CN107946479B - 掩模组件及通过使用掩模组件制造显示装置的装置和方法 - Google Patents
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Abstract
提供了掩模组件及通过使用掩模组件制造显示装置的装置和方法。通常,当使用掩模组件时,可因掩模组件与沉积源之间的距离而在沉积图案中形成阴影。在这种情况中,从发射层发出的光的强度可能是低的,并且可能没有光从发射层发出。根据实施方式,当在制造显示装置的装置和方法中被使用时,掩模组件使形成发射层时阴影的形成最小化。
Description
相关申请的交叉引用
本申请要求于2016年10月13日提交至韩国知识产权局的第10-2016-0132851号韩国专利申请的权利和权益,该韩国专利申请的公开内容通过引用以其整体并入本文中。
技术领域
一个或多个实施方式涉及装置和方法,并且更具体地,涉及掩模组件及通过使用掩模组件制造显示装置的装置和方法。
背景技术
移动电子装置的使用已经显著增加。现今,不仅平板个人计算机(PC)被广泛地用作移动电子装置,而且诸如移动电话的小型电子装置也被广泛地用作移动电子装置。
这样的移动电子装置包括用于向用户提供视觉信息(诸如,图像或视频)的显示单元,并且支持各种功能。随着用于驱动显示装置的其它部件近来被制造得尺寸更小,显示装置在移动电子装置中的重要性逐渐增加。另外,已经开发了在平坦状态下具有预定角度的可弯曲结构的移动电子装置。
通常,当使用掩模组件来制造显示装置时,可能因掩模组件和沉积源之间的距离而在沉积图案中形成阴影。在这种情况中,从发射层发出的光的强度可能是低的,或者可能没有光从发射层发出。
发明内容
一个或多个实施方式包括掩模组件、通过使用掩模组件制造显示装置的装置和方法,其中掩模组件可使在显示装置中形成发射层时阴影的形成最小化。
另外的方面将在以下描述中部分地阐述,并且部分地将从描述将显而易见,或者可通过实践所呈现的实施方式而习得。
根据一个或多个实施方式,掩模组件包括掩模片以及多个第一开口和多个第二开口,第一开口和第二开口位于掩模片中的不同位置处,其中掩模片在多个第一开口之中的两个相邻的第一开口之间的第一厚度与掩模片在多个第二开口之中的两个相邻的第二开口之间的第二厚度不同。
第一开口与沉积源之间的距离可小于第二开口与沉积源之间的距离。
第一厚度可大于第二厚度。
掩模片的底表面在多个第一开口之中的两个相邻的第一开口之间的第一宽度可与掩模片的底表面在多个第二开口之中的两个相邻的第二开口之间的第二宽度不同。
第一宽度可大于第二宽度。
根据一个或多个实施方式,掩模组件包括掩模片以及多个第一开口和多个第二开口,第一开口和第二开口位于掩模片中的不同位置处,其中掩模片的底表面在多个第一开口之中的两个相邻的第一开口之间的第一宽度与掩模片的底表面在多个第二开口之中的两个相邻的第二开口之间的第二宽度不同。
第一宽度可大于第二宽度。
根据一个或多个实施方式,用于制造显示装置的装置包括配置成面对显示基板的掩模组件以及配置成面对掩模组件的沉积源,其中,掩模组件包括掩模片以及多个第一开口和多个第二开口,第一开口和第二开口位于掩模片中的不同位置处,以及掩模片在多个第一开口之中的两个相邻的第一开口之间的第一厚度可与掩模片在多个第二开口之中的两个相邻的第二开口之间的第二厚度不同。
第一开口与沉积源之间的距离可小于第二开口与沉积源之间的距离。
第一厚度可大于第二厚度。
掩模片的底表面在多个第一开口之中的两个相邻的第一开口之间的第一宽度可与掩模片的底表面在多个第二开口之中的两个相邻的第二开口之间的第二宽度不同。
第一宽度可大于第二宽度。
根据一个或多个实施方式,用于制造显示装置的装置包括配置成面对显示基板的掩模组件以及配置成面对掩模组件的沉积源,其中掩模组件包括掩模片以及多个第一开口和多个第二开口,第一开口和第二开口位于掩模片中的不同位置处,以及掩模片的底表面在多个第一开口之中的两个相邻的第一开口之间的第一宽度可与掩模片的底表面在多个第二开口之中的两个相邻的第二开口之间的第二宽度不同。
根据一个或多个实施方式,制造显示装置的方法包括:将显示基板和掩模组件装载到腔室中;以及使沉积源中的沉积材料蒸发并且使沉积材料在穿行经过掩模组件时沉积在显示基板上,其中掩模组件包括掩模片以及多个第一开口和多个第二开口,第一开口和第二开口位于掩模片中的不同位置处,以及掩模片在多个第一开口之中的两个相邻的第一开口之间的第一厚度可与掩模片在与多个第二开口之中的两个相邻的第二开口之间的第二厚度不同。
多个第一开口可比多个第二开口靠近沉积源。
第一厚度可大于第二厚度。
掩模片的底表面在多个第一开口之中的两个相邻的第一开口之间的第一宽度可与掩模片的底表面在多个第二开口之中的两个相邻的第二开口之间的第二宽度不同。
第一宽度可大于第二宽度。
根据一个或多个实施方式,制造显示装置的方法包括:将显示基板和掩模组件装载到腔室中;以及使沉积源中的沉积材料蒸发并且使沉积材料在穿行经过掩模组件时沉积在显示基板上,其中掩模组件包括掩模片以及多个第一开口和多个第二开口,第一开口和第二开口位于掩模片中的不同位置处,以及掩模片的底表面在多个第一开口之中的两个相邻的第一开口之间的第一宽度可与掩模片的底表面在多个第二开口之中的两个相邻的第二开口之间的第二宽度不同。
第一宽度可大于第二宽度。
这些一般的和具体的实施方式可通过使用系统、方法、计算机程序或者系统、方法和计算机程序的组合来实现。
附图说明
结合附图,根据实施方式的以下描述,这些和/或其它方面将变得明显并且更易于理解,在附图中:
图1是根据实施方式的用于制造显示装置的装置的剖视图;
图2是根据实施方式的图1中所示的掩模组件的立体图;
图3是根据实施方式的图1中所示的沉积源和掩模组件的平面图;
图4是根据实施方式的图1中所示的第一掩模片构件、显示基板和沉积源的剖视图;
图5是根据实施方式的图1中所示的第二掩模片构件和显示基板的剖视图;
