KR20120000232U - 플라즈마 처리 챔버의 가동 기판 지지 어셈블리를 위한 소모성 격리 링 - Google Patents

플라즈마 처리 챔버의 가동 기판 지지 어셈블리를 위한 소모성 격리 링 Download PDF

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Abstract

가동 기판 지지 어셈블리의 소모성 격리 링이 기재된다. 소모성 격리 링은 고정 접지 링 둘레에 피팅된 가동 접지 링의 단차 상에 지지되도록 구성된다. 소모성 격리 링은 가동 접지 링을 가동 기판 지지 어셈블리의 유전체 링으로부터 전기적으로 격리하도록 구성된다.

Description

플라즈마 처리 챔버의 가동 기판 지지 어셈블리를 위한 소모성 격리 링{A CONSUMABLE ISOLATION RING FOR MOVABLE SUBSTRATE SUPPORT ASSEMBLY OF A PLASMA PROCESSING CHAMBER}
각각의 연속적인 반도체 기술 세대를 통해서, 웨이퍼 직경은 증가하는 경향이 있고 트랜지스터 크기는 감소하며, 이는, 기판 처리시에 더욱 높은 수준의 정확성 및 반복성에 대한 필요성을 초래한다. 실리콘 웨이퍼와 같은 반도체 기판 재료는 플라즈마 처리 챔버를 이용하여 관례대로 처리된다. 플라즈마 처리 기술은 스퍼터 증착, 플라즈마-강화된 화학 기상 증착 (PECVD), 레지스트 박리, 및 플라즈마 에칭을 포함한다. 플라즈마는, 플라즈마 처리 챔버 내의 적절한 프로세스 가스에 RF (radio frequency) 전력을 가함으로써 발생될 수 있다. 플라즈마 처리 챔버 내의 RF 전류의 흐름은 처리에 영향을 줄 수 있다.
플라즈마 처리 챔버는, 유도 결합 (트랜스포머 결합), 헬리콘, 전자 사이클로트론 공명 (electron cyclotron resonance), 용량 결합 (평행판) 과 같은, 플라즈마를 생성하기 위한 다양한 메커니즘들에 의존할 수 있다. 예를 들어, 고밀도 플라즈마는 트랜스포머 결합된 플라즈마 (TCPTM) 처리 챔버에서 또는 전자 사이클로트론 공명 (ECR) 처리 챔버에서 생성될 수 있다. RF 에너지가 챔버에 유도 결합된 트랜스포머 결합된 플라즈마 처리 챔버는 캘리포니아 프레몬트 소재의 Lam Research Corporation 으로부터 입수가능하다. 고밀도 플라즈마를 제공할 수 있는 고-흐름 플라즈마 처리 챔버의 예는, 그 개시물이 참조로서 본 명세서에 통합된 공동 소유의 미국 특허 제5,948,704호에 개시된다. 평행판 플라즈마 처리 챔버, 전자-사이클로트론 공명 (ECR) 플라즈마 처리 챔버, 및 트랜스포머 결합된 플라즈마 (TCPTM) 처리 챔버는 공동 소유의 미국 특허 제4,340,462호; 제4,948,458호; 제5,200,232호 및 제5,820,723호에 개시되고, 그 개시물은 참조로서 본 명세서에 통합된다.
예로써, 플라즈마는 공동-소유의 미국 특허 제6,090,304호에 기재된 듀얼 주파수 플라즈마 에칭 챔버와 같은 평행판 처리 챔버 내에서 제조될 수 있고, 그 개시물은 본 명세서에 참조로서 통합된다. 바람직한 평행판 플라즈마 처리 챔버는 상부 샤워헤드 전극 및 기판 지지체를 포함하는 듀얼 주파수 용량 결합된 플라즈마 처리 챔버이다. 예시의 목적으로, 본 명세서의 실시형태들은 평행판형 플라즈마 처리 챔버를 참조하여 설명된다.
플라즈마 에칭을 위한 평행판 플라즈마 처리 챔버가 도 1 에 예시된다. 플라즈마 처리 챔버 (100) 는 챔버 (110), 인렛 로드 락 (112), 및 선택적 아웃렛 로드 락 (114) 을 포함하고, 이들의 추가적인 세부사항들은 본 명세서에 그 전체가 참조로서 통합된 공동-소유의 미국 특허 제6,824,627호에 개시된다.
(만약 제공된다면) 로드 락 (112 및 114) 은 웨이퍼 공급기 (162) 로부터의 웨이퍼와 같은 기판을 챔버 (110) 를 통해서 웨이퍼 저장소 (164) 로 전달하기 위한 전달 디바이스들을 포함한다. 로드 락 펌프 (176) 는 로드 락 (112 및 114) 내에 원하는 진공압을 제공할 수 있다.
