WO2012133203A1

WO2012133203A1 - 蒸着膜パターンの形成方法および有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法

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Publication number: WO2012133203A1
Application number: PCT/JP2012/057547
Authority: WO
Inventors: 通園田; 伸一川戸; 智井上; 智志橋本
Original assignee: シャープ株式会社
Priority date: 2011-03-30
Filing date: 2012-03-23
Publication date: 2012-10-04

Abstract

　蒸着膜パターンの形成方法は、被成膜基板（２０）の蒸着不要領域（Ｒ３）に熱発生層を形成する工程と、熱発生層の少なくとも一部を覆うように、蒸着不要領域（Ｒ３）を含む被成膜基板（２０）の被成膜面に蒸着膜を形成する工程と、熱発生層から、除去する蒸着膜が気体になる温度以上の温度の熱を発生させることで、蒸着不要領域（Ｒ３）に形成された蒸着膜を選択的に気体化させて除去する工程とを備える。

Description

蒸着膜パターンの形成方法および有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法

　本発明は、被成膜基板にパターン化された蒸着膜を形成する蒸着膜パターンの形成方法および該蒸着膜パターンの形成方法を用いた有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法に関するものである。

　近年、様々な商品や分野でフラットパネルディスプレイが活用されており、フラットパネルディスプレイのさらなる大型化、高画質化、低消費電力化が求められている。

　そのような状況下において、有機材料の電界発光（エレクトロルミネッセンス；以下、「ＥＬ」と記す）を利用した有機ＥＬ素子を備えた有機ＥＬ表示装置は、全固体型で、低電圧駆動、高速応答性、自発光性、広視野角特性等の点で優れたフラットパネルディスプレイとして、高い注目を浴びている。

　有機ＥＬ表示装置は、例えば、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）が設けられたガラス基板等からなる基板上に、ＴＦＴに電気的に接続された有機ＥＬ素子が設けられた構成を有している。

　例えば、フルカラーの有機ＥＬ表示装置では、一般的に、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の各色の発光層を備えた有機ＥＬ素子がサブ画素として基板上に配列形成され、ＴＦＴを用いて、これら有機ＥＬ素子を選択的に所望の輝度で発光させることによりカラー画像表示を行うようになっている。

　したがって、有機ＥＬ表示装置を製造するためには、各色に発光する有機発光材料からなる発光層を有機ＥＬ素子毎に所定パターンで形成する必要がある。

　このような発光層を所定パターンで形成する方法としては、例えば、真空蒸着法、インクジェット法、レーザ転写法等が知られている。そして、例えば、低分子型有機ＥＬ表示装置（ＯＬＥＤ）では、真空蒸着法が用いられることが多い。

　真空蒸着法では、所定パターンの開口が形成されたマスク（シャドウマスクとも称される）が使用され、マスクが密着固定された基板の被蒸着面を蒸着源に対向させる。

　そして、蒸着源からの蒸着粒子（成膜材料）を、マスクの開口を通して被蒸着面に蒸着させることにより、所定パターンの薄膜が形成される。蒸着は発光層の色毎に行われ、これを「塗り分け蒸着」という。

　特許文献１および特許文献２には、基板に対してマスクを少しずつ移動させて各色の発光層の塗り分け蒸着を行う方法が記載されている。

　このような従来の塗り分け蒸着法においては、基板と同等の大きさのマスクが使用され、蒸着時にはマスクは基板の被蒸着面を覆うように固定されるようになっている。

　したがって、従来の塗り分け蒸着法においては、基板が大きくなればそれに伴ってマスクも大型化する必要がある。

　しかしながら、マスクを大きくすると、マスクの自重撓みや伸びにより、基板とマスクとの間に隙間が生じ易くなるとともに、その隙間の大きさは、基板の被蒸着面の位置によってそれぞれ異なる。

　よって、従来の塗り分け蒸着法を用いては、高精度なパターニングを行うのが難しく、蒸着位置のズレや混色が発生してしまうという問題があった。

　また、従来の塗り分け蒸着法においては、マスクを大きくすると、マスク等を保持するフレーム等も巨大になってしまい、その重量も増加するため、取り扱いが困難になり、生産性や安全性に支障をきたすおそれがある。

　そして、従来の塗り分け蒸着法においては、蒸着装置やそれに付随する装置も同様に巨大化、複雑化するため、装置設計が困難になり、設置コストも高額になってしまう。

　以上のように、従来の塗り分け蒸着法では、大型基板へ高精細にパターニングされた蒸着膜を形成するのが困難であり、例えば、６０インチサイズを超えるようなマスクが用いられる大型基板に対しては量産レベルで塗り分け蒸着が実現できていないのが現状である。

日本国公開特許公報「特開平８－２２７２７６号公報（１９９６年９月３日公開）」日本国公開特許公報「特開２０００－１８８１７９号公報（２０００年７月４日公開）」日本国公開特許公報「特開２００４－３４９１０１号公報（２００４年１２月９日公開）」

　そこで、近年、基板よりも小さなマスクを用いて走査しながら蒸着を行うスキャン蒸着法が提案されている（例えば、特許文献３参照）。

　スキャン蒸着法では、開口部を有するマスクと蒸着源とが一体化された蒸着装置が用いられる。

　スキャン蒸着法では、従来のように基板と同等の大きさのマスクを用いる必要がないので、マスクサイズが大きくなることで生じる上述の問題を改善することができる。しかしながら、このような蒸着法においては、以下のような問題が新たに生じる。

　図１６は、スキャン蒸着によって、基板の被成膜面１０１ａ（被蒸着面）に形成された蒸着膜の様子を示す平面図である。

　図１６に示すように、大型の基板１０１には、各有機ＥＬ表示装置において、蒸着膜（例えば、発光層等）の形成が必要となる蒸着領域Ｒ１０と、蒸着膜の形成が必要でない端子部となる蒸着不要領域Ｒ２０と、がそれぞれ存在する。

　本来であれば、蒸着不要領域Ｒ２０には、蒸着膜を形成する必要はない。

　しかしながら、図１７に示すように、スキャン蒸着法を用いた場合、図１６に示すように、蒸着領域Ｒ１０だけでなく、蒸着不要領域Ｒ２０にも、蒸着領域Ｒ１０における蒸着膜パターンと同じパターンを有する蒸着膜１０６が形成される。

　以下、図１７に基づいて、ストライプ状のパターンを有する蒸着膜１０６が蒸着不要領域Ｒ２０にも形成される理由について説明する。

　図１７に示すように、スキャン蒸着法を用いた場合に蒸着不要領域Ｒ２０に蒸着膜１０６が形成されないようにするためには、蒸着用のマスク１０２の先端部が蒸着ＯＦＦライン（すなわち、蒸着不要領域Ｒ２０の端部）に達した際に、蒸着源の射出口１０３ａから射出される蒸着流を、例えばシャッタにより遮断することが考えられる。

　しかし、そのようにすると、マスク１０２の開口部１０２ａ上に蒸着不要領域Ｒ２０が存在する状態においても、蒸着領域Ｒ１０の端部がまだ開口部１０２ａ上に残っている。

　そのため、上記のように蒸着流を遮断すると、蒸着領域Ｒ１０に射出される蒸着流も遮断されるため、蒸着領域Ｒ１０の蒸着膜１０６の膜厚が低下する。

　したがって、スキャン蒸着法を用いた場合、蒸着領域Ｒ１０に均一な膜厚を有する蒸着膜１０６を形成するためには、図１６に示すように、蒸着不要領域Ｒ２０にも、蒸着領域Ｒ１０における蒸着膜パターンと同じパターンを有する蒸着膜１０６を形成する必要がある。

　図１８は、蒸着不要領域Ｒ２０に形成された蒸着膜１０６によって生じる問題点を説明する図である。

　図１８は、発光層として、スキャン蒸着法で形成された蒸着膜１０６を備えた有機ＥＬ表示装置１１３の概略構成を示す図である。

　図１８に示す有機ＥＬ表示装置１１３に備えられた基板１０１においては、蒸着領域Ｒ１０だけでなく、蒸着不要領域Ｒ２０にも、ストライプ状のパターンを有する蒸着膜１０６が形成されている。すなわち、蒸着不要領域Ｒ２０である配線の端子部１０７ａにも、蒸着膜１０６が形成されている。

　そして、回路基板１１２の接続端子１１１と、蒸着不要領域Ｒ２０に形成されている配線の端子部１０７ａとは、図示しない異方性導電膜（ＡＣＦ）を介して電気的に接続される。

　しかし、図１８に示すように、端子部１０７ａ上に蒸着膜１０６が形成されていると、導通不良または短絡が発生するという問題がある。

　すなわち、蒸着膜１０６の導電性が低い場合には、回路基板１１２の接続端子１１１と端子部１０７ａとの導通不良が発生する。一方、蒸着膜の導電性が高いと、隣接する端子部１０７ａ間で短絡が生じる。すなわち、いずれの場合においても、端子部１０７ａ上に蒸着膜１０６が存在することで動作不良を発生させる。一般に、蒸着膜１０６は導電性が低く、導通不良を発生させることになる。

　また、蒸着領域Ｒ１０の４辺端部の蒸着不要領域Ｒ２０には、封止樹脂１０９が枠状に形成され、封止樹脂１０９を介して、基板１０１上に形成された有機ＥＬ素子１０８を密封するように、基板１０１と封止基板１１０とが貼り合わされる。これにより、有機ＥＬ素子１０８が大気中の水分や酸素により劣化することが防止される。

　しかし、図１８に示されるように、蒸着不要領域Ｒ２０において封止樹脂１０９が形成される領域に蒸着膜１０６が存在すると、封止不良が生じ易くなるという問題がある。

　したがって、例えば、このような蒸着方法によって製造された有機ＥＬ表示装置は、歩留まりが低く、信頼性を確保するのも困難であった。

　本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、蒸着不要領域に蒸着した蒸着膜を簡便に除去することができる蒸着膜パターンの形成方法並びに有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法を提供することを目的とする。

　上記の課題を解決するために、本発明に係る蒸着膜パターンの形成方法は、被成膜基板にパターン化された蒸着膜を形成する蒸着膜パターンの形成方法であって、上記被成膜基板における被成膜面の蒸着不要領域に、外部からエネルギーを与えることで上記蒸着膜が気体になる温度（例えば蒸発温度または昇華温度）以上の温度の熱を発生させる熱発生層を形成する熱発生層形成工程と、上記熱発生層の少なくとも一部を覆うように、上記蒸着不要領域を含む上記被成膜基板の被成膜面に蒸着膜を形成する蒸着膜形成工程と、上記熱発生層から上記蒸着膜が気体になる温度以上の温度の熱を発生させることで、上記蒸着不要領域に形成された蒸着膜を選択的に気体化（例えば、一旦溶融した後に蒸発、または、直接、昇華）させて除去する蒸着膜除去工程と、を備えることを特徴としている。

　上記の方法によれば、蒸着不要領域に上記熱発生層を形成しておき、蒸着膜の蒸着後に上記熱発生層に外部からエネルギーを与えて上記熱発生層から上記蒸着膜が気体になる温度以上の温度の熱を発生させることで、蒸着不要領域に形成された蒸着膜を気体化させて除去することができる。

　したがって、蒸着後に、蒸着不要領域の蒸着膜を簡便に除去することができる。

　このため、蒸着不要領域への蒸着を防止するために、大型の被成膜基板を用いる場合に、大型の蒸着マスクを用いたり、高精度のファインマスクを用いたりする必要がない。

　また、スキャン蒸着を行う場合に、蒸着不要領域に蒸着膜が存在することで生じる、例えば端子部領域での導通不良の発生や短絡等の問題を回避することができる。

　さらには、上記方法によれば、蒸着後に、蒸着不要領域の蒸着膜を除去することができるので、マスクレス蒸着を行うことも可能となる。

　また、本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法は、上記蒸着膜パターンの形成方法を用いて、有機エレクトロルミネッセンス表示装置の蒸着膜を形成することを特徴としている。

　上記の方法によれば、蒸着不要領域への蒸着を防止するために、大型の蒸着マスクを用いたり、高精度のファインマスクを用いたりすることなく、有機エレクトロルミネッセンス表示装置を製造することができる。

　また、上記の方法によれば、例えばスキャン蒸着を行う場合に、蒸着不要領域に蒸着膜が存在することで生じる、例えば端子部領域での導通不良の発生や短絡等の問題を回避することができる。

　したがって、そのような問題を招来しない高性能の有機エレクトロルミネッセンス表示装置を、安価かつ安全に製造することができる。

　以上のように、本発明によれば、蒸着不要領域に上記熱発生層を形成しておき、蒸着膜の蒸着後に上記熱発生層に外部からエネルギーを与えて上記熱発生層から上記蒸着膜が気体になる温度以上の温度の熱を発生させることで、蒸着不要領域に形成された蒸着膜を気体化させて除去することができる。

（ａ）～（ｃ）は、本発明の実施の形態１で製造する有機ＥＬ表示装置の半導体基板における蒸着不要領域の有機膜を除去する工程を工程順に示す断面図である。本発明の実施の形態１に係る有機ＥＬ表示装置の概略的な製造工程を示すフローチャートである。本発明の実施の形態１で製造する有機ＥＬ表示装置の半導体基板におけるレーザ光照射領域を説明する平面図である。本発明の実施の形態１で製造する有機ＥＬ表示装置における半導体基板の構成を説明する平面図である。図４に示す半導体基板のＡ－Ａ線矢視断面における要部の概略構成を示す断面図である。図４に示す半導体基板のＢ－Ｂ線矢視断における要部の概略構成を示す断面図である。本発明の実施の形態１で製造する有機ＥＬ表示装置の要部の概略構成を示す分解断面図である。本発明の実施の形態１で用いられる蒸着装置の要部の概略構成を示す斜視図である。本発明の実施の形態２で製造する有機ＥＬ表示装置の半導体基板における封止領域の一部を示す要部平面図である。本発明の実施の形態２で製造する有機ＥＬ表示装置の半導体基板におけるレーザ光照射領域を説明する平面図である。（ａ）～（ｃ）は、本発明の実施の形態２で製造する有機ＥＬ表示装置の半導体基板における封止領域の有機膜を除去する工程を工程順に示す断面図である。本発明の実施の形態３で製造する有機ＥＬ表示装置の半導体基板におけるレーザ光照射領域を説明する平面図である。（ａ）～（ｃ）は、本発明の実施の形態３で製造する有機ＥＬ表示装置の半導体基板における第２電極接続領域の有機膜を除去する工程を工程順に示す断面図である。本発明の実施の形態４で製造する有機ＥＬ表示装置の半導体基板におけるレーザ光照射領域を説明する平面図である。（ａ）～（ｃ）は、本発明の実施の形態４で製造する有機ＥＬ表示装置の半導体基板の表示領域における有機膜の一部を除去する工程を工程順に示す断面図である。スキャン蒸着を用いて基板に形成された従来の蒸着膜の様子を示す図である。ストライプ状のパターンを有する蒸着膜が蒸着不要領域にも形成されてしまう理由について説明する図である。蒸着不要領域に形成された蒸着膜によって生じる問題点を説明する図である。

