KR102600470B1 - 표시 장치의 제조장치 및 표시 장치의 제조방법 - Google Patents

표시 장치의 제조장치 및 표시 장치의 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 표시 장치의 제조장치 및 표시 장치의 제조방법을 개시한다. 본 발명은, 챔버와, 상기 챔버 내부에 배치되며, 기판이 안착하는 서포터와, 상기 서포터와 대향하도록 상기 챔버 내부에 배치되는 전극부와, 상기 챔버에 배치되며, 상기 챔버 내부로 공정가스를 공급하는 가스공급부와, 상기 서포터의 테두리에 배치되며, 적어도 하나 이상의 제1 관통홀이 형성된 제1 베플부와, 상기 제1 베플부와 상기 챔버 사이에 배치되며, 가스를 차단시키는 제2 베플부를 포함한다.

Description

표시 장치의 제조장치 및 표시 장치의 제조방법{Apparatus and method for manufacturing a display apparatus}
본 발명의 실시예들은 장치 및 방법에 관한 것으로서, 더 상세하게는 표시 장치의 제조장치 및 표시 장치의 제조방법에 관한 것이다.
이동성을 기반으로 하는 전자 기기가 폭 넓게 사용되고 있다. 이동용 전자 기기로는 모바일 폰과 같은 소형 전자 기기 이외에도 최근 들어 태블릿 PC가 널리 사용되고 있다.
이와 같은 이동형 전자 기기는 다양한 기능을 지원하기 위하여, 이미지 또는 영상과 같은 시각 정보를 사용자에게 제공하기 위하여 표시장치를 포함한다. 최근, 표시장치를 구동하기 위한 기타 부품들이 소형화됨에 따라, 표시장치가 전자 기기에서 차지하는 비중이 점차 증가하고 있는 추세이며, 평평한 상태에서 소정의 각도를 갖도록 구부릴 수 있는 구조도 개발되고 있다.
이러한 표시 장치를 제조하기 위하여 다양한 층을 형성하고 이러한 층의 일부를 제거하여 패턴을 형성할 수 있다. 이때, 어느 하나의 층을 패턴 형태로 제조할 때 공정 부산물이 생성되고, 이러한 공정 부산물은 이러한 층에 부착되어 제품의 품질을 저하시키고 제품의 불량을 초래할 수 있다. 이러한 것을 방지하도록 챔버 내부의 가스와 공정 부산물 등을 층의 패턴을 형성하는 공정 시 외부로 배출시킬 수 있다.
공정 부산물 및 공정에 사용되는 가스를 외부로 배출 시 공정 부산물 및 가스 등은 챔버 내부로 역류하여 표시 장치의 제조 시 각 층에 부착되어 불량을 야기시킬 수 있으므로 이러한 공정 부산물 및 가스 등의 역류를 방지하는 것이 필요하다. 본 발명의 실시예들은 챔버 내부의 공정 부산물 및 가스 등의 역류를 최소화하고 효과적으로 배출시킴으로써 제품 불량을 최소화하는 표시 장치의 제조장치 및 표시 장치의 제조방법을 제공한다.
본 발명의 일 실시예는 챔버와, 상기 챔버 내부에 배치되며, 기판이 안착하는 서포터와, 상기 서포터와 대향하도록 상기 챔버 내부에 배치되는 전극부와, 상기 챔버에 배치되며, 상기 챔버 내부로 공정가스를 공급하는 가스공급부와, 상기 서포터의 테두리에 배치되며, 적어도 하나 이상의 제1 관통홀이 형성된 제1 베플부와, 상기 제1 베플부와 상기 챔버 사이에 배치되며, 가스를 차단시키는 제2 베플부를 포함하는 표시 장치의 제조장치를 개시한다.
본 실시예에 있어서, 상기 제1 관통홀 중 적어도 하나의 내면은 상기 제1 베플부의 상면 또는 하면 중 하나에 대해서 경사지게 형성될 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제1 관통홀 중 적어도 하나의 내면 중 적어도 일부분은 상기 제1 관통홀의 내측으로 돌출될 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 챔버와 연결되며, 상기 챔버 내부의 가스를 외부로 안내하여 배출하는 가스배출부를 더 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 가스배출부는, 상기 챔버와 연결되며 상기 가스를 외부로 안내하는 안내배관과, 상기 안내배관에 배치되어 상기 가스를 외부로 배출시키는 펌프를 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제2 베플부는 상기 안내배관과 상기 챔버가 연결되는 상기 챔버 부위에 대응되도록 배치될 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제1 베플부 및 상기 제2 베플부 중 적어도 하나의 일면에 돌출되도록 배치되는 차단판을 더 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 차단판은 상기 제1 베플부 및 상기 제2 베플부 중 적어도 하나의 일면에 대해서 경사지게 배치될 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 챔버에 연결되며, 상기 제1 베플부 및 상기 제2 베플부 중 적어도 하나와 연결되는 베플지지부를 더 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 베플지지부는 플레이트 형태이며, 적어도 하나 이상의 제2 관통홀이 형성될 수 있다.
본 발명의 다른 실시예는, 챔버와, 상기 챔버 내부에 배치되며, 기판이 안착하는 서포터와, 상기 서포터와 대향하도록 상기 챔버 내부에 배치되는 전극부와, 상기 챔버에 배치되며, 상기 챔버 내부로 공정가스를 공급하는 가스공급부와, 상기 서포터의 테두리에 배치되어 상기 챔버 내부에서 상기 안내배관으로 가스가 이동하는 경로 상에는 가스의 이동 경로를 적어도 한번 이상 절곡시키며, 서로 이격되도록 배열되는 복수개의 베플부와, 상기 복수개의 베플부 중 하나는 가스가 통과하고, 상기 복수개의 베플부 중 다른 하나는 가스를 우회시키는 표시 장치의 제조장치를 개시한다.
본 발명의 또 다른 실시예는, 패턴층을 기판 상에 형성한 후 패턴층 상에 형성된 포토레지스트를 형성하는 단계와, 상기 포토레지스트에 패턴을 형성하는 단계와, 상기 포토레지스트 및 상기 패턴층이 형성된 기판을 챔버 내부의 서포터에 안착시키는 단계와, 플라즈마로 상기 패턴층에 패턴을 형성하는 단계와, 상기 챔버 내부의 가스의 경로를 적어도 한번 이상 절곡시켜 안내배관으로 배출하는 단계를 포함하고, 상기 챔버 내부에서 상기 안내배관으로 가스가 이동하는 경로 상에는 가스의 이동 경로를 적어도 한번 이상 절곡시키며, 서로 이격되도록 배열되는 복수개의 베플부가 배치된 표시 장치의 제조방법을 개시한다.
본 실시예에 있어서, 상기 복수개의 베플부는, 상기 챔버 내부의 가스가 통과하는 제1 베플부와, 상기 제1 베플부와 이격되도록 배치되며, 가스가 충돌하여 가스의 이동 경로가 가변하는 제2베플부를 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제1 베플부는 상기 챔버 내부의 가스가 통과하는 제1 관통홀이 적어도 하나 이상 형성될 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제1 관통홀의 내면은, 상기 제1 베플부의 상면 또는 하면 중 하나에 대해서 경사질 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제1 관통홀의 내면 중 적어도 일부분은 상기 제1 관통홀의 내면으로 돌출될 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제1 베플부 및 상기 제2 베플부 중 적어도 하나의 하면에 차단판이 배치될 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제1 베플부와 상기 제2 베플부는 서로 이격되도록 배치되는 베플지지부에 의해 지지될 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제2 베플부는 상기 제1 베플부의 일부분과 중첩되도록 배열될 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 챔버 내부의 가스를 외부로 안내하도록 상기 챔버에 안내배관이 연결되며, 상기 제2 베플부는 상기 안내배관과 상기 챔버가 연결되는 상기 챔버 부분의 상면에 배치될 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 복수개의 베플부 중 하나는 가스가 통과하고, 상기 복수개의 베플부 중 다른 하나는 가스를 우회시킬 수 있다.
