JP6878616B2 - ボトムおよびミドルエッジリング - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 133
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims description 6
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 87
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 46
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 45
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 26
- 210000002381 plasma Anatomy 0.000 description 25
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 20
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 description 18
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 17
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 17
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 15
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 14
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 description 12
- 230000006870 function Effects 0.000 description 11
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 11
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 9
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 8
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 6
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 6
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 5
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 5
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 5
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 3
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- -1 oxides Substances 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 description 2
- 238000007781 pre-processing Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 1
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N yttrium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Y+3].[Y+3] RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
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- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
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- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
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- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
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- H01L21/68735—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge profile or support profile
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- H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
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Description
本開示は、2017年7月24日に出願された国際出願PCT/US2017/043527号に対する主題に関連している。上記で参照された出願の開示全体は、参照により本明細書に組み込まれる。
本発明は、たとえば、以下のような態様で実現することもできる。
適用例1:
可動エッジリングを支持するように構成されたボトムリングであって、前記エッジリングは、基板支持体に対して上昇および下降するように構成され、前記ボトムリングは、
上面であって、前記上面は段差状である、上面と、
環状内径と、
環状外径と、
下面と、
前記ボトムリングを介して前記ボトムリングの前記下面から前記上面まで設けられた複数の垂直ガイドチャネルであって、前記ガイドチャネルのおのおのは、前記ガイドチャネルよりも小さい直径を有する第1の領域を含み、前記ガイドチャネルは、前記エッジリングを上昇および下降させるためのそれぞれのリフトピンを受け入れるように構成された、複数の垂直ガイドチャネルとを備えた、ボトムリング。
適用例2:
適用例1のボトムリングであって、前記ガイドチャネルの直径は、1.60mm(0.063インチ)と1.70mm(0.067インチ)との間である、ボトムリング。
適用例3:
適用例1のボトムリングであって、前記ガイドチャネルのおのおのは、前記ボトムリングの前記下面にキャビティを含み、前記キャビティは、前記ガイドチャネルよりも大きい直径を有する、ボトムリング。
適用例4:
適用例3のボトムリングであって、前記ガイドチャネルと前記キャビティとの間の推移部が、面取りされている、ボトムリング。
適用例5:
適用例4のボトムリングであって、前記面取りされた推移部は、0.508mm(0.020インチ)と0.889mm(0.035インチ)との間の高さおよび幅と、40°と50°との間の角度とを有する、ボトムリング。
