일부는 와류(V) 등에 의해 기판(S) 상에 떨어질 수 있다. 이에 따라, 기판의 산포 불량 등이 발생할 수 있다.
도 6b를 참조하면, 정체 영역의 공정 가스(PG)는 에지 링(32)의 유동 홀들(325)을 통해 에지 링(32)의 외측으로 배출될 수 있다. 이에 따라, 에지 링(32)의 제1 상측면(320a) 상에 공정 부산물들 등이 쌓이지 않고, 와류(V) 등에 의해 공정 부산물의 일부가 기판(S) 상에 떨어지지 않는다. 이에 따라, 기판(S)의 산포 불량이 방지될 수 있다.
도 7 내지 도 9는 도 5의 에지 링의 변형 예들을 설명하기 위한 개략도이다. 설명의 간결함을 위해, 도 5를 참조하여 설명한 실시예와 실질적으로 동일한 구성요소에 대한 설명은 생략하거나 간략히 설명한다.
도 7을 참조하면, 제1 상측면(320a)과 제2 상측면(320b)은 서로 평행할 수 있다. 제1 내측면(320c)은 제1 상측면(320a)으로부터 상측으로 수직하게 연장될 수 있다. 즉, 제1 내측면(320c)은 제1 상측면(320a) 및 제2 상측면(320b)과 수직할 수 있다. 유동 홀(325)은 제1 내측면(320c)으로부터 외측을 향해 하향 경사지게 연장될 수 있다. 유동 홀(325)의 입구는 유동 홀(325)의 출구보다 상측에 위치될 수 있다. 이에 따라, 정체 영역의 공정 가스는 중력의 영향으로 유동 홀(325)을 통해 에지 링(32)의 외측으로 신속하게 배출될 수 있다.
도 8 및 도 10을 참조하면, 유동 홀(325)은 제1 상측면(320a)과 에지 링(32)의 외측면(320f)을 연결할 수 있다. 실시예에서, 유동 홀(325)은 제1 상측면(320a)으로부터 하측을 항해 연장되는 제1 홀 영역(325a)과, 제1 홀 영역(325a)으로부터 외측을 향해 연장되는 제2 홀 영역(325b)을 포함할 수 있다. 제2 홀 영역(325b)은 제1 홀 영역(325a)과 연결될 수 있다. 실시예에서, 유동 홀(325)은 대략 “L”자의 수직 방향의 단면을 가질 수 있다. 이와 달리, 다른 실시예에서, 유동 홀(325)은 제1 상측면(320a)으로부터 외측을 향해 하향 경사지게 연장되어, 제1 상측면(320a)과 에지 링(32)의 외측면(320f)을 관통할 수 있다. 이에 따라, 정체 영역의 공정 가스는 제1 홀 영역(325a)과 제2 홀 영역(325b)을 통해 에지 링(32)의 외측 공간으로 배출될 수 있다.
도 9을 참조하면, 에지 링(32)은 제1 상측면(320a), 제2 상측면(320b) 및 제1 내측면(320c)을 포함할 수 있다. 또한, 에지 링(32)은 제2 상측면(320b)보다 상측에 위치되는 제3 상측면(320d)과, 제2 상측면(320b)과 제3 상측면(320d)을 연결하는 제2 내측면(320e)을 포함할 수 있다. 도 8의 에지 링(32)의 두께는 도 5의 에지 링(32)의 두께보다 두꺼울 수 있다. 이에 따라, 도 8의 에지 링(32)의 수명이 도 5의 에지 링(32)의 수명보다 클 수 있다.
제3 상측면(320d)은 제2 상측면(320b)의 외측에 위치될 수 있다. 제2 상측면(320b)과 제3 상측면(320d)은 단차를 형성할 수 있다. 제3 상측면(320d)은 척 본체(31)의 상면(31a) 및 기판(S)의 상면(S2)보다 상측에 위치될 수 있다.
에지 링(32)은 제2 내측면(320e)과 에지 링(32)의 외측면(320f)을 연결하는 유동 홀들(327)을 가질 수 있다. 설명의 편의를 위해, 제1 내측면(320c)과 에지 링(32)의 외측면(320f)를 연결하는 유동 홀(325)을 제1 유동 홀이라고 지칭하고, 제2 내측면(320e)과 에지 링(32)의 외측면(320f)을 연결하는 유동 홀(327)을 제2 유동 홀이라고 지칭한다.
제2 유동 홀(327)은 제2 내측면(320e)으로부터 외측을 향해 연장될 수 있다. 제2 유동 홀(327)은 제2 내측면(320e)와 외측면(320f)을 관통할 수 있다. 즉, 제2 유동 홀(327)은 에지 링(32)을 관통할 수 있다. 이에 따라, 제2 상측면(320b)와 제3 상측면(320d) 사이에 정체된 공정 가스는 제2 유동 홀(327)을 통해 에지 링(32)의 외측 공간으로 배출될 수 있다.
제2 유동 홀(327)은 제1 유동 홀(325)보다 상측에 위치될 수 있다. 제2 유동 홀(327)의 입구는 제2 내측면(320e)에 위치되고, 제2 유동 홀(327)의 출구는 에지 링(32)의 외측면(320f)에 위치될 수 있다. 실시예들에 따르면, 제2 유동 홀(327)은 제1 유동 홀(325)과 평행할 수 있다. 제2 유동 홀(327)은 제2 상측면(320b)과 제3 상측면(320d) 사이에 위치될 수 있다. 이와 달리, 다른 실시예들에서, 제2 유동 홀(327)은 제2 내측면(320e)으로부터 하향 경사지게 연장될 수 있다.
도 10은 본 발명의 실시예들에 따른 척 어셈블리를 설명하기 위한 개략도이다. 도 11은 도 10의 B부분을 확대한 확대도이다. 도 12은 도 10의 링 어셈블리를 설명하기 위한 분해 사시도이다. 설명의 간결함을 위해, 도 2 내지 도 5를 참조하여 설명한 실시예와 실질적으로 동일한 구성요소에 대한 설명은 생략하거나 간략히 설명한다.
도 10 내지 도 12을 참조하면, 척 어셈블리(30')는 척 본체(31), 링 어셈블리(RA) 및 베이스(36)를 포함할 수 있다. 링 어셈블리(RA)는 제1 에지 링(32'), 제2 에지 링(33), 지지 부재(34) 및 커버 링(35)을 포함할 수 있다.