전술한 것 외의 다른 측면, 특징, 이점이 이하의 도면, 특허청구범위 및 발명의 상세한 설명으로부터 명확해질 것이다.
이러한 일반적이고 구체적인 측면이 시스템, 방법, 컴퓨터 프로그램, 또는 어떠한 시스템, 방법, 컴퓨터 프로그램의 조합을 사용하여 실시될 수 있다.
본 발명의 실시예들에 관한 표시 장치의 제조장치 및 표시 장치의 제조방법은 공정 시 발생하는 가스가 역류하지 못함으로써 패턴층에 이물질이 흡착되는 것을 방지할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 관한 표시 장치의 제조장치 및 표시 장치의 제조방법은 고품질의 표시 장치를 제조하는 것이 가능하다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조장치를 보여주는 단면도이다.
도 2는 도 1에 도시된 서포터와 제1 베플부를 보여주는 평면도이다.
도 3은 도 2에 도시된 제1 베플부의 제1 관통홀의 다양한 실시예를 보여주는 단면도이다.
도 4는 도 1에 도시된 A부분을 보여주는 부분사시도이다.
도 5는 도 1에 도시된 표시 장치의 제조장치를 통하여 표시 장치를 제조하는 순서를 보여주는 단면도이다.
도 6은 도 1에 도시된 표시 장치의 제조장치를 통하여 표시 장치를 제조하는 순서를 보여주는 단면도이다.
도 7은 도 1에 도시된 표시 장치의 제조장치를 통하여 표시 장치를 제조하는 순서를 보여주는 단면도이다.
도 8은 도 1에 도시된 표시 장치의 제조장치를 통하여 제조된 표시 장치를 보여주는 평면도이다.
도 9는 도 8의 B-B선을 따라 취한 단면도이다.
도 10은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 제조장치의 제1 베플부 및 베플지지부를 보여주는 사시도이다.
도 11은 도 10의 D-D선을 따라 취한 단면도이다.
도 12는 본 발명의 다른 실시예에 다른 표시장치의 제조장치의 제1 베플부, 제2 베플부 및 차단판을 보여주는 단면도이다.
도 13은 도 12에 도시된 차단판의 다양한 실시예를 보여주는 단면도이다.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 본 발명의 효과 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 다양한 형태로 구현될 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 도면을 참조하여 설명할 때 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면부호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
이하의 실시예에서, 제1, 제2 등의 용어는 한정적인 의미가 아니라 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하는 목적으로 사용되었다.
이하의 실시예에서, 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
이하의 실시예에서, 포함하다 또는 가지다 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 또는 구성요소가 존재함을 의미하는 것이고, 하나 이상의 다른 특징들 또는 구성요소가 부가될 가능성을 미리 배제하는 것은 아니다.
이하의 실시예에서, 막, 영역, 구성 요소 등의 부분이 다른 부분 위에 또는 상에 있다고 할 때, 다른 부분의 바로 위에 있는 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 있는 경우도 포함한다.
도면에서는 설명의 편의를 위하여 구성 요소들이 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다. 예컨대, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.
이하의 실시예에서, x축, y축 및 z축은 직교 좌표계 상의 세 축으로 한정되지 않고, 이를 포함하는 넓은 의미로 해석될 수 있다. 예를 들어, x축, y축 및 z축은 서로 직교할 수도 있지만, 서로 직교하지 않는 서로 다른 방향을 지칭할 수도 있다.
어떤 실시예가 달리 구현 가능한 경우에 특정한 공정 순서는 설명되는 순서와 다르게 수행될 수도 있다. 예를 들어, 연속하여 설명되는 두 공정이 실질적으로 동시에 수행될 수도 있고, 설명되는 순서와 반대의 순서로 진행될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조장치를 보여주는 단면도이다. 도 2는 도 1에 도시된 서포터와 제1 베플부를 보여주는 평면도이다. 도 3은 도 2에 도시된 제1 베플부의 제1 관통홀의 다양한 실시예를 보여주는 단면도이다. 도 4는 도 1에 도시된 A부분을 보여주는 부분사시도이다.
도 1 내지 도 4를 참고하면, 표시 장치의 제조장치(100)는 챔버(110), 서포터(120), 전극부(130), 가스공급부(140), 베플부(150), 가스배출부(160), 베플지지부(171) 및 챔버구동부(180)를 포함할 수 있다.
챔버(110)는 내부에 공간이 형성될 수 있으며, 기판(21)이 수납되는 공간을 제공할 수 있다. 이때, 챔버(110)는 서로 구분되는 제1 하우징(111)과 제2 하우징(112)을 포함할 수 있다. 또한, 챔버(110)는 제1 하우징(111)과 제2 하우징(112) 사이에 배치되는 실링부(113)를 포함할 수 있다. 이러한 경우 제1 하우징(111)과 제2 하우징(112)은 서로 분리 가능할 수 있으며 분리된 제1 하우징(111) 및 제2 하우징(112) 중 적어도 하나는 선형 운동함으로써 제1 하우징(111)과 제2 하우징(112)이 서로 결합하거나 분리될 수 있다. 이하에서는 설명의 편의를 위하여 제1 하우징(111)이 선형 운동하는 경우를 중심으로 상세히 설명하기로 한다.
서포터(120)와 전극부(130)에 인가되는 전압은 다양한 형태일 수 있다. 예를 들면, 서포터(120) 또는 전극부(130) 중 하나는 외부의 그라운드와 연결되고, 서포터(120) 또는 전극부(130) 중 다른 하나는 일정한 양의 전압이 인가될 수 있다. 다른 실시예로서 서포터(120) 또는 전극부(130) 중 하나는 음의 전압이 인가될 수 있으며, 서포터(120) 또는 전극부(130) 중 다른 하나는 양의 전압이 인가되는 것도 가능하다. 이하에서는 설명의 편의를 위하여 서포터(120)는 그라운드와 연결되고, 전극부(130)는 외부 전원과 연결되는 경우를 중심으로 상세히 설명하기로 한다.
서포터(120)는 제2 하우징(112)의 저면에 배치될 수 있다. 서포터(120)는 제2 하우징(112)의 저면에 안착되거나 별도의 구조물을 통하여 제2 하우징(112)의 저면(또는 하면)으로부터 이격되도록 배치되는 것도 가능하다.
전극부(130)는 챔버(110) 내부에 배치될 수 있으며, 외부의 전원(191)과 연결될 수 있다. 이때, 전극부(130)에는 서포터(120)와 반대 방향의 전압이 인가될 수 있으며, 전압이 가변할 수 있다. 전극부(130)는 유전체(131)와, 유전체(131)와 접촉하며 외부의 전원(191)과 연결되는 안테나(132)를 포함할 수 있다. 이러한 경우 안테나(132)에 인가된 전류는 유전체(131)로 이동하여 유전체(131) 전체에 일정 전압을 형성할 수 있다.