適用例6:
適用例1のボトムリングであって、前記上面の段差の内径は、少なくとも33.02cm(13.0インチ)である、ボトムリング。
適用例7:
適用例1のボトムリングであって、前記ボトムリングの前記上面から上方に延びるガイド構造をさらに備えた、ボトムリング。
適用例8:
適用例7のボトムリングであって、前記ガイドチャネルは、前記ガイド構造を通過する、ボトムリング。
適用例9:
適用例8のボトムリングであって、前記ガイド構造は、前記ガイドチャネルの前記第1の領域を含む、ボトムリング。
適用例10:
適用例7のボトムリングであって、前記上面は内側環状リムを含み、前記ガイド構造および前記内側環状リムは、溝を画定する、ボトムリング。
適用例11:
適用例10のボトムリングであって、前記ガイド構造の高さは、前記内側環状リムの高さよりも大きい、ボトムリング。
適用例12:
適用例7のボトムリングであって、前記ガイド構造の第1の上部コーナと第2の上部コーナとの少なくとも一方が、面取りされている、ボトムリング。
適用例13:
適用例7のボトムリングであって、前記上面は、内側環状リムおよび外側環状リムを含み、前記ガイド構造および前記内側環状リムは、第1の溝を画定し、前記ガイド構造および前記外側環状リムは、第2の溝を画定する、ボトムリング。
適用例14:
適用例1のボトムリングであって、前記上面は、方向における少なくとも2つの変化を含む、ボトムリング。
適用例15:
適用例1のボトムリングであって、前記上面は、少なくとも5つの方向の変化を含む、ボトムリング。
適用例16:
適用例1のボトムリングであって、前記上面は、少なくとも5つの交互する垂直経路と水平経路とを含む、ボトムリング。
適用例17:
適用例1のボトムリングであって、前記ボトムリングは、第1の外径と、前記第1の外径よりも大きい第2の外径とを有する、ボトムリング。
適用例18:
適用例1のボトムリングであって、前記ボトムリングは、前記ボトムリングの外径から半径方向外側に延びる環状リップを含む、ボトムリング。
適用例19:
適用例1のボトムリングであって、前記下面は、前記基板支持体のベースプレートのボルト穴と整列するように構成された複数のキャビティを含む、ボトムリング。
適用例20:
ボトムリング上に配置され、可動エッジリングを支持するように構成されたミドルリングであって、前記エッジリングは、基板支持体に対して上昇および下降されるように構成され、前記ミドルリングは、
上面であって、前記上面は段差状である、上面と、
環状内径と、
環状外径と、
下面と、
前記環状外径を画定するガイド構造と、
前記環状内径を画定する内側環状リムと、
前記ガイド構造と前記内側環状リムとの間に画定される溝とを備えた、ミドルリング。
適用例21:
適用例20のミドルリングであって、前記ガイド構造の第1の上部コーナと第2の上部コーナとの少なくとも一方が、面取りされている、ミドルリング。
適用例22:
適用例20のミドルリングであって、前記ミドルリングは「U」字形である、ミドルリング。
適用例23:
適用例20のミドルリングであって、前記上面は、少なくとも4つの方向の変化を含む、ミドルリング。
適用例24:
適用例20のミドルリングであって、前記上面は、少なくとも5つの交互する垂直面と水平面とを含む、ミドルリング。
Claims (18)
- 可動エッジリングを支持するように構成されたボトムリングであって、前記エッジリングは、基板支持体に対して上昇および下降するように構成され、前記ボトムリングは、
上面であって、前記上面は段差状である、上面と、
環状内径と、
環状外径と、
下面と、
前記ボトムリングを介して前記ボトムリングの前記下面から前記上面まで設けられた複数の垂直ガイドチャネルであって、前記ガイドチャネルのおのおのは、前記ガイドチャネルよりも小さい直径を有する第1の領域を含み、前記ガイドチャネルは、前記エッジリングを上昇および下降させるためのそれぞれのリフトピンを受け入れるように構成された、複数の垂直ガイドチャネルと、を備え、
前記ガイドチャネルのおのおのは、前記ボトムリングの前記下面にキャビティを含み、前記キャビティは、前記ガイドチャネルよりも大きい直径を有する、ボトムリング。 - 請求項1に記載のボトムリングであって、前記ガイドチャネルの直径は、1.60mm(0.063インチ)と1.70mm(0.067インチ)との間である、ボトムリング。
- 請求項1に記載のボトムリングであって、前記ガイドチャネルと前記キャビティとの間の推移部が、面取りされている、ボトムリング。
- 請求項3に記載のボトムリングであって、前記面取りされた推移部は、0.508mm(0.020インチ)と0.889mm(0.035インチ)との間の高さおよび幅と、40°と50°との間の角度とを有する、ボトムリング。
- 請求項1に記載のボトムリングであって、前記上面の段差の内径は、少なくとも33.02cm(13.0インチ)である、ボトムリング。
- 請求項1に記載のボトムリングであって、前記ボトムリングの前記上面から上方に延びるガイド構造をさらに備えた、ボトムリング。
- 請求項6に記載のボトムリングであって、前記ガイドチャネルは、前記ガイド構造を通過する、ボトムリング。
- 請求項7に記載のボトムリングであって、前記ガイド構造は、前記ガイドチャネルの前記第1の領域を含む、ボトムリング。
- 可動エッジリングを支持するように構成されたボトムリングであって、前記エッジリングは、基板支持体に対して上昇および下降するように構成され、前記ボトムリングは、
上面であって、前記上面は段差状である、上面と、
環状内径と、
環状外径と、
下面と、
前記ボトムリングを介して前記ボトムリングの前記下面から前記上面まで設けられた複数の垂直ガイドチャネルであって、前記ガイドチャネルのおのおのは、前記ガイドチャネルよりも小さい直径を有する第1の領域を含み、前記ガイドチャネルは、前記エッジリングを上昇および下降させるためのそれぞれのリフトピンを受け入れるように構成された、複数の垂直ガイドチャネルと、
前記ボトムリングの前記上面から上方に延びるガイド構造と、備え、
前記上面は内側環状リムを含み、前記ガイド構造および前記内側環状リムは、溝を画定する、ボトムリング。 - 請求項9に記載のボトムリングであって、前記ガイド構造の高さは、前記内側環状リムの高さよりも大きい、ボトムリング。
- 請求項6に記載のボトムリングであって、前記ガイド構造の第1の上部コーナと第2の上部コーナとの少なくとも一方が、面取りされている、ボトムリング。
- 請求項6に記載のボトムリングであって、前記上面は、内側環状リムおよび外側環状リムを含み、前記ガイド構造および前記内側環状リムは、第1の溝を画定し、前記ガイド構造および前記外側環状リムは、第2の溝を画定する、ボトムリング。
- 請求項1に記載のボトムリングであって、前記上面は、方向における少なくとも2つの変化を含む、ボトムリング。
- 可動エッジリングを支持するように構成されたボトムリングであって、前記エッジリングは、基板支持体に対して上昇および下降するように構成され、前記ボトムリングは、
上面であって、前記上面は段差状である、上面と、
環状内径と、
環状外径と、
下面と、
前記ボトムリングを介して前記ボトムリングの前記下面から前記上面まで設けられた複数の垂直ガイドチャネルであって、前記ガイドチャネルのおのおのは、前記ガイドチャネルよりも小さい直径を有する第1の領域を含み、前記ガイドチャネルは、前記エッジリングを上昇および下降させるためのそれぞれのリフトピンを受け入れるように構成された、複数の垂直ガイドチャネルと、を備え、