제1 에지 링(32')은 척 본체(31)를 둘러쌀 수 있고, 베이스(36) 상에 위치될 수 있다. 제1 에지 링(32')은 원형의 링 형상으로 제공될 수 있다. 제1 에지 링(32')은 제1 링 몸체부(321') 및, 제1 링 몸체부(321')의 중간 영역으로부터 척 본체(31)를 향해 돌출된 제1 플랜지부(322')를 포함할 수 있다. 제1 플랜지부(322')는 단차면(31c) 상에 위치될 수 있다. 즉, 제1 플랜지부(322')는 척 본체(31)에 의해 지지될 수 있다. 제1 플랜지부(322')의 상면(322a')은 척 본체(31)의 상면(31a)보다 하측에 위치될 수 있다. 실시예들에 따르면, 제1 링 몸체부(321')의 상면(321a')은 지지면(31a)보다 하측에 위치될 수 있다. 이와 달리, 다른 실시예에서, 제1 링 몸체부(321')의 상면(321a')은 지지면(31a)보다 상측에 위치될 수 있다.
제2 에지 링(33)은 척 본체(31)를 둘러싸고, 제1 에지 링(32')의 상측에 이격될 수 있다. 상세하게, 제2 에지 링(33)은 제1 링 몸체부(321')의 상면(321a')과 수직하게 중첩될 수 있다. 이에 따라, 제1 및 제2 에지 링들(32', 33) 사이에 공간(SP)이 형성될 수 있다. 제2 에지 링(33)은 원형의 링 형상으로 제공될 수 있다. 제2 에지 링(33)의 내경은 제1 에지 링(32')의 내경보다 클 수 있다. 제2 에지 링(33)의 상면(330a)은 척 본체(31)의 상면(31a)보다 상측에 위치될 수 있다. 또한, 제2 에지 링(33)의 상면(330a)은 기판(S)의 상면(S2)보다 상측에 위치될 수 있다.
지지 부재(34)는 제1 에지 링(32')과 제2 에지 링(33) 사이에 위치될 수 있다. 지지 부재(34)는 제1 및 제2 에지 링들(32', 33)과 연결될 수 있다. 상세하게, 지지 부재(34)의 일단은 제1 에지 링(32')과 연결되고, 지지 부재(34)의 타단은 제2 에지 링(33)과 연결될 수 있다. 즉, 지지 부재(34)는 제2 에지 링(33)을 지지할 수 있다. 지지 부재(34)는 복수 개 제공될 수 있다. 복수의 지지 부재들(34)는 제1 에지 링(32')의 원주 방향을 따라 일정 간격으로 이격 배치될 수 있다. 실시예에 따르면, 지지 부재들(34)은 제1 및 제2 에지 링들(32', 33) 사이의 공간(SP)을 구획할 수 있다. 서로 인접한 지지 부재들(34)에 의해 구획된 공간(SP)은 전술한 유동 홀(325, 도 5 참조)일 수 있다. 이와 달리, 다른 실시예에서, 지지 부재들(34)는 제1 및 제2 에지 링들(32', 33) 사이의 공간(SP)을 구획하지 않고, 제1 및 제2 에지 링들(32' 33)을 연결할 수 있다. 본 명세서에서, 공간을 구획한다는 것은 분리된 공간들을 들을 형성하는 것을 의미할 수 있다.
실시예에 따르면, 제1 및 제2 에지 링들(32', 33) 사이의 공간(SP)는 척 본체(31)의 상면(31a)보다 하측에 위치될 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 실시예에 따르면, 지지 부재들(34)은 제1 에지 링(32')에 일체로 형성될 수 있다. 상세하게, 지지 부재들(34)은 제1 링 몸체부(321') 상에 일체로 형성될 수 있다. 이에 따라, 제1 링 몸체부(321')는 상측에 유동 홈들(SP', 도 12 참조)이 형성될 수 있다. 도 12에 도시된 바와 같이, 유동 홈들(SP')은 상부가 개구될 수 있다. 유동 홈들(SP')은 제1 에지 링(32')의 원주 방향을 따라 일정 간격으로 이격될 수 있다. 유동 홈들(SP')의 각각은 평면적 관점에서, 아치 형상으로 제공될 수 있다. 유동 홈들(SP')은 제1 플랜지부(322')의 상면보다 상측에 위치될 수 있다. 유동 홈들(SP')은 제1 에지 링(32')의 중심으로부터 방사 방향을 따라 연장될 수 있다. 제2 에지 링(33)은 지지 부재(34) 상에 위치되어, 유동 홈들(SP')의 상부 개구들을 폐쇄할 수 있다. 상부 개구가 폐쇄된 유동 홈들(SP')은 전술한 유동 홀들(325, 도 5 참조)일 수 있다.
이와 달리, 다른 실시예에서, 지지 부재들(34)은 제2 에지 링(33)에 일체로 형성될 수 있다. 이에 따라, 제2 에지 링(33)은 하측에 유동 홈들을 가질 수 있다. 유동 홈들은 하부가 개구될 수 있다. 제1 에지 링(32')은 유동 홈들의 개구들을 폐쇄할 수 있다.
이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 도시하고 설명하였지만, 본 발명은 상술한 특정의 실시예에 한정되지 아니하며, 특허청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변형실시가 가능한 것은 물론이고, 이러한 변형실시들은 본 발명의 기술적 사상이나 전망으로부터 개별적으로 이해되어서는 안될 것이다.
1: 기판 처리 장치 10: 공정 챔버
10a: 배기 홀 10b: 공급 홀
20: 상부 전극부 30: 척 어셈블리
31: 척 본체 31a: 척 본체의 상면
31c: 단차면 32: 에지 링
320a: 제1 상측면 320b: 제2 상측면
320c: 제1 내측면 320d: 제3 상측면
320e: 제2 내측면 32': 제1 에지 링
33: 제2 에지 링 34: 지지 부재
35: 커버 링 36: 베이스

