CN109306448A - 掩膜组件、蒸镀装置、蒸镀方法、阵列基板及显示面板 - Google Patents

Abstract

本发明实施例提供了一种掩膜组件、蒸镀装置、蒸镀方法、阵列基板及显示面板，涉及显示技术领域，提高显示面板中所蒸镀膜层的厚度均一性。掩膜组件用于对待蒸镀基板进行掩膜，待蒸镀基板包括至少一个第一非蒸镀区、围绕第一非蒸镀区的蒸镀区和围绕蒸镀区的第二非蒸镀区，其中，第一非蒸镀区包括透光区和围绕透光区的第一边框区；掩膜组件包括：主掩膜片，主掩膜片具有开口区域和遮挡区域；至少一个辅掩膜片，辅掩膜片不透光，辅掩膜片与第一非蒸镀区对应；用于承载辅掩膜片的支撑结构。上述掩膜组件用于对待蒸镀基板进行蒸镀。

Description

掩膜组件、蒸镀装置、蒸镀方法、阵列基板及显示面板

【技术领域】

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及掩膜组件、蒸镀装置、蒸镀方法、阵列基板及显示面板。

【背景技术】

在显示面板的制作工艺中，通常采用蒸镀工艺形成显示面板的各个膜层，如薄膜晶体管的栅极层、源漏极层，有机发光元件的发光层、阴极层，以及绝缘层、缓冲层等无机层。当在待蒸镀基板上形成某一膜层时，利用一张掩膜板对待蒸镀基板中不需要蒸镀的区域进行遮挡，以形成具有特定图案的膜层。

然而，随着显示技术的不断发展，部分显示面板的显示区中会设置一透光区域，透光区域内不设置膜层。如图1所示，图1为现有技术中显示面板所采用的掩膜板的结构示意图，在现有技术中，为避免在待蒸镀基板1′的透光区域2′和围绕透光区域2′的边框区域3′内蒸镀上膜层，通常采用第一掩膜板4′和第二掩膜板5′两块掩膜板，对待蒸镀基板1′进行两次蒸镀。

但是，采用该种蒸镀方式，受到工艺误差的影响，两次蒸镀的膜层在其交界处不可避免的会存在缺口或交叠的情况，导致膜层的厚度不均。

【发明内容】

有鉴于此，本发明实施例提供了一种掩膜组件、蒸镀装置、蒸镀方法、阵列基板及显示面板，用以提高显示面板中所蒸镀膜层的厚度均一性。

一方面，本发明实施例提供了一种掩膜组件，所述掩膜组件用于对待蒸镀基板进行掩膜，所述待蒸镀基板包括至少一个第一非蒸镀区、围绕所述第一非蒸镀区的蒸镀区和围绕所述蒸镀区的第二非蒸镀区，其中，所述第一非蒸镀区包括透光区和围绕所述透光区的第一边框区；

所述掩膜组件包括：

主掩膜片，所述主掩膜片具有开口区域和遮挡区域；

至少一个辅掩膜片，所述辅掩膜片不透光，所述辅掩膜片与所述第一非蒸镀区对应；

支撑结构，用于承载所述辅掩膜片。

另一方面，本发明实施例提供了一种蒸镀装置，所述蒸镀装置包括：

蒸镀腔室；

上述掩膜组件，所述掩膜组件可移动的置于所述蒸镀腔室；

设于所述蒸镀腔室内的蒸发源，所述蒸发源设于所述掩膜组件背向所述待蒸镀基板的一侧；

所述蒸镀装置用于对待蒸镀基板进行蒸镀，其中，所述待蒸镀基板可移动的置于所述蒸镀腔室，所述待蒸镀基板包括至少一个第一非蒸镀区、围绕所述第一非蒸镀区的蒸镀区和围绕所述蒸镀区的第二非蒸镀区，其中，所述第一非蒸镀区包括透光区和围绕所述透光区的第一边框区。

再一方面，本发明实施例提供了一种蒸镀方法，所述蒸镀方法应用于上述蒸镀装置中，所述蒸镀方法包括：

通过掩膜组件和蒸发源对待蒸镀基板进行蒸镀，使所述待蒸镀基板的蒸镀区内蒸镀有膜层，第一非蒸镀区和第二非蒸镀区内未蒸镀有膜层。

又一方面，本发明实施例提供了一种阵列基板，所述阵列基板由上述蒸镀方法蒸镀形成；

所述阵列基板包括透光区、围绕所述透光区的第一边框区、围绕所述第一边框区的显示区和围绕所述显示区的第二边框区；其中，所述显示区内蒸镀有膜层，所述透光区、所述第一边框区和所述第二边框区内未蒸镀有膜层。

