CN116250072A - 用于基板极端边缘保护的环 - Google Patents

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Abstract

本发明实施例提供一种用于处理基板的方法和设备。所述设备具有环组件。环组件具有边缘环和遮蔽环。边缘环具有环形主体。边缘环主体具有顶表面和底表面。销孔从顶表面延伸穿过边缘环主体到底表面。遮蔽环具有环形主体。遮蔽环主体具有上表面和下表面。孔座形成在所述下表面上，其中所述遮蔽环主体中的所述孔座与所述边缘环主体中的所述销孔对准。

Description

用于基板极端边缘保护的环
技术领域
本公开的示例大体关于保护在半导体处理腔室中经受等离子体处理的基板的极端边缘的环的组合。
背景技术
电子装置(如平板显示器和集成电路)通常由一系列处理制造，其中层被沉积在基板上并且经沉积的材料层被蚀刻成所需的图案。处理通常包括沉积系统、蚀刻系统和其他等离子体和基板处理系统。具体而言，等离子体处理包括将处理气体混合物供应到真空腔室，这意味着射频电源[RF电源]以将处理气体激发成等离子体状态。等离子体将气体混合物分解成执行期望的沉积或蚀刻处理的离子物质。
随着技术节点的进步，对越来越小和选择性处理能力的需求至关重要。这些能力从基板的一个边缘延伸到另一边缘，以使基板上电子装置的数量最大化。因此，当装置的布局(layout)利用尽可能靠近边缘的基板区域时，基板的利用被最大化。然而，在诸如蚀刻处理的处理期间，等离子体可能会蚀刻基板的极端边缘，不期望地导致用于形成无缺陷装置的基板上的可用区域减少。
因此，需要一种用于执行蚀刻处理同时保护基板的极端边缘以使基板上用于形成装置的可用区域最大化的设备。
发明内容
本发明实施例提供一种用于处理基板的方法和设备。所述设备具有环组件。环组件具有边缘环和遮蔽环。边缘环具有环形主体。边缘环主体具有顶表面和底表面。销孔从顶表面延伸穿过边缘环主体到底表面。遮蔽环具有环形主体。遮蔽环主体具有上表面和下表面。孔座形成在所述下表面上，其中所述遮蔽环主体中的所述孔座与所述边缘环主体中的所述销孔对准。
在另一个实施例中，提供了等离子体处理腔室。等离子体处理腔室具有腔室主体，所述腔室主体具有侧壁、盖件和底部，所述侧壁、所述盖件和所述底部限定内部容积。控制器耦合到腔室主体。基板支撑组件设置在内部容积中。基板支撑组件具有底盘、静电吸盘、升降组件和环组件。静电吸盘具有经配置以在其上支撑基板的支撑表面。升降组件耦合到底盘。销耦合到升降组件并且延伸穿过静电吸盘。环组件具有边缘环和遮蔽环。边缘环具有环形主体。边缘环主体具有顶表面和底表面。销孔从顶表面延伸穿过边缘环主体到底表面。遮蔽环具有环形主体。遮蔽环主体具有上表面和下表面。孔座形成在所述下表面上，其中所述遮蔽环主体中的所述孔座与所述边缘环主体中的所述销孔对准。
在又另一个实施例中，提供了一种用于蚀刻基板的方法。所述方法首先用升降组件提高多个可移动销上的遮蔽环。基板在一组可移动销之间移动到基板支撑件上。升降组件收回可移动销以降低遮蔽环。撞击等离子体以处理设置在基板支撑件上的基板。
附图说明
为了可以详细了解本公开的上述特征的方法，本公开的特征已简要概述于上文，并在以下有更详尽的讨论，可以通过参考所附附图中示出的本公开的实施例以作了解。
图1是根据本公开的一个或多个实施例的处理腔室的示意性截面图。
图2A是图1的处理腔室的基板支撑件的顶部平面图。
图2B是图2A的基板支撑件的示意性截面图。
图3A-图3B绘示图2B的基板支撑件的截面部分视图。
图4A是用于基板支撑件的边缘环的顶部透视图。
图4B是边缘环的底部平面图。
图4C是沿图4A所示的剖面线CC截取的边缘环的截面图。
图5A是用于基板支撑件的遮蔽环的顶部平面图。
图5B是遮蔽环的底部平面图。
图5C是沿图5A所示的剖面线CC截取的遮蔽环的截面图。
图6示出一种处理基板的方法。