Claims (10)

  1. 삭제
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 삭제
  7. 삭제
  8. 삭제
  9. 기판을 지지하는 척 본체; 및
    상기 척 본체를 둘러싸는 에지 링을 포함하고,
    상기 척 본체는:
    기판을 지지하는 상면;
    상기 척 본체의 상기 상면의 경계로부터 하측으로 연장된 제1 외측면; 및
    상기 척 본체의 상기 제1 외측면의 하단으로부터 외측으로 연장되며, 상기 에지 링을 지지하는 단차면; 을 포함하며,
    상기 에지 링은:
    상기 척 본체의 상기 상면보다 하측에 위치되는 제1 상측면;
    상기 제1 상측면의 외측에, 상기 제1 상측면보다 상측에 위치되는 제2 상측면;
    상기 제1 상측면과 상기 제2 상측면을 연결하는 제1 내측면; 및
    상기 제1 상측면에 연결되는 제1 유동 홀을 포함하되,
    상기 제1 유동 홀은, 상기 제1 상측면으로부터 하측을 향해 연장되는 제1 홀 영역과, 상기 제1 홀 영역으로부터 외측을 향해 연장되는 제2 홀 영역을 포함하는 척 어셈블리.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 제1 유동 홀은 복수 개가 제공되되,
    상기 복수 개의 제1 유동 홀은 상기 에지 링의 원주 방향을 따라 이격 배치되는 척 어셈블리.
KR1020160124737A 2016-09-28 2016-09-28 링 어셈블리 및 이를 포함하는 척 어셈블리 KR102641441B1 (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160124737A KR102641441B1 (ko) 2016-09-28 2016-09-28 링 어셈블리 및 이를 포함하는 척 어셈블리
US15/470,044 US10672629B2 (en) 2016-09-28 2017-03-27 Ring assembly and chuck assembly having the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160124737A KR102641441B1 (ko) 2016-09-28 2016-09-28 링 어셈블리 및 이를 포함하는 척 어셈블리