가스공급부(140)는 플라즈마를 생성하기 위한 가스를 저장하는 가스저장부(141)와 가스저장부(141)와 연결되며, 가스를 챔버(110) 내부로 분사하는 노즐부(142)를 포함할 수 있다. 이때, 가스저장부(141)는 탱크 형태로 형성될 수 있다. 노즐부(142)는 복수 개 구비될 수 있으며, 복수개의 노즐부(142)는 유전체(131)에 서로 이격되도록 배열될 수 있다. 이러한 경우 각 노즐부(142)와 유전체(131)는 서로 절연되도록 각 노즐부(142)의 표면 또는 각 노즐부(142)와 유전체(131) 사이에는 절연물질이 배치될 수 있다.
상기와 같은 노즐부(142)는 가스를 챔버(110) 내부로 공급할 수 있다. 이때, 노즐부(142)에서 공급하는 가스는 플로오루(F) 및 염소(Cl) 중 적어도 하나와 아르곤(Ar) 등과 같은 불활성 가스 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
베플부(150)는 서포터(120)의 주변에 배치될 수 있다. 이러한 베플부(150)는 복수 개 구비될 수 있으며, 복수개의 베플부(150)는 서로 적층되도록 배치될 수 있다. 또한, 복수개의 베플부(150)는 제2 하우징(112)의 저면으로부터 상측으로 서로 이격되도록 배열될 수 있다. 이러한 경우 복수개의 베플부(150) 중 최하단에 배치된 베플부(150)(또는 제2 하우징(112)의 저면에 가장 가깝게 배치되는 베플부(150))는 공정 부산물 및 가스 등이 통과하지 못하도록 홀이 형성되지 않을 수 있다. 또한, 복수개의 베플부(150) 중 최하단에 배치된 베플부(150)를 제외한 나머지는 홀이 형성될 수 있다. 이하에서는 설명의 편의를 위하여 베플부(150)는 2개인 경우를 중심으로 상세히 설명하기로 한다.
상기와 같은 베플부(150)는 제1 베플부(151)와 제2 베플부(152)를 포함할 수 있다. 이때, 제1 베플부(151)는 서포터(120)의 테두리를 완전히 감싸도록 배치될 수 있다. 즉, 제1 베플부(151)는 클로즈드루프(Closed-loop)를 형성할 수 있다. 이러한 제1 베플부(151)에는 제1 관통홀(151-1)이 형성될 수 있다. 이때, 제1 관통홀(151-1)은 제1 베플부(151)의 상면으로부터 하면으로 형성될 수 있다. 이러한 제1 관통홀(151-1)은 상기에 한정되는 것은 아니며, 제1 관통홀(151-1)의 적어도 일부분이 제1 베플부(151)의 하면 또는 상면에 대해서 절곡되는 형태를 모두 포함할 수 있다. 즉, 제1 관통홀(151-1)의 내벽은 제1 관통홀(151-1)이 일직선으로 형성되어 제1 베플부(151)의 하면 또는 상면에 대해서 수직을 형성하는 형태를 제외한 모든 형태를 포함할 수 있다. 예를 들면, 제1 관통홀(151-1)의 적어도 일부분의 내면은 제1 베플부(151)의 상면 또는 하면에 대해서 경사지게 형성될 수 있다.
일 실시예로서 제1 관통홀(151-1)은 도 4의 (a) 또는 도 4의 (b)에 도시된 바와 같이 제1 관통홀(151-1)의 내면 사이의 거리는 제1 베플부(151)의 하면으로부터 상면으로 갈수록 멀어지거나 좁아질 수 있다. 이러한 경우 제1 베플부(151)의 상면에 배치되는 제1 관통홀(151-1)의 면적과 제1 베플부(151)의 하면에 배치되는 제1 관통홀(151-1)의 면적은 서로 상이할 수 있다.
다른 실시예로서 제1 관통홀(151-1)의 내면은 도 4의 (e)에 도시된 바와 같이 제1 베플부(151)의 하면에 대해서 경사지게 형성되며, 제1 관통홀(151-1)의 내면 사이의 거리는 제1 베플부(151)의 하면으로부터 상면까지 일정할 수 있다. 이러한 경우 제1 베플부(151)의 상면에 배치되는 제1 관통홀(151-1) 부분과 제1 베플부(151)의 하면에 배치되는 제1 관통홀(151-1) 부분은 일부가 서로 중첩되거나 서로 중첩되지 않을 수 있다.
또 다른 실시예로서 제1 관통홀(151-1)의 내면의 적어도 일부분은 제1 관통홀(151-1)의 내부로 돌출되도록 형성될 수 있다. 예를 들면, 제1 관통홀(151-1)의 내면은 도 4의 (c) 또는 (d)와 같이 일부가 내부로 돌출될 수 있다. 이러한 경우 제1 관통홀(151-1)의 내면 사이의 거리는 제1 베플부(151)의 상면에서 하면으로 갈수록 작아지다가 일정 지점을 지나면 다시 커질 수 있다.
또 다른 실시예로서 제1 관통홀(151-1)은 적어도 한번 이상 절곡되도록 형성되는 것도 가능하다. 예를 들면, 제1 관통홀(151-1)은 도 4의 (f)와 같이 절곡될 수 있다.
제1 관통홀(151-1)의 형태는 다양하게 형성될 수 있다. 예를 들면, 제1 베플부(151)의 상면과 하면에 수직한 선분에 대해서 수직한 제1 관통홀(151-1)의 단면 형태는 직사각형, 정사각형, 원, 삼각형 등 다양한 형태일 수 있다. 다만, 이하에서는 설명의 편의를 위하여 제1 관통홀(151-1)의 단면의 형태는 직사각형인 경우를 중심으로 상세히 설명하기로 한다.
제2 베플부(152)는 플레이트 형태로 형성되어 제1 관통홀(151-1)을 통과한 가스를 직진시키지 않고 우회시킬 수 있다. 예를 들면, 제2 베플부(152)는 제1 관통홀(151-1)을 통하여 제2 하우징(112)의 상면으로부터 하면으로 이동하는 가스를 제2 하우징(112)의 측면 방향으로 우회시킬 수 있다. 이때, 제2 베플부(152)에는 별도의 관통홀이 형성되지 않을 수 있다. 이러한 제2 베플부(152)는 후술할 안내배관(161)이 제2 하우징(112)과 연결되는 제2 하우징(112) 부분에 대응되도록 형성될 수 있다. 즉, 제2 베플부(152)는 안내배관(161)이 제2 하우징(112)과 연결되는 제2 하우징(112) 부분의 상측에 배치될 수 있다. 이때, 제2 베플부(152)는 제1 베플부(151)의 일부분과 중첩될 수 있다. 예를 들면, 제2 베플부(152)의 크기는 제1 베플부(151)의 크기보다 작게 형성될 수 있다.
가스배출부(160)는 챔버(110)에 연결되어 챔버(110) 내부의 압력을 조절할 수 있다. 이때, 가스배출부(160)는 제2 하우징(112)에 연결되어 가스를 안내하는 안내배관(161), 안내배관(161)에 배치되는 유량제어부(162) 및 안내배관(161)에 배치되는 펌프(163)를 포함할 수 있다. 이때, 유량제어부(162)는 솔레노이드 밸브 등과 같이 유량을 외부의 신호에 따라 자동으로 조절할 수 있다. 이러한 경우 유량제어부(162)는 안내배관(161)를 개폐하거나 폐쇄할 수 있으며, 안내배관(161)의 개도를 조절하는 것도 가능하다. 펌프(163)는 터보 분자 펌프(Turbo molecular pump)를 포함할 수 있다.