为了便于理解，在可能的情况下，使用相同的附图标记代表附图中相同的组件。可以预期的是，一个实施例中的组件与特征可有利地并入其他实施例中而无需赘述。
然而，应注意的是，随附附图仅绘示本公开的示例性实施例，并且因此不应认为是对其范围的限制，因为本公开可允许其他同等有效的实施例。
具体实施方式
提供了一种用于在膜堆叠、基板中图案化特征和制造具有期望的小尺寸的纳米结构的系统。该系统包括环的组合，该环的组合可保护基板的边缘免受斜角(bevel)侵蚀(attack)和其他导致基板缺陷的不均匀性。环的组合包括边缘环和遮蔽环。边缘环或遮蔽环可分开提供和更换，即，使用一种环中的新环与另一种环的旧环。边缘环经配置以包围(circumscribe)基板。边缘环具有允许升降销运动以延伸穿过边缘环以用于调整遮蔽环的高度的特征。遮蔽环可移动到边缘环上的降低位置并且经配置以包围覆盖(circumscribeoverlay)基板。遮蔽环影响等离子体鞘(plasma sheath)轮廓并保护基板边缘免受处理化学物质的侵蚀。升降电动机用于精细调整遮蔽环在基板的高度上方的高度，以用于改变等离子体鞘轮廓。当基板被放置在处理腔室中时，遮蔽环被机动化的(motorized)升降机降低并放置在基板边缘上方的限定的高度处。遮蔽环经配置以与边缘环自对准，确保遮蔽环与基板同心。所公开的系统提供了一种精确控制遮蔽环在基板上方的高度的机构，从而导致基板的极端边缘处的等离子体鞘和蚀刻轮廓的控制。
如本文所用，术语“基板”是指用作后续处理操作的基础并包括待蚀刻表面的材料层。例如，基板可以包括含有含硅材料、含IV族或III-V族化合物、介电材料或任何其他材料(如金属氮化物、金属氧化物和金属合金，这取决于应用)的一种或多种材料。在一个或多个实施例中，基板可以具有形成在基板上或基板中的组件或结构。此外，基板不限于任何特定的尺寸或形状。
图1是根据本公开的一个或多个实施例的处理腔室100的示意性截面图。示例性处理腔室100适用于对设置在等离子体处理腔室100中的基板300上的材料层图案化。示例性处理腔室100适用于执行图案化处理。可适于从本公开中受益的等离子体处理腔室100的一个示例是可从位于加利福尼亚州圣克拉拉的应用材料公司获得的
Figure BDA0004113770740000041
Sym3TM蚀刻处理腔室。可以预期的是，其他处理腔室(包括来自其他制造商的处理腔室)可适于实施本公开的实施例。
等离子体处理腔室100包括腔室主体101，腔室主体101具有限定在其中的内部腔室容积108。腔室主体101具有耦接到地的侧壁102和底部106。侧壁102可具有衬垫以保护侧壁102并延长等离子体处理腔室100的维护周期之间的时间。等离子体处理腔室100的腔室主体101和相关部件的尺寸不受限制，且通常成成比例地大于将在其中处理的基板105的尺寸。基板尺寸的示例包括200mm直径、250mm直径和450mm直径，以及其他尺寸和形状。
腔室主体101可由铝或其他合适的材料制成。基板出入端118形成为穿过腔室主体101的侧壁102，以利于基板105移送进出等离子体处理腔室100。出入端口118可耦接到移送腔室和/或基板处理系统(未图示)的其他腔室。
腔室主体101支撑封围内部容积108的腔室盖件104。基板支撑组件110具有延伸至侧壁102的底盘支撑件112，用于支撑内部容积108内的基板支撑组件110。基板支撑组件110将内部容积108分成基板支撑组件110上方的上部容积113和基板支撑组件110下方的下部容积114。
泵送端口184形成为穿过腔室主体101的底部106并连接到下部容积114。泵送装置182通过泵送端口184耦接到下部容积114以抽空内部容积108并控制其中的压力。泵送装置182可包括一个或多个泵和节流阀。