图6是根据另一实施方式的图1中所示的第一掩模片构件和显示基板的剖视图;
图7是根据另一实施方式的图1中所示的第一掩模片构件和显示基板的剖视图;
图8是根据另一实施方式的用于制造显示装置的装置的掩模片的平面图;
图9是根据另一实施方式的显示基板、沉积源和图8中所示的掩模片的剖视图;
图10是根据另一实施方式的显示基板和图8中所示的掩模片的剖视图;
图11是根据另一实施方式的显示基板和图8中所示的掩模片的剖视图;
图12是根据实施方式使用图1或图8中所示的用于制造显示装置的装置所制造的显示装置的平面图;以及
图13是根据实施方式的沿着图12的线A-A截取的剖视图。
具体实施方式
由于本发明允许多种改变和诸多实施方式,因此将在附图中示出并且在所撰写的说明中详细描述具体实施方式。参考下文将结合附图一起详细描述的实施方式,实施方式的效果和特征及用于实现它们的方法将是明显的。然而,实施方式不限于以下实施方式,而是可以以不同的形式来实现。
下文将参照附图更详细地描述实施方式。相同或相对应的那些部件以相同的参考标记来表现而与图号无关,并且省略冗余的解释。
将理解的是,虽然本文中使用术语“第一”、“第二”等来描述各种部件,但是这些部件不应受这些术语限制。这些术语仅用于将一个部件与另一部件区分开。
除非上下文明确地另行指出,否则如本文中所使用的,单数形式“一(a)”、“一个(an)”和“所述(the)”也旨在包括复数形式。
还将理解的是,本文中使用的术语“包括(comprises)”和/或“包括(comprising)”表明所阐述的特征或部件的存在,但是不排除一个或多个其它特征或部件的存在或添加。
将理解的是,当层、区域或部件被称为形成在另一层、区域或部件“上”时,它可直接地或间接地形成在所述另一层、区域或部件上。换言之,例如,可存在介入的层、区域或部件。
为便于说明,可能夸大附图中的元件的尺寸。换句话说,由于附图中的部件的尺寸和厚度是为便于说明而任意示出的,因此以下实施方式不限于此。
在以下示例中,X-轴、Y-轴和Z-轴不限于直角坐标系的三个轴,并且可以以更广泛的意义进行解释。例如,X-轴、Y-轴和Z-轴可相互垂直,或者可表示不相互垂直的不同方向。
当某一实施方式可不同地实现时,具体的过程顺序可与所描述的顺序不同地执行。例如,两个连续描述的过程可基本上同时或者以与所描述的顺序相反的顺序执行。如本文中所使用的,术语“和/或”包括相关所列项中的一个或多个的任意和全部组合。诸如“中的至少一个”的表述在元件的列表之后时,修饰整个元件列表而不修饰列表中的单个元件。
图1是根据实施方式的用于制造显示装置的装置的剖视图,以及图2是根据实施方式的图1中所示的掩模组件的立体图。
参照图1和图2,用于制造显示装置的装置100可包括腔室110、第一支撑单元120、第二支撑单元130、视觉单元140、掩模组件150、沉积源160以及压力调整单元170。
腔室110中可形成空间,并且腔室110的一部分可敞开。闸阀110a可安装在腔室110的敞开部分处以选择性地打开/关闭腔室110的敞开部分。
第一支撑单元120可支撑显示基板D。在此,第一支撑单元120可以以多种方式支撑显示基板D。根据实施方式,第一支撑单元120可包括静电卡盘或粘附卡盘。在另一实施方式中,第一支撑单元120可包括支撑显示基板D的一部分的支架、夹具等。第一支撑单元120不限于此,并且可包括可支撑显示基板D的所有单元。然而,在下文中,为便于说明,将详细描述第一支撑单元120包括静电卡盘或粘附卡盘的情况。
第二支撑单元130可支撑安装在其上的掩模组件150。在这种情况中,第二支撑单元130可在至少两个不同的方向上对掩模组件150执行精细的调整。
视觉单元140可捕获显示基板D和掩模组件150的示出其位置的图像。在此,显示基板D和掩模组件150中的至少一个可移动,使得显示基板D和掩模组件150可彼此对齐。
沉积材料可插入沉积源160中,并且随后可蒸发。在这种情况中,沉积源160可包括加热器160a,并且沉积材料可因加热器160a施加的热量而蒸发。
沉积源160可具有多种类型。根据实施方式,沉积源160可以是点沉积源,所述点沉积源包括用于排出沉积材料的圆形入口。根据另一实施方式,沉积源160可以是线沉积源,所述线沉积源具有长的形状且包括多个入口或长的入口。在下文中,为便于说明,将沉积源160认为是面对掩模组件150的一个点的点沉积源。
压力调整单元170可连接至腔室110,并且可将腔室110内部的压力调整成与大气压力或真空相似。在这种情况中,压力调整单元170可包括连接至腔室110的连接管道171和设置在连接管道171上的压力调整泵172。
可通过使用装置100制造显示装置(未示出)的方法制造和准备显示基板D。
根据实施方式,压力调整单元170可将腔室110的内部维持在大气压力状态,并且在闸阀110a打开之后,可将显示基板D和掩模组件150插入到腔室110中。在这种情况中,可在腔室110的内部或外部设置附加的机械手、梭式输送器(shuttle)等以转移显示基板D和掩模组件150。
当完成了上述过程时,压力调整单元170可将腔室110的内部维持在近似的真空状态。另外,视觉单元140可捕获显示基板D和掩模组件150的图像,以精细地驱动第一支撑单元120和第二支撑单元130,使得显示基板D和掩模组件150中的至少一个可被精细地调整并且显示基板D和掩模组件150可彼此对齐。
加热器160a可进行操作以将沉积材料从沉积源160供应至掩模组件150。穿行经过掩模组件150的沉积材料可以以一致的图案沉积在显示基板D上。
当执行上述过程时,沉积源160和显示基板D中的至少一个可进行线性运动。在另一实施方式中,还可在沉积源160和显示基板D二者停止的状态下执行沉积。在下文中,为便于说明,将详细描述在沉积源160和显示基板D二者停止的状态下执行沉积的情况。