　以下、本発明の実施の形態について、詳細に説明する。

　〔実施の形態１〕
　本発明の実施の一形態について、図１の（ａ）～（ｃ）から図８に基づいて説明すれば、以下の通りである。

　本発明の実施の一形態に係る蒸着膜パターンの形成方法は、蒸着不要領域を含む被成膜基板の被成膜面に蒸着膜を形成した後、上記蒸着不要領域に形成された蒸着膜を選択的に蒸発または昇華させる等して気体にして除去することで所定の蒸着膜パターンを形成する方法である。

　以下、本実施の形態では、蒸着膜パターンを形成する被成膜基板として、有機ＥＬ表示装置に用いられる半導体基板を使用し、上記蒸着膜のパターンとして、上記半導体基板に、有機膜のパターンを形成する場合を例に挙げて説明する。

　すなわち、本実施の形態では、上記蒸着膜パターンの形成方法を用いて有機ＥＬ表示パネルおよび有機ＥＬ表示装置を製造する方法について説明する。しかしながら、本実施の形態はこれに限定されるものではない。

　＜有機ＥＬ表示装置の構成＞
　まず、上記有機ＥＬ表示装置の概略構成について説明する。

　図７は、本実施の形態で製造する有機ＥＬ表示装置１００の要部の概略構成を示す分解断面図である。

　図７に示すように、本実施の形態で製造される有機ＥＬ表示装置１００は、有機ＥＬ表示パネル１（表示パネル）と、有機ＥＬ表示装置１００を駆動する駆動回路等が設けられた回路基板５２とを備えている。

　有機ＥＬ表示パネル１は、能動素子（駆動素子）としてＴＦＴ２（図５参照）が設けられた半導体基板１０（被成膜基板、ＴＦＴ基板）上に、ＴＦＴ２に接続された有機ＥＬ素子１２、封止樹脂層１８、封止基板１３が、この順に設けられた構成を有している。

　図７に示すように、有機ＥＬ素子１２は、該有機ＥＬ素子１２が積層された半導体基板１０を、枠状の封止領域Ｌに設けられた封止樹脂層１８を介して封止基板１３と貼り合わせることで、これら一対の基板（半導体基板１０、封止基板１３）間に封入されている。

　上記有機ＥＬ表示パネル１は、このように有機ＥＬ素子１２が半導体基板１０と封止基板１３との間に封入されていることで、有機ＥＬ素子１２への酸素や水分の外部からの浸入が防止されている。

　半導体基板１０における上記枠状の封止領域Ｌの外側には、電気配線端子１５（電気接続部、接続端子）等が形成された端子部領域Ｒ３が設けられている。

　回路基板５２には、例えば、フレキシブルフィルムケーブル等の配線や、ドライバ等の駆動回路等が設けられている。回路基板５２は、端子部領域Ｒ３に設けられた電気配線端子１５を介して有機ＥＬ表示パネル１と接続されている。

　なお、本実施の形態においては、封止基板１３としてガラス基板を用いており、上記したように、接着性を有する封止樹脂層１８を介して、半導体基板１０と封止基板１３とを貼り合わせることによって、有機ＥＬ素子１２の封止を行っている。

　しかしながら、有機ＥＬ素子１２の封止方法はこれに限定されることはなく、例えば、有機ＥＬ素子１２の上面には、水分や酸素の透過しにくい緻密な封止膜を、ＣＶＤ（chemical vapor deposition、化学蒸着）法等で形成し、有機ＥＬ素子１２の側面には、封止樹脂やフリットガラス（粉末ガラス）を、枠状に形成して有機ＥＬ素子１２の封止を行ってもよい。

　次に、上記有機ＥＬ表示パネル１における半導体基板１０および有機ＥＬ素子１２の構成について詳述する。

　＜半導体基板１０の構成＞
　図４は、本実施の形態で製造する有機ＥＬ表示装置１００における半導体基板１０の構成を説明する平面図である。また、図５は、図４に示す半導体基板１０のＡ－Ａ線矢視断面における要部の概略構成を示す断面図である。

　図４に示すように、半導体基板１０の能動面（能動素子形成面）である一方の主面には、表示領域Ｒ１、第２電極接続領域Ｒ２、端子部領域Ｒ３、および、前記した枠状の封止領域Ｌが設けられている。

　＜表示領域Ｒ１＞
　表示領域Ｒ１は、半導体基板１０の中央部に設けられており、例えば矩形状に形成されている。表示領域Ｒ１には、複数のサブ画素からなる画素アレイ部３０が形成される。

　画素アレイ部３０には、有機ＥＬ素子１２を構成する有機膜からなる蒸着膜が形成される。なお、画素アレイ部３０の構成については後で詳述する。

　上記有機膜は、スキャン蒸着により、上記半導体基板１０の端から端まで形成される。したがって、上記有機膜は、該有機膜からなる蒸着膜の形成工程において、表示領域Ｒ１の画素アレイ部３０だけでなく、その他の領域、つまり、第２電極接続領域Ｒ２、端子部領域Ｒ３、および封止領域Ｌにも形成される。

　＜第２電極接続領域Ｒ２＞
　第２電極接続領域Ｒ２は、画素アレイ部３０の第２電極１１（図５参照）が接続される領域である。

　第２電極接続領域Ｒ２は、表示領域Ｒ１の２組の対となる辺のうち、一方の組の対となる辺の外側に、それぞれ対向する辺に沿って形成されている。

　また、これら第２電極接続領域Ｒ２には、それぞれ接続部１７（接続電極）が形成されている。接続部１７は、画素アレイ部３０の第２電極１１が接続される部分であり、金属材料により形成されている。

　＜封止領域Ｌ＞
　前記したように、封止領域Ｌには、半導体基板１０と封止基板１３とを貼り合わせるための封止樹脂層１８が形成されている。

　封止領域Ｌは、図４に示すように、表示領域Ｒ１および第２電極接続領域Ｒ２を囲むように枠状に形成されている。

　＜端子部領域Ｒ３＞
　端子部領域Ｒ３は、前記したように、有機ＥＬ表示パネル１と回路基板５２との接続に用いられる領域である。

　端子部領域Ｒ３は、枠状の封止領域Ｌの外側に、この枠状の封止領域Ｌに沿って設けられている。

　具体的には、図４に示すように、端子部領域Ｒ３は、各第２電極接続領域Ｒ２の外側に、各第２電極接続領域Ｒ２に沿って形成されている。また、端子部領域Ｒ３は、表示領域Ｒ１における、上記第２電極接続領域Ｒ２が設けられていない、他方の組の対となる辺の外側に、それぞれ対向する辺に沿って形成されている。

　前記したように、表示領域Ｒ１の画素アレイ部３０に形成される有機膜は、端子部領域Ｒ３にも形成される。

　しかしながら、端子部領域Ｒ３は、蒸着不要領域であり、このように、有機ＥＬ表示パネル１と回路基板５２との接続に用いられる端子部領域Ｒ３、特に、図７に示したように回路基板５２との接続端子として用いられる電気配線端子１５上に有機膜が形成されていると、有機ＥＬ表示パネル１と回路基板５２との導通不良を招く。

　このため、端子部領域Ｒ３に形成された上記有機膜は、有機ＥＬ表示パネル１と回路基板５２との導通不良を招かないように、その少なくとも一部を除去する必要がある。

　そこで、端子部領域Ｒ３の構成の詳細については後で詳述するものとし、先に、画素アレイ部３０の構成、並びに、本実施の形態で用いられる蒸着装置および蒸着方式について説明する。

　＜画素アレイ部３０の構成＞
　まず、画素アレイ部３０の構成について説明する。

　有機ＥＬ表示パネル１は、例えば、フルカラーのアクティブマトリクス型の有機ＥＬ表示装置であり、画素アレイ部３０には、図５に示すように、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の各色の発光色を有する有機ＥＬ素子１２からなる各色のサブ画素ＲＳＰ・ＧＳＰ・ＢＳＰが、マトリクス状に配列されている。なお、以下、これらサブ画素ＲＳＰ・ＧＳＰ・ＢＳＰを総称して「サブ画素ＳＰ」と記す。

　本実施の形態では、各サブ画素ＲＳＰ・ＧＳＰ・ＢＳＰは、半導体基板１０の能動面における横方向および縦方向のうちの一方の方向（例えば横方向であるｘ軸方向：図４参照）に、同じ発光色のサブ画素ＳＰが隣り合い、他方の方向（例えば縦方向であるｙ軸方向：図４参照）に、異なる発光色のサブ画素ＳＰが隣り合うように配列されている。

　図４および図５に示すように、半導体基板１０は、ベース基板として絶縁基板３を備えている。

　図５に示すように、画素アレイ部３０において、半導体基板１０は、ガラス基板等の透明な絶縁基板３上に、ＴＦＴ２および配線Ｈ、層間絶縁膜４、エッジカバー６等が形成された構成を有している。

　ＴＦＴ２は、それぞれ、各サブ画素ＲＳＰ・ＧＳＰ・ＢＳＰに対応して設けられている。なお、ＴＦＴの構成は従来よく知られている。したがって、ＴＦＴ２における各層の図示並びに説明は省略する。

　層間絶縁膜４は、各サブ画素ＲＳＰ・ＧＳＰ・ＢＳＰおよび配線Ｈを覆うように、上記絶縁基板３上に、該絶縁基板３の全領域に渡って積層されている。

　層間絶縁膜４上には、有機ＥＬ素子１２における第１電極５が形成されている。

　また、層間絶縁膜４には、有機ＥＬ素子１２における第１電極５をＴＦＴ２に電気的に接続するためのコンタクトホール４ａが設けられている。これにより、ＴＦＴ２は、上記コンタクトホール４ａを介して、有機ＥＬ素子１２に電気的に接続されている。

　エッジカバー６は、第１電極５の端部で有機ＥＬ層が薄くなったり電界集中が起こったりすることで、有機ＥＬ素子１２における第１電極５と第２電極１１とが短絡することを防止するための絶縁層である。

　エッジカバー６は、層間絶縁膜４上に、第１電極５の端部を覆うように形成されている。

　第１電極５は、図５に示すように、エッジカバー６のない部分で露出している。この露出部分が各サブ画素ＲＳＰ・ＧＳＰ・ＢＳＰの発光部となる。

　言い換えれば、各サブ画素ＲＳＰ・ＧＳＰ・ＢＳＰは、絶縁性を有するエッジカバー６によって仕切られている。エッジカバー６は、素子分離膜としても機能する。

　絶縁基板３としては、例えば、無アルカリガラスやプラスチック等を用いることができる。本実施の形態においては、板厚０．７ｍｍの無アルカリガラスを使用した。

　層間絶縁膜４およびエッジカバー６としては、既知の感光性樹脂を用いることができる。上記感光性樹脂としては、例えば、アクリル樹脂やポリイミド樹脂等が挙げられる。

　また、ＴＦＴ２は既知の方法にて作製される。なお、本実施の形態においては、上記したように、ＴＦＴ２を各サブ画素ＲＳＰ・ＧＳＰ・ＢＳＰに形成したアクティブマトリクス型の有機ＥＬ表示装置１００を例に挙げている。

　しかしながら、本実施の形態はこれに限定されるものではなく、ＴＦＴが形成されていないパッシブマトリクス型の有機ＥＬ表示装置の製造についても、本実施の形態を適用することができる。

　＜有機ＥＬ素子１２の構成＞
　次に、上記画素アレイ部における有機ＥＬ素子１２の構成について説明する。

　有機ＥＬ素子１２は、低電圧直流駆動による高輝度発光が可能な発光素子であり、第１電極５、有機ＥＬ層、第２電極１１が、この順に積層されている。

　第１電極５は、上記有機ＥＬ層に正孔を注入（供給）する機能を有する層である。第１電極５は、前記したようにコンタクトホール４ａを介してＴＦＴ２と接続されている。

　第１電極５と第２電極１１との間には、図５に示すように、有機ＥＬ層として、第１電極５側から、例えば、正孔注入層７ａ、正孔輸送層７ｂ、発光層８Ｒ・８Ｇ・８Ｂ、電子輸送層９ａ、および電子注入層９ｂが、この順に形成された構成を有している。

　なお、図示してないが、必要に応じて正孔、電子といったキャリアの流れをせき止めるキャリアブロッキング層が挿入されていてもよい。

　また、一つの層が複数の機能を有していてもよく、例えば、正孔注入層７ａと正孔輸送層７ｂとを兼ねた一つの層を形成してもよい。本実施の形態では、上記したように、正孔注入層７ａと正孔輸送層７ｂとを互いに独立した層として形成したが、正孔注入層および正孔輸送層として、正孔注入層と正孔輸送層とが一体化された正孔注入層兼正孔輸送層を設けてもよい。

　なお、上記積層順は、第１電極５を陽極とし、第２電極１１を陰極としたものである。第１電極５を陰極とし、第２電極１１を陽極とする場合には、有機ＥＬ層の積層順は反転する。

　正孔注入層７ａは、第１電極５から有機ＥＬ層への正孔注入効率を高める機能を有する層である。また、正孔輸送層７ｂは、発光層８Ｒ・８Ｇ・８Ｂへの正孔輸送効率を高める機能を有する層である。正孔注入層７ａおよび正孔輸送層７ｂは、第１電極５およびエッジカバー６を覆うように、上記半導体基板１０における表示領域全面に一様に形成されている。

　正孔輸送層７ｂ上には、発光層８Ｒ・８Ｇ・８Ｂが、それぞれ、画素ＲＳＰ・ＧＳＰ・ＢＳＰに対応して形成されている。

　発光層８Ｒ・８Ｇ・８Ｂは、第１電極５側から注入された正孔と第２電極１１側から注入された電子とを再結合させて光を出射する機能を有する層である。発光層８Ｒ・８Ｇ・８Ｂは、それぞれ、低分子蛍光色素、金属錯体等の、発光効率が高い材料で形成されている。

　電子輸送層９ａは、発光層８Ｒ・８Ｇ・８Ｂへの電子輸送効率を高める機能を有する層である。また、電子注入層９ｂは、第２電極１１から有機ＥＬ層への電子注入効率を高める機能を有する層である。

　電子輸送層９ａは、発光層８Ｒ・８Ｇ・８Ｂおよび正孔輸送層７ｂ上を覆うように、これら発光層８Ｒ・８Ｇ・８Ｂおよび正孔輸送層７ｂ上に、上記半導体基板１０における表示領域全面に渡って一様に形成されている。

　また、電子注入層９ｂは、電子輸送層９ａを覆うように、電子輸送層９ａ上に、上記半導体基板１０における表示領域全面に渡って一様に形成されている。

　なお、電子輸送層９ａと電子注入層９ｂとは、上記したように互いに独立した層として形成されていてもよく、互いに一体化して設けられていてもよい。すなわち、有機ＥＬ表示パネル１は、電子輸送層９ａおよび電子注入層９ｂに代えて、電子輸送層兼電子注入層を備えていてもよい。

　第２電極１１は、上記のような有機層で構成される有機ＥＬ層に電子を注入する機能を有する層である。第２電極１１は、電子注入層９ｂを覆うように、電子注入層９ｂ上に、上記半導体基板１０における表示領域全面に渡って一様に形成されている。

