KR101517720B1 - 정전척 및 이를 포함하는 플라즈마 발생장치 - Google Patents

정전척 및 이를 포함하는 플라즈마 발생장치 Download PDF

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이세진
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Abstract

정전척 및 이를 포함하는 플라즈마 발생장치를 제공한다. 정전척은 기판이 로딩되어 흡착되는 상면, 상기 상면의 가장자리 부분으로부터 일정 간격 이격되어 상기 상면의 둘레 방향으로 배치되는 복수개의 헬륨가스 홀들, 상기 상면에 위치하고, 상기 헬륨가스 홀들에서부터 상기 상면의 가장자리 방향으로 연장되어 배치되는 복수개의 제1 헬륨가스 통로 홈들 및 상기 상면의 둘레 방향을 따라 배치되고, 상기 헬륨가스 통로 홈들 중 적어도 하나 이상의 홈들의 끝단과 연결되는 복수개의 제2 헬륨가스 통로 홈들을 포함할 수 있다. 따라서, 종래에 정전척의 상면의 최외각부에 배치했던 헬륨가스 홀들을 정전척 상면의 내부로 이동 배치함으로써 플라즈마 공격에 의한 헬륨가스 홀의 아킹 발생을 최소화할 수 있다. 또한, 정전척의 상면의 최외각부에는 헬륨가스 홀들과 연결된 헬륨가스 통로 홈들을 배치함으로써, 기판의 외각부에 헬륨가스를 충분히 공급할 수 있어서 기판의 버닝을 방지할 수 있다.

Description

정전척 및 이를 포함하는 플라즈마 발생장치{Electrostatic chuck and plasma generation apparatus using the same}
본 발명은 정전척 및 이를 포함하는 플라즈마 발생장치에 관한 것으로, 더욱 자세하게는 플라즈마 처리 챔버의 아킹을 최소화하는 정전척 및 이를 포함하는 플라즈마 발생장치에 관한 것이다.
플라즈마는 전기에너지를 갖는 특별한 형태의 가스로써 이 에너지는 화학반응을 촉진하며 플라즈마 내의 이온을 가속시켜 플라즈마와 닿는 매질 표면의 건식 식각이나 증착 혹은 스퍼터링 등에 사용된다. 플라즈마 반응을 표면 처리에 이용하기 위해서는 플라즈마의 전기에너지를 조절함이 중요하다.
최근에 플라즈마는 반도체 제조 공정 및 디스플레이 제조 공정에 활발히 사용되고 있다. 반도체 제조 공정에서는 건식 식각 공정, 증착 공정, 에싱(ashing) 공정, ALD(Atomic Layer Depostion) 등이며 디스플레이 제조 공정에는 디스플레이 평판 식각 공정, 디스플레이 평판 박막증착 공정 등에 사용된다.
최근에 플랫 패널 디스플레이를 제작하는데 사용되는 기판의 크기는 스루풋 향상을 통한 제작 비용의 절감 등을 위하여 대면적화 되고 있다. 따라서, 플랫 패널 디스플레이 제조용 진공 프로세스 장비 중 플라즈마를 이용하는 장비의 경우, 공정을 진행하는데 적합한 수준의 플라즈마 균일도가 필요하다. 따라서, 균일한 밀도의 플라즈마를 형성하기 위해 RF 방전을 이용하는 유도결합형 플라즈마 장치가 주로 이용된다.
이러한 유도결합형 플라즈마 발생장치는 진공 상태로 유지되며, 기판의 처리를 위해 외부에서 유입된 반응 가스를 이용하여 플라즈마를 생성하는 제1 챔버, 이러한 제1 챔버의 상부에 위치하며, 진공 조건 하에서, RF 전원에 접속되어 제1 챔버에 플라즈마 생성을 위한 전기장을 유도하는 안테나 코일이 배치된 제2 챔버 및 이러한 제1 및 제2 챔버를 물리적으로 구분하며, 제1 챔버 내부에 전기장이 유도되도록 하는 유전체 윈도우를 포함한다.
또한, 이 때의 제1 챔버 내에는 기판이 로딩되어 흡착될 수 있는 정전척(electrostatic chuck )이 구비된다.
이러한 정전척은 정전기력에 의해 기판을 정전 흡착한다. 이 때, 이러한 정전척의 상면에는 기판을 냉각(cooling)하기 위한 헬륨가스 홀들(He hole)이 배치된다.
