KR101091309B1 - 플라즈마 식각장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 대구경 웨이퍼를 가공하는 플라즈마 식각장치에 관한 것으로서, 챔버의 내측 중앙부에 기판을 지지하는 캐소드 어셈블리를 구비하고, 상기 캐소드 어셈블리에 외삽되어 설치되는 일체형 캐소드라이너를 구비하되, 상기 캐소드라이너는 다수개의 제1통기구와 제2통기구가 이단으로 이격되게 각각 형성하여 챔버 내 반응가스의 가스플로우(gas flow) 및 배기플로우(exhaust flow)의 균일성이 유지되도록 하여 플라즈마의 균일도를 향상시킬 뿐 아니라, 동시에 하단부는 챔버 내측에 체결 고정함으로써, 캐소드라이너의 접지력을 향상시켜 상기 제1통기구 사이에서 발생될 수 있는 플라즈마의 플리커링(flickering) 현상을 방지할 수 있는 플라즈마 식각장치에 관한 것이다.
챔버, 플라즈마, 캐소드 어셈블리

Description

플라즈마 식각장치{Plasma etching device}
본 발명은 대구경 웨이퍼를 가공하는 플라즈마 식각장치에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 다수개의 제1통기구와 제2통기구가 이단으로 이격되게 각각 형성되는 일체형 캐소드라이너를 캐소드 어셈블리에 외삽하여 챔버 내 반응가스의 가스플로우(gas flow) 및 배기플로우(exhaust flow)의 균일성이 유지되도록 하여 플라즈마의 균일도(Uniformity)를 향상시켰으며, 동시에 하단부는 챔버에 접지시킴으로써 플리커링(flickering) 현상을 방지할 수 있는 플라즈마 식각장치에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 집적회로 소자에 사용되는 대구경 웨이퍼나 액정표시장치(LCD:liquid crystal display)에 사용되는 주요 부품인 유리 기판 등은 표면에 여러 박막층이 형성되고, 또한 박막의 일부분만을 선택적으로 제거함으로써, 표면에 원하는 형태의 초미세 구조물이 형성되게 하여 복잡한 구조의 회로나 박막층이 형성되게 한 것으로서, 이때 박막제조는 세척공정, 증착공정, 포토리소그래피(photolithography)공정, 도금공정, 식각(etching)공정 등 많은 제조공정을 통해 이루어지게 된다.
상기와 같은 다양한 처리공정들은 웨이퍼나 기판을 외부와 격리시킬 수 있는 챔버(chamber) 또는 반응로 내에서 주로 이루지게 된다.
상기와 같은 공정들 중 특히 식각(etching)공정은 챔버나 반응로 내에 반응가스(CF₄,CI₂,HBr 등)을 분사시킴으로써 플라즈마 상태에서의 화학반응을 통해 웨이퍼 표면에서 원하는 물질을 제거하는 공정으로서, 포토레지스트(photoresist) 패턴을 마스크로 하여 포토레지스트로 덮여 있지 않은 부분을 선택적으로 제거하여 기판상에 미세회로를 형성하는 공정이다.
따라서 식각공정은 기판 전체 표면에 대해 에칭 균일도(Etching Uniformity)를 유지하는 것이 무엇보다도 중요하기 때문에 에칭 균일도의 향상과 공정 불량의 방지를 위해 플라즈마가 챔버 내에 균일하게 형성되어 기판 전체 표면에 접촉될 수 있게 하여야 한다.
종래의 플라즈마 식각장치는 상기와 같은 챔버 내에서의 플라즈마 균일도를 확보하기 위하여 캐소드 어셈블리 외주에 다수개의 통기구가 형성된 배플플레이트를 설치하고, 챔버 하측부에는 펌핑 배기부를 설치한 후, 배기펌프를 작동시켜 챔버 내의 반응가스나 폴리머(polymer) 또는 미립자(particle) 등의 부산물을 강제 배기(pumping exhaust) 시킴으로써, 챔버 내 반응가스의 균일한 배기를 통해 플라즈마의 균일도를 확보하였다.