气体面板132通过气体管线耦接到腔室主体101以将处理气体供应到内部容积108中。气体面板132可包括一个或多个处理气体源并且如果期望，可额外地包括惰性气体、非反应性气体和反应性气体。可由气体面板132提供的处理气体的示例包括但不限于含烃气体，其包括甲烷(CH4)、六氟化硫(SF6)、氯化硅(SiCl4)、四氟化碳(CF4)、溴化氢(HBr)、含烃气体、氩气(Ar)、氯气(Cl2)、氮气(N2)、氦气(He)和氧气(O2)。此外，处理气体可能包括氮气、氯气、氟气、氧气和氢气，如BCl3、C2F4、C4F8、C4F6、CHF3、CH2F2、CH3F、NF3、NH3、CO2、SO2、CO、N2、NO2、N2O和H2等。
腔室盖件104可包括喷嘴134。喷嘴134具有一个或多个端口，用于将来自气体面板132的处理气体引入上部容积113。在处理气体被引入等离子体处理腔室100之后，气体被激励(energized)以形成等离子体。可邻近等离子体处理腔室100提供天线142，如一个或多个电感线圈。天线电源供应146可通过匹配电路144为天线142供电，以将能量(如RF能量)电感地耦合到处理气体，以维持等离子体处理腔室100的上部容积113中的由处理气体形成的等离子体。
替代地，或除了天线电源供应146之外，基板105下方和/或基板105上方的处理电极可用于将RF电源电容地耦合到处理气体，以维持在内部容积108内的等离子体。天线电源供应146的操作可由控制器(如控制器160)控制，该控制器也控制等离子体处理腔室100中其他部件的操作。
控制器160可包括支持电路168、中央处理单元(CPU)162和内存164。CPU 162可执行存储在存储器164中的指令以控制处理顺序、调节从气体面板132进入等离子体处理腔室100的气流和其他处理参数。软件程序可存储在存储器164内。软件程序由CPU 162执行。CPU162对软件程序的执行控制等离子体处理腔室100，使得根据本公开执行处理。例如，软件程序可控制基板支撑组件110的操作。
基板支撑组件110在处理期间支撑基板105。基板支撑组件110包括电极124。电极124耦接到偏压电源126并且提供偏压，该偏压将由上部容积113中的处理气体形成的等离子体离子吸引到位于其上的基板105。在基板105的处理期间，偏压电源126可循环打开和关闭或脉冲。
转到图2A和图2B，图2A是图1的处理腔室的基板支撑件的顶部平面图。图2B是图2A的基板支撑件的示意性截面图。基板支撑组件110可包括静电吸盘201、冷却板202、设施板203、接地板205和底盘212。底盘支撑件112从底盘212延伸以支撑等离子体处理腔室100的内部容积108中的基板支撑组件110。
静电吸盘(ESC)201使用嵌入其中的电极124将基板105静电吸引至基板支撑组件110。向电极124提供约200伏至约2000伏的吸附电压，以用于吸附和解吸附(de-chucking)基板105。基板支撑组件110可包括设置在其中(如在ESC 201中)的加热器，以用于加热基板。冷却板202支撑ESC 201并且可包括用于循环传热流体以维持ESC 201和设置在ESC 201上的基板105的温度的导管。为了减轻处理偏移(drift)和时间，在基板105在等离子体处理腔室100中的整个时间中，基板105的温度可由冷却板202保持实质恒定。
ESC 201经配置以在基板105上制造的装置的热预算所需的温度范围内执行。例如，对于某些实施例，ESC 201可经配置以将基板105保持在约负约25摄氏度到约500摄氏度的温度。
升降销移动穿过基板支撑组件110以将基板105升高到基板支撑组件110(即ESC201)上方，以便于由移送机器人(未示出)或其他合适的移送机构接取(access)基板105。
环组件250设置在ESC 201上并且沿着基板支撑组件110的周边。环组件250包括边缘环251和遮蔽环252。边缘环251设置在ESC 201上。边缘环251的尺寸被设计成包围基板105。遮蔽环252可移动到较低位置，使得遮蔽环252与边缘环251接触并覆盖基板105的外周边。环组件250经配置以使等离子体鞘轮廓成形，将蚀刻气体限制在基板105的暴露顶表面的期望部分，并且附加地将基板支撑组件110的顶表面从等离子体处理腔室100内部的等离子体环境屏蔽开。