베플지지부(171)는 베플부(150)와 결합하며, 베플부(150)를 지지할 수 있다. 이때, 베플지지부(171)는 챔버(110)에 연결될 수 있다. 또한, 베플지지부(171)는 제1 베플부(151)와 제2 베플부(152)가 모두 연결될 수 있다. 이러한 베플지지부(171)는 복수 개 구비될 수 있다. 복수개의 베플지지부(171)는 제1 베플부(151)의 측면 또는 제1 베플부(151)의 테두리를 따라 서로 이격되도록 배치될 수 있다. 특히 베플지지부(171)는 챔버(110)의 측면과 인접하도록 배치되어 제1 베플부(151)를 지지할 수 있다. 상기와 같은 베플지지부(171)는 바(bar) 형태로 형성될 수 있다.
챔버구동부(180)는 제1 하우징(111) 및 제2 하우징(112) 중 적어도 하나와 연결될 수 있다. 이때, 일 실시예로서 챔버구동부(180)는 제1 하우징(111) 및 제2 하우징(112) 중 적어도 하나와 연결되는 실린더를 포함할 수 있다. 다른 실시예로서 챔버구동부(180)는 제1 하우징(111) 및 제2 하우징(112) 중 적어도 하나와 연결되는 리니어 모터를 포함할 수 있다. 또 다른 실시예로서 챔버구동부(180)는 제1 하우징(111) 및 제2 하우징(112) 중 적어도 하나와 연결되는 랙기어와, 랙기어와 연결되며 랙기어를 선형 운동시키는 기어 및 기어와 연결되어 기어를 회전시키는 모터를 포함할 수 있다. 이러한 챔버구동부(180)는 상기에 한정되는 것은 아니며 제1 하우징(111) 및 제2 하우징(112) 중 적어도 하나와 연결되어 연결된 제1 하우징(111) 및 제2 하우징(112) 중 적어도 하나를 선형 운동시킬 수 있는 모든 장치 및 모든 구조를 포함할 수 있다. 다만, 이하에서는 설명의 편의를 위하여 챔버구동부(180)는 제1 하우징(111)에 연결되는 실린더를 포함하는 경우를 중심으로 상세히 설명하기로 한다.
한편, 상기와 같은 표시 장치의 제조장치(100)는 작동 시 가스공급부(140)에서 공급되는 가스를 사용하여 플라즈마를 형성하고 기판(21) 상의 패턴층(미도시) 중 일부를 식각할 수 있다.
이러한 경우 상기 패턴층의 식각으로 인하여 외부에서 공급되는 가스와 상이한 공정부산물(예를 들면, 별도의 다른 가스)가 발생할 수 있으며 이러한 공정 부산물은 일부 가스와 함께 챔버(110) 내부에 수납된 상태일 수 있다. 이러한 경우 가스로 인하여 식각된 상기 패턴층 표면 등에 공정 부산물이 흡착되거나 상기 패턴층 표면과 공정 부산물 또는 가스가 반응하는 것을 방지하도록 가스배출부(160)는 챔버(110) 내부의 가스 및 공정 부산물을 외부로 배출시키거나 챔버(110) 외부의 정화장치 등으로 이동시킬 수 있다. 이때, 상기와 같은 공정 부산물과 가스 등은 제1 베플부(151)를 통과하여 제2 베플부(152)의 상면에 충돌한 후 제1 베플부(151)와 제2 베플부(152) 사이의 공간을 따라 이동할 수 있다. 또한, 공정 부산물과 가스 등은 베플지지부(171) 사이를 통과하여 안내배관(161) 측으로 이동할 수 있다.
상기와 같은 과정이 진행되는 동안 공정 부산물, 가스 등은 펌프(163)의 블레이드, 챔버 바닥, 안내배관(161)의 내면 등에 충돌한 후 챔버(110) 내부로 역류할 수 있다. 이러한 경우 상기 패턴층의 표면에 공정 부산물, 가스 등이 흡착됨으로써 제품 불량을 유발할 수 있다.
이러한 경우 제1 베플부(151)와 제2 베플부(152)는 상기와 같은 공정 부산물, 가스 등이 역류하는 것을 방지할 수 있다. 구체적으로 안내배관(161) 및 펌프(163)의 블레이드에서 반사되어 챔버(110) 내부로 진입하는 공정 부산물, 가스 등은 제2 베플부(152)에 충돌하여 더 이상 진행하지 않고, 제2 베플부(152)의 하면에 부착되거나 안내배관(161)으로 다시 되돌아 갈 수 있다. 뿐만 아니라 제2 베플부(152)에 충돌하여 제1 베플부(151) 측으로 이동하는 공정 부산물, 가스 등의 운동에너지는 제2 베플부(152)와의 충돌로 인하여 저감됨으로써 제1 베플부(151)를 통과하는 양이 현저히 줄어들 수 있다. 뿐만 아니라 이러한 제2 베플부(152)를 통과한 공정 부산물, 가스 등은 제1 관통홀(151-1)의 형상으로 인하여 챔버(110) 내부로 진입하지 못할 수 있다. 즉, 제1 관통홀(151-1)의 적어도 일부분이 상기에서 설명한 것과 같이 제1 베플부(151)의 상면 또는 하면에 대해서 경사지거나 절곡됨으로써 공정 부산물, 가스 등이 제1 관통홀(151-1)의 경사지거나 적곡된 내면에 충돌하여 제2 베플부(152) 측으로 반사될 수 있다. 특히 제1 관통홀(151-1)이 제1 베플부(151)의 상면에서 하면에 대해서 수직하면서 일직선으로 형성되는 경우 공정 부산물, 가스 등은 제1 관통홀(151-1)의 내면에 충돌하여 경로가 가변하여 제1 베플부(151)의 상면으로 이동할 수 있으나 상기와 같이 제1 관통홀(151-1)이 형성되는 경우 이러한 현상을 저감시킬 수 있다.
따라서 표시 장치의 제조장치(100)는 건식 식각(Dry etching) 시 발생하는 공정 부산물이나 공정 시 사용되는 가스가 안내배관(161)에 역류함으로써 제품을 오염시키는 것을 방지할 수 있다.
표시 장치의 제조장치(100)는 건식 식각 후 발생하는 공정 부산물이 제품에 흡착되는 것을 방지함으로써 고품질의 제품을 제조하는 것이 가능하다.
도 5는 도 1에 도시된 표시 장치의 제조장치를 통하여 표시 장치를 제조하는 순서를 보여주는 단면도이다. 도 6은 도 1에 도시된 표시 장치의 제조장치를 통하여 표시 장치를 제조하는 순서를 보여주는 단면도이다. 도 7은 도 1에 도시된 표시 장치의 제조장치를 통하여 표시 장치를 제조하는 순서를 보여주는 단면도이다.
도 5 내지 도 7을 참고하면, 기판(21) 상에 다양한 층을 형성한 후 상기 패턴층을 형성하고 도 1 내지 도 4에 도시된 표시 장치의 제조장치(100)를 통하여 상기 패턴층을 건식 식각할 수 있다. 이러한 경우 상기 패턴층은 표시 장치(미도시)의 다양한 층을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 패턴층은 박막 트랜지스터(미도시)를 구성하는 층을 포함할 수 있다. 다른 실시예로서 상기 패턴층은 전극을 형성하는 층을 포함할 수 있다. 이때, 상기 패턴층은 상기에 한정되는 것은 아니며, 상기 표시 장치의 제조 시 패턴을 갖고 형성되며, 건식 식각을 통하여 제조될 수 있는 모든 층을 포함할 수 있다. 이하에서는 설명의 편의를 위하여 상기 패턴층이 게이트 절연층(24) 및 층간 절연층(26)을 포함하는 경우를 중심으로 상세히 설명하기로 한다.