　なお、発光層８Ｒ・８Ｇ・８Ｂ以外の有機層は有機ＥＬ層として必須の層ではなく、要求される有機ＥＬ素子１２の特性に応じて適宜形成すればよい。

　また、正孔注入層兼正孔輸送層および電子輸送層兼電子注入層のように、一つの層は、複数の機能を有していてもよい。

　また、有機ＥＬ層には、必要に応じ、キャリアブロッキング層を追加することもできる。例えば、発光層８Ｒ・８Ｇ・８Ｂと電子輸送層９ａとの間にキャリアブロッキング層として正孔ブロッキング層を追加することで、正孔が電子輸送層９ａに抜けるのを阻止し、発光効率を向上することができる。

　上記構成において、第１電極５（陽極）、第２電極１１（陰極）、および発光層８Ｒ・８Ｇ・８Ｂ以外の層は、適宜挿入すればよい。

　第１電極５は、電極材料をスパッタ法等で形成した後、フォトリソグラフィ技術およびエッチングにより、個々の画素ＲＳＰ・ＧＳＰ・ＢＳＰに対応してパターン形成されている。

　第１電極５としては、様々な導電性材料を用いることができるが、絶縁基板３側に光を放射するボトムエミッション型の有機ＥＬ素子の場合、透明または半透明の必要がある。

　一方、基板とは反対側から光を放射するトップエミッション型有機ＥＬ素子の場合には、第２電極１１が透明または半透明の必要がある。

　これら第１電極５および第２電極１１に用いられる導電膜材料としては、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide：インジウム錫酸化物）、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide：インジウム亜鉛酸化物）、ガリウム添加酸化亜鉛（ＧＺＯ）等の透明導電材料、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）等の金属材料を用いることができる。

　また、上記第１電極５および第２電極１１の積層方法としては、スパッタ法、真空蒸着法、ＣＶＤ（chemical vapor deposition、化学蒸着）法、プラズマＣＶＤ法、印刷法等を用いることができる。例えば、上記第１電極５の積層に、後述する蒸着装置１５０を用いてもよい。

　有機ＥＬ層の材料としては、既知の材料を用いることができる。なお、発光層８Ｒ・８Ｇ・８Ｂには、それぞれ、単一の材料を用いてもよく、ある材料をホスト材料とし、他の材料をゲスト材料またはドーパントとして混ぜ込んだ混合材料を用いてもよい。

　正孔注入層７ａ、正孔輸送層７ｂ、あるいは正孔注入層兼正孔輸送層の材料としては、例えば、アントラセン、アザトリフェニレン、フルオレノン、ヒドラゾン、スチルベン、トリフェニレン、ベンジン、スチリルアミン、トリフェニルアミン、ポルフィリン、トリアゾール、イミダゾール、オキサジアゾール、オキザゾール、ポリアリールアルカン、フェニレンジアミン、アリールアミン、およびこれらの誘導体、チオフェン系化合物、ポリシラン系化合物、ビニルカルバゾール系化合物、アニリン系化合物等の鎖状式あるいは環式共役系のモノマー、オリゴマー、またはポリマー等が挙げられる。

　発光層８Ｒ・８Ｇ・８Ｂの材料としては、低分子蛍光色素、金属錯体等の発光効率が高い材料が用いられる。例えば、アントラセン、ナフタレン、インデン、フェナントレン、ピレン、ナフタセン、トリフェニレン、ペリレン、ピセン、フルオランテン、アセフェナントリレン、ペンタフェン、ペンタセン、コロネン、ブタジエン、クマリン、アクリジン、スチルベン、およびこれらの誘導体、トリス（８－キノリノラト）アルミニウム錯体、ビス（ベンゾキノリノラト）ベリリウム錯体、トリ（ジベンゾイルメチル）フェナントロリンユーロピウム錯体、ジトルイルビニルビフェニル、ヒドロキシフェニルオキサゾール、ヒドロキシフェニルチアゾール等が挙げられる。

　電子輸送層９ａ、電子注入層９ｂ、あるいは電子輸送層兼電子注入層の材料としては、例えば、トリス（８－キノリノラト）アルミニウム錯体、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、フェニルキノキサリン誘導体、シロール誘導体等が挙げられる。

　＜蒸着方式並びに蒸着装置＞
　次に、本実施の形態で用いられる蒸着方式並びに蒸着装置の一例について説明する。

　上記有機膜の蒸着には、例えばスキャン蒸着が用いられる。

　スキャン蒸着では、蒸着用のマスクと被成膜基板との間に一定の空隙を設けた状態で、被成膜基板と、マスクおよび蒸着源との少なくとも一方を相対移動させて走査することで、被成膜基板の蒸着領域よりも小さいサイズの開口領域（開口部群形成領域）を有するマスクを用いて蒸着膜を形成する。

　このために、マスクと蒸着源とは、図示しないホルダ等を用いて一体化させる等してその相対的な位置が固定される。なお、有機膜を被成膜基板の被成膜面全面に成膜する場合には、マスクは必ずしも必要ではない。

　ここで、スキャン蒸着に用いられる、本実施の形態に係る蒸着装置について、図８を参照して以下に説明する。

　図８は、本実施の形態で用いられる蒸着装置１５０の要部の概略構成を示す斜視図である。

　図８に示すように、蒸着装置１５０は、蒸着用のマスク１０２（蒸着マスク）と、蒸着源１０３と、これらマスク１０２と蒸着源１０３との間に配置された制限板３００とを備えている。

　これらマスク１０２、蒸着源１０３、および制限板３００は、互いに相対的な位置が固定されている。なお、これらマスク１０２、蒸着源１０３、および制限板３００は、例えば、同一のホルダ等の保持部材を用いてマスクユニットとして一体的に形成されていてもよい。

　蒸着源１０３は、マスク１０２および制限板３００との間に一定の空隙を有して（つまり、一定距離離間して）対向配置されている。

　蒸着源１０３は、蒸着材料を加熱して蒸発（蒸着材料が液体材料である場合）または昇華（蒸着材料が固体材料である場合）させることで気体状の蒸着粒子を発生させる。

　蒸着源１０３は、制限板３００およびマスク１０２との対向面に、蒸着粒子を射出させる射出口１０３ａ（貫通口）を有しており、気体にした蒸着材料を、蒸着粒子として射出口１０３ａから射出させる。

　なお、図８では、蒸着源１０３が複数の射出口１０３ａを有している場合を例に挙げて図示しているが、射出口１０３ａの数は特に限定されるものではなく、少なくとも１つ形成されていればよい。

　また、射出口１０３ａは、図８に示すように一次元（すなわち、ライン状）に配列されていてもよく、二次元（すなわち、面状）に配列されていても構わない。

　また、蒸着源１０３は、るつぼと称される、内部に蒸着材料を直接収容する加熱容器を備えた構成を有していてもよい。

　あるいは、別の構成として、上記蒸着源１０３は、ロードロック式の配管（図示せず）と、該配管に接続された蒸着粒子供給源（図示せず）とを備え、射出口１０３ａが設けられたノズル部に蒸着粒子を供給することで該射出口１０３ａから蒸着粒子を射出する構成を有していてもよい。

　マスク１０２には、所望の位置・形状に、開口部１０２ａ（貫通口）が形成されており、マスク１０２の開口部１０２ａを通過した蒸着粒子のみが、被成膜基板２０に到達して蒸着膜を形成する。

　これにより、開口部１０２ａに対応する、被成膜基板２０の所望の位置にのみ、所望の成膜パターンを有する有機膜が、蒸着膜として蒸着形成される。

　なお、図８では、一例として、マスク１０２に、走査方向と平行な方向に延設された帯状（ストライプ状、スリット状）の開口部１０２ａが、複数配列して設けられている場合を例に挙げて図示している。

　被成膜基板２０に、前記したようにサブ画素ＳＰ毎に蒸着膜パターンを形成する場合には、マスク１０２として、サブ画素ＳＰ毎に開口部１０２ａが形成されたファインマスクを使用する。

　一方、被成膜基板２０における表示領域全面に蒸着膜パターンを形成する場合には、表示領域全面が開口したオープンマスクを使用する。

　サブ画素ＳＰ毎に成膜パターンを形成する例としては、例えば発光層が挙げられる。この場合、蒸着は、発光層の色毎に行われる（これを「塗り分け蒸着」と言う）。

　開口部１０２ａは、被成膜基板２０への蒸着膜のパターン形成として、例えば図５に示す半導体基板１０における発光層８Ｒ・８Ｇ・８Ｂの塗り分け形成を行う場合、これら発光層８Ｒ・８Ｇ・８Ｂの同色列のサイズとピッチとに合わせて形成される。

　例えば、図５において赤色を表示するサブ画素ＲＳＰの発光層８Ｒの成膜を行う場合、赤色の発光材料を蒸着させる領域のみが開口したファインマスクを蒸着用のマスク１０２として用いて、成膜を行う。

　また、表示領域全面に蒸着膜パターンを形成する例としては、正孔注入層７ａ、正孔輸送層７ｂ、電子輸送層９ａ、電子注入層９ｂ等がある。この場合、表示領域全面および成膜が必要な領域のみ開口しているオープンマスクを蒸着用のマスク１０２として用いて成膜を行う。なお、第２電極１１についても同様である。

　但し、有機膜を被成膜基板２０の被成膜面２０ａの全面に成膜する場合には、マスク１０２は必ずしも必要ではない。

　制限板３００には、上下方向に貫通する複数の開口部３０１（貫通口）が形成されている。

　蒸着源１０３の射出口１０３ａから射出された蒸着粒子は、制限板３００の開口部３０１およびマスク１０２の開口部１０２ａを通って被成膜基板２０に達する。

　蒸着源１０３の射出口１０３ａからから射出された蒸着粒子は、ある程度の広がりを持って放射状に射出される。

　しかしながら、蒸着源１０３の射出口１０３ａから射出された蒸着粒子が制限板３００の開口部３０１を通ることで、被成膜基板２０に入射される蒸着粒子の角度は、一定の角度以下に制限される。

　すなわち、制限板３００を用いてスキャン蒸着を行う場合、制限板３００によって制限された蒸着粒子の広がり角度よりも大きい射出角度を有する蒸着粒子は、制限板３００によって全て遮蔽される。

　なお、制限板３００は、斜め成分の蒸着粒子をカットするため、加熱しないか、図示しない熱交換器により冷却される。このため、制限板３００は、蒸着源１０３の射出口１０３ａよりも低い温度になっている。

　また、被成膜基板２０の方向に蒸着粒子を飛来させないときには、図示しないシャッタを、制限板３００と蒸着源１０３との間に配置する必要がある。

　このため、被成膜基板２０の被成膜面２０ａに垂直な方向における制限板３００の位置は、制限板３００が、マスク１０２と蒸着源１０３との間に、蒸着源１０３から離間して設けられてさえいれば、特に限定されるものではない。制限板３００は、例えばマスク１０２に密着して設けられていてもよい。

　制限板３００の長辺の幅は、例えば、マスク１０２の長辺の幅と同程度の大きさに形成され、制限板３００の短辺の幅は、例えば、マスク１０２の短辺の幅と同程度の大きさに形成される。

　なお、図８では、マスク１０２と蒸着源１０３との間に上記したように制限板３００が設けられている場合を例に挙げて図示しているが、制限板３００は、必ずしも必須ではない。

　また、図８では、蒸着源１０３が被成膜基板２０の下方に配されており、被成膜基板２０が、その被成膜面２０ａが下方を向いている状態で、蒸着源１０３から蒸着粒子を上方に向かって射出して被成膜基板２０に蒸着（アップデポジション）させる場合を例に挙げて示している。

　しかしながら、上記蒸着方法はこれに限定されるものではなく、蒸着源１０３を、被成膜基板２０の上方に設け、蒸着源１０３から蒸着粒子を下方に向かって射出して被成膜基板２０に蒸着（ダウンデポジション）させてもよい。

　また、蒸着源１０３は、例えば、横方向に向けて蒸着粒子を射出する機構を有し、被成膜基板２０の被成膜面２０ａ側が蒸着源１０３側を向いて垂直方向に立てられている状態で、蒸着粒子を横方向に射出して被成膜基板２０に蒸着（サイドデポジション）させてもよい。

　本実施の形態では、このようにスキャン蒸着を行う場合に、蒸着不要領域に隣り合う蒸着領域端部で蒸着膜の膜厚が薄くなることを防止するために、蒸着領域に引き続き、蒸着不要領域の少なくとも一部にもスキャン蒸着により蒸着膜を形成する。

　すなわち、本実施の形態では、被成膜基板２０である半導体基板１０の蒸着不要領域を含む被成膜面２０ａ（すなわち能動面）に、蒸着膜を形成する。

　このため、例えばストライプ状の各発光層８Ｒ・８Ｇ・８Ｂは、半導体基板１０の例えば端から端まで形成される。

　したがって、有機ＥＬ表示パネル１と回路基板５２との導通不良を防止するためには、前記したように、端子部領域Ｒ３に形成された上記発光層８Ｒ・８Ｇ・８Ｂ等の有機膜の少なくとも一部を除去する必要がある。

　＜端子部領域Ｒ３の構成＞
　ここで、あらためて端子部領域Ｒ３の構成について説明する。

　図６は、図４に示す半導体基板１０のＢ－Ｂ線矢視断面における要部の概略構成を示す断面図である。

　端子部領域Ｒ３には、例えば図４および図６に示すように、電気配線端子１５と、島状構造部１６と、保護絶縁膜１９（図６参照）とが形成されている。なお、図４および図６では、作図の便宜上、保護絶縁膜１９の図示を省略している。

　図７に示すように、電気配線端子１５は、回路基板５２の接続端子５２ａが接続される接続端子であり、金属等の配線材料により形成されている。

　また、図４に示すように、電気配線端子１５は、端子部領域Ｒ３の長手方向に沿って互いに間隔を空けて複数形成されている。

　保護絶縁膜１９には、図６に示すように、上記電気配線端子１５を露出する端子部開口１９ａが設けられている。この端子部開口１９ａにより、回路基板５２の接続端子５２ａと上記電気配線端子１５とが、例えばＡＣＦ５１（異方性導電膜、図１の（ｃ）参照）を介して接続される。

　このとき、有機膜が端子部開口１９ａ上に存在すると、有機膜の導電性が低い場合には、回路基板５２と電気配線端子１５との導通不良が発生する。一方、有機膜の導電性が高いと、隣接する電気配線端子１５間で短絡が生じる。すなわち、何れの場合においても、端子部開口１９ａ上に有機膜が存在することで動作不良を発生させる。一般に、有機膜は導電性が低く、導通不良を発生させることになる。

　そこで、本実施の形態では、電気配線端子１５を、外部から、エネルギーを与えることで、端子部領域Ｒ３（この場合には電気配線端子１５上）に積層された蒸着膜である、上記発光層８Ｒ・８Ｇ・８Ｂ等の有機膜が気体になる温度以上の温度の熱を発生させる材料で形成している。