升降组件260设置在基板支撑组件110中。升降组件260经配置以在升高位置和降低位置之间移动遮蔽环252。在降低位置，遮蔽环252可设置在边缘环251上或靠近边缘环251。升降组件260是精确控制遮蔽环252在基板105上方的高度的机构，从而导致基板105的极端边缘处的等离子体鞘和蚀刻轮廓的控制。
可以预期的是，基板支撑组件110具有设置在基板支撑组件110内的三个升降组件260，以用于平衡和移动遮蔽环252。升降组件260具有电动机262、波纹管263和销261。
电动机262可操作以在升高和降低位置之间向上和向下移动销261。电动机262可以是线性致动器、气动、液压、步进器、伺服、齿轮或用于提供销261的垂直位移的其他合适的电动机。电动机262可经配置有硬停机(hard stop)以及光学编码器，以用于确定销261的行程(stroke)或移动。光学编码器经配置以向控制器提供反馈，以获得销261的精确垂直位置。光学编码器允许精确控制电动机262以定位支撑在销261上的遮蔽环252。在一个示例中，波纹管263经配置以容纳(accommodate)销261的2英寸或更大的垂直移动。波纹管263保持围绕销261的气密密封，允许销261上下移动的同时等离子体处理腔室100的内部保持在真空压力下。
升降组件260可耦接到底盘212。孔232设置在底盘212中，以用于为销261留有空隙(clearance)以延伸穿过底盘212而不受干扰。引导件231可设置在孔232中以提供支承表面，该支承表面促进轴向运动同时防止销261的活动(play)或水平运动。引导件231可附加地延伸到接地板205中的接地板孔233。引导件231可以是防止销261摆动(wobble)或活动的衬套。引导件231可由具有内直径的陶瓷材料形成，以用于容纳销261穿过引导件231的轴向运动。
简要地或另外地转向图3A和图3B，图3A-图3B示出图2B的基板支撑件的截面部分视图。升降组件260通过控制机构361耦接到控制器(如控制器160)。控制机构361可以是用于来回供应控制流体(如液压或气动流体)以操作电动机262的流体导管。替代地，控制机构361可以是用于传输指令或电力以操作电动机262的缆线。
提供了一种隔离器组件，该隔离器组件包括下隔离器环321和上隔离器环322。上隔离器环322具有外表面326和内表面324。上隔离器环322具有顶表面325和底表面327。上隔离器环322的底表面327接触下隔离器环321。上隔离器环322的内表面324与冷却板202接触。上隔离器环322的外表面326与基板支撑组件110的外侧壁或阴极衬垫302接触。
下隔离器环321和上隔离器环322使基板支撑组件110的侧壁对等离子体的吸引力降低，从而延长基板支撑组件110的维护寿命周期。附加地，阴极衬垫302保护基板支撑组件110的侧壁免受等离子体气体的影响，并延长等离子体处理腔室100维护之间的时间。
管槽234延伸穿过上隔离器环322和上隔离器环322。管槽234是上隔离器环322的主体中的孔并且从底表面327沿着上隔离器环322的外表面326延伸到顶表面325。管槽234提供在上隔离器环322中的间隙，以用于销261移动通过上隔离器环322。因此，应当理解，管槽234的直径大于销261的0.090英寸直径。例如，管槽234可具有约0.092英寸至约0.095英寸之间的直径。
等离子体屏312从基板支撑组件110的侧壁延伸。在一个示例中，等离子体屏312从上隔离器环322延伸。在另一示例中，等离子体屏312从阴极衬垫302延伸。等离子体屏312可从基板支撑组件110延伸到等离子体处理腔室100的侧壁102。等离子体屏312防止上部容积113中的等离子体进入下部容积114。
