CN111155055A - Oled面板、其蒸镀方法和其掩膜版组 - Google Patents

Oled面板、其蒸镀方法和其掩膜版组 Download PDF

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Abstract

本揭示提供一种OLED面板的掩膜版组、其阴极蒸镀方法和OLED面板。所述OLED面板包括具有摄像区的显示区。所述掩膜版组包括第一掩膜版以及第二掩膜版。所述第一掩膜版包括共通掩膜开口区。所述共通掩膜开口区的大小覆盖整个所述显示区。所述第二掩膜版包括异型掩膜开口区。所述异型掩膜开口区的大小覆盖除所述摄像区的所有所述显示区。通过本揭示能提升所述摄像区的透过率。

Description

OLED面板、其蒸镀方法和其掩膜版组
技术领域
本揭示涉及一种显示技术领域，特别涉及一种OLED面板、其蒸镀方法和其掩膜版组。
背景技术
近年来，移动终端市场发展刺激新型显示技术进步，为配合移动终端大屏显示和高屏占比的需求，手机行业引入全面屏概念，意在提高手机屏幕的屏占比。为实现理想的全面屏显示状态，世界各地的相关从业者进行了很多理论和实际上的探索，其中屏下指纹识别系统已有产品量产，屏下摄像头和屏下通话功能仍在开发中。现有技术中，由于组装手机通话模块和摄像头模块需在手机屏一面预留相应的位置，所以很多新款全面屏手机均在屏幕顶端设置了缺口部分(notch)放置通话和摄像头模块，如IPHONE XS，华为P20系列等。也有在摄像头区域设计开口，如三星S10系列，由于其制程为激光切除显示区，例如主动区(active area,AA)的部分区域，故开口边界(border)需求宽度较宽，防止激光切割使显示区截面外露影响面板的性能。虽然该设计产出的面板可增大终端产品的屏占比，但缺口部分(notch)和打孔区域对于产品外观而言仍较为突兀，虽然此类设计仍占用了相当大的显示区域，但是与真正的全面屏幕的设想相差仍较大。
为实现相对真实的屏下摄像设计，终端设计者尝试从手机模组设计上改善，如OPPO FIND X，VIVO NEX手机等，但此类设计增大了手机制造复杂程度和易损坏风险。现显示业界结合透明显示相关经验，设计透明面板，以实现显示和屏下模组共存的设计。
与以往已开发的透明显示器不同的是，应用于手机面板的OLED面板均为顶发射OLED器件，对于顶发射器件，其透过率影响最大的因素为聚酰亚胺(Polyimide,PI)基板、薄膜晶体管(thin film transistor,TFT)金属走线和发射层阴极(emissive layercathode,EL cathode)。然而PI基板可更换为透明聚醯亞胺(colorless polyimide，CPI)基板提升透过，TFT金属走线可进行堆叠设计，提升发射层阴极透过率的方法只能尝试减薄部分区域厚度。然而顶发射器件中阳极由ITO/Ag/ITO组成，其与EL层最上层的阴极膜层可形成微腔效应增强EL器件出光效率，故对像素(pixel)发光区域阴极减薄不能提升该部分的透过率，反而会对OLED器件效率造成较大的影响。
故，有需要提供一种OLED面板、其蒸镀方法和其掩膜版组，以解决现有技术存在的问题。
发明内容
为解决上述技术问题，本揭示的目的在于提供OLED面板、其蒸镀方法和其掩膜版组，其能提升所述摄像区的透过率。
为达成上述目的，本揭示提供一种OLED面板的掩膜版组。所述OLED面板包括具有摄像区的显示区。所述掩膜版组包括第一掩膜版以及第二掩膜版。所述第一掩膜版包括共通掩膜开口区。所述共通掩膜开口区的大小覆盖整个所述显示区。所述第二掩膜版包括异型掩膜开口区。所述异型掩膜开口区的大小覆盖除所述摄像区的所有所述显示区。
于本揭示其中的一实施例中，所述掩膜版组还包括第三掩膜版，所述第三掩膜版包括精密掩膜区，所述精密掩膜区的大小覆盖整个所述摄像区，所述精密掩膜区的开口与所述摄像区的像素开口相对应。
于本揭示其中的一实施例中，所述第三掩膜版还包括第三掩膜版遮蔽区和第三掩膜框架，所述精密掩膜区和所述第三掩膜版遮蔽区交替排列，所述第三掩膜框架承载所述第三掩膜版遮蔽区，所述精密掩膜区的边界大于所述显示区的边界。
于本揭示其中的一实施例中，所述精密掩膜区的所述边界向所述显示区的所述边界扩展5～500μm。
于本揭示其中的一实施例中，所述第一掩膜版的厚度、所述第二掩膜版的厚度和所述第三掩膜版的厚度均为0.01～0.2mm。
于本揭示其中的一实施例中，所述第一掩膜版还包括第一掩膜版遮蔽区和第一掩膜框架，所述共通掩膜开口区和所述第一掩膜版遮蔽区交替排列，所述第一掩膜框架承载所述第一掩膜版遮蔽区，所述共通掩膜开口区的面积大于整个所述显示区的面积。