구체적으로 기판(21) 상에 버퍼층(22)을 형성하고, 버퍼층(22) 상에 활성층(23)을 형성할 수 있다. 이후 활성층(23)을 소스 영역(23-1), 드레인 영역(23-3), 채널 영역(23-2)으로 구분한 후 활성층(23) 상에 게이트 절연층(24) 및 층간 절연층(26)을 형성할 수 있다.
상기와 같은 과정이 완료된 후 층간 절연층(26) 상의 이물질을 제거하고 포토레지스트(1)를 배치할 수 있다. 이때, 포토레지스트(1)는 포지티브(Positive) 방식 또는 네거티브(Negative) 방식 중 하나일 수 있다. 즉, 포토레지스트(1)가 포지티브 방식인 경우 에너지(또는 빛, 레이저 등)를 받는 부분이 제거되고, 포토레지스트(1)가 네거티브 방식인 경우 에너지를 받는 부분이 남을 수 있다. 이하에서는 설명의 편의를 위하여 포토레지스트(1)가 포지티브 방식인 경우를 중심으로 상세히 설명하기로 한다.
포토레지스트(1)를 층간 절연층(26) 상에 배치한 후 마스크(2)를 배치한 후 에너지를 가할 수 있다. 이때, 마스크(2)에는 포토레지스트(1)를 제거하고 싶은 부위에 대응되도록 개구부가 형성될 수 있다. 이러한 경우 포토레지스트(1)가 포지티브 방식인 경우는 마스크(2)에는 포토레지스트(1)를 제거하고 싶은 부위는 에너지가 통과하지 못하도록 막혀있을 수 있다.
상기와 같이 에너지가 포토레지스트(1)의 일부에 조사된 후 마스크(2)를 제거하고 현상액을 통하여 포토레지스트(1)의 일부를 제거하여 패턴을 형성할 수 있다. 이후 현상액을 건조시킬 수 있다.
상기와 같이 패턴이 형성된 포토레지스트(1)를 형성한 후 기판(21)을 챔버(미도시) 내부로 장입하여 서포터(120) 상에 배치할 수 있다. 이후 전극부(130)에 전압을 인가하면서 가스공급부(140)를 통하여 가스를 챔버(110) 내부로 공급하면 챔버(110) 내부에서 플라즈마가 형성될 수 있다. 이러한 플라즈마는 포토레지스트(1)의 패턴을 통하여 층간 절연층(26) 및 게이트 절연층(24)을 식각할 수 있다. 따라서 층간 절연층(26) 및 게이트 절연층(24) 상에는 콘택홀(H1)이 형성될 수 있다.
상기와 같은 작업이 진행되는 동안 제1 베플부(151)와 제2 베플부(152)는 안내배관(161) 및 펌프(163)에서 공정 부산물 및 가스 중 적어도 하나가 역류하는 것을 방지할 수 있다.
상기와 같이 콘택홀(H1)이 형성된 후 기판(21)을 외부로 인출하여 포토레지스트(1)를 제거할 수 있다.
따라서 표시 장치의 제조방법은 공정 부산물 및 가스 중 적어도 하나가 챔버(110) 내부로 역류하는 것을 방지함으로써 제품의 제조 시 발생할 수 있는 불량을 최소화할 수 있다.
또한, 표시 장치의 제조방법은 공정 부산물 및 가스를 효과적이면서 신속하게 챔버(110) 내부로부터 제거하는 것이 가능하다.
표시 장치의 제조방법은 내부의 공정 부산물의 농도가 증가하는 것을 방지함으로써 건식 식각의 속도를 일정하게 유지시킬 수 있다.
도 8은 도 1에 도시된 표시 장치의 제조장치를 통하여 제조된 표시 장치를 보여주는 평면도이다. 도 9는 도 8의 B-B선을 따라 취한 단면도이다.
도 8 및 도 9를 참고하면, 표시 장치(20)는 기판(21) 상에서 표시 영역(DA)과 표시 영역(DA)의 외곽에 비표시 영역(NDA)이 정의할 수 있다. 표시 영역(DA)에는 발광부가 배치되고, 비표시 영역에는 전원 배선(미도시) 등이 배치될 수 있다. 또한, 비표시 영역에는 패드부(C)가 배치될 수 있다.
표시 장치(20)는 기판(21), 박막 트렌지스터(TFT), 패시베이션막(27) 및 화소 전극(28-1)을 포함할 수 있다.
기판(21)은 플라스틱재를 사용할 수 있으며, SUS, Ti과 같은 금속재를 사용할 수도 있다. 또한, 기판(21)는 폴리이미드(PI, Polyimide)를 사용할 수 있다. 이하에서는 설명의 편의를 위하여 기판(21)이 폴리이미드로 형성되는 경우를 중심으로 상세히 설명하기로 한다.
기판(21) 상에 박막 트랜지스터(TFT)가 형성되고, 박막 트랜지스터(TFT)를 덮도록 패시베이션막(27)이 형성되며, 이 패시베이션막(27) 상에 유기 발광 소자(28)가 형성될 수 있다.
기판(21)의 상면에는 유기화합물 및/또는 무기화합물로 이루어진 버퍼층(22)이 더 형성되는 데, SiOx(x≥1), SiNx(x≥1)로 형성될 수 있다.
이 버퍼층(22) 상에 소정의 패턴으로 배열된 활성층(23)이 형성된 후, 활성층(23)이 게이트 절연층(24)에 의해 매립된다. 활성층(23)은 소스 영역(23-1)과 드레인 영역(23-3)을 갖고, 그 사이에 채널 영역(23-2)을 더 포함한다.
이러한 활성층(23)은 다양한 물질을 함유하도록 형성될 수 있다. 예를 들면, 활성층(23)은 비정질 실리콘 또는 결정질 실리콘과 같은 무기 반도체 물질을 함유할 수 있다. 다른 예로서 활성층(23)은 산화물 반도체를 함유할 수 있다. 또 다른 예로서, 활성층(23)은 유기 반도체 물질을 함유할 수 있다. 다만, 이하에서는 설명의 편의를 위하여 활성층(23)이 비정질 실리콘으로 형성되는 경우를 중심으로 상세히 설명하기로 한다.
이러한 활성층(23)은 버퍼층(22) 상에 비정질 실리콘막을 형성한 후, 이를 결정화하여 다결정질 실리콘막으로 형성하고, 이 다결정질 실리콘막을 패터닝하여 형성할 수 있다. 상기 활성층(23)은 구동 TFT(미도시), 스위칭 TFT(미도시) 등 TFT 종류에 따라, 그 소스 영역(23-1) 및 드레인 영역(23-3)이 불순물에 의해 도핑 된다.
게이트 절연층(24)의 상면에는 활성층(23)과 대응되는 게이트 전극(25)과 이를 매립하는 층간 절연층(26)이 형성된다.
그리고, 층간 절연층(26)과 게이트 절연층(24)에 콘택홀(H1)을 형성한 후, 층간 절연층(26) 상에 소스 전극(27-1) 및 드레인 전극(27-2)을 각각 소스 영역(23-1) 및 드레인 영역(23-3)에 콘택되도록 형성한다.