环组件250设置在ESC 201上且沿着基板支撑组件110的周边。环组件250包括边缘环251和遮蔽环252。遮蔽环252可移动地设置在边缘环上。边缘环251设置在ESC 201上。边缘环251的尺寸被设计成包围基板105。遮蔽环252可移动到较低位置，使得遮蔽环252与边缘环251接触并覆盖基板105的外周边。环组件250经配置以将蚀刻气体限制在基板105的暴露顶表面的期望部分，同时将基板支撑组件110的顶表面从等离子体处理腔室100内部的等离子体环境屏蔽开。
对边缘环251的论述现在另外参考图4A至图4C。图4A是用于基板支撑组件110的边缘环251的顶部透视图。图4B是边缘环251的底部平面图。图4C是沿图4A所示的剖面线C--C截取的边缘环251的截面图。
边缘环251具有主体451。主体451是环形的，具有内周边412、外周边414、底表面404和顶表面402。主体451实质绕边缘环251的几何中心499同心。主体451具有唇部448。唇部448沿顶表面延伸至内周边412。阶部446形成在内周边412和顶表面402之间的唇部448上。阶部446经配置以在其上支撑基板105。槽444形成在底表面中并且经配置以与上隔离器环322介接(interface)。槽444和上隔离器环322保持边缘环251在基板支撑组件110上的位置。即，槽444确保边缘环251在基板支撑组件110上保持居中。
边缘环251具有销孔280。销261延伸穿过边缘环251中的销孔280并接触遮蔽环252。销孔280从底表面404完全地穿过主体451延伸到顶表面402。销孔280经配置以允许销261完全穿过边缘环251。销孔280可经布置成允许基板105在延伸穿过每个销孔280的销261之间通过的配置。销孔280可绕边缘环251的几何中心499径向居中。销孔280可与几何中心499径向地相距约7.00英寸到约6.90英寸之间。在一个示例中，边缘环251具有第一销孔481、第二销孔482和第三销孔483。第一销孔481可经定向以与第二销孔482成约110°至约115°之间的第一角度472。第二销孔482可经定向以与第三销孔483成110°至约115°之间的第二角度474。这导致第一销孔481经定向与第三销孔483成约140°和约130°之间的第三角度476。虽然第一角度472与第二角度474不一定相等，但第三角度476大于第一角度472与第二角度474以容纳基板105通过从第一销孔481延伸和第三销孔483的销261之间，而不干涉销261或与销261接触。
遮蔽环252安置(rest)在三个销261上，该三个销261延伸穿过边缘环251并由升降组件260操作。升降组件260相对于边缘环251和基板支撑组件110垂直移动遮蔽环252。遮蔽环252由销261升高到边缘环251上方，以允许基板105移动到基板支撑组件110上以及从基板支撑组件110移开。
现在将另外参考图5A至图5C对遮蔽环252的论述。图5A是用于在基板支撑组件110上使用的遮蔽环252的顶部平面图。图5B是遮蔽环252的底部平面图。图5C是沿图5A所示的剖面线C--C截取的遮蔽环252的截面图。
遮蔽环252具有主体551。主体551是实质环形的并且绕遮蔽环252的几何中心599同心。主体551具有外周边514和内周边512。主体551具有底表面504和顶表面524。主体551可由氧化铝(Al2O3)、石英、硅、钼或其他合适的材料或材料的组合形成。
顶表面524具有上顶表面526和下顶表面524。上顶表面526从外周边514延伸到倾斜表面528。倾斜表面528将上顶表面526连接到下顶表面524。腿部(leg)505从底部表面504沿主体551的外周边514延伸。腿部505具有与外周边514相对的内表面542。内表面542具有内径，该内径的尺寸被设计成大于边缘环251的外周边414。
多个凸片555从遮蔽环252的外周边514向外且向下延伸。凸片552将遮蔽环252对准并使遮蔽环252在基板支撑组件110上居中。在一个示例中，遮蔽环252具有三个凸片555。凸片552可等距间隔，例如，从凸片552中的相邻凸片偏移120°。然而，应当理解，可使用用于凸片552的其他间距。