再一方面，本发明实施例提供了一种显示面板，所述显示面板包括上述阵列基板。

上述技术方案中的一个技术方案具有如下有益效果：

采用本发明实施例所提供的技术方案，通过利用辅掩膜片对第一非蒸镀区进行遮挡，可以避免将蒸镀材料被蒸镀到待蒸镀基板的透光区和第一边框区，既能保证透光区具有良好的透光性，还能避免对第一边框区的后续封装造成影响。进一步的，与现有技术中利用两张掩膜板分别进行两次蒸镀的方式相比，在本发明实施例中，仅需采用一次蒸镀工艺即可在蒸镀区内蒸镀形成一层完整膜层，避免了两次蒸镀的膜层在交界处出现缺口或交叠的情况，提高了所蒸镀膜层的厚度均一性。并且，仅利用辅掩膜片实现对透光区和第一边框区的遮挡，还能减少所采用的掩膜板的数量，在一定程度上降低制作成本。

【附图说明】

为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。

图1是现有技术中显示面板所采用的掩膜板的结构示意图；

图2是本发明实施例所提供的掩膜组件的结构示意图；

图3是本发明实施例所提供的支撑结构的结构示意图；

图4是本发明实施例所提供的第一支撑基板的结构示意图；

图5是本发明实施例所提供的支撑结构的另一种结构示意图；

图6是本发明实施例所提供的蒸镀装置的结构示意图；

图7是本发明实施例所提供的蒸镀装置的另一种结构示意图；

图8是图7的侧视图；

图9是本发明实施例所提供的蒸镀装置的又一种结构示意图；

图10是图9的侧视图；

图11是本发明实施例所提供的蒸镀方法的流程图；

图12是本发明实施例所提供的蒸镀方法的流程图；

图13是本发明实施例所提供的阵列基板的结构示意图；

图14是图13的局部放大示意图；

图15是本发明实施例所提供的显示面板的结构示意图。

【具体实施方式】

为了更好的理解本发明的技术方案，下面结合附图对本发明实施例进行详细描述。

应当明确，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。

在本发明实施例中使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本发明。在本发明实施例和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义。

应当理解，本文中使用的术语“和/或”仅仅是一种描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和/或B，可以表示：单独存在A，同时存在A和B，单独存在B这三种情况。另外，本文中字符“/”，一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。

应当理解，尽管在本发明实施例中可能采用术语第一、第二来描述非蒸镀区，但这些非蒸镀区不应限于这些术语。这些术语仅用来将非蒸镀区彼此区分开。例如，在不脱离本发明实施例范围的情况下，第一非蒸镀区也可以被称为第二非蒸镀区，类似地，第二非蒸镀区也可以被称为第一非蒸镀区。

本发明实施例提供了一种掩膜组件，该掩膜组件用于对待蒸镀基板进行掩膜，以实现在待蒸镀基板上形成显示面板所需的各种膜层，如薄膜晶体管的栅极层、源漏极层，有机发光元件的发光层、阴极层，以及绝缘层、缓冲层等无机层。

如图2所示，图2为本发明实施例所提供的掩膜组件的结构示意图，待蒸镀基板1包括至少一个第一非蒸镀区2、围绕第一非蒸镀区2的蒸镀区3和围绕蒸镀区3的第二非蒸镀区4，其中，第一非蒸镀区2包括透光区5和围绕透光区5的第一边框区6。

掩膜组件7包括主掩膜片8、至少一个辅掩膜片9和支撑结构10。其中，主掩膜片8具有开口区域11和遮挡区域12；辅掩膜片9不透光，且辅掩膜片9与第一非蒸镀区2对应；支撑结构10用于承载辅掩膜片9。

需要说明的是，透光区5是指显示面板中透光率较高的区域，透光区5内不进行膜层蒸镀。示例性的，透光区5用于对应设置摄像头组件或听筒组件，显示面板在透光区5处透明但不切割，或者，显示面板在后续工艺中在透光区5处进行切割，使透光区5处形成一通孔。

此外，还需要说明的是，上述“辅掩膜片9与第一非蒸镀区2对应”是指辅掩膜片9的形状和面积与第一非蒸镀区2的形状和面积均相同，并且，在对待蒸镀基板1进行蒸镀时，辅掩膜片9的放置位置与第一非蒸镀区2对应，使得辅掩膜片9对第一非蒸镀区2进行遮挡。

具体的，在对待蒸镀基板1进行蒸镀时，主掩膜片8放置在张网机上，通过调整主掩膜片8的放置位置，使其遮挡区域12与第二非蒸镀区4对应，开口区域11与蒸镀区3对应；辅掩膜片9放置在支撑结构10上，通过调整支撑结构10的放置位置，使辅掩膜片9与第一非蒸镀区2的位置对应。然后，利用蒸发源蒸发蒸镀材料时，在主掩膜片8和辅掩膜片9的遮挡作用下，蒸镀材料仅能被蒸发到蒸镀区3内，从而在待蒸镀基板1的蒸镀区3内形成膜层。

