KR102040281B1 - CVD-SiC 소재를 이용한 반도체 플라즈마 에칭 공정용 한정 링 - Google Patents

CVD-SiC 소재를 이용한 반도체 플라즈마 에칭 공정용 한정 링 Download PDF

Info

Publication number
KR102040281B1
KR102040281B1 KR1020180048750A KR20180048750A KR102040281B1 KR 102040281 B1 KR102040281 B1 KR 102040281B1 KR 1020180048750 A KR1020180048750 A KR 1020180048750A KR 20180048750 A KR20180048750 A KR 20180048750A KR 102040281 B1 KR102040281 B1 KR 102040281B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
ring
confinement ring
etching process
confinement
cvd
Prior art date
Application number
KR1020180048750A
Other languages
English (en)
Inventor
전태구
Original Assignee
주식회사 건테크
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 건테크 filed Critical 주식회사 건테크
Priority to KR1020180048750A priority Critical patent/KR102040281B1/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102040281B1 publication Critical patent/KR102040281B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68721—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge clamping, e.g. clamping ring

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

본 발명은 반도체 플라즈마 에칭 공정용 한정 링에 관한 것으로, 더욱 자세하게는 에칭장치의 챔버 내부에 구성되는 반도체 플라즈마 에칭 공정용 한정 링(10)에 있어서, 상기 한정 링(10)은, CVD-SiC 소재를 이용하여 원형의 형상을 취하며, 중앙부가 수직방향으로 관통되게 형성되고, 하부 가장자리에는 일정간격 상호 이격되는 다수의 슬롯(11)들이 장방형으로 형성되되, 상부에서 하부방향으로 갈수록 폭이 점차적으로 넓어지게 형성되며, 상기 한정 링(10)의 하부에 상기 슬롯(11)과 대응하되, 상기 슬롯(11)보다 더 큰 홀(21)을 갖는 쿼츠(Quartz) 링(20)을 구성하여, CVD-SiC로 단일 구성함으로 종래의 한정 링에 비하여 2배 이상의 수명을 가질 수가 있어 비용절감을 통해 경제적 효율성을 높일 수 있는 한편, 종래의 한정 링이 가지는 플라즈마 가스 확산 효율 저하 문제 및 파티클과 플라즈마 가스 배출 시 신속한 배출이 이루어져 에칭공정 상의 불량을 최소화할 수 있는 유용한 발명인 것이다.