　なお、ここで、上記有機膜が気体になる温度とは、例えば上記有機膜の蒸発温度または昇華温度等、上記有機膜が気体化する温度を示す。

　また、図４および図６に示すように、上記端子部開口１９ａ間（言い換えれば、各電気配線端子１５間）に、外部からエネルギーを与えることで、上記発光層８Ｒ・８Ｇ・８Ｂ等の有機膜が気体になる温度以上の温度の熱を発生させる材料からなる島状構造部１６を設けている。なお、この場合における上記有機膜とは、島状構造部１６上に積層された発光層８Ｒ・８Ｇ・８Ｂ等の有機膜を示す。

　すなわち、電気配線端子１５および島状構造部１６は、外部からエネルギーを与えることで、除去すべき蒸着膜が気体になる温度以上の温度の熱を発生させる熱発生層として機能する。

　このように電気配線端子１５および島状構造部１６から、除去すべき蒸着膜が気体になる温度以上の温度の熱を発生させることで、端子部領域Ｒ３に形成された蒸着膜、具体的には、上記電気配線端子１５および島状構造部１６に重なる蒸着膜を、選択的に除去することができる。

　上記エネルギーとしては、例えば、光エネルギー、電気エネルギー等が挙げられるが、上記したように熱発生層にエネルギーを与えることで熱発生層から、除去すべき蒸着膜が気体になる温度以上の温度の熱を発生させることができさえすれば、特に限定されるものではない。

　この場合、上記電気配線端子１５および島状構造部１６に重なる蒸着膜を選択的に除去するためには、例えば、上記エネルギーを供給するエネルギー供給源として、例えばレーザを使用することが好ましい。レーザを使用することで、局所的な光照射が可能となる。

　また、照射領域だけを加熱するために、照射領域に対応した開口部を有するマスクを用いてもよい。

　さらには、上記材料として、隣接する層よりも光吸収率あるいは熱変換率が高く、隣接する層よりも上記蒸着膜が気体になる温度以上の温度に達する時間が早い材料を使用することが好ましい。

　すなわち、上記熱発生層は、隣接する層よりも光吸収率あるいは熱変換率が高く、隣接する層よりも上記蒸着膜が気体になる温度以上の温度に達する時間が早い層であることが好ましい。

　なお、ここで、隣接する層とは、蒸着膜を形成する前において隣接する層であり、蒸着膜そのものは除外される。

　島状構造部１６は、例えば電気配線端子１５と同じ材料により形成されている。島状構造部１６は、各電気配線端子１５の間に、各電気配線端子１５に接触しない様に形成されている。

　島状構造部１６を電気配線端子１５と同じ材料で形成することで、島状構造部１６と電気配線端子１５とを同一の工程により形成することができるとともに、同じエネルギー供給源を使用し、同じ条件を用いて熱を発生させることができる。但し、島状構造部１６と電気配線端子１５とは、異なる材料で形成されていても構わない。

　なお、本実施の形態では、図６に示すように、端子部領域Ｒ３に、電気配線端子１５の周縁および島状構造部１６の全体を被覆し、電気配線端子１５の周縁以外を露出する様に、絶縁材料からなる保護絶縁膜１９が形成されている。しかしながら、保護絶縁膜１９は必ずしも必須ではない。

　また、図４では、作図の便宜上、一部の端子部領域Ｒ３だけ、電気配線端子１５および島状構造部１６を図示しているが、全ての端子部領域Ｒ３に電気配線端子１５および島状構造部１６が形成されている。

　上記熱発生層としては、例えば光吸収性を有する光吸収層、あるいは導電性を有する導電層等が挙げられる。

　＜光吸収層＞
　以下では、上記熱発生層として、光吸収層を用いる場合について説明する。

　光吸収層とは、上記したように、光エネルギーとして、レーザ光等の光を吸収して熱を発生する層である。

　光吸収率をαとすると、光吸収率αは、レーザ光等、エネルギー供給源から供給された波長の光の反射率または／および透過率を１から引いた値を示す。

　電気配線端子１５および島状構造部１６の場合、それらの材料を金属とすると、それらは一般的に不透明となるので光吸収層となり、それらの光吸収率αは、それらの反射率を１から引いた値に近くなる。

　なお、光吸収層としては、透過率が低く、且つ反射率が低い材料が適しており、熱伝導率が高い材料であることが好ましい。

　光吸収層に用いられる、光吸収性を有する光吸収材料の一例としては、例えば、窒化チタン、窒化タンタル、窒化モリブデン、窒化タングステン、窒化クロム、窒化マンガン等の金属窒化物や、モリブデン、チタン、タングステン、カーボン等が挙げられる。

　電気配線端子１５をこのように熱発生層として用いる場合には、接触抵抗や電気抵抗を加味して選択すればよい。

　本実施の形態では、電気配線端子１５および島状構造部１６は、上記したように光吸収層であるが、電気配線端子１５および島状構造部１６の周辺の層は、光吸収層ではなく、非光吸収層である。なお、ここで、非光吸収層とは、光吸収層に比べて十分に光吸収量が小さいものを示す。

　すなわち、光吸収層である電気配線端子１５および島状構造部１６では上記光エネルギー供給源から光エネルギーとして供給された光が吸収されるが、非光吸収層であるそれら以外の部位では殆ど吸収されない。

　このような非光吸収層は、光吸収率が小さく、外部から光エネルギーを与えても、除去すべき蒸着膜が気体になる温度以上の温度の熱を発生させることはできない。

　言い換えれば、上記電気配線端子１５および島状構造部１６は、隣接する層よりも光吸収率が高く、隣接する層よりも上記蒸着膜が気体になる温度以上の温度に達する時間が早い。

　このため、このように、電気配線端子１５および島状構造部１６に、上記光吸収層で吸収される波長の光を照射することで、局所的に、上記蒸着膜が気体になる温度以上の温度の熱が発生し、局所的に、上記蒸着膜を気体化（例えば、一旦溶融した後に蒸発、または、直接昇華）させて除去することができる。

　＜光エネルギー供給源＞
　上記したように外部から供給するエネルギーが光エネルギーである場合、エネルギー供給源である光エネルギー供給源としては、例えば、ＹＡＧ(yttrium aluminum garnet)レーザ等のレーザや、フラッシュランプ等の光照射装置（励起光生成装置）が挙げられる。

　波長１０６４ｎｍのＮｄ：ＹＡＧレーザのレーザ光等、例えば２００ｎｍ～１２００ｎｍの波長領域のレーザ光は、ガラスに対して吸収され難く、数％しか吸収されず、残りはほぼ透過する。

　このようにガラス基板における吸収率が低いレーザを光エネルギー供給源（光照射装置）として用いた場合、ガラス基板に水平方向に対しては熱が広がらず、レーザ照射領域に対して局部的に熱がかかる。一方、ガラス基板に垂直方向に対しては、ガラス基板の厚み方向全体に同時に熱をかけることができる。

　＜光吸収層と非光吸収層との発熱量比の設定条件＞
　以下では、光吸収層および非光吸収層のうち、光吸収層だけで局所的に熱を発生させるための光吸収層および非光吸収層の条件を考察する。

　光吸収層の光吸収率をαとし、光吸収層とその上の有機膜との各々の比熱をそれぞれＣ_ｍ、Ｃ_ｅ（Ｊ／ｇ・Ｋ）とし、密度をそれぞれρ_ｍ、ρ_ｅとし、膜厚をそれぞれｄ_ｍ、ｄ_ｅ（ｎｍ）とすると、光吸収層とその上の有機膜との全体を温度ΔＴ（Ｋ）だけ上げるのに必要なエネルギー密度Ｅ（Ｊ／ｃｍ^２）は、次式（１）
　Ｅ＝（Ｃ_ｍ×ρ_ｍ×ｄ_ｍ＋Ｃ_ｅ×ρ_ｅ×ｄ_ｅ）×ΔＴ／（α×β）・・・・・（１）
で示される。

　ここで、βは、光吸収層および非光吸収層以外の部材による反射や吸収等のロス、基板方向へ逃げる熱等を考慮した補正係数である。

　Ｃ_ｍ＝０．５、Ｃ_ｅ＝２．０、ρ_ｍ＝７．２、ρ_ｅ＝１．０、ｄ_ｍ＝１００×１０^－９、ｄ_ｅ＝５０×１０^－９、ΔＴ＝３００、α＝０．４、β＝０．１とすると、必要なエネルギー密度Ｅは、３．４５ｍＪ／ｃｍ^２となる。

　一方、非光吸収層とその上の有機膜との全体のエネルギー密度Ｅについては、非光吸収層の光吸収率をα_０とし、温度上昇をΔＴ_０とし、比熱をＣ_ｎとし、密度ρ_ｎとし、膜厚ｄ_ｎとし、式（１）において、それら各物性値と光吸収層の各物性値とを入れ替えればよい。すなわち、ΔＴ、α、Ｃ_ｍ、ρ_ｍ、ｄ_ｍを、順に、ΔＴ_０、α_０、Ｃ_ｎ、ρ_ｎ、ｄ_ｎと置きかえればよい。

　この時、光吸収層の温度上昇ΔＴと非吸収層の温度上昇ΔＴ_０の比を取れば、次式（２）
　ΔＴ／ΔＴ_０＝α／α_０×Ｋ・・・・・（２）
　（但し、Ｋ＝（Ｃ_ｎ×ρ_ｎ×ｄ_ｎ＋Ｃ_ｅ×ρ_ｅ×ｄ_ｅ）／（Ｃ_ｍ×ρ_ｍ×ｄ_ｍ＋Ｃ_ｅ×ρ_ｅ×ｄ_ｅ））
のようになる。

　したがって、非光吸収層の温度上昇ΔＴ_０を１５０℃とし、光吸収層の温度上昇ΔＴを３００℃以上にしたい時には、式（２）の右辺を２以上になるようにすればよい。

　式（２）の右辺において、Ｋ≧１となるように、各層の構成を調整すれば、式（２）は、さらに単純となり、式（３）
　ΔＴ／ΔＴ_０≧α／α_０・・・・・・（３）
となる。

　すなわち、比熱と密度と膜厚との積（Ｃ×ρ×ｄ）を必要加熱量と称すると、光吸収層の領域の必要加熱量の和よりも非光吸収層の領域の必要加熱量の和のほうが大きい（Ｋ≧１）としておけば、光吸収率の比（α／α_０）のみで単純に熱発生量の比（ΔＴ／ΔＴ_０）を見積ることができる。

　そして、Ｋ≧１であれば、上述したように、非光吸収層の温度上昇ΔＴ_０を１５０℃とし、光吸収層の温度上昇ΔＴを３００℃以上にしたい時（すなわち、ΔＴ／ΔＴ_０≧２にしたい時）には、式（３）より、光吸収率の比（α／α_０）を２以上とすればよい。

　例えば、光吸収層をモリブデンとしてα＝０．４とし、非光吸収層をアルミニウムとしてα_０＝０．１５とすれば、α／α_０＝２．７が得られるので、上記のような温度上昇の差を実現できる。

　さらに、一般的に必要加熱量は物質により大きな差異がないため、Ｋは著しく小さくなったり、大きくなったりはしない。

　そのため、非光吸収層の光吸収率α_０が光吸収層の光吸収率αに比べて著しく小さい場合（α≫α_０）には、Ｋ≧１の条件を満たさなくとも、式（２）の右辺は十分に大きくなる。

　すなわち、α_０が比較的小さい場合には、特別な設計考慮をすることなく、光吸収層のみに大きな熱を発生させることが可能となる。

　例えば、α＝０．４、α_０＝０．０５、Ｋ＝０．５とすれば、式（２）より、ΔＴ／ΔＴ_０＝４が得られる。これは非光吸収層の温度上昇ΔＴ_０を１００℃とした時、光吸収層の温度上昇ΔＴを４００℃にすることができることを意味する。

　また、上述のように、島状構造部１６を覆う保護絶縁膜１９は、導電性の異物によって、島状構造部１６を介して電気配線端子１５同士が短絡することを防止することができる。この保護絶縁膜１９の影響を考慮する場合は、式（１）において、さらに、保護絶縁膜１９の比熱、密度、膜厚の積を足す必要がある。

　島状構造部１６上の有機膜を十分に温度上昇させ、的確に除去するためには、保護絶縁膜１９は無い方が好ましい。したがって、上述した電気配線端子１５同士の短絡の防止と、上述した光吸収層と非光吸収層との温度上昇の差の確保とは、トレードオフの関係にあり、重要度によってどちらを優先するかを決定すればよい。

　また、絶縁性を保持した上で保護絶縁膜１９の膜厚をできるだけ薄くすることによって、上述した光吸収層と非光吸収層との温度上昇の差を確保することができる。

　また、本実施の形態では、光吸収層（電気配線端子１５および島状構造部１６）の材料に、モリブデン等の金属材料を使用し、非光吸収層（例えば絶縁基板３や保護絶縁膜１９）の材料には、金属材料を使用せずに、透明膜（すなわち、光吸収率α_０が比較的小さい膜）のみを使用している。すなわち、非光吸収層の光吸収率α_０が光吸収層の光吸収率αよりも著しく小さい。

　したがって、このような場合は、上述のα≫α_０の場合の考察を容易に満たすので、特別な設計考慮をすることなく、光吸収層のみに大きな熱を発生させることができる。

　実際に、例えば３０ｍＪ／ｃｍ^２のレーザ光の照射を行うと、光吸収層（電気配線端子１５および島状構造部１６）は瞬間的に４００℃の熱が発生したが、非光吸収層（例えば被成膜基板２０）は１００℃以下の熱の発生に留まり、そのため、光吸収層の上の有機膜のみが気体化した。

　＜有機ＥＬ表示パネル１の製造方法＞
　次に、上記電気配線端子１５および島状構造部１６を光吸収材料で形成した場合における有機ＥＬ表示パネル１の製造方法について、図１の（ａ）～（ｃ）から図３を参照して以下に説明する。

　図１の（ａ）～（ｃ）は、本実施の形態で製造する有機ＥＬ表示装置１００の半導体基板１０における蒸着不要領域の有機膜を除去する工程を工程順に示す断面図である。図２は、本実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置１００の概略的な製造工程を示すフローチャートである。また、図３は、本実施の形態で製造する有機ＥＬ表示装置１００の半導体基板１０におけるレーザ光照射領域を説明する平面図である。

　以下では、１枚の大型の被成膜基板２０から４枚の半導体基板１０を作製する場合を例に挙げて説明する。

　図３では、１枚の被成膜基板２０は縦横に４つに区画され、各区画からそれぞれ半導体基板１０が形成される。なお、図３では、作図の便宜上、左上の区画だけに表示領域Ｒ１、第２電極接続領域Ｒ２、端子部領域Ｒ３、封止領域Ｌが設定（図示）されているが、他の区画も同様に表示領域Ｒ１、第２電極接続領域Ｒ２、端子部領域Ｒ３、封止領域Ｌが設定されている。

　また、以下では、図２に示すフローチャートに示すステップＳ１～Ｓ１２にしたがって、有機ＥＬ表示装置１００の製造工程の流れについて説明する。

　先ず、ステップＳ１において、既知の方法で、図３の被成膜基板２０の表示領域Ｒ１上に、図５に示すように、ＴＦＴ２、配線Ｈ、層間絶縁膜４、第１電極５、およびエッジカバー６を形成する。なお、ここでは、被成膜基板２０は、図５に示す半導体基板１０における絶縁基板３に相当する。