可见，采用本发明实施例所提供的掩膜组件7，通过利用辅掩膜片9对第一非蒸镀区2进行遮挡，可以避免将蒸镀材料被蒸镀到待蒸镀基板1的透光区5和第一边框区6，既能保证透光区5具有良好的透光性，还能避免对第一边框区6的后续封装造成影响。进一步的，与现有技术中利用两张掩膜板分别进行两次蒸镀的方式相比，在本发明实施例中，仅需采用一次蒸镀工艺即可在蒸镀区3内蒸镀形成一层完整膜层，避免了两次蒸镀的膜层在交界处出现缺口或交叠的情况，提高了所蒸镀膜层的厚度均一性。并且，仅利用辅掩膜片9实现对透光区5和第一边框区6的遮挡，还能减少所采用的掩膜板的数量，在一定程度上降低制作成本。

可选的，如图3所示，图3为本发明实施例所提供的支撑结构的结构示意图，支撑结构10包括第一支撑基板13和至少一个支撑柱14，其中，支撑柱14设于第一支撑基板13上，用于承载辅掩膜片9。基于支撑柱14的柱状结构，当支撑柱14承载辅掩膜片9时，支撑柱14与辅掩膜片9的接触面积较大，支撑较为稳定。

进一步的，请再次参见图3，支撑柱14具体可包括空心柱15、设于空心柱15内的电磁铁16、以及设于空心柱15上的承载台17。

在蒸镀前，对空心柱15内的电磁铁16通电，利用磁力将辅掩膜片9吸附在承载台17上，实现对辅掩膜片9的承载，并且，通过控制空心柱15在第一支撑基板13上的移动，实现辅掩膜片9与第一非蒸镀区2的对位。在对位完成后，对电磁铁16进行断电，实现辅掩膜片9与承载台17的脱离。如此设置，利用磁力对辅掩膜片9吸附，在辅掩膜片9与第一非蒸镀区2进行对位时，可以避免辅掩膜片9在承载台17上发生位置偏移，从而保证对位的准确性，进而保证辅掩膜片9对第一非蒸镀区2的全部区域进行遮挡。并且，通过对电磁铁16断电实现辅掩膜片9与承载台17的脱离，还能避免人为的脱离操作对辅掩膜片9造成损伤的问题。

可选的，如图4所示，图4为本发明实施例所提供的第一支撑基板的结构示意图，第一支撑基板13上设有多条轨道18，支撑柱14可滑动的设于支撑基板的轨道18内。通过控制支撑柱14在轨道18内沿着平行于第一支撑基板13所在平面方向上滑动，能够对承载在支撑柱14上的辅掩膜片9的位置进行调整，从而实现辅掩膜片9与第一非蒸镀区2的精确对位。

进一步的，为调节辅掩膜片9与待蒸镀基板1之间的间距，轨道18还可以沿着垂直于第一支撑基板13所在平面的方向上进行伸缩，以带动辅掩膜片9沿着朝向或远离待蒸镀基板1的方向上移动。

可选的，如图5所示，图5为本发明实施例所提供的支撑结构的另一种结构示意图，支撑结构10包括第二支撑基板19。辅掩膜片9具有第一限位部20，第二支撑基板19具有用于与第一限位部20配合的第二限位部21。

在蒸镀前，将辅掩膜片9放置在第二支撑基板19上，辅掩膜片9的第一限位部20与第二支撑基板19的第二限位部21配合，并通过调整第二支撑基板19的放置位置，实现辅掩膜片9与第一非蒸镀区2的对位。由于辅掩膜片9的第一限位部20与第二支撑基板19的第二限位部21配合，因此可避免辅掩膜片9在第二支撑基板19上发生位置偏移，从而保证对位的准确性，进而保证辅掩膜片9对第一非蒸镀区2的全部区域进行遮挡。

具体的，请再次参见图5，第一限位部20为凸起，第二限位部21为凹槽。将辅掩膜片9放置在第二支撑基板19上时，辅掩膜片9的凸起卡扣在第二支撑基板19的凹槽内，实现对辅掩膜片9放置位置的固定。

需要说明的是，图5所示的第一限位部20和第二限位部21的形状仅仅为示例性说明，在本发明其他可选的实施例中，第一限位部20和第二限位部21也可为其他形状，如锥形，半球形等。

可选的，主掩膜片8包括开放式掩膜片和/或高精度金属掩模片。

其中，开放式掩膜片(Open Mask)是指开口区域11面积较大的掩膜片，适用于在待蒸镀基板1上形成覆盖面积较大的膜层。例如，对于平坦化层、钝化层或绝缘层，该类膜层在显示面板所在平面内的正投影覆盖显示面板的整个显示区，因此，在待蒸镀基板1上蒸镀该类膜层时，主掩膜片8为开放式掩膜片，主掩膜片8的开口区域11对应显示面板的整个显示区，进而通过辅掩膜片9对透光区5和第一边框区6进行遮挡，避免将这部分膜层蒸镀到透光区5和第一边框区6内。