터보 펌프와 같은 진공 펌프 (172) 는 챔버 (110) 내에서 원하는 압력을 유지하도록 구성된다. 플라즈마 에칭 동안, 챔버 압력은 제어되어, 플라즈마를 유지하기 위한 충분한 레벨로 유지되는 것이 바람직하다. 너무 높은 챔버 압력은 에칭 중지에 불리하게 기여할 수 있고, 너무 낮은 챔버 압력은 플라즈마 소거를 유도할 수 있다. 평행판 플라즈마 처리 챔버와 같은 중간 밀도 플라즈마 처리 챔버에서, 챔버 압력은 약 200 mTorr 미만의 압력 (예를 들어, 20 내지 50 mTorr 와 같은 100 mTorr 미만) (본 명세서에서 "약" 은 ±10% 를 의미함) 으로 유지되는 것이 바람직하다.
진공 펌프 (172) 는 챔버 내의 압력을 제어하기 위해 챔버 (110) 의 벽의 아웃렛에 연결될 수 있고, 밸브 (173) 에 의해 조절될 수 있다. 바람직하게는, 에칭 가스가 챔버 (110) 내부로 흐르는 동안, 진공 펌프는 200 mTorr 미만의 챔버 (110) 내의 압력을 유지할 수 있다.
챔버 (110) 는 상부 전극 (125) (예를 들어, 샤워헤드 전극) 을 포함하는 상부 전극 어셈블리 (120), 및 기판 지지체 (150) 를 포함한다. 상부 전극 어셈블리 (120) 는 상부 하우징 (130) 내에 탑재된다. 상부 하우징 (130) 은 상부 전극 (125) 과 기판 지지체 (150) 사이의 갭을 조절하기 위한 메커니즘 (132) 에 의해 수직으로 가동할 수 있다.
프로세스 가스 소스 (170) 는 하우징 (130) 에 연결되어, 하나 이상의 가스들을 포함하는 프로세스 가스를 상부 전극 어셈블리 (120) 에 전달할 수 있다. 바람직한 플라즈마 처리 챔버에서, 상부 전극 어셈블리는 프로세스 가스를 기판의 표면에 가까운 영역으로 전달하는데 이용될 수 있는 가스 분배 시스템을 포함한다. 하나 이상의 가스 링, 주입기, 및/또는 샤워헤드 (예를 들어, 샤워헤드 전극들) 를 포함할 수 있는 가스 분배 시스템은, 공동-소유의 미국 특허 제6,333,272호; 제6,230,651호; 제6,013,155호 및 제5,824,605호에 기재되고, 이들의 개시물은 본 명세서에 참조로서 통합된다.
상부 전극 (125) 은, 프로세스 가스를 분배하는 가스 홀들 (미도시) 을 포함하는 샤워헤드 전극을 포함하는 것이 바람직하다. 가스 홀들은 0.02 내지 0.2 인치의 직경을 가질 수 있다. 샤워헤드 전극은 프로세스 가스의 원하는 분배를 촉진시킬 수 있는 하나 이상의 수직으로 이격된 배플 판들을 포함할 수 있다. 상부 전극 및 기판 지지체는, 흑연, 실리콘, 실리콘 카바이드, 알루미늄 (예를 들어, 양극화된 알루미늄), 또는 이들의 조합과 같은 임의의 적절한 재료로 형성될 수도 있다. 열 전달 액체 소스 (174) 는 상부 전극 어셈블리 (120) 에 연결될 수 있고, 다른 열 전달 액체 소스는 기판 지지체 (150) 에 연결될 수 있다.
기판 지지체 (150) 는 기판 지지체 (150) 의 상부 표면 (155) (지지체 표면) 상에서 기판을 정전기적으로 클램핑하기 위한 하나 이상의 임베디드 클램핑 전극들을 가질 수 있다. 기판 지지체 (150) 에는 RF 소스 및 부수적 회로 (미도시), 예를 들어, RF 매칭 회로에 의해 전력이 공급될 수 있다. 기판 지지체 (150) 는 온도 제어되는 것이 바람직하고, 선택적으로는 가열 장치 (미도시) 를 포함할 수도 있다. 가열 장치의 예는, 본 명세서에 참조로서 통합되는 공동 양도된 미국 특허 제6,847,014호 및 제7,161,121호에 개시된다. 기판 지지체 (150) 는 지지체 표면 (155) 상에서 평평한 패널 또는 200 mm 또는 300 mm 웨이퍼와 같은 반도체 기판을 지지할 수 있다.