于本揭示其中的一实施例中，所述共通掩膜开口区的大小向所述显示区的所有边界扩展5～500μm。
于本揭示其中的一实施例中，所述第二掩膜版还包括第二掩膜版遮蔽区和第二掩膜框架，所述异型掩膜开口区和所述第二掩膜版遮蔽区交替排列，所述第二掩膜框架承载所述第二掩膜版遮蔽区，所述异型掩膜开口区的三个边界大于所述显示区的三个边界。
于本揭示其中的一实施例中，所述异型掩膜开口区的所述三个边界向所述显示区的所述三个边界扩展5～500μm。
为达成上述目的，本揭示还提供一种OLED面板的蒸镀方法。所述OLED面板的蒸镀方法包括：在同一基板上依照不同顺序使用第一掩膜版和第二掩膜版进行OLED面板的阴极的第一蒸镀制程和第二蒸镀制程，所述第一掩膜版包括共通掩膜开口区，所述共通掩膜开口区的大小覆盖整个所述显示区，所述第二掩膜版包括异型掩膜开口区，所述异型掩膜开口区的大小覆盖除所述摄像区的所有所述显示区。
于本揭示其中的一实施例中，所述OLED面板的阴极蒸镀方法还包括：进行所述第一蒸镀制程和所述第二蒸镀制程后，使用第三掩膜版进行所述OLED面板的所述阴极的第三蒸镀制程，，所述第三掩膜版包括精密掩膜区，所述精密掩膜区的大小覆盖整个所述摄像区，所述精密掩膜区的开口与所述摄像区的像素开口相对应。
于本揭示其中的一实施例中，所述第一蒸镀制程包括使用所述第一掩膜版使所述OLED面板的具有摄像区的显示区全面蒸镀具有第一厚度的第一阴极；所述第二蒸镀制程包括使用所述第二掩膜版使所述OLED面板的除所述摄像区的所有所述显示区蒸镀具有第二厚度的第二阴极，使所述摄像区的阴极厚度小于除所述摄像区的所有所述显示区的阴极厚度；所述第三蒸镀制程包括使用所述第三掩膜版使所述OLED面板的所述摄像区的像素开口蒸镀具有第三厚度的第三阴极。
于本揭示其中的一实施例中，所述第一蒸镀制程的顺序早于所述第二蒸镀制程。
于本揭示其中的一实施例中，所述第二蒸镀制程的顺序早于所述第一蒸镀制程。
于本揭示其中的一实施例中，至少分三次使用三张不同的所述第一掩膜版、所述第二掩膜版和所述第三掩膜版对所述显示区内不同的区域进行蒸镀，所述第一蒸镀制程的所述第一阴极的所述第一厚度为
Figure BDA0002356185530000041
所述第二蒸镀制程的所述第二阴极的所述第二厚度为
Figure BDA0002356185530000042
所述第三蒸镀制程的所述第三阴极的所述第三厚度为
Figure BDA0002356185530000043
除所述摄像区的所有所述显示区的阴极厚度为
Figure BDA0002356185530000044
所述显示区的所述摄像区的非像素开口区的阴极厚度为
Figure BDA0002356185530000046
所述摄像区的像素开口的阴极厚度为
Figure BDA0002356185530000045
为达成上述目的，本揭示还提供一种OLED面板。所述OLED面板包括阴极结构。所述阴极结构包括具有摄像区的显示区、具有第一厚度的第一阴极，全面设置在所述显示区上；以及具有第二厚度的第二阴极，设置在除所述摄像区的所有所述显示区上。
于本揭示其中的一实施例中，所述OLED面板的阴极结构还包括具有第三厚度的第三阴极，设置在所述摄像区的像素开口上。
于本揭示其中的一实施例中，所述第一阴极的所述第一厚度为
Figure BDA0002356185530000047
所述第二阴极的所述第二厚度为
Figure BDA0002356185530000048
所述第三阴极的所述第三厚度为
Figure BDA0002356185530000049
于本揭示其中的一实施例中，除所述摄像区的所有所述显示区的阴极厚度为
Figure BDA00023561855300000410
所述显示区的所述摄像区的非像素开口区的阴极厚度为
Figure BDA00023561855300000411
Figure BDA00023561855300000412
所述摄像区的像素开口的阴极厚度为
Figure BDA00023561855300000413
于本揭示其中的一实施例中，所述阴极结构的材料由不同比例的Ag/Mg合金组成，Mg含量与所述Ag/Mg合金的比值为0％～95％。
由于本揭示的实施例中的OLED面板、其蒸镀方法和其掩膜版组中，所述掩膜版组包括第一掩膜版以及第二掩膜版。所述第一掩膜版包括共通掩膜开口区。所述共通掩膜开口区的大小覆盖整个所述显示区。所述第二掩膜版包括异型掩膜开口区。所述异型掩膜开口区的大小覆盖除所述摄像区的所有所述显示区。所述OLED面板的阴极蒸镀方法包括：在同一基板上依照不同顺序使用第一掩膜版和第二掩膜版进行OLED面板的阴极的第一蒸镀制程和第二蒸镀制程，所述第一掩膜版如上所述的第一掩膜版，所述第二掩膜版如上所述的第二掩膜版。所述OLED面板的阴极结构包括具有摄像区的显示区、具有第一厚度的第一阴极，全面设置在所述显示区上；以及具有第二厚度的第二阴极，设置在除所述摄像区的所有所述显示区上。通过本揭示的实施例能提升所述摄像区的透过率。