高精度金属掩模片(Fine Metal Mask，简称FMM)通常用于保证像素精密度，高精度金属掩模片的开口区域11数量较多，且每个开口区域11的面积较小，适用于在待蒸镀基板1上形成图案精细且覆盖面积较小的膜层。例如，对于发光层或发光补偿层，该类膜层在显示面板所在平面内的正投影仅覆盖显示面板中子像素的发光区，因此，在待蒸镀基板1上蒸镀该类膜层时，主掩膜片8为高精度金属掩模片，主掩膜片8的开口区域11对应显示区中子像素的发光区，进而通过辅掩膜片9对透光区5和第一边框区6进行遮挡，避免将这部分膜层蒸镀到透光区5和第一边框区6内。

本发明实施例还提供了一种蒸镀装置，如图6所示，图6为本发明实施例所提供的蒸镀装置的结构示意图，该蒸镀装置包括蒸镀腔室23、掩膜组件7和蒸发源24。其中，掩膜组件7可移动的置于蒸镀腔室23，掩膜组件7的具体结构已在上述实施例中进行详细说明，此处不再赘述；蒸发源24设于蒸镀腔室23内，且蒸发源24设于掩膜组件7背向待蒸镀基板1的一侧。

蒸镀装置用于对待蒸镀基板1进行蒸镀，结合图2，待蒸镀基板1可移动的置于蒸镀腔室23，待蒸镀基板1包括至少一个第一非蒸镀区2、围绕第一非蒸镀区2的蒸镀区3和围绕蒸镀区3的第二非蒸镀区4，其中，第一非蒸镀区2包括透光区5和围绕透光区5的第一边框区6。

具体的，通过掩膜组件7和蒸发源24对待蒸镀基板1进行蒸镀，使待蒸镀基板1的蒸镀区3内蒸镀有膜层，第一非蒸镀区2和第二非蒸镀区4内未蒸镀有膜层。其中，掩膜组件7的工作原理已经在上述实施例中进行详细说明，此处不再赘述。

由于本发明实施例所提供的蒸镀装置包括上述掩膜组件7，因此，采用该蒸镀装置，通过利用掩膜组件7的辅掩膜片9对第一非蒸镀区2进行遮挡，可以避免将蒸镀材料蒸镀到待蒸镀基板1的透光区5和第一边框区6上，既能保证透光区5具有良好的透光性，还能避免对第一边框区6的后续封装造成影响。进一步的，与现有技术中利用两张掩膜板分别进行两次蒸镀的方式相比，在本发明实施例中，仅需采用一次蒸镀工艺即可在蒸镀区3内蒸镀形成一层完整膜层，避免了两次蒸镀的膜层在交界处出现缺口或交叠的情况，提高了所蒸镀膜层的厚度均一性。

可选的，结合图3，当掩膜组件7的支撑结构10包括第一支撑基板13和至少一个支撑柱14，且支撑柱14包括空心柱15、电磁铁16和承载台17时，如图7和图8所示，图7为本发明实施例所提供的蒸镀装置的另一种结构示意图，图8为图7的侧视图，蒸镀装置还包括第一磁板25，第一磁板25可移动的置于蒸镀腔室23，第一磁板25设于待蒸镀基板1背向掩膜组件7的一侧。

具体的，蒸镀前，将掩膜组件7的主掩膜片8与待蒸镀基板1进行对位、以及将被电磁铁16吸附在承载台17上的辅掩膜片9与待蒸镀基板1进行对位；通过第一磁板25吸附辅掩膜片9，并将支撑结构10移出蒸镀腔室23。蒸镀时，蒸发源24蒸发蒸镀材料，对待蒸镀基板1进行蒸镀，在主掩膜片8和辅掩膜片9的遮挡作用下，使待蒸镀基板1的蒸镀区3内蒸镀有膜层，第一非蒸镀区2和第二非蒸镀区4内未蒸镀有膜层。蒸镀结束后，将支撑结构10移入蒸镀腔室23，使辅掩膜片9被电磁铁16吸附在承载台17上；第一磁板25上升，并将吸附有辅掩膜片9的支撑结构10移出蒸镀腔室23；将蒸镀好的待蒸镀基板1移出蒸镀腔室23。

蒸镀前，利用第一磁板25对辅掩膜片9进行吸附，可以使得辅掩膜片9与支撑结构10脱离，这样，当支撑结构10移出蒸镀腔室23时辅掩膜片9就不会随其发生移动，从而避免了辅掩膜片9与第一非蒸镀区2的相对位置发生偏移，进而避免在第一非蒸镀区2蒸镀上膜层。蒸镀结束后，利用第一磁板25对辅掩膜片9进行吸附，第一磁板25可以带动辅掩膜片9一同移出蒸镀腔室23。