기판 지지체 (150) 는 플라즈마 처리 동안 기판 온도를 제어하기 위해 지지체 표면 (155) 상에 지지된 기판 하부에 헬륨과 같은 열 전달 가스를 공급하기 위한 통로들을 그 내부에 포함하는 것이 바람직하다. 예를 들어, 헬륨 백 쿨링 (helium back cooling) 은 기판상에서 포토레지스트의 버닝 (burning) 을 방지하기에 충분히 낮은 웨이퍼 온도를 유지시킬 수 있다. 기판과 기판 지지체 표면 사이의 공간으로 가압 가스를 도입함으로써 기판의 온도를 조절하는 방법이, 공동-소유의 미국 특허 제6,140,612호에 개시되고, 이 개시물은 본 명세서에 참조로서 통합된다.
기판 지지체 (150) 는 리프트 핀 홀들 (미도시) 을 포함할 수 있고, 이 리프트 핀 홀들을 통해서 리프트 핀들이 적절한 메커니즘에 의해 수직으로 작동될 수 있고 챔버 (110) 로/로부터의 수송을 위해 지지체 표면 (155) 으로부터 기판을 들어올릴 수 있다. 리프트 핀 홀들은 약 0.08 인치의 직경을 가질 수 있다. 리프트 핀 홀들의 세부사항은 공동-소유의 미국 특허 제5,885,423호 및 제5,796,066호에 기재되고, 그 개시물들은 본 명세서에 참조로서 통합된다.
도 2 는 RF 전류의 흐름 경로를 예시하기 위해 용량 결합형 플라즈마 처리 챔버 (200) 의 블록도를 도시한다. 기판 (206) 은 처리 챔버 (200) 내에서 처리된다. 기판 (206) 을 에칭하도록 플라즈마를 점화하기 위해, 챔버 (200) 내의 프로세스 가스에는 RF 전력이 공급된다. RF 전류는 기판 처리 동안 RF 공급기 (222) 로부터 케이블 (224) 을 따라 RF 매치 네트워크 (220) 를 통해서 처리 챔버 (200) 내로 흐를 수도 있다. RF 전류는 하부 전극 (204) 위에 위치된 기판 (206) 을 처리하기 위한 한정된 챔버 체적 (210) 내에 플라즈마를 생성하기 위해 프로세스 가스와 커플링하도록 경로 (240) 를 따라서 이동할 수도 있다.
플라즈마 형성을 제어하고 처리 챔버 벽을 보호하기 위해, 한정 링 (212) 이 이용될 수도 있다. 예시적인 한정 링의 세부사항이, 2009년 8월 31일자로 모두 출원된 공동 소유의 미국 가출원 제61/238656호, 제61/238665호, 제61/238670호, 및 미국 특허 출원 공개 제2008/0149596호에 개시되고, 이들 개시물은 본 명세서에 참조로서 통합된다. 한정 링 (212) 은, 실리콘, 폴리실리콘, 실리콘 카바이드, 보론 카바이드, 세라믹, 알루미늄 등과 같은 도전성 재료로 형성될 수도 있다. 통상적으로, 한정 링 (212) 은 그 내부에 플라즈마를 형성할 수 있는 한정된 챔버 체적 (210) 의 주변을 둘러싸도록 구성될 수도 있다. 또한, 한정 링 (212) 뿐만 아니라, 한정된 챔버 체적 (210) 주변도 상부 전극 (202), 하부 전극 (204), 하나 이상의 절연체 링 (예컨대, 216 및 218), 에지 링 (214) 및 하부 전극 지지 구조체 (228) 에 의해 정의될 수도 있다.
한정 영역 (한정된 챔버 체적 (210)) 으로부터 중성 가스 종들을 배기시키기 위해, 한정 링 (212) 은 복수의 슬롯들 (예를 들어, 슬롯 (226a, 226b, 및 226c)) 을 포함할 수도 있다. 중성 가스 종들은 터보 펌프 (234) 를 통해서 처리 챔버 (200) 외부로 펌핑되기 이전에 한정된 챔버 볼륨 (210) 으로부터 처리 챔버 (200) 의 (챔버 볼륨 외측의) 외부 영역 (232) 으로 횡단할 수 있다.
기판 처리 동안 형성된 플라즈마는 한정된 챔버 볼륨 (210) 내에서 유지되어야 한다. 하지만, 소정의 조건 하에서, 플라즈마는 한정된 챔버 볼륨 (210) 의 외측에서 점화될 수도 있다. 일 실시예에서, 고압 환경인 경우, (한정된 챔버 볼륨 (210) 으로부터 처리 챔버 (200) 의 외부 영역 (232) 으로 배기되고 있는) 중성 가스종이 RF 장과 접할 수도 있다. 외측 챔버에서의 RF 장의 존재는 비한정된 플라즈마 (250) 의 형성을 야기할 수도 있다.
