KR20180014900A - 기판처리장치 - Google Patents

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KR20180014900A
KR20180014900A KR1020160098120A KR20160098120A KR20180014900A KR 20180014900 A KR20180014900 A KR 20180014900A KR 1020160098120 A KR1020160098120 A KR 1020160098120A KR 20160098120 A KR20160098120 A KR 20160098120A KR 20180014900 A KR20180014900 A KR 20180014900A
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이수진
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세메스 주식회사
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Abstract

본 발명의 실시예는 기판을 가스 처리하는 장치를 제공한다. 기판 처리 장치는 내부에 처리 공간을 가지며, 일측벽에 개구가 형성되는 챔버, 상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛, 상기 처리 공간에 공정 가스를 공급하는 가스 공급 유닛, 상기 처리 공간을 배기하는 배기 유닛, 그리고 상기 챔버의 내측면과 상기 기판 지지 유닛 사이에 위치되며, 상기 처리 공간에서 공정 가스가 영역 별로 균일하게 배기되도록 안내하는 배플 유닛을 포함하되, 상기 배플 유닛은 상기 기판 지지 유닛을 감싸는 링 형상으로 제공되며, 공정 가스가 배기되는 복수의 관통홀들이 형성되는 고정 플레이트 및 상기 고정 플레이트에 적층되게 위치되며, 상기 관통홀들 중 일부에 배기되는 공정 가스의 흐름을 간섭하는 조절 플레이트를 포함하되, 상기 조절 플레이트는 상기 개구와 인접하게 위치된다. 처리 공간에서 가스가 쏠리는 영역에 가스의 흐름을 간섭하는 조절 플레이트가 위치된다. 이로 인해 처리 공간에는 영역 별로 가스가 균일하게 공급될 수 있다.

Description

기판처리장치{Apparatus for treating substrate}
본 발명은 기판을 가스 처리하는 장치에 관한 것이다.
반도체 소자를 제조하는 공정에 있어서 사진, 식각, 박막 증착, 이온주입, 그리고 세정 등 다양한 공정들이 수행된다. 이러한 공정들 중 식각, 박막 증착, 이온 주입, 그리고 세정 공정에는 공정 가스를 이용한 기판 처리 장치가 사용된다.
일반적으로 가스 처리 공정은 외부로부터 밀폐된 처리 공간에서 진행된다. 도 1은 일반적인 가스 처리 장치를 보여주는 단면도이다. 도 1을 참조하면, 가스는 챔버(2)의 내부 공간인 처리 공간(4)으로 공급되고, 기판(W)을 처리한 공정 가스 및 이로부터 발생된 공정 부산물은 챔버(2)의 외부로 배기된다. 챔버(2)의 바닥면에는 배기홀(6)이 형성되며, 처리 공간(4)의 분위기는 배기홀(6)을 통해 배기된다.
그러나 처리 공간(4)은 비대칭적인 공간으로 제공된다. 이로 인해 처리 공간(4)의 일부 영역에으로 공정 가스가 쏠리는 현상이 발생된다. 이에 따라 기판(W)은 불균일하게 가스 처리되며, 이는 공정 불량을 야기한다.
본 발명은 기판을 균일하게 가스 처리할 수 있는 장치를 제공하고자 한다.
또한 본 발명은 내부에 비대칭적 공간을 가지는 챔버에 가스를 공급 시 가스가 일부 영역으로 쏠리는 것을 방지할 수 있는 장치를 제공하고자 한다.
본 발명의 실시예는 기판을 가스 처리하는 장치를 제공한다. 기판 처리 장치는 내부에 처리 공간을 가지며, 일측벽에 개구가 형성되는 챔버, 상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛, 상기 처리 공간에 공정 가스를 공급하는 가스 공급 유닛, 상기 처리 공간을 배기하는 배기 유닛, 그리고 상기 챔버의 내측면과 상기 기판 지지 유닛 사이에 위치되며, 상기 처리 공간에서 공정 가스가 영역 별로 균일하게 배기되도록 안내하는 배플 유닛을 포함하되, 상기 배플 유닛은 상기 기판 지지 유닛을 감싸는 링 형상으로 제공되며, 공정 가스가 배기되는 복수의 관통홀들이 형성되는 고정 플레이트 및 상기 고정 플레이트에 적층되게 위치되며, 상기 관통홀들 중 일부에 배기되는 공정 가스의 흐름을 간섭하는 조절 플레이트를 포함하되, 상기 조절 플레이트는 상기 개구와 인접하게 위치된다.