为让本揭示的上述内容能更明显易懂，下文特举优选实施例，并配合所附图式，作详细说明如下：
附图说明
图1显示根据本揭示的一实施例的OLED面板的结构示意图。
图2显示根据本揭示的一实施例的OLED面板的掩膜版组的结构示意图。
图3显示根据本揭示的一实施例的第二掩膜版的结构示意图。
图4显示根据本揭示的一实施例的第二掩膜版的结构示意图。
图5显示根据本揭示的一实施例的第二掩膜版基板的结构示意图。
图6显示根据本揭示的一实施例的第三掩膜版的结构示意图。
图7显示根据本揭示的一实施例的第三掩膜版的结构示意图。
图8显示根据本揭示的一实施例的第三掩膜版的结构示意图。
图9显示根据本揭示的一实施例的OLED面板的掩膜版组的结构示意图。
图10显示根据本揭示的一实施例的OLED面板的掩膜版组的结构示意图。
图11显示根据本揭示的一实施例的OLED面板的掩膜版组的结构示意图。
图12显示根据本揭示的一实施例的OLED面板的蒸镀方法的流程示意图。
图13显示根据本揭示的一实施例的OLED面板的阴极结构的结构示意图。
具体实施方式
为了让本揭示的上述及其他目的、特征、优点能更明显易懂，下文将特举本揭示优选实施例，并配合所附图式，作详细说明如下。再者，本揭示所提到的方向用语，例如上、下、顶、底、前、后、左、右、内、外、侧层、周围、中央、水平、横向、垂直、纵向、轴向、径向、最上层或最下层等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本揭示，而非用以限制本揭示。
在图中，结构相似的单元是以相同标号表示。
参照图1和图2，图1显示根据本揭示的一实施例的OLED面板的结构示意图。图2显示根据本揭示的一实施例的OLED面板的掩膜版组的结构示意图。于本揭示其中的一实施例中，OLED面板100包括具有摄像区112的显示区110，例如主动区(active area,AA)。掩膜版组200包括第一掩膜版210以及第二掩膜版220。所述第一掩膜版210包括共通掩膜开口区212。所述共通掩膜开口区212的大小覆盖整个所述显示区110。所述第二掩膜版220包括异型掩膜开口区222。所述异型掩膜开口区222的大小覆盖除所述摄像区112的所有所述显示区110。通过本揭示的实施例能提升所述摄像区112的透过率。
于本揭示其中的一实施例中，所述掩膜版组200还包括第三掩膜版230，所述第三掩膜版230包括精密掩膜区232，所述精密掩膜区232的大小覆盖整个所述摄像区112，所述精密掩膜区232的开口与所述摄像区112的像素开口相对应。
具体地，于本揭示其中的一实施例中，所述第一掩膜版210还包括第一掩膜版遮蔽区214和第一掩膜框架216，所述共通掩膜开口区212和所述第一掩膜版遮蔽区214交替排列，所述第一掩膜框架216承载所述第一掩膜版遮蔽区214，所述共通掩膜开口区212的面积大于整个所述显示区110的面积。具体地，于本揭示其中的一实施例中，所述共通掩膜开口区212的大小向所述显示区110的所有边界扩展5～500μm。所述第一掩膜版遮蔽区214通过激光点焊固定在所述第一掩膜框架216上，所述第一掩膜框架216的大小由所述第一掩膜版遮蔽区214的大小决定。
具体地，于本揭示其中的一实施例中，所述第二掩膜版220还包括第二掩膜版遮蔽区224和第二掩膜框架226，所述异型掩膜开口区222和所述第二掩膜版遮蔽区224交替排列，所述第二掩膜框架226承载所述第二掩膜版遮蔽区224，所述异型掩膜开口区222的三个边界大于所述显示区110的三个边界。具体地，于本揭示其中的一实施例中，所述异型掩膜开口区222的所述三个边界向所述显示区110的所述三个边界扩展5～500μm。所述第二掩膜版遮蔽区224通过激光点焊固定在所述第二掩膜框架226上，所述第二掩膜框架226的大小由所述第二掩膜版遮蔽区224的大小决定。具体地，于本揭示其中的一实施例中，所述第二掩膜版220的遮蔽方案依照具体设计而定，所述异型掩膜开口区222的大小和位置由所述显示区110的屏下模组开口而定，所述异型掩膜开口区222可完全覆盖，可以但不仅限于采用顶部notch、面板(panel)角处notch及桥接圆形遮蔽区等设计，如图3、图4和图5所示。