종래에는 정전척의 상면의 최외각부에 위치하는 헬륨가스 홀에 플라즈마 공격(attack)이 집중됨에 따라 헬륨 홀 아킹이 발생되는 문제점이 있었다.
만일, 정전척의 상면의 최외각부에 위치하는 헬륨가스 홀을 제거할 경우, 기판의 외각부를 충분히 냉각시킬 수 없어 기판의 버닝(burning)이 발생될 수 있는 문제점이 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 헬륨가스 홀의 아킹을 최소화하면서, 기판의 버닝을 최소화할 수 있는 헬륨가스 공급 구조를 갖는 정전척 및 이를 포함하는 플라즈마 발생장치를 제공함에 있다.
상기 과제를 이루기 위하여 본 발명의 일 측면은 정전척을 제공한다. 상기 정전척은 기판이 로딩되어 흡착되는 상면, 상기 상면의 가장자리 부분으로부터 일정 간격 이격되어 상기 상면의 둘레 방향으로 배치되는 복수개의 헬륨가스 홀들, 상기 상면에 위치하고, 상기 헬륨가스 홀들에서부터 상기 상면의 가장자리 방향으로 연장되어 배치되는 복수개의 제1 헬륨가스 통로 홈들 및 상기 상면의 둘레 방향을 따라 배치되고, 상기 헬륨가스 통로 홈들 중 적어도 하나 이상의 홈들의 끝단과 연결되는 복수개의 제2 헬륨가스 통로 홈들을 포함할 수 있다.
이때, 헬륨가스 홀들이 상기 상면의 가장자리 부분으로부터 떨어져 배치됨으로써, 플라즈마 공격에 의한 헬륨가스 홀의 아킹 발생을 최소화하는 것을 특징으로 한다.
이때의 헬륨가스 홀들은 헬륨가스를 공급해주는 헬륨가스 공급라인과 연결된 것을 특징으로 한다.
이때, 헬륨가스 공급라인으로부터 상기 헬륨가스 홀들로 헬륨가스가 공급되고, 상기 공급된 헬륨가스는 상기 헬륨가스 홀들, 제1 헬륨가스 통로홈들 및 제2 헬륨가스 통로홈들을 통하여 외부로 배출되면서 기판을 냉각시킴으로써 기판의 버닝을 방지하는 것을 특징으로 한다.
이때의 헬륨가스 홈들은 정전척의 상면의 가장자리에서부터 적어도 10 mm 이상 이격된 것을 특징으로 한다.
상기 과제를 이루기 위하여 본 발명의 다른 측면은 상술한 정전척을 포함하는 플라즈마 발생장치를 제공한다.
본 발명에 따르면, 종래에 정전척의 상면의 최외각부에 배치했던 헬륨가스 홀들을 정전척 상면의 내부로 이동 배치함으로써 플라즈마 공격에 의한 헬륨가스 홀의 아킹 발생을 최소화할 수 있다.
또한, 정전척의 상면의 최외각부에는 헬륨가스 홀들과 연결된 헬륨가스 통로 홈들을 배치함으로써, 기판의 외각부에 헬륨가스를 충분히 공급할 수 있어서 기판의 버닝을 방지할 수 있다.
본 발명의 기술적 효과들은 이상에서 언급한 것들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 효과들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 정전척의 개략 상면도 및 부분 확대도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 발생장치의 일부 개략단면도이다.
도 3은 비교예에 따른 정전척의 상면 개략도이다.
도 4는 제조예 1에 따른 정전척의 상면 개략도이다.
도 5는 제조예 2에 따른 정전척의 상면 개략도이다.
도 6은 제조예 1에 따른 정전척을 이용한 경우의 기판의 상태 이미지이다.
도 7은 제조예 1에 따른 정전척을 이용한 경우의 기판의 구역별 온도를 표시한 그림이다.
도 8은 제조예 2에 따른 정전척을 이용한 경우의 기판의 상태 이미지이다.
도 9는 제조예 2에 따른 정전척을 이용한 경우의 기판의 구역별 온도를 표시한 그림이다.
이하, 첨부된 도면을 참고하여 본 발명에 의한 실시예를 상세히 설명하면 다음과 같다.
본 발명이 여러 가지 수정 및 변형을 허용하면서도, 그 특정 실시예들이 도면들로 예시되어 나타내어지며, 이하에서 상세히 설명될 것이다. 그러나 본 발명을 개시된 특별한 형태로 한정하려는 의도는 아니며, 오히려 본 발명은 청구항들에 의해 정의된 본 발명의 사상과 합치되는 모든 수정, 균등 및 대용을 포함한다.