즉 반응가스 등의 부산물이 지속적으로 균일하게 챔버 외부로 배출되게 함으로써, 챔버 내의 플라즈마가 반응가스나 부산물 등의 저항을 받지 않고 기판상에 균일하게 확산되도록 하는 것이다.
그러나 상기와 같은 구조의 종래의 플라즈마 식각장치는 다음과 같은 문제점들이 있었다.
첫째, 플라즈마 반응 후 발생되는 반응가스나 폴리머(polymer) 또는 미립자(particle)를 하나의 배플플레이트를 통해 강제 배기시키기 때문에 반응가스나 부산물 등을 균일하게 배기시키는데 한계가 있어 챔버 내 플라즈마의 균일도가 확보되지 않는 문제점이 있었고, 둘째, 배플플레이트가 챔버에 효과적으로 접지되지 않아 통기구 사이에서 플라즈마가 부정기적으로 켜졌다 꺼졌다 하는 플라즈마 플리커링(flickering) 현상이 발생되는 문제점이 있었으며, 셋째, 통기구의 개구율을 조절하기 위한 조절수단이 없기 때문에 챔버 내의 가스플로우나 배기플로우의 조절을 통해 기판의 식각률(etching rate)을 미세하게 제어할 수 없는 문제점이 있었다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로서, 본 발명의 목적은 플라즈마 반응 후 발생되는 반응가스나 폴리머(polymer) 또는 미립자(particle)를 다수개의 제1통기구와 제2통기구가 이단으로 형성된 일체형 캐소드라이너를 통해 강제 배기시킴으로써, 챔버 내의 가스플로우(gas flow) 및 배기플로우(exhaust flow)의 균일성이 유지되도록 하여 플라즈마의 균일도를 향상시키고자 하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 캐소드라이너의 접지력을 향상시켜 통기구 사이에서 발생될 수 있는 플라즈마의 플리커링(flickering) 현상이 방지될 수 있게 하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 제2통기구의 개구율을 조절 가능하게 하여 챔버 내의 가스플로우와 배기플로우의 미세 조절을 통해 플라즈마의 균일도를 제어할 수 있게 함으로써, 기판 전체 표면에서의 에칭 균일도(Etching Uniformity)를 확보할 수 있도록 하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 플라즈마 반응공간을 제공하는 챔버와, 상기 챔버의 내측 중앙부에 위치하여 기판을 지지하는 캐소드 어셈블리, 및 상기 챔버 내 가스플로우와 배기플로우의 균일성이 유지되도록 다수개의 제1통기구와 제2통기구를 이단으로 이격되게 각각 형성하되 상기 캐소드 어셈블리에 외삽되어 하단부가 상기 챔버 내측면에 체결되는 일체형 캐소드라이너를 포함하여 구성된다.
여기서 상기 캐소드라이너는 상기 제1통기구가 방사상으로 배열 형성되는 배플플레이트와, 상기 배플플레이트의 내측 둘레에 상단이 결합되는 일정 길이의 라이너부 및 상기 라이너부의 하단부에 구비되어 상기 챔버에 결합되되, 상기 제2통기구가 방사상으로 배열 형성되는 배기부로 구성된다.
또한 본 발명의 상기 배플플레이트의 제1통기구는 등 간격으로 이격되어 배열되는 슬롯으로 구성될 수 있다.
또 상기 배플플레이트는 내측 둘레의 여러 개소를 상기 라이너부의 상단면에 나사 결합시켜 고정시킬 수 있을 것이다.
한편 본 발명의 상기 배기부는 상기 제2통기구가 일정 간격으로 관통 형성되되, 외측 방향으로 일정 각도로 경사지게 형성되는 배기플레이트와 상기 배기플레이트의 하단부 외주를 따라 외측으로 연장되어 상기 챔버에 나사 결합되는 체결플레이트로 구성된다.
