KR102398673B1 - 기판 처리 장치 - Google Patents

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KR102398673B1
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세메스 주식회사
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Abstract

본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 기판 처리 장치는 내부에 처리 공간을 가지는 챔버, 상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 지지판을 가지는 기판 지지 유닛, 상기 처리 공간에 공정 가스를 공급하는 공정 가스 공급 유닛, 상기 처리 공간의 분위기를 배기하는 배기 유닛, 상기 지지판에 지지된 기판과 상기 지지판의 사이 공간으로 처리 가스를 공급하는 처리 가스 공급 라인, 그리고 상기 사이 공간으로 공급된 처리 가스를 배출하며, 상기 처리 가스 공급 라인과 상기 배기 유닛을 연결하는 덤프 라인을 포함하되, 상기 배기 유닛은 상기 챔버에 연결되는 메인 배기 라인, 상기 메인 배기 라인의 개폐 지점에 설치된 개폐 밸브, 상기 메인 배기 라인을 감압하는 메인 감압 부재, 상기 메인 배기 라인에서 상기 개폐 지점의 상류인 상류 지점과 상기 감압 부재를 연결하는 제1배기 라인, 상기 제1배기 라인을 감압하는 보조 감압 부재, 그리고 상기 제1배기 라인에서 분기되며 상기 개폐 지점의 하류인 하류 지점과 연결되는 제2배기 라인을 포함하며, 상기 덤프 라인은 상기 처리 가스 공급 라인 및 상기 제1배기 라인을 직접 연결한다. 처리 가스를 보다 신속하게 배기할 수 있으며, 이를 통해 기판의 언로딩을 보다 신속하게 수행할 수 있다.

Description

기판 처리 장치{Apparatus for treating substrate}
본 발명은 기판을 처리하는 장치에 관한 것이다.
반도체 소자를 제조하는 공정에 있어서 사진, 식각, 박막 증착, 이온주입, 그리고 세정 등 다양한 공정들이 수행된다. 이러한 공정들 중 식각, 박막 증착, 그리고 세정 공정에는 플라즈마를 이용한 기판 처리 장치가 사용된다.
일반적으로 플라즈마 처리 공정은 챔버 내에 공정 가스를 공급하고, 그 공정 가스로부터 발생된 플라즈마를 이용하여 기판을 처리한다. 도 1과 같이, 챔버의 내부 분위기는 배기 라인(2)에 의해 감압 분위기로 유지되고, 기판(W)은 지지판(4)에 의해 지지된다. 지지판(4)과 기판(W)의 사이 공간에는 처리 가스가 공급되어 기판의 영역 별 온도를 균일하게 유지한다.
기판(W)의 처리 공정이 완료되면, 기판(W)을 지지판(4)으로부터 언로딩하기 위해 사이 공간에 제공된 처리 가스를 배출한다. 이때 사이 공간의 처리 가스는 덤프 라인(6)을 통해 배기 라인으로 배출된다.
그러나 배기 라인(2)은 챔버의 내부 분위기를 일정하게 감압한다. 이러한 배기력은 배기 라인(2)에 설치된 개폐 밸브(8)의 개폐율에 의해 결정된다. 이로 인해 사이 공간의 처리 가스를 모두 배출하기 위해서는 다소 오랜 시간이 소요된다.
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본 발명은 기판의 언로딩을 보다 신속하게 수행할 수 있는 장치를 제공하고자 한다.
또한 본 발명은 기판과 지지판의 사이 공간에 제공된 처리 가스를 보다 신속하게 배출할 수 있는 장치를 제공하고자 한다.