具体地，于本揭示其中的一实施例中，所述第三掩膜版230还包括第三掩膜版遮蔽区234和第三掩膜框架236，所述精密掩膜区232和所述第三掩膜版遮蔽区234交替排列，所述第三掩膜框架236承载所述第三掩膜版遮蔽区234，所述精密掩膜区232的边界大于所述显示区110的边界。具体地，于本揭示其中的一实施例中，所述精密掩膜区232的所述边界向所述显示区110的所述边界扩展5～500μm。所述第三掩膜版遮蔽区234通过激光点焊固定在所述第三掩膜框架236上，所述第三掩膜框架236的大小由所述第三掩膜版遮蔽区234的大小决定。具体地，于本揭示其中的一实施例中，所述第三掩膜版230的精密掩膜方案依照具体设计而定，所述精密掩膜区232的大小、位置及开口方案由panel AA区屏下模组开口大小、位置和像素设计而定，可以但不仅限于在panel顶部、panel角处及panel中间设置的精密金属掩膜方案等设计，如图6、图7和图8所示。
于本揭示其中的一实施例中，所述第一掩膜版210的厚度、所述第二掩膜版220的厚度和所述第三掩膜版230的厚度均为0.01～0.2mm。
综上所述，本揭示的实施例提供支持屏下模块的柔性OLED面板蒸镀用金属掩膜版组及其使用方法。本揭示的实施例将掩膜版组进行配套设计后，可实现屏下摄像区域阴极厚度的选择性减薄。该套金属掩模版组至少由两套金属掩膜板构成，其中一块金属掩膜板(所述第一掩膜版210)可覆盖整个显示区(active area,AA)，另一块金属掩膜板(所述第二掩膜版220)可覆盖除屏下摄像区域的所有AA区区域。利用此类设计，可通过简单的金属掩膜版设计和组合，提升屏下摄像区域OLED面板的透过率。本揭示的实施例提供一套金属掩膜版组，至少由3张掩膜板(Mask)构成，第一掩膜版210(Mask 1)、第二掩膜版220和第三掩膜版230(Mask 3)配套使用，用于阴极蒸镀工艺，所述金属掩膜版组包括承载掩膜版的金属框架，所述掩膜版上根据所用基板设计，在面板(panel)分布区域上存在相应数量和排列的掩模版,该套金属掩膜版组叠加的蒸镀对应区域可覆盖panel整个AA区的显示区域，且同一块panel内不同区域阴极厚度有所不同。
于本揭示其中的一实施例中，Mask 1和Mask 2设计的异型掩膜区域蒸镀叠加图形可覆盖panel AA区的所有区域，其中通过Mask 1开口的阴极蒸镀区域为整个panel AA区，使用Mask 2的阴极蒸镀区域为除panel AA区内屏下摄像设计区域外所有区域；使用Mask 3的阴极蒸镀范围可以且仅覆盖panel AA区内屏下摄像设计区域内所有像素开口，如图9、图10和图11所示。
于本揭示其中的一实施例中，在阴极蒸镀制程中，Mask 1、Mask 2分和Mask 3别在同一基板上形成相应完整连续的阴极膜层，可实现panel AA区屏下摄像区域阴极厚度减薄，非屏下摄像区域阴极厚度不变的设计，同时也可对屏下摄像区域的OLED器件进行微腔效应补偿，实现可选择性的减薄panel AA区部分区域阴极膜厚，提升屏下摄像区域基板的透过率的同时对整片Panel的显示性能和效果造成太大影响，如图2所示。
于本揭示其中的一实施例中，Mask 1和Mask 2的搭接处开口边界一般位于panelPDL gap处，且开口边缘设计会依照pixel排布做出相对应的设计，可随设计的PDL gap不同制作出不同的开口边缘设计，不一定为光滑直边边缘；Mask 3开口大小可依照设计覆盖一个或多个子像素，并向子像素外延伸0～20μm。
于本揭示其中的一实施例中，所述掩膜版组200可由电铸、蚀刻、金属拉丝或激光烧蚀等方法构筑。所述掩膜版组200的大小由所投入使用基板大小决定，相应大小的基板使用相应大小的所述掩膜版组200。
参照图12，图12显示根据本揭示的一实施例的OLED面板的蒸镀方法的流程示意图。本揭示的实施例提供OLED面板的蒸镀方法S100。所述OLED面板的阴极蒸镀方法S100包括：步骤S110：在同一基板上依照不同顺序使用第一掩膜版和第二掩膜版进行OLED面板的阴极的第一蒸镀制程和第二蒸镀制程，所述第一掩膜版如上所述的第一掩膜版，所述第二掩膜版如上所述的第二掩膜版。通过本揭示的实施例能提升所述摄像区的透过率。
于本揭示其中的一实施例中，所述OLED面板的阴极蒸镀方法S100还包括：步骤S120：进行所述第一蒸镀制程和所述第二蒸镀制程后，使用第三掩膜版进行所述OLED面板的所述阴极的第三蒸镀制程，所述第三掩膜版如上所述的第三掩膜版。
具体地，于本揭示其中的一实施例中，所述第一蒸镀制程包括使用所述第一掩膜版使所述OLED面板的具有摄像区的显示区全面蒸镀具有第一厚度的第一阴极；所述第二蒸镀制程包括使用所述第二掩膜版使所述OLED面板的除所述摄像区的所有所述显示区蒸镀具有第二厚度的第二阴极，使所述摄像区的阴极厚度小于除所述摄像区的所有所述显示区的阴极厚度；所述第三蒸镀制程包括使用所述第三掩膜版使所述OLED面板的所述摄像区的像素开口蒸镀具有第三厚度的第三阴极。