可选的，结合图5，当掩膜组件7的支撑结构10包括第二支撑基板19，掩膜组件7的辅掩膜片9具有第一限位部20，第二支撑基板19具有第二限位部21时，如图9和图10所示，图9为本发明实施例所提供的蒸镀装置的又一种结构示意图，图10为图9的侧视图，蒸镀装置还包括第二磁板26和第三磁板27。其中，第二磁板26可移动的置于蒸镀腔室23，第二磁板26设于待蒸镀基板1背向掩膜组件7的一侧，第三磁板27可移动的置于蒸镀腔室23，第三磁板27设于掩膜组件7背向待蒸镀基板1的一侧。

具体的，蒸镀前，将掩膜组件7的主掩膜片8与待蒸镀基板1进行对位、以及将放置在第二支撑基板19上的辅掩膜片9与待蒸镀基板1进行对位；第三磁板27推动第二支撑基板19上升，通过第二磁板26吸附辅掩膜片9，并将第三磁板27和第二支撑基板19移出蒸镀腔室23。蒸镀时，蒸发源24蒸发蒸镀材料，对待蒸镀基板1进行蒸镀，在主掩膜片8和辅掩膜片9的遮挡作用下，使待蒸镀基板1的蒸镀区3内蒸镀有膜层，第一非蒸镀区2和第二非蒸镀区4内未蒸镀有膜层。蒸镀结束后，将第三磁板27和第二支撑基板19移入蒸镀腔室23，将辅掩膜片9放置在第二支撑基板19上，通过第三磁板27吸附辅掩膜片9，并将第二磁板26移出蒸镀腔室23；将第三磁板27和放置有辅掩膜片9的第二支撑基板19移出蒸镀腔室23；将蒸镀好的待蒸镀基板1移出蒸镀腔室23。

蒸镀前，利用第二磁板26对辅掩膜片9进行吸附，可以使得辅掩膜片9与第二支撑基板19脱离，这样，当第三磁板27和第二支撑基板19移出蒸镀腔室23时辅掩膜片9就不会随其发生移动，从而避免了辅掩膜片9与第一非蒸镀区2的相对位置发生偏移，进而避免在第一非蒸镀区2蒸镀上膜层。蒸镀结束后，利用第三磁板27对辅掩膜片9进行吸附，第三磁板27可以带动辅掩膜片9一同移出蒸镀腔室23。

需要说明的是，为对辅掩膜片9实现更好的吸附作用，第二磁板26与待蒸镀基板1之间还可设置辅助吸附基板(图中未示出)，蒸镀前，当第三磁板27推动第二支撑基板19上升后，辅助吸附基板下降，第二磁板26吸附辅掩膜片9。蒸镀结束后，辅助基板和第二磁板26同时移出蒸镀腔室23。

本发明实施例还提供了一种蒸镀方法，该蒸镀方法应用于上述蒸镀装置中。该蒸镀方法包括：通过掩膜组件7和蒸发源24对待蒸镀基板1进行蒸镀，使待蒸镀基板1的蒸镀区3内蒸镀有膜层，第一非蒸镀区2和第二非蒸镀区4内未蒸镀有膜层。其中，掩膜组件7的工作原理已在上述实施例中进行了详细说明，此处不再赘述。

由于本发明实施例所提供的蒸镀方法应用于上述蒸镀装置中，因此，采用该蒸镀方法，可以避免将蒸镀材料蒸镀到待蒸镀基板1的透光区5和第一边框区6上，既能保证透光区5具有良好的透光性，还能避免对第一边框区6的后续封装造成影响。进一步的，与现有技术中利用两张掩膜板分别进行两次蒸镀的方式相比，在本发明实施例中，仅需采用一次蒸镀工艺即可在蒸镀区3内蒸镀形成一层完整膜层，避免了两次蒸镀的膜层在交界处出现缺口或交叠的情况，提高了所蒸镀膜层的厚度均一性。

可选的，结合图2和图7，当掩膜组件7的支撑结构10包括第一支撑基板13和至少一个支撑柱14，支撑柱14包括空心柱15、电磁铁16和承载台17，且蒸镀装置还包括第一磁板25时，如图11所示，图11为本发明实施例所提供的蒸镀方法的流程图，通过掩膜组件7和蒸发源24对待蒸镀基板1进行蒸镀，使待蒸镀基板1的蒸镀区3内蒸镀有膜层，第一非蒸镀区2和第二非蒸镀区4内未蒸镀有膜层具体可包括：