층, 영역 또는 기판과 같은 요소가 다른 구성요소 "상(on)"에 존재하는 것으로 언급될 때, 이것은 직접적으로 다른 요소 상에 존재하거나 또는 그 사이에 중간 요소가 존재할 수도 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다.
비록 제1, 제2 등의 용어가 여러 가지 요소들, 성분들, 영역들, 층들 및/또는 지역들을 설명하기 위해 사용될 수 있지만, 이러한 요소들, 성분들, 영역들, 층들 및/또는 지역들은 이러한 용어에 의해 한정되어서는 안 된다는 것을 이해할 것이다.
또한, 본 발명에서 사용하는 용어 "상면의 가장자리 부분" 또는 "상면의 최외각부"는 상면의 가장자리로부터 10 mm 이내의 영역을 의미한다.
본 발명에 따른 플라즈마 발생장치에 사용되는 정전척은 플라즈마 처리 챔버 내에 위치하여, 플라즈마 처리 챔버 내로 이송된 기판을 정전기력으로 흡착 지지하는 역할을 한다.
또한, 이러한 정전척은 플라즈마 공정에 따라 챔버 내의 온도가 상승되어 가열된 기판을 냉각시키기 위하여 정전척의 상면에 이러한 정전척을 관통하는 헬륨가스 홀들을 구비한다.
이러한 헬륨가스 홀들은 가열된 기판의 중앙부 및 외각부 모두를 효율적으로 냉각시켜 주기 위하여 정전척 상면에 중앙부 및 외각부에 배치될 수 있다.
종래에는 기판의 외각부를 냉각시켜주기 위해 정전척 상면의 최외각부에 헬륨가스 홀들을 배치하였다. 이때, 정전척 상면의 최외각부에 배치된 헬륨가스 홀들에 챔버 내에 발생된 플라즈마의 공격이 집중됨에 따라 헬륨가스 홀의 아킹이 발생하였다.
따라서, 본 발명에서는 정전척 상면의 최외각부에 위치하였던 헬륨가스 홀들을 정전척 상면 내부로 이동 배치하고, 정전척 상면의 최외각부에 헬륨가스 홀들과 연결된 헬륨가스 통로 홈들을 배치함으로써, 이러한 문제점을 해결하였다.
본 발명에서는 정전척 상면의 중앙부에 배치되는 헬륨가스 홀들에 대하여는 생략하고, 정전척 상면의 외각부에 배치되는 헬륨가스 홀들의 위치에 관한여 구체적으로 설명한다.
이에 대하여 도 1을 참조하여 구체적으로 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 정전척의 개략 상면도 및 부분 확대도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 정전척(10)은 기판이 로딩되어 흡착되는 상면(11)과 이러한 상면(11)에 배치되는 복수개의 헬륨가스 홀들(12), 제1 헬륨가스 통로 홈들(13) 및 제2 헬륨가스 통로 홈들(14)을 포함한다.
복수개의 헬륨가스 홀들(12)은 정전척(10)의 상면(11)의 가장자리 부분에서부터 일정 간격 이격되어 정전척(10)의 상면(11)의 둘레 방향으로 배치될 수 있다. 또한, 이러한 헬륨가스 홀들(12)은 정전척을 관통하여 형성된다.
이러한 헬륨가스 홀들(12)은 헬륨가스를 공급해주는 헬륨가스 공급라인(도 2의 60 참조)과 연결될 수 있다. 예를 들어, 헬륨가스 공급라인(도 2의 60 참조)은 정전척(10)의 하부에 위치할 수 있다.
따라서, 본 발명에서는 헬륨가스 홀들(12)이 정전척(10)의 상면(11)의 가장자리 부분으로부터 떨어져 안쪽으로 배치됨으로써, 플라즈마 어택에 의한 헬륨가스 홀의 아킹 발생을 최소화할 수 있다.
즉, 이러한 헬륨가스 홀들(12)은 플라즈마 공격의 집중을 최소화하기 위하여는 정전척(10)의 상면(11)의 가장자리에서부터 적어도 10 mm 이상 이격되어 배치되는 것이 바람직하다.
복수개의 제1 헬륨가스 통로 홈들(13)은 정전척(10)의 상면(11)에 위치하고, 헬륨가스 홀들(12)에서부터 정전척(10)의 상면(11)의 가장자리 방향으로 연장되어 배치된다.