具体地，于本揭示其中的一实施例中，所述第一蒸镀制程的顺序早于所述第二蒸镀制程。具体地，于本揭示其中的另一实施例中，所述第二蒸镀制程的顺序早于所述第一蒸镀制程。具体地，于本揭示其中的一实施例中，至少分三次使用三张不同的所述第一掩膜版、所述第二掩膜版和所述第三掩膜版对所述显示区内不同的区域进行蒸镀，所述第一蒸镀制程的所述第一阴极的所述第一厚度为
Figure BDA0002356185530000091
所述第二蒸镀制程的所述第二阴极的所述第二厚度为
Figure BDA0002356185530000092
Figure BDA0002356185530000093
所述第三蒸镀制程的所述第三阴极的所述第三厚度为
Figure BDA0002356185530000094
除所述摄像区的所有所述显示区的阴极厚度为
Figure BDA0002356185530000095
所述显示区的所述摄像区的非像素开口区的阴极厚度为
Figure BDA0002356185530000096
所述摄像区的像素开口的阴极厚度为
Figure BDA0002356185530000097
参照图13，图13显示根据本揭示的一实施例的OLED面板的阴极结构的结构示意图。于本揭示其中的一实施例中，OLED面板的阴极结构300包括具有摄像区112的显示区110、具有第一厚度的第一阴极310，全面设置在所述显示区110上；以及具有第二厚度的第二阴极320，设置在除所述摄像区112的所有所述显示区110上。通过本揭示的实施例能提升所述摄像区112的透过率。
具体地，于本揭示其中的一实施例中，所述OLED面板的阴极结构300还包括具有第三厚度的第三阴极330，设置在所述摄像区112的像素开口1122上。
具体地，于本揭示其中的一实施例中，所述第一阴极310的所述第一厚度为
Figure BDA0002356185530000098
所述第二阴极320的所述第二厚度为
Figure BDA0002356185530000099
所述第三阴极330的所述第三厚度为
Figure BDA0002356185530000101
具体地，于本揭示其中的一实施例中，除所述摄像区112的所有所述显示区110的阴极厚度为
Figure BDA0002356185530000102
所述显示区110的所述摄像区112的非像素开口区1124的阴极厚度为
Figure BDA0002356185530000103
所述摄像区112的像素开口1122的阴极厚度为
Figure BDA0002356185530000104
具体地，于本揭示其中的一实施例中，所述阴极结构300的材料可以但不仅限于由不同比例的Ag/Mg合金组成，Mg含量与所述Ag/Mg合金的比值为0％～95％。
综上所述，本揭示的实施例提供一种新型柔性OLED面板蒸镀用金属掩膜版及阴极制程方法，通过设计相配套的若干块具有不同遮蔽区域的金属掩膜板，分先后顺序在同一块基板上进行阴极蒸镀，屏下摄像区域可在第二次蒸镀时被整体遮蔽，进而减薄摄像头所在区域的阴极厚度，提高该区域的透过率，又不对panel正常AA区阴极厚度造成影响，然后在第三次蒸镀时使用精密金属掩模版，对屏下摄像设计区域的像素开口上的阴极膜厚进行补偿。使用该设计的金属掩膜板可克服panel AA区中间遮蔽困难的问题，通过简单的设计和改进，实现屏中摄像头或通话模块开口处阴极被遮蔽的蒸镀制程方法，并最终实现真正的屏下摄像设计。
于本揭示其中的一实施例中，阴极蒸镀制程使用配套的Mask1和Mask2，分别在同一基板上先后进行阴极蒸镀制程，Mask使用可依照先使用Mask1使panel AA区全面蒸镀部分厚度的阴极，再使用Mask2蒸镀异型区域，使屏下摄像设计区阴极厚度薄于Panel AA区正常区域，最后使用Mask 3补偿屏下摄像区域像素开口上阴极厚度的方法；也可先使用Mask2蒸镀异性图形，再用Mask1对panel AA区进行全面蒸镀，最后再使用Mask 3补偿屏下摄像区域像素开口上阴极厚度的顺序。
于本揭示其中的一实施例中，所述的阴极蒸镀制程至少分三次使用三张不同的Mask对Panel AA区内不同的区域进行蒸镀，第一次蒸镀的阴极厚度为
Figure BDA0002356185530000105
第二次蒸镀的阴极厚度为
Figure BDA0002356185530000106
第三次蒸镀阴极厚度为
Figure BDA0002356185530000107
