JPH05166236A - 光磁気記録媒体製造装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 ディスクの内周から外周にかけて記録に必要
とするレーザ光強度の変化の少ない光磁気ディスクを得
ること。 【構成】 一対の支持体兼用電極４はその間に抵抗加熱
式の蒸発源５を支持している。基板ホルダ２は、ガイド
レール１０に案内されて、製造室内において一定速度で
連続的に移送され、蒸発源５の直上を通過するようにな
されており、前記基板ホルダ２の本体の下方側に、前記
基板１を保持した回転自在なターンテーブル１３および
膜厚補正用マスク７を備えている。膜厚均一化用マスク
１１は支持体９により支持され、膜厚補正用マスク７よ
りも蒸発源側に配置され、回転導入機１２により面内で
自転させられる。これにより、基板及び膜厚補正用マス
クが必ずしも蒸発源の上に配置されていなくても膜厚分
布を所定の分布とすることが可能となり、複数の基板に
同時に成膜することが可能となる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【技術分野】本発明は、光磁気記録媒体製造装置に関
し、より詳細には、レーザ光を用いて情報の記録、再
生、消去を行なう光磁気記録媒体の製造装置に関する。

【０００２】

【従来技術】光磁気記録方式においては、光磁気記録装
置を簡単化するために光磁気ディスクを一定の回転数で
回転させながら用いるいわゆるＣＡＶ方式が広く用いら
れている。レーザ光で光磁気ディスクの記録を行なう部
分を一定温度以上に加熱する必要があるが、上記ＣＡＶ
方式においては、ディスクの回転数が一定のため、内周
と外周ではレーザ照射部における線速度が外周側になる
ほど早くなり、熱効率が低下するため、外周になるにし
たがってより強いレーザ光を照射する必要がある。光磁
気ディスクドライブはディスクのコントロールトラック
上にあらかじめ記録されたこのレーザ光強度の情報を読
み取り、このレーザ光強度を制御している。

【０００３】光磁気ディスクの記録は、半導体レーザで
記録膜をキュリー点以上に温度を上げ、外部磁界をかけ
たまま温度を下げて外部磁界の向きに磁化した領域を作
り出すことで、“０”，“１”の情報を記録するもので
ある。光磁気ディスクが回転数一定で回転していると
き、線速度はディスクの中心からの距離に比例して大き
くなるため、同一強度のレーザを照射し、記録膜を加熱
すると外周側ほどレーザ光を強くする必要がある。すな
わち、内周側よりも外周側の方が記録に必要なレーザ光
強度はより大きくなる。したがって光磁気ディスクを駆
動する場合に、記録レーザ光の強度を内周側から外周側
に向って段階的あるいは連続的に大きくすることは、半
導体レーザのパワーマージンを大きくする必要があり、
また、パワー制御回路等を複雑にし、ドライブ側にとっ
て負担となっていた。

【０００４】

【目的】本発明は、上述のごとき実情に鑑みてなされた
もので、ディスクの内周から外周にかけて記録に必要と
するレーザ光強度の変化の少ない光磁気ディスクを極め
て生産性を高く製造可能とした光磁気記録媒体製造装置
を提供することを目的としてなされたものである。

【０００５】

【構成】本発明は、上記目的を達成するために、（１）
蒸発源と、複数の円板状の基板を保持し、かつ前記蒸発
源と前記円板状の基板の間に、膜厚を基板の径方向に連
続的あるいは段階的に変化させ、その際に外周側の方が
内周側よりも膜厚が小さくあるいは大きくなるように開
口部を設定した円板状の膜厚補正用マスクを各基板毎に
配置した基板ホルダと、前記膜厚補正用マスクよりも蒸
発源側に円板状の膜厚均一化用マスクを配置し、該膜厚
均一化用マスクを面内で自転させかつ前記蒸発源が配設
された領域において、前記基板あるいは膜厚補正用マス
クの少なくとも一方を面内で自転させつつ前記基板ホル
ダを一定速度で連続的に移送しながら真空蒸着するこ
と、或いは、（２）ターゲットと、複数の円板状の基板
を保持し、かつ前記蒸発源と前記円板状の基板の間に、
膜厚を基板の径方向に連続的あるいは段階的に変化さ
せ、その際に外周側の方が内周側よりも膜厚が小さくあ
るいは大きくなるように開口部を設定した円板状の膜厚
補正用マスクを各基板毎に配置した基板ホルダと、前記
膜厚補正用マスクよりもターゲット側に円板状の膜厚均
一化用マスクを配置し、該膜厚均一化用マスクを面内で
自転させかつ前記ターゲットが配設された領域におい
て、前記基板あるいは膜厚補正用マスクの少なくとも一
方を面内で自転させつつ前記基板ホルダを一定速度で連
続的に移送しながらスパッタ成膜すること、或いは、
（３）蒸発源と、複数の円板状の基板を保持し、かつ前
記蒸発源と前記円板状の基板の間に、膜厚を基板の径方
向に連続的あるいは段階的に変化させ、その際に外周側
の方が内周側よりも膜厚が小さくあるいは大きくなるよ
うに開口部を設定した円板状の膜厚補正用マスクを各基
板毎に配置した基板ホルダと、前記膜厚補正用マスクよ
りも蒸発源側に円板状の膜厚均一化用マスクを配置し、
該膜厚均一化用マスクを面内で自転させかつ前記蒸発源
が配設された領域において、前記基板あるいは膜厚補正
用マスクの少なくとも一方を面内で自転させつつ前記基
板ホルダを一定速度で連続的に移送しながらイオンプレ
ーティングすること、更には、（４）前記（１）,
（２）又は（３）において、前記蒸発源あるいはターゲ
ットを複数個用い、各蒸発源あるいはターゲットに対
し、その直上に膜厚均一化用マスクを設けたこと特徴と
したものである。以下、本発明の実施例に基づいて説明
する。