본 발명의 실시예는 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 기판 처리 장치는 내부에 처리 공간을 가지는 챔버, 상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 지지판을 가지는 기판 지지 유닛, 상기 처리 공간에 공정 가스를 공급하는 공정 가스 공급 유닛, 상기 처리 공간의 분위기를 배기하는 배기 유닛, 상기 지지판에 지지된 기판과 상기 지지판의 사이 공간으로 처리 가스를 공급하는 처리 가스 공급 라인, 그리고 상기 사이 공간으로 공급된 처리 가스를 배출하며, 상기 처리 가스 공급 라인과 상기 배기 유닛을 연결하는 덤프 라인을 포함하되, 상기 배기 유닛은 상기 챔버에 연결되는 메인 배기 라인, 상기 메인 배기 라인의 개폐 지점에 설치된 개폐 밸브, 상기 메인 배기 라인을 감압하는 메인 감압 부재, 상기 메인 배기 라인에서 상기 개폐 지점의 상류인 상류 지점과 상기 감압 부재를 연결하는 제1배기 라인, 상기 제1배기 라인을 감압하는 보조 감압 부재, 그리고 상기 제1배기 라인에서 분기되며 상기 개폐 지점의 하류인 하류 지점과 연결되는 제2배기 라인을 포함하며, 상기 덤프 라인은 상기 처리 가스 공급 라인 및 상기 제1배기 라인을 직접 연결한다.
상기 기판 처리 장치는 상기 처리 공간에 공급된 공정 가스로부터 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 소스를 더 포함하되, 상기 기판 지지 유닛은 정전척이고,상기 처리 가스를 헬륨 가스를 포함할 수 있다.
또한 기판 처리 장치는 내부에 처리 공간을 가지는 챔버, 상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 지지판을 가지는 기판 지지 유닛, 상기 처리 공간에 공정 가스를 공급하는 공정 가스 공급 유닛, 상기 처리 공간을 배기하는 배기 유닛, 그리고 상기 지지판에 지지된 기판과 상기 지지판의 사이 공간으로 처리 가스를 공급 또는 배출하는 처리 가스 공급 유닛을 포함하되, 상기 배기 유닛 상기 처리 공간의 분위기가 배기되도록 상기 챔버에 연결되는 메인 배기 부재 및 상기 분위기 및 상기 사이 공간에 제공된 처리 가스이 배기되도록 상기 메인 배기 부재 및 상기 처리 가스 공급 유닛이 각각 연결되는 보조 배기 부재를 포함한다.
상기 처리 가스 공급 유닛은 상기 사이 공간에 처리 가스를 공급하는 처리 가스 공급 라인 및 상기 처리 가스 공급 라인 및 상기 보조 배기 부재를 연결하는 덤프 라인을 포함할 수 있다. 상기 메인 배기 부재는 내부에 메인 배기 통로가 형성되며, 상기 챔버에 연결되는 메인 배기 라인, 상기 메인 배기 통로를 개폐 가능한 개폐 밸브, 그리고 상기 메인 배기 통로를 감압하는 메인 감압 부재를 포함하고, 상기 보조 배기 부재는 상기 개폐 밸브를 우회하도록 상기 메인 배기 라인에 연결되며, 보조 배기 통로가 형성되는 보조 배기 라인 및 상기 보조 배기 통로를 감압하는 보조 감압 부재를 포함하되, 상기 덤프 라인은 상기 처리 가스 공급 라인 및 상기 보조 배기 라인을 서로 연결할 수 있다. 상기 덤프 라인과 상기 보조 배기 라인이 서로 연결되는 지점은 상기 보조 배기 라인에서 상기 보조 감압 부재와 상기 메인 배기 라인 사이에 위치될 수 있다.
본 발명의 실시예에 의하면, 기판과 지지판의 사이 공간에 제공된 처리 가스는 덤프 라인을 통해 보조 감압 부재에 연결된다. 이에 따라 처리 가스를 보다 신속하게 배기할 수 있으며, 이를 통해 기판의 언로딩을 보다 신속하게 수행할 수 있다.
도 1은 일반적인 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다.
도 3은 도 2의 지지판의 일부를 보여주는 단면도이다.
도 4는 도 2의 배플을 보여주는 평면도이다.
도 5는 도 2의 배기 유닛을 보여주는 단면도이다.
본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 서술하는 실시예로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어서는 안된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 구성 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장된 것이다.