Figure BDA0002356185530000108
即Panel AA区正常区域阴极厚度为
Figure BDA0002356185530000109
Panel AA区中屏下摄像区域非像素开口区阴极厚度为
Figure BDA00023561855300001010
屏下摄像区域像素开口区阴极厚度为
Figure BDA00023561855300001011
综上所述，本揭示的实施例提供一种可提升OLED全面屏屏下摄像区域光线穿透率的阴极蒸镀方法,其用于全面屏OLED发光元器件阴极制作，该方法具体操作和使用设备如下：
步骤一、将蒸镀阴极使用的金属掩膜版Mask 1传入所对应的机台腔体内部。
步骤二、基板完成阴极前蒸镀制程，传送入阴极蒸镀腔MC 1。
步骤三、调整Mask 1和基板的对位和对位偏差基板并通过CCD完成对位，在腔体内金属掩膜版与基板紧贴在一起。
步骤四、基板完成第一次OLED阴极蒸镀制程，阴极透过Mask 1开口区成膜，此时阴极膜层覆盖panel AA区全部位置，镀膜厚度为
Figure BDA0002356185530000111
然后传送至另一阴极蒸镀腔体MC2(多腔体设计)，或将Mask 1替换为Mask 2(单腔体设计)。
步骤五、调整Mask 2和基板的对位和对位偏差基板并通过CCD完成对位，在腔体内金属掩膜版与基板紧贴在一起，开始第二次OLED阴极蒸镀制程。
步骤六、基板完成第二次OLED阴极蒸镀制程，阴极透过Mask 2开口区成膜，第二次阴极蒸镀时Panel AA区屏下摄像区域无阴极成膜，第二次蒸镀的阴极厚度为
Figure BDA0002356185530000112
然后传送至下一步制程。二次蒸镀完成后Panel AA区正常区域阴极厚度为
Figure BDA0002356185530000113
Panel AA区中屏下摄像区域阴极厚度为
Figure BDA0002356185530000114
Figure BDA0002356185530000115
步骤七、基板完成第二次OLED阴极蒸镀制程后，传送至第三个阴极蒸镀腔体MC 3(多腔体设计)，或将Mask 2替换为Mask 3(单腔体设计)，Mask 3与已完成第二次阴极蒸镀的基板进行对位，并对屏下摄像区域像素开口区阴极厚度进行补偿，第三次蒸镀阴极厚度为
Figure BDA0002356185530000116
即Panel AA区正常区域阴极厚度为
Figure BDA0002356185530000117
Panel AA区中屏下摄像区域非像素开口区阴极厚度为
Figure BDA0002356185530000118
屏下摄像区域像素开口区阴极厚度为
Figure BDA0002356185530000119
于本揭示其中的一实施例中，此套金属掩膜版材料通常为Invar合金，也可用SUS合金或其他种类合金制作。此套金属掩膜版用于全面屏OLED显示装置制造蒸镀制程中的阴极蒸镀，经CCD对位作用，完成该金属掩膜版Mask 1和基板对位，使Mask1开口区与相应panel镀膜区位置对准，完成第一次阴极镀膜；在同一腔体内，将Mask 1更换为Mask 2，再次经过CCD对位，使Mask 2开口区与相应panel镀膜区位置对准，完成第二次镀膜；随后在同一腔体内将Mask 2更换为Mask 3，经过CCD对位后，进行第三次蒸镀，三次镀膜的阴极pattern在panel AA区内叠加在仪器，经第三次阴极蒸镀后Panel AA区正常区域阴极厚度为
Figure BDA0002356185530000121
Panel AA区中屏下摄像区域非像素开口区阴极厚度为
Figure BDA0002356185530000122
屏下摄像区域像素开口区阴极厚度为
Figure BDA0002356185530000123
完成阴极制备后，基板可传入TFE制程机台内进行薄膜封装制程。
于本揭示其中的一实施例中，实际用于阴极蒸镀制程步骤如下：
1、首先将金属掩膜版Mask 1用机械手臂从Mask Stock中调出，放置在对应蒸镀阴极的腔室Mask托举装置上。
2、传送进机台的基板放置在承载基板的托举爪上，保证基板平稳放置在机台基板承载装置的托举爪上。
3、基板托举装置下降，利用基板承载装置边缘的PIN(小尺寸Mask适用)或CCD和掩模版Mask 1完成对位，使掩膜版开口区和panel需镀膜区域位置对应。
4、利用基板自身重力、平台施加的压力和机台磁板吸引使Mask与基板紧密贴合，然后开始进行OLED蒸镀制程，完成第一次阴极在panel表面沉积。
5、将Mask 1更换为Mask 2，重复上述1～4步骤。