【０００６】図１は、本発明による光磁気記録媒体製造
装置の一実施例を説明するための構成図で、図中、１は
基板、２は基板ホルダ、３は隔壁、４は支持体兼用電
極、５は蒸発源、６は予備室、７は膜厚補正用マスク、
８は電源、９は支持体、１０はガイドレール、１１は膜
厚均一化用マスク、１２は回転導入機、１３はターンテ
ーブル、１４はラック、１５は回転軸、１６はピニオン
である。

【０００７】基板１は回転導入機（図示せず）により面
内で自転が可能である。一対の支持体兼用電極４はその
間に抵抗加熱式の蒸発源５を支持している。なお、この
ような蒸発源に変えてビーム状の蒸発源等、従来の真空
蒸着方式で用いられている蒸発源を適宜使用することが
できる。このとき蒸発粒子の分布は膜厚均一化用マスク
に入射する位置においては充分回転対称とみなせるもの
とする。基板ホルダ２は、例えば搬送路を形成したガイ
ドレール１０に案内されて、真空に排気された予備室６
から前記光磁気記録媒体製造室内に移送された後、前記
予備室６と隔壁３により遮断された前記光磁気記録媒体
製造室において一定速度で連続的に移送されるように構
成されている。

【０００８】基板ホルダ２は蒸発源５の直上を通過する
ようになされており、前記基板ホルダ２の本体の下方側
に、前記基板１を保持した回転自在なターンテーブル１
３および膜厚補正用マスク７を備えている。前記ターン
テーブル１３はその中心に回転軸１５を有しており、前
記回転軸１５が前記本体を貫通して上方に延びており、
前記回転軸の上方端寄にピニオン１６が設けられてい
る。前記ピニオン１６は前記光磁気記録媒体製造室に固
定されているラック１４に接合し、前記基板ホルダ２が
前記ガイドレール１０に沿って移動することにより、前
記ターンテーブル１３を所定方向に回転させることがで
きる。

【０００９】さらに膜厚均一化用マスク１１が支持体９
により支持され膜厚補正用マスク７よりも蒸発源側に配
置されている。また、膜厚均一化用マスク１１は回転導
入機１２により面内で自転させられる。これにより、基
板及び膜厚補正用マスクが必ずしも蒸発源の直上に配置
されていなくても膜厚分布を所定の分布とすることが可
能となり、複数の基板に同時に成膜することが可能とな
る。

【００１０】図２は、膜厚均一化用マスクを示す図で、
図中の斜線部は遮蔽部分を示す。開口角は次のように設
定されている。 γ(ｒ)＝ａ／ｆ(ｒ) γ ：マスク中心からの距離ｒにおける開口角の総和 ｆ(ｒ)：膜厚均一化用マスクに入射する蒸発物質の分布 (計算値または実測値） ａ：正の定数 この実施例１の光磁気記録媒体製造装置においては、前
記膜厚補正用マスクの開口部は図３のごとく、その開口
角が、例えば γ′(ｒ)＝−ｂ・ｒ＋ｄ γ′：マスク中心からの距離ｒにおける開口角の総和 ｂ，ｄ：正の定数 となるように設定されており、蒸発物質が通過後にはそ
の面内分布が外周側の方が内周側よりも膜厚が小さくな
るよう修正される。なお、開口部は必ずしも連続してい
る必要はなく、図４（ａ),(ｂ）のように複数の開口領
域に分割されていてもよい。

【００１１】さて、支持体兼用電極４は導電体であっ
て、電極としての役割を兼ねており、それらの真空槽外
へ突出した端部間は図示のように電源８に接続されてい
る。なお、図中の接地は必ずしも必要ない。また、基板
１の替わりに膜厚補正用マスク７を面内で自転させる機
構にしてもよい。実際には、これら電気的接続は種々の
スイッチ類を含み、これらの操作により成膜プロセスを
実現するのであるが、これらスイッチ類は図中に示され
ていない。

【００１２】以下、前記実施例による光磁気記録媒体の
製造方法について説明する。基板１を図１にように基板
ホルダ２にセットして、蒸発物質を蒸発源５に保持させ
る。蒸発物質を構成する母材はどの様な薄膜を形成する
かに応じて決める。例えば反射層としてＡｌ（アルミニ
ューム）を用いる場合には金属Ａｌを、Ｃｒを用いる場
合には金属Ｃｒを母材として使用する。ここでは説明の
ため反射層をＡｌ膜とする。真空槽内はあらかじめ１０
^-5〜１０^-6Torrの圧力にされる。この状態において電源
８を作動させ蒸発源５を加熱し、蒸発物質を蒸発させ
る。また、蒸着時には基板１は面内で自転しながら一定
速度で連続的に移動している。蒸発物質は基板の側へ向
かって飛行するが、前述したように開口角を設定された
膜厚均一化用マスクを通過する際に、その面内分布が均
一化され、さらに膜厚補正用マスクにより目的とする分
布に修正された後、基板の側に飛行していく。請求項１
においては、膜厚を基板の径方向に連続的あるいは段階
的に変化させ、その際に外周側の方が内周側よりも膜厚
が小さくなるように成膜する。反射層のＡｌの膜厚が厚
いほど、熱伝導による熱拡散が大きくなり記録層を記録
可能な温度まで加熱するために必要なレーザパワーが大
きくなる。したがって、反射層のＡｌの膜厚が、外周側
になるほど小さくなるように成膜すれば内周側と外周側
の間のレーザパワーの変化を小さくすることができる。