또한 상기 배기플레이트 상부면에는 슬라이딩 회전되는 조절판을 구비하되, 상기 조절판에는 상기 다수개의 제2통기구의 개구율을 동시에 조절할 수 있도록 제2통기구에 대응되게 다수개의 조절구가 배열 형성될 수 있다.
또 상기 배기플레이트 상부면에는 상기 다수개의 제2통기구의 개구율을 각각 조절할 수 있도록 상기 배기플레이트 상부에서 슬라이딩 가능하게 설치되는 다수개의 개별조절판이 구비되게 할 수도 있다.
한편 본 발명의 상기 체결플레이트의 하측면에는 반응가스의 누출을 방지하는 가스켓이 더 구비되는 것이 바람직하다.
또한 상기 캐소드라이너는 내식성이나 내마모성이 우수한 산화알루미나(A1203) 또는 산화이트륨(Y203)이 코팅되는 것이 바람직하다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명은 첫째, 이단 구조의 일체형 캐소드라이너를 통해 반응가스를 강제 배기시킴으로써, 기판상에서의 플라즈마의 균일도를 확보할 수 있어 기판의 에칭 균일도(Etching Uniformity)를 확보할 수 있고, 둘째, 통기구 사이에서 발생될 수 있는 플라즈마의 플리커링(flickering) 현상이 방지됨으로써, 공정 불량을 최소화하여 공정 효율을 향상시킬 수 있는 효과가 있으며, 셋째, 제2통기구의 개구율 조절을 통해 플라즈마 균일도를 미세하게 제어하는 것이 가능하여 기판 전체 표면에서의 식각률(Etching Rate)의 균일성을 통해 고품질의 기판을 제조할 수 있는 효과가 있다.
이하 본 발명을 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 개략적인 측면도를 나타낸 것이다.
도시된 바와 같이, 본 발명의 플라즈마 식각장치는 챔버(1)와 캐소드 어셈블리(10) 및 캐소드라이너(50)로 구성된다.
챔버(1)는 외부와 격리되는 플라즈마 반응공간을 제공하는 것으로서, 상부 중앙에는 반응가스를 분사하는 가스인젝터(gas injector)(5)가 설치되고, 하부 중앙에는 반응가스나 폴리머(polymer) 또는 미립자(particle) 등과 같은 반응 부산물을 외부로 배출하는 배기구(8)가 형성된다.
또한 챔버(1)의 일측은 고주파전원(RF)(7)에 의해 챔버(1) 내의 반응가스를 플라즈마 상태로 변환시키기 위해 외부에 접지된다.
한편 캐소드 어셈블리(10)는 고주파전원(RF)(7)의 전극을 형성함과 동시에 웨이퍼나 기판(도시하지 않음)이 수평 상태로 챔버(1) 내부의 중앙부에 위치할 수 있도록 기판을 지지하는 것이다.
이때 캐소드 어셈블리(10)에는 고주파전원(RF)(7)이 연결되며, 상부면에는 기판이 안착된다.
따라서 고주파전원(RF)(7)은 챔버(1) 내부로 분사되는 반응가스를 방전시켜 플라즈마 상태로 변환시킴으로써, 기판 표면이 플라즈마에 의해 식각 처리되도록 하는 것이다.
한편 캐소드 어셈블리(10)는 기판을 보다 안정적으로 고정시킬 수 있도록 기판을 고정시키는 정전척(도시하지 않음)이 구비될 수 있고, 또한 기판을 냉각시키기 위해 헬륨(He) 가스 등을 순환시키는 가스배관(도시하지 않음)이 설치될 수 있다.
정전척은 정전기의 전위차를 이용하여 전극면과 대상물의 상호간에 형성되는 전기적인 인력에 의해 대상물을 흡착시키는 장치이다.