6、将Mask 2更换为Mask 3，重复1～4步骤，即完成阴极蒸镀制程。
7、该腔体内两次阴极蒸镀制程结束后，基板托举装置将基板慢慢升起，与掩模版分离，基板上指定区域完成镀膜，并传送至下一段制程。
综上所述，本揭示的实施例提供以下至少其中一的有益效果。
1、可通过变更蒸镀阴极掩模版设计，解决现有的支持屏下摄像头的全面屏OLED面板制程中，阴极在相应屏下摄像设计区光透过率过低的问题。
2、从蒸镀制程上实现指定区域阴极减薄，省去现有制作工艺中后续激光烧蚀的工序，避免激光烧蚀对面板良率损失带来的风险。
3、利用FMM将像素开口处的阴极厚度进行补正，使不降低屏下摄像设计区透过率的同时可保证OLED device的微腔效应不会减弱，因此可在不大幅降低OLED器件效率的情况下提升屏下摄像设计区的透过率
4、现有产线无需追加设备和变更产线结构即可完成支持屏下摄像头的全面屏的制作，可降低设备采购及维护成本。
综上所述，本揭示的实施例提供一种新型柔性OLED面板蒸镀用金属掩膜版及阴极制程方法，通过设计一套异型金属掩膜掩模版，并在蒸镀阴极制程中组合应用，克服克服蒸镀阴极导致OLED面板透光率降低的问题，通过简单的设计和改进，实现屏中屏下摄像设计区指定区域阴极减薄，在现有技术上提高OLED面板指定区域的光透过率。
由于本揭示的实施例中的OLED面板、其蒸镀方法和其掩膜版组中，所述掩膜版组包括第一掩膜版以及第二掩膜版。所述第一掩膜版包括共通掩膜开口区。所述共通掩膜开口区的大小覆盖整个所述显示区。所述第二掩膜版包括异型掩膜开口区。所述异型掩膜开口区的大小覆盖除所述摄像区的所有所述显示区。所述OLED面板的阴极蒸镀方法包括：在同一基板上依照不同顺序使用第一掩膜版和第二掩膜版进行OLED面板的阴极的第一蒸镀制程和第二蒸镀制程，所述第一掩膜版如上所述的第一掩膜版，所述第二掩膜版如上所述的第二掩膜版。所述OLED面板的阴极结构包括具有摄像区的显示区、具有第一厚度的第一阴极，全面设置在所述显示区上；以及具有第二厚度的第二阴极，设置在除所述摄像区的所有所述显示区上。通过本揭示的实施例能提升所述摄像区的透过率。
尽管已经相对于一个或多个实现方式示出并描述了本揭示，但是本领域技术人员基于对本说明书和附图的阅读和理解将会想到等价变型和修改。本揭示包括所有这样的修改和变型，并且仅由所附权利要求的范围限制。特别地关于由上述组件执行的各种功能，用于描述这样的组件的术语旨在对应于执行所述组件的指定功能(例如其在功能上是等价的)的任意组件(除非另外指示)，即使在结构上与执行本文所示的本说明书的示范性实现方式中的功能的公开结构不等同。此外，尽管本说明书的特定特征已经相对于若干实现方式中的仅一个被公开，但是这种特征可以与如可以对给定或特定应用而言是期望和有利的其他实现方式的一个或多个其他特征组合。而且，就术语“包括”、“具有”、“含有”或其变形被用在具体实施方式或权利要求中而言，这样的术语旨在以与术语“包含”相似的方式包括。
以上仅是本揭示的优选实施方式，应当指出，对于本领域普通技术人员，在不脱离本揭示原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本揭示的保护范围。

Claims (20)

1.一种OLED面板的掩膜版组，其特征在于，所述OLED面板包括具有摄像区的显示区，所述掩膜版组包括：
第一掩膜版，包括共通掩膜开口区，所述共通掩膜开口区的大小覆盖整个所述显示区；以及
第二掩膜版，包括异型掩膜开口区，所述异型掩膜开口区的大小覆盖除所述摄像区的所有所述显示区。
2.根据权利要求1所述的OLED面板的掩膜版组，其特征在于，所述掩膜版组还包括第三掩膜版，所述第三掩膜版包括精密掩膜区，所述精密掩膜区的大小覆盖整个所述摄像区，所述精密掩膜区的开口与所述摄像区的像素开口相对应。
3.根据权利要求2所述的OLED面板的掩膜版组，其特征在于，所述第三掩膜版还包括第三掩膜版遮蔽区和第三掩膜框架，所述精密掩膜区和所述第三掩膜版遮蔽区交替排列，所述第三掩膜框架承载所述第三掩膜版遮蔽区，所述精密掩膜区的边界大于所述显示区的边界。
4.根据权利要求3所述的OLED面板的掩膜版组，其特征在于，所述精密掩膜区的所述边界向所述显示区的所述边界扩展5～500μm。
5.根据权利要求2所述的OLED面板的掩膜版组，其特征在于，所述第一掩膜版的厚度、所述第二掩膜版的厚度和所述第三掩膜版的厚度均为0.01～0.2mm。
6.根据权利要求1所述的OLED面板的掩膜版组，其特征在于，所述第一掩膜版还包括第一掩膜版遮蔽区和第一掩膜框架，所述共通掩膜开口区和所述第一掩膜版遮蔽区交替排列，所述第一掩膜框架承载所述第一掩膜版遮蔽区，所述共通掩膜开口区的面积大于整个所述显示区的面积。