Description

CVD-SiC 소재를 이용한 반도체 플라즈마 에칭 공정용 한정 링{Limited ring for semiconductor plasma etching process using CVD-SiC material}
본 발명은 CVD-SiC 소재를 이용한 반도체 플라즈마 에칭 공정용 한정 링에 관한 것으로, 더욱 자세하게는 플라즈마 가스가 이동되는 다수의 슬롯을 수직방향으로 형성하되, 이동하는 방향으로 점차적으로 넓어지도록 형성하여 신속한 이동이 가능토록 하는 CVD-SiC 소재를 이용한 반도체 플라즈마 에칭 공정용 한정 링에 관한 기술이다.
통상적으로 플라즈마 에칭공정은 챔버에 가스를 흘려주고, 상하 전극에 전압을 걸어 가스가 캐소드를 통과하면서 플라즈마를 형성시키고, 이 플라즈마를 이용하여 웨이퍼를 선택적으로 에칭하는 공정으로써, 플라즈마의 양과 질이 매우 중요한 공정이며, 플라즈마의 양과 질을 좌우하는 것이 캐소드와 한정 링이다.
반도체 플라즈마 에칭공정용 한정 링은 반도체 생산에 절대적으로 필요한 플라즈마 에칭공정의 핵심 부품이며, 공정 특성상 고온에서 내 변형성, 고청정성 및 화학적으로 내식성이 우수한 소재를 사용하여야 하나, 현재까지 대부분이 실리콘 소재의 한정 링을 사용하고 있으며 실리콘 한정 링은 수명 문제에 따라 6개월 마다 교체를 해야 함으로써, 교체 비용이 업계의 부담으로 자리매김 하고 있는 실정이다.
우선 종래의 기술들을 살펴보면,
등록번호 10-1468340호(특) 플라즈마 처리 챔버를 위한 플라즈마 한정링 조립체용 플라즈마 한정링으로서, 상기 플라즈마 한정링 조립체는 그들 사이에 갭들을 갖는 플라즈마 한정링들의 적층을 포함하고, 상기 플라즈마 한정링은, 홀의 내부에, 상기 링들의 적층 내에서 상기 플라즈마 한정링을 지지하는 행거와 협력하도록 구성된 인서트를 갖는 적어도 하나의 홀; 표면; RF 투과성 재료; 및
RF 손실 재료를 포함하고, 상기 RF 손실 재료는 RF 에너지를 커플링하도록 구성되어, 상기 표면이 상기 플라즈마 처리 챔버에서 플라즈마에 노출될 때, 상기 표면이 상기 표면 상의 폴리머 증착을 감소시키는 온도에 도달하도록 하고, 상기 RF 손실 재료는 도핑된 실리콘인, 플라즈마 한정링에 관한 기술이다.
등록번호 20-0478935호(실) 용량-결합형 플라즈마 처리 챔버의 컴포넌트로서 유용한 한정 링 (confinement ring) 으로서, 상기 한정 링의 내부 표면들은, 상기 용량-결합형 플라즈마 처리 챔버에서의 플라즈마 처리 동안 반도체 기판이 지지되는 하부 전극과 상부 전극 사이의 갭을 둘러싸는 연장된 플라즈마 한정 존을 제공하고, 상기 한정 링은: 수평으로 연장하고, 상기 용량-결합형 플라즈마 처리 챔버의 상기 상부 전극의 외측 에지 하부에 놓이도록 구성된 상부 환상 벽의 내측 말단에 있는 환상 플랜지를 포함하는, 상기 상부 환상 벽; 상기 상부 환상 벽의 외측 말단으로부터 수직 하향 연장하는 측벽으로서, 상기 측벽은, 약 0.030 인치의 직경을 갖는 균일하게 이격된 홀들의 5 개의 수평 로우들로 배열된 관통 홀들의 그룹을 제외하고는 개구를 갖지 않는, 상기 측벽; 및 상기 측벽의 하부 말단으로부터 수평 내향 연장하는 하부 환상 벽을 포함하고, 상기 하부 환상 벽은 원주 방향으로 이격된 방사상으로 연장하는 슬롯들을 포함하고, 상기 슬롯들 각각은 적어도 1.0 인치의 길이 및 0.05 내지 0.2 인치의 균일한 폭을 갖고, 상기 슬롯들은 2°이하만큼 오프셋된 방사상 위치들에서 균일하게 이격되어 있으며, 상기 하부 환상 벽은 상기 하부 환상 벽의 내주부에서 하향 연장하는 환상 돌출부를 포함하고, 상기 환상 돌출부는 하부 표면을 가지며, 상기 하부 표면은 전기적으로 도전성 코팅을 포함하는, 한정 링에 관한 기술이다.
상기한 종래기술들은 플라즈마 가스가 웨이퍼를 선택적으로 에칭공정한 후, 배출되는 과정에 있어서 슬롯이 수직방향으로 관통되되 균일하게 형성되어 파티클을 포함한 플라즈마 가스가 신속하게 배출되지 못하여 웨이퍼의 손상을 초래할 수 있는 문제점을 갖고 있다.