步骤S1：将掩膜组件7的主掩膜片8与待蒸镀基板1进行对位、以及将被电磁铁16吸附在承载台17上的辅掩膜片9与待蒸镀基板1进行对位。

步骤S2：通过第一磁板25吸附辅掩膜片9，并将支撑结构10移出蒸镀腔室23。

步骤S3：通过蒸发源24对待蒸镀基板1进行蒸镀，使待蒸镀基板1的蒸镀区3内蒸镀有膜层，第一非蒸镀区2和第二非蒸镀区4内未蒸镀有膜层。

步骤S4：将支撑结构10移入蒸镀腔室23，使辅掩膜片9被电磁铁16吸附在承载台17上。

步骤S5：第一磁板25上升，并将吸附有辅掩膜片9的支撑结构10移出蒸镀腔室23。

步骤S6：将蒸镀好的待蒸镀基板1移出蒸镀腔室23。

蒸镀前，利用第一磁板25对辅掩膜片9进行吸附，可以使得辅掩膜片9与支撑结构10脱离，这样，当支撑结构10移出蒸镀腔室23时辅掩膜片9就不会随其发生移动，从而避免了辅掩膜片9与第一非蒸镀区2的相对位置发生偏移，进而避免在第一非蒸镀区2蒸镀上膜层。蒸镀结束后，利用第一磁板25对辅掩膜片9进行吸附，第一磁板25可以带动辅掩膜片9一同移出蒸镀腔室23。

可选的，结合图5和图9，当掩膜组件7的支撑结构10包括第二支撑基板19，掩膜组件7的辅掩膜片9具有第一限位部20，第二支撑基板19具有第二限位部21，且蒸镀装置还包括第二磁板26和第三磁板27时，如图12所示，图12为本发明实施例所提供的蒸镀方法的流程图，通过掩膜组件7和蒸发源24对待蒸镀基板1进行蒸镀，使待蒸镀基板1的蒸镀区3内蒸镀有膜层，第一非蒸镀区2和第二非蒸镀区4内未蒸镀有膜层具体可包括：

步骤K1：将掩膜组件7的主掩膜片8与待蒸镀基板1进行对位、以及将放置在第二支撑基板19上的辅掩膜片9与待蒸镀基板1进行对位。

步骤K2：第三磁板27推动第二支撑基板19上升，通过第二磁板26吸附辅掩膜片9，并将第三磁板27和第二支撑基板19移出蒸镀腔室23。

步骤K3：通过蒸发源24对待蒸镀基板1进行蒸镀，使待蒸镀基板1的蒸镀区3内蒸镀有膜层，第一非蒸镀区2和第二非蒸镀区4内未蒸镀有膜层。

步骤K4：将第三磁板27和第二支撑基板19移入蒸镀腔室23，将辅掩膜片9放置在第二支撑基板19上，通过第三磁板27吸附辅掩膜片9，并将第二磁板26移出蒸镀腔室23。

步骤K5：将第三磁板27和放置有辅掩膜片9的第二支撑基板19移出蒸镀腔室23。

步骤K6：将蒸镀好的待蒸镀基板1移出蒸镀腔室23。

蒸镀前，利用第二磁板26对辅掩膜片9进行吸附，可以使得辅掩膜片9与第二支撑基板19脱离，这样，当第三磁板27和第二支撑基板19移出蒸镀腔室23时辅掩膜片9就不会随其发生移动，从而避免了辅掩膜片9与第一非蒸镀区2的相对位置发生偏移，进而避免在第一非蒸镀区2蒸镀上膜层。蒸镀结束后，利用第三磁板27对辅掩膜片9进行吸附，第三磁板27可以带动辅掩膜片9一同移出蒸镀腔室23。

本发明实施例还提供了一种阵列基板，该阵列基板由上述蒸镀方法蒸镀形成。如图13所示，图13为本发明实施例所提供的阵列基板的结构示意图，该阵列基板包括透光区5、围绕透光区5的第一边框区6、围绕第一边框区6的显示区28和围绕显示区28的第二边框区29。其中，显示区28内蒸镀有膜层，透光区5、第一边框区6和第二边框区29内未蒸镀有膜层。

需要说明的是，图13所示的阵列基板中透光区5和第一边框区6的设置位置仅为示意性说明，在实际应用中，透光区5和第一边框区6可设置在任意位置。

由于本发明实施例所提供的阵列基板由上述蒸镀方法蒸镀形成，因此，采用该阵列基板，能够保证透光区5和第一边框区6内未蒸镀有膜层，不仅保证了透光区5具有良好的透光性，还避免了对第一边框区6的后续封装造成影响。此外，还能提高阵列基板中所蒸镀膜层的厚度均一性。

可选的，掩膜组件7的主掩膜片8包括高精度金属掩模片。如图14所示，图14为图13的局部放大示意图，显示区28内设有多个子像素30，子像素30所在膜层包括发光层31；其中，多个子像素30中靠近第一边框区6的一圈子像素30为第一类子像素32，其余子像素30为第二类子像素33，第一类子像素32的发光层31的蒸镀面积小于第二类子像素33的发光层31的蒸镀面积。