前記上面は、少なくとも5つの方向の変化を含む、ボトムリング。 - 請求項1に記載のボトムリングであって、前記上面は、少なくとも5つの交互する垂直経路と水平経路とを含む、ボトムリング。
- 可動エッジリングを支持するように構成されたボトムリングであって、前記エッジリングは、基板支持体に対して上昇および下降するように構成され、前記ボトムリングは、
上面であって、前記上面は段差状である、上面と、
環状内径と、
環状外径と、
下面と、
前記ボトムリングを介して前記ボトムリングの前記下面から前記上面まで設けられた複数の垂直ガイドチャネルであって、前記ガイドチャネルのおのおのは、前記ガイドチャネルよりも小さい直径を有する第1の領域を含み、前記ガイドチャネルは、前記エッジリングを上昇および下降させるためのそれぞれのリフトピンを受け入れるように構成された、複数の垂直ガイドチャネルと、を備え、
前記ボトムリングは、第1の外径と、前記第1の外径よりも大きい第2の外径とを有する、ボトムリング。 - 請求項1に記載のボトムリングであって、前記ボトムリングは、前記ボトムリングの外径から半径方向外側に延びる環状リップを含む、ボトムリング。
- 請求項1に記載のボトムリングであって、前記下面は、前記基板支持体のベースプレートのボルト穴と整列するように構成された複数のキャビティを含む、ボトムリング。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2021075777A JP7220251B2 (ja) | 2017-11-21 | 2021-04-28 | ミドルリング |
JP2023011469A JP7487360B2 (ja) | 2017-11-21 | 2023-01-30 | ボトムリング |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/US2017/062769 WO2019103722A1 (en) | 2017-11-21 | 2017-11-21 | Bottom and middle edge rings |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021075777A Division JP7220251B2 (ja) | 2017-11-21 | 2021-04-28 | ミドルリング |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020512701A JP2020512701A (ja) | 2020-04-23 |
JP6878616B2 true JP6878616B2 (ja) | 2021-05-26 |
Family
ID=66631121
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019553416A Active JP6878616B2 (ja) | 2017-11-21 | 2017-11-21 | ボトムおよびミドルエッジリング |
JP2021075777A Active JP7220251B2 (ja) | 2017-11-21 | 2021-04-28 | ミドルリング |
JP2023011469A Active JP7487360B2 (ja) | 2017-11-21 | 2023-01-30 | ボトムリング |
Family Applications After (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021075777A Active JP7220251B2 (ja) | 2017-11-21 | 2021-04-28 | ミドルリング |
JP2023011469A Active JP7487360B2 (ja) | 2017-11-21 | 2023-01-30 | ボトムリング |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US20200312633A1 (ja) |
EP (3) | EP3843129B1 (ja) |
JP (3) | JP6878616B2 (ja) |
KR (6) | KR102143290B1 (ja) |
CN (6) | CN110383454B (ja) |
SG (1) | SG11201907515WA (ja) |
WO (1) | WO2019103722A1 (ja) |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10658222B2 (en) | 2015-01-16 | 2020-05-19 | Lam Research Corporation | Moveable edge coupling ring for edge process control during semiconductor wafer processing |
KR102143290B1 (ko) * | 2017-11-21 | 2020-08-11 | 램 리써치 코포레이션 | 하단 링 및 중간 에지 링 |
JP7140610B2 (ja) * | 2018-09-06 | 2022-09-21 | 株式会社日立ハイテク | プラズマ処理装置 |
JP7105666B2 (ja) * | 2018-09-26 | 2022-07-25 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
CN114008738B (zh) * | 2019-06-18 | 2024-05-24 | 朗姆研究公司 | 用于衬底处理系统的缩小直径承载环硬件 |
CN114207772B (zh) * | 2019-08-05 | 2024-05-24 | 朗姆研究公司 | 用于衬底处理系统的边缘环系统 |
TWM602283U (zh) * | 2019-08-05 | 2020-10-01 | 美商蘭姆研究公司 | 基板處理系統用之具有升降銷溝槽的邊緣環 |
KR20220044356A (ko) * | 2019-08-14 | 2022-04-07 | 램 리써치 코포레이션 | 기판 프로세싱 시스템들을 위한 이동 가능한 에지 링들 |
KR20210042749A (ko) * | 2019-10-10 | 2021-04-20 | 삼성전자주식회사 | 정전 척 및 상기 정전 척을 포함하는 기판 처리 장치 |
GB202002798D0 (en) * | 2020-02-27 | 2020-04-15 | Lam Res Ag | Apparatus for processing a wafer |
KR20210136295A (ko) | 2020-05-07 | 2021-11-17 | 엘지전자 주식회사 | 의류처리장치 |
US11600516B2 (en) * | 2020-05-13 | 2023-03-07 | Asmpt Singapore Pte. Ltd. | Die ejector height adjustment |
CN116250072A (zh) * | 2020-11-19 | 2023-06-09 | 应用材料公司 | 用于基板极端边缘保护的环 |