한편 반응가스는 플라즈마가 기판 표면상에 균일하게 형성되도록 하기 위해 캐소드 어셈블리(10)의 중심과 동일선상에 형성된 가스인젝터(5)를 통해 챔버(1) 내부로 분사되게 된다.
따라서 반응가스는 챔버(1) 내부에서 고주파전원(7)에 의해 플라즈마 상태로 변환되어 기판 표면과 반응함으로써, 기판을 선택적으로 식각 처리하게 되며, 챔버(1) 하측부에 형성되는 배기구(8)를 통해 외부로 배출되는 것이다.
한편 캐소드라이너(50)는 캐소드 어셈블리(10)에 외삽되어 설치되는 것으로서, 도 2와 도 3을 참조하여 상세히 설명한다.
여기서 도 2는 캐소드라이너(50)의 분해사시도를 나타낸 것이고, 도 3은 캐소드라이너(50)가 결합된 상태의 사시도를 나타낸 것이다.
캐소드라이너(50)는 챔버(1) 내 가스플로우(gas flow) 및 배기플로우(exhaust flow)의 균일성이 유지되도록 다수개의 제1통기구(22)와 제2통기구(42)가 이단으로 이격되게 각각 형성되는 일체형 라이너로서, 배플플레이트(baffle plate)(20)와 라이너부(30) 및 배기부(40)로 구성된다.
배플플레이트(20)는 플라즈마 반응가스가 챔버(1) 상부에 일정 시간 동안 잔류한 후 배출될 수 있게 하는 것으로서, 도시된 바와 같이, 원통형 라이너부(30)의 상단면에 결합되어 케소드 어셈블리(10)의 상단부 외주면에 위치하도록 설치된다.
따라서 배플플레이트(20)의 내주면은 캐소드 어셈블리(10)의 외주면에 대응되게 형성되고, 외주면은 챔버(1)의 내주면에 대응되게 형성되어 캐소드 어셈블리(10)의 외주면과 챔버(1)의 내주면 사이에 형성되는 공간부에 수평 설치되는 것 이다.
이때 배플플레이트(20)는 일정 두께를 가진 원형의 링 형태로서, 캐소드 어셈블리(10)가 삽입 가능하도록 중앙부에 삽입공(25)이 관통 형성된다.
여기서 배플플레이트(20)의 외주는 원형으로 한정되는 것은 아니며, 챔버(1)의 내주면의 형상에 따라 사각형 등으로 형성될 수도 있을 것이다.
따라서 배플플레이트(20)의 외주면은 챔버(1)의 내주면을 따라 밀착 결합되고, 삽입공(25)의 내주면은 캐소드 어셈블리(10)의 외주면을 따라 밀착 결합됨으로써, 챔버(1) 내의 반응공간을 상부와 하부로 구획하게 되는 것이다.
한편 배플플레이트(20)는 삽입공(25)의 둘레를 따라 다수개의 결합공(20b)을 이격 설치하고, 이 결합공(20b)을 이용하여 고정볼트(20a)를 라이너부(30)의 상단면에 체결하여 고정시킨다.
한편 배플플레이트(20)에는 제1통기구(22)가 형성된다.
제1통기구(22)는 반응가스가 통과하는 부분으로서, 일정 길이의 슬롯(Slot)이 방사상으로 일정 거리 이격되어 등 간격으로 배열 형성된다.
제1통기구(22)는 슬롯 형태로 한정되는 것은 아니며, 플라즈마 환경 조건을 고려하여 다양한 형태로 형성될 수 있을 것이다.
한편 라이너부(30)는 캐소드 어셈블리(10)에 외삽되는 것으로서, 상부와 하부가 개방된 원통형으로 구비된다.