当采用高精度金属掩模片和辅掩膜片9蒸镀形成发光层31时，受到辅掩膜片9的遮挡作用，对于高精度金属掩模片中与第一类子像素32的发光层31对应的开口区域11来说，这部分开口区域11中的部分区域会被辅掩膜片9遮挡，从而使得第一类子像素32的发光层31的蒸镀面积小于第二类子像素33的发光层31的蒸镀面积。该种设置，可以保证第一类子像素32的发光层31的边缘为平滑的曲线，当第一类子像素32发光时，可以消除第一边框区6处的锯齿感，改善显示效果。

本发明实施例还提供了一种显示面板，如图15所示，图15为本发明实施例所提供的显示面板的结构示意图，该显示面板包括上述阵列基板100。由于本发明实施例所提供的显示面板包括上述阵列基板100，因此，采用该显示面板，避免了将膜层蒸镀在透光区5和第一边框区6内，不仅保证透光区5具有良好的透光性，还避免了对第一边框区6的后续封装造成影响，此外，也提高了显示面板中所蒸镀膜层的厚度均一性。

以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明保护的范围之内。

Claims (16)

1.一种掩膜组件，其特征在于，所述掩膜组件用于对待蒸镀基板进行掩膜，所述待蒸镀基板包括至少一个第一非蒸镀区、围绕所述第一非蒸镀区的蒸镀区和围绕所述蒸镀区的第二非蒸镀区，其中，所述第一非蒸镀区包括透光区和围绕所述透光区的第一边框区；

所述掩膜组件包括：

主掩膜片，所述主掩膜片具有开口区域和遮挡区域；

至少一个辅掩膜片，所述辅掩膜片不透光，所述辅掩膜片与所述第一非蒸镀区对应；

支撑结构，用于承载所述辅掩膜片。

2.根据权利要求1所述的掩膜组件，其特征在于，所述支撑结构包括：

第一支撑基板；

设于所述第一支撑基板上的至少一个支撑柱，所述支撑柱用于承载所述辅掩膜片。

3.根据权利要求2所述的掩膜组件，其特征在于，所述支撑柱包括：

空心柱；

设于所述空心柱内的电磁铁；

设于所述空心柱上的承载台。

4.根据权利要求2所述的掩膜组件，其特征在于，所述第一支撑基板上设有多条轨道，所述支撑柱可滑动的设于所述支撑基板的所述轨道内。

5.根据权利要求1所述的掩膜组件，其特征在于，所述支撑结构包括第二支撑基板；

所述辅掩膜片具有第一限位部，所述第二支撑基板具有用于与所述第一限位部配合的第二限位部。

6.根据权利要求5所述的掩膜组件，其特征在于，所述第一限位部为凸起，所述第二限位部为凹槽。

7.根据权利要求1所述的掩膜组件，其特征在于，所述主掩膜片包括开放式掩膜片和/或高精度金属掩模片。

8.一种蒸镀装置，其特征在于，所述蒸镀装置包括：

蒸镀腔室；

如权利要求1～7任一项所述的掩膜组件，所述掩膜组件可移动的置于所述蒸镀腔室；

设于所述蒸镀腔室内的蒸发源，所述蒸发源设于所述掩膜组件背向所述待蒸镀基板的一侧；

所述蒸镀装置用于对待蒸镀基板进行蒸镀，其中，所述待蒸镀基板可移动的置于所述蒸镀腔室，所述待蒸镀基板包括至少一个第一非蒸镀区、围绕所述第一非蒸镀区的蒸镀区和围绕所述蒸镀区的第二非蒸镀区，其中，所述第一非蒸镀区包括透光区和围绕所述透光区的第一边框区。

9.根据权利要求8所述的蒸镀装置，其特征在于，所述掩膜组件的支撑结构包括第一支撑基板和设于所述第一支撑基板上的至少一个支撑柱，所述支撑柱包括空心柱、设于所述空心柱内的电磁铁和设于所述空心柱上的承载台；

所述蒸镀装置还包括：

第一磁板，所述第一磁板可移动的置于所述蒸镀腔室，所述第一磁板设于所述待蒸镀基板背向所述掩膜组件的一侧。

10.根据权利要求8所述的蒸镀装置，其特征在于，所述掩膜组件的支撑结构包括第二支撑基板；所述掩膜组件的辅掩膜片具有第一限位部，所述第二支撑基板具有用于与所述第一限位部配合的第二限位部；