　なお、この工程で、ＴＦＴ２を駆動するための走査線および信号線等の配線Ｈも、端子部領域Ｒ３まで引き出されるようにパターン形成する。

　また、この工程で、例えば、図３に示すように、第２電極接続領域Ｒ２に、接続部１７をパターン形成する。

　次に、ステップＳ２において、被成膜基板２０の蒸着不要領域に光吸収層（熱発生層）を形成する。ここでは、図４、および図３に斜線（ハッチング）で示す、端子部領域Ｒ３を少なくとも含む、半導体基板１０の周縁の額縁領域４１（非表示領域）が蒸着不要領域に設定されている。但し、額縁領域４１全体に熱発生層を形成する必要はなく、少なくとも端子部領域Ｒ３に熱発生層が形成されていればよい。

　本実施の形態では、図３に示すように、端子部領域Ｒ３に、上記熱発生層として、既知の方法（マスクを用いた蒸着法）により、電気配線端子１５および島状構造部１６をパターン形成している。

　その際、電気配線端子１５は、光吸収材料により形成され、島状構造部１６は、電気配線端子１５と同じ材料により、端子部領域Ｒ３内の電気配線端子１５以外の領域に形成される。

　なお、ステップＳ１にてＴＦＴ２、配線Ｈ、層間絶縁膜４、第１電極５、およびエッジカバー６を形成し、その後、ステップＳ２にて光吸収層（熱発生層）を形成するとしたが、これらの形成順は、積層構成の順番にしたがい、適宜前後させることができる。

　例えば、島状構造部１６と電気配線端子１５とを配線Ｈと同じ材料で同時に形成する場合には、配線Ｈ、島状構造部１６、および電気配線端子１５の形成後に、層間絶縁膜４、第１電極５、およびエッジカバー６を形成する。

　すなわち、ステップＳ１・Ｓ２で形成されるパターンに関しては、形成手順が最も効率良くなるように処理順を適宜調整すればよい。

　その後、図６に示すように、保護絶縁膜１９を、電気配線端子１５の周縁および島状構造部１６の全体を被覆し、電気配線端子１５の周縁以外を露出する様に、既知の方法（蒸着マスクを用いた蒸着法）により、端子部領域Ｒ３にパターン形成する。但し、この保護絶縁膜１９は無くても構わない。

　なお、ここでは、電気配線端子１５および島状構造部１６は、同じ工程で一緒に形成されるが、別々の工程で形成してもよい。

　また、ここでは、保護絶縁膜１９は、層間絶縁膜４およびエッジカバー６とは別の工程で形成されるが、層間絶縁膜４またはエッジカバー６と同じ工程で一緒に形成してもよい。その場合、電気配線端子１５および島状構造部１６を、層間絶縁膜４またはエッジカバー６よりも先に形成しておき、保護絶縁膜１９を、層間絶縁膜４またはエッジカバー６と同じ工程で一緒に形成すればよい。

　そして、ステップＳ３において、図５に示すように、被成膜基板２０の表示領域Ｒ１の全面に、第１電極５およびエッジカバー６を被覆するように、正孔注入層７ａをパターン形成する。

　なお、上記パターン形成には、例えば図８に示す蒸着装置１５０を使用し、オープンマスクを蒸着用のマスク１０２として用いたスキャン蒸着が用いられる。

　次いで、ステップＳ４において、正孔輸送層７ｂを、正孔注入層７ａを被覆するように、正孔注入層７ａと同じパターンで、正孔注入層７ａと同様にしてパターン形成する。

　次いで、ステップＳ５において、図３に示すように、被成膜基板２０の表示領域Ｒ１上に、ストライプ状の各色の発光層８Ｒ・８Ｇ・８Ｂをパターン形成する。

　具体的には、例えば図８に示す蒸着装置１５０を使用し、ファインマスクを蒸着用のマスク１０２として用いて、発光層８Ｒ・８Ｇ・８Ｂを真空蒸着法により塗り分け蒸着する。これにより、これにより、各サブ画素ＲＳＰ・ＧＳＰ・ＢＳＰに応じたパターン膜を形成する。

　このとき、ストライプ状の各発光層８Ｒ・８Ｇ・８Ｂは、被成膜基板２０の端から端まで形成され、蒸着必要領域（表示領域Ｒ１等の有機膜を形成したい所望の場所）だけでなく、蒸着不要領域（ここでは端子部領域Ｒ３を含む半導体基板１０の額縁領域４１）にも形成される。

　具体的には、赤色の発光層８Ｒを形成する場合は、蒸着源１０３の射出口１０３ａから赤色の蒸着粒子が射出される。そして、赤色のサブ画素ＲＳＰの発光領域に対応する所定領域のみに開口部１０２ａを有するマスク１０２を用いて走査しながら蒸着を行う。

　これにより、図３に示すように、ストライプ状の赤色の発光層８Ｒが形成される。

　なお、緑色の発光層８Ｇおよび青色の発光層８Ｂを形成する場合も、赤色の発光層８Ｒの場合と同様にすることで、図３に示すように、ストライプ状の各発光層８Ｇ・８Ｒが形成される。

　その後、ステップＳ６・Ｓ７において、上記発光層８Ｒ・８Ｇ・８Ｂが形成された被成膜基板２０上に、オープンマスクを蒸着用のマスク１０２として用いて、電子輸送層９ａ、電子注入層９ｂを、順にパターン形成する。

　具体的には、先ず、電子輸送層９ａを、被成膜基板２０上において、表示領域Ｒ１に形成された発光層８Ｒ・８Ｇ・８Ｂおよびエッジカバー６を被覆し、表示領域Ｒ１以外は露出するようにパターン形成する。そして、電子注入層９ｂを、電子輸送層９ａ上に、電子輸送層９ａと同じパターンで、電子輸送層９ａと同様にしてパターン形成する。

　その後、ステップＳ８において、既知の方法で、第２電極１１を形成する。具体的には、第２電極１１を、表示領域Ｒ１の全面に形成するとともに、第２電極接続領域Ｒ２の接続部１７と電気的に接続し、それら以外の領域を露出するように、例えば蒸着用のマスクを用いた蒸着法によりパターン形成する。

　なお、上記したように蒸着装置を用いて蒸着膜を成膜する場合、該蒸着装置は、真空ポンプによって、１．０×１０^－４Ｐａ以上の真空到達率に設定されていることが望ましい。言い換えれば、真空チャンバ内の圧力は、１．０×１０^－４Ｐａ以下に設定されていることが望ましい。

　蒸着粒子の平均自由行程は、１．０×１０^－３Ｐａよりも高い真空度となることで、必要十分な値が得られる。一方、真空度が１．０×１０^－３Ｐａよりも低いと、同平均自由行程が短くなるため、蒸着粒子が散乱されて、被成膜基板２０への到達効率が低下したり、コリメート成分が少なくなったりする。このため、真空チャンバは、上記真空到達率に設定されていることが望ましい。

　次いで、ステップＳ９において、蒸着不要領域に形成された発光層８Ｒ・８Ｇ・８Ｂを除去する。

　具体的には、外部の光エネルギー供給源により、光吸収層である電気配線端子１５および島状構造部１６に光を照射して電気配線端子１５および島状構造部１６を、上記発光層８Ｒ・８Ｇ・８Ｂが気体になる温度以上の温度の熱を発生させる。これにより、端子部領域Ｒ３上に形成された発光層８Ｒ・８Ｇ・８Ｂを気体化させて除去する。

　ここでは、上記光エネルギー供給源として、例えばＹＡＧレーザ等のレーザ光照射装置を使用し、図３に斜線で示すように、表示領域Ｒ１、封止領域Ｌおよび第２電極接続領域Ｒ２を除く、半導体基板１０の額縁領域４１をレーザ光照射領域Ｒ４として、レーザ光５０（図１の（ａ）参照）を照射する。

　図１の（ａ）は、レーザ光照射領域Ｒ４のうち、端子部領域Ｒ３内の電気配線端子１５および島状構造部１６にレーザ光５０を照射する様子を示している。なお、このレーザ光５０の照射は、例えば、真空中で行われる。

　その際、電気配線端子１５と島状構造部１６は、上述のように光吸収層として形成されているが、電気配線端子１５および島状構造部１６の周辺は、光吸収層となっていない（非光吸収層（熱発生層以外の熱伝導部））。

　そのため、レーザ光照射領域Ｒ４にレーザ光５０を照射すると、レーザ光５０は、光吸収層である、端子部領域Ｒ３における端子部開口１９ａの電気配線端子１５、および端子部領域Ｒ３を含むレーザ光照射領域Ｒ４内の島状構造部１６では吸収されるが、非光吸収層であるそれら以外の部位では殆ど吸収されない。

　その結果、電気配線端子１５および島状構造部１６だけで局所的に高熱が発生し、図１の（ｂ）に示すように、電気配線端子１５および島状構造部１６上に形成された発光層８Ｒ・８Ｇ・８Ｂが気体化し、電気配線端子１５が露出する。また島状構造部１６上の発光層８Ｒ・８Ｇ・８Ｂも気体化する。

　したがって、端子部領域Ｒ３においては、該端子部領域Ｒ３の大部分の発光層８Ｒ・８Ｇ・８Ｂが除去される。

　その後、ステップＳ１０において、被成膜基板２０に封止基板１３が配設される。

　すなわち、まず、図３に示す被成膜基板２０における表示領域Ｒ１および第２電極接続領域Ｒ２を囲む枠状の封止領域Ｌに、図７に示すように封止樹脂層１８を形成する。その後、この封止樹脂層１８を介して、被成膜基板２０と封止基板１３とを貼り合わせる。

　これにより、被成膜基板２０と封止基板１３と封止樹脂層１８とにより、有機ＥＬ素子１２が密封される。

　次いで、ステップＳ１１において、被成膜基板２０が縦横に４分割されて４個の半導体基板１０が製作される。

　その後、ステップＳ１２において、図１の（ｃ）に示すように、各半導体基板１０の端子部領域Ｒ３の電気配線端子１５に、例えばＡＣＦ５１を介して、回路基板５２の接続端子５２ａを接続する。このようにして、有機ＥＬ表示装置１００が製造される。

　〔効果〕
　以上のように、本実施の形態によれば、蒸着不要領域（特に端子部領域Ｒ３）に熱発生層（ここでは電気配線端子１５および島状構造部１６）を形成し、蒸着膜（ここでは発光層８Ｒ・８Ｇ・８Ｂ）の蒸着後に上記熱発生層を加熱して熱を発生させることで、上記蒸着不要領域に形成された蒸着膜を気体化させて除去する。よって、上記蒸着不要領域に形成された蒸着膜を簡便に除去できる。

　また、端子部領域Ｒ３が上記蒸着不要領域として設定されるので、電気配線端子１５上の有機膜（ここでは発光層８Ｒ・８Ｇ・８Ｂ）の大部分が除去される。よって、回路基板５２と電気配線端子１５とを接着させるＡＣＦ５１の半導体基板１０上への密着力が向上し、ＡＣＦ５１の剥がれによる不良を防止できる。

　また、電気配線端子１５が上記熱発生層を兼ねる（すなわち、電気配線端子１５を光吸収層材料で形成する）ので、特別な設計パターンや装置を追加することなく、端子部領域Ｒ３上の有機膜（ここでは発光層８Ｒ・８Ｇ・８Ｂ）の除去を的確に行うことができる。

　また、端子部領域Ｒ３に、端子部開口１９ａ以外の領域（例えば電気配線端子１５間の領域）に熱発生層である島状構造部１６が形成されることで、該端子部開口１９ａ以外の領域に形成された有機膜を除去することができる。これにより、端子部領域Ｒ３における半導体基板１０とＡＣＦ５１との密着性をより向上できる。なお、島状構造部１６がある場合でも、設計パターンの簡単な変更だけで、特別な装置を追加することなく、端子部領域Ｒ３上の有機膜の除去を行うことができる。

　また、蒸着不要領域に照射する光としてレーザ光が使用することで、レーザ光により、蒸着時に蒸着不要領域に付着した異物等を除去できる。これにより、有機ＥＬ表示パネル１、さらには、有機ＥＬ表示装置１００の歩留まりおよび信頼性を向上できる。

　また、島状構造部１６は保護絶縁膜１９により被覆されているので、導電性の異物によって、島状構造部１６を介して電気配線端子１５同士が短絡することを防止することができる。

　なお、ＡＣＦ５１と端子部領域Ｒ３との密着性が確保できるのであれば、必ずしも島状構造部１６を形成しなくてもよい。

　また、本実施の形態では、図４に示すように、一例として、各電気配線端子１５間に１つの島状構造部１６を形成したが、島状構造部１６を細かい島に分割して、各電気配線端子１５間に複数の島状構造部１６を形成してもよい。

　その場合、隣り合う２つの電気配線端子１５と、これら電気配線端子１５間の複数の島状構造部１６との間に膜残りが生じて電気配線端子１５間が短絡する確率をより低減することができる。すなわち、島状構造部１６が小さくなればなるほど、平面視で（すなわち、半導体基板１０の基板面に垂直な方向から見たときに）、隣り合う２つの電気配線端子１５間に有機膜の膜残りが発生する確率は減る。

　また、本実施の形態では、図６に示すように、島状構造部１６は、電気配線端子１５が形成される層と同じ層に形成されるが、電気配線端子１５が形成される層とは別の層に形成してもよい。それにより、電気配線端子１５間が短絡する確率を低減することができる。

　また、電気配線端子１５と島状構造部１６とを別々の層に形成する場合には、平面視で、電気配線端子１５と島状構造部１６との間に隙間が生じないように、電気配線端子１５と該電気配線端子１５に隣り合う島状構造部１６の一部とを重ねてもよい。このように電気配線端子１５と島状構造部１６とを部分的に重畳させることにより、より確実に端子部領域Ｒ３上の有機膜を除去することができる。

　なお、本実施の形態では、蒸着不要領域へのレーザ光照射は、真空中で行われたが、本実施の形態はこれに限定されない。

　例えば、有機膜が気体化し得る条件であれば、真空中ではなく、不活性ガス雰囲気中または大気中で当該レーザ光照射を行ってもよい。その場合、レーザ光照射は、例えば封止基板１３による有機ＥＬ素子１２の封止が完了した後に行うこともできる。

　有機ＥＬ素子１２の封止後にレーザ光を照射する場合、有機ＥＬ素子１２の大気暴露が防止されるので、大気中でのレーザ光照射が可能となる。また、レーザ光により飛散した有機材料が有機ＥＬ素子１２に再付着して損傷を招くことを防止することができる。

　＜変形例＞
　なお、上記説明では、光照射装置としてレーザ（レーザ光照射装置）を用いた場合を例に挙げて説明した。

　しかしながら、本実施の形態は、これに限定されるものではなく、光照射装置としては、前記したように例えばフラッシュランプを用いてもよい。

　但し、フラッシュランプを用いる場合は、レーザ光のように照射領域だけを限定的に加熱することができないので、光の透過・遮蔽を制御するために、その照射領域に対応した開口部を有するマスクを用いたり、隣接する層よりも、上記フラッシュランプの波長の光に対する光吸収率が高い材料からなる光吸収層を形成したりする必要がある。