상기 장치는 상기 챔버의 외측에서 상기 개구를 개폐하는 도어를 더 포함하되, 상부에서 바라볼 때 상기 조절 플레이트는 상기 기판 지지 유닛의 중심으로부터 상기 개구를 잇는 직선 상에 위치될 수 있다. 상기 조절 플레이트는 상기 기판 지지 유닛의 일부를 감싸는 호 형상으로 제공될 수 있다. 상기 조절 플레이트는 상기 고정 플레이트보다 높게 위치될 수 있다 상기 고정 플레이트는 상기 기판 지지 유닛의 외측면에 결합되는 내측링, 상기 내측링보다 큰 직경을 가지며, 상기 챔버의 내측면에 결합되는 외측링, 그리고 상기 내측링 및 상기 외측링에 고정 결합되며, 상기 관통홀들이 형성되는 중간링을 포함하되, 상기 내측링 및 상기 외측링 각각에는 상기 조절 플레이트가 결합 가능한 나사홀들이 원주 방향을 따라 배열될 수 있다. 상기 고정 플레이트에는 상기 관통홀들이 균등하게 위치되고, 상기 조절 플레이트에는 내측홀 및 이와 상이한 외측홀이 각각 형성될 수 있다. 상기 내측홀 및 상기 외측홀 각각은 서로 상이한 폭을 가질 수 있다. 상기 내측홀은 상기 외측홀에 비해 큰 폭을 가질 수 있다. 상기 내측홀 및 상기 외측홀 각각은 슬릿으로 제공될 수 있다.
본 발명의 실시예에 의하면, 처리 공간에서 가스가 쏠리는 영역에 가스의 흐름을 간섭하는 조절 플레이트가 위치된다. 이로 인해 처리 공간에는 영역 별로 가스가 균일하게 공급될 수 있다.
또한 본 발명의 실시예에 의하면, 처리 공간에는 영역 별로 가스가 균일하게 공급되므로, 기판의 전체 영역을 균일하게 가스 처리할 수 있다.
또한 본 발명의 실시예에 의하면, 처리 공간에서 가스의 잔류 시간을 늘릴 수 있다.
도 1은 일반적인 기판처리장치를 보여주는 단면도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다.
도 3은 도 2의 고정 플레이트를 보여주는 평면도이다.
도 4는 도 2의 조절 플레이트를 보여주는 평면도이다.
도 5는 도 2의 고정 플레이트 및 조절 플레이트의 종단면적을 보여주는 단면도이다.
도 6은 도 5의 고정 플레이트 및 조절 플레이트를 종단면적을 보여주는 평면도이다.
도 7은 도 2의 기판 처리 장치의 다른 실시예를 보여주는 단면도이다.
도 8은 도 2의 기판 처리 장치의 또 다른 실시예를 보여주는 단면도이다.
본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 서술하는 실시예로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어서는 안된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 구성 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장된 것이다.
본 실시예에서는 챔버 내에서 플라즈마를 이용하여 기판을 식각 처리하는 기판 처리 장치를 일 예로 설명한다. 그러나 본 발명은 이에 한정되지 않고, 플라즈마를 이용하여 기판을 처리하는 장치라면 다양한 공정에 적용 가능하다.
이하, 도 2 내지 도 8을 참조하여 본 발명을 설명한다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 기판처리장치를 보여주는 단면도이다. 도 2를 참조하면, 기판 처리 장치(10)는 챔버(100), 기판 지지 유닛(200), 가스 공급 유닛(300), 플라즈마 소스(400), 배기 유닛(500) 그리고 배플 유닛(600)을 포함한다.