孔座580形成在遮蔽环252的主体551中。孔座580可经铣削、研磨、冲压或以其他方式形成在主体551中。每个孔座580经配置以接纳销261中的一个，并防止遮蔽环252在被销261支撑时横向移动。替代地，孔座582可具有可更换的衬套、绝缘体、垫或其他插入件以防止遮蔽环252磨损。
孔座580可绕遮蔽环252的几何中心599径向地居中。孔座580可与几何中心599径向地相距在约7.00英寸到约6.90英寸之间。在一个示例中，遮蔽环252具有第一孔座581、第二孔座582和第三孔座583。第一孔座581可经定向以与第二孔座582成约110°至约115°之间的第一角度572。第二孔座582可经定向以与第三孔座583成110°至约115°之间的第二角度576。这导致第一孔座581经定向以与第三孔座581成约140°和约130°之间的第三角度574。当遮蔽环252和边缘环251两者的几何中心599/499对准时，遮蔽环252中的孔座580与边缘环251中的销孔282对准。
上文关于遮蔽环252中的孔座580和边缘环251中的销孔480的几何布置描述的配置提供了销261在比基板105直径大的至少一个位置的分离。例如，在销261与几何中心499/599相距约7.0英寸至6.90英寸之间并且一对销261之间的角度在130度和140度之间的布置中，销261在一对相邻销261之间可具有约370mm至约387mm之间的开口或横向间隔，以容纳销261之间的基板105移送。应当理解，由于等离子体处理腔室100经配置以用于不同尺寸的基板105，以类似地方式设计遮蔽环252和边缘环251的尺寸，并且因此改变相邻销261之间的开口，以用于容纳销261之间的基板移送。
在操作中，控制器160向升降组件260发送指令，以用于使销261延伸穿过边缘环251以升高遮蔽环252。基板105可由机器人(未示出)放置在基板支撑组件110上，该机器人延伸穿过在第一销孔481和第二销孔482、边缘环251和遮蔽环252中的第一销和第二销(销261)之间形成的开口。在机器人缩回并且基板105安置在ESC 201上之后，控制器160向升降组件260发送指令，以用于降低销261以将遮蔽环252降低到边缘环251上。遮蔽环252沿内周边512在基板105上方延伸以保护基板105的边缘。有利地，遮蔽环252防止等离子体在处理期间以处理化学物质不必要地侵蚀基板105的背面和边缘(即斜角边缘侵蚀)。此外，升降组件260允许遮蔽环252在基板105上方的高度的精细调整，从而导致基板105的极端边缘处的等离子体鞘和蚀刻轮廓的控制。
图6绘示一种处理基板的方法600。在框610，升降组件提高多个可移动销上的遮蔽环。遮蔽环为环形并具有遮蔽环内径和遮蔽环外径。可移动销延伸穿过设置在基板支撑件上的边缘环。在框620，基板在可移动销之间移动到基板支撑件上。边缘环是环形的并且具有边缘环内径和边缘环外径。边缘环内径大于遮蔽环内径。边缘环外径小于遮蔽环外径。边缘环内径大于基板的基板直径。基板被边缘环包围。在框630，升降组件收回可移动销以降低遮蔽环。遮蔽环内径小于基板直径。在框640，撞击等离子体以处理设置在基板支撑件上的基板。在一些示例中，在基板被处理时，遮蔽环被支撑在可移动销上。
虽然上文针对本公开的实施例，但在不背离本公开的基本范围下，可设计本公开的其他与进一步的实施例，且本公开的范围由以下权利要求确定。

Claims (20)

1.一种环组件，包括：
边缘环，所述边缘环具有环形主体，所述边缘环主体包含：
顶表面和底表面；以及
销孔，所述销孔从所述顶表面延伸穿过所述边缘环主体到所述底表面；以及
遮蔽环，所述遮蔽环具有环形主体，所述遮蔽环主体包含：
上表面和下表面；以及
孔座，所述孔座形成在所述下表面上，其中所述遮蔽环主体中的所述孔座与所述边缘环主体中的所述销孔对准。
2.如权利要求1所述的环组件，其中所述边缘环主体进一步包括：
所述边缘环主体上的边缘环外径；