　なお、上記マスクとしては、有機ＥＬ表示パネル１の各有機膜を形成する際に使用する蒸着用のマスクを併用してもよい。このようにマスクを用いて光を照射することで、照射領域だけを、除去すべき蒸着材料が気体になる温度以上の温度に昇温させることができる。

　また、光吸収層の加熱方法としてフラッシュランプを用いる場合には、半導体基板１０の裏面（有機ＥＬ素子１２側と反対側の面）側から照射する方が好ましい。これは、表示領域Ｒ１の有機ＥＬ素子１２の有機膜に損傷を与えるような紫外光を絶縁基板３や透明電極等に吸収させることができるためである。

　なお、レーザ光であれば、所望の場所のみに照射領域を制限し易いこと、また、紫外光以上の波長で照射することができ、有機ＥＬ素子１２に損傷を与える可能性が少ないことから、必ずしも基板裏面から照射する必要性はない。

　また、光吸収層の加熱方法として、フラッシュランプを用いる場合は、上述のＫ≧１の場合の考察、および、上述のα≫α_０の場合の考察がそのまま適用できる。

　なお、光吸収層の加熱時間は、できる限り短いほうがよい。加熱時間が長いと、例えばレーザ光照射によって光吸収層に与えられた熱は、絶縁基板３を伝熱して逃げてしまうため、光吸収層上の有機膜が気体になるほど十分に光吸収層が加熱されないからである。加熱時間は１秒以下が望ましい。

　また、本実施の形態では、第２電極１１の形成後に、レーザ光照射による蒸着不要領域（特に端子部領域Ｒ３）における有機膜の除去が行われたが、本実施の形態は、これに限定されない。

　例えば、電気配線端子１５に回路基板５２の接続端子５２ａを接続する前であれば、どの段階で、蒸着不要領域（特に端子部領域Ｒ３）上の有機膜の除去が行われてもよい。

　また、本実施の形態では、特に端子部領域Ｒ３における有機膜を除去する場合を例に挙げて説明したが、本実施の形態はこれに限定されるものではない。

　例えば、被成膜基板２０に形成された、封止基板１３と半導体基板１０とのアライメント用のアライメントマーカの除去を行う場合にも、本実施の形態に記載の方法を適用することができる。

　すなわち、被成膜基板２０と封止基板１３とを貼り合わせる場合、被成膜基板２０と封止基板１３との位置合わせのために、被成膜基板２０には、封止基板１３用のアライメントマーカが形成されている。

　このため、被成膜基板２０と封止基板１３とを貼り合わせるときには、上記アライメントマーカをイメージセンサで画像認識し、その画像認識したアライメントマーカの位置に基づいて、被成膜基板２０と封止基板１３との位置を調整し、封止基板１３を被成膜基板２０の封止領域Ｌに貼り合わせる。

　したがって、被成膜基板２０における上記アライメントマーカの形成領域に、光吸収材料でアライメントマーカを形成しておき、封止基板１３の貼り合わせ前に、上記アライメントマーカ上の不要な有機膜をレーザ光照射により除去する。

　これにより、イメージセンサで上記アライメントマーカを確実に検出でき、被成膜基板２０の封止領域Ｌに封止基板１３を正確に貼り合わせることができる。

　＜誘導加熱＞
　また、前記したように、熱発生層は、例えば導電性を有する導電層であってもよい。

　なお、この場合の導電層としては、前記したように、熱変換率が高いことが好ましい。

　熱発生層として導電層を形成する場合、電気エネルギーとして渦電流を利用することができる。

　誘導加熱とは、導電性の材料を磁力線に曝すことによって、当該材料内に渦電流を発生させ、渦電流によるジュール熱で当該材料を加熱する方法である。

　この方法においては、加熱する材料（すなわち、本実施の形態では、電気配線端子１５および島状構造部１６）が導電性を有する材料で形成されていればよい。

　なお、本実施の形態では、電気配線端子１５および島状構造部１６は、配線と同材料で形成されているので、導電層である。

　なお、誘導加熱されるための熱発生層の材料としては、渦電流が流れ得るような導電材料（導電体）であればよい。

　上記したように熱発生層から熱を発生させるために誘導加熱を用いる場合、言い換えれば、熱発生層に与えるエネルギーとして電気エネルギーを利用する場合には、上述のＫ≧１の場合の考察、および、上述のα≫α_０の場合の考察において、光吸収率を熱変換率に入れ替えれば、そのまま適用できる。

　〔実施の形態２〕
　本実施の形態について主に図９から図１１の（ａ）～（ｃ）に基づいて説明すれば、以下の通りである。

　なお、本実施の形態では、主に、実施の形態１との相違点について説明するものとし、実施の形態１で用いた構成要素と同一の機能を有する構成要素には同一の番号を付し、その説明を省略する。

　図９は、本実施の形態で製造する有機ＥＬ表示装置１００の半導体基板１０における封止領域Ｌの一部を示す要部平面図である。図１０は、本実施の形態で製造する有機ＥＬ表示装置１００の半導体基板１０におけるレーザ光照射領域を説明する平面図である。図１１の（ａ）～（ｃ）は、上記封止領域Ｌにおける有機膜を除去する工程を工程順に示す断面図である。

　本実施の形態では、実施の形態１と比べて、さらに、封止領域Ｌが蒸着不要領域に設定されている。

　すなわち、本実施の形態では、図１０に斜線（ハッチング）で示すように、表示領域Ｒ１および第２電極接続領域Ｒ２を除く領域（すなわち、端子部領域Ｒ３を含む額縁領域４１および封止領域Ｌ）がレーザ光照射領域Ｒ５に設定されている。

　このため、本実施の形態では、図９に示すように封止領域Ｌにも、熱発生層として島状構造部１６が複数形成されているとともに、封止領域Ｌに交差する各配線Ｈが、熱発生層を兼ねている。

　各配線Ｈは、例えば、各サブ画素ＳＰに設けられたＴＦＴ２を駆動するための走査線または信号線である。

　各島状構造部１６は、封止領域Ｌにおいて、封止領域Ｌに交差する各配線Ｈと接触しないように形成されている。

　また、封止領域Ｌには、図１１の（ｃ）に示すように、島状構造部１６、および、配線Ｈのうち封止領域Ｌと重なる部分を被覆するように、封止領域Ｌの全体に渡って保護絶縁膜１９が形成されている。この保護絶縁膜１９により、導電性の異物によって、配線Ｈと島状構造部１６とが短絡することが防止される。

　島状構造部１６および配線Ｈは、実施の形態１と同様の理由で電気配線端子１５と同じ材料で形成されていることが好ましい。

　以下では、島状構造部１６、配線Ｈ、および電気配線端子１５が、同じ光吸収材料からなる光吸収層であり、エネルギー供給源としてレーザを使用する場合を例に挙げて、本実施の形態にかかる有機ＥＬ表示装置１００の製造工程の流れについて説明する。

　なお、以下では、実施の形態１と異なる点について説明する。

　＜有機ＥＬ表示装置１００の製造工程の流れの抜粋＞
　本実施の形態では、図２に示すステップＳ１で、配線Ｈを光吸収材料で形成するとともに、図２に示すステップＳ２で、電気配線端子および島状構造部１６を、配線Ｈと同じ光吸収材料によりパターン形成する。なお、ステップＳ１・Ｓ２における各層の形成順を適宜調整できることは、前述と同様である。

　そして、保護絶縁膜１９を、図１の（ａ）に示すように、電気配線端子１５の周縁および島状構造部１６の全体を被覆し、電気配線端子１５の周縁以外を露出するとともに、図１１の（ｃ）に示すように、島状構造部１６、および、配線Ｈのうち封止領域Ｌと重なる部分を被覆するようにパターン形成する。なお、本実施の形態でも、保護絶縁膜１９は無くても構わない。

　その後、図２に示すステップＳ９で、有機ＥＬ素子１２の封止前に、レーザ光照射領域Ｒ５にレーザ光を照射する。

　その際、図１１の（ａ）に示すように、封止領域Ｌに、例えば被成膜基板２０の裏面側からレーザ光５０が照射される。

　封止領域Ｌに照射されたレーザ光５０は、光吸収層である島状構造部１６および配線Ｈに吸収される。その結果、島状構造部１６および配線Ｈで熱が発生し、図１１の（ｂ）に示すように、島状構造部１６および配線Ｈ上に形成された発光層８Ｒ・８Ｇ・８Ｂが気体化する。

　これにより、封止領域Ｌにおける大部分の発光層８Ｒ・８Ｇ・８Ｂが除去される。

　また、端子部領域Ｒ３における発光層８Ｒ・８Ｇ・８Ｂについても、実施の形態１と同様に、大部分が除去される。なお、端子部領域Ｒ３における発光層８Ｒ・８Ｇ・８Ｂの除去工程については、図１の（ａ）～（ｃ）と同じであるため、本実施の形態では、その図示を省略する。

　このようにして、蒸着不要領域（特に端子部領域Ｒ３および封止領域Ｌ）に形成された発光層８Ｒ・８Ｇ・８Ｂが除去される。

　その後、図２に示すステップＳ１０で、図１１の（ｃ）に示すように、発光層８Ｒ・８Ｇ・８Ｂが除去された封止領域Ｌに封止樹脂層１８が形成され、該封止樹脂層１８を介して、被成膜基板２０と封止基板１３とが貼り合わせられる。

　なお、その他の工程については、実施の形態１と同じであるので、説明は省略する。このようにして、端子部領域Ｒ３および封止領域Ｌにおける有機膜が除去された有機ＥＬ表示装置１００が製造される。

　＜効果＞
　以上のように、本実施の形態によれば、端子部領域Ｒ３だけでなく、封止領域Ｌも蒸着不要領域に設定されるので、封止領域Ｌについても、該封止領域Ｌに形成された有機膜（ここでは発光層８Ｒ・８Ｇ・８Ｂ）の大部分を除去できる。

　よって、封止樹脂層１８と封止領域Ｌとの接着性が高まり、これにより、封止樹脂層１８による有機ＥＬ素子１２の封入性能が向上し、外部からの水分や酸素流入に対して耐性をより向上させることができる。したがって、高信頼性の有機ＥＬ表示装置が実現できる。

　また、封止領域Ｌ上の有機膜を後から除去できるので、表示領域Ｒ１での有機膜の形成の際に有機膜が封止領域Ｌに被ってもよくなり、表示領域Ｒ１と封止領域Ｌとの間の隙間を小さくすることができる。したがって、狭額縁の有機ＥＬ表示装置が実現できる。

　なお、本実施の形態では、第２電極１１は、蒸着不要領域（例えば端子部領域Ｒ３および封止領域Ｌ）に形成されないようにパターン形成されるが、被成膜基板２０の全面に（すなわち蒸着不要領域にも）形成されてもよい。

　蒸着不要領域に形成された第２電極１１は、蒸着不要領域における有機膜のレーザ光照射による除去とともに剥離される。これにより、有機膜と第２電極１１とのパターン形成とを同時に行うことができる。

　〔実施の形態３〕
　本実施の形態について主に図１２および図１３の（ａ）～（ｃ）に基づいて説明すれば、以下の通りである。

　なお、本実施の形態では、主に、実施の形態１、２との相違点について説明するものとし、実施の形態１、２で用いた構成要素と同一の機能を有する構成要素には同一の番号を付し、その説明を省略する。

　図１２は、本実施の形態で製造する有機ＥＬ表示装置１００の半導体基板１０におけるレーザ光照射領域を説明する平面図である。図１３の（ａ）～（ｃ）は、本実施の形態で製造する有機ＥＬ表示装置１００の半導体基板１０における第２電極接続領域Ｒ２の有機膜を除去する工程を工程順に示す断面図である。

　本実施の形態では、実施の形態２と比べて、さらに、第２電極接続領域Ｒ２が蒸着不要領域に設定されている。

　すなわち、本実施の形態では、図１２に斜線（ハッチング）で示すように、表示領域Ｒ１を除く領域（すなわち、端子部領域Ｒ３を含む額縁領域４１、封止領域Ｌ、および第２電極接続領域Ｒ２）がレーザ光照射領域Ｒ６に設定されている。

　このため、本実施の形態では、島状構造部１６、配線Ｈ、および電気配線端子１５に加え、第２電極接続領域Ｒ２における接続部１７も、熱発生層として機能する。

　なお、本実施の形態でも、接続部１７は、実施の形態１、と同じ理由で、島状構造部１６、配線Ｈ、および電気配線端子１５と同じ材料で形成されていることが好ましい。

　図１３の（ｃ）に示すように、第２電極接続領域Ｒ２には、接続部１７の周縁を被覆し、接続部１７の周縁以外を露出するように、第２電極接続領域Ｒ２の全体に渡って、保護絶縁膜１９が形成されている。

　以下では、島状構造部１６、配線Ｈ、電気配線端子１５、および接続部１７が、同じ光吸収材料からなる光吸収層であり、エネルギー供給源としてレーザを使用する場合を例に挙げて、本実施の形態にかかる有機ＥＬ表示装置１００の製造工程の流れについて説明する。

　なお、以下では、実施の形態１、２と異なる点について説明する。

　＜有機ＥＬ表示装置１００の製造工程の流れの抜粋＞
　本実施の形態では、図２に示すステップＳ１で、第２電極接続領域Ｒ２の接続部１７および配線Ｈを光吸収材料で形成するとともに、図２に示すステップＳ２で、電気配線端子１５および島状構造部１６を、接続部１７および配線Ｈと同じ光吸収材料によりパターン形成する。なお、ステップＳ１・Ｓ２における各層の形成順を適宜調整できることは、前述と同様である。

　そして、保護絶縁膜１９を、図１の（ａ）に示すように、電気配線端子１５の周縁および島状構造部１６の全体を被覆し、電気配線端子１５の周縁以外を露出するとともに、図１１の（ｃ）に示すように、島状構造部１６、および、配線Ｈのうち封止領域Ｌと重なる部分を被覆し、図１３の（ａ）に示すように、接続部１７の周縁を被覆し、接続部１７の周縁以外を露出するようにパターン形成する。なお、本実施の形態でも、保護絶縁膜１９は無くても構わない。

　なお、本実施の形態では、実施の形態１の製造方法に準拠しているので、接続部１７は、電気配線端子１５と異なる工程で形成されるが、電気配線端子１５と同じ工程で一緒に形成してもよい。

　その後、図２に示すステップＳ９で、有機ＥＬ素子１２の封止前に、レーザ光照射領域Ｒ６にレーザ光を照射する。

　その際、図１３の（ａ）に示されるように、第２電極接続領域Ｒ２にレーザ光５０が照射されると、レーザ光５０は、光吸収層である接続部１７に吸収される。その結果、接続部１７で熱が発生し、図１３の（ｂ）に示すように、接続部１７上に形成された発光層８Ｒ・８Ｇ・８Ｂが気体化する。これにより、接続部１７上の発光層８Ｒ・８Ｇ・８Ｂが除去される。