통상적인 처리 환경에서, RF 전류는 RF 발생기로부터 한정된 챔버 볼륨 (210) 으로 흐른 다음 전기적 접지로 흐른다. 챔버 볼륨 (210) 에서 전기적 접지까지의 RF 전류의 흐름 경로를 RF 리턴 경로라 한다. 도 2를 참조하여, RF 리턴 경로 (242) 는 한정 링 (212) 세트의 내측을 따라 흐르는 RF 리턴 전류를 포함할 수도 있다. 포인트 (252) 에서, RF 리턴 전류는 한정 링 (212) 의 외측을 따라 흘러 처리 챔버 (200) 의 내측 벽 표면과 브릿지할 수도 있다. 챔버 벽으로부터, RF 리턴 전류는 하부 전극 지지 구조체 (228) 로 일 세트의 스트랩 (230) 을 뒤따를 수도 있다. 하부 전극 지지 구조체 (228) 의 표면으로부터, RF 리턴 전류는 RF 매치 (220) 를 통해 RF 소스 (222) 로 역으로 흐를 수도 있다.
상기로부터 알 수 있는 바와 같이, 경로 (242) 를 뒤따름으로써, RF 전류는 전기적 접지로 흐르던 중에 한정된 챔버 볼륨 (210) 의 외측으로 흐른다. 그 결과, RF 장이 외측 챔버 영역에서 발생될 수도 있다. 이러한 RF 장의 존재는 비한정된 플라즈마 (250) 가 처리 챔버 (200) 의 외부 영역 (232) 에서 형성되도록 할 수 있다.
따라서, 비한정된 플라즈마의 점화를 방지하면서 짧은 RF 리턴 경로를 제공하는 장치가 요망된다.
본 명세서에서는 조절가능 갭 용량 결합형 플라즈마 처리 챔버의 소모성 격리 링이 기재되며, 소모성 격리 (isolation) 링은 직사각형 단면을 가지고, 내직경이 약 14.8 인치이고, 외직경이 약 15.1 인치이고, 높이가 약 0.3 인치이며, 그리고 방위각으로 120°만큼 이격되고 소모성 격리 링의 하부의 외부 에지에 배치되는 3개의 리세스들을 가지며, 여기서 각각의 리세스는 약 0.1 인치의 직경을 가진 반원통형 벽부 (walled portion) 를 가지고, 반원통형 벽부의 중심축은 소모성 격리 링의 중심축으로부터 반경 약 7.5 인치에 배치되며; 각각의 리세스는 소모성 격리 링의 외부 표면에 오픈된 직선 벽부를 가지고, 직선 벽부는 반원통형 벽부의 직경과 동일한 폭을 가지고 반원통형 벽부와 연결되며; 그리고 각각의 리세스는 깊이가 약 0.09 인치이다.
도 1은 예시적인 플라즈마 처리 챔버의 개략도를 도시한다.
도 2는 용량 결합형 플라즈마 처리 챔버의 블록도 및 그 내부에서의 RF 리턴 경로를 도시한다.
도 3a는 가동 기판 지지 어셈블리가 상부 위치에 있을 때의 예시적인 조절가능 갭 용량 결합형 플라즈마 처리 챔버의 부분 단면도를 도시한다.
도 3b는 가동 기판 지지 어셈블리가 하부 위치에 있을 때의 도 3a의 예시적인 조절가능 갭 용량 결합형 플라즈마 처리 챔버의 부분 단면도를 도시한다.
도 4a 내지 도 4c는 가동 기판 지지 어셈블리의 가동 접지 링의 세부를 도시한다.
도 5a 내지 도 5c는 복수의 리세스를 가지는 소모성 격리 링의 세부를 도시한다.
본 명세서에서는 조절가능 갭 용량 결합형 플라즈마 처리 챔버 내의 가동 기판 지지 어셈블리를 둘러싸는 소모성 격리 링이 기재된다. 도 3a 및 도 3b는 예시적인 조절가능 갭 용량 결합형 플라즈마 처리 챔버 (300) 의 부분 단면도를 도시한다. 챔버 (300) 는 가동 기판 지지 어셈블리 (310), 중앙 전극판 (303) 및 환형 외부 전극 (304) 을 포함하는 상부 전극, 및 환형 외부 전극 (304) 으로부터 외향 연장되는 전기 전도성 한정 링 (305) 을 포함하며, 한정 링 (305) 은 상부 수평부 (305a), 상부 수평부 (305a) 의 외부 끝단으로부터 하향 연장되는 수직부 (305b) 및 수직부 (305b) 의 하부 끝단으로부터 내향 연장되는 하부 수평부 (305c) 를 포함하며, 하부 수평부 (305c) 는 방사상으로 연장되는 슬롯들을 포함하고 이 슬롯들을 통해 프로세스 가스 및 반응 부산물이 플라즈마 처리 챔버 (300) 밖으로 펌핑된다. 하부 수평부 (305c) 의 내부 끝단의 하부 표면은, 도 3a에 도시된 바와 같이 가동 기판 지지 어셈블리 (310) 가 상부 위치에 있을 때 가동 접지 링 (400) 의 상부 끝단과 전기적 접촉을 제공한다. 하부 수평부 (305c) 의 내부 끝단의 하부 표면은 바람직하게 가동 접지 링 (400) 과 전기적 접촉을 개선하도록 구성된 전기 전도성 코팅을 포함한다. 가동 기판 지지 어셈블리 (310) 상에 지지된 반도체 기판의 플라즈마 처리는, 가동 기판 지지 어셈블리 (310) 가 상부 위치에 있을 때 수행된다. 한정 링 (305) 은 하부 수평부 (305c) 아래에 적어도 하나의 슬롯형 링 (slotted ring)(307) 을 포함할 수 있으며, 슬롯형 링 (307) 은 하부 수평부 (305c) 에 대해 회전가능하여 방사상으로 연장된 슬롯들을 통해 가스 흐름 컨덕턴스를 조절한다. 도 3b는 반도체 기판이 가동 기판 지지 어셈블리 (310) 상으로 전달될 수 있는, 가동 기판 지지 어셈블리 (310) 의 하부 위치를 도시한다.