챔버(100)은 내부에 기판(W)이 처리되는 처리 공간(101)을 제공한다. 챔버(100)는 원형의 통 형상으로 제공된다. 챔버(100)의 일측벽에는 개구가 형성된다. 개구(106)는 기판(W)이 반출입되는 입구로 기능한다. 챔버(100)의 외측면에는 도어(108)가 제공된다. 도어(108)는 개구(106)를 개폐한다. 하우징(100)은 금속 재질로 제공된다. 예컨대, 챔버(100)는 알루미늄 재질로 제공될 수 있다. 챔버(100)의 바닥면에는 배기홀(150)이 형성된다.
기판 지지 유닛(200)은 처리 공간(101)에서 기판(W)을 지지한다. 기판 지지 유닛(200)은 정전기력을 이용하여 기판(W)을 지지하는 정전척(200)으로 제공될 수 있다. 선택적으로 기판 지지 유닛(200)은 기계적 클램핑과 같은 다양한 방식으로 기판(W)을 지지할 수 있다.
정전척(200)은 지지판(210), 포커스링(250), 그리고 베이스(230)를 포함한다. 지지판(210)은 유전체 재질을 포함하는 유전판(210)으로 제공된다. 유전판(210)의 상면에는 기판(W)이 직접 놓인다. 유전판(210)은 원판 형상으로 제공된다. 유전판(210)은 기판(W)보다 작은 반경을 가질 수 있다. 유전판(210)의 내부에는 내부 전극(212)이 설치된다. 내부 전극(212)에는 전원(미도시)이 연결되고, 전원(미도시)으로부터 전력을 인가받는다. 내부 전극(212)은 인가된 전력(미도시)으로부터 기판(W)이 유전판(210)에 흡착되도록 정전기력을 제공한다. 유전판(210)의 내부에는 기판(W)을 가열하는 히터(214)가 설치된다. 히터(214)는 내부 전극(212)의 아래에 위치될 수 있다. 히터(214)는 나선 형상의 코일로 제공될 수 있다. 예컨대, 유전판(210)은 세라믹 재질로 제공될 수 있다.
베이스(230)는 유전판(210)을 지지한다. 베이스(230)는 유전판(210)의 아래에 위치되며, 유전판(210)과 고정결합된다. 베이스(230)의 상면은 그 중앙영역이 가장자리영역에 비해 높도록 단차진 형상을 가진다. 베이스(230)는 그 상면의 중앙영역이 유전판(210)의 저면에 대응하는 면적을 가진다. 베이스(230)의 내부에는 냉각유로(232)가 형성된다. 냉각유로(232)는 냉각유체가 순환하는 통로로 제공된다. 냉각유로(232)는 베이스(230)의 내부에서 나선 형상으로 제공될 수 있다. 베이스에는 외부에 위치된 고주파 전원(234)과 연결된다. 고주파 전원(234)은 베이스(230)에 전력을 인가한다. 베이스(230)에 인가된 전력은 챔버(100) 내에 발생된 플라즈마가 베이스(230)를 향해 이동되도록 안내한다. 베이스(230)는 금속 재질로 제공될 수 있다.
포커스링(250)은 플라즈마를 기판(W)으로 집중시킨다. 포커스링(250)은 내측링(252) 및 외측링(254)을 포함한다. 내측링(252)은 유전판(210)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 내측링(252)을 베이스(230)의 가장자리영역에 위치된다. 내측링(252)의 상면은 유전판(210)의 상면과 동일한 높이를 가지도록 제공된다. 내측링(252)의 상면 내측부는 기판(W)의 저면 가장자리영역을 지지한다. 예컨대, 내측링(252)은 도전성 재질로 제공될 수 있다. 외측링(254)은 내측링(252)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 외측링(254)은 베이스(230)의 가장자리영역에서 내측링(252)과 인접하게 위치된다. 외측링(254)의 상면은 내측링(252)의 상면에 비해 그 높이가 높게 제공된다. 외측링(254)은 절연 물질로 제공될 수 있다.