이때 라이너부(30)는 내주면이 캐소드 어셈블리(10)의 외주면에 대응되게 형성되어 밀착될 수 있도록 구비되며, 또한 라이너부(30)는 상단면에 배플플레이 트(20)에 형성되는 결합공(20b)에 대응되게 다수개의 결합공(30b)이 형성되어 있어 고정볼트(20a)에 의해 배플플레이트(20)의 삽입공(25) 둘레의 하측면에 밀착되도록 체결된다.
한편 라이너부(30)의 하단부에는 배기부(40)가 구비된다.
배기부(40)는 배플플레이트(20)를 통과한 반응가스나 부산물 등을 챔버(1)의 배기구(8)로 최종적으로 배출하는 것으로서, 라이너부(30)의 하단부에 연장 형성되는 배기플레이트(41)와 배기플레이트(41) 하단부 외주면으로부터 외측 방향으로 연장 형성되는 체결플레이트(45)로 구성된다.
이때 배기플레이트(41)는 라이너부(30)의 하단부 외주로부터 외측 방향으로 일정 각도 경사지도록 형성되며, 제2통기구(42)가 등 간격으로 배열 형성된다.
제2통기구(42)는 도시된 바와 같은 사각 형상으로 한정되는 것은 아니며, 원형 또는 장공형 등 다양한 형태로 관통 형성될 수 있을 것이다.
한편 체결플레이트(42)는 배기플레이트(41)의 하단부 외주로부터 수평 방향으로 일정 거리 연장 형성되는 것으로서, 챔버(1)에 고정시키기 위해 고정볼트(40a)가 결합되는 다수개의 결합공(40b)이 관통 형성된다.
따라서 캐소드라이너(50)는 체결플레이트(45)가 고정볼트(40a)에 의해 챔버(1)에 견고하게 결합되어 접지력이 강화됨으로써, 종래의 플라즈마 식각장치에서와 같은 배플플레이트의 불안정한 접지로 인한 통기구에서의 플라즈마의 플리커링 현상을 방지할 수 있게 되는 것이다.
한편 체결플레이트(45)와 챔버(1) 사이에는 불필요한 반응가스 누출을 방지 하기 위한 가스켓(70)이 설치될 수 있다.
가스켓(70)은 원형의 링(ring) 형상의 메탈 스프링으로 구비될 수 있을 것이다.
한편 배기플레이트(41)의 상부에는 상기 배기플레이트(41)에 대응되게 형성되어 슬라이딩 회전되는 조절판(60)이 더 구비될 수 있다.
조절판(60)은 라이너부(30)에 외삽되어 배기플레이트(41) 상부면에 안착된 상태에서 배기플레이트(41)를 따라 슬라이딩 되면서 회전 가능하게 설치되는 것으로서, 배기플레이트(41)에 대응되게 링 형상으로 구비된다.
이때 조절판(60)에는 배기플레이트(41)의 제2통기구(42)에 대응되게 등 간격으로 조절구(62)가 관통 형성된다.
따라서 배기플레이트(41)의 각각의 제2통기구(42)는 도 3에 도시된 바와 같이 조절판(60)이 회전되면 조절구(62)와의 겹침 정도에 따라 개구율이 동시에 조절될 수 있는 것이다.
즉 작업자는 조절판(60)을 화살표(63)와 같이 적정 각도로 회전시킴으로써, 제2통기구(42)의 개구율을 최적의 조건으로 조절하여 펌핑 배기(pumping exhaust)시 챔버(1) 내의 가스플로우와 배기플로우를 미세하게 조절 가능하게 되는 것이다.
한편 도 4는 본 발명의 캐소드라이너(50)의 다른 실시예를 나타낸 것으로서, 조절판의 구성 외에는 상기 실시예와 동일하므로 변경된 구성에 대해서만 설명한다.
도시된 바와 같이, 배기플레이트(41) 상부면에는 다수개의 개별조절판(80)이 설치된다.