이렇게 형성된 상기 박막 트랜지스터의 상부로는 패시베이션막(27)이 형성되고, 이 패시베이션막(27) 상부에 유기 발광 소자(28, OLED)의 화소 전극(28-1)이 형성된다. 이 화소 전극(28-1)은 패시베이션막(27)에 형성된 비아 홀(H2)에 의해 TFT의 드레인 전극(27-2)에 콘택된다. 상기 패시베이션막(27)은 무기물 및/또는 유기물, 단층 또는 2개 층 이상으로 형성될 수 있는 데, 하부 막의 굴곡에 관계없이 상면이 평탄하게 되도록 평탄화막으로 형성될 수도 있는 반면, 하부에 위치한 막의 굴곡을 따라 굴곡이 가도록 형성될 수 있다. 그리고, 이 패시베이션막(27)은, 공진 효과를 달성할 수 있도록 투명 절연체로 형성되는 것이 바람직하다.
패시베이션막(27) 상에 화소 전극(28-1)을 형성한 후에는 이 화소 전극(28-1) 및 패시베이션막(27)을 덮도록 화소정의막(29)이 유기물 및/또는 무기물에 의해 형성되고, 화소 전극(28-1)이 노출되도록 개구된다.
그리고, 적어도 상기 화소 전극(28-1) 상에 중간층(28-2) 및 대향 전극(28-3)이 형성된다. 다른 실시예로서 대향 전극(28-3)은 디스플레이 기판(D)의 전면에 형성되는 것도 가능하다. 이러한 경우 대향 전극(28-3)은 중간층(28-2), 화소정의막(29) 상에 형성될 수 있다. 이하에서는 설명의 편의를 위하여 대향 전극(28-3)이 중간층(28-2), 화소정의막(29) 상에 형성되는 경우를 중심으로 상세히 설명하기로 한다.
화소 전극(28-1)은 애노드 전극의 기능을 하고, 대향 전극(28-3)은 캐소오드 전극의 기능을 하는 데, 물론, 이들 화소 전극(28-1)과 대향 전극(28-3)의 극성은 반대로 되어도 무방하다.
화소 전극(28-1)과 대향 전극(28-3)은 상기 중간층(28-2)에 의해 서로 절연되어 있으며, 중간층(28-2)에 서로 다른 극성의 전압을 가해 유기 발광층에서 발광이 이뤄지도록 한다.
중간층(28-2)은 유기 발광층을 구비할 수 있다. 선택적인 다른 예로서, 중간층(28-2)은 유기 발광층(organic emission layer)을 구비하고, 그 외에 정공 주입층(HIL:hole injection layer), 정공 수송층(hole transport layer), 전자 수송층(electron transport layer) 및 전자 주입층(electron injection layer) 중 적어도 하나를 더 구비할 수 있다. 본 실시예는 이에 한정되지 아니하고, 중간층(28-2)이 유기 발광층을 구비하고, 기타 다양한 기능층(미도시)을 더 구비할 수 있다.
상기와 같은 중간층(28-2)은 복수 개 구비될 수 있으며, 복수개의 중간층(28-2)은 표시 영역(DA)을 형성할 수 있다. 특히 복수개의 중간층(28-2)은 직사각형 정사각형을 제외한 형상의 표시 영역(DA)을 형성할 수 있다. 이때, 복수개의 중간층(28-2)은 표시 영역(DA) 내부에 서로 이격되도록 배치될 수 있다.
한편, 하나의 단위 화소는 복수의 부화소로 이루어지는데, 복수의 부화소는 다양한 색의 빛을 방출할 수 있다. 예를 들면 복수의 부화소는 각각 적색, 녹색 및 청색의 빛을 방출하는 부화소를 구비할 수 있고, 적색, 녹색, 청색 및 백색의 빛을 방출하는 부화소(미표기)를 구비할 수 있다.
한편, 상기와 같은 박막 봉지층(E)은 복수의 무기층들을 포함하거나, 무기층 및 유기층을 포함할 수 있다.
박막 봉지층(E)의 상기 유기층은 고분자로 형성되며, 바람직하게는 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리이미드, 폴라카보네이트, 에폭시, 폴리에틸렌 및 폴리아크릴레이트 중 어느 하나로 형성되는 단일막 또는 적층막일 수 있다. 더욱 바람직하게는, 상기 유기층은 폴리아크릴레이트로 형성될 수 있으며, 구체적으로는 디아크릴레이트계 모노머와 트리아크릴레이트계 모노머를 포함하는 모노머 조성물이 고분자화된 것을 포함할 수 있다. 상기 모노머 조성물에 모노아크릴레이트계 모노머가 더 포함될 수 있다. 또한, 상기 모노머 조성물에 TPO와 같은 공지의 광개시제가 더욱 포함될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
박막 봉지층(E)의 상기 무기층은 금속 산화물 또는 금속 질화물을 포함하는 단일막 또는 적층막일 수 있다. 구체적으로, 상기 무기층은 SiNx, Al2O3, SiO2, TiO2 중 어느 하나를 포함할 수 있다.
박막 봉지층(E) 중 외부로 노출된 최상층은 유기 발광 소자에 대한 투습을 방지하기 위하여 무기층으로 형성될 수 있다.
박막 봉지층(E)은 적어도 2개의 무기층 사이에 적어도 하나의 유기층이 삽입된 샌드위치 구조를 적어도 하나 포함할 수 있다. 다른 예로서, 박막 봉지층(E)은 적어도 2개의 유기층 사이에 적어도 하나의 무기층이 삽입된 샌드위치 구조를 적어도 하나 포함할 수 있다. 또 다른 예로서, 박막 봉지층(E)은 적어도 2개의 무기층 사이에 적어도 하나의 유기층이 삽입된 샌드위치 구조 및 적어도 2개의 유기층 사이에 적어도 하나의 무기층이 삽입된 샌드위치 구조를 포함할 수도 있다.
박막 봉지층(E)은 유기 발광 소자(OLED)의 상부로부터 순차적으로 제1 무기층, 제1 유기층, 제2 무기층을 포함할 수 있다.
다른 예로서, 박막 봉지층(E)은 유기 발광 소자(OLED)의 상부로부터 순차적으로 제1 무기층, 제1 유기층, 제2 무기층, 제2 유기층, 제3 무기층을 포함할 수 있다.
또 다른 예로서, 박막 봉지층(E)은 상기 유기 발광 소자(OLED)의 상부로부터 순차적으로 제1 무기층, 제1 유기층, 제2 무기층, 상기 제2 유기층, 제3 무기층, 제3 유기층, 제4 무기층을 포함할 수 있다.
유기 발광 소자(OLED)와 제1 무기층 사이에 LiF를 포함하는 할로겐화 금속층이 추가로 포함될 수 있다. 상기 할로겐화 금속층은 제1 무기층을 스퍼터링 방식으로 형성할 때 상기 유기 발광 소자(OLED)가 손상되는 것을 방지할 수 있다.
제1 유기층은 제2 무기층 보다 면적이 좁게 할 수 있으며, 상기 제2 유기층도 제3 무기층 보다 면적이 좁을 수 있다.
따라서 표시 장치(20)는 이물질이 포함되지 않음으로써 정밀한 이미지를 구현할 수 있다.
도 10은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 제조장치의 제1 베플부 및 베플지지부를 보여주는 사시도이다. 도 11은 도 10의 D-D선을 따라 취한 단면도이다.
도 10 및 도 11을 참고하면, 표시 장치의 제조장치(미도시)는 챔버(미도시), 서포터(미도시), 전극부(미도시), 가스공급부(미도시), 베플부(250), 가스배출부(미도시), 베플지지부(271) 및 챔버구동부(미도시)를 포함할 수 있다. 이때, 상기 챔버, 상기 서포터, 상기 전극부, 상기 가스공급부, 상기 가스배출부 및 상기 챔버구동부는 상기 도 1 내지 도 4에서 설명한 것과 동일 또는 유사하므로 상세한 설명은 생략하기로 한다.