가스 공급 유닛(300)은 기판 지지 유닛(200)에 지지된 기판(W) 상으로 공정 가스를 공급한다. 가스 공급 유닛(300)은 가스 저장부(350), 가스 공급 라인(330), 그리고 가스 유입 포트(310)를 포함한다. 가스 공급 라인(330)은 가스 저장부(350) 및 가스 유입 포트(310)를 연결한다. 가스 저장부(350)에 저장된 공정 가스는 가스 공급 라인(330)을 통해 가스 유입 포트(310)으로 공급한다. 가스 유입 포트(310)는 챔버(100)의 상부벽에 설치된다. 가스 유입 포트(310)는 기판 지지 유닛(200)과 대향되게 위치된다. 일 예에 의하면, 가스 유입 포트(310)는 챔버(100) 상부벽의 중심에 설치될 수 있다. 가스 공급 라인(330)에는 밸브가 설치되어 그 내부 통로를 개폐하거나, 그 내부 통로에 흐르는 가스의 유량을 조절할 수 있다. 예컨대, 공정 가스는 식각 가스일 수 있다.
플라즈마 소스(400)는 챔버(100) 내에 공정가스를 플라즈마 상태로 여기시킨다. 플라즈마 소스(400)로는 유도 결합형 플라즈마(ICP: inductively coupled plasma) 소스가 사용될 수 있다. 플라즈마 소스(400)는 안테나(410) 및 외부전원(430)을 포함한다. 안테나(410)는 챔버(100)의 외측 상부에 배치된다. 안테나(410)는 복수 회 감기는 나선 형상으로 제공되고, 외부전원(430)과 연결된다. 안테나(410)는 외부전원(430)으로부터 전력을 인가받는다. 전력이 인가된 안테나(410)는 챔버(100)의 처리 공간(101)에 방전 공간을 형성한다. 방전 공간 내에 머무르는 공정 가스는 플라즈마 상태로 여기될 수 있다.
배기 유닛(500)은 처리 공간(101)을 진공 분위기로 형성한다. 배기 유닛(500)은 배기 라인(520) 및 감압 부재(540)를 포함한다. 배기 라인(520)은 배기홀(150)에 연결되고, 감압 부재(540)는 배기 라인(520)에 설치된다. 감압 부재(540)로부터 발생된 감압력은 배기 라인(520)을 통해 처리 공간(101)으로 전달된다. 이에 따라 처리 공간(101)은 감압되어 진공 분위기를 형성할 수 있다. 배기 유닛(500)은 공정 진행 중에 발생되는 부산물 및 챔버(100) 내에 머무르는 플라즈마는 진공압에 의해 챔버(100)의 외부로 배출한다.
배플 유닛(600)은 처리 공간(101)에서 플라즈마가 영역 별로 균일하게 배기되도록 안내한다. 배플 유닛(600)은 처리 공간(101)에서 챔버(100)의 내측벽과 기판 지지 유닛(200)의 사이에 위치된다. 배플 유닛(600)은 고정 플레이트(610) 및 조절 플레이트(660)를 포함한다. 도 3은 도 2의 고정 플레이트를 보여주는 평면도이고, 도 4는 도 2의 조절 플레이트를 보여주는 평면도이며, 도 5는 도 2의 고정 플레이트 및 조절 플레이트의 종단면적을 보여주는 단면도이다. 도 6은 도 5의 고정 플레이트 및 조절 플레이트를 보여주는 평면도이다. 도 3 내지 도 6을 참조하면, 고정 플레이트(610)에는 관통홀(612)이 균등하게 위치된다. 고정 플레이트(610)는 외측링(620), 내측링(630), 그리고 중간링(640)을 포함한다. 외측링(620), 내측링(630), 그리고 중간링(640) 각각은 환형의 링 형상을 가지도록 제공된다. 외측링(620)은 챔버(100)의 내측면에 고정 결합된다. 외측링(620)은 챔버(100)의 내측면을 감싸도록 제공된다. 외측링(620)은 챔버(100)의 내측면과 대응되는 외경을 가진다. 외측링(620)은 챔버(100)의 내측면에 접촉되게 위치된다. 내측링(630)은 기판 지지 유닛(200)에 고정 결합된다. 내측링(630)은 외측링(620)의 내측에 위치된다. 내측링(630)은 외측링(620)과 동일한 높이에 위치된다. 내측링(630)은 외측링(620)에 비해 작은 직경을 가진다. 내측링(630)은 기판 지지 유닛(200)을 감싸도록 제공된다. 내측링(630)은 베이스에 접촉되게 위치된다. 내측링(630) 및 외측링(620) 각각에는 조절 플레이트(660)가 결합 가능한 나사홀들(미도시)이 형성된다.