通过使用如以上描述的掩模组件150进行的沉积材料的沉积可根据沉积源160与掩模组件150的开口之间的距离确定。具体地,根据沉积源与掩模组件的开口之间的距离,穿行经过掩模组件的沉积材料在沉积图案的一部分中的厚度减小或者没有执行沉积,由此可能在一般的沉积过程中出现阴影现象。在这种情况中,所制造的显示装置可能出现性能劣化或缺陷。根据实施方式,穿行经过形成在沉积源160的顶表面中的开口的沉积材料应当以与设计的方式相同的方式或相似的方式沉积在显示基板D上。然而,在现实中,穿行经过与沉积源160的顶表面隔开的开口的沉积材料不以与设计的方式相同的方式或相似的方式沉积在显示基板D上。
为了解决该问题,根据实施方式,可根据沉积源160与掩模组件150的开口之间的距离改变要沉积在显示基板D上的沉积材料入射在显示基板D上的入射角。现在将详细描述此。
图3是图1中所示的沉积源和掩模组件的平面图,图4是图1中所示的第一掩模片构件、显示基板和沉积源的剖视图,以及图5是图1中所示的第二掩模片构件和显示基板的剖视图。
参照图1至图5,掩模组件150可包括掩模框架151和掩模片152。
掩模框架151可包括多个框架。在此,多个框架可构成格子或矩形形状,而且在多个框架中可形成空间。
掩模框架151可限定沉积材料穿行的区域。在这种情况中,掩模片152可布置在掩模框架151的顶表面上,并且可固定至掩模框架151的顶表面。具体地,可在将拉力施加至掩模片152的状态下将掩模片152固定至掩模框架151。在这种情况中,掩模片152和掩模框架151可整体地或分开地形成并彼此组合。
掩模片152可形成为多种形状。例如,掩模片152可包括各自具有条形状(stickshape)的多个掩模片构件(即,掩模片构件152a和152b)。在这种情况中,当掩模片构件152a和152b各自具有条形状时,掩模片构件152a和152b可布置成彼此邻近。具体地,掩模片152可包括设置在掩模片152的中央的第一掩模片构件152a和形成掩模片152的最外部分的第二掩模片构件152b。在另一实施方式中,掩模片152可整体地形成并且可具有板形状。在下文中,为便于说明,将详细描述掩模片152包括多个掩模片构件(即,掩模片构件152a和152b)的情况。
掩模片构件152a和152b的厚度可根据沉积源160与掩模片构件152a和152b中的每一个之间的距离而彼此不同。另外,掩模片构件152a和152b的底表面在开口152c之间的宽度可根据沉积源160与掩模片构件152a和152b中的每一个之间的距离而彼此不同。在这种情况中,在掩模片构件152a和152b中的一个中,以上厚度和宽度中的至少一个可彼此不同。在另一实施方式中,在不同的掩模片构件152a和152b中,以上厚度和宽度中的至少一个可彼此不同。另外,在另一实施方式中,在相同的掩模片构件152a和152b中,以上厚度和宽度中的至少一个可彼此不同,并且在不同的掩模片构件152a和152b中,以上厚度和宽度中的至少一个也可彼此不同。以上厚度可在与掩模片构件152a和152b的顶表面(例如,与图2中的X-方向和Y-方向确定的平面平行的平面)垂直的方向上进行测量。换言之,掩模片构件152a和152b在相邻的开口152c之间的厚度可在基于图2的Z-方向上进行测量。另外,掩模片构件152a和152b的底表面在相邻的开口152c之间的宽度可在掩模片构件152a和152b的纵向方向(或掩模片构件152a和152b的长边方向)和掩模片构件152a和152b的短边方向(例如,图2中的Y-方向)之一上进行测量。在这种情况中,如图4中所示,掩模片构件152a和152b的底表面在相邻的开口152c之间的宽度可被测量为从构成形成在掩模片构件152a和152b的底表面中的开口152c的边缘的凸出部到相邻的凸出部的直线距离。另外,相邻的开口152c可以是平行于掩模片构件152a和152b的短边或长边布置的开口。
多个开口152c可形成在以上描述的掩模片构件152a和152b中。在这种情况中,多个开口152c可形成为一致的图案。另外,多个开口152c可以以规则的间隔形成在掩模片构件152a和152b的顶表面中。在另一实施方式中,多个开口152c可形成具有其不同部分的多个组,并且包括多个开口152c的一部分的多个组可布置成彼此隔开。在下文中,为便于说明,将详细描述多个开口152c形成多个不同组的情况。
多个开口152c可包括设置成彼此隔开的第一开口152c-1和第二开口152c-2。第一开口152c-1与沉积源160之间的距离和第二开口152c-2与沉积源160之间的距离可彼此不同。例如,第一开口152c-1与沉积源160之间的距离可小于第二开口152c-2与沉积源160之间的距离。具体地,第一开口152c-1可设置在掩模片152的中央部分中,并且第二开口152c-2可设置成偏离掩模片152的中央。
第一开口152c-1和第二开口152c-2可设置在一个掩模片构件(即,第一掩模片构件152a和第二掩模片构件152b中的一个)中。在这种情况中,第一开口152c-1和第二开口152c-2可包括在一个组或不同组中。在另一实施方式中,第一开口152c-1和第二开口152c-2还可设置在不同的掩模片构件152a和152b中。在下文中,为便于说明,将详细描述第一开口152c-1和第二开口152c-2设置在一个第一掩模片构件152a中并且包括在不同组中的情况。
可提供多个第一开口152c-1和多个第二开口152c-2。在这种情况中,多个第一开口152c-1可限定显示装置的一个显示区域,并且多个第二开口152c-2可限定显示装置的另一显示区域。
在一个实施方式中,第一掩模片构件152a在多个第一开口152c-1之中的两个相邻的第一开口152c-1之间的第一厚度T1可与第一掩模片构件152a在多个第二开口152c-2之中的两个相邻的第二开口152c-2之间的第二厚度T2不同。在另一实施方式中,第一掩模片构件152a的底表面在多个第一开口152c-1之中的两个相邻的第一开口152c-1之间的第一宽度W1可与第一掩模片构件152a的底表面在多个第二开口152c-2之中的两个相邻的第二开口152c-2之间的第二宽度W2不同。在另一实施方式中,第一厚度T1和第二厚度T2可彼此不同,并且第一宽度W1和第二宽度W2可彼此不同。然而,在下文中,为便于说明,将详细描述第一厚度T1和第二厚度T2彼此不同的情况。