가동 기판 지지 어셈블리 (310) 는 가동 접지 링 (400), 하부 전극 (317), 반도체 기판이 정전기적으로 클램핑되는 정전척 (ESC)(312), ESC (312) 를 둘러싸는 플라즈마 노출면을 가지는 에지 링 (311), 에지 링 (311) 을 둘러싸는 플라즈마 노출면을 가지는 유전체 링 (306), 에지 링 (311) 아래의 적어도 하나의 절연체 링 (315), 유전체 링 (306) 아래에서 절연체 링 (315) 을 둘러싸는 전기 전도성 재료의 고정 접지 링 (340) 을 포함한다. 가동 접지 링 (400) 은 고정 접지 링 (340) 상에 지지된 디프레서블 플런저 (depressible plunger)(350) 상에 지지된다. 가동 접지 링 (400) 은, 가동 기판 지지 어셈블리 (310) 가 상부 위치로 가동되는 경우 한정 링 (305) 과 전기적 접촉을 형성하기 위해서 고정 접지 링 (340) 에 대해 수직으로 가동한다. 가동 기판 지지 어셈블리 (310) 는 전기적으로 접지된 바이어스 하우징 (360) 상에 지지될 수 있다.
고정 접지 링 (340) 은 저부 벽 (bottom wall) 의 외부 부분에서 원주로 (circumferentially) 떨어져 이격된 3개의 플런저 지지 보어 (bore) 들을 포함할 수 있으며, 플런저 지지 보어들의 각각은 핀들의 상부 끝단이 저부 벽의 상부 표면을 넘어 연장하도록 디프레서블 핀들을 포함하는 플런저 지지 하우징에 맞물린다.
도 4a 내지 도 4c는 가동 접지 링 (400) 의 세부를 도시한다. 가동 접지 링 (400) 은 환형 저부 벽 (402) 및 저부 벽 (402) 의 내주변으로부터 상향 연장하는 측벽 (401) 을 포함한다. 측벽 (401) 은 고정 접지 링 (340) 의 외주변을 둘러싸도록 구성된 내부 표면 (401a) 을 가져서, 가동 접지 링 (400) 이 고정 접지 링 (340) 에 대해 수직으로 가동하도록 한다.
도 4b에 도시된 바와 같이, 가동 접지 링 (400) 은 바람직하게 내부 표면 (401a) 에, 측벽 (401) 의 상부 표면 (401b) 으로부터 연장되는 수직 표면 (440a), 및 내부 표면 (401a) 및 수직 표면 (440a) 사이에서 연장되는 수평 표면 (440b) 에 의해 형성된 단차 (440) 를 가진다. 도 4c에 도시된 바와 같이, 수평 표면 (440b) 은, 가동 기판 지지 어셈블리 (310) 가 하부 위치에 있을 때 측벽 (401) 의 상부 끝단을 유전체 링 (306) 으로부터 전기적으로 격리하도록 구성된 소모성 격리 링 (320)(도 3a 및 도 3b) 의 하부 표면에서의 얼라인먼트 홀들과 결합 (mate) 하는, 수직 핀들 (499) 을 수용하도록 구성된 복수의 블라인드 홀들 (440h) 을 포함한다.
도 5a에 도시된 바와 같이, 소모성 격리 링 (320) 은 그 하부 표면에 복수의 센터링 리세스들 (321) 을 포함한다. 리세스들 (321) 은 단차 (440) 의 수평 표면 (440b) 에서의 블라인드 홀들 (440h) 로부터 연장하는 수직 핀들 (499) 을 수용하도록 구성되며, 수직 핀들 (499) 의 각각은 센터링 리세스들 (321) 의 각 리세스에 배치된다.