개별조절판(80)은 배기플레이트(41)의 제2통기구(42)의 수에 대응되게 설치되어 각각의 제2통기구(42)의 개구율을 조절 가능하도록 구비된다.
즉, 개별조절판(80)은 배기플레이트(41)를 따라 슬라이딩 되면서 제2통기구(42)를 각각 개폐시킬 수 있게 설치되는 것으로서, 작업자는 개별조절판(80)의 각각의 위치를 조정함으로써, 제2통기구(42)의 개구율을 서로 상이하게 각각 조절할 수 있게 되는 것이다.
이때 개별조절판(80)이 배기플레이트(41) 상부면에서 원활하게 슬라이딩 가능하도록 배기플레이트(41) 상단과 하단에는 개별조절판(80)의 상단과 하단이 삽입되어 슬라이딩 될 수 있는 가이드레일(홈)이 형성되도록 가이드부재(82,83)가 설치될 수 있을 것이다.
가이드부재(82,83)는 개별조절판(80)이 배기플레이트(41)의 상부면에 배치된 상태에서 개별조절판(80)의 상단과 하단이 삽입될 수 있는 홈이 형성되도록 띠 형상의 부재를 배기플레이트(41)의 상단 및 하단 면과 각각 이격되도록 설치할 수 있을 것이다.
따라서 작업자는 개별조절판(80)의 위치를 이동시켜 제2통기구(42)의 각각의 개구율을 미세하게 조절함으로써, 챔버(1) 내 반응가스나 부산물 등의 펌핑 배기(pumping exhaust)시 가스플로우와 배기플로우의 균일도를 보다 정밀하게 제어할 수 있게 되는 것이다.
한편 개별조절판(80)은 도 4에 도시된 형태로 한정되는 것은 아니며, 통상적 으로 사용되는 개폐용 도어(door)와 같이 제2통기구(42) 자체에 각각 슬라이딩 가능하게 설치되는 개폐 도어 형태로 구비될 수도 있을 것이다.
한편 캐소드라이너(50)는 내식성과 내마모성이 우수한 산화알루미나(A1203) 또는 산화이트륨(Y203) 등이 코팅될 수 있다.
이하 도 1을 참조하여 본 발명의 작동 과정을 설명한다.
먼저 반응가스가 가스인젝터(5)로부터 챔버(1) 내부로 분사되고, 캐소드어셈블리(10)에 고주파전원(7)이 인가되면, 반응가스는 방전을 일으키게 되어 플라즈마 상태로 변환된 후, 기판 표면의 특정 막을 식각하게 되는 것이다.
이때 반응가스는 캐소드라이너(50)에 의해 가스의 흐름이 일정하고 균일하게 유지되면서 화살표(3)와 같이 부산물 등과 함께 제1,2통기구(22,42)를 순차적으로 통과한 후, 배기구(8)로 배출되는 것이다.
여기서 반응가스는 제1통기구(22)를 통과한 후 2차적으로 제2통기구(42)를 통해 배출됨으로써, 배플플레이트(20)와 배기부(40) 사이에 형성되는 공간부가 완충 역할을 하게 되어 챔버(1) 내의 가스플로우와 배기플로우가 보다 균일하게 유지되면서 배출될 수 있게 되는 것이다.
따라서 본 발명은 플라즈마 반응 후 발생되는 반응가스나 폴리머(polymer) 또는 미립자(particle)를 제1통기구(22)와 제2통기구(42)가 형성된 일체형 캐소드라이너(50)를 통해 강제 배기시킴으로써, 배플플레이트(20)와 배기부(40) 사이에 형성되는 공간부의 완충 효과에 의해 뷸균일한 배출이 개선될 수 있을 뿐 아니라, 캐소드라이너(50)가 챔버에 연장 체결되어 있음에 따라 접지력이 향상되어 플라즈 마의 플리커링(flickering) 현상이 방지될 수 있으며, 또한 제2통기구(42)의 개구율을 조절하여 챔버(1) 내의 플라즈마의 균일도를 미세하게 조절할 수 있게 되는 것이다.