当第一厚度T1和第二厚度T2彼此不同时,第一宽度W1和第二宽度W2可以相同。在这种情况中,当第一厚度T1和第二厚度T2彼此不同时,沉积材料穿行经过第一开口152c-1的边缘并且入射在显示基板D上的第一入射角θ1和沉积材料穿行经过第二开口152c-2的边缘并且入射在显示基板D上的第二入射角θ2彼此不同。在此,第一入射角θ1可定义为由用于连接形成在第一掩模片构件152a的其上形成有第一开口152c-1的顶表面上的第一凸出点152a-1a和形成在第一掩模片构件152a的底表面上的第二凸出点152a-1b的线段与显示基板D所形成的角度。另外,第二入射角θ2可以以与第一入射角θ1相似的方式进行定义。
当第二厚度T2小于第一厚度T1时,第二入射角θ2可小于第一入射角θ1。在这种情况中,相比于当穿行经过现有技术的掩模片的第二开口的沉积材料沉积在显示基板上时出现的现有的阴影现象,对于穿行经过第二开口152c-2并且沉积在显示基板D上的沉积材料可出现较不显著的阴影现象。具体地,由于在现有技术中第一厚度和第二厚度相同,因此第一入射角和第二入射角可能相同。在这种情况中,在沉积源的顶表面附近,从沉积源排出的沉积材料相对于显示基板的表面几乎形成直角。然而,随着与沉积源的距离增大,从沉积源排出的沉积材料可以相对于显示基板的表面以非直角的预定角度(例如,锐角)入射在显示基板上。在这种情况中,当沉积材料与形成在掩模片构件的底表面上的凸出点(例如,与图4的第二凸出点152a-1b类似定义的点)碰撞时,穿行经过开口的沉积材料可能不沉积在显示基板D上。例如,当沉积材料穿行经过现有技术的第二开口(例如,与图4的第二开口152c-2类似定义的开口)时,穿行经过现有技术的第二开口的沉积材料的一部分在紧密地靠近现有技术的掩模片构件的底表面上的凸出点(例如,与图4的第一掩模片构件152a的第二凸出点152a-1b类似定义的点)时可能不移动至顶表面上的凸出点(例如,与图4的第一凸出点152a-1a类似定义的点),而是可能移动至显示基板D的与掩模片构件的顶表面上的凸出点(例如,与图4的第一凸出点152a-1a类似定义的点)隔开的部分。在这种情况中,沉积材料可能不沉积在现有技术的掩模片构件的顶表面上的凸出点(例如,与图4的第一凸出点152a-1a类似定义的点)与显示基板D的这样的部分之间的空间中,显示基板D的所述部分上沉积有如以上描述的那样进行移动的沉积材料。
如上所述,第二厚度T2可小于第一厚度T1,使得第二入射角θ2可小于第一入射角θ1。
在这种情况中,当穿行经过掩模片152的不在沉积源160的顶表面正上方的一部分的开口(例如,第二开口152c-2)时,沉积材料的与第二凸出点152a-1b碰撞或者在靠近第二凸出点152a-1b时移动的部分可沉积在紧密靠近第一凸出点152a-1a的显示基板D上。另外,沉积材料的与第二凸出点152a-1b碰撞或者在靠近第二凸出点152a-1b时移动的部分可通过与第一凸出点152a-1a碰撞或者靠近第一凸出点152a-1a移动而沉积在显示基板D上。具体地,如以上描述的那样沉积在显示基板D上的沉积材料可与沉积材料的设计区域、厚度和量相同或相似。具体地,穿行经过第二开口152c-2的沉积材料的量可大于穿行经过根据现有技术的第二开口的沉积材料的量,并且沉积材料沉积在显示基板D的更宽范围的区域上,并且因此可精确地且准确地沉积在显示基板D的设计的沉积区域上。
因此,在掩模组件150、用于制造显示装置的装置100和方法中,可使当沉积材料沉积在与沉积源160隔开得远的显示基板D上时出现的阴影现象最小化。
另外,对于掩模组件150及通过使用掩模组件150制造显示装置的装置100和方法,当沉积源160更远离显示基板D时在更宽范围的显示基板D中出现的阴影现象可被调整成与在沉积源160的顶表面正上方的显示基板D中出现的阴影现象相同或相似。具体地,在掩模组件150、制造显示装置的装置100和方法中,沉积材料可以以相同的或相似的形式沉积在显示基板D的全部区域上。
在掩模组件150、制造显示装置的装置100和方法中,沉积材料可以以均匀的图案沉积在显示基板D上,使得可制造以上描述的高清晰度的显示装置。
另外,在掩模组件150、制造显示装置的装置100和方法中,即使当在大尺寸基板上沉积沉积材料时,也可执行均匀的沉积,使得实施方式可用于大面积沉积。
除上述配置之外,掩模组件150还可包括安装在掩模框架151处并且支撑掩模片152的支撑框架153。在这种情况中,支撑框架153可安装在掩模框架151处,以与掩模框架151的长边和短边中的至少一边平行。另外,支撑框架153可设置在掩模框架151的内部空间中。具体地,支撑框架153的一部分可设置于彼此相邻的掩模片构件152a和152b之间,并且可布置在掩模片构件152a和152b的纵向方向上,使得可防止沉积材料在掩模片构件152a和152b之间被排出。
参照图4和图5,第一开口152c-1和第二开口152c-2可形成在第一掩模片构件152a中,并且第三开口152c-3和第四开口152c-4可形成在第二掩模片构件152b中。在这种情况中,沉积源160与开口152c之间的距离可按照第一开口152c-1、第二开口152c-2、第三开口152c-3和第四开口152c-4的顺序增大。
在这种情况中,在实施方式中,第一掩模片构件152a的底表面在相邻的第一开口152c-1之间的第一宽度W1、第一掩模片构件152a的底表面在相邻的第二开口152c-2之间的第二宽度W2、第二掩模片构件152b的底表面在相邻的第三开口152c-3之间的第三宽度W3以及第二掩模片构件152b的底表面在相邻的第四开口152c-4之间的第四宽度W4可彼此不同。具体地,第一宽度W1可大于第二宽度W2、第三宽度W3和第四宽度W4,并且第二宽度W2可大于第三宽度W3和第四宽度W4。另外,第三宽度W3可大于第四宽度W4。