일 실시형태에서, 도 5a 내지 도 5c에 도시된 바와 같이, 소모성 격리 링 (320) 은 직사각형의 단면을 가지고, 내직경이 약 14.8 인치이고, 외직경이 약 15.1 인치이고, 높이가 약 0.3 인치이다. 방위각으로 120°로 이격된 3개의 리세스들 (321) 은 소모성 격리 링 (320) 의 하부의 외부 코너에 배치된다. 각각의 리세스 (321) 는 약 0.1 인치의 직경을 가진 반원통형 벽부 (321a) 를 가진다. 반원통형 벽부 (321a) 의 중심축은 소모성 격리 링 (320) 의 중심축으로부터 반경 약 7.5 인치에 배치된다. 반원통형 벽부 (321a) 는 소모성 격리 링 (320) 의 외부 표면에 오픈된 직선 벽부 (321b) 와 연결된다. 직선 벽부 (321b) 는 반원통형 벽부 (321a) 의 직경과 동일한 폭을 가진다. 리세스 (321) 는 약 0.09 인치의 깊이를 가진다. 리세스 (321) 의 모든 에지들은 바람직하게 약 0.02 인치 폭의 45°챔퍼 (chamfer) 를 가진다. 리세스들 (321) 은, 바람직하게 알루미늄으로 형성되는, 가동 접지 링 (400) 및 소모성 격리 링 (320) 의 열 팽창 계수의 차를 수용하고, 이들이 노출되는 온도 범위에서 소모성 격리 링 (320) 을 가동 접지 링 (400) 으로 중심 얼라인하도록 구성된다. 도 3a, 도 3b, 도 4b, 도 4c 및 도 5c에 도시된 바와 같이, 소모성 격리 링 (320) 이 가동 접지 링 (400) 의 단차 (440) 상에 지지되는 경우, 소모성 격리 링 (320) 의 내부 표면 (320b) 은 가동 접지 링 (400) 의 측벽 (401) 의 내부 표면 (401a) 과 실질적으로 동연 (同延: coextensive) 이고 소모성 격리 링 (320) 의 상부 표면 (320a) 은 가동 접지 링 (400) 의 측벽 (401) 의 상부 표면 (401b) 과 실질적으로 동연이다.
소모성 격리 링 (320) 은 쿼츠, 실리콘, 실리콘 카바이드, 이트리아, 알루미나, 또는 금속으로 코팅된 스프레이와 같은 하나 이상의 적합한 재료들로부터 형성될 수 있다. 바람직하게, 소모성 격리 링 (320) 은 쿼츠로 형성된다.
소모성 격리 링이 그 구체적인 실시형태를 참조하여 상세히 기재되었지만, 첨부된 청구범위의 범위에서 벗어나지 않으면서, 각종 변화 및 변경이 이루어질 수 있고 등가물이 채택될 수 있음이 당업자에게는 명백하다.

Claims (6)

  1. 조절가능 갭 용량 결합형 플라즈마 처리 챔버의 소모성 격리 (isolation) 링으로서,
    상기 소모성 격리 링은 직사각형 단면을 가지고, 내직경이 약 14.8 인치이고, 외직경이 약 15.1 인치이고, 높이가 약 0.3 인치이며, 그리고 방위각으로 120°만큼 이격되고 상기 소모성 격리 링의 하부의 외부 에지에 배치되는 3개의 리세스들을 가지며,
    상기 각각의 리세스는 약 0.1 인치의 직경을 가진 반원통형 벽부 (walled portion) 를 가지고, 상기 반원통형 벽부의 중심축은 상기 소모성 격리 링의 중심축으로부터 반경 약 7.5 인치에 배치되며,
    상기 각각의 리세스는 상기 소모성 격리 링의 외부 표면에 오픈된 직선 벽부를 가지고, 상기 직선 벽부는 상기 반원통형 벽부의 직경과 동일한 폭을 가지고 상기 반원통형 벽부와 연결되며, 그리고
    상기 각각의 리세스는 깊이가 약 0.09 인치인, 소모성 격리 링.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 리세스의 모든 에지들은 약 0.02 인치 폭의 45°챔퍼 (chamfer) 를 가지는, 소모성 격리 링.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 소모성 격리 링은 가동 접지 링의 단차 상에 지지되도록 구성되며,
    상기 가동 접지 링은 플라즈마 처리가 수행되고 있는 반도체 기판을 지지하도록 구성된 가동 기판 지지 어셈블리의 고정 접지 링 둘레에 피팅되고 상기 고정 접지 링으로 RF 리턴 경로를 제공하도록 구성되며,
    상기 가동 접지 링은 환형 저부 벽 및 상기 환형 저부 벽의 내주변으로부터 상향 연장되는 측벽을 포함하고, 상기 측벽은 상기 고정 접지 링의 외주변을 둘러싸도록 구성된 내부 표면을 가져서 상기 가동 접지 링이 상기 고정 접지 링에 대해 수직으로 가동하도록 하며,
    상기 단차는 상기 측벽의 상부 표면으로부터 연장하는 수직 표면 및 상기 내부 표면 및 상기 수직 표면 사이에서 연장하는 수평 표면에 의해 형성되며, 상기 수평 표면은 상기 소모성 격리 링의 상기 리세스들과 결합하는 핀들을 수용하도록 구성된 복수의 블라인드 홀들을 포함하는, 소모성 격리 링.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 소모성 격리 링이 상기 가동 접지 링의 단차 상에 지지되는 경우, 상기 소모성 격리 링의 내부 표면은 상기 가동 접지 링의 상기 측벽의 내부 표면과 실질적으로 동연 (同延: coextensive) 이며, 상기 소모성 격리 링의 상부 표면은 상기 가동 접지 링의 상기 측벽의 상부 표면과 실질적으로 동연인, 소모성 격리 링.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 소모성 격리 링은 상기 가동 접지 링을 상기 가동 기판 지지 어셈블리의 유전체 링으로부터 전기적으로 격리하도록 구성되며, 상기 유전체 링은 에지 링을 둘러싸는 플라즈마 노출 표면을 가지는, 소모성 격리 링.
  6. 제 1 항에 있어서,
    쿼츠, 실리콘, 실리콘 카바이드, 이트리아, 알루미나, 및 금속으로 코팅된 스프레이로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 하나 이상의 재료들로 형성되는, 소모성 격리 링.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102040281B1 (ko) * 2018-04-26 2019-11-04 주식회사 건테크 CVD-SiC 소재를 이용한 반도체 플라즈마 에칭 공정용 한정 링

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8629370B2 (en) * 2010-06-08 2014-01-14 Applied Materials, Inc. Assembly for delivering RF power and DC voltage to a plasma processing chamber