헬륨가스 홀의 아킹을 최소화하기 위하여 정전척(10)의 상면(11)의 최외각부에 위치했었던 헬륨가스 홀들을 정전척(10)의 상면(11) 내부로 이동 배치함으로써, 기판의 외각부에 헬륨가스가 제대로 공급되지 않아 기판이 버닝될 우려가 있다.
따라서, 정전척(10)의 상면(11)의 최외각부에 헬륨가스 홀들(12)로부터 연장된 제1 헬륨가스 통로 홈들(13)을 배치함으로써, 기판의 외각부에도 헬륨가스를 충분히 공급할 수 있다. 즉, 제1 헬륨가스 통로 홈들(13)을 통해 헬륨가스가 기판의 외각부에 충분히 공급되어 기판을 냉각시킬 수 있다.
복수개의 제2 헬륨가스 통로 홈들(14)은 정전척(10)의 상면(11)의 둘레 방향을 따라 배치되고, 제1 헬륨가스 통로 홈들(13) 중 적어도 하나 이상의 홈들의 끝단과 연결된다.
따라서, 헬륨가스 홀(12)을 통해 공급된 헬륨가스가 제1 헬륨가스 통로 홈들(13)을 거쳐 제2 헬륨가스 통로 홈들(14)까지 이동할 수 있다.
따라서, 이와 같이 정전척(10)의 상면(11)의 최외각부에 제2 헬륨가스 통로 홈들(14)이 둘레방향으로 배치됨으로써, 기판의 외각부의 보다 많은 면적에 직접적으로 헬륨가스를 공급해 줄 수 있어 기판 외각부의 냉각 효율이 보다 향상될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 정전척을 포함하는 플라즈마 발생장치 예컨대, 유도결합형 플라즈마 발생장치에 대하여 설명한다.
이러한 유도결합형 플라즈마 발생장치는 진공 상태로 유지되며, 기판의 처리를 위해 외부에서 유입된 반응 가스를 이용하여 플라즈마를 생성하는 하부 챔버, 이러한 하부 챔버의 상부에 위치하며, 진공 조건 하에서, RF 전원에 접속되어 제1 챔버에 플라즈마 생성을 위한 전기장을 유도하는 안테나 코일이 배치된 상부 챔버 및 이러한 상부 챔버 및 하부 챔버를 물리적으로 구분하며, 하부 챔버 내부에 전기장이 유도되도록 하는 유전체 윈도우를 포함할 수 있다.
정전척은 플라즈마가 공정이 진행되는 하부 챔버 내에 위치하여 하부 챔버 내로 로딩된 기판을 흡착하여 고정 지지한다.
이러한 정전척이 구비된 하부챔버의 구조에 대하여 도 2를 참조하여, 구체적으로 설명한다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 발생장치의 일부 개략단면도이다.
도 2를 참조하면, 플라즈마 발생장치의 하부챔버(100)의 개략단면 모습이다.
하부챔버(100)의 하부에는 상면에 기판(W)이 로딩되어 흡착되는 정전척(10)이 위치한다.
이러한 기판(W)은 다양한 물질로 구비될 수 있다. 예를 들어, 이러한 기판(W)은 유리(glass) 기판일 수 있다.
정전척(10) 하부에는 정전척(10)을 냉각시키는 쿨링 플레이트(cooling plate, 20)가 위치한다.
그리고 이러한 쿨링 플레이트(20)의 측부 및 하부와 정전척(10)의 측부를 감싸는 유전체 부재(30)가 위치한다.
그리고 이러한 유전체 부재(30)의 외곽을 감싸는 실드 부재(40)가 위치할 수 있다. 이러한 실드 부재(40)는 플라즈마로부터 정전척(10) 및 그 하부에 설치된 부재들을 보호하기 위한 구성으로서, 예컨대, 세라믹 재질을 가질 수 있다.
또한, 이러한 정전척(10) 상부 외주면에 포커스 링(50)이 접촉될 수 있다. 이러한 포커스 링(50)은 정전척(10)과 부분적으로 같은 높이로 형성되어 식각 공정이 수행되는 기판(W)은 정전척(10)과 포커스 링(50)의 상부에 함께 겹치도록 놓여질 수 있다.
이러한 포커스 링(50)은 일반적으로 실리콘 재질로 형성되며 플라즈마가 기판(W) 상에 집중되도록 하거나 하부 전극의 유효면적을 넓히기 위해 사용한다.