따라서 본 발명의 목적은, 플라즈마를 형성시키는 캐소드를 공정 상 안전하게 잡아주고, 에칭공정이 잘될 수 있게 공정이 진행되는 동안 플라즈마를 가두어주는 한편, 에칭공정 후 파티클을 포함한 플라즈마 가스의 신속한 배출이 이루어질 수 있도록 하는 CVD-SiC 소재를 이용한 반도체 플라즈마 에칭 공정용 한정 링을 제공함에 주안점을 두고 그 기술적 과제로 완성해낸 것이다.
상기 목적을 달성하기 위한 기술적 사상으로서, 에칭장치의 챔버 내부에 구성되는 반도체 플라즈마 에칭 공정용 한정 링(10)에 있어서, 상기 한정 링(10)은, CVD-SiC 소재를 이용하여 원형의 형상을 취하며, 중앙부가 수직방향으로 관통되게 형성되고, 하부 가장자리에는 일정간격 상호 이격되는 다수의 슬롯(11)들이 장방형으로 형성되되, 상부에서 하부방향으로 갈수록 일측이 경사지게 형성되어 그 폭이 점차적으로 넓어지게 형성되며, 상기 한정 링(10)의 하부에 상기 슬롯(11)과 대응하되, 상기 슬롯(11)보다 더 큰 홀(21)을 갖는 쿼츠(Quartz) 링(20)을 구성하여, 상기 에칭장치의 캐소드로부터 분사되는 플라즈마 가스의 확산 및 신속한 배출이 이루어지고, 상기 한정 링(10)의 외측에는 일정간격 이격되는 하나 이상의 돌기(15)가 형성되고, 상기 쿼츠(Quartz) 링(20)의 내측에는 상기 돌기(15)와 대응하는 위치에 하나 이상의 슬라이드홀(25)이 형성되어, 상기 돌기(15)가 슬라이드홀(25)에 슬라이딩 결합을 통해 한정 링(10)의 슬롯(11)과 쿼츠(Quartz) 링(20)의 홀(21)이 동일선상에서 고정될 수 있도록 구성되는 것을 기술적 특징으로 한다.
본 발명에 따른 CVD-SiC 소재를 이용한 반도체 플라즈마 에칭 공정용 한정 링에 의하면, 한정 링의 본연의 목적을 그대로 유지함과 동시에, 에칭장치의 챔버 내부에 구성되는 척의 상부에 견고한 고정이 이루어짐과 동시에, CVD-SiC로 단일 구성함으로 종래의 한정 링에 비하여 2배 이상의 수명을 가질 수가 있어 비용절감을 통해 경제적 효율성을 높일 수 있는 한편, 종래의 한정 링이 가지는 플라즈마 가스 확산 효율 저하 문제 및 파티클과 플라즈마 가스 배출 시 신속한 배출이 이루어져 에칭공정 상의 불량을 최소화할 수 있는 유용한 발명인 것이다.
도 1은 본 발명의 바람직한 실시 예를 나타내는 사시도
도 2는 본 발명의 바람직한 실시 예를 나타내는 분해도
도 3은 본 발명의 바람직한 실시 예를 나타내는 정단면도, 확대도
도 4는 본 발명의 바람직한 실시 예를 나타내는 분해도
도 5는 본 발명의 바람직한 실시 예를 나타내는 사용상태도
도 6은 본 발명의 다른 실시 예를 나타내는 사시도
본 발명은 플라즈마 가스가 이동되는 다수의 슬롯을 수직방향으로 형성하되, 이동하는 방향으로 점차적으로 넓어지도록 형성하여 신속한 이동이 가능토록 하는 CVD-SiC 소재를 이용한 반도체 플라즈마 에칭 공정용 한정 링을 제공한다.
이하, 첨부되는 도면과 관련하여 상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 바람직한 구성 및 작용에 대하여 도 1 내지 도 5를 참고로 하여 설명하면 다음과 같다.
우선 본 발명을 설명하기에 앞서 그 구성을 도 1 내지 도 5를 참고하여 살펴보면, 에칭장치의 챔버 내부에 구성되는 반도체 플라즈마 에칭 공정용 한정 링(10)에 있어서, 상기 한정 링(10)은, CVD-SiC 소재를 이용하여 원형의 형상을 취하며, 중앙부가 수직방향으로 관통되게 형성되고, 하부 가장자리에는 일정간격 상호 이격되는 다수의 슬롯(11)들이 장방형으로 형성되되, 상부에서 하부방향으로 갈수록 폭이 점차적으로 넓어지게 형성되며, 상기 한정 링(10)의 하부에 상기 슬롯(11)과 대응하되, 상기 슬롯(11)보다 더 큰 홀(21)을 갖는 쿼츠(Quartz) 링(20)을 구성하여, 상기 에칭장치의 캐소드로부터 분사되는 플라즈마 가스의 확산 및 신속한 배출되도록 구성된다.
먼저, 도 1 또는 도 2에 도시된 바와 같이 한정 링(10)을 상세하게 설명하면,