US8485128B2 (en) * 2010-06-30 2013-07-16 Lam Research Corporation Movable ground ring for a plasma processing chamber
US8847495B2 (en) * 2011-11-29 2014-09-30 Lam Research Corporation Movable grounding arrangements in a plasma processing chamber and methods therefor
CN104302591A (zh) * 2012-06-25 2015-01-21 日本电气硝子株式会社 强化玻璃基板及其制造方法
US20140060739A1 (en) * 2012-08-31 2014-03-06 Rajinder Dhindsa Rf ground return in plasma processing systems and methods therefor
TW201430996A (zh) * 2012-11-12 2014-08-01 Greene Tweed & Co Inc 用於在供基板處理之一真空腔室內之一環形組件的機械式夾具總成
CN103227091B (zh) * 2013-04-19 2016-01-27 中微半导体设备(上海)有限公司 等离子体处理装置
US20140315392A1 (en) * 2013-04-22 2014-10-23 Lam Research Corporation Cold spray barrier coated component of a plasma processing chamber and method of manufacture thereof
US11469085B2 (en) 2016-12-27 2022-10-11 Evatec Ag Vacuum plasma workpiece treatment apparatus
US20180323039A1 (en) * 2017-05-05 2018-11-08 Applied Materials, Inc. Active far edge plasma tunability
CN109023310B (zh) * 2017-06-12 2022-08-26 应用材料公司 用于半导体处理腔室隔离以实现减少的颗粒和改善的均匀性的方法和设备
ES2696227B2 (es) * 2018-07-10 2019-06-12 Centro De Investig Energeticas Medioambientales Y Tecnologicas Ciemat Fuente de iones interna para ciclotrones de baja erosion
US11600517B2 (en) * 2018-08-17 2023-03-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Screwless semiconductor processing chambers
CN111326382B (zh) * 2018-12-17 2023-07-18 中微半导体设备(上海)股份有限公司 一种电容耦合等离子体刻蚀设备
CN113035679B (zh) * 2019-12-24 2023-09-29 中微半导体设备(上海)股份有限公司 一种等离子体处理装置
CN111501025B (zh) * 2020-04-23 2022-05-27 北京北方华创微电子装备有限公司 沉积设备
CN114203506B (zh) * 2020-09-18 2024-03-12 中微半导体设备(上海)股份有限公司 一种等离子体处理装置及其方法
DE102021102570A1 (de) * 2021-02-04 2022-08-04 Carl Freudenberg Kg Erdungsring und Anordnung, die einen solchen Erdungsring umfasst
KR20240004936A (ko) * 2021-05-07 2024-01-11 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 개선된 고압 플라즈마 프로세싱을 위한 장치

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6589352B1 (en) * 1999-12-10 2003-07-08 Applied Materials, Inc. Self aligning non contact shadow ring process kit
US6616767B2 (en) * 1997-02-12 2003-09-09 Applied Materials, Inc. High temperature ceramic heater assembly with RF capability
US20070169891A1 (en) * 2003-09-05 2007-07-26 Tokyo Electron Limited Focus ring and plasma processing apparatus
US20080182412A1 (en) * 2007-01-26 2008-07-31 Lam Research Corporation Configurable bevel etcher

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4340462A (en) 1981-02-13 1982-07-20 Lam Research Corporation Adjustable electrode plasma processing chamber
US4948458A (en) 1989-08-14 1990-08-14 Lam Research Corporation Method and apparatus for producing magnetically-coupled planar plasma
US5200232A (en) 1990-12-11 1993-04-06 Lam Research Corporation Reaction chamber design and method to minimize particle generation in chemical vapor deposition reactors
US6033480A (en) * 1994-02-23 2000-03-07 Applied Materials, Inc. Wafer edge deposition elimination
US6140612A (en) 1995-06-07 2000-10-31 Lam Research Corporation Controlling the temperature of a wafer by varying the pressure of gas between the underside of the wafer and the chuck