7.根据权利要求6所述的OLED面板的掩膜版组，其特征在于，所述共通掩膜开口区的大小向所述显示区的所有边界扩展5～500μm。
8.根据权利要求1所述的OLED面板的掩膜版组，其特征在于，所述第二掩膜版还包括第二掩膜版遮蔽区和第二掩膜框架，所述异型掩膜开口区和所述第二掩膜版遮蔽区交替排列，所述第二掩膜框架承载所述第二掩膜版遮蔽区，所述异型掩膜开口区的三个边界大于所述显示区的三个边界。
9.根据权利要求8所述的OLED面板的掩膜版组，其特征在于，所述异型掩膜开口区的所述三个边界向所述显示区的所述三个边界扩展5～500μm。
10.一种OLED面板的蒸镀方法，其特征在于，包括：
在同一基板上依照不同顺序使用第一掩膜版和第二掩膜版进行OLED面板的阴极的第一蒸镀制程和第二蒸镀制程，所述第一掩膜版包括共通掩膜开口区，所述共通掩膜开口区的大小覆盖整个所述显示区，所述第二掩膜版包括异型掩膜开口区，所述异型掩膜开口区的大小覆盖除所述摄像区的所有所述显示区。
11.根据权利要求10所述的OLED面板的蒸镀方法，其特征在于，还包括：进行所述第一蒸镀制程和所述第二蒸镀制程后，使用第三掩膜版进行所述OLED面板的所述阴极的第三蒸镀制程，所述第三掩膜版包括精密掩膜区，所述精密掩膜区的大小覆盖整个所述摄像区，所述精密掩膜区的开口与所述摄像区的像素开口相对应。
12.根据权利要求11所述的OLED面板的蒸镀方法，其特征在于，所述第一蒸镀制程包括使用所述第一掩膜版使所述OLED面板的具有摄像区的显示区全面蒸镀具有第一厚度的第一阴极；所述第二蒸镀制程包括使用所述第二掩膜版使所述OLED面板的除所述摄像区的所有所述显示区蒸镀具有第二厚度的第二阴极，使所述摄像区的阴极厚度小于除所述摄像区的所有所述显示区的阴极厚度；所述第三蒸镀制程包括使用所述第三掩膜版使所述OLED面板的所述摄像区的像素开口蒸镀具有第三厚度的第三阴极。
13.根据权利要求12所述的OLED面板的蒸镀方法，其特征在于，所述第一蒸镀制程的顺序早于所述第二蒸镀制程。
14.根据权利要求12所述的OLED面板的蒸镀方法，其特征在于，所述第二蒸镀制程的顺序早于所述第一蒸镀制程。
15.根据权利要求12所述的OLED面板的蒸镀方法，其特征在于，至少分三次使用三张不同的所述第一掩膜版、所述第二掩膜版和所述第三掩膜版对所述显示区内不同的区域进行蒸镀，所述第一蒸镀制程的所述第一阴极的所述第一厚度为
Figure FDA0002356185520000021
所述第二蒸镀制程的所述第二阴极的所述第二厚度为
Figure FDA0002356185520000031
所述第三蒸镀制程的所述第三阴极的所述第三厚度为
Figure FDA0002356185520000032
除所述摄像区的所有所述显示区的阴极厚度为
Figure FDA0002356185520000033
所述显示区的所述摄像区的非像素开口区的阴极厚度为
Figure FDA0002356185520000034
所述摄像区的像素开口的阴极厚度为
Figure FDA0002356185520000035
16.一种OLED面板，其特征在于，包括：
阴极结构，所述阴极结构包括：
具有摄像区的显示区；
具有第一厚度的第一阴极，全面设置在所述显示区上；以及
具有第二厚度的第二阴极，设置在除所述摄像区的所有所述显示区上。
17.根据权利要求16所述的OLED面板，其特征在于，还包括：具有第三厚度的第三阴极，设置在所述摄像区的像素开口上。
18.根据权利要求17所述的OLED面板，其特征在于，所述第一阴极的所述第一厚度为
Figure FDA0002356185520000036
所述第二阴极的所述第二厚度为
Figure FDA0002356185520000037
所述第三阴极的所述第三厚度为
Figure FDA0002356185520000038
19.根据权利要求17所述的OLED面板，其特征在于，除所述摄像区的所有所述显示区的阴极厚度为
Figure FDA0002356185520000039
所述显示区的所述摄像区的非像素开口区的阴极厚度为
Figure FDA00023561855200000310
所述摄像区的像素开口的阴极厚度为
Figure FDA00023561855200000311
20.根据权利要求16所述的OLED面板，其特征在于，所述阴极结构的材料由不同比例的Ag/Mg合金组成，Mg含量与所述Ag/Mg合金的比值为0％～95％。
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