在另一实施方式中,第一掩模片构件152a在相邻的第一开口152c-1之间的第一厚度T1、第一掩模片构件152a在相邻的第二开口152c-2之间的第二厚度T2、第二掩模片构件152b在相邻的第三开口152c-3之间的第三厚度T3以及第二掩模片构件152b在相邻的第四开口152c-4之间的第四厚度T4可彼此不同。具体地,第一厚度T1可大于第二厚度T2、第三厚度T3和第四厚度T4,并且第二厚度T2可大于第三厚度T3和第四厚度T4。另外,第三厚度T3可大于第四厚度T4。
在另一实施方式中,当第一宽度W1、第二宽度W2、第三宽度W3和第四宽度W4依次减小时,第一厚度T1、第二厚度T2、第三厚度T3和第四厚度T4也可依次减小。然而,在下文中,为便于说明,将详细描述第一厚度T1、第二厚度T2、第三厚度T3和第四厚度T4彼此不同的情况。
当如上所述的第一厚度T1、第二厚度T2、第三厚度T3和第四厚度T4彼此不同时,第一入射角θ1、第二入射角θ2、第三入射角θ3和第四入射角θ4可彼此不同。具体地,第一厚度T1、第二厚度T2、第三厚度T3和第四厚度T4依次减小,使得第一入射角θ1、第二入射角θ2、第三入射角θ3和第四入射角θ4可依次减小。换言之,随着沉积源160与开口152c之间的距离增大,沉积材料的入射角减小,使得可使当在沉积沉积材料时出现的阴影现象最小化。
图6是图1中所示的第一掩模片构件和显示基板的另一实施方式的剖视图。
参照图6,第一开口152c-1′和第二开口152c-2′可在第一掩模片构件152a′中形成为彼此隔开。在这种情况中,第一开口152c-1′与沉积源(未示出)之间的距离和第二开口152c-2′与沉积源之间的距离可彼此不同。具体地,第一开口152c-1′与沉积源之间的距离可小于第二开口152c-2′与沉积源之间的距离。在这种情况中,沉积源可如图4中所示的那样进行设置。
在这种情况中,第一掩模片构件152a′在相邻的第一开口152c-1′之间的第一厚度T1和第一掩模片构件152a′在相邻的第二开口152c-2′之间的第二厚度T2可相同。另一方面,第一掩模片构件152a′在相邻的第一开口152c-1′之间的第一宽度W1和第一掩模片构件152a′在相邻的第二开口152c-2′之间的第二宽度W2可彼此不同。具体地,第一宽度W1可大于第二宽度W2。在这种情况中,第一入射角θ1可大于第二入射角θ2。
如上所述,虽然图6中未示出,但是沉积源可以以与图4的沉积源相同的方式或相似的方式进行设置。
图7是图1中所示的第一掩模片构件和显示基板的另一实施方式的剖视图。
参照图7,第一开口152c-1″和第二开口152c-2″可在第一掩模片构件152a″中形成为彼此隔开。在这种情况中,第一开口152c-1″与沉积源(未示出)之间的距离和第二开口152c-2″与沉积源之间的距离可如图4中所示的那样彼此不同。具体地,第一开口152c-1″与沉积源之间的距离可小于第二开口152c-2″与沉积源之间的距离。
在这种情况中,第一掩模片构件152a″在相邻的第一开口152c-1″之间的第一厚度T1和第一掩模片构件152a″在相邻的第二开口152c-2″之间的第二厚度T2可彼此不同。具体地,第一厚度T1可大于第二厚度T2。
另外,第一掩模片构件152a″在相邻的第一开口152c-1″之间的第一宽度W1和第一掩模片构件152a″在相邻的第二开口152c-2″之间的第二宽度W2可彼此不同。具体地,第一宽度W1可大于第二宽度W2。
在以上情况中,第一入射角θ1可大于第二入射角θ2。
在以上情况中,虽然图7中未示出,但沉积源可以以与图4的沉积源相同的方式或相似的方式进行设置。
图8是根据另一实施方式的用于制造显示装置的装置的掩模片的平面图,以及图9是显示基板、沉积源和图8中所示的掩模片的剖视图。
参照图8和图9,可以以与以上描述的相同的方式或相似的方式来形成用于制造显示装置的装置(未示出)。在这种情况中,沉积源260可形成为具有点沉积源或线沉积源的形状。当沉积源260具有点沉积源的形状时,沉积源260可布置在掩模片252的中央。在下文中,为便于说明,将详细描述沉积源260是线沉积源的情况。
沉积源260可布置在多种方向上。例如,沉积源260可布置成平行于掩模片252的长边。在另一实施方式中,沉积源260可布置成平行于掩模片252的短边。在另一实施方式中,沉积源260可布置成面对显示基板D,而与掩模片252的尺寸、形状等无关。在下文中,为便于说明,将详细描述沉积源260布置成平行于掩模片252的长边的情况。
此外,多个第一开口252c-1和多个第二开口252c-2可设置在掩模片252中的不同位置处。掩模片252在第一开口252c-1周围的厚度可与掩模片252在第二开口252c-2周围的厚度不同。在另一实施方式中,掩模片252的底表面在相邻的第一开口252c-1之间的距离可与掩模片252的底表面在相邻的第二开口252c-2之间的距离不同。
此外,当使用以上描述的掩模片252执行沉积时,根据沉积源260与开口252c之间的距离,沉积在显示基板D上的沉积材料中可能出现或可能不出现阴影现象。
具体地,第一开口252c-1可设置成比第二开口252c-2靠近沉积源260。在这种情况中,如上所述,相比于当沉积材料穿行经过第一开口252c-1并且沉积在显示基板D上时出现的阴影现象,当沉积材料穿行经过第二开口252c-2并且沉积在显示基板D上时可能出现更多的阴影现象。
在这种情况中,掩模片252的底表面在相邻的第一开口252c-1之间的第一宽度W1和掩模片252的底表面在相邻的第二开口252c-2之间的第二宽度W2可彼此不同。