US5824605A (en) 1995-07-31 1998-10-20 Lam Research Corporation Gas dispersion window for plasma apparatus and method of use thereof
US5796066A (en) 1996-03-29 1998-08-18 Lam Research Corporation Cable actuated drive assembly for vacuum chamber
US5885423A (en) 1996-03-29 1999-03-23 Lam Research Corporation Cammed nut for ceramics fastening
US5948704A (en) 1996-06-05 1999-09-07 Lam Research Corporation High flow vacuum chamber including equipment modules such as a plasma generating source, vacuum pumping arrangement and/or cantilevered substrate support
US5820723A (en) 1996-06-05 1998-10-13 Lam Research Corporation Universal vacuum chamber including equipment modules such as a plasma generating source, vacuum pumping arrangement and/or cantilevered substrate support
US6013155A (en) 1996-06-28 2000-01-11 Lam Research Corporation Gas injection system for plasma processing
US5846332A (en) * 1996-07-12 1998-12-08 Applied Materials, Inc. Thermally floating pedestal collar in a chemical vapor deposition chamber
US6090304A (en) 1997-08-28 2000-07-18 Lam Research Corporation Methods for selective plasma etch
US6230651B1 (en) 1998-12-30 2001-05-15 Lam Research Corporation Gas injection system for plasma processing
US6333272B1 (en) 2000-10-06 2001-12-25 Lam Research Corporation Gas distribution apparatus for semiconductor processing
US6391787B1 (en) 2000-10-13 2002-05-21 Lam Research Corporation Stepped upper electrode for plasma processing uniformity
US6847014B1 (en) 2001-04-30 2005-01-25 Lam Research Corporation Method and apparatus for controlling the spatial temperature distribution across the surface of a workpiece support
US7161121B1 (en) 2001-04-30 2007-01-09 Lam Research Corporation Electrostatic chuck having radial temperature control capability
JP3758579B2 (ja) * 2002-01-23 2006-03-22 信越半導体株式会社 熱処理装置および熱処理方法
US7396432B2 (en) * 2002-06-07 2008-07-08 Taiwan Semiconductor Mfg. Co., Ltd Composite shadow ring assembled with dowel pins and method of using
US20050196971A1 (en) * 2004-03-05 2005-09-08 Applied Materials, Inc. Hardware development to reduce bevel deposition
US8043430B2 (en) 2006-12-20 2011-10-25 Lam Research Corporation Methods and apparatuses for controlling gas flow conductance in a capacitively-coupled plasma processing chamber
US20090188625A1 (en) * 2008-01-28 2009-07-30 Carducci James D Etching chamber having flow equalizer and lower liner
US8394229B2 (en) * 2008-08-07 2013-03-12 Asm America, Inc. Susceptor ring
JP5204673B2 (ja) * 2009-01-14 2013-06-05 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ分布の制御方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6616767B2 (en) * 1997-02-12 2003-09-09 Applied Materials, Inc. High temperature ceramic heater assembly with RF capability
US6589352B1 (en) * 1999-12-10 2003-07-08 Applied Materials, Inc. Self aligning non contact shadow ring process kit
US20070169891A1 (en) * 2003-09-05 2007-07-26 Tokyo Electron Limited Focus ring and plasma processing apparatus
US20080182412A1 (en) * 2007-01-26 2008-07-31 Lam Research Corporation Configurable bevel etcher

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102040281B1 (ko) * 2018-04-26 2019-11-04 주식회사 건테크 CVD-SiC 소재를 이용한 반도체 플라즈마 에칭 공정용 한정 링

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