본 실시예에서는 챔버 내에서 플라즈마를 이용하여 기판을 식각 처리하는 기판 처리 장치를 일 예로 설명한다. 그러나 본 발명은 이에 한정되지 않고, 플라즈마를 이용하여 기판을 처리하는 장치라면 다양한 공정에 적용 가능하다.
이하, 도 2 내지 도 5를 참조하여 본 발명을 설명한다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 기판처리장치를 보여주는 단면도이다. 도 2를 참조하면, 기판 처리 장치(10)는 챔버(100), 기판 지지 유닛(200), 공정 가스 공급 유닛(300), 플라즈마 소스(400), 배플(500), 배기 유닛(600), 그리고 처리 가스 공급 유닛(700)을 포함한다.
챔버(100)은 내부에 기판(W)이 처리되는 처리 공간을 제공한다. 챔버(100)는 원형의 통 형상으로 제공된다. 하우징(100)은 금속 재질로 제공된다. 예컨대, 챔버(100)는 알루미늄 재질로 제공될 수 있다. 챔버(100)의 바닥면에는 배기홀(150)이 형성된다.
기판 지지 유닛(200)은 처리 공간에서 기판(W)을 지지한다. 기판 지지 유닛(200)은 정전기력을 이용하여 기판(W)을 지지하는 정전척(200)으로 제공될 수 있다. 선택적으로 기판 지지 유닛(200)은 기계적 클램핑과 같은 다양한 방식으로 기판(W)을 지지할 수 있다.
정전척(200)은 지지판(210), 포커스링(250), 그리고 베이스(230)를 포함한다. 지지판(210)은 유전체 재질을 포함하는 유전판(210)으로 제공된다. 유전판(210)의 상면에는 기판(W)이 직접 놓인다. 유전판(210)은 원판 형상으로 제공된다. 유전판(210)은 기판(W)보다 작은 반경을 가질 수 있다. 유전판(210)의 내부에는 내부 전극(212)이 설치된다. 내부 전극(212)에는 전원(미도시)이 연결되고, 전원(미도시)으로부터 전력을 인가받는다. 내부 전극(212)은 인가된 전력(미도시)으로부터 기판(W)이 유전판(210)에 흡착되도록 정전기력을 제공한다. 유전판(210)의 내부에는 기판(W)을 가열하는 히터(214)가 설치된다. 히터(214)는 내부 전극(212)의 아래에 위치될 수 있다. 히터(214)는 나선 형상의 코일로 제공될 수 있다. 예컨대, 유전판(210)은 세라믹 재질로 제공될 수 있다.
도 3은 도 2의 지지판의 일부를 보여주는 단면도이다. 도 3을 참조하면, 유전판(210)의 상면에는 복수의 홈들(222a,224a)이 형성된다. 따라서 홈들(222a,224a)에 의해 유전판(210)과 이에 안착되는 기판(W) 간에는 사이 공간이 형성된다. 각각의 홈(222a,224a)에는 토출홀(222b,224b)이 통하도록 형성된다. 일 예에 의하면, 홈(222a,224a)과 토출홀(222b,224b)은 일대일 대응되게 위치될 수 있다. 선택적으로, 하나의 홈(222a)에는 복수의 토출홀들(222b)이 형성될 수 있다. 유전판(210)의 내부에는 토출홀(222b,224b)과 연통되는 중앙 유로(222b) 및 가장자리 유로(224b)가 형성된다. 중앙 유로(222b)는 유전판(210)의 중앙 영역에 대응되게 위치되는 토출홀들(222a, 이하 중앙 토출홀)과 연통되게 형성된다. 가장자리 유로(224b)는 유전판(210)의 가장자리 영역에 대응되게 위치되는 토출홀들(224a, 이하 가장자리 토출홀)과 연통되게 형성된다. 중앙 유로(222b) 및 가장자리 유로(222a)는 서로 독립된 유로로 제공된다.