具体地,掩模片252的底表面在相邻的第二开口252c-2之间的第二宽度W2可小于掩模片252的底表面在相邻的第一开口252c-1之间的第一宽度W1。当如上所述的第二宽度W2小于第一宽度W1时,沉积材料穿行经过第二开口252c-2的边缘并且入射在显示基板D上的第二入射角θ2可小于沉积材料穿行经过第一开口252c-1的边缘并且入射在显示基板D上的第一入射角θ1。
在以上情况中,通过第一开口252c-1沉积在显示基板D上的沉积材料的图案的形状和阴影的范围与通过第二开口252c-2沉积在显示基板D上的沉积材料的图案的形状和阴影的范围可相同或几乎相似。
因此,在掩模组件(未示出)、制造显示装置的装置和方法中,随着与沉积源260的距离增大而在更宽范围的显示基板D中出现的阴影现象可被调整成与在沉积源260的顶表面正上方的显示基板D中出现的阴影现象相同或相似。具体地,在掩模组件、制造显示装置的装置和方法中,沉积材料可以以相同或相似的形式沉积在显示基板D的全部区域中。
在掩模组件、制造显示装置的装置和方法中,沉积材料以均匀的图案沉积在显示基板D上,使得可制造高清晰度的显示装置。
另外,在掩模组件、制造显示装置的装置和方法中,即使当在大尺寸基板上沉积沉积材料时也可执行均匀的沉积,使得实施方式可用于大面积沉积。
图10是显示基板和图8中所示的掩模片的另一实施方式的剖视图。
参照图10,沉积材料可通过设置在距沉积源(未示出)不同距离处的第一开口252c-1′和第二开口252c-2′而沉积在显示基板D上。在这种情况中,第一开口252c-1′与沉积源之间的距离可小于第二开口252c-2′与沉积源之间的距离。在这种情况中,沉积源可以以与图9的沉积源相同的方式或相似的方式进行设置。
在以上情况中,在相邻的第一开口252c-1′之间掩模片252′的底表面的第一宽度W1和掩模片252′的第一厚度T1与在相邻的第二开口252c-2′之间掩模片252′的底表面的第二宽度W2和掩模片252′的第二厚度T2可彼此不同。
具体地,掩模片252′的底表面在相邻的第二开口252c-2′之间的第二宽度W2可小于掩模片252′的底表面在相邻的第一开口252c-1′之间的第一宽度W1。另外,掩模片252′在相邻的第二开口252c-2′之间的第二厚度T2可小于掩模片252′在相邻的第一开口252c-1′之间的第一厚度T1。
当如上所述的第二宽度W2小于第一宽度W1并且第二厚度T2小于第一厚度T1时,沉积材料穿行经过第二开口252c-2′的边缘并且入射在显示基板D上的第二入射角θ2可小于沉积材料穿行经过第一开口252c-1′的边缘并且入射在显示基板D上的第一入射角θ1。在这种情况中,如上所述,穿行经过第二开口252c-2′并且沉积在显示基板D上的沉积材料和穿行经过第一开口252c-1′并且沉积在显示基板D上的沉积材料的图案的形状、出现阴影现象的沉积材料的面积以及出现阴影现象的沉积材料的形状几乎相同或相似。
因此,在掩模组件(未示出)、用于制造显示装置的装置和方法中,随着与沉积源的距离增大而在更宽范围的显示基板中出现的阴影现象可被调整成与在沉积源的顶表面正上方的显示基板中出现的阴影现象相同或相似。具体地,在掩模组件、制造显示装置的装置和方法中,沉积材料可以以相同或相似的形式沉积在显示基板D的全部区域中。
在掩模组件、制造显示装置的装置和方法中,沉积材料以均匀的图案沉积在显示基板D上,使得可制造高清晰度的显示装置。
另外,在掩模组件、制造显示装置的装置和方法中,即使当在大尺寸基板上沉积沉积材料时,也可执行均匀的沉积,使得实施方式可用于大面积沉积。
图11是显示基板和图8中所示的掩模片的另一实施方式的剖视图。
参照图11,掩模片252″可包括第一开口252c-1″和第二开口252c-2″。在这种情况中,第一开口252c-1″与沉积源(未示出)之间的距离和第二开口252c-2″与沉积源之间的距离可以以与图9中所示的距离相同的方式或相似的方式彼此不同。具体地,第一开口252c-1″与沉积源之间的距离可小于第二开口252c-2″与沉积源之间的距离。在这种情况中,沉积源可以以与图9中的沉积源相同的方式或相似的方式进行设置。
在以上情况中,在相邻的第一开口252c-1″之间掩模片252″的第一厚度T1和掩模片252″的底表面的第一宽度W1与在相邻的第二开口252c-2″之间掩模片252″的第二厚度T2和掩模片252″的底表面的第二宽度W2可彼此不同。例如,第一厚度T1可与第二厚度T2不同,且第一宽度W1和第二宽度W2可相同。在另一实施方式中,第一厚度T1和第二厚度T2可相同,且第一宽度W1和第二宽度W2可彼此不同。在另一实施方式中,第一厚度T1和第二厚度T2可彼此不同,且第一宽度W1和第二宽度W2可彼此不同。然而,在下文中,为便于说明,将详细描述第一厚度T1和第二厚度T2彼此不同且第一宽度W1和第二宽度W2相同的情况。
第一厚度T1可大于第二厚度T2。在这种情况中,第一入射角θ1可大于第二入射角θ2。
图12是使用图1或图8中所示的用于制造显示装置的装置而制造的显示装置的平面图。图13是沿着图12的线A-A截取的剖视图。
参照图12和图13,显示装置20可在基板21上限定显示区域DA和显示区域DA外部的非显示区域。发射单元(未示出)可设置在显示区域DA中,以及电力布线(未示出)可设置在非显示区域中。另外,焊盘单元C可设置在非显示区域中。
显示装置20可包括显示基板D、中间层28b、相对电极28c和封装层(未示出)。在这种情况中,显示基板D可包括基板21、缓冲层22、薄膜晶体管TFT、钝化层27、像素电极28a和像素限定层(PDL)29。另外,封装层可包括与基板21相同或相似的封装基板(未示出)或者包括薄膜封装层E。在这种情况中,当封装层包括封装基板时,可在基板21与封装基板之间设置附加的密封构件(未示出)。然而,在下文中,为便于说明,将详细描述封装层包括薄膜封装层E的情况。
基板21可由塑性材料或者诸如不锈钢(SUS)或钛(Ti)的金属材料形成。另外,基板21可由聚酰亚胺(PI)形成。在下文中,为便于说明,将详细描述基板21由PI形成的情况。