　また、端子部領域Ｒ３および封止領域Ｌにおける発光層８Ｒ・８Ｇ・８Ｂについても、実施の形態２と同様に、大部分が除去される。なお、端子部領域Ｒ３における発光層８Ｒ・８Ｇ・８Ｂの除去工程については、図１の（ａ）～（ｃ）と同じである。また、封止領域Ｌにおける発光層８Ｒ・８Ｇ・８Ｂの除去工程については、図１１の（ａ）～（ｃ）と同じである。

　このようにして、蒸着不要領域（特に端子部領域Ｒ３、封止領域Ｌ、および第２電極接続領域Ｒ２）に形成された発光層８Ｒ・８Ｇ・８Ｂが除去される。

　その後、図２に示すステップＳ８で、図１３の（ｃ）に示すように、既知の方法で、第２電極１１をパターン形成する。

　具体的には、被成膜基板２０上において、第２電極１１を、表示領域Ｒ１の全面に形成するとともに、第２電極接続領域Ｒ２の接続部１７と電気的に接続し、それら以外の領域を露出するように、例えば蒸着用のマスクを用いた蒸着法によりパターン形成する。

　なお、その他の工程については、実施の形態２と同じであるので、説明は省略する。このようにして、端子部領域Ｒ３、封止領域Ｌ、および第２電極接続領域Ｒ２における有機膜が除去された有機ＥＬ表示装置１００が製造される。

　＜効果＞
　以上のように、本実施の形態によれば、第２電極接続領域Ｒ２も蒸着不要領域に設定されるので、第２電極接続領域Ｒ２についても、該第２電極接続領域Ｒ２に形成された有機膜（ここでは発光層８Ｒ・８Ｇ・８Ｂ）を、有機膜の形成後に除去できる。

　よって、表示領域Ｒ１での有機膜の形成の際に有機膜が第２電極接続領域Ｒ２に被ってもよくなり、表示領域Ｒ１と封止領域Ｌとの間の隙間を小さくすることができる。したがって、狭額縁の有機ＥＬ表示装置が実現できる。

　また、本実施の形態によれば、有機膜が不要な全ての領域（特に第２電極接続領域Ｒ２、端子部領域Ｒ３、および封止領域Ｌ）に対してレーザ光照射による除去が行われるので、全面蒸着を行う有機膜に対して、マスクレスとすることもできる。これにより、全面蒸着の有機膜用のマスク削減が行えるので、設備コストの低減、処理タクトの向上が可能となる。

　〔実施の形態４〕
　本実施の形態について主に図１４から図１６に基づいて説明すれば、以下の通りである。

　なお、本実施の形態では、主に、実施の形態１～３との相違点について説明するものとし、実施の形態１～３で用いた構成要素と同一の機能を有する構成要素には同一の番号を付し、その説明を省略する。

　図１４は、本実施の形態で製造する有機ＥＬ表示装置１００の半導体基板１０におけるレーザ光照射領域を説明する平面図である。図１５の（ａ）～（ｃ）は、表示領域Ｒ１における有機膜の一部を除去する工程を、工程順に示す断面図である。

　前記実施の形態１～３では、表示領域Ｒ１以外の領域に形成された有機膜を除去する場合について説明した。

　これに対し、本実施の形態では、表示領域Ｒ１における、各サブ画素ＳＰの発光領域（すなわち、第１電極５の露出部分）間に補助電極が形成されており、この補助電極の形成領域が蒸着不要領域に設定されている。

　＜有機ＥＬ表示装置１００の構成＞
　本実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置１００では、第２電極接続領域Ｒ２、端子部領域Ｒ３、および封止領域Ｌを蒸着不要領域に設定していない。このため、本実施の形態では、島状構造部１６は形成されていない。

　したがって、本実施の形態で製造される有機ＥＬ表示装置１００は、端子部領域Ｒ３に島状構造部１６が形成されて設けられておらず、代わりに、各サブ画素ＳＰの発光領域間に補助電極３７（図１５の（ｃ）参照）が形成されている点で、実施の形態１と異なっている。なお、それ以外は、実施の形態１と同様に構成されている。

　また、本実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置１００は、トップエミッション型の有機ＥＬ表示装置として構成されている。

　補助電極３７は、図１５の（ｃ）に示すように、例えば層間絶縁膜４上において、各サブ画素ＳＰにおける隣り合う第１電極５間に形成されている。

　また、図１５の（ｃ）に示すように、層間絶縁膜４上には、保護絶縁膜３８が形成されている。この保護絶縁膜３８は、第１電極５と補助電極３７との間において、第１電極５の周縁および補助電極３７の周縁を被覆するように形成されている。なお、保護絶縁膜３８は、例えば、図４に示すエッジカバー６として機能している。

　補助電極３７上には、有機膜（正孔輸送層７ｂ、正孔注入層７ａ、電子注入層９ｂおよび電子輸送層９ａ）は形成されておらず、補助電極３７は、第２電極１１と電気的に接続されている。

　なお、補助電極３７は、第２電極１１と電気的に接続されて第２電極１１の抵抗を下げるために用いられる。この構造は、第２電極１１を薄くして半透明電極とする必要があるトップエミッション型の有機ＥＬ表示装置に特に有効である。この場合は、第２電極１１は、薄くされるので高抵抗になるが、補助電極３７と接続されるので、実際には高抵抗になることが防止される。

　配線Ｈと補助電極３７とは、層間絶縁膜４を介して静電容量を形成する。そのため、その静電容量に蓄えられた電荷によって、各配線や電極の電位が影響を受けるおそれがある。したがって、配線Ｈと補助電極３７との間の層間絶縁膜４の膜厚や、被成膜基板２０の平面視において、配線Ｈと補助電極３７との重なり面積を適宜調整することによって、その静電容量ができるだけ小さくなるようにすることが好ましい。

　本実施の形態では、補助電極３７の形成領域が蒸着不要領域に設定されており、補助電極３７が熱発生層を兼ねている。

　以下では、補助電極３７が光吸収層であり、エネルギー供給源としてレーザを使用する場合を例に挙げて、本実施の形態にかかる有機ＥＬ表示装置１００の製造工程の流れについて説明する。

　＜有機ＥＬ表示装置１００の製造工程の流れの抜粋＞
　まず図１５の（ａ）に示すように、実施の形態１と同様にして、被成膜基板２０上に、ＴＦＴ２、配線Ｈ、層間絶縁膜４、および第１電極５を形成する。

　なお、ここでは、有機ＥＬ表示装置１００は、トップエミッション型の有機ＥＬ表示装置であるので、第１電極５は、Ａｌ（アルミニウム）またはＡｇ（銀）の上に透明電極を積層した反射電極として形成される。

　次に、層間絶縁膜４上に、既知の方法で補助電極３７を形成する。具体的には、例えば蒸着マスクを用いた蒸着法により、光吸収層材料からなる補助電極３７を、層間絶縁膜４上に、平面視で各サブ画素ＳＰの第１電極５間に位置するようにパターン形成する。

　なお、本実施の形態では、端子部領域Ｒ３に島状構造部１６を形成しない。

　その後、層間絶縁膜４上に、既知の方法で保護絶縁膜３８を形成する。具体的には、例えば蒸着マスクを用いた蒸着法により、層間絶縁膜４上に、保護絶縁膜３８を、第１電極５の周縁および補助電極３７の周縁を被覆するようにパターン形成する。

　次いで、実施の形態１と同様に、被成膜基板２０上の表示領域Ｒ１全面に、第１電極５、補助電極３７および保護絶縁膜３８を被覆するように、正孔注入層７ａおよび正孔輸送層７ｂを形成する。

　続いて、実施の形態１と同様に、正孔輸送層７ｂ上における、各サブ画素ＳＰの発光領域となる領域に、発光層８Ｒ・８Ｇ・８Ｂをパターン形成する。

　その後、実施の形態１と同様に、被成膜基板２０上の表示領域Ｒ１全面に、正孔輸送層７ｂおよび発光層８Ｒ・８Ｇ・８Ｂを被覆するように、電子輸送層９ａおよび電子注入層９ｂを順に形成する。

　その後、図１４に斜線（ハッチング）で示す、レーザ光照射領域Ｒ７（すなわち、画素アレイ部３０が形成される表示領域Ｒ１）にレーザ光を照射して、蒸着不要領域である、補助電極３７の形成領域上の有機膜（正孔注入層７ａ、正孔輸送層７ｂ、電子輸送層９ａおよび電子注入層９ｂ）の除去を行う。

　本実施の形態では、図１５の（ａ）に示すように、レーザ光照射領域Ｒ７に、例えば被成膜基板２０側からレーザ光５０を照射することで、光吸収層である補助電極３７を加熱して補助電極３７上の有機膜（正孔輸送層７ｂ、正孔注入層７ａ、電子注入層９ｂおよび電子輸送層９ａ）を気体化させて除去する。

　その際、レーザ光照射領域Ｒ７内の第１電極５にもレーザ光５０が照射されるが、トップエミッション型の場合は、第１電極５は反射電極として形成されているので、レーザ光が反射されて温度上昇が少ない。そのため、第１電極５上の有機膜（正孔注入層７ａ、正孔輸送層７ｂ、発光層８Ｒ・８Ｇ・８Ｂ、電子輸送層９ａおよび電子注入層９ｂ）は気体化することはない（すなわち、除去されない）。

　これに対し、補助電極３７は、光吸収層として形成されているので、補助電極３７では、上記有機膜を気体化させるに足る温度上昇が発生する。そのため、補助電極３７上の有機膜は気体化して除去される。このように、本実施の形態では、補助電極３７と第１電極５との材料の光吸収率の差によって、補助電極３７上の有機膜を選択的に除去している。

　このようにして、図１５の（ｂ）に示すように、第１電極５上の有機膜（正孔注入層７ａ、正孔輸送層７ｂ、発光層８Ｒ・８Ｇ・８Ｂ、電子輸送層９ａおよび電子注入層９ｂ）は除去されず、補助電極３７上の有機膜（正孔注入層７ａ、正孔輸送層７ｂ、電子輸送層９ａおよび電子注入層９ｂ）だけが除去される。

　その後、図１５の（ｃ）に示すように、表示領域Ｒ１全面に、実施の形態１と同様に第２電極１１を形成する。すなわち、電子注入層９ｂおよび補助電極３７を被覆するとともに第２電極接続領域Ｒ２の接続部１７に接続するように、第２電極１１を形成する。

　その際、補助電極３７上の有機膜は上述のように除去されているので、補助電極３７と第２電極１１とは良好に電気接続される。

　なお、その他の工程については、実施の形態１と同じであるので、説明は省略する。このようにして、上記補助電極３７上の有機膜が除去された有機ＥＬ表示装置１００が製造される。

　＜効果＞
　以上のように、本実施の形態によれば、各サブ画素ＳＰの発光領域間に補助電極３７が形成されており、その補助電極３７が熱発生層（ここでは光吸収層）として機能する。

　補助電極３７上に有機膜を形成しないように発光領域だけに有機膜をパターン形成するには、有機膜の全層に対し発光領域だけに開口部を有するファインマスクを用いる必要があるが、ファインマスクは高価であるので、高コストの原因となる。

　これに対し、本実施の形態によれば、補助電極３７に外部からエネルギーを与えて熱を発生させるだけで（すなわち安価な方法で）、補助電極３７上の有機膜を除去できる。これにより、製造コストの低コスト化および有機ＥＬ表示パネル１、さらには有機ＥＬ表示装置１００の低コスト化を実現できる。

　＜変形例＞
　なお、この実施の形態において、実施の形態１～３を併用することも可能である。特に実施の形態３と併用した場合は、レーザ光照射領域は、被成膜基板２０の全面に設定されるので、レーザ光を被成膜基板２０全面に走査しながら照射するよりも、フラッシュランプで被成膜基板２０全面に一括して（もしくは幾つかの領域に分割して）照射する方がより簡便であり、より好ましい。

　但し、実施の形態１で述べたように、フラッシュランプを用いる場合には、ランプ光に含まれる紫外線による有機ＥＬ素子の劣化を防止するために、被成膜基板２０の裏面（有機ＥＬ素子の形成されていない面）から光を照射することが好ましい。

　また、このように被成膜基板２０の全面に光を照射する場合には、レーザ光を用いた場合でも、高エネルギーの光照射による有機ＥＬ素子の損傷を防止するために、被成膜基板２０の裏面から光を照射することが好ましい。

　また、端子部領域Ｒ３において、電気配線端子１５および島状構造部１６は、その両方が熱発生層であることが望ましいが、何れか一方を熱発生層としてもよい。また、封止領域Ｌにおいて、島状構造部１６および配線Ｈは、その両方が熱発生層であることが望ましいが、何れか一方を熱発生層としてもよい。

　＜要点概要＞
　以上のように、上記各実施の形態に係る蒸着膜パターンの形成方法は、被成膜基板にパターン化された蒸着膜を形成する蒸着膜パターンの形成方法であって、上記被成膜基板における被成膜面の蒸着不要領域に、外部からエネルギーを与えることで上記蒸着膜が気体になる温度（例えば蒸発温度または昇華温度）以上の温度の熱を発生させる熱発生層を形成する熱発生層形成工程と、上記熱発生層の少なくとも一部を覆うように、上記蒸着不要領域を含む上記被成膜基板の被成膜面に蒸着膜を形成する蒸着膜形成工程と、上記熱発生層から上記蒸着膜が気体になる温度以上の温度の熱を発生させることで、上記蒸着不要領域に形成された蒸着膜を選択的に気体化（例えば、一旦溶融した後に蒸発、または、直接、昇華）させて除去する蒸着膜除去工程と、を備えている。

　したがって、蒸着後に、上記蒸着不要領域の蒸着膜を気体化させて簡便に除去することができ、大型の蒸着マスクを用いたり、高精度のファインマスクを用いたりする必要がない。また、端子部領域での導通不良の発生や短絡等の問題を回避することができるとともに、マスクレス蒸着を行うことも可能となる。

　また、上記蒸着膜パターンの形成方法は、上記蒸着不要領域内の電気接続部が上記熱発生層を兼ねており、上記熱発生層形成工程では、上記蒸着不要領域内の電気接続部を、外部からエネルギーを与えることで上記蒸着膜が気体になる温度以上の温度の熱を発生させる材料で形成することが望ましい。

　上記の方法によれば、蒸着不要領域内の電気接続部が熱発生層を兼ねるので、特別な設計パターンや装置を追加することなく、熱発生層を形成できる。

　上記電気接続部としては、例えば、回路基板（例えば駆動回路等）と接続される電気配線端子、または、上記被成膜基板に配された電極の抵抗を下げるための補助電極が挙げられる。

　上記蒸着膜パターンの形成方法において、上記熱発生層形成工程では、上記熱発生層を島状に形成することが望ましい。

　上記の方法によれば、上記熱発生層を島状に形成することで、局所的に熱を発生させることができる。このため、所望の位置の蒸着膜を除去することができる。

　また、上記蒸着膜パターンの形成方法は、上記蒸着不要領域と交わる配線が上記熱発生層を兼ねており、上記熱発生層形成工程では、上記蒸着不要領域と交わる配線を、外部からエネルギーを与えることで上記蒸着膜が気体になる温度以上の温度の熱を発生材料で形成することが望ましい。