다시 도 2를 참조하면, 베이스(230)는 유전판(210)을 지지한다. 베이스(230)는 유전판(210)의 아래에 위치되며, 유전판(210)과 고정결합된다. 베이스(230)의 상면은 그 중앙영역이 가장자리영역에 비해 높도록 단차진 형상을 가진다. 베이스(230)는 그 상면의 중앙영역이 유전판(210)의 저면에 대응하는 면적을 가진다. 베이스(230)의 내부에는 냉각유로(232)가 형성된다. 냉각유로(232)는 냉각유체가 순환하는 통로로 제공된다. 냉각유로(232)는 베이스(230)의 내부에서 나선 형상으로 제공될 수 있다. 베이스에는 외부에 위치된 고주파 전원(234)과 연결된다. 고주파 전원(234)은 베이스(230)에 전력을 인가한다. 베이스(230)에 인가된 전력은 챔버(100) 내에 발생된 플라즈마가 베이스(230)를 향해 이동되도록 안내한다. 베이스(230)는 금속 재질로 제공될 수 있다.
포커스링(250)은 플라즈마를 기판(W)으로 집중시킨다. 포커스링(250)은 내측링(252) 및 외측링(254)을 포함한다. 내측링(252)은 유전판(210)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 내측링(252)을 베이스(230)의 가장자리영역에 위치된다. 내측링(252)의 상면은 유전판(210)의 상면과 동일한 높이를 가지도록 제공된다. 내측링(252)의 상면 내측부는 기판(W)의 저면 가장자리영역을 지지한다. 예컨대, 내측링(252)은 도전성 재질로 제공될 수 있다. 외측링(254)은 내측링(252)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 외측링(254)은 베이스(230)의 가장자리영역에서 내측링(252)과 인접하게 위치된다. 외측링(254)의 상면은 내측링(252)의 상면에 비해 그 높이가 높게 제공된다. 외측링(254)은 절연 물질로 제공될 수 있다.
공정 가스 공급 유닛(300)은 기판 지지 유닛(200)에 지지된 기판(W) 상으로 공정 가스를 공급한다. 공정 가스 공급 유닛(300)은 가스 저장부(350), 공정 가스 공급 라인(330), 그리고 가스 유입 포트(310)를 포함한다. 공정 가스 공급 라인(330)은 가스 저장부(350) 및 가스 유입 포트(310)를 연결한다. 가스 저장부(350)에 저장된 공정 가스는 공정 가스 공급 라인(330)을 통해 가스 유입 포트(310)으로 공급한다. 가스 유입 포트(310)는 챔버(100)의 상부벽에 설치된다. 가스 유입 포트(310)는 기판 지지 유닛(200)과 대향되게 위치된다. 일 예에 의하면, 가스 유입 포트(310)는 챔버(100) 상부벽의 중심에 설치될 수 있다. 가스 공급 라인(330)에는 밸브가 설치되어 그 내부 통로를 개폐하거나, 그 내부 통로에 흐르는 가스의 유량을 조절할 수 있다. 예컨대, 공정 가스는 식각 가스일 수 있다.
플라즈마 소스(400)는 챔버(100) 내에 공정가스를 플라즈마 상태로 여기시킨다. 플라즈마 소스(400)로는 유도 결합형 플라즈마(ICP: inductively coupled plasma) 소스가 사용될 수 있다. 플라즈마 소스(400)는 안테나(410) 및 외부전원(430)을 포함한다. 안테나(410)는 챔버(100)의 외측 상부에 배치된다. 안테나(410)는 복수 회 감기는 나선 형상으로 제공되고, 외부전원(430)과 연결된다. 안테나(410)는 외부전원(430)으로부터 전력을 인가받는다. 전력이 인가된 안테나(410)는 챔버(100)의 처리 공간에 방전 공간을 형성한다. 방전 공간 내에 머무르는 공정 가스는 플라즈마 상태로 여기될 수 있다.
배플(500)은 처리 공간에서 플라즈마를 영역 별로 균일하게 배기시킨다. 도 4는 도 2의 배플을 보여주는 평면도이다. 도 4를 참조하면, 배플(500)은 처리공간에서 챔버(100)의 내측벽과 기판 지지 유닛(400)의 사이에 위치된다. 배플(500)은 환형의 링 형상으로 제공된다. 배플(500)에는 복수의 관통홀들(502)이 형성된다. 관통홀들(502)은 상하방향을 향하도록 제공된다. 관통홀들(502)은 배플(500)의 원주방향을 따라 배열된다. 관통홀들(502)은 슬릿 형상을 가지며, 배플(500)의 반경방향을 향하는 길이 방향을 가진다.