发射单元可形成在基板21上。在这种情况中,发射单元可以是薄膜晶体管TFT,且薄膜晶体管TFT可被钝化层27覆盖,并且有机发光设备(OLED)28可形成在钝化层27上。
基板21的顶表面上还可形成由有机化合物和/或无机化合物形成的缓冲层22,其中无机化合物可包括SiOx(x≥1)、SiNx(x≥1)。
当在缓冲层22上形成以预定图案布置的有源层23之后,栅极绝缘层24将有源层23掩埋。有源层23中的每一个包括源极区23a、漏极区23c和位于源极区23a与漏极区23c之间的沟道区23b。
有源层23可包括多种材料。例如,有源层23可包括诸如非晶硅或晶体硅的无机半导体材料。在另一示例中,有源层23可包括氧化物半导体材料。另外,在另一示例中,有源层23可包括有机半导体材料。然而,在下文中,为便于说明,将详细描述有源层23由非晶硅形成的情况。
在非晶硅层形成在缓冲层22上并且被晶体化以形成多晶硅层而且多晶硅层被图案化之后,可形成有源层23。有源层23的源极区23a和漏极区23c根据薄膜晶体管TFT的类型(诸如,驱动薄膜晶体管(未示出)、开关薄膜晶体管(未示出)等)而掺杂杂质。
与有源层23对应的栅电极25和用于掩埋栅电极25的层间绝缘层26形成在栅极绝缘层24的顶表面上。
当在层间绝缘层26和栅极绝缘层24中形成接触孔H1之后,层间绝缘层26上的源电极27a和漏电极27b分别与源极区23a和漏极区23c接触。
钝化层27形成在薄膜晶体管TFT上,并且OLED 28的像素电极28a形成在钝化层27上。像素电极28a通过形成在钝化层27中的通孔H2与薄膜晶体管TFT的源电极27a接触。钝化层27可由无机材料和/或有机材料形成,并且可以是单层或者两个或更多层。钝化层27可以是平坦层使得钝化层27的顶表面是平坦的而与下层的曲线无关,或者沿着设置在钝化层27下方的层的曲线弯曲。钝化层27可由透明绝缘体形成,以实现共振效应。
当在钝化层27上形成像素电极28a之后,由有机材料和/或无机材料形成PDL 29,并且像素电极28a和钝化层27可被PDL 29覆盖,并且PDL 29敞开使得像素电极28a暴露。
中间层28b和相对电极28c至少形成在像素电极28a上。
像素电极28a充当阳极,且相对电极28c充当阴极。当然,像素电极28a和相对电极28c的极性可相反。
像素电极28a和相对电极28c通过中间层28b彼此绝缘,并且具有不同极性的电压施加到中间层28b使得可从有机发射层执行发射。
中间层28b可包括有机发射层。在另一选择性的示例中,中间层28b包括有机发射层,并且还可包括空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)中的至少一个。然而,实施方式不限于此,以及中间层28b包括有机发射层且还可包括其它各种功能层(未示出)。
在这种情况中,可使用用于制造显示装置的装置(未示出)来形成以上描述的中间层28b。
单元像素包括可发出各种颜色的光的多个子像素。例如,子像素可包括发射红色、绿色和蓝色的光的子像素(未示出),或者发射红色、绿色、蓝色和白色的光的子像素。
以上描述的薄膜封装层E可包括多个无机层,或者无机层和有机层。
薄膜封装层E的有机层由聚合物形成,并且可以是由聚对苯二甲酸乙二酯、聚酰亚胺、聚碳酸脂、环氧树脂、聚乙烯和聚丙烯酸酯中的任意一种形成的单层或层堆叠。有机层可由聚丙烯酸酯形成,并且具体地,可包括包含基于二丙烯酸的单体和基于三丙烯酸的单体的聚合的单体组合物。单体组合物还可包括基于单丙烯酸的单体。另外,单体组合物还可包括公知的光引发剂,诸如三甲基苯甲酰基二苯基氧化膦(TPO),但是实施方式不限于此。
薄膜封装层E的无机层可以是包括金属氧化物或金属氮化物的单层或层堆叠。具体地,无机层可包括SiNx、Al2O3、SiO2和TiO2中的任意一种。
薄膜封装层E的暴露于外部的顶层可由无机层形成,以防止湿气侵入到有机发光设备28中。
薄膜封装层E可包括其中至少一个有机层插入至少两个无机层之间的至少一个夹层结构。在另一示例中,薄膜封装层E可包括其中至少一个无机层插入至少两个有机层之间的至少一个夹层结构。在另一示例中,薄膜封装层E可包括其中至少一个有机层插入至少两个无机层之间的夹层结构以及其中至少一个无机层插入至少两个有机层之间的夹层结构。
薄膜封装层E可包括从有机发光设备(OLED)28的顶部依次形成的第一无机层、第一有机层和第二无机层。
在另一示例中,薄膜封装层E可包括从OLED 28的顶部依次形成的第一无机层、第一有机层、第二无机层、第二有机层和第三无机层。
在另一示例中,薄膜封装层E可包括从OLED 28的顶部依次形成的第一无机层、第一有机层、第二无机层、第二有机层、第三无机层、第三有机层和第四无机层。
在OLED 28和第一无机层之间可另外包括包含氟化锂(LiF)的卤化金属层。卤化金属层可防止以溅射方法或等离子体沉积方法形成第一无机层时OLED 28被损坏。
第一有机层可小于第二无机层,并且第二有机层可小于第三无机层。
因此,显示装置20包括形成精确图案的中间层28b,并且中间层28b沉积在正确的位置中使得可形成精确的图像。另外,即使当中间层28b重复地沉积时,显示装置20也根据连续生产而具有均匀的质量。
在实施方式中,可使沉积材料沉积在与沉积源隔开得远的显示基板上时出现的阴影现象优化。
另外,在实施方式中,在距沉积源更宽范围的显示基板中出现的阴影现象可被调整成与在沉积源的顶表面正上方的显示基板中出现的阴影现象相同或相似。
在实施方式中,沉积材料可在显示基板的全部区域上沉积成具有相同的或相似的形状。
在实施方式中,沉积材料以均匀的图案沉积在显示基板上,使得可制造高清晰度的显示装置。
在实施方式中,即使当在大尺寸基板上沉积沉积材料时,也可执行均匀的沉积,使得实施方式可用于大面积沉积。