所述边缘环主体上的边缘环内径；
遮蔽环外径；以及
遮蔽环内径，其中所述边缘环外径小于所述遮蔽环外径，并且所述边缘环内径大于所述遮蔽环内径。
3.如权利要求2所述的环组件，其中所述边缘环具有三个销孔，并且所述遮蔽环具有三个孔座。
4.如权利要求3所述的环组件，其中所述孔座是不延伸到所述上表面的凹口。
5.如权利要求4所述的环组件，其中所述三个销孔中的至少一组销孔以130度或更大的角度径向地间隔开。
6.如权利要求5所述的环组件，其中销孔与所述边缘环的中心相距至少6.9英寸。
7.一种等离子体处理腔室，包括：
腔室主体，所述腔室主体具有侧壁、盖件和底部，所述侧壁、所述盖件和所述底部限定内部容积；
控制器，所述控制器耦接到所述腔室主体；以及
基板支撑组件，所述基板支撑组件设置在所述内部容积中，所述基板支撑组件包含：
底盘；
静电吸盘，所述静电吸盘具有支撑表面，所述支撑表面经配置以在其上支撑基板；
升降组件，所述升降组件耦合到所述底盘；
销，所述销耦合到所述升降组件并且延伸穿过所述静电吸盘；以及
环组件，所述环组件设置在所述支撑表面上，所述环组件包含：
边缘环，所述边缘环具有环形主体，所述边缘环主体包含：
顶表面和底表面；以及
销孔，所述销孔从所述顶表面延伸穿过所述边缘环主体到所述底表面，其中所述销延伸进入所述销孔并穿过所述销孔；以及
遮蔽环，所述遮蔽环具有环形主体，所述遮蔽环主体包含：
上表面和下表面；以及
孔座，所述孔座形成在所述下表面上，其中所述遮蔽环主体中的所述孔座与所述边缘环主体中的所述销孔对准。
8.如权利要求7所述的等离子体处理腔室，其中所述边缘环主体进一步包括：
所述边缘环主体上的边缘环外径；
所述边缘环主体上的边缘环内径；
遮蔽环外径；以及
遮蔽环内径，其中所述边缘环外径小于所述遮蔽环外径，并且所述边缘环内径大于所述遮蔽环内径。
9.如权利要求8所述的等离子体处理腔室，其中所述边缘环具有三个销孔，并且所述遮蔽环具有三个孔座，并且其中所述孔座是凹口并且不延伸到所述上表面。
10.如权利要求9所述的等离子体处理腔室，其中所述三个销孔中的至少一组以130度或更大的角度径向地间隔开。
11.如权利要求10所述的等离子体处理腔室，其中销孔与所述边缘环的中心相距至少6.9英寸。
12.如权利要求9所述的等离子体处理腔室，其中所述基板支撑组件进一步包括：
隔离器，所述隔离器设置在所述静电吸盘下方，其中所述隔离器具有通孔，所述通孔与所述边缘环中的所述销孔对准，并且所述销延伸穿过所述通孔。
13.如权利要求12所述的等离子体处理腔室，其中所述隔离器包括：
上隔离器；以及
下隔离器，其中所述通孔延伸穿过所述上隔离器和所述下隔离器两者。
14.如权利要求13所述的等离子体处理腔室，其中所述升降组件进一步包括：
电动机，所述电动机可操作以垂直移动所述销；以及
光学编码器，所述光学编码器经配置以向所述控制器提供反馈以用于所述销的精确垂直位置。
15.如权利要求14所述的等离子体处理腔室，进一步包括：
引导件，所述引导件设置在所述底盘中，其中所述销延伸穿过所述引导件并且所述引导件防止所述销中的摆动。
16.如权利要求11所述的等离子体处理腔室，其中所述遮蔽环具有3个等间隔的凸片，所述凸片从所述边缘环外径向外并且向下延伸。
17.一种蚀刻基板的方法，包括：
用升降组件提高多个可移动销上的遮蔽环；
将基板在一组可移动销之间移动到基板支撑件上；
由所述升降组件收回所述可移动销以降低所述遮蔽环；以及
撞击等离子体以处理设置在所述基板支撑件上的所述基板。
18.如权利要求17所述的方法，其中所述可移动销延伸穿过设置在所述基板支撑件上的边缘环。
19.如权利要求18所述的方法，其中边缘环外径小于遮蔽环外径，并且边缘环内径大于所述基板的基板直径，而遮蔽环内径小于所述基板直径。
20.如权利要求17所述的方法，其中在所述基板被处理时，所述遮蔽环被支撑在所述可移动销上。
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