【００１３】このように本発明は、基板上に設けた膜の
膜厚を基板の内周側から外周側に向かって連続的にもし
くは段階的に変化させる手段を設けることによって達成
できる。実施例１の光磁気記録媒体記録装置は、蒸発源
５と該蒸発源に対向させて複数の基板１を保持する基板
ホルダ２を有し、前記基板ホルダ２を少なくとも前記蒸
発源５が配設された領域にて一定速度で連続して移送さ
せ、かつ前記基板ホルダ２は前記蒸発源５による蒸発領
域を規制するために前記蒸発源５と各基板１の間にそれ
ぞれ膜厚補正用マスク７を有する。また前記蒸発源５と
膜厚補正用マスク７の間に膜厚均一化用マスク１１を配
置している。

【００１４】膜厚補正用マスク７あるいは基板１の少な
くとも一方は、回転導入機により面内で自転させること
が可能である。さらに膜厚均一化用マスク１１は、回転
導入機１２により面内で自転させることが可能である。
また、膜厚補正用マスク７はもちろん基板をセットする
作業中には取り外すことができる。なお、膜厚補正用マ
スク７の中心および基板１の中心は同軸上にあり、かつ
膜厚均一化用マスク１１の中心と蒸発分布の中心は同軸
上にあるものとする。蒸発源５からの蒸発物質は、膜厚
均一化用マスク１１を通過する際にその面内分布が均一
化され、さらに膜厚補正用マスク７を通過する際に、そ
の面内分布が目的とする分布に修正され、基板の側に飛
行していく。実施例１の場合は、膜厚補正用マスク７の
開口部の設定により膜厚を基板１の径方向に連続的ある
いは段階的に変化させ、その際に外周側の方が内周側よ
りも膜厚が小さくなるように分布を修正している。この
とき膜厚補正用マスク７あるいは基板１の少なくとも一
方が面内で自転し、かつ膜厚均一化用マスク１１が面内
で自転しているので、膜厚補正用マスク７および膜厚均
一化用１１マスクの影は生じない。

【００１５】図５は、光磁気記録媒体の他の製造方法
（実施例２）を適用した成膜に用いる膜厚補正用マスク
を示す図で、開口角は、例えば γ″(ｒ)＝ｃ・ｒ＋ｅ γ″：マスク中心からの距離ｒにおける開口角の総和 ｃ，ｅ：正の定数 と設定されている。この場合においても、開口部は必ず
しも連続している必要はなく、図６（ａ),(ｂ）のよう
に複数の開口領域に分割されていても良い。

【００１６】金属膜よりも熱伝導率が小さい第２誘電体
保護層、例えばＳｉＯ₂あるいはＳｉＯなどの膜厚が小
さいほど反射層への熱伝導による熱損失が大きくなり、
記録層を記録可能な温度まで加熱するために必要なレー
ザパワーが大きくなる。したがって、第２誘電体保護層
として、例えばＳｉＯ₂を膜厚が、外周側になるほど大
きくなるように電子ビーム蒸発源を用いて成膜すれば内
周側と外周側の間のレーザパワーの変化を小さくするこ
とができる。

【００１７】このように、実施例２の光磁気記録媒体製
造装置は蒸発物質が通過する際に、その面内分布を修正
するための膜厚補正用マスクの開口部が実施例１とは逆
に、膜厚を基板の径方向に連続的あるいは段階的に変化
させ、その際に外周側の方が内周側よりも膜厚が大きく
なるように設定されている。実施例２の場合にも、膜厚
補正用マスクあるいは基板の少なくとも一方が面内で自
転し、かつ膜厚均一化用マスクが面内で自転しているの
で、膜厚補正用マスクおよび膜厚均一化用マスクの影は
生じない。

【００１８】図７は、本発明による光磁気記録媒体製造
装置の他の実施例を示す図で、図中、２１は基板、２２
は基板ホルダ、２３は隔壁、２４は支持体兼用電極、２
５はターゲット、２６は予備室、２７は膜厚補正用マス
ク、２８は電源、２９は支持体兼用電極、３０はガイド
レール、３１は膜厚均一化用マスク、３２は回転導入
機、３３はターンテーブル、３４はラック、３５は回転
軸、３６はピニオンである。

【００１９】支持体兼用電極２４はターゲット２５を支
持している。基板ホルダ２２は、例えば搬送路を形成し
たガイドレール３０に案内されて、真空に排気された予
備室２６から前記光磁気記録媒体製造室内に移送された
後、前記予備室２６と隔壁２３により遮断された前記光
磁気記録媒体製造室内において一定速度で連続的に移送
されるように構成されている。基板ホルダ２２はターゲ
ット２５の直上を通過するようになされており、前記基
板ホルダ２２の本体の下方側に、前記基板２１を保持し
た回転自在なターンテーブル３３および膜厚補正用マス
ク２７を備えている。前記ターンテーブル３３はその中
心に回転軸３５を有しており、前記回転軸３５が前記本
体を貫通して上方に延びており、前記回転軸３５の上端
寄りにピニオン３６が設けられている。前記ピニオン３
６は前記光磁気記録媒体製造室に固定されているラック
３４に接合し、前記基板ホルダ２２が前記ガイドレール
３０に沿って移動することにより、前記ターンテーブル
３３を所定方向に回転させることができる。