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20180035263A KR20180035263A (ko) 2018-04-06
KR102641441B1 true KR102641441B1 (ko) 2024-02-29

Family

ID=61685684

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020160124737A KR102641441B1 (ko) 2016-09-28 2016-09-28 링 어셈블리 및 이를 포함하는 척 어셈블리

Country Status (2)

Country Link
US (1) US10672629B2 (ko)
KR (1) KR102641441B1 (ko)

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11437269B2 (en) 2012-03-27 2022-09-06 Novellus Systems, Inc. Tungsten feature fill with nucleation inhibition
US20190301012A1 (en) * 2018-04-02 2019-10-03 Veeco Instruments Inc. Wafer processing system with flow extender
US20210375591A1 (en) * 2018-04-20 2021-12-02 Lam Research Corporation Edge exclusion control
TW202404985A (zh) * 2018-06-21 2024-02-01 美商英培雅股份有限公司 包含溶劑與單烷基錫三烷氧化物之混合物的溶液
KR102139615B1 (ko) * 2018-07-10 2020-08-12 세메스 주식회사 기판 처리 장치
KR102016376B1 (ko) * 2019-03-25 2019-08-30 서보용 반도체 식각장비의 리퍼비시 테스트용 더미 싱글 링
JP7390880B2 (ja) * 2019-12-05 2023-12-04 東京エレクトロン株式会社 エッジリング及び基板処理装置
CN116288281A (zh) 2020-02-11 2023-06-23 朗姆研究公司 用于控制晶片晶边/边缘上的沉积的承载环设计
USD979524S1 (en) * 2020-03-19 2023-02-28 Applied Materials, Inc. Confinement liner for a substrate processing chamber
USD943539S1 (en) * 2020-03-19 2022-02-15 Applied Materials, Inc. Confinement plate for a substrate processing chamber
KR20220160687A (ko) * 2020-04-02 2022-12-06 램 리써치 코포레이션 튜닝 가스의 국부화된 (localized) 전달을 위한 에지 링
CN111524784B (zh) * 2020-04-27 2023-03-24 华虹半导体(无锡)有限公司 等离子体设备和半导体器件的制备方法
KR20220029103A (ko) 2020-09-01 2022-03-08 삼성전자주식회사 플라즈마 공정 장비
CN112466740A (zh) * 2020-11-30 2021-03-09 上海诺硕电子科技有限公司 等离子体处理晶圆用载具及晶圆处理设备