배기 유닛(600)은 처리 공간의 분위기를 배기한다. 배기 유닛(600)은 공정 진행 중에 발생되는 부산물 및 챔버(100) 내에 머무르는 플라즈마는 진공압에 의해 챔버(100)의 외부로 배출한다. 도 5는 도 2의 배기 유닛을 보여주는 단면도이다. 도 5를 참조하면, 배기 유닛(600)은 메인 배기 부재(620) 및 보조 배기 부재(640)를 포함한다.
메인 배기 부재(620)는 메인 배기 라인(622), 개폐 밸브(624), 그리고 메인 감압 부재(626)를 포함한다. 메인 배기 라인(622)은 챔버(100)의 배기홀(150)이 연결된다. 메인 배기 라인(621)의 내부에는 메인 배기 통로가 형성된다. 처리 공간의 분위기는 메인 배기 통로를 통해 외부로 배기된다. 예컨대, 메인 배기 라인(622)은 챔버(100)로부터 아래로 연장될 수 있다. 개폐 밸브(624)는 메인 배기 통로를 개폐한다. 개폐 밸브(624)는 메인 배기 라인(622)의 개폐 지점에 위치된다. 개폐 밸브(624)는 메인 배기 라인(622)에 비해 큰 직경을 가지는 판 형상으로 제공된다. 개폐 밸브(624)는 메인 배기 라인(622)의 길이 방향과 평행한 방향의 축을 중심으로 회전 가능하다. 메인 배기 통로의 개구률은 개폐 밸브(624)의 축 이동에 의해 변화되고, 이에 따라 메인 배기 부재(620)의 배기력은 변화된다. 메인 감압 부재(626)는 메인 배기 라인(622)에 설치된다. 메인 감압 부재(626)는 메인 배기 라인(622)에서 개폐 지점보다 하류에 위치된다. 메인 감압 부재(626)는 메인 배기 통로를 통해 처리 공간을 감압한다. 이에 따라 처리 공간의 분위기는 메인 배기 통로를 통해 배기된 수 있다.
보조 배기 부재(630)는 메인 배기 부재(620)의 배기력을 보조한다. 보조 배기 부재(630)는 보조 배기 라인(640) 및 보조 감압 부재(632)를 포함한다. 보조 배기 라인(640)은 내부에 메인 배기 통로와 연통되는 보조 배기 통로가 형성된다. 보조 배기 라인(640)은 개폐 밸브(6240)를 우회하도록 메인 배기 라인(620)에 연결된다. 보조 배기 라인(640)은 제1배기 라인(642) 및 제2배기 라인(644)을 가진다.
제1배기 라인(642)은 메인 배기 라인(622)에 연결된다. 제1배기 라인(642)은 메인 배기 라인(642)의 상류 지점에 연결된다. 여기서 상류 지점은 메인 배기 라인(642)에서 개폐 지점의 상류에 해당되는 영역으로 정의한다. 제2배기 라인(644)은 메인 배기 라인(622)에 연결된다. 제2배기 라인(644)은 제1배기 라인(642)으로부터 분기되어 메인 배기 라인(622)에 연결된다. 제2배기 라인(644)은 메인 배기 라인(622)의 하류 지점에 연결된다. 여기서 하류 지점은 메인 배기 라인(622)에서 개폐 지점과 메인 감압 부재(626)의 사이에 위치되는 영역으로 정의한다. 보조 감압 부재(632)는 제1배기 라인(642)에 설치되며, 제2배기 라인(644)이 분기되는 지점보다 하류에 위치된다. 이에 따라 보조 감압 부재(632)로부터 제공되는 음압은 제1배기 라인(642) 및 제2배기 라인(644) 각각에 제공될 수 있다.
처리 가스 공급 유닛(700)은 지지판(210)에 형성된 홈들(222a,224a, 이하 사이 공간)으로 처리 가스를 공급 또는 배출한다. 사이 공간(222a,224a)에 공급되는 처리 가스는 기판(W)의 영역 별 온도를 균일하게 조절할 수 있다. 처리 가스 공급 유닛(700)은 처리 가스 공급 라인(720) 및 덤프 라인(740)을 포함한다. 처리 가스 공급 라인(720)은 그 사이 공간(222a,224a)에 처리 가스를 공급한다. 처리 가스 공급 라인(720)은 중앙 공급 라인(722) 및 가장자리 공급 라인(724)을 포함한다. 중앙 공급 라인(722)은 중앙 유로(222b)에 처리 가스를 공급하고, 가장자리 공급 라인(724)은 가장자리 유로(224b)에 처리 가스를 공급한다. 가장자리 공급 라인(724)은 중앙 공급 라인(722)으로부터 분기되는 라인으로 제공될 수 있다. 일 예에 의하면, 중앙 공급 라인(722)을 통해 공급되는 처리 가스의 유량과 가장자리 공급 라인(724)을 통해 공급되는 처리 가스의 유량을 서로 상이하게 제공될 수 있다. 덤프 라인(740)은 사이 공간(222a,224a)에 제공된 처리 가스를 배출한다. 덤프 라인(740)은 중앙 공급 라인(722) 및 가장자리 공급 라인(724) 각각을 제1배기 라인(642)에 연결한다. 덤프 라인(740)은 제1배출 라인(742) 및 제2배출 라인(744)을 포함한다. 제1배출 라인(742)은 중앙 유로(222b)에 대응되는 사이 공간(222a)의 처리 가스를 배출한다. 제1배출 라인(742)은 중앙 공급 라인(722) 및 제1배기 라인(642)에 직접 연결된다. 제1배출 라인(742)은 보조 감압 부재(632)로부터 전달되는 음압을 중앙 유로(222a)에 제공하여 그 처리 가스를 배출한다. 제2배출 라인(744)은 가장자리 유로(224b)에 대응되는 사이 공간(224a)의 처리 가스를 배출한다. 제2배출 라인(744)은 가장자리 공급 라인(724) 및 제1배기 라인(642)에 직접 연결된다. 제2배출 라인(744)은 보조 감압 부재(632)로부터 전달되는 음압을 가장자리 유로(224b)에 제공하여 그 처리 가스를 배출한다. 예컨대, 처리 가스는 비활성 가스일 수 있다. 처리 가스는 기판(W)을 히터(214)보다 낮은 온도로 냉각시키는 냉각 가스일 수 있다. 처리 가스는 헬륨 가스 또는 질소 가스일 수 있다.
다음은 상술한 기판 처리 장치(10)를 이용하여 기판을 처리하는 방법을 설명한다. 지지판(210)에 기판(W)이 로딩되면, 히터(210)에 의해 기판(W)은 기설정 온도로 가열되고 처리 공간에는 플라즈마가 형성된다. 기판(W)과 지지판(210)의 사이 공간(222a,224a)에는 처리 가스가 공급되어 기판(W)의 영역 별 온도를 균일하게 분배시킨다. 기판 처리 공정이 완료되면, 처리 가스 공급 라인(720)을 차단하고, 덤프 라인(740)을 개방한다. 중앙 유로(222b) 및 가장자리 유로(224b) 각각에는 덤프 라인(740)을 통해 보조 감압 부재(632)로부터 전달되는 음압이 제공된다. 이에 따라 기판(W)과 지지판(210)의 사이 공간(222a,224a)에 잔류하는 처리 가스는 덤프 라인(740) 및 제1배기 라인(642)을 통해 배출된다. 그 사이 공간(222a,224a)에 잔류된 처리 가스가 모두 배출되면, 기판(W)은 지지판(210)으로부터 언로딩된다.