所述蒸镀装置还包括：

第二磁板，所述第二磁板可移动的置于所述蒸镀腔室，所述第二磁板设于所述待蒸镀基板背向所述掩膜组件的一侧；

第三磁板，所述第三磁板可移动的置于所述蒸镀腔室，所述第三磁板设于所述掩膜组件背向所述待蒸镀基板的一侧。

11.一种蒸镀方法，其特征在于，所述蒸镀方法应用于如权利要求8～10任一项所述的蒸镀装置中，所述蒸镀方法包括：

通过掩膜组件和蒸发源对待蒸镀基板进行蒸镀，使所述待蒸镀基板的蒸镀区内蒸镀有膜层，第一非蒸镀区和第二非蒸镀区内未蒸镀有膜层。

12.根据权利要求11所述的蒸镀方法，其特征在于，

所述掩膜组件的支撑结构包括第一支撑基板和设于所述第一支撑基板上的至少一个支撑柱，所述支撑柱包括空心柱、设于所述空心柱内的电磁铁和设于所述空心柱上的承载台；

所述蒸镀装置还包括：第一磁板，所述第一磁板可移动的置于所述蒸镀腔室，所述第一磁板设于所述待蒸镀基板背向所述掩膜组件的一侧；

所述通过掩膜组件和蒸发源对待蒸镀基板进行蒸镀，使所述待蒸镀基板的蒸镀区内蒸镀有膜层，第一非蒸镀区和第二非蒸镀区内未蒸镀有膜层包括：

将所述掩膜组件的主掩膜片与所述待蒸镀基板进行对位、以及将被所述电磁铁吸附在所述承载台上的辅掩膜片与所述待蒸镀基板进行对位；

通过所述第一磁板吸附所述辅掩膜片，并将所述支撑结构移出蒸镀腔室；

通过蒸发源对所述待蒸镀基板进行蒸镀，使所述待蒸镀基板的所述蒸镀区内蒸镀有膜层，所述第一非蒸镀区和所述第一非蒸镀区内未蒸镀有膜层；

将所述支撑结构移入所述蒸镀腔室，使所述辅掩膜片被所述电磁铁吸附在所述承载台上；

所述第一磁板上升，并将吸附有所述辅掩膜片的所述支撑结构移出所述蒸镀腔室；

将蒸镀好的待蒸镀基板移出所述蒸镀腔室。

13.根据权利要求11所述的蒸镀方法，其特征在于，

所述掩膜组件的支撑结构包括第二支撑基板；所述掩膜组件的辅掩膜片具有第一限位部，所述第二支撑基板具有用于与所述第一限位部配合的第二限位部；

所述蒸镀装置还包括：

第二磁板，所述第二磁板可移动的置于所述蒸镀腔室，所述第二磁板设于所述待蒸镀基板背向所述掩膜组件的一侧；

第三磁板，所述第一磁板可移动的置于所述蒸镀腔室，所述触摸板设于所述掩膜组件背向所述待蒸镀基板的一侧；

所述通过掩膜组件和蒸发源对待蒸镀基板进行蒸镀，使所述待蒸镀基板的蒸镀区内蒸镀有膜层，第一非蒸镀区和第二非蒸镀区内未蒸镀有膜层包括：

将所述掩膜组件的主掩膜片与所述待蒸镀基板进行对位、以及将放置在所述第二支撑基板上的辅掩膜片与所述待蒸镀基板进行对位；

所述第三磁板推动所述第二支撑基板上升，通过所述第二磁板吸附所述辅掩膜片，并将所述第三磁板和所述第二支撑基板移出蒸镀腔室；

通过蒸发源对所述待蒸镀基板进行蒸镀，使所述待蒸镀基板的所述蒸镀区内蒸镀有膜层，所述第一非蒸镀区和所述第一非蒸镀区内未蒸镀有膜层；

将所述第三磁板和所述第二支撑基板移入所述蒸镀腔室，将所述辅掩膜片放置在所述第二支撑基板上，通过所述第三磁板吸附所述辅掩膜片，并将所述第二磁板移出所述蒸镀腔室；

将所述第三磁板和放置有所述辅掩膜片的所述第二支撑基板移出所述蒸镀腔室；

将蒸镀好的待蒸镀基板移出所述蒸镀腔室。

14.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板由如权利要求11～13任一项所述的蒸镀方法蒸镀形成；

所述阵列基板包括透光区、围绕所述透光区的第一边框区、围绕所述第一边框区的显示区和围绕所述显示区的第二边框区；其中，所述显示区内蒸镀有膜层，所述透光区、所述第一边框区和所述第二边框区内未蒸镀有膜层。

15.根据权利要求14所述的阵列基板，其特征在于，掩膜组件的主掩膜片包括高精度金属掩模片；

所述显示区内设有多个子像素，所述子像素所在膜层包括发光层；其中，多个所述子像素中靠近所述第一边框区的一圈所述子像素为第一类子像素；其余所述子像素为第二类子像素，所述第一类子像素的所述发光层的蒸镀面积小于所述第二类子像素的发光层的蒸镀面积。

16.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括如权利要求14或15所述的阵列基板。