헬륨가스 공급라인(60)은 하부챔버(100)의 하부, 유전체 부재(30) 및 쿨링 플레이트(20)를 관통하여 정전척(10)의 하부면과 연결될 수 있다. 이때의 정전척(10)의 하부면에는 그루브(groove)가 형성될 수 있고, 이러한 그루브는 헬륨가스 공급라인(60)과 헬륨가스 홀들을 연결해 주는 통로 역할을 할 수 있다.
헬륨가스 콘트롤러(70)는 헬륨가스 공급라인(60)에 연결되어 헬륨가스의 공급 압력을 제어할 수 있다.
펌핑 배관(80)은 하부챔버(100)의 일측에 위치하여 하부챔버(100) 내의 가스나 파티클을 챔버 외부로 펌핑하여 배출시키는 역할을 한다.
본 발명에 따르면, 종래에 정전척(10)의 상면의 최외각부에 배치했던 헬륨가스 홀들을 정전척(10) 상면의 내부로 이동 배치함으로써 플라즈마 공격에 의한 헬륨가스 홀의 아킹 발생을 최소화할 수 있다.
또한, 정전척(10)의 상면의 최외각부에는 헬륨가스 홀들과 연결된 헬륨가스 통로 홈들을 배치함으로써, 기판(W)의 외각부에 헬륨가스를 충분히 공급할 수 있어서 기판(W)의 버닝을 방지할 수 있다.
비교예
상면의 가장자리 부분에 복수개의 헬륨가스 홀들을 배치한 정전척을 제조하였다.
도 3은 비교예에 따른 정전척의 상면 개략도이다.
도 3을 참조하면, 복수개의 헬륨가스 홀들은 정전척의 상면(11)의 가장자리 부분에 상면(11)의 둘레 방향으로 배치되었다.
즉, 이때의 헬륨가스 홀들(12)은 정전척의 상면(11)의 가장자리에서부터 10 mm 이내의 위치에 배치되었다.
제조예 1
상면의 가장자리 부분으로부터 일정 간격 이격되어 복수개의 헬륨가스 홀들을 배치한 정전척을 제조하였다.
도 4는 실시예 1에 따른 정전척의 상면 개략도이다.
도 4를 참조하면, 복수개의 헬륨가스 홀들은 정전척의 상면(11)의 가장자리 부분으로부터 일정 간격 이격되어 둘레 방향으로 배치되었다.
이때의 헬륨가스 홀들(12)은 정전척의 상면(11)의 가장자리에서부터 약 10 mm 떨어진 위치에 배치하였다.
제조예 2
상면에 헬륨가스 홀들을 제조예 1과 동일하게 배치하고, 제1 헬륨가스 통로 홈들 및 제2 헬륨가스 통로 홈들을 추가로 배치한 정전척을 제조하였다.
도 5는 제조예 2에 따른 정전척의 상면 개략도이다.
도 5를 참조하면, 복수개의 헬륨가스 홀들은 정전척의 상면의 가장자리 부분으로부터 일정 간격 이격되어 상면의 둘레 방향으로 배치되었다.
이때의 헬륨가스 홀들(12)은 정전척의 상면(11)의 가장자리에서부터 약 10 mm 떨어진 위치에 배치하였다.
또한, 복수개의 제1 헬륨가스 통로 홈들은 정전척의 상면에 위치하고, 헬륨가스 홀들에서부터 상면의 가장자리 방향으로 연장되어 배치하였다.
또한, 복수개의 제2 헬륨가스 통로 홈들은 상면의 둘레 방향을 따라 배치하고, 헬륨가스 통로 홈들 중 적어도 하나 이상의 홈들의 끝단과 연결하였다.
따라서, 이때의 제2 헬륨가스 통로 홈들은 정전척의 상면의 가장자리 부분에 배치된다.
실험예 1
상부에 포토레지스트(PR)층이 위치하는 유리(glass) 기판을 제조예 1에 따른 정전척 상에 로딩하여 흡착한 뒤, 플라즈마 식각공정을 수행한 후, 기판의 상태를 확인하였다.
도 6은 제조예 1에 따른 정전척을 이용한 경우의 기판의 상태 이미지이다.
도 6을 참조하면, 비교예의 정전척과 비교할 때, 정전척의 상면의 가장자리 부분의 헬륨가스 홀들을 상면의 안쪽으로 이동 배치하여, 헬륨가스 홀들의 아킹을 최소화하였으나, 기판의 외각부의 PR 버닝이 일어남을 확인하였다.
이는 헬륨가스 홀들의 배치 이동으로 인하여, 기판의 외각부를 충분히 냉각시켜 주지 못한 것임을 알 수 있다.