중간링(640)은 환형의 링 형상을 가지는 판으로 제공된다. 중간링(640)은 외측링(620)과 내측링(630) 사이에 위치된다. 중간링(640)에는 상단으로부터 하단까지 연장되는 복수의 관통홀(612)들이 형성된다. 관통홀(612)들은 수직한 상하 방향을 향하도록 제공된다. 관통홀(612)들은 중간링(640)의 전체 영역에 균일하게 배열된다. 각각의 관통홀(612)은 기판 지지 유닛(200)의 반경 방향을 향하는 슬릿으로 제공될 수 있다. 각각의 관통홀(612)은 중간링(640)의 원주 방향을 따라 배열될 수 있다. 일 예에 의하면, 관통홀(612)은 내부홀(614) 및 외부홀(616)을 포함한다. 내부홀(614)은 복수 개로 제공되며, 기판 지지 유닛(200)에 가깝게 위치된다. 내부홀(614)들은 원주 방향을 따라 배열된다. 외부홀(616)은 복수 개로 제공되며, 내부홀(614)에 비해 챔버(100)의 내측면에 가깝게 위치된다. 외부홀(616)들은 원주 방향을 따라 배열된다. 내부홀(614) 및 외부홀(616)은 동일한 폭(D1) 및 깊이를 가질 수 있다.
조절 플레이트(660)는 고정 플레이트(610)에 적층되게 위치된다. 조절 플레이트(660)는 일부 관통홀(612)로 배기되는 가스의 흐름을 간섭한다. 조절 플레이트(660)는 처리 공간(101)에서 가스의 흐름이 쏠리는 영역에서 가스의 흐름을 간섭한다. 조절 플레이트(660)는 기판 지지 유닛(200)의 일부를 감싸도록 제공된다. 조절 플레이트(660)는 호 형상을 가지도록 제공된다. 조절 플레이트(660)는 고정 플레이트(610) 보다 높게 위치된다. 조절 플레이트(660)는 외측링(620) 및 내측링(630)에 형성된 나사홀(미도시)에 나사 결합될 수 있다. 상부에서 바라볼 때 조절 플레이트(660)는 처리 공간(101)의 비대칭 영역에 인접하게 위치될 수 있다. 일 예에 의하면, 처리 공간(101)의 비대칭 영역은 챔버(100)의 일측벽에 형성되는 개구일 수 있다. 조절 플레이트(660)는 챔버(100)의 개구와 인접하게 위치될 수 있다. 즉 상부에서 바라볼 때 조절 플레이트(660)는 기판 지지 유닛(200)의 중심으로부터 챔버(100)의 개구(106)를 잇는 직선 상에 위치될 수 있다.
조절 플레이트(660)에는 내측홀(670) 및 외측홀(680)이 각각 형성된다. 내측홀(670)은 조절 플레이트(660)에서 내측 영역에 위치되고, 외측홀(680)은 외측 영역에 위치된다. 내측홀(670) 및 외측홀(680)은 서로 상이한 형상으로 제공된다. 내측홀(670) 및 외측홀(680) 각각은 라운드진 슬릿으로 제공된다. 내측홀(670)은 내측폭(D2)을 가지고, 외측홀(680)은 외측폭(D3)을 가지도록 제공된다. 내측폭(D2) 및 외측폭(D3)은 서로 상이하게 제공된다. 일 예에 의하면, 내측폭(D2)은 외측폭(D3)에 비해 큰 폭을 가질 수 있다. 내측폭(D2)은 관통홀(612)의 폭(D1)과 대응되게 제공될 수 있다. 이와 달리 외측폭(D3)은 관통홀(612)의 폭(D1)보다 짧게 제공될 수 있다. 외측홀(680)은 복수 개로 제공되며, 각각은 기판 지지 유닛(200)의 방향을 따라 배열될 수 있다. 외측홀(680)은 3 개일 수 있다. 선택적으로, 외측홀(680)은 1 개 또는 2 개이거나, 4 개 이상일 수 있다.