이상, 상기의 실시 예는 단지 설명의 편의를 위해 예시로서 설명한 것에 불과하므로 특허청구범위를 한정하는 것은 아니며, 스퍼터(Sputter)나 화학기상증착장비(CVD)와 같은 여타 플라즈마 진공 처리장비에도 모두 적용 가능하다.
도 1은 본 발명의 플라즈마 식각장치의 개략 측단면도,
도 2는 본 발명의 캐소드라이너의 분해사시도,
도 3은 본 발명의 캐소드라이너의 사시도,
도 4는 본 발명의 캐소드라이너의 다른 실시예의 부분 분해사시도이다.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
1 : 챔버 3,63 : 화살표
5 : 가스인젝터 7 : 고주파전원
8 : 배기구 10 : 캐소드 어셈블리
20 : 배플플레이트 20a,40a : 고정볼트
20b,30b,40b : 결합공
22 : 제1통기구 25 : 삽입공
30 : 라이너부 40 : 배기부
41 : 배기플레이트 42 : 제2통기구
45 : 체결플레이트 50 : 캐소드라이너
60,80 : 조절판 62 : 조절구
82,83 : 가이드부재

Claims (9)

  1. 플라즈마 반응공간을 제공하는 챔버;
    상기 챔버의 내측 중앙부에 위치하여 기판을 지지하는 캐소드 어셈블리; 및
    상기 챔버 내 가스플로우와 배기플로우의 균일성이 유지되도록 다수개의 제1통기구와 제2통기구를 이단으로 이격되게 각각 형성하되, 상기 캐소드 어셈블리에 외삽되어 하단부가 상기 챔버 내측면에 체결되는 일체형 캐소드라이너;
    를 포함하여 구성하되,
    상기 캐소드라이너는,
    상기 제1통기구가 방사상으로 배열 형성되는 배플플레이트와, 상기 배플플레이트의 내측 둘레에 상단이 결합되는 일정 길이의 라이너부, 및 상기 라이너부의 하단부에 구비되어 상기 챔버에 결합되되, 상기 제2통기구가 방사상으로 배열 형성되는 배기부로 구성되고,
    상기 배기부는,
    상기 제2통기구가 일정 간격으로 관통 형성되되, 외측 방향으로 일정 각도로 경사지게 형성되는 배기플레이트와 상기 배기플레이트의 하단부 외주를 따라 외측으로 연장되어 상기 챔버에 나사 결합되는 체결플레이트로 구성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 식각장치.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서,
    상기 배플플레이트의 제1통기구는 등 간격으로 이격되어 배열되는 슬롯으로 이루어진 것을 특징으로 하는 플라즈마 식각장치.
  4. 제3항에 있어서
    상기 배플플레이트는 내측 둘레의 여러 개소를 상기 라이너부의 상단면에 나사 결합시키는 것을 특징으로 하는 플라즈마 식각장치.
  5. 삭제
  6. 제1항에 있어서,
    상기 배기플레이트 상부면에는 슬라이딩 회전되는 조절판을 구비하되, 상기 조절판에는 상기 다수개의 제2통기구의 개구율을 동시에 조절할 수 있도록 제2통기구에 대응되게 다수개의 조절구가 배열 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 식각장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 배기플레이트 상부면에는 상기 다수개의 제2통기구의 개구율을 각각 조절할 수 있도록 상기 배기플레이트 상부에서 슬라이딩 가능하게 설치되는 다수개의 개별조절판이 구비되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 식각장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 체결플레이트의 하측면에는 반응가스의 누출을 방지하는 가스켓이 더 구비되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 식각장치.
  9. 제1항, 제3항, 제4항, 제6항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 캐소드라이너는 산화알루미나(A1203) 또는 산화이트륨(Y203)이 코팅되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 식각장치.
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