도 7은 제조예 1에 따른 정전척을 이용한 경우의 기판의 구역별 온도를 표시한 그림이다.
도 7을 참조하면, 기판의 외각부의 온도가 121 ℃, 127 ℃, 104℃ 및 110℃ 등으로 측정되었다. 따라서, 기판의 외각부의 온도가 100 ℃를 상회하고 있음을 알 수 있다.
실험예 2
상부에 포토레지스트(PR)층이 유리 기판을 제조예 2에 따른 정전척 상에 로딩하여 흡착한 뒤, 플라즈마 식각공정을 수행한 후, 기판의 상태를 확인하였다.
도 8은 제조예 2에 따른 정전척을 이용한 경우의 기판의 상태 이미지이다.
도 8을 참조하면, 비교예에 따른 정전척과 비교할 때, 정전척의 상면의 가장자리 부분의 헬륨가스 홀들을 상면의 안쪽으로 이동 배치하여, 헬륨가스 홀들의 아킹을 최소화함과 동시에 기판의 PR 버닝도 일어나지 않음을 확인하였다.
즉, 이는 헬륨가스 홀들로부터 연장된 제1 헬륨가스 통로 홈들 및 이러한 제1 헬륨가스 통로 홈들과 연결된 제2 헬륨가스 통로 홈들로 인하여, 기판의 외각부에 헬륨가스가 충분히 공급되어 기판의 외각부를 충분히 냉각시켜 주었음을 알 수 있다.
도 9는 실시예 2에 따른 정전척을 이용한 경우의 기판의 구역별 온도를 표시한 그림이다.
도 9를 참조하면, 기판의 외각부의 온도가 82 ℃ 및 93 ℃ 등으로 측정되었다. 따라서, 기판의 외각부의 온도가 100 ℃ 미만으로서, 충분히 냉각시켰음을 알 수 있다.
한편, 본 명세서와 도면에 개시된 본 발명의 실시 예들은 이해를 돕기 위해 특정 예를 제시한 것에 지나지 않으며, 본 발명의 범위를 한정하고자 하는 것은 아니다. 여기에 개시된 실시 예들 이외에도 본 발명의 기술적 사상에 바탕을 둔 다른 변형 예들이 실시 가능하다는 것은, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명한 것이다.
10: 정전척 11: 상면
12: 헬륨가스 홀 13: 제1 헬륨가스 통로 홈
14: 제2 헬륨가스 통로 홈 20: 쿨링 플레이트
30: 유전체 부재 40: 실드 부재
50: 포커스 링 60: 헬륨가스 공급라인
70: 헬륨가스 콘트롤러 80: 펌핑 배관

Claims (6)

  1. 기판이 로딩되어 흡착되는 상면;
    상기 상면의 가장자리 부분으로부터 일정 간격 이격되어 상기 상면의 둘레 방향으로 배치되는 복수개의 헬륨가스 홀들;
    상기 상면에 위치하고, 상기 헬륨가스 홀들에서부터 상기 상면의 가장자리 방향으로 연장되어 배치되는 복수개의 제1 헬륨가스 통로 홈들; 및
    상기 상면의 둘레 방향을 따라 배치되고, 상기 헬륨가스 통로 홈들 중 복수개의 홈들의 끝단과 연결되며, 서로 일정간격 이격 배치되는 제2 헬륨가스 통로 홈들을 포함하는 정전척.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 헬륨가스 홀들이 상기 상면의 가장자리 부분으로부터 떨어져 배치됨으로써, 플라즈마 공격에 의한 헬륨가스 홀의 아킹 발생을 최소화하는 것을 특징으로 하는 정전척.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 헬륨가스 홀들은 헬륨가스를 공급해주는 헬륨가스 공급라인과 연결된 것을 특징으로 하는 정전척.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 헬륨가스 공급라인으로부터 상기 헬륨가스 홀들로 헬륨가스가 공급되고, 상기 공급된 헬륨가스는 상기 헬륨가스 홀들, 제1 헬륨가스 통로 홈들 및 제2 헬륨가스 통로 홈들을 통하여 외부로 배출되면서 상기 기판을 냉각시킴으로써 상기 기판의 버닝을 방지하는 것을 특징으로 하는 정전척.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 헬륨가스 홀들은 상기 상면의 가장자리에서부터 적어도 10 mm 이상 이격된 것을 특징으로 하는 정전척.
  6. 제1항 내지 제 5항 중 어느 한 항의 정전척을 포함하는 플라즈마 발생장치.
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