　上記の方法によれば、蒸着不要領域と交わる配線が熱発生層を兼ねているので、特別な設計パターンや装置を追加することなく、熱発生層を形成できる。

　なお、上記被成膜基板が有機エレクトロルミネッセンス表示装置等、複数の画素（サブ画素）を有する表示装置における半導体基板である場合は、上記配線としては、例えば、表示装置における各画素（サブ画素）を駆動する信号線または走査線等の配線が挙げられる。

　また、上記熱発生層は、特定の波長の光を吸収して熱を発生する光吸収層であり、上記蒸着膜除去工程では、上記熱発生層に特定の波長の光を照射することで、上記熱発生層から熱を発生させることが望ましい。

　上記の方法によれば、上記熱発生層に上記エネルギーとして光を照射することで熱を発生させることができるので、簡便な手段で熱発生層から熱を発生させることができる。

　この場合、上記熱発生層に隣り合う層の光吸収率に対する上記熱発生層の光吸収率の比は２以上であることが望ましい。

　上記の方法によれば、隣り合う層との間の温度上昇の差が大きいことで、局所的に温度上昇させることができる。このため、局所的に所望の位置の蒸着膜を除去することができる。

　また、上記エネルギーは光エネルギーであり、上記蒸着膜除去工程では、レーザ光により上記熱発生層に光を照射することが望ましい。

　レーザ光を用いることで、容易に局所的に光照射を行うことができる。したがって、上記の方法によれば、所望の位置の熱発生層のみに光エネルギーを与えることができるので、局所的に所望の位置の蒸着膜を除去することができる。

　また、レーザ光を使用することで、レーザ光により、蒸着時に蒸着不要領域に付着した異物等を除去できる。これにより、上記蒸着膜パターンが形成された被成膜基板、さらには、上記蒸着膜パターンが形成された被成膜基板を用いた表示装置等の電子機器の歩留まりおよび信頼性を向上できる。

　また、このようにレーザ光を用いる場合、上記蒸着膜除去工程では、上記レーザ光は、真空中または不活性ガス雰囲気中で照射されることが望ましい。

　これにより、レーザ光照射の際に、被成膜基板に塵等が付着することを防止できる。

　また、上記エネルギーは光エネルギーであり、上記蒸着膜除去工程では、フラッシュランプにより上記熱発生層に光を照射することが望ましい。

　上記の方法によれば、フラッシュランプにより熱発生層に光を照射するので、熱発生層全体を一度に、または幾つかに分割して加熱できるので、短時間で熱発生層の加熱を行うことができる。

　また、上記したように上記熱発生層に光を照射することで上記熱発生層に光エネルギーを与える場合、上記被成膜基板は、透明性を有する基板であり、上記蒸着膜除去工程では、上記被成膜基板において上記熱発生層が形成された面の反対側の面から上記熱発生層に光を照射することが好ましい。

　これにより、例えば、フラッシュランプにより上記熱発生層に光を照射する場合、例えば上記蒸着膜が有機膜である場合に該有機膜に損傷を与えるような紫外光を上記被成膜基板に吸収させることができる。

　また、レーザ光により上記熱発生層に光を照射する場合にも、上記したように上記被成膜基板において上記熱発生層が形成された面の反対側の面から上記熱発生層に光を照射することで、その強度が、上記被成膜基板により弱められる。したがって、レーザ光が高エネルギーの場合において、熱発生層以外の領域の蒸着膜がレーザ光により破損されることを防止できる。

　また、上記エネルギーは電気エネルギーであり、上記蒸着膜除去工程では、渦電流による誘導加熱により上記熱発生層から熱を発生させることが望ましい。

　上記の方法によれば、誘導加熱により熱発生層から熱を発生させるので、熱発生層全体を一度に、または幾つかに分割して加熱できるので、短時間で熱発生層の加熱を行うことができる。

　また、上記方法は、上記蒸着膜が有機膜である場合に好適に用いることができる。

　例えば、有機エレクトロルミネッセンス表示装置を製造するためには、各色に発光する有機発光材料からなる発光層を有機エレクトロルミネッセンス素子毎に所定パターンで形成する必要があり、このようなパターンの形成には、一般的に真空蒸着法等の蒸着法が用いられる。

　このため、上記蒸着膜パターンの形成方法を用いて有機エレクトロルミネッセンス素子の有機膜を形成することで、蒸着不要領域への蒸着を防止するために、大型の蒸着マスクを用いたり、高精度のファインマスクを用いたりすることなく、有機エレクトロルミネッセンス表示装置を製造することができる。

　また、例えばスキャン蒸着を行う場合に、蒸着不要領域に蒸着膜が存在することで生じる、例えば端子部領域での導通不良の発生や短絡等の問題を回避することができる。

　特に、有機膜は一般的に導電性が低く、電気接続部に有機膜が存在すると、導通不良を発生させることになる。しかしながら、上記の方法によれば、電気接続部等の蒸着不要領域に形成された有機膜を簡便に除去することができる。

　また、上記各実施の形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法は、上記蒸着膜パターンの形成方法を用いて、有機エレクトロルミネッセンス表示装置の蒸着膜を形成する方法である。

　上記の方法によれば、蒸着不要領域への蒸着を防止するために、大型の蒸着マスクを用いたり、高精度のファインマスクを用いたりする必要がない。また、例えば端子部領域での導通不良の発生や短絡等の問題を回避することができる。

　上記有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法において、被成膜基板は、一対の基板間に有機エレクトロルミネッセンス素子が封止される有機エレクトロルミネッセンス表示装置に用いられる基板であり、上記蒸着膜除去工程は、上記一対の基板を封止した後に行われることが望ましい。

　上記の方法によれば、気体化した蒸着有機材料が有機エレクトロルミネッセンス素子に再付着して損傷を招くことを防止することができる。また、有機エレクトロルミネッセンス素子の大気暴露が防止されるので、例えば大気中での光照射が可能となる。

　また、上記蒸着膜パターンの形成方法および有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法は、以下の構成を有していることが望ましい。

　例えば、上記被成膜基板は、一対の基板間に有機エレクトロルミネッセンス素子が封止される有機エレクトロルミネッセンス表示装置に用いられる基板であり、上記熱発生層は、上記一対の基板のうち一方の基板に設けられる回路基板との接続用の端子部形成領域に形成される、上記回路基板との接続用の複数の電気配線端子および各電気配線端子間に配置される少なくとも１つの島状構造物のうち少なくとも一方であることが好ましい。

　また、上記被成膜基板は、一対の基板間に有機エレクトロルミネッセンス素子が封止される有機エレクトロルミネッセンス表示装置に用いられる基板であり、上記熱発生層は、上記一対の基板のうち一方の基板に設けられて上記有機エレクトロルミネッセンス素子における有機エレクトロルミネッセンス層を挟持する一対の電極のうち一方の電極と接続される接続部であることが好ましい。

　また、上記被成膜基板は、一対の基板間に有機エレクトロルミネッセンス素子が封止される有機エレクトロルミネッセンス表示装置に用いられる基板であり、上記熱発生層は、上記一対の基板を封止する封止領域に形成される配線および少なくとも一つの島状構造部のうち少なくとも一方であることが好ましい。

　また、上記被成膜基板は、一対の基板間に有機エレクトロルミネッセンス素子が封止される有機エレクトロルミネッセンス表示装置に用いられる基板であり、上記熱発生層は、特定の光を吸収する光吸収層であり、上記蒸着膜形成工程で、上記一対の基板のうち一方の基板の全面に蒸着膜を形成した後、上記蒸着膜除去工程で、上記熱発生層にレーザ光を照射して上記蒸着膜の一部を気体化させて除去することが好ましい。

　また、上記被成膜基板は、一対の基板間に有機エレクトロルミネッセンス素子が封止される有機エレクトロルミネッセンス表示装置に用いられる基板であり、上記蒸着膜形成工程では、上記被成膜基板に、上記蒸着膜としてマトリクス状の発光層を形成するとともに、上記熱発生層形成工程では、上記発光層の形成領域間に、上記有機エレクトロルミネッセンス素子における有機エレクトロルミネッセンス層を挟持する一対の電極のうち一方の電極と電気的に接続される補助電極を、外部からエネルギーを与えることで上記蒸着膜が気体になる温度以上の温度の熱を発生させる材料で形成することが望ましい。

　なお、このように上記発光層の形成領域間に、上記有機エレクトロルミネッセンス素子の電極と電気的に接続する補助電極を形成することで、上記有機エレクトロルミネッセンス素子の電極の抵抗を下げることができる。

　そして、上記補助電極を、上記材料で形成することで、上記補助電極を熱発生層として用いることができる。

　したがって、特別な設計パターンや装置を追加することなく、熱発生層を形成することができるとともに、上記補助電極上の有機膜を容易に除去することができる。

　このため、上記補助電極を形成するために、例えば各蒸着領域に対応する箇所のみに開口を有するファイマンマスクを用いる必要がなく、製造コストの低コスト化を図ることができる。

　〔付記事項〕
　本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。

　また、本発明は、有機ＥＬ表示装置の製造だけでなく、走査によって蒸着を行う蒸着膜パターンの形成全般に適用が可能である。

　本発明の蒸着装置並びに蒸着方法は、例えば、有機ＥＬ表示装置における有機層の塗り分け形成等の成膜プロセスに用いられる、有機ＥＬ表示装置の製造装置並びに製造方法等に好適に用いることができる。

　　１　　有機ＥＬ表示パネル
　　２　　ＴＦＴ
　　３　　絶縁基板
　　４　　層間絶縁膜
　　４ａ　コンタクトホール
　　５　　第１電極
　　６　　エッジカバー
　　７ａ　正孔注入層
　　７ｂ　正孔輸送層
　　８Ｒ・８Ｇ・８Ｂ　　発光層（蒸着膜、有機膜）
　　９ａ　電子輸送層
　　９ｂ　電子注入層
　１０　　半導体基板
　１１　　第２電極
　１２　　有機ＥＬ素子
　１３　　封止基板
　１５　　電気配線端子（電気接続部、熱発生層、光吸収層）
　１６　　島状構造部（熱発生層、光吸収層）
　１７　　接続部（電気接続部、熱発生層、光吸収層）
　１８　　封止樹脂層
　１９　　保護絶縁膜
　１９ａ　端子部開口
　２０　　被成膜基板
　２０ａ　被成膜面
　３０　　画素アレイ部
　３７　　補助電極（電気接続部、熱発生層、光吸収層）
　３８　　保護絶縁膜
　４１　　額縁領域
　５０　　レーザ光
　５２　　回路基板
　５２ａ　接続端子
１００　　有機ＥＬ表示装置
１０２　　マスク
１０２ａ　開口部
１０３　　蒸着源
１０３ａ　射出口
１５０　　蒸着装置
３００　　制限板
３０１　　開口部
　Ｈ　　　配線（熱発生層、光吸収層）
　ＳＰ　　サブ画素
　Ｒ１　　表示領域（蒸着不要領域）
　Ｒ２　　第２電極接続領域（蒸着不要領域）
　Ｒ３　　端子部領域（蒸着不要領域）
　Ｌ　　　封止領域

Claims

　被成膜基板にパターン化された蒸着膜を形成する蒸着膜パターンの形成方法であって、
　上記被成膜基板における被成膜面の蒸着不要領域に、外部からエネルギーを与えることで上記蒸着膜が気体になる温度以上の温度の熱を発生させる熱発生層を形成する熱発生層形成工程と、
　上記熱発生層の少なくとも一部を覆うように、上記蒸着不要領域を含む上記被成膜基板の被成膜面に蒸着膜を形成する蒸着膜形成工程と、
　上記熱発生層から上記蒸着膜が気体になる温度以上の温度の熱を発生させることで、上記蒸着不要領域に形成された蒸着膜を選択的に気体化させて除去する蒸着膜除去工程と、
を備えることを特徴とする蒸着膜パターンの形成方法。
　上記蒸着不要領域内の電気接続部が上記熱発生層を兼ねており、
　上記熱発生層形成工程では、上記蒸着不要領域内の電気接続部を、外部からエネルギーを与えることで上記蒸着膜が気体になる温度以上の温度の熱を発生させる材料で形成することを特徴とする請求項１に記載の蒸着膜パターンの形成方法。
　上記熱発生層形成工程では、上記熱発生層を島状に形成することを特徴とする請求項１または２に記載の蒸着膜パターンの形成方法。
　上記蒸着不要領域と交わる配線が上記熱発生層を兼ねており、
　上記熱発生層形成工程では、上記蒸着不要領域と交わる配線を、外部からエネルギーを与えることで上記蒸着膜が気体になる温度以上の温度の熱を発生させる材料で形成することを特徴とする請求項１～３の何れか１項に記載の蒸着膜パターンの形成方法。
　上記熱発生層は、特定の波長の光を吸収して熱を発生する光吸収層であり、
　上記蒸着膜除去工程では、上記熱発生層に特定の波長の光を照射することで、上記熱発生層から熱を発生させることを特徴とする請求項１～４の何れか１項に記載の蒸着膜パターンの形成方法。
　上記熱発生層に隣り合う層の光吸収率に対する上記熱発生層の光吸収率の比が２以上であることを特徴とする請求項５に記載の蒸着膜パターンの形成方法。
　上記エネルギーは光エネルギーであり、
　上記蒸着膜除去工程では、レーザ光により上記熱発生層に光を照射することを特徴とする請求項５または６に記載の蒸着膜パターンの形成方法。
　上記蒸着膜除去工程では、上記レーザ光は、真空中または不活性ガス雰囲気中で照射されることを特徴とする請求項７に記載の蒸着膜パターンの形成方法。
　上記エネルギーは光エネルギーであり、
　上記蒸着膜除去工程では、フラッシュランプにより上記熱発生層に光を照射することを特徴とする請求項５または６に記載の蒸着膜パターンの形成方法。
　上記被成膜基板は、透明性を有する基板であり、
　上記蒸着膜除去工程では、上記被成膜基板において上記熱発生層が形成された面の反対側の面から上記熱発生層に光を照射することを特徴とする請求項７～９の何れか１項に記載の蒸着膜パターンの形成方法。
　上記エネルギーは電気エネルギーであり、
　上記蒸着膜除去工程では、渦電流による誘導加熱により上記熱発生層から熱を発生させることを特徴とする請求項１～４の何れか１項に記載の蒸着膜パターンの形成方法。
　上記蒸着膜は、有機膜であることを特徴とする請求項１～１１の何れか１項に記載の蒸着膜パターンの形成方法。
　請求項１～１２の何れか１項に記載の蒸着膜パターンの形成方法を用いて、有機エレクトロルミネッセンス表示装置の蒸着膜を形成することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
　上記被成膜基板は、一対の基板間に有機エレクトロルミネッセンス素子が封止される有機エレクトロルミネッセンス表示装置に用いられる基板であり、
　上記蒸着膜除去工程は、上記一対の基板を封止した後に行われることを特徴とする請求項１３に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。