600: 배기 유닛 620: 메인 배기 부재
640: 보조 배기 부재 642: 제1배기 라인
644: 제2배기 라인 720: 처리 가스 공급 라인
740: 덤프 라인

Claims (9)

  1. 내부에 처리 공간을 가지는 챔버와;
    상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 지지판을 가지는 기판 지지 유닛과;
    상기 처리 공간에 공정 가스를 공급하는 공정 가스 공급 유닛과;
    상기 처리 공간의 분위기를 배기하는 배기 유닛과;
    상기 지지판에 지지된 기판과 상기 지지판의 사이 공간으로 처리 가스를 공급하는 처리 가스 공급 라인과;
    상기 사이 공간으로 공급된 처리 가스를 배출하며, 상기 처리 가스 공급 라인과 상기 배기 유닛을 연결하는 덤프 라인을 포함하되,
    상기 배기 유닛은,
    상기 챔버에 연결되는 메인 배기 라인과;
    상기 메인 배기 라인의 개폐 지점에 설치된 개폐 밸브와;
    상기 메인 배기 라인을 감압하는 메인 감압 부재와;
    상기 덤프 라인과 상기 개폐 지점의 하류인 하류 지점을 연결하는 보조 배기 라인을 포함하는 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 기판 처리 장치는,
    상기 처리 공간에 공급된 공정 가스로부터 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 소스를 더 포함하되,
    상기 기판 지지 유닛은 정전척이고,
    상기 처리 가스는 헬륨 가스를 포함하는 기판 처리 장치.
  3. 내부에 처리 공간을 가지는 챔버와;
    상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 지지판을 가지는 기판 지지 유닛과;
    상기 처리 공간에 공정 가스를 공급하는 공정 가스 공급 유닛과;
    상기 처리 공간을 배기하는 배기 유닛과;
    상기 지지판에 지지된 기판과 상기 지지판의 사이 공간으로 처리 가스를 공급 또는 배출하는 처리 가스 공급 유닛을 포함하되,
    상기 배기 유닛은
    상기 처리 공간의 분위기가 배기되도록 상기 챔버에 연결되는 메인 배기 부재와;
    상기 분위기 및 상기 사이 공간에 제공된 처리 가스가 배기되도록 상기 메인 배기 부재 및 상기 처리 가스 공급 유닛이 각각 연결되는 보조 배기 부재를 포함하는 기판 처리 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 처리 가스 공급 유닛은,
    상기 사이 공간에 처리 가스를 공급하는 처리 가스 공급 라인과;
    상기 처리 가스 공급 라인 및 상기 보조 배기 부재를 연결하는 덤프 라인을 포함하는 기판 처리 장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 메인 배기 부재는,
    내부에 메인 배기 통로가 형성되며, 상기 챔버에 연결되는 메인 배기 라인과;
    상기 메인 배기 통로를 개폐 가능한 개폐 밸브와;
    상기 메인 배기 통로를 감압하는 메인 감압 부재를 포함하고,
    상기 보조 배기 부재는,
    상기 개폐 밸브를 우회하도록 상기 메인 배기 라인에 연결되며, 보조 배기 통로가 형성되는 보조 배기 라인을 포함하되;
    상기 덤프 라인은 상기 처리 가스 공급 라인 및 상기 보조 배기 라인을 서로 연결하는 기판 처리 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 덤프 라인과 상기 보조 배기 라인이 서로 연결되는 지점은 상기 보조 배기 라인에서 상기 보조 감압 부재와 상기 메인 배기 라인 사이에 위치되는 기판 처리 장치.

  7. 제5항에 있어서,
    상기 보조 배기 통로를 감압하는 보조 감압 부재를 더 포함하는 기판 처리 장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 배기 유닛은
    상기 메인 배기 라인에서 상기 개폐 지점의 상류인 상류 지점과 상기 덤프 라인을 연결하는 제1배기라인을 더 포함하고,
    상기 보조배기 라인은 상기 제1배기라인으로부터 분기되도록 제공되는 기판 처리 장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 제1배기라인을 감압하는 보조 감압 부재를 더 포함하는 기판 처리 장치.


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