应理解,本文描述的实施方式应仅以描述性的意义进行考虑,而不是出于限制的目的。每个实施方式中的特征或方面的描述应通常考虑为可适用于其它实施方式中的其它相似的特征或方面。
虽然已参照附图描述了一个或多个实施方式,但是本领域普通技术人员将理解的是,在不背离如所附权利要求限定的精神和范围的情况下,可在形式和细节上对这些实施方式作出多种改变。
Claims (20)
1.掩模组件,包括:
掩模片;以及
多个第一开口和多个第二开口,所述第一开口和所述第二开口位于所述掩模片中的不同位置处,
其中所述掩模片在所述多个第一开口之中的两个相邻的第一开口之间的第一厚度和所述掩模片在所述多个第二开口之中的两个相邻的第二开口之间的第二厚度,根据沉积源与所述第一开口和所述第二开口中的每一个之间的距离的不同而彼此不同,且随着所述沉积源与所述第一开口和所述第二开口中的每一个之间的距离的增大而减小。
2.如权利要求1所述的掩模组件,其中,所述第一开口位于所述掩模片的中央,并且所述第二开口与所述第一开口隔开。
3.如权利要求1所述的掩模组件,其中,所述第一厚度大于所述第二厚度。
4.如权利要求1所述的掩模组件,其中,所述掩模片的底表面在所述多个第一开口之中的两个相邻的第一开口之间的第一宽度与所述掩模片的所述底表面在所述多个第二开口之中的两个相邻的第二开口之间的第二宽度不同。
5.如权利要求4所述的掩模组件,其中,所述第一宽度大于所述第二宽度。
6.掩模组件,包括:
掩模片;以及
多个第一开口和多个第二开口,所述第一开口和所述第二开口位于所述掩模片中的不同位置处,
其中,所述掩模片的底表面在所述多个第一开口之中的两个相邻的第一开口之间的第一宽度和所述掩模片的所述底表面在所述多个第二开口之中的两个相邻的第二开口之间的第二宽度,根据沉积源与所述第一开口和所述第二开口中的每一个之间的距离的不同而彼此不同,且随着所述沉积源与所述第一开口和所述第二开口中的每一个之间的距离的增大而减小。
7.如权利要求6所述的掩模组件,其中,所述第一宽度大于所述第二宽度。
8.用于制造显示装置的装置,所述装置包括:
掩模组件,配置成面对显示基板;以及
沉积源,配置成面对所述掩模组件,
其中所述掩模组件包括:
掩模片;以及
多个第一开口和多个第二开口,所述第一开口和所述第二开口位于所述掩模片中的不同位置处,以及
所述掩模片在所述多个第一开口之中的两个相邻的第一开口之间的第一厚度和所述掩模片在所述多个第二开口之中的两个相邻的第二开口之间的第二厚度,根据所述沉积源与所述第一开口和所述第二开口中的每一个之间的距离的不同而彼此不同,且随着所述沉积源与所述第一开口和所述第二开口中的每一个之间的距离的增大而减小。
9.如权利要求8所述的装置,其中,所述第一开口与所述沉积源之间的距离小于所述第二开口与所述沉积源之间的距离。
10.如权利要求8所述的装置,其中,所述第一厚度大于所述第二厚度。
11.如权利要求8所述的装置,其中,所述掩模片的底表面在所述多个第一开口之中的两个相邻的第一开口之间的第一宽度与所述掩模片的所述底表面在所述多个第二开口之中的两个相邻的第二开口之间的第二宽度不同。
12.如权利要求11所述的装置,其中,所述第一宽度大于所述第二宽度。
13.用于制造显示装置的装置,所述装置包括:
掩模组件,配置成面对显示基板;以及
沉积源,配置成面对所述掩模组件,
其中所述掩模组件包括:
掩模片;以及
多个第一开口和多个第二开口,所述第一开口和所述第二开口位于所述掩模片中的不同位置处,以及
所述掩模片的底表面在所述多个第一开口之中的两个相邻的第一开口之间的第一宽度和所述掩模片的所述底表面在所述多个第二开口之中的两个相邻的第二开口之间的第二宽度,根据所述沉积源与所述第一开口和所述第二开口中的每一个之间的距离的不同而彼此不同,且随着所述沉积源与所述第一开口和所述第二开口中的每一个之间的距离的增大而减小。
14.制造显示装置的方法,所述方法包括:
将显示基板和掩模组件装载到腔室中;以及
使沉积源中的沉积材料蒸发,并且使所述沉积材料在穿行经过所述掩模组件时沉积在所述显示基板上,
其中所述掩模组件包括:
掩模片;以及
多个第一开口和多个第二开口,所述第一开口和所述第二开口位于所述掩模片中的不同位置处,以及
所述掩模片在所述多个第一开口之中的两个相邻的第一开口之间的第一厚度和所述掩模片在所述多个第二开口之中的两个相邻的第二开口之间的第二厚度,根据所述沉积源与所述第一开口和所述第二开口中的每一个之间的距离的不同而彼此不同,且随着所述沉积源与所述第一开口和所述第二开口中的每一个之间的距离的增大而减小。
15.如权利要求14所述的方法,其中,所述多个第一开口比所述多个第二开口靠近所述沉积源。
16.如权利要求14所述的方法,其中,所述第一厚度大于所述第二厚度。
17.如权利要求14所述的方法,其中,所述掩模片的底表面在所述多个第一开口之中的两个相邻的第一开口之间的第一宽度与所述掩模片的所述底表面在所述多个第二开口之中的两个相邻的第二开口之间的第二宽度不同。
18.如权利要求17所述的方法,其中,所述第一宽度大于所述第二宽度。
19.制造显示装置的方法,所述方法包括:
将显示基板和掩模组件装载到腔室中;以及
使沉积源中的沉积材料蒸发,并且使所述沉积材料在穿行经过所述掩模组件时沉积在所述显示基板上,
其中所述掩模组件包括:
掩模片;以及
多个第一开口和多个第二开口,所述第一开口和所述第二开口位于所述掩模片中的不同位置处,以及
所述掩模片的底表面在所述多个第一开口之中的两个相邻的第一开口之间的第一宽度和所述掩模片的所述底表面在所述多个第二开口之中的两个相邻的第二开口之间的第二宽度,根据所述沉积源与所述第一开口和所述第二开口中的每一个之间的距离的不同而彼此不同,且随着所述沉积源与所述第一开口和所述第二开口中的每一个之间的距离的增大而减小。
20.如权利要求19所述的方法,其中,所述第一宽度大于所述第二宽度。
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