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6364954B2 (en) * 1998-12-14 2002-04-02 Applied Materials, Inc. High temperature chemical vapor deposition chamber
KR20020071398A (ko) * 2001-03-06 2002-09-12 삼성전자 주식회사 반도체 장치의 제조에서 건식 식각 장치
US20040069227A1 (en) 2002-10-09 2004-04-15 Applied Materials, Inc. Processing chamber configured for uniform gas flow
US7658816B2 (en) 2003-09-05 2010-02-09 Tokyo Electron Limited Focus ring and plasma processing apparatus
US7001482B2 (en) 2003-11-12 2006-02-21 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for improved focus ring
EP1749900B1 (en) * 2004-05-18 2014-09-03 SUMCO Corporation Susceptor for vapor deposition apparatus
KR100672828B1 (ko) * 2005-06-29 2007-01-22 삼성전자주식회사 챔버 인서트 및 이를 포함하는 기판 가공 장치
US8097120B2 (en) * 2006-02-21 2012-01-17 Lam Research Corporation Process tuning gas injection from the substrate edge
US8057633B2 (en) 2006-03-28 2011-11-15 Tokyo Electron Limited Post-etch treatment system for removing residue on a substrate
US8048226B2 (en) * 2007-03-30 2011-11-01 Tokyo Electron Limited Method and system for improving deposition uniformity in a vapor deposition system
US20110049100A1 (en) * 2008-01-16 2011-03-03 Charm Engineering Co., Ltd. Substrate holder, substrate supporting apparatus, substrate processing apparatus, and substrate processing method using the same
US7987814B2 (en) 2008-04-07 2011-08-02 Applied Materials, Inc. Lower liner with integrated flow equalizer and improved conductance
US8826855B2 (en) 2010-06-30 2014-09-09 Lam Research Corporation C-shaped confinement ring for a plasma processing chamber
US8486798B1 (en) 2012-02-05 2013-07-16 Tokyo Electron Limited Variable capacitance chamber component incorporating a semiconductor junction and methods of manufacturing and using thereof
US9376752B2 (en) 2012-04-06 2016-06-28 Applied Materials, Inc. Edge ring for a deposition chamber
KR20150009322A (ko) * 2013-07-16 2015-01-26 피에스케이 주식회사 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US9123661B2 (en) 2013-08-07 2015-09-01 Lam Research Corporation Silicon containing confinement ring for plasma processing apparatus and method of forming thereof
JP2015115421A (ja) * 2013-12-10 2015-06-22 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びフォーカスリング

Also Published As

Publication number Publication date
US10672629B2 (en) 2020-06-02
US20180090344A1 (en) 2018-03-29
KR20180035263A (ko) 2018-04-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102641441B1 (ko) 링 어셈블리 및 이를 포함하는 척 어셈블리
JP6868616B2 (ja) 背面でのプラズマ点火が低減されたシャワーヘッド
KR20170074755A (ko) 샤워헤드 어셈블리
JP6878616B2 (ja) ボトムおよびミドルエッジリング
TWI677005B (zh) 用於感應式耦合電漿反應器的介電窗及用於處理基板之設備
JP2016184610A (ja) 上部電極、エッジリングおよびプラズマ処理装置
KR20160140450A (ko) 플라즈마 처리 장치 및 포커스 링
JP2007081404A (ja) マスクを備えたプラズマｃｖｄ成膜装置
KR102352745B1 (ko) 처리 챔버를 위한 다중-판 면판
JP6916303B2 (ja) 可動エッジリング設計
JP2007250967A (ja) プラズマ処理装置および方法とフォーカスリング
CN102315150A (zh) 用于等离子体处理室的可移动基环
TW201626427A (zh) 高傳導處理套件
KR20240019194A (ko) 반도체 설비의 실링 장치 및 기류 산포 제어 장치
JP2016164973A5 (ko)
KR100888659B1 (ko) 기판처리장치
KR102189151B1 (ko) 기판처리장치
KR101941488B1 (ko) 샤워 헤드 유닛 및 이를 가지는 기판 처리 장치
JPWO2018085054A5 (ko)
KR102256691B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
JP6570971B2 (ja) プラズマ処理装置およびフォーカスリング
KR100775960B1 (ko) 마스크를 갖는 플라즈마 화학 기상 증착 막 형성 장치
KR20190027084A (ko) 기판 처리 장치
JP2020092035A (ja) プラズマ処理装置
KR101855655B1 (ko) 기판처리장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right