통상의 한정 링과 유사한 형상으로써, 원통의 형상을 하며 중앙부가 상부에서 하부로 완전히 관통되는 관통홀(13)이 형성되되, 관통홀(13)은 상부의 지름보다 하부의 지름이 더 작게 형성되고, 하측면에는 가장자리부에 일정간격 이격되는 각각의 슬롯(11)들이 형성된다.
여기서, 상기 슬롯(21)은 도 3에 도시된 바와 같이 상부방향에서 하부방향으로 완전히 관통된 홀 형태로 형성되되, 상부에서 하부방향으로 갈수록 점차적으로 그 폭이 넓어지게 형성된다.
이때, 상기 폭이 점차적으로 넓어지는 부분으로는 도 3에 도시된 바와 같이 일측면으로만 넓어지게 형성될 수가 있으며 양측으로 넓어질 수 있도록 형성할 수가 있고, 본 발명에서는 일측만 넓어지는 것을 도시하였으며, 본 발명의 실시 예로써 한정 짓지 아니한다.
즉, 상기 관통홀(13)은 통상의 에칭장치의 챔버 내부에 위치되되, 큰 지름을 갖는 부분이 캐소드와 근접하게 위치되어 플라즈마 가스가 이동될 수 있도록 하기 위함이고, 상기 관통홀(13) 상에는 에칭장치의 척 상부에 배치되는 웨이퍼가 위치되어, 상기 관통홀(13) 상에서 플라즈마 가스에 의해 에칭공정이 잘 수행될 수 있도록 하게 된다.
한편, 상기 슬롯(11)은 도 5에 도시된 바와 같이 에칭공정 시 웨이퍼의 외주 방향으로 이동되어 하부로 이동될 때, 웨이퍼의 외주에도 원활한 플라즈마 가스가 닿을 수 있도록 하여 에칭공정 중 웨이퍼의 작업 불량률을 억제할 수 있게 되고, 상기 슬롯(11)의 하부방향으로 갈수록 점차적으로 넓어지는 폭에 의해 신속한 배출이 이루어질 수 있게 된다.
여기서, 상기 한정 링(10)의 하부에는 쿼츠(Quartz) 링(20)이 구성되는데, 상기 쿼츠(Quartz) 링(20)은 중앙부가 관통되는 관통홀(23)이 형성되되 상부의 지름보다 하부의 지름이 더 작게 형성되어, 상부에는 한정 링(20)의 외주가 끼움 구성되고, 하부에는 에칭장치의 척이 삽입 구성되게 된다.
이때, 상기 쿼츠(Quartz) 링(20)은 상기 한정 링(10)의 슬롯(11)들과 대응하는 위치에 각각의 홀(21)이 형성되되 상기 슬롯(11)의 좌우 길이보다 더 크게 형성되며 홀(21)의 양끝단의 지름이 서로 동일하게 형성되어, 상기 슬롯(11)으로 배출되는 플라즈마 가스가 하부방향으로 이동되도록 수직방향으로 이동될 수 있도록 유도하는 구조이다.
다시 말해, 한정 링(10)의 슬롯(11)으로부터 배출되는 플라즈마 가스가 하부로 이동되되 측면으로 이동하지 않고, 수직방향으로만 배출될 수 있도록 하여 챔버 내부의 기타 다른 장치로 플라즈마 가스가 노출되지 않도록 하여 안정성을 확보할 수가 있다.
또한, 도 6에 도시된 바와 같이 상기 한정 링(10)의 외측에는 일정간격 이격되는 하나 이상의 돌기(15)가 형성되고, 상기 쿼츠(Quartz) 링(20)의 내측에는 상기 돌기(15)와 대응하는 위치에 하나 이상의 슬라이드홀(25)이 형성되어, 상기 돌기(15)가 슬라이드홀(25)에 슬라이딩 결합을 통해 한정 링(10)의 슬롯(11)과 쿼츠(Quartz) 링(20)의 홀(21)이 동일선상에서 고정될 수 있도록 구성할 수도 있으며, 본 발명에서는 상기 돌기(15)과 슬라이드홀(25)이 한정 링(10)의 외주 양측에 각각 형성되고, 쿼츠(Quartz) 링(20)의 내주 양측에 슬라이드홀(25)이 각각 형성되는 것으로 도시하였다.
본 발명에 따른 CVD-SiC 소재를 이용한 반도체 플라즈마 에칭 공정용 한정 링에 의하면, 한정 링의 본연의 목적을 그대로 유지함과 동시에, 에칭장치의 챔버 내부에 구성되는 척의 상부에 견고한 고정이 이루어짐과 동시에, CVD-SiC로 단일 구성함으로 종래의 한정 링에 비하여 2배 이상의 수명을 가질 수가 있어 비용절감을 통해 경제적 효율성을 높일 수 있는 한편, 종래의 한정 링이 가지는 플라즈마 가스 확산 효율 저하 문제 및 파티클과 플라즈마 가스 배출 시 신속한 배출이 이루어져 에칭공정 상의 불량을 최소화할 수 있는 유용한 발명인 것이다.
10 : 한정 링 11 : 슬롯
13 : 관통홀 15 : 돌기
20 : 쿼츠 링 21 : 홀
23 : 관통홀 25 : 슬라이드홀