베플부(250)는 제1 베플부(251)와 제2 베플부(252)를 포함할 수 있다. 이때, 제1 베플부(251)와 제2 베플부(252)는 상기에서 설명한 것과 동일 또는 유사하므로 상세한 설명은 생략하기로 한다.
베플지지부(271)는 제1 베플부(251) 및 제2 베플부(252)와 연결되어 제1 베플부(251)와 제2 베플부(252)를 지지할 수 있다. 베플지지부(271)는 제1 베플부(251)의 측면에 배치될 수 있다. 이때, 베플지지부(271)는 제1 베플부(251)의 둘레를 완전히 감싸도록 배치될 수 있다. 다른 실시예로써 베플지지부(271)는 제1 베플부(251)의 측면 중 일부에만 배치되는 것도 가능하다. 이러한 베플지지부(271)는 플레이트로 형성되며, 공정 부산물 및 가스가 통과하도록 적어도 하나 이상의 제2 관통홀(271-1)이 형성될 수 있다. 제2 관통홀(271-1)은 복수 개 구비될 수 있으며, 복수개의 제2 관통홀(271-1)은 서로 이격되도록 배치될 수 있다.
상기 표시 장치의 제조장치는 외부로 배출되는 공정 부산물 및 가스 등이 역류하는 것을 방지할 수 있다. 예를 들면, 상기 가스배출부를 통하여 배출되는 공정 부산물 및 가스 등이 역류하는 경우 제2 베플부(252)에 의하여 한번 차단될 수 있으며, 베플지지부(271)에 의하여 차단될 수 있다. 이러한 경우 제2 관통홀(271-1)도 제1 관통홀(251-1)과 유사하게 적어도 일부분이 절곡되거나 경사지게 형성될 수 있다.
따라서 상기 표시 장치의 제조장치는 건식 시각 공정 시 발생하는 공정 부산물과 공정 시 사용되는 가스 중 일부를 외부로 배출함으로써 제품에 이물질이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
또한, 상기 표시 장치의 제조장치는 고품질의 표시 장치(미도시)를 제조하는 것이 가능하다.
도 12는 본 발명의 다른 실시예에 다른 표시장치의 제조장치의 제1 베플부, 제2 베플부 및 차단판을 보여주는 단면도이다. 도 13은 도 12에 도시된 차단판의 다양한 실시예를 보여주는 단면도이다.
도 12 및 도 13을 참고하면, 표시 장치의 제조장치(미도시)는 챔버(미도시), 서포터(미도시), 전극부(미도시), 가스공급부(미도시), 베플부(350), 가스배출부(미도시), 베플지지부(371) 및 챔버구동부(미도시)를 포함할 수 있다. 이때, 상기 챔버, 상기 서포터, 상기 전극부, 상기 가스공급부, 상기 가스배출부 및 상기 챔버구동부는 상기 도 1 내지 도 4에서 설명한 것과 동일 또는 유사하므로 상세한 설명은 생략하기로 한다.
베플부(350)는 서로 이격되도록 배열되는 제1 베플부(351)와 제2 베플부(352)를 포함할 수 있다. 이때, 제1 베플부(351)와 제2 베플부(352)는 상기 도 1 내지 도 4에서 설명한 것과 동일 또는 유사하므로 상세한 설명은 생략하기로 한다.
베플지지부(371)는 제1 베플부(351) 및 제2 베플부(352)와 연결되어 제1 베플부(351)와 제2 베플부(352)를 지지할 수 있다. 이때, 베플지지부(371)는 도 1 내지 도 4에 도시된 형태 또는 도 10 및 도 11에 도시된 형태 중 하나일 수 있다. 이하에서는 설명의 편의를 위하여 베플지지부(371)는 도 1 내지 도 4에 도시된 형태와 같이 바 형태로 형성되는 경우를 중심으로 상세히 설명하기로 한다.
상기 표시 장치의 제조장치는 제1 베플부(351) 및 제2 베플부(352) 중 적어도 하나의 하면에 배치되는 차단판(372)을 포함할 수 있다. 이때, 차단판(372)은 복수 개 구비될 수 있으며, 복수개의 차단판(372)은 서로 이격되도록 배치될 수 있다. 이하에서는 설명의 편의를 위하여 차단판(372)이 제1 베플부(351)에만 배치되는 경우를 중심으로 상세히 설명하기로 한다.
차단판(372)은 제1 베플부(351)의 하면으로부터 안내배관(361) 측으로 돌출될 수 있다. 차단판(372)은 제1 베플부(351)의 하면 중 안내배관(361)에 대응되는 영역에 배치될 수 있다. 차단판(372)은 제1 베플부(351)의 하면에 형성된 제1 관통홀(351-1)의 둘레에 배치될 수 있다. 이때, 차단판(372)은 제1 관통홀(351-1)의 둘레 중 일부에 형성될 수 있다. 다른 실시에로서 차단판(372)은 제1 관통홀(351-1)의 둘레를 완전히 감싸도록 배치되는 것도 가능하다. 이하에서는 설명의 편의를 위하여 차단판(372)이 복수 개 구비되어 제1 관통홀(351-1)의 둘레에 서로 이격되도록 배치되는 경우를 중심으로 상세히 설명하기로 한다.
상기와 같은 차단판(372)은 도 4에 도시된 제1 관통홀(351-1)의 형상과 유사하게 형성될 수 있다. 예를 들면, 도 12 및 도 13의 (a)에 도시된 바와 같이 차단판(372)의 일면은 제1 베플부(351)의 하면에 대해서 경사지게 형성될 수 있다. 다른 실시예로써 도 13의 (b) 및 (c)에 도시된 바와 같이 차단판(372)의 적어도 일부분은 차단판(372) 사이의 공간으로 돌출되도록 형성될 수 있다. 또 다른 실시예로써 도 13의 (d)에 도시된 바와 같이 차단판(372)은 일 방향으로 경사지게 배열되는 것도 가능하다. 또 다른 실시예로써 도 13의 (e)에 도시된 바와 같이 차단판(372)의 일부분은 차단판(372) 사이의 공간으로 돌출되고, 차단판(372)이 다른 부분은 차단판(372) 사이의 공간에서 외측으로 인입되는 것도 가능하다. 이때, 차단판(372)의 형태는 상기에 한정되는 것은 아니며, 차단판(372)의 적어도 일부분이 제1 베플부(351)의 하면에 대해서 수직하게 배열되지 않는 형태인 모든 구조를 포함할 수 있다.
이러한 차단판(372)은 안내배관(361)에서 역류하는 공정 부산물 및 가스 등과 충돌하여 공정 부산물 및 가스 등을 안내배관(361)으로 다시 안내할 수 있다.
한편, 상기의 경우 이외에도 제1 관통홀(351-1)의 형태는 도 12에 도시된 바와 같이 제1 베플부(351)의 상면에서 하면 방향으로 일자 형태로 형성되는 것도 가능하지만 도 4에 도시된 바와 같이 형성되는 것도 가능하다.
또한, 베플지지부(371)가 도 10 및 도 11에 도시된 바와 같이 형성되고, 제2 관통홀(271-1)도 제1 관통홀(351-1)과 같이 도 4에 도시된 바와 같이 형성되는 것도 가능하다.
따라서 상기 표시 장치의 제조장치는 제1 베플부(351), 제2 베플부(352), 베플지지부(371) 및 차단판(372)을 통하여 상기 안내배관에서 공정 부산물 및 가스 등이 상기 챔버 내부로 역류하는 것을 방지할 수 있다.