【００２０】さらに膜厚均一化用マスク３１が支持体兼
用電極２９により支持され、膜厚補正用マスク２７より
もターゲット２５側に配置されている。また、膜厚均一
化用マスク３１は回転導入機３２により面内で自転させ
られる。これにより基板２１及び膜厚補正用マスク２７
が必ずしもターゲット２５の直上に配置されていなくて
も膜厚分布を所定の分布とすることが可能となり複数の
基板に同時に成膜することが可能となる。

【００２１】図８は、膜厚均一化用マスクを示す図で、
図中の斜線部は遮蔽部分を示す。開口角は次のように設
定されている。 γ(ｒ)＝ａ／ｆ(ｒ) γ ：マスク中心からの距離ｒにおける開口角の総和 ｆ(ｒ)：膜厚均一化用マスクに入射するターゲットから
の粒子の分布 (計算値または実測値） ａ：正の定数 ここで、放電を安定化するために開口部を網目状にして
も良い。

【００２２】実施例３の光磁気記録媒体製造装置におい
ては、前記膜厚補正用マスクの開口部は図９の如く、そ
の開口角が、例えば、 γ′(ｒ)＝−ｂ・ｒ＋ｄ γ′(ｒ)：マスク中心からの距離ｒにおける開口角の総
和 ｂ，ｄ ：正の定数 となるように設定されており、ターゲットからの粒子が
通過後にはその面内分布が外周側の方が内周側よりも膜
厚が小さくなるよう修正される。なお、開口部は必ずし
も連続している必要はなく、図１０（ａ）,（ｂ）のよ
うに複数の開口領域に分割されていてもよい。

【００２３】さて、支持体兼用電極２４は導電体であっ
て、電極としての役割を兼ねており、それらの真空槽外
へ突出した端部は図示のように電源２８の負端子に接続
されている。又、電源２８の正端子は支持体兼用電極２
９に接続されている。なお、図中の設置は必ずしも必要
ない。また、基板ホルダ２２の替わりに膜厚補正用マス
ク２７を面内で自転させてもよい。実際には、これら電
気的接続は種々のスイッチ類を含み、これらの操作によ
り成膜プロセスを実現するのであるが、これにスイッチ
類は図中に示されていない。

【００２４】以下、前記実施例３による光磁気記録媒体
の製造方法について説明する。基板２１を基板ホルダ２
２にセットして、ターゲット２５を支持体兼用電極２４
に保持させる。ターゲット２５を構成する母材はどの様
な薄膜を形成するかに応じて決める。例えば、反射層と
してＡｌ（アルミニューム）を用いる場合には金属Ａｌ
を、Ｃｒを用いる場合には金属Ｃｒを母材として使用す
る。ここでは、説明のため反射層をＡｌ膜とする。真空
槽内はあらかじめ１０^-5〜１０^-6Torrの圧力にされた
後、Ａｒガスが１０^-2Torrの圧力まで導入される。この
状態において電源２８を作動させターゲットをスパッタ
し、成膜を行なう。また、スパッタ時には基板２１は面
内で自転しながら一定速度で連続的に移動している。

【００２５】ターゲットからの粒子は基板の側へ向かっ
て飛行するが、前述したように開口角を設定された膜厚
均一化用マスクを通過する際に、その面内分布が均一化
されさらに膜厚補正用マスク２７により目的とする分布
に修正された後、基板の側に飛行していく。実施例３に
おいては、膜厚を基板の径方向に連続的あるいは段階的
に変化させ、その際に外周側の方が内周側よりも膜厚が
小さくなるように成膜する。反射層のＡｌの膜厚が厚い
ほど、熱伝導による熱拡散が大きくなり記録層を記録可
能な温度まで加熱するために必要なレーザパワーが大き
くなる。したがって、反射層のＡｌの膜厚が、外周側に
なるほど小さくなるように成膜すれば内周側と外周側の
間のレーザパワーの変化を小さくすることができる。

【００２６】このように、実施例３の光磁気記録媒体製
造装置は、ターゲット２５を保持するターゲット電極２
４と、ターゲット２５と、複数の基板２１をターゲット
２５に対向するように保持する基板ホルダ２２を有し、
前記基板ホルダ２２を少なくとも前記ターゲット２５が
配設された領域にて一定速度で連続して移送させ、かつ
前記基板ホルダ２２は前記ターゲット２５によるスパッ
タ領域を規制するために前記ターゲット２５と各基板２
１の間にそれぞれ膜厚補正用マスク２７を有する。また
前記ターゲット２５と膜厚補正用マスク２７の間に膜厚
均一化用マスク３１を配置している。

【００２７】膜厚補正用マスク２７あるいは基板２１の
少なくとも一方は、回転導入機により面内で自転させる
ことが可能である。さらに膜厚均一化用マスク３１は、
公知の回転導入機３２により面内で自転させることが可
能である。また、膜厚補正用マスク２７はもちろん基板
２１をセットする作業中には取り出すことができる。な
お、膜厚補正用マスク２７の中心および基板２１の中心
は同軸上にあり、かつ膜厚均一化用マスク３１の中心と
ターゲット２５からの粒子の分布の中心は同軸上にある
ものとする。

【００２８】さらにスパッタのための電源手段を有し真
空槽内には、活性もしくは不活性ガス、あるいは、これ
ら両者の混合ガスが導入される。スパッタの方式として
はＤＣスパッタ、ＲＦスパッタのいずれを用いてもよ
い。また、スパッタされた粒子の面内分布が回転対称と
なるならばマグネトロンスパッタ方式を用いてもよい。
スパッタされたターゲットを構成する粒子は、膜厚均一
化用マスク３１を通過する際にその面内分布が均一化さ
れ、さらに膜厚補正用マスク２７を通過する際に、その
面内分布が目的とする分布に修正され、基板２１の側に
飛行していく。実施例３の場合は、膜厚補正用マスク２
７の開口部の設定により膜厚を基板２１の径方向に連続
的あるいは段階的に変化させ、その際に外周側の方が内
周側よりも膜厚が小さくなるように分布を修正してい
る。このとき膜厚補正用マスク２７あるいは基板２１の
少なくとも一方が面内で自転し、かつ膜厚均一化用マス
ク３１が面内で自転しているので、膜厚補正用マスク２
７および膜厚均一化用マスク３１の影は生じない。

【００２９】図１１は、光磁気記録媒体の他の製造方法
（実施例４）を適用した成膜に用いる膜厚補正用マスク
を示す図で、その開口角は、例えば、 γ″(ｒ）＝ｃ・ｒ＋ｅ γ″ ：マスク中心からの距離ｒにおける開口角の総和 ｃ，ｅ：正の定数 と設定されている。この場合においても、開口部は必ず
しも連続している必要はなく、図１２（ａ），（ｂ）の
ように複数の開口領域に分割されていても良い。金属膜
よりも熱伝導率が小さい第２誘電体保護層、例えばＳｉ
Ｏ₂あるいはＳｉＯなどの膜厚が小さいほど反射層への
熱伝導による熱損失が大きくなり、記録層を記録可能な
温度まで加熱するために必要なレーザパワーが大きくな
る。したがって、第２誘電体保護層の膜厚が、外周側に
なるほど大きくなるように成膜すれば内周側と外周側の
間のレーザパワーの変化を小さくすることができる。こ
のときには、ターゲットをＳｉあるいはＳｉＯ₂、導入
ガスをＡｒ及びＯ₂としてスパッタを行なう。なお、図
７においてはＤＣ二極スパッタの例を示しているが、も
ちろんＲＦスパッタやマグネトロンスパッタも可能であ
る。

【００３０】このように、実施例４の光磁気記録媒体製
造装置は蒸発物質が通過する際に、その面内分布を修正
するための膜厚補正用マスク２７の開口部が実施例３と
は逆に、膜厚を基板２１の径方向に連続的あるいは段階
的に変化させ、その際に外周側の方が内周側よりも膜厚
が大きくなるように設定されている。請求項４の場合に
も、膜厚補正用マスク２７あるいは基板２１の少なくと
も一方が面内で自転し、かつ膜厚均一化用マスク３１が
面内で自転しているので、膜厚補正用マスク２７および
膜厚均一化用マスク３１の影は生じない。

【００３１】図１３は、本発明による光磁気記録媒体製
造装置の更に他の実施例を示す図で、図中、４１は基
板、４２は基板ホルダ、４３は隔壁、４４は支持体兼用
電極、４５は蒸発源、４６は予備室、４７は膜厚補正用
マスク、４８ａ，４８ｂは電源、４９は支持体兼用電
極、５０はガイドレール、５１は膜厚均一化用マスク、
５２は回転導入機、５３はターンテーブル、５４はラッ
ク、５５は回転軸、５６はピニオンである。

【００３２】一対の支持体兼用電極４４はその間に抵抗
加熱式の蒸発源４５を支持している。なお、このような
蒸発源に変えてビーム状の蒸発源等、従来の真空蒸着方
式で用いられている蒸発源４５を適宜使用することがで
きる。このとき蒸発粒子の分布は膜厚均一化用マスク５
１に入射する位置においては充分回転対称とみなせるも
のとする。基板ホルダ４２は、例えば搬送路を形成した
ガイドレール５０に案内されて、真空に排気された予備
室４６から前記光磁気記録媒体製造室内に移送された
後、前記予備室４６と隔壁４３により遮断された前記光
磁気記録媒体製造室内において一定速度で連続的に移送
されるように構成されている。基板ホルダ４２は蒸発源
４５の直上を通過するようになされており前記基板ホル
ダ４２の本体の下方側に、基板４１を保持した回転自在
なターンテーブル５３および膜厚補正用マスク４７を備
えている。前記ターンテーブル５３はその中心に回転軸
５５を有しており、前記回転軸５５が前記本体を貫通し
て上方に延びており、前記回転軸５５の上方端寄りにピ
ニオン５６が設けられている。前記ピニオン５６は前記
光磁気記録媒体製造室に固定されているラック５４に接
合し、前記基板ホルダ４２が前記ガイドレール５０に沿
って移動することにより、前記ターンテーブル５３を所
定方向に回転させることができる。

【００３３】さらに膜厚均一化用マスク５１が支持兼用
電極４９により支持され膜厚補正用マスク４７よりも蒸
発源側に配置されている。また、膜厚均一化用マスク５
１は回転導入機５２により面内で自転させられる。これ
により基板４１及び膜厚補正用マスク４７が必ずしも蒸
発源４５直上に配置されていなくても膜厚分布を所定の
分布とすることが可能となり複数の基板に同時に成膜す
ることが可能となる。

【００３４】図１４は、膜厚均一化用マスクを示す図
で、図中の斜線部は遮薮部分である。開口角は次のよう
に設定されている。 γ(ｒ)＝ａ／ｆ(ｒ) γ ：マスク中心からの距離ｒにおける開口角の総和 ｆ(ｒ)：膜厚均一化用マスクに入射する蒸発物質の分布 (計算値または実測値） ａ ：正の定数 ここで、放電を安定化するために開口部を網目状にして
もよい。

【００３５】実施例５の光磁気記録媒体製造装置におい
ては、前記膜厚補正用マスク２７の開口部は図１５のご
とく、その開口角が、例えば、 γ′(ｒ)＝−ｂ・ｒ＋ｄ γ′ ：マスク中心からの距離 ｂ,ｄ：正の定数 となるように設定されており、蒸発物質が通過後にはそ
の面内分布が外周側の方が内周側よりも膜厚が小さくな
るよう修正される。なお、開口部は必ずしも連続してい
る必要はなく、図１６（ａ）,（ｂ）のように複数の開
口領域に分割されていてもよい。

【００３６】さて、支持体兼用電極４４は導電体であっ
て、電極としての役割を兼ねており、それらの真空槽外
へ突出した端部は図示のように電源４８ａに接続されて
いる。また、支持体兼用電極４９は導電体であって、電
極としての役割をかねており、それらの真空槽外へ突出
した端部は図示のように電極４８ｂの負端子に接続され
ている。又、電源４８ｂの正端子は支持体兼用電極４４
に接続されている。なお、図中の接地は必ずしも必要な
い。また、基板４１の替わりに膜厚補正用マスク４７を
面内で自転させる機構にしてもよい。実際には、これら
電気的接続は種々のスイッチ類を含み、これらの操作に
より成膜プロセスを実現するのであるが、これらスイッ
チ類は図中に示されていない。

【００３７】以下、前記実施例５による光磁気記録媒体
の製造方法について説明する。基板４１を図１３のよう
に基板ホルダ４２にセットして、蒸発物質を蒸発源４５
に保持させる。蒸発物質を構成する母材はどの様な薄膜
を形成するかに応じて決める。例えば反射層としてＡｌ
（アルミニューム）を用いる場合には金属Ａｌを、Ｃｒ
を用いる場合には金属Ｃｒを母材として使用する。ここ
では、説明のため反射層をＡｌ膜とする。真空槽内はあ
らかじめ１０^-5〜１０^-6Torrの圧力にされた後、Ａｒガ
スが１０^-2Torrの圧力まで導入される。この状態におい
て電源４８ｂを作動させ蒸発源４５と膜厚均一化用マス
ク５１のあいだに直流放電を発生させる。さらに電源４
８ａを作動させ蒸発源４５を加熱し、蒸発物質を蒸発さ
せる。また、蒸着時には基板４１は面内で自転しながら
一定速度で連続的に移動している。

【００３８】このとき、蒸発物質の一部は、放電により
発生した電子によりイオン化され、イオン化されていな
い蒸発物質及びＡｒイオンとともに膜厚均一化用マスク
５１に向って飛行するが、前述したように開口角を設定
された膜厚均一化用マスク５１を通過する際に、その面
内分布が均一化されさらに膜厚補正用マスク４７により
目的とする分布に修正された後、基板４１の側に飛行し
ていく。イオンプレーティング法を用いることにより、
Ａｌ膜の基板に対する密着性が向上する。実施例５にお
いては、膜厚を基板の径方向に連続的あるいは段階的に
変化させ、その際に外周側の方が内周側よりも膜厚が小
さくなるように成膜する。反射層のＡｌの膜厚が厚いほ
ど、熱伝導による熱拡散が大きくなり記録層を記録可能
な温度まで加熱するために必要なレーザパワーが大きく
なる。したがって、反射層のＡｌの膜厚が、外周側にな
るほど小さくなるように成膜すれば内周側と外周側の間
のレーザパワーの変化を小さくすることができる。

【００３９】このように、実施例５の光磁気記録媒体製
造装置は、蒸発源４５と該蒸発源に対向させて基板４１
を保持する基板ホルダ４２を有し、前記基板ホルダ４２
を少なくとも前記蒸発源４５が配設された領域にて一定
速度で連続して移送させ、かつ前記基板ホルダ４２は前
記蒸発源４５による蒸発領域を規制するために前記蒸発
源４５と各基板４１の間にそれぞれ膜厚補正用マスク４
７を有する。また、前記蒸発源４５と膜厚補正用マスク
４７の間に膜厚均一化用マスク５１を配置している。膜
厚補正用マスク４７あるいは基板４１の少なくとも一方
は、回転導入機により面内で自転させることが可能であ
る。さらに膜厚均一化用マスク５１は、回転導入機５２
により面内で自転させることが可能である。また、膜厚
補正用マスク４７はもちろん基板４１をセットする作業
中には取り外すことができる。

【００４０】なお、膜厚補正用マスク４７の中心および
基板４１の中心は同軸上にあり、かつ膜厚均一化用マス
ク５１の中心と蒸発分布の中心は同軸上にあるものとす
る。さらにイオンプレーティングのための電源手段を有
し、真空槽内には、活性もしくは不活性ガス、あるい
は、これら両者の混合ガスが導入される。イオンプレー
ティングの方式としてはＤＣイオンプレーティング、Ｒ
Ｆイオンプレーティングのいずれを用いてもよい。この
とき膜厚均一化用マスク５１と蒸発源４５の間に放電を
発生させるよう電源手段が接続され、また膜厚補正用マ
スク４７は基板ホルダ４２に対し、正電位あるいは同電
位である。

【００４１】蒸発源４５からの蒸発物質は、膜厚均一化
用マスク５１を通過する際にその面内分布が均一化さ
れ、さらに膜厚補正用マスク４７を通過する際に、その
面内分布が目的とする分布に修正され、基板の側に飛行
していく。実施例５の場合は、膜厚補正用マスク４７の
開口部の設定により、膜厚を基板４１の径方向に連続的
あるいは段階的に変化させ、その際に外周側の方が内周
側よりも膜厚が小さくなるように分布を修正している。
このとき膜厚補正用マスク４７あるいは基板４１の少な
くとも一方が面内で自転し、かつ膜厚均一化用マスク５
１が面内で自転しているので、膜厚補正用マスク４７お
よび膜厚均一化用マスク５１の影は生じない。

【００４２】図１７は、光磁気記録媒体の他の製造方法
（実施例６）を適用した成膜に用いる膜厚補正用マスク
を示す図で、開口角は次のように設定される。 γ″(ｒ）＝ｃ・ｒ＋ｅ γ″ ：マスク中心からの距離ｒにおける開口角の総和 ｃ，ｅ：正の定数 この場合においても、開口部は必ずしも連続している必
要はなく、図１８（ａ），（ｂ）のように複数の開口領
域に分割されていても良い。

【００４３】金属膜よりも熱伝導率が小さい第２誘電体
保護層、例えば、ＳｉＯ₂あるいはＳｉＯなどの膜厚が
小さいほど反射層への熱伝導による熱損失が大きくな
り、記録層を記録可能な温度まで加熱するために必要な
レーザパワーが大きくなる。したがって、第２誘電体保
護層の膜厚が、外周側になるほど大きくなるように成膜
すれば内周側と外周側の間のレーザパワーの変化を小さ
くすることができる。このときには、蒸発物質をＳｉあ
るいはＳｉＯ₂、導入ガスをＡｒ及びＯ₂としてイオンプ
レーティングを行なう。なお、図１３においてはＤＣイ
オンプレーティングの例を示しているが、もちろんＲＦ
イオンプレーティングも可能である。図１３において
は、膜厚補正用マスク４７は基板ホルダ４２に対して正
電位であるが、同電位としてもよい。

【００４４】請求項１，２，３の光磁気記録媒体製造装
置は複数の基板を取付けた状態で移送可能な基板ホルダ
と、各基板ごとに設けられた膜厚補正用マスクを有して
おり、大気に真空槽および基板を晒すことなく大量の基
板を順次成膜室に送りこむことが可能であり、なおかつ
各基板ごとの膜厚補正を正確に行なうことができ、極め
て量産に適した光磁気記録媒体製造装置である。

【００４５】このように、実施例６の光磁気記録媒体製
造装置は蒸発物質が通過する際に、その面内分布を修正
するための膜厚補正用マスク４７の開口部が実施例５と
は逆に、膜厚を基板４１の径方向に連続的あるいは段階
的に変化させ、その際に外周側の方が内周側よりも膜厚
が大きくなるように設定されている。実施例６の場合に
も、膜厚補正用マスク４７あるいは基板４１の少なくと
も一方が面内で自転し、かつ膜厚均一化用マスク５１が
面内で自転しているので、膜厚補正用マスク４７および
膜厚均一化用マスク５１の影は生じない。

【００４６】図１９は、本発明による光磁気記録媒体製
造装置の更に他の実施例を示す図で、図中、４ａ，４ｂ
は支持体兼用電極、５ａ，５ｂは蒸発源、８ａ，８ｂは
電源、９ａ，９ｂは支持体、１１ａ，１１ｂは膜厚均一
化用マスク、１２ａ，１２ｂは回転導入機で、その他、
図１と同じ作用をする部分は同一の符号を付してある。

【００４７】図１９において蒸発源５ａ，５ｂを複数個
とし、各蒸発源に対し、その直上に膜厚均一化用マスク
１１ａ，１１ｂをそれぞれ配備している。このため、粒
子の分布は均一化されているので各蒸発源が必ずしも同
軸上に配置されていなくてもよく、特に多元系の磁性膜
の作製に有利である。前述の効果はスパッタ装置、イオ
ンプレーティング装置についても同様に得られる。

【００４８】このように、実施例７の光磁気記録媒体製
造装置は、蒸発源あるいはターゲットを複数個用い、各
蒸発源あるいはターゲットに対し、その直上に膜厚均一
化用マスクを配備している。このため、粒子の分布は均
一化されているので各蒸発源あるいはターゲットが必ず
しも基板に向かう粒子の分布の中心が膜厚補正用マスク
の中心と同軸上に配置されていなくてもよく、特に多元
系の磁性膜の作製に有利である。なお、前記実施例では
基板ホルダのターンテーブルに基板を装着して基板ある
いは膜厚補正用マスクを自転させながら移送する例を示
したが、本発明を適用する装置はこれに限られるもので
ないことは当然であり、基板ホルダに複数の基板を装着
して基板を公転あるいは自公転させながら移送して成膜
を行なっても充分な効果が期待できることは言うまでも
ない。

【００４９】

【効果】以上の説明から明らかなように、本発明による
と、以下のような効果がある。 （１）請求項１，２，３の光磁気記録媒体製造装置によ
れば、光磁気ディスクを構成する膜の膜厚を内周側から
外周側に向かって径方向に連続的あるいは段階的に変化
させることが可能なため、一定の回転数で光磁気ディス
クを回転させるいわゆるＣＡＶ方式において記録に要す
るレーザ光強度の変化の小さい光磁気ディスクの製造方
法を提供することができる。したがって、本発明を用い
ることによりドライブ側の負担を軽減することができ
る。また、光磁気記録媒体製造装置は複数の基板を取付
けた状態で移送可能な基板ホルダと、各基板ごとに設け
られた膜厚補正用マスクを有しており、大気に真空槽お
よび基板を晒すことなく大量の基板を順次成膜室に送り
こむことが可能であり、なおかつ各基板ごとの膜厚補正
を正確に行なうことができ、極めて量産に適している。 （２）請求項４によれば、さらに蒸発源、あるいはター
ゲットの基板に対する位置に関しての制約を軽減でき、
特に多元系磁性膜の作製に有利である。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明による光磁気記録媒体製造装置の一実
施例を説明するための構成図である。

【図２】 膜厚均一化用マスクを示す図である。

【図３】 膜厚補正用マスクの開口部を示す図である。

【図４】 膜厚補正用マスクの開口部を複数の開口領域
に分割した図である。

【図５】 実施例２の膜厚補正用マスクの開口部を示す
図である。

【図６】 実施例２の膜厚補正用マスクの開口部を複数
の開口領域に分割した図である。

【図７】 本発明による光磁気記録媒体製造装置の他の
実施例を示す図である。

【図８】 膜厚均一化用マスクを示す図である。

【図９】 実施例３の膜厚補正用マスクの開口部を示す
図である。

【図１０】 実施例３の膜厚補正用マスクの開口部を複
数の開口領域に分割した図である。

【図１１】 実施例４の膜厚補正用マスクの開口部を示
す図である。

【図１２】 実施例４の膜厚補正用マスクの開口部を複
数の開口領域に分割した図である。

【図１３】 本発明による光磁気記録媒体製造装置の更
に他の実施例を示す図である。

【図１４】 膜厚均一化用マスクを示す図である。

【図１５】 実施例５の膜厚補正用マスクの開口部を示
す図である。

【図１６】 実施例５の膜厚補正用マスクの開口部を複
数の開口領域に分割した図である。

【図１７】 実施例６の膜厚補正用マスクの開口部を示
す図である。

【図１８】 実施例６の膜厚補正用マスクの開口部を複
数の開口領域に分割した図である。

【図１９】 本発明による光磁気記録媒体製造装置の更
に他の実施例を示す図である。

【符号の説明】

１…基板、２…基板ホルダ、３…隔壁、４…支持体兼用
電極、５…蒸発源、６…予備室、７…膜厚補正用マス
ク、８…電源、９…支持体、１０…ガイドレール、１１
…膜厚均一化用マスク、１２…回転導入機、１３…ター
ンテーブル、１４…ラック、１５…回転軸、１６…ピニ
オン。

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 蒸発源と、複数の円板状の基板を保持
   し、かつ前記蒸発源と前記円板状の基板の間に、膜厚を
   基板の径方向に連続的あるいは段階的に変化させ、その
   際に外周側の方が内周側よりも膜厚が小さくあるいは大
   きくなるように開口部を設定した円板状の膜厚補正用マ
   スクを各基板毎に配置した基板ホルダと、前記膜厚補正
   用マスクよりも蒸発源側に円板状の膜厚均一化用マスク
   を配置し、該膜厚均一化用マスクを面内で自転させかつ
   前記蒸発源が配設された領域において、前記基板あるい
   は膜厚補正用マスクの少なくとも一方を面内で自転させ
   つつ前記基板ホルダを一定速度で連続的に移送しながら
   真空蒸着することを特徴とする光磁気記録媒体製造装
   置。
2. 【請求項２】 ターゲットと、複数の円板状の基板を保
   持し、かつ前記蒸発源と前記円板状の基板の間に、膜厚
   を基板の径方向に連続的あるいは段階的に変化させ、そ
   の際に外周側の方が内周側よりも膜厚が小さくあるいは
   大きくなるように開口部を設定した円板状の膜厚補正用
   マスクを各基板毎に配置した基板ホルダと、前記膜厚補
   正用マスクよりもターゲット側に円板状の膜厚均一化用
   マスクを配置し、該膜厚均一化用マスクを面内で自転さ
   せかつ前記ターゲットが配設された領域において、前記
   基板あるいは膜厚補正用マスクの少なくとも一方を面内
   で自転させつつ前記基板ホルダを一定速度で連続的に移
   送しながらスパッタ成膜することを特徴とする光磁気記
   録媒体製造装置。
3. 【請求項３】 蒸発源と、複数の円板状の基板を保持
   し、かつ前記蒸発源と前記円板状の基板の間に、膜厚を
   基板の径方向に連続的あるいは段階的に変化させ、その
   際に外周側の方が内周側よりも膜厚が小さくあるいは大
   きくなるように開口部を設定した円板状の膜厚補正用マ
   スクを各基板毎に配置した基板ホルダと、前記膜厚補正
   用マスクよりも蒸発源側に円板状の膜厚均一化用マスク
   を配置し、該膜厚均一化用マスクを面内で自転させかつ
   前記蒸発源が配設された領域において、前記基板あるい
   は膜厚補正用マスクの少なくとも一方を面内で自転させ
   つつ前記基板ホルダを一定速度で連続的に移送しながら
   イオンプレーティングすることを特徴とする光磁気記録
   媒体製造装置。
4. 【請求項４】 前記蒸発源あるいはターゲットを複数個
   用い、各蒸発源あるいはターゲットに対し、その直上に
   膜厚均一化用マスクを設けたことを特徴とする請求項
   １，２又は３記載の光磁気記録媒体製造装置。