내측홀(670) 및 외측홀(680) 각각은 경사진 방향을 향하도록 제공된다. 내측홀(670) 및 외측홀(680) 각각은 조절 플레이트(660)의 상단에서 하단으로 갈수록 하향 경사진 방향을 향하도록 제공될 수 있다. 이에 따라 플라즈마는 처리 공간(101)의 외측에서 내측을 향하는 방향으로 배기될 수 있으며, 이는 처리 공간(101)에서 플라즈마의 잔류 시간을 늘릴 수 있다.
상술한 실시예에는 조절 플레이트(660)가 고정 플레이트(610)보다 높게 위치되는 것으로 설명하였다. 그러나 도 7과 같이, 조절 플레이트(660)는 고정 플레이트(610)보다 낮게 위치될 수 있다.
또한 도 8과 같이, 조절 플레이트(660)는 복수 개로 제공되며, 처리 공간(101)의 비대칭 영역들 각각에 인접하게 위치될 수 있다.
또한 외측홀들(680)은 서로 상이한 폭을 가질 수 있다. 조절 플레이트(660)에서 외측에 가깝게 위치되는 외측홀(680)일수록 작은 폭을 가질 수 있다.
600: 배플 유닛 610: 고정 플레이트
612: 관통홀 620: 외측링
630: 내측링 640: 중간링
660: 조절 플레이트 670: 내측홀
680: 외측홀

Claims (9)

  1. 내부에 처리 공간을 가지며, 일측벽에 개구가 형성되는 챔버와;
    상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛과;
    상기 처리 공간에 공정 가스를 공급하는 가스 공급 유닛과;
    상기 처리 공간을 배기하는 배기 유닛과;
    상기 챔버의 내측면과 상기 기판 지지 유닛 사이에 위치되며, 상기 처리 공간에서 공정 가스가 영역 별로 균일하게 배기되도록 안내하는 배플 유닛을 포함하되,
    상기 배플 유닛은,
    상기 기판 지지 유닛을 감싸는 링 형상으로 제공되며, 공정 가스가 배기되는 복수의 관통홀들이 형성되는 고정 플레이트와;
    상기 고정 플레이트에 적층되게 위치되며, 상기 관통홀들 중 일부에 배기되는 공정 가스의 흐름을 간섭하는 조절 플레이트를 포함하되,
    상기 조절 플레이트는 상기 개구와 인접하게 위치되는 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 장치는
    상기 챔버의 외측에서 상기 개구를 개폐하는 도어를 더 포함하되,
    상부에서 바라볼 때 상기 조절 플레이트는 상기 기판 지지 유닛의 중심으로부터 상기 개구를 잇는 직선 상에 위치되는 기판 처리 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 조절 플레이트는 상기 기판 지지 유닛의 일부를 감싸는 호 형상으로 제공되는 기판 처리 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 조절 플레이트는 상기 고정 플레이트보다 높게 위치되는 기판 처리 장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 고정 플레이트는,
    상기 기판 지지 유닛의 외측면에 결합되는 내측링과;
    상기 내측링보다 큰 직경을 가지며, 상기 챔버의 내측면에 결합되는 외측링과;
    상기 내측링 및 상기 외측링에 고정 결합되며, 상기 관통홀들이 형성되는 중간링을 포함하되,
    상기 내측링 및 상기 외측링 각각에는 상기 조절 플레이트가 결합 가능한 나사홀들이 원주 방향을 따라 배열되는 기판 처리 장치.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 고정 플레이트에는 상기 관통홀들이 균등하게 위치되고,
    상기 조절 플레이트에는 내측홀 및 이와 상이한 외측홀이 각각 형성되는 기판 처리 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 내측홀 및 상기 외측홀 각각은 서로 상이한 폭을 가지는 기판 처리 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 내측홀은 상기 외측홀에 비해 큰 폭을 가지는 기판 처리 장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 내측홀 및 상기 외측홀 각각은 슬릿으로 제공되는 기판 처리 장치.





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