또한, 상기 표시 장치의 제조장치는 건식 식각 시 발생되는 공정 부산물 및 가스 등을 효과적으로 제거함으로써 고품질의 표시 장치(미도시)를 제조하는 것이 가능하다.
이와 같이 본 발명은 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 하여 설명하였으나 이는 예시적인 것에 불과하며 당해 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 실시예의 변형이 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.
1: 포토레지스트 130: 전극부
2: 마스크 131: 유전체
20: 표시 장치 132: 안테나
21: 기판 140: 가스공급부
22: 버퍼층 141: 가스저장부
23: 활성층 142: 노즐부
24: 게이트 절연층 150,250,350: 베플부
25: 게이트 전극 151,251,351: 제1 베플부
26: 층간 절연층 152,252,352: 제2 베플부
27: 패시베이션막 160: 가스배출부
28: 유기 발광 소자 161: 안내배관
29: 화소정의막 162: 유량제어부
100: 표시 장치의 제조장치 163: 펌프
110: 챔버 171,271,371: 베플지지부
111: 제1 하우징 180: 챔버구동부
112: 제2 하우징 191: 전원
113: 실링부 372: 차단판
120: 서포터

Claims (20)

  1. 챔버;
    상기 챔버 내부에 배치되며, 기판이 안착하는 서포터;
    상기 서포터와 대향하도록 상기 챔버 내부에 배치되는 전극부;
    상기 챔버에 배치되며, 상기 챔버 내부로 공정가스를 공급하는 가스공급부;
    상기 서포터의 테두리에 배치되며, 적어도 하나 이상의 제1 관통홀이 형성된 제1 베플부;
    상기 제1 베플부와 상기 챔버 사이에 배치되며, 가스를 차단시키는 제2 베플부;
    상기 제1 베플부 및 상기 제2 베플부 중 적어도 하나의 일면에 돌출되도록 배치되는 차단판;을 포함하고,
    상기 제2 베플부는 플레이트 형태이며, 가스를 상기 챔버의 내벽측으로 안내하고, 하부에 배치된 상기 가스가 상기 제1 베플부로 이동하는 것을 차단하는 표시 장치의 제조장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1 관통홀 중 적어도 하나의 내면은 상기 제1 베플부의 상면 또는 하면 중 하나에 대해서 경사지게 형성되는 표시 장치의 제조장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1 관통홀 중 적어도 하나의 내면 중 적어도 일부분은 상기 제1 관통홀의 내측으로 돌출된 표시 장치의 제조장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 챔버와 연결되며, 상기 챔버 내부의 가스를 외부로 안내하여 배출하는 가스배출부;를 더 포함하는 표시 장치의 제조장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 가스배출부는,
    상기 챔버와 연결되며 상기 가스를 외부로 안내하는 안내배관; 및
    상기 안내배관에 배치되어 상기 가스를 외부로 배출시키는 펌프;를 포함하는 표시 장치의 제조장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 제2 베플부는 상기 안내배관과 상기 챔버가 연결되는 상기 챔버 부위에 대응되도록 배치된 표시 장치의 제조장치.
  7. 삭제
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 차단판은 상기 제1 베플부 및 상기 제2 베플부 중 적어도 하나의 일면에 대해서 경사지게 배치된 표시 장치의 제조장치.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 챔버에 연결되며, 상기 제1 베플부 및 상기 제2 베플부 중 적어도 하나와 연결되는 베플지지부;를 더 포함하는 표시 장치의 제조장치.
  10. 챔버;
    상기 챔버 내부에 배치되며, 기판이 안착하는 서포터;
    상기 서포터와 대향하도록 상기 챔버 내부에 배치되는 전극부;
    상기 챔버에 배치되며, 상기 챔버 내부로 공정가스를 공급하는 가스공급부;
    상기 서포터의 테두리에 배치되며, 적어도 하나 이상의 제1 관통홀이 형성된 제1 베플부;
    상기 제1 베플부와 상기 챔버 사이에 배치되며, 가스를 차단시키는 제2 베플부; 및
    상기 챔버에 연결되며, 상기 제1 베플부 및 상기 제2 베플부 중 적어도 하나와 연결되는 베플지지부;를 포함하고,
    상기 제2 베플부는 플레이트 형태이며, 가스를 상기 챔버의 내벽측으로 안내하고, 하부에 배치된 상기 가스가 상기 제1 베플부로 이동하는 것을 차단하며,
    상기 베플지지부는 플레이트 형태이며, 적어도 하나 이상의 제2 관통홀이 형성된 표시 장치의 제조장치.
  11. 삭제
  12. 패턴층을 기판 상에 형성한 후 패턴층 상에 형성된 포토레지스트를 형성하는 단계;
    상기 포토레지스트에 패턴을 형성하는 단계;
    상기 포토레지스트 및 상기 패턴층이 형성된 기판을 챔버 내부의 서포터에 안착시키는 단계;
    플라즈마로 상기 패턴층에 패턴을 형성하는 단계; 및
    상기 챔버 내부의 가스의 경로를 적어도 한번 이상 절곡시켜 상기 챔버에 연결된 안내배관으로 배출하는 단계;를 포함하고,
    상기 챔버 내부에서 상기 안내배관으로 가스가 이동하는 경로 상에는 가스의 이동 경로를 적어도 한번 이상 절곡시키며, 서로 이격되도록 배열되는 복수개의 베플부가 배치되며,
    상기 복수개의 베플부는,
    상기 챔버 내부의 가스가 통과하는 제1 베플부; 및
    상기 제1 베플부의 하부에 이격되도록 배치되며, 플레이트 형태이면서 가스가 충돌하여 가스의 이동 경로가 가변하는 제2베플부;를 포함하고,
    상기 제2 베플부는 상기 안내배관과 상기 챔버가 연결되는 상기 챔버 부분의 상면에 배치되고,
    상기 복수개의 베플부는,
    상기 제1 베플부 및 상기 제2 베플부 중 적어도 하나의 일면에 돌출되도록 배치되는 차단판;을 더 포함하거나 상기 챔버에 연결되며, 상기 제1 베플부 및 상기 제2 베플부 중 적어도 하나와 연결되고, 플레이트 형태이면서 적어도 하나 이상의 제2 관통홀이 형성된 베플지지부;를 더 포함하는 표시 장치의 제조방법.
  13. 삭제
  14. 제 12 항에 있어서,
    상기 제1 베플부는 상기 챔버 내부의 가스가 통과하는 제1 관통홀이 적어도 하나 이상 형성된 표시 장치의 제조방법.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 제1 관통홀의 내면은, 상기 제1 베플부의 상면 또는 하면 중 하나에 대해서 경사진 표시 장치의 제조방법.
  16. 제 14 항에 있어서,
    상기 제1 관통홀의 내면 중 적어도 일부분은 상기 제1 관통홀의 내면으로 돌출된 표시 장치의 제조방법.
  17. 제 12 항에 있어서,
    상기 제1 베플부 및 상기 제2 베플부 중 적어도 하나의 하면에 차단판이 배치되는 표시 장치의 제조방법.
  18. 제 12 항에 있어서,
    상기 제1 베플부와 상기 제2 베플부는 서로 이격되록 배치되는 베플지지부에 의해 지지되는 표시 장치의 제조방법.
  19. 제 12 항에 있어서,
    상기 제2 베플부는 상기 제1 베플부의 일부분과 중첩되도록 배열되는 표시 장치의 제조방법.
  20. 삭제
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