KR102427214B1 (ko) * | 2021-11-12 | 2022-08-01 | 비씨엔씨 주식회사 | 결합 및 분해가 가능한 반도체용 포커스 링 조립체 |
CN118339646A (zh) * | 2021-12-03 | 2024-07-12 | 朗姆研究公司 | 用于衬底处理系统中增强屏蔽的宽覆盖边缘环 |
Family Cites Families (41)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5886863A (en) * | 1995-05-09 | 1999-03-23 | Kyocera Corporation | Wafer support member |
KR20010089376A (ko) * | 1998-10-29 | 2001-10-06 | 조셉 제이. 스위니 | 전력을 반도체 웨이퍼 프로세싱 시스템내의 제품을 통하여연결하기 위한 장치 |
KR100315088B1 (ko) * | 1999-09-29 | 2001-11-24 | 윤종용 | 포커스 링을 갖는 반도체 웨이퍼 제조 장치 |
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CN116110846A (zh) | 2016-01-26 | 2023-05-12 | 应用材料公司 | 晶片边缘环升降解决方案 |
CN108369922B (zh) * | 2016-01-26 | 2023-03-21 | 应用材料公司 | 晶片边缘环升降解决方案 |
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EP3580777B1 (en) * | 2017-07-24 | 2021-04-14 | LAM Research Corporation | Moveable edge ring designs |
KR102143290B1 (ko) * | 2017-11-21 | 2020-08-11 | 램 리써치 코포레이션 | 하단 링 및 중간 에지 링 |
JP2020155489A (ja) * | 2019-03-18 | 2020-09-24 | キオクシア株式会社 | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 |
-
2017
- 2017-11-21 KR KR1020187021879A patent/KR102143290B1/ko active IP Right Grant
- 2017-11-21 KR KR1020237044195A patent/KR20230175352A/ko active Application Filing
- 2017-11-21 JP JP2019553416A patent/JP6878616B2/ja active Active
- 2017-11-21 EP EP21152876.5A patent/EP3843129B1/en active Active
- 2017-11-21 EP EP22188723.5A patent/EP4102551A1/en active Pending
- 2017-11-21 WO PCT/US2017/062769 patent/WO2019103722A1/en unknown
- 2017-11-21 SG SG11201907515WA patent/SG11201907515WA/en unknown
- 2017-11-21 US US16/487,703 patent/US20200312633A1/en active Pending
- 2017-11-21 CN CN201780088065.8A patent/CN110383454B/zh active Active
- 2017-11-21 KR KR1020207013289A patent/KR102254224B1/ko active IP Right Grant
- 2017-11-21 KR KR1020217014539A patent/KR102401722B1/ko active IP Right Grant
- 2017-11-21 CN CN202410247904.8A patent/CN118380371A/zh active Pending
- 2017-11-21 CN CN202410248204.0A patent/CN118380372A/zh active Pending
- 2017-11-21 KR KR1020227017008A patent/KR102617972B1/ko active IP Right Grant
- 2017-11-21 CN CN202410249161.8A patent/CN118380374A/zh active Pending
- 2017-11-21 KR KR1020207004813A patent/KR102182298B1/ko active IP Right Grant
- 2017-11-21 EP EP17932862.0A patent/EP3566245B1/en active Active
- 2017-11-21 CN CN202410249999.7A patent/CN118380375A/zh active Pending
- 2017-11-21 CN CN202410248450.6A patent/CN118380373A/zh active Pending
-
2021
- 2021-04-28 JP JP2021075777A patent/JP7220251B2/ja active Active
-
2022
- 2022-02-25 US US17/681,633 patent/US20220189745A1/en active Pending
- 2022-02-25 US US17/681,606 patent/US20220189744A1/en active Pending
-
2023
- 2023-01-30 JP JP2023011469A patent/JP7487360B2/ja active Active
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190927 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20201113 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20201201 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210226 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20210406 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20210428 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6878616 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |