CN113025964A - 蒸镀方法及蒸镀装置 - Google Patents

Abstract

本申请实施例提供一种蒸镀方法及蒸镀装置。本申请实施例第一方面中的蒸镀方法包括：提供待蒸镀基板，待蒸镀基板包括预设孔区和围绕预设孔区的蒸镀区；对待蒸镀基板进行蒸镀处理，且对预设孔区进行热处理，热处理步骤使与预设孔区对应的至少部分蒸镀材料在预设孔区的凝结速率小于或等于蒸发速率，以在待蒸镀基板形成覆盖蒸镀区的功能层，功能层未覆盖预设孔区，或者，功能层位于预设孔区的部分的厚度小于功能层位于蒸镀区的部分的厚度。增大预设孔区的透光率，改善屏下功能模组的感光过程，保证感光质量，提高屏下功能模组的应用性能。

Description

蒸镀方法及蒸镀装置

技术领域

本发明涉及蒸镀技术领域，具体涉及一种蒸镀方法及蒸镀装置。

背景技术

具有有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)显示面板的显示模组因具有高画质、省电、机身薄及应用范围广等优点，而被广泛的应用于手机、电视、个人数字助理、数字相机、笔记本电脑、台式计算机等各种消费性电子产品。

然而，一般的显示面板的孔区光透过率低，影响与孔区对应设置的屏下功能模组的感光过程，影响屏下功能模组的应用性能，影响用户体验。

发明内容

本申请实施例第一方面提供一种蒸镀方法，包括：

提供待蒸镀基板，所述待蒸镀基板包括预设孔区和围绕所述预设孔区的蒸镀区；

对所述待蒸镀基板进行蒸镀处理，且对所述预设孔区进行热处理，所述热处理步骤使与所述预设孔区对应的至少部分蒸镀材料在所述预设孔区的凝结速率小于或等于蒸发速率，以在所述待蒸镀基板形成覆盖所述蒸镀区的功能层，所述功能层未覆盖所述预设孔区，或者，所述功能层位于所述预设孔区的部分的厚度小于所述功能层位于所述蒸镀区的部分的厚度。

本申请实施例第一方面提供的蒸镀方法通过在蒸镀形成功能层的过程中对预设孔区进行热处理，也即对待蒸镀基板的局部进行热处理，使得预设孔区未被功能层覆盖，或者，使得功能层位于预设孔区的部分的厚度小于功能层位于蒸镀区的部分，增大预设孔区的透光率。采用本申请实施例第一方面的蒸镀方法获得的显示面板的功能层在与孔区对应部分的厚度减薄或者至少部分孔区不被功能层覆盖，增大了孔区的透光率，改善屏下功能模组的感光过程，保证感光质量，提高屏下功能模组的应用性能。

在本申请实施例第一方面的一种可能的实施方式中，对待蒸镀基板进行蒸镀处理，且对预设孔区进行热处理，热处理步骤使与预设孔区对应的至少部分蒸镀材料在预设孔区的凝结速率小于或等于蒸发速率的步骤中：

在同一蒸镀腔室中，对待蒸镀基板进行蒸镀处理的同时，对预设孔区进行热处理。

在本申请实施例第一方面的一种可能的实施方式中，对待蒸镀基板进行蒸镀处理，且对预设孔区进行热处理，热处理步骤使与预设孔区对应的至少部分蒸镀材料在预设孔区的凝结速率小于或等于蒸发速率的步骤中：

在同一蒸镀腔室中，对待蒸镀基板进行蒸镀处理形成覆盖预设孔区和蒸镀区的预制功能层，再对形成有预制功能层的待蒸镀基板进行热处理以形成功能层；或者，

在第一蒸镀腔室中，对待蒸镀基板进行蒸镀处理形成覆盖预设孔区和蒸镀区的预制功能层，在第二蒸镀腔室中对形成有预制功能层的待蒸镀基板进行热处理以形成功能层。

在本申请实施例第一方面的一种可能的实施方式中，对待蒸镀基板进行蒸镀处理，且对预设孔区进行热处理，热处理步骤使与预设孔区对应的至少部分蒸镀材料在预设孔区的凝结速率小于或等于蒸发速率的步骤中：

采用热传导的方式对预设孔区进行热处理。

在本申请实施例第一方面的一种可能的实施方式中，对预设孔区进行热处理的步骤，包括：

将待蒸镀基板设置于具有热处理区的基台，使待蒸镀基板中的预设孔区与热处理区对应；

在与蒸镀方向平行且反向的方向上、采用设置于热处理区的热源以热传导的方式，向至少部分预设孔区进行正向热传递，以使预设孔区升温；

优选的，经由设置于基台的冷处理区对与冷处理区对应的待蒸镀基板的部分进行反向热传递，冷处理区设置于热处理区周侧。

在本申请实施例第一方面的一种可能的实施方式中，将待蒸镀基板设置于具有热处理区的基台，使待蒸镀基板中的预设孔区与热处理区对应的步骤中：

预设孔区在待蒸镀基板上的第一正投影覆盖热处理区在待蒸镀基板上的第二正投影。

在本申请实施例第一方面的一种可能的实施方式中，对待蒸镀基板进行蒸镀处理，且对预设孔区进行热处理，热处理步骤使与预设孔区对应的至少部分蒸镀材料在预设孔区的凝结速率小于或等于蒸发速率的步骤中：

采用热辐射的方式对预设孔区进行热处理。

在本申请实施例第一方面的一种可能的实施方式中，对预设孔区进行热处理的步骤，包括：

采用激光照射至少部分预设孔区进行热处理；

优选的，激光的发射波长与待蒸镀基板的第一吸收波长对应；

优选的，对预设孔区进行热处理的步骤，包括：将待蒸镀基板设置于具有热处理区的基台，使待蒸镀基板中的预设孔区与热处理区对应；采用激光经由热处理区照射至少部分预设孔区进行热处理；优选的，将待蒸镀基板设置于具有热处理区的基台，使待蒸镀基板中的预设孔区与热处理区对应的步骤中：预设孔区在待蒸镀基板上的第一正投影覆盖热处理区在待蒸镀基板上的第二正投影；

优选的，经由设置于热处理区周侧的基台中的冷处理区，对与冷处理区对应的待蒸镀基板的部分进行反向热传递，冷处理区设置于热处理区周侧；

优选的，激光的发射波长与蒸镀材料的第二吸收波长对应；

优选的，自待蒸镀基板的背面向待蒸镀基板的蒸镀面，采用激光照射至少部分预设孔区进行热处理，或者，自待蒸镀基板的蒸镀面向待蒸镀基板的背面，采用激光照射至少部分预设孔区进行热处理；

优选的，经由设置于待蒸镀基板的图案化金属层对蒸镀区位于预设孔区的周侧的部分进行反向热传递；

优选的，用于出射激光的出光口在待蒸镀基板上的第三正投影具有与第一正投影相应的形状，且第三正投影位于第一正投影的内部，或者第三正投影与第二正投影重合。

本申请实施例第二方面提供一种蒸镀装置。蒸镀装置包括用于对待蒸镀基板进行图案化热处理的基台，待蒸镀基板包括预设孔区和围绕预设孔区的蒸镀区，基台具有与预设孔区对应的热处理区，预设孔区在待蒸镀基板上的第一正投影覆盖热处理区在待蒸镀基板上的第二正投影；优选的，第二正投影位于第一正投影的内部；或者，第一正投影与第二正投影重合；热处理区包括用于向至少部分预设孔区正向传热的热处理部；

优选的，热处理部包括加热器以及隔热结构，隔热结构设置于加热器与基台主体之间且设置于加热器朝向待蒸镀基板侧；

优选的，热处理部包括与预设孔区对应的传热通道，传热通道的长轴延伸方向与基台的厚度方向平行，传热通道与基台主体之间设置隔热结构。

本申请实施例第二方面提供的蒸镀装置，通过在基台设置与待蒸镀基板的预设孔区对应的热处理区，实现在蒸镀形成功能层的过程中基台对预设孔区进行热处理，也即对待蒸镀基板的局部进行热处理，使得预设孔区未被功能层覆盖，或者，使得功能层位于预设孔区的部分的厚度小于功能层位于蒸镀区的部分，在避免待蒸镀基板的损伤同时增大预设孔区的透光率。

在本申请实施例第二方面一种可能的实施方式中，基台进一步包括设置于热处理区周侧的冷处理区，冷处理区包括用于向与冷处理区对应的待蒸镀基板的部分进行反向传热的冷却结构；

优选的，冷却结构包括换热管，流经换热管的冷却介质与热处理部进行换热；

优选的，冷却结构包括径向截面为环状的冷却管道，冷却管道包括内管壁和外管壁，形成在内管壁和外管壁之间的环状腔体填充有相变冷却介质，冷却管道的长轴延伸方向与基台的厚度方向平行，环状腔体包括环绕热处理部设置的换热管，流经换热管的冷却介质与热处理部进行换热。

附图说明

通过阅读以下参照附图对非限制性实施例所作的详细描述，本发明的其它特征、目的和优点将会变得更明显，其中，相同或相似的附图标记表示相同或相似的特征，附图并未按照实际的比例绘制。

图1是本申请实施例第一方面中一种蒸镀方法的流程示意图；

图2是本申请实施例第一方面中另一种蒸镀方法的流程示意图；

图3是本申请实施例第一方面的中将待蒸镀基板设置于具有热处理区的基台的俯视图；

图4是图3中一种沿M-M方向的剖视结构示意图；

图5是本申请实施例第一方面中又一种蒸镀方法的流程示意图；

图6是图3中另一种沿M-M方向的剖视结构示意图；

图7是本申请实施例第一方面中还一种蒸镀方法的流程示意图；

图8是本申请实施例第一方面中再一种蒸镀方法的流程示意图；

图9是本申请实施例第一方面中采用激光经由基台的热处理区照射预设孔区进行热处理的示意图；

图10是本申请实施例第一方面中再一种蒸镀方法的流程示意图；

图11是本申请实施例第一方面中采用激光经由周侧设置有冷处理区的热处理区照射预设孔区进行热处理的示意图；

图12是本申请实施例第一方面中自待蒸镀基板的背面向待蒸镀基板的蒸镀面采用激光照射至少部分预设孔区进行热处理的示意图；

图13是本申请实施例第一方面中自待蒸镀基板的蒸镀面向待蒸镀基板的背面采用激光照射至少部分预设孔区进行热处理的示意图；

图14是本申请实施例第一方面中再一种蒸镀方法的流程示意图；

图15是本申请实施例第二方面中一种蒸镀装置的结构示意图(图中待蒸镀基板仅为辅助描述蒸镀装置示出)；

图16是本申请实施例第二方面中又一种蒸镀装置的结构示意图(图中待蒸镀基板仅为辅助描述蒸镀装置示出)；

图17是本申请实施例第二方面中再一种蒸镀装置的结构示意图(图中待蒸镀基板仅为辅助描述蒸镀装置示出)。

图中：

待蒸镀基板-1；蒸镀面-11；背面-12；预设孔区-A；蒸镀区-B；热处理区-H；冷处理区-C；

基台-2；热源-21；隔热结构22；基台主体-2a；换热管-3；冷却管道-4；环状腔体-41；

蒸镀方向-Y。

具体实施方式

下面将详细描述本发明的各个方面的特征和示例性实施例，为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及具体实施例，对本发明进行进一步详细描述。应理解，此处所描述的具体实施例仅被配置为解释本发明，并不被配置为限定本发明。对于本领域技术人员来说，本发明可以在不需要这些具体细节中的一些细节的情况下实施。下面对实施例的描述仅仅是为了通过示出本发明的示例来提供对本发明更好的理解。

需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。

发明人经深入研究发现，一般的设置屏下功能模组的显示面板，需要在对应设置屏下功能模组的区域打孔，形成孔区。在一些示例中，该孔区对应设置通孔。一般的，由于通孔需要穿透阵列基板、发光器件层以及封装层，因此设置通孔的孔区透光率较大。但是由于设置通孔时为了保证显示面板在孔区周围的封装有效性，往往需要在孔区周围设置沿显示面板厚度方向延伸的堤坝结构以保证封装效果，在与显示面板出光方向相垂直的方向上，使得孔区周围的边框的宽度较大，影响显示面板整体的屏占比，影响显示效果以及用户体验。在另一些示例中，该孔区对应设置盲孔。示例性的，该孔区在设置衬底基板背向发光器件层的一侧的缓冲层开设孔，并在孔中设置屏下功能模组或者在孔中填充透明介质，再在透明介质背向衬底基板的一侧设置屏下功能模组。由于该孔不穿透包括有衬底基板的阵列基板，也不穿透封装层，显示面板仍为整体封装结构。因此设置盲孔时孔区周围可不需要设置堤坝结构即可保证封装效果，有利于缩小孔区周围的边框的宽度，理论上显示面板设置盲孔可趋向于形成周围无边框的孔区，从而提升显示面板的屏占比，优化显示效果以及用户体验。

但是，发明人进一步发现，在显示面板的孔区设置盲孔时，由于在蒸镀形成显示面板的过程中，形成不同功能层(尤其是采用通用掩膜形成的功能层)的蒸镀材料在凝结在蒸镀区的同时也会凝结在孔区对应的位置，从而使功能层(尤其是采用通用掩膜形成的功能层)连续地形成在蒸镀区和孔区。层叠设置的多层功能层对光线有阻挡作用，影响显示面板孔区的透光率，不利于对应设置在孔区的屏下功能模组的感光过程。

需要说明的是，功能层包括空穴出入层、空穴传输层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层以及阴极层等。在一些示例中，阴极层对孔区的透光率影响较大。

经上述问题的分析以及发现，提出本申请。

如图1所示，本申请实施例第一方面提供一种蒸镀方法，包括以下步骤：

S10，提供待蒸镀基板，待蒸镀基板包括预设孔区和围绕预设孔区的蒸镀区；

S20，对待蒸镀基板进行蒸镀处理，且对预设孔区进行热处理，热处理步骤使与预设孔区对应的至少部分蒸镀材料在预设孔区的凝结速率小于或等于蒸发速率，以在待蒸镀基板形成覆盖蒸镀区的功能层，功能层未覆盖预设孔区，或者，功能层位于预设孔区的部分的厚度小于功能层位于蒸镀区的部分的厚度。

本申请实施例第一方面提供的蒸镀方法通过在蒸镀形成功能层的过程中对预设孔区进行热处理，也即对待蒸镀基板的局部进行热处理，使得预设孔区未被功能层覆盖，或者，使得功能层位于预设孔区的部分的厚度小于功能层位于蒸镀区的部分，在避免待蒸镀基板的损伤同时增大预设孔区的透光率。采用本申请实施例第一方面的蒸镀方法获得的显示面板的功能层在与孔区对应部分的厚度减薄或者至少部分孔区不被功能层覆盖，增大了孔区的透光率，改善屏下功能模组的感光过程，保证感光质量，提高屏下功能模组的应用性能。

在一些实施例中，待蒸镀基板中与预设孔区对应的部分已经开设有孔。在一些示例中，该孔开设于缓冲层，该待蒸镀基板后续形成带有盲孔(孔不穿透封装层)的显示面板。

在另一些实施例中，待蒸镀基板中与预设孔区对应的部分缓冲层还未开设孔。在一些示例中，待蒸镀基板在蒸镀工艺结束后形成具有封装结构的显示基板，再对蒸镀形成的显示基板进行开孔，该孔为盲孔，不穿透阵列基板。在一些例子中，在显示基板的缓冲层开孔。

在一些可选的实施例中，待蒸镀基板中与预设孔区对应的部分已经开孔，并在孔中填充有透明介质以增大透光率，在后续显示模组的装配中，将屏下功能模组设置于填充有透明介质的孔区背向显示面板发光器件层的一侧。在一些示例中，该孔开设在缓冲层，并对缓冲层的开孔处填充透明介质。

可以理解的是，蒸镀过程中，在预设的蒸镀温度下蒸镀材料由蒸镀源蒸出并最终到达低于蒸镀温度的待蒸镀基板时会在待蒸镀基板上凝结成膜。在凝结成膜的过程中，蒸镀材料在待蒸镀基板上的蒸发速率低于凝结速率，由此原来处于蒸气状态的蒸镀材料趋于凝结在待蒸镀基板上，蒸镀材料经过在待蒸镀基板上的凝结、成核、核生长等过程最终形成连续地薄膜，也即形成连续地功能层。因此对预设孔区进行热处理，使得与预设孔区对应的至少部分蒸镀材料在预设孔区的凝结速率小于或等于蒸发速率，从而阻碍蒸镀材料在预设孔区中控制成膜厚度最重要也是最基本的凝结过程。阻碍蒸镀材料在预设孔区的凝结过程(即使得蒸镀材料在预设孔区的凝结速率和蒸发速率达到平衡，或者使得蒸镀材料在预设孔区的凝结速率小于蒸发速率)，可以使得蒸镀材料在预设孔区的凝结率低进而实现待蒸镀基板中功能层位于预设孔区部分的减薄；或者，蒸镀材料在预设孔区不发生凝结成膜，使得至少部分孔区不被功能层覆盖。上述两种情况均可增大最终形成的显示面板的孔区的光透过率，提高屏下功能模组的感光过程。

在一些可选的实施例中，在步骤S20中，在同一蒸镀腔室中，对待蒸镀基板进行蒸镀处理的同时，对预设孔区进行热处理。在这些实施例中，与预设孔区对应的处于蒸气状态的蒸镀材料蒸镀到待蒸镀基板的预设孔区时，对预设孔区进行热处理使得蒸镀材料在预设孔区的凝结速率小于或等于蒸发速率，阻碍了蒸镀材料在预设孔区的凝结。与此同时，与蒸镀区对应的处于蒸气状态的蒸镀材料在蒸镀区预冷凝结后成膜。在同一蒸镀腔室中对待蒸镀基板进行蒸镀处理的同时，对预设孔区进行热处理，可以简化蒸镀过程中的步骤，提高显示面板生产效率。

在一些可选的实施例中，在步骤S20中，在同一蒸镀腔室中，对待蒸镀基板进行蒸镀处理形成覆盖预设孔区和蒸镀区的预制功能层，再对形成有预制功能层的待蒸镀基板进行热处理以形成功能层。在这些实施例中，对形成有预制功能层的待蒸镀基板进行热处理，使得预制功能层位于预设孔区的部分中蒸镀材料在与蒸镀方向反向的方向上再次蒸发。此时，预制功能层位于预设孔区的部分中的蒸镀材料通过蒸发过程脱离待蒸镀基板，最终形成图案化的功能层。该图案化的功能层覆盖蒸镀区的功能层，而未覆盖预设孔区；或者，该图案化的功能层位于预设孔区的部分的厚度小于该功能层位于蒸镀区的部分的厚度。在这些可选的实施例中，对形成有预制功能层的待蒸镀基板进行热处理以形成功能层的过程中，关闭蒸镀源，可以避免从预制功能层蒸发后的蒸镀材料污染蒸镀源。

在一些可选的实施例中，步骤S20中，在第一蒸镀腔室中，对待蒸镀进行蒸镀处理形成覆盖预设孔区和蒸镀区的预制功能层，在第二蒸镀腔室中对形成有预制功能层的待蒸镀基板进行热处理以形成功能层。在这些实施例中，在第二蒸镀腔室中对形成有预制功能层的待蒸镀基板进行热处理，使得预制功能层位于预设孔区的部分中蒸镀材料再次蒸发，脱离待蒸镀基板。此时，预制功能层位于预设孔区的部分中的蒸镀材料通过蒸发过程脱离待蒸镀基板，最终形成图案化的功能层。该图案化的功能层覆盖蒸镀区的功能层，而未覆盖预设孔区；或者，该图案化的功能层位于预设孔区的部分的厚度小于该功能层位于蒸镀区的部分的厚度。在这些可选的实施例中，将对待蒸镀基板的蒸镀处理过程以及对待蒸镀基板的预设孔区的热处理过程分别在不同的蒸镀腔室中进行，可以避免在预设孔区再次蒸发进行的反向扩散的蒸镀材料与沿蒸镀方向正向蒸镀到待蒸镀基板的蒸镀材料在蒸镀源与待蒸镀基板之间的空间相互碰撞结合后成核聚集，进而可以避免成核聚集的蒸镀材料向蒸镀源沉积污染蒸镀源。

在一些可选的实施例中，在步骤S20中，采用热传导的方式对预设孔区进行热处理。在一些的实施例中，采用热传导的方式对预设孔区进行热处理，以使预设孔区的温度高于蒸镀区的温度，使得与预设孔区对应的至少部分蒸镀材料在预设孔区的凝结速率小于或等于蒸发速率，阻碍蒸镀材料在预设孔区的凝结成膜。

如图2所示，在一些可选的实施例中，在步骤S20中，对预设孔区进行热处理的步骤包括：

S21，将待蒸镀基板设置于具有热处理区的基台，使待蒸镀基板中的预设孔区与热处理区对应。

S22，在与蒸镀方向平行且反向的方向上、采用设置于热处理区的热源以热传导的方式，向至少部分预设孔区进行正向热传递，以使预设孔区升温。

在一些可选的实施例中，在步骤S20中，对预设孔区进行热处理的步骤中：至少部分预设孔区处于预设温度T，预设温度T的取值范围是80℃至250℃。在一些示例中，当蒸镀形成的功能层为发光层或者是载流子层(例如空穴传输层、空穴注入层、电子传输层以及电子注入层等)，可以采用上述实施例中步骤S21以及步骤S22对预设孔区进行热处理。形成发光层或者载流子层等功能层的蒸镀材料的蒸镀温度(也即蒸镀材料的蒸发温度)约在80℃至250℃之间。又待蒸镀基板上一般已形成有像素限定层和/或支撑柱，形成像素限定层的材料以及形成支撑柱的材料的退火温度/固化温度一般与形成发光层或者载流子层等功能层的蒸镀材料的蒸镀温度相当，因此，以热传导方式对预设孔区进行正向热传递，使预设孔区升温并使预设孔区处于预设温度T不会影响待蒸镀基板上已有的器件结构，同时又能减薄功能层在预设孔区的厚度，或者减少功能层在预设孔区的覆盖率。

请参见图3，图3示出了本申请实施例第一方面的中将待蒸镀基板1设置于具有热处理区的基台2的俯视图。如图3所示，在一些示例中待蒸镀基板1上包括多个预设孔区A和与预设孔区A对应且环绕预设孔区B设置的蒸镀区12。

请参见图4，图4示出了本申请实施例第一方面中待蒸镀基板1以及基台2沿M-M方向的一种剖视结构示意图。如图4所示，在与蒸镀方向Y平行且反向的方向上、采用设置于热处理区H的热源21以热传导的方式，向至少部分预设孔区A进行正向热传递，以使预设孔区A升温。在一些示例中，热源21包括用于加热的热阻丝，对热阻丝通电后热阻丝产生热量，并将热量以热传导的形式传递到至少部分，以使预设孔区A升温(也即采用设置于热处理区H的热源21以热传导的方式，向至少部分预设孔区进行正向热传递)。为了保护待蒸镀基板1，同时避免热处理区H中的热量向从热处理区H向基台主体2a传递。热处理部包括加热器21以及设置于加热器21与基台主体2a之间以及设置于加热器朝向待蒸镀基板侧的隔热结构22；

如图5所示，在一些可选的实施例中，在步骤S20中，对预设孔区进行热处理的步骤，包括：

S23，经由设置于基台的冷处理区对与冷处理区对应的待蒸镀基板的部分进行反向热传递，冷处理区设置于热处理区周侧。

可以理解的是，冷处理区对与冷处理区对应的待蒸镀基板的部分进行反向热传递，指冷处理区吸收与冷处理区对应的待蒸镀基板的部分的热量，以使与冷处理区对应的待蒸镀基板的部分降温。在一些示例中，热处理区中设置有隔热结构，以防止冷处理区吸收热处理区中的热量，防止热处理区耗能增加。

在一些实施例中，冷处理区环绕热处理区周侧设置。

在一些实施例中，步骤S20中，步骤S22与步骤S32同时进行。

如图6所示，对预设孔区进行热处理的步骤中经由设置于基台2的冷处理区C对与冷处理区C对应的待蒸镀基板1的部分进行反向热传递，冷处理区C设置于热处理区H周侧。

在一些示例中，与冷处理区对应的待蒸镀基板的部分均属于蒸镀区。使得待蒸镀基板的蒸镀区，尤其是设置于预设孔区周侧的蒸镀区，不受热处理区的影响不进行升温，避免蒸镀区中存在蒸镀材料缺失，功能层连续性不良的问题，最终在提高显示面板孔区透光率的同时，保证显示面板与蒸镀区对应的显示区的显示质量以及显示效果。

在一些示例中，与冷处理区对应的待蒸镀基板的部分包含属于蒸镀区的部分，也包含处于预设孔区且靠近预设孔区边缘的部分。在这些实施例中，与冷处理区对应的待蒸镀基板的部分属于温度变化过渡区域，更好地避免因温度控制等操作工艺带来的误差使得蒸镀区中存在蒸镀材料缺失，功能层连续性不良等问题。

在一些可选的实施例中，在步骤S21中，预设孔区在待蒸镀基板上的第一正投影覆盖热处理区在待蒸镀基板上的第二正投影。

在一些实施例中，第二正投影位于第一正投影的内部。在这些实施例中，避免热处理区对蒸镀区的蒸镀材料的凝结成膜过程产生影响，在保证后续形成的显示面板的孔区的透光率高的同时，保证蒸镀区形成功能层的连续性以及完整性，以保证显示面板的显示质量。

在另一些实施例中，第一正投影与第二正投影重合。在这些实施例中，尽可能的使功能层位于预设孔区的部分的厚度均小于功能层位于蒸镀区的部分的厚度；或者，尽可能使预设孔区趋于完全未被功能层覆盖。

在一些可选的实施例中，在步骤S20中，采用热辐射的方式对预设孔区进行热处理。

在一些的实施例中，采用热辐射的方式对预设孔区进行热处理，以使预设孔区的温度高于蒸镀区的温度，使得与预设孔区对应的至少部分蒸镀材料在预设孔区的凝结速率小于或等于蒸发速率，阻碍蒸镀材料在预设孔区的凝结成膜。

在另一些实施例中，采用热辐射的方式对预设孔区进行热处理，以使与预设孔区对应的至少部分蒸镀材料直接吸收热辐射中的热量后在预设孔区的蒸发速率增加而凝结速率降低，最终使得与预设孔区对应的至少部分蒸镀材料在预设孔区的凝结速率小于或等于蒸发速率。在这些实施例中，预设孔区的温度也高于蒸镀区的温度，也使得与预设孔区对应的至少部分蒸镀材料在预设孔区的凝结速率小于或等于蒸发速率，阻碍蒸镀材料在预设孔区的凝结成膜。

如图7所示，在一些可选的实施例中，在步骤S20中，对预设孔区进行热处理的步骤包括：

S21’，采用激光照射至少部分预设孔区进行热处理。

在一些实施例中，激光为脉冲式红外激光。

如图8所示，在一些可选的实施例中，在步骤S20中，对预设孔区进行热处理的步骤包括：

S21’，采用激光照射至少部分预设孔区进行热处理。

S211’，将待蒸镀基板设置于具有热处理区的基台，使待蒸镀基板中的预设孔区与热处理区对应。

S212’，采用激光经由热处理区照射至少部分预设孔区进行热处理。

在一些可选的实施例中，步骤S212’中采用的激光发射波长与待蒸镀基板的第一吸收波长对应。在这些实施例中，待蒸镀基板的预设孔区可以实现对激光的完全吸收，待蒸镀基板的预设孔区实现瞬间温度升高，从而实现对与预设孔区对应的蒸镀材料的蒸发速率的快速提升，使得与预设孔区对应的至少部分蒸镀材料在预设孔区的凝结速率小于或等于蒸发速率，阻碍蒸镀材料在预设孔区的凝结成膜。在一些示例中，吸收了激光能量的预设孔区瞬间温度可接近1000℃。

如图9所示，在一些实施例中，采用激光经由基台2的热处理区H照射预设孔区A进行热处理，且采用的激光发射波长与待蒸镀基板1的第一吸收波长对应。热处理区H与预设孔区A对应，热处理区H中不包括热源，由于采用的激光发射波长与待蒸镀基板1的第一吸收波长对应，待蒸镀基板的预设孔区A受到激光照射后会瞬间升温。

在一些实施例中，在步骤S211’中，预设孔区在待蒸镀基板上的第一正投影覆盖热处理区在待蒸镀基板上的第二正投影。

在一些示例中，第二正投影位于所述第一正投影的内部。在这些示例中，避免经由热处理区照射预设孔区的激光对蒸镀区的蒸镀材料的凝结成膜过程产生影响，在保证后续形成的显示面板的孔区的透光率高的同时，保证蒸镀区形成功能层的连续性以及完整性，以保证显示面板的显示质量。

在另一些示例中，第一正投影与第二正投影重合。在这些示例中，激光照射具有精准加热的特点，可以尽可能的使功能层位于预设孔区的部分的厚度均小于功能层位于蒸镀区的部分的厚度；或者，尽可能使预设孔区趋于完全未被功能层覆盖，从而进一步提升蒸镀后形成的显示面板的孔区的光透过率。

如图10所示，在一些可选的实施例中，在步骤S20中，对预设孔区进行热处理的步骤包括：

S21’，采用激光照射至少部分预设孔区进行热处理。

S211’，将待蒸镀基板设置于具有热处理区的基台，使待蒸镀基板中的预设孔区与热处理区对应；

S212’，采用激光经由热处理区照射至少部分预设孔区进行热处理。

S213’，经由设置于热处理区周侧的基台中的冷处理区，对与冷处理区对应的待蒸镀基板的部分进行反向热传递，冷处理区设置于热处理区周侧。

在一些实施例中，步骤S21’中，步骤S212’与步骤S213’同时进行。

如图11所示，在一些实施例中，采用激光经由基台2的热处理区H照射预设孔区A进行热处理，且采用的激光发射波长与待蒸镀基板1的第一吸收波长对应，且经由设置于热处理区H周侧的基台2中的冷处理区C，对与冷处理区C对应的待蒸镀基板1的部分进行反向热传递，冷处理区C设置于热处理区H周侧。热处理区H中不包括热源，由于采用的激光发射波长与待蒸镀基板1的第一吸收波长对应，待蒸镀基板的预设孔区A受到激光照射后会瞬间升温。在这些实施例中，冷处理区C对与冷处理区C对应的待蒸镀基板1的部分进行反向热传递，指冷处理区C吸收与冷处理区C对应的待蒸镀基板1的部分的热量，以使与冷处理区对应的待蒸镀基板1的部分降温，或者维持原来的温度而不被预设孔区A的升温所影响。在一些示例中，热处理区H中设置有隔热结构22，以防止冷处理区C吸收热处理区H中的热量，防止热处理区H耗能增加。

在一些实施例中，冷处理区环绕热处理区周侧设置。

在一些示例中，与冷处理区对应的待蒸镀基板的部分均属于蒸镀区。使得待蒸镀基板的蒸镀区，尤其是设置于预设孔区周侧的蒸镀区，不受热处理区的影响不进行升温，避免蒸镀区中存在蒸镀材料缺失，功能层连续性不良的问题，最终在提高显示面板孔区透光率的同时，保证显示面板与蒸镀区对应的显示区的显示质量以及显示效果。

在一些示例中，与冷处理区对应的待蒸镀基板的部分包含属于蒸镀区的部分，也包含处于预设孔区且靠近预设孔区边缘的部分。在这些实施例中，与冷处理区对应的待蒸镀基板的部分属于温度变化过渡区域，更好地避免因温度控制等操作工艺带来的误差使得蒸镀区中存在蒸镀材料缺失，功能层连续性不良等问题。

如图12至图14所示，在一些可选的实施例中，在一些可选的实施例中，在步骤S20中，对预设孔区进行热处理的步骤包括：

S21’，采用激光照射至少部分预设孔区进行热处理。

S211”，自待蒸镀基板1的背面12向待蒸镀基板1的蒸镀面11，采用激光照射至少部分预设孔区A进行热处理，或者，自待蒸镀基板1的蒸镀面11向待蒸镀基板的背面12，采用激光照射至少部分预设孔区A进行热处理。

在一些可选的实施例中，步骤S211”中激光的发射波长与蒸镀材料的第二吸收波长对应。在这些可选的实施例中，采用热辐射的方式对预设孔区进行热处理，以使与预设孔区对应的至少部分蒸镀材料直接吸收激光的辐射能量后在预设孔区的蒸发速率增加而凝结速率降低，最终使得与预设孔区对应的至少部分蒸镀材料在预设孔区的凝结速率小于或等于蒸发速率，阻碍了蒸镀材料在预设孔区的凝结成膜过程。在这些实施例中，预设孔区的温度也高于蒸镀区的温度。

在一些可选的实施例中，经由设置于待蒸镀基板的图案化金属层对蒸镀区位于预设孔区的周侧的部分进行反向热传递。在一些实施例中，待蒸镀基板中已形成的金属结构(例如阵列设置的薄膜晶体管)可以反射激光，避免激光对于蒸镀区进行辐射传热。在另一些实施例中，在待蒸镀基板中形成专门用于形成图案化功能层的金属层(例如ITO电极层)对入射蒸镀区的激光进行反射，而允许激光入射至少部分预设孔区。在保护蒸镀区的蒸镀材料凝结成膜的同时，阻碍蒸镀材料在蒸镀区凝结成膜，进一步后续形成的显示面板的孔区的透光率。

在一些可选的实施例中，用于出射激光的出光口在待蒸镀基板上的第三正投影具有与第一正投影相应的形状，且第三正投影位于第一正投影的内部，或者第三正投影与第二正投影重合。采用激光照射预设孔区时，可以根据预设孔区的形状调整用于出射激光的出光口的形状，更高效地实现热处理过程。

本申请实施例第二方面提供一种蒸镀装置，包括用于对待蒸镀基板进行图案化热处理的基台，待蒸镀基板包括预设孔区和围绕预设孔区的蒸镀区，基台具有与预设孔区对应的热处理区，预设孔区在待蒸镀基板上的第一正投影覆盖热处理区在待蒸镀基板上的第二正投影。

正向传热指使得预设孔区接受外部热量而进行升温。热处理部自身可以包含热源；或者，热处理部自身可以为外部热源向预设孔区传热的中间体。

如图15所示，在一些可选的实施例中，蒸镀装置包括用于对待蒸镀基板1进行图案化热处理的基台2。基台2包括与待蒸镀基板1的预设孔区A对应的热处理区H，预设孔区A在待蒸镀基板1上的第一正投影覆盖热处理区在待蒸镀基板1上的第二正投影。热处理区H包括用于向至少部分预设孔区正向传热的热处理部。

在一些可选的实施例中，第二正投影位于第一正投影的内部；或者，第一正投影与第二正投影重合。

在一些可选的实施例中，热处理部包括加热器以及设置于加热器与基台主体2a之间且设置于加热器朝向待蒸镀基板1侧的隔热结构22。在这些实施例中，加热器作为设置在基台的热源21。在一些实施例中，隔热结构采用石英和/或陶瓷制成。

在一些实施例中，加热器包括用于加热的热阻丝。在一些示例中，所述热阻丝的热阻材料选自坞等高熔点金属。

在一些实施例中，热处理部包括与预设孔区对应的传热通道，传热通道的长轴延伸方向与基台的厚度方向平行，传热通道与基台主体之间设置隔热结构。在一些示例中，热处理部不包含热源。外部辐射热源发射激光，激光经由传热通道照射到预设孔区，对预设孔区进行辐射传热。

如图16所示，在一些可选的实施例中，蒸镀装置包括用于对待蒸镀基板1进行图案化热处理的基台2。基台2包括与待蒸镀基板1的预设孔区A对应的热处理区H，预设孔区A在待蒸镀基板1上的第一正投影覆盖热处理区在待蒸镀基板1上的第二正投影。热处理区H包括用于向至少部分预设孔区正向传热的热处理部。基台进一步包括设置于热处理区周侧的冷处理区C，冷处理区C包括用于向与冷处理区C对应的待蒸镀基板1的部分进行反向传热的冷却结构。

在一些实施例中，冷却结构环绕热处理部设置。

在一些实施例中，冷却结构包括换热管3，流经换热管3的冷却介质与热处理部进行换热。在一些示例中，热处理部包括热源21以及隔热结构22。

如图17所示，在一些实施例中，冷却结构包括径向截面为环状的冷却管道4，冷却管道4包括内管壁和外管壁，形成在内管壁和外管壁之间的环状腔体41填充有相变冷却介质，冷却管道4的长轴延伸方向与基台2的厚度方向平行。环状腔体41包括环绕热处理部设置的换热管3，流经换热管3的冷却介质与热处理部进行换热。在一些示例中，热处理部包括热源21以及隔热结构22。

在一些实施例中，冷却结构由金属材料构成，金属材料的导热系数取值范围是300W/mk～500W/mk。在一些示例中，冷却结构为环绕热处理部设置的冷却弯板，金属材料为铜或者铜合金。

依照本发明如上文的实施例，这些实施例并没有详尽叙述所有的细节，也不限制该发明仅为的具体实施例。显然，根据以上描述，可作很多的修改和变化。本说明书选取并具体描述这些实施例，是为了更好地解释本发明的原理和实际应用，从而使所属技术领域技术人员能很好地利用本发明以及在本发明基础上的修改使用。本发明仅受权利要求书及其全部范围和等效物的限制。

Claims (10)

1.一种蒸镀方法，其特征在于，包括：

提供待蒸镀基板，所述待蒸镀基板包括预设孔区和围绕所述预设孔区的蒸镀区；

对所述待蒸镀基板进行蒸镀处理，且对所述预设孔区进行热处理，所述热处理步骤使与所述预设孔区对应的至少部分蒸镀材料在所述预设孔区的凝结速率小于或等于蒸发速率，以在所述待蒸镀基板形成覆盖所述蒸镀区的功能层，所述功能层未覆盖所述预设孔区，或者，所述功能层位于所述预设孔区的部分的厚度小于所述功能层位于所述蒸镀区的部分的厚度。

2.根据权利要求1所述的蒸镀方法，其特征在于，所述对所述待蒸镀基板进行蒸镀处理，且对所述预设孔区进行热处理，所述热处理步骤使与所述预设孔区对应的至少部分蒸镀材料在所述预设孔区的凝结速率小于或等于蒸发速率的步骤中：

在同一蒸镀腔室中，对所述待蒸镀基板进行所述蒸镀处理的同时，对所述预设孔区进行所述热处理。

3.根据权利要求1所述的蒸镀方法，其特征在于，所述对所述待蒸镀基板进行蒸镀处理，且对所述预设孔区进行热处理，所述热处理步骤使与所述预设孔区对应的至少部分蒸镀材料在所述预设孔区的凝结速率小于或等于蒸发速率的步骤中：

在同一蒸镀腔室中，对所述待蒸镀基板进行所述蒸镀处理形成覆盖所述预设孔区和所述蒸镀区的预制功能层，再对形成有所述预制功能层的所述待蒸镀基板进行所述热处理以形成所述功能层；或者，

在第一蒸镀腔室中，对所述待蒸镀基板进行所述蒸镀处理形成覆盖所述预设孔区和所述蒸镀区的预制功能层，在第二蒸镀腔室中对形成有所述预制功能层的所述待蒸镀基板进行所述热处理以形成所述功能层。

4.根据权利要求2或3所述的蒸镀方法，其特征在于，所述对所述待蒸镀基板进行蒸镀处理，且对所述预设孔区进行热处理，所述热处理步骤使与所述预设孔区对应的至少部分蒸镀材料在所述预设孔区的凝结速率小于或等于蒸发速率的步骤中：

采用热传导的方式对所述预设孔区进行所述热处理。

5.根据权利要求4所述的蒸镀方法，其特征在于，对所述预设孔区进行热处理的步骤，包括：

将所述待蒸镀基板设置于具有热处理区的基台，使所述待蒸镀基板中的预设孔区与所述热处理区对应；

在与蒸镀方向平行且反向的方向上、采用设置于所述热处理区的热源以热传导的方式，向至少部分所述预设孔区进行正向热传递，以使所述预设孔区升温；

优选的，经由设置于所述基台的冷处理区对与所述冷处理区对应的所述待蒸镀基板的部分进行反向热传递，所述冷处理区设置于所述热处理区周侧。

6.根据权利要求5所述的蒸镀方法，其特征在于，所述将所述待蒸镀基板设置于具有热处理区的基台，使所述待蒸镀基板中的预设孔区与所述热处理区对应的步骤中：

所述预设孔区在所述待蒸镀基板上的第一正投影覆盖所述热处理区在所述待蒸镀基板上的第二正投影。

7.根据权利要求2或3所述的蒸镀方法，其特征在于，所述对所述待蒸镀基板进行蒸镀处理，且对所述预设孔区进行热处理，所述热处理步骤使与所述预设孔区对应的至少部分蒸镀材料在所述预设孔区的凝结速率小于或等于蒸发速率的步骤中：

采用热辐射的方式对所述预设孔区进行所述热处理。

8.根据权利要求7所述的蒸镀方法，其特征在于，对所述预设孔区进行热处理的步骤，包括：

采用激光照射至少部分所述预设孔区进行所述热处理；

优选的，所述激光的发射波长与所述待蒸镀基板的第一吸收波长对应；

优选的，对所述预设孔区进行热处理的步骤，包括：将所述待蒸镀基板设置于具有热处理区的基台，使所述待蒸镀基板中的预设孔区与所述热处理区对应；采用所述激光经由所述热处理区照射至少部分所述预设孔区进行所述热处理；

优选的，所述将所述待蒸镀基板设置于具有热处理区的基台，使所述待蒸镀基板中的预设孔区与所述热处理区对应的步骤中：所述预设孔区在所述待蒸镀基板上的第一正投影覆盖所述热处理区在所述待蒸镀基板上的第二正投影；

优选的，经由设置于所述热处理区周侧的所述基台中的冷处理区，对与所述冷处理区对应的所述待蒸镀基板的部分进行反向热传递，冷处理区设置于热处理区周侧；

优选的，所述激光的发射波长与所述蒸镀材料的第二吸收波长对应；

优选的，自所述待蒸镀基板的背面向所述待蒸镀基板的蒸镀面，采用激光照射至少部分所述预设孔区进行所述热处理，或者，自所述待蒸镀基板的蒸镀面向所述待蒸镀基板的背面，采用激光照射至少部分所述预设孔区进行所述热处理；

优选的，经由设置于所述待蒸镀基板的图案化金属层对所述蒸镀区位于所述预设孔区的周侧的部分进行反向热传递；

优选的，用于出射所述激光的出光口在所述待蒸镀基板上的第三正投影具有与所述第一正投影相应的形状，且所述第三正投影位于所述第一正投影的内部，或者所述第三正投影与所述第二正投影重合。

9.一种蒸镀装置，其特征在于，包括用于对待蒸镀基板进行图案化热处理的基台，所述待蒸镀基板包括预设孔区和围绕所述预设孔区的蒸镀区，所述基台具有与所述预设孔区对应的热处理区，所述预设孔区在所述待蒸镀基板上的第一正投影覆盖所述热处理区在所述待蒸镀基板上的第二正投影；

优选的，所述第二正投影位于所述第一正投影的内部；或者，所述第一正投影与所述第二正投影重合；所述热处理区包括用于向至少部分所述预设孔区正向传热的热处理部；

优选的，所述热处理部包括加热器以及隔热结构，所述隔热结构设置于所述加热器与基台主体之间且设置于所述加热器朝向所述待蒸镀基板侧；优选的，所述热处理部包括与所述预设孔区对应的传热通道，所述传热通道的长轴延伸方向与所述基台的厚度方向平行，所述传热通道与基台主体之间设置隔热结构。

10.根据权利要求9所述的蒸镀装置，其特征在于，所述基台进一步包括设置于所述热处理区周侧的冷处理区，所述冷处理区包括用于向与所述冷处理区对应的所述待蒸镀基板的部分进行反向传热的冷却结构；

优选的，所述冷却结构包括换热管，流经所述换热管的冷却介质与所述热处理部进行换热；

优选的，所述冷却结构包括径向截面为环状的冷却管道，所述冷却管道包括内管壁和外管壁，形成在所述内管壁和所述外管壁之间的环状腔体填充有相变冷却介质，所述冷却管道的长轴延伸方向与所述基台的厚度方向平行，所述环状腔体包括环绕所述热处理部设置的换热管，流经所述换热管的冷却介质与所述热处理部进行换热。

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