Claims (1)

  1. 에칭장치의 챔버 내부에 구성되는 반도체 플라즈마 에칭 공정용 한정 링(10)에 있어서,
    상기 한정 링(10)은,
    CVD-SiC 소재를 이용하여 원형의 형상을 취하며, 중앙부가 수직방향으로 관통되게 형성되고, 하부 가장자리에는 일정간격 상호 이격되는 다수의 슬롯(11)들이 장방형으로 형성되되, 상부에서 하부방향으로 갈수록 일측이 경사지게 형성되어 그 폭이 점차적으로 넓어지게 형성되며,
    상기 한정 링(10)의 하부에 상기 슬롯(11)과 대응하되, 상기 슬롯(11)보다 더 큰 홀(21)을 갖는 쿼츠(Quartz) 링(20)을 구성하여, 상기 에칭장치의 캐소드로부터 분사되는 플라즈마 가스의 확산 및 신속한 배출이 이루어지고,
    상기 한정 링(10)의 외측에는 일정간격 이격되는 하나 이상의 돌기(15)가 형성되고, 상기 쿼츠(Quartz) 링(20)의 내측에는 상기 돌기(15)와 대응하는 위치에 하나 이상의 슬라이드홀(25)이 형성되어, 상기 돌기(15)가 슬라이드홀(25)에 슬라이딩 결합을 통해 한정 링(10)의 슬롯(11)과 쿼츠(Quartz) 링(20)의 홀(21)이 동일선상에서 고정될 수 있도록 구성되는 것을 특징으로 하는 CVD-SiC 소재를 이용한 반도체 플라즈마 에칭 공정용 한정 링.
KR1020180048750A 2018-04-26 2018-04-26 CVD-SiC 소재를 이용한 반도체 플라즈마 에칭 공정용 한정 링 KR102040281B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180048750A KR102040281B1 (ko) 2018-04-26 2018-04-26 CVD-SiC 소재를 이용한 반도체 플라즈마 에칭 공정용 한정 링

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180048750A KR102040281B1 (ko) 2018-04-26 2018-04-26 CVD-SiC 소재를 이용한 반도체 플라즈마 에칭 공정용 한정 링

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR102040281B1 true KR102040281B1 (ko) 2019-11-04

Family

ID=68578063

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020180048750A KR102040281B1 (ko) 2018-04-26 2018-04-26 CVD-SiC 소재를 이용한 반도체 플라즈마 에칭 공정용 한정 링

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102040281B1 (ko)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102326741B1 (ko) * 2021-08-18 2021-11-16 주식회사 린텍 실리콘 파우더와 고주파 가열장치를 이용한 실리콘 부품의 접합 방법
USD943539S1 (en) 2020-03-19 2022-02-15 Applied Materials, Inc. Confinement plate for a substrate processing chamber
US11380524B2 (en) 2020-03-19 2022-07-05 Applied Materials, Inc. Low resistance confinement liner for use in plasma chamber
KR20220148031A (ko) * 2021-04-28 2022-11-04 주식회사 월덱스 플라즈마 에칭장치용 다체형 한정 링
KR102464458B1 (ko) * 2021-09-06 2022-11-09 (주)원세미콘 반도체 플라즈마 에칭 공정 특성을 개선한 포커스 링

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20040090932A (ko) * 2003-04-17 2004-10-27 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 플라즈마 반응기 내의 플라즈마 제한 및 유동 저항 감소방법 및 그 장치
KR20090094376A (ko) * 2006-12-20 2009-09-04 램 리써치 코포레이션 용량성-결합된 플라즈마 프로세싱 챔버 내의 가스 흐름 컨덕턴스를 제어하기 위한 방법 및 장치
KR101091309B1 (ko) * 2009-08-18 2011-12-07 주식회사 디엠에스 플라즈마 식각장치
KR20120000232U (ko) * 2010-06-30 2012-01-05 램 리써치 코포레이션 플라즈마 처리 챔버의 가동 기판 지지 어셈블리를 위한 소모성 격리 링
KR20130094828A (ko) * 2010-09-24 2013-08-26 램 리써치 코포레이션 플라즈마 프로세싱 챔버에 대한 플라즈마 한정 링 어셈블리

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20040090932A (ko) * 2003-04-17 2004-10-27 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 플라즈마 반응기 내의 플라즈마 제한 및 유동 저항 감소방법 및 그 장치
KR20090094376A (ko) * 2006-12-20 2009-09-04 램 리써치 코포레이션 용량성-결합된 플라즈마 프로세싱 챔버 내의 가스 흐름 컨덕턴스를 제어하기 위한 방법 및 장치
KR101091309B1 (ko) * 2009-08-18 2011-12-07 주식회사 디엠에스 플라즈마 식각장치
KR20120000232U (ko) * 2010-06-30 2012-01-05 램 리써치 코포레이션 플라즈마 처리 챔버의 가동 기판 지지 어셈블리를 위한 소모성 격리 링
KR20130094828A (ko) * 2010-09-24 2013-08-26 램 리써치 코포레이션 플라즈마 프로세싱 챔버에 대한 플라즈마 한정 링 어셈블리

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
USD943539S1 (en) 2020-03-19 2022-02-15 Applied Materials, Inc. Confinement plate for a substrate processing chamber
US11380524B2 (en) 2020-03-19 2022-07-05 Applied Materials, Inc. Low resistance confinement liner for use in plasma chamber
USD986190S1 (en) 2020-03-19 2023-05-16 Applied Materials, Inc. Confinement plate for a substrate processing chamber
KR20220148031A (ko) * 2021-04-28 2022-11-04 주식회사 월덱스 플라즈마 에칭장치용 다체형 한정 링
KR102549935B1 (ko) * 2021-04-28 2023-06-30 주식회사 월덱스 플라즈마 에칭장치용 다체형 한정 링
KR102326741B1 (ko) * 2021-08-18 2021-11-16 주식회사 린텍 실리콘 파우더와 고주파 가열장치를 이용한 실리콘 부품의 접합 방법
EP4137618A1 (en) 2021-08-18 2023-02-22 Lintech Corporation Method of bonding silicon parts using silicon powder and high-frequency heating device
KR102464458B1 (ko) * 2021-09-06 2022-11-09 (주)원세미콘 반도체 플라즈마 에칭 공정 특성을 개선한 포커스 링

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102040281B1 (ko) CVD-SiC 소재를 이용한 반도체 플라즈마 에칭 공정용 한정 링
US9076826B2 (en) Plasma confinement ring assembly for plasma processing chambers
TWI427449B (zh) 具有流量等化器與下內襯之蝕刻腔室
KR100992392B1 (ko) 플라즈마 반응장치
KR102641441B1 (ko) 링 어셈블리 및 이를 포함하는 척 어셈블리
US10811234B2 (en) Plasma processing apparatus and upper electrode assembly
US10755902B2 (en) Plasma processing apparatus and focus ring
TWI554159B (zh) Electrolyte processing device
JP2007081404A (ja) マスクを備えたプラズマｃｖｄ成膜装置
US11094511B2 (en) Processing chamber with substrate edge enhancement processing
KR102617128B1 (ko) 조립형 프로파일 상부 전극 및 이를 포함하는 플라즈마 처리 장치
KR102178105B1 (ko) CVD-SiC 소재를 이용하며 고정력을 향상시킨 반도체 플라즈마 에칭 공정용 한정 링 조립체
KR20160004252U (ko) 하이브리드 200 ㎜/300 ㎜ 반도체 프로세싱 장치들
KR20040053774A (ko) 웨이퍼의 플라즈마 처리용 장치
KR101249247B1 (ko) 플라즈마 에칭 챔버
KR20210088723A (ko) 척킹 및 아크 발생 성능이 개선된 정전 척 설계
KR20140004724U (ko) 실리콘 기판들의 프로세스를 위한 고성능 및 긴 수명의 에지 링
KR0183823B1 (ko) 웨이퍼 로딩용 스테이지를 갖춘 반도체 제조 장치
KR102177146B1 (ko) 플라즈마 공정 챔버용 엣지링
KR100495711B1 (ko) 샤워헤드가 구비되는 평판표시소자 제조장치의 공정챔버
KR102562892B1 (ko) 정전척 유닛 및 그를 구비한 플라즈마 식각 장치
US20230392278A1 (en) Substrate supporting plate, apparatus including the substrate supporting plate, and method of using same
US20240060183A1 (en) Apparatus for processing a substrate
US20160172210A1 (en) Semiconductor manufacturing apparatus and semiconductor manufacturing method
KR20240030311A (ko) 조립형 프로파일 상부 전극 및 이를 포함하는 플라즈마 처리 장치

Legal Events

Date Code Title Description
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant