KR102297372B1 - 기판 처리 장치 - Google Patents

기판 처리 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR102297372B1
KR102297372B1 KR1020160080298A KR20160080298A KR102297372B1 KR 102297372 B1 KR102297372 B1 KR 102297372B1 KR 1020160080298 A KR1020160080298 A KR 1020160080298A KR 20160080298 A KR20160080298 A KR 20160080298A KR 102297372 B1 KR102297372 B1 KR 102297372B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
opening
closing member
exhaust passage
exhaust
unit
Prior art date
Application number
KR1020160080298A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20180001320A (ko
Inventor
강정석
Original Assignee
세메스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세메스 주식회사 filed Critical 세메스 주식회사
Priority to KR1020160080298A priority Critical patent/KR102297372B1/ko
Publication of KR20180001320A publication Critical patent/KR20180001320A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102297372B1 publication Critical patent/KR102297372B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • H01L21/02274—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition in the presence of a plasma [PECVD]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
    • H01L21/02299—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment
    • H01L21/02312—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment treatment by exposure to a gas or vapour
    • H01L21/02315—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment treatment by exposure to a gas or vapour treatment by exposure to a plasma
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
    • H01L21/02318—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment
    • H01L21/02337—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment treatment by exposure to a gas or vapour
    • H01L21/0234—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment treatment by exposure to a gas or vapour treatment by exposure to a plasma
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/34—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies not provided for in groups H01L21/0405, H01L21/0445, H01L21/06, H01L21/16 and H01L21/18 with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/44—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/38 - H01L21/428
    • H01L21/447—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/38 - H01L21/428 involving the application of pressure, e.g. thermo-compression bonding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/60—Attaching or detaching leads or other conductive members, to be used for carrying current to or from the device in operation
    • H01L2021/60007—Attaching or detaching leads or other conductive members, to be used for carrying current to or from the device in operation involving a soldering or an alloying process
    • H01L2021/60022—Attaching or detaching leads or other conductive members, to be used for carrying current to or from the device in operation involving a soldering or an alloying process using bump connectors, e.g. for flip chip mounting
    • H01L2021/60097—Applying energy, e.g. for the soldering or alloying process
    • H01L2021/60172—Applying energy, e.g. for the soldering or alloying process using static pressure
    • H01L2021/60187—Isostatic pressure, e.g. degassing using vacuum or pressurised liquid

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

본 발명은 기판을 가스 처리하는 장치에 관한 것이다. 기판 처리 장치는 내부에 처리 공간을 가지는 챔버, 상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛, 상기 처리 공간에 공정 가스를 공급하는 가스 공급 유닛, 상기 처리 공간의 분위기를 배기하는 배기 유닛, 그리고 상기 챔버와 상기 배기 유닛 사이에 위치되며, 상기 배기 유닛으로부터 배기되는 배기압을 조절하는 압력 조절 유닛을 포함하되, 상기 압력 조절 유닛은 상기 챔버와 상기 배기 유닛을 연결하며, 내부에 배기 통로가 형성되는 하우징 및 상기 배기 통로의 개구율을 조절하는 제1개폐 부재를 포함하되, 상기 제1개폐 부재는 상기 배기 통로의 개방 영역이 중심축을 중심으로 커지거나 작아지는 조리개를 포함한다. 이로 인해 챔버 내에는 균일한 배기압이 제공될 수 있다.

Description

기판 처리 장치{Apparatus for treating substrate}
본 발명은 기판을 처리하는 장치에 관한 것이다.
반도체 소자를 제조하는 공정에 있어서 사진, 식각, 박막 증착, 이온주입, 그리고 세정 등 다양한 공정들이 수행된다. 이러한 공정들 중 식각, 박막 증착, 그리고 세정 공정에는 플라즈마를 이용한 기판 처리 장치가 사용된다.
일반적으로 플라즈마 처리 공정은 챔버 내에 공정 가스를 공급하고, 공급된 공정 가스를 여기시켜 기판을 처리한다. 이러한 챔버의 내부 공간은 배기 유닛에 의해 배기되어 진공 분위기를 유지한다. 이때 배기 유닛으로부터 제공되는 배기압은 챔버 내에 균일하게 제공되어야 하며, 이는 기판을 균일하게 처리하기 위한 것과 연관된다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 챔버(2)와 배기 유닛(4) 사이에는 배기압을 조절하는 압력 조절 유닛(6)이 제공되며, 압력 조절 유닛(6)은 하우징(7) 및 개폐 플레이트(8)를 포함한다. 하우징(7) 내에는 챔버(2)의 내부 분위기가 배기되는 배기 통로(9)가 형성되며, 개폐 플레이트(8)는 배기 통로(9)의 일부를 가리도록 위치되어 그 배기압을 조절한다.
그러나 배기 통로(9)의 개구율은 개폐 플레이트(8)에 의해 비대칭적으로 조절된다. 이에 따라 챔버(2) 내에는 가스의 흐름이 비대칭적인 발생되며, 이는 기판(W)을 불균일하게 처리한다.
본 발명은 기판을 균일하게 처리할 수 있는 장치를 제공하고자 한다.
또한 본 발명은 챔버 내에 가스 흐름을 균일하게 조절할 수 있는 장치를 제공하고자 한다.
본 발명의 실시예는 기판을 가스 처리하는 장치에 관한 것이다. 기판 처리 장치는 내부에 처리 공간을 가지는 챔버, 상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛, 상기 처리 공간에 공정 가스를 공급하는 가스 공급 유닛, 상기 처리 공간의 분위기를 배기하는 배기 유닛, 그리고 상기 챔버와 상기 배기 유닛 사이에 위치되며, 상기 배기 유닛으로부터 배기되는 배기압을 조절하는 압력 조절 유닛을 포함하되, 상기 압력 조절 유닛은 상기 챔버와 상기 배기 유닛을 연결하며, 내부에 배기 통로가 형성되는 하우징 및 상기 배기 통로의 개구율을 조절하는 제1개폐 부재를 포함하되, 상기 제1개폐 부재는 상기 배기 통로의 개방 영역이 중심축을 중심으로 커지거나 작아지는 조리개를 포함한다.
상기 압력 조절 유닛은 상기 배기 통로를 완전 차단 또는 완전 개방하는 제2개폐 부재를 포함하되, 상기 제2개폐 부재는 상기 배기 통로를 완전 차단하는 차단 위치와 완전 개방하는 개방 위치로 이동 가능한 개폐 플레이트를 포함할 수 있다. 상기 제1개폐 부재는 상기 제2개폐 부재보다 상기 챔버에 가깝게 위치될 수 있다. 상기 배기 유닛은 상기 챔버의 아래에 위치되며, 상기 제1개폐 부재는 상기 챔버와 상기 제2개폐 부재 사이에 위치될 수 있다. 상기 제1개폐 부재는 상기 배기 통로를 일부 개방 또는 완전 개방할 수 있다.
또한 기판 처리 장치는 내부에 처리 공간을 가지는 챔버, 상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛, 상기 처리 공간에 공정 가스를 공급하는 가스 공급 유닛, 상기 처리 공간의 분위기를 배기하는 배기 유닛, 그리고 상기 챔버와 상기 배기 유닛 사이에 위치되며, 상기 배기 유닛으로부터 배기되는 배기압을 조절하는 압력 조절 유닛을 포함하되, 상기 압력 조절 유닛은 상기 챔버와 상기 배기 유닛을 연결하며, 내부에 배기 통로가 형성되는 하우징, 상기 배기 통로를 일부 개방 또는 완전 개방하는 제1개폐 부재, 그리고 상기 배기 통로를 완전 차단 또는 완전 개방하는 제2개폐 부재를 포함한다.
상기 제1개폐 부재는 상기 배기 통로의 개구율을 중심축과 수직한 반경 방향으로 커지거나, 상기 반경 방향과 반대 방향으로 작아지도록 조절하는 조리개를 포함하고, 상기 제2개폐 부재는 상기 배기 통로를 완전 차단하는 차단 위치와 완전 개방하는 개방 위치로 이동 가능한 상기 개폐 플레이트를 포함할 수 있다. 상기 장치는 상기 압력 조절 유닛을 제어하는 제어기를 더 포함하되, 상기 배기 통로를 일부 개방하고자 하는 경우에 상기 제어기는 상기 제1개폐 부재가 상기 배기 통로를 일부 개방하고 상기 제2개폐 부재가 상기 배기 통로를 완전 개방하도록 상기 제1개폐 부재 및 상기 제2개폐 부재를 제어할 수 있다. 상기 배기 통로를 완전 차단 또는 완전 개방하고자 하는 경우에 상기 제어기는 상기 제1개폐 부재가 상기 배기 통로를 완전 개방하도록 상기 제1개폐 부재를 제어할 수 있다.
본 발명의 실시예에 의하면, 배기압을 조절하는 압력 조절 유닛은 배기 통로의 중심축을 중심으로 이와 수직한 반경 방향으로 커지는 조리개를 포함한다. 이로 인해 챔버 내부에 영역 별로 균일한 배기압이 제공될 수 있다.
도 1은 일반적인 챔버 내에서 가스의 흐름을 보여주는 단면도이다.
도 2는 도 1의 압력 조절 유닛을 보여주는 평면도이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치를 간략하게 보여주는 도면이다.
도 4는 도 3의 공정 유닛을 보여주는 단면도이다.
도 5는 도 4의 배플을 보여주는 평면도이다.
도 6은 도 3의 압력 조절 유닛을 보여주는 단면도이다.
도 7은 도 6의 제1개폐 부재를 보여주는 평면도이다.
도 8은 도 6의 압력 조절 유닛에서 배기 통로를 완전 개방한 상태를 보여주는 단면도이다.
도 9는 도 6의 압력 조절 유닛에서 배기 통로를 완전 차단한 상태를 보여주는 단면도이다.
도 10은 도 6의 압력 조절 유닛에서 배기 통로를 일부 개방한 상태를 보여주는 단면도이다.
본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 서술하는 실시예로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어서는 안된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 구성 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장된 것이다.
본 실시예에서는 챔버 내에서 플라즈마를 이용하여 기판을 식각 처리하는 기판 처리 장치를 일 예로 설명한다. 그러나 본 발명은 이에 한정되지 않고, 공정 가스를 이용하여 기판을 처리하는 장치라면 다양한 공정에 적용 가능하다.
이하, 도 3 내지 도 10을 참조하여 본 발명을 설명한다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치를 간략하게 보여주는 도면이다. 도 3을 참조하면, 기판 처리 장치는 공정 유닛(10), 배기 유닛(20), 그리고 압력 조절 유닛(30)을 포함한다. 공정 유닛(10)은 기판(W)을 플라즈마 처리한다. 배기 유닛(20)은 공정 유닛(10)의 내부를 감압한다. 공정 유닛(10)의 내부는 배기 유닛(20)에 의해 진공 분위기가 형성된다. 압력 조절 유닛(30)은 배기 유닛(20)의 감압력을 조절한다.
다음은 공정 유닛(10)에 대해 보다 상세히 설명한다. 도 4는 도 3의 공정 유닛을 보여주는 단면도이다. 도 4를 참조하면, 공정 유닛(10)은 챔버(100), 기판 지지 유닛(200), 가스 공급 유닛(300), 플라즈마 소스(400), 그리고 배플(500)을 포함한다.
챔버(100)은 내부에 기판(W)이 처리되는 처리 공간(106)을 제공한다. 챔버(100)는 원형의 통 형상으로 제공된다. 하우징(100)은 금속 재질로 제공된다. 예컨대, 챔버(100)는 알루미늄 재질로 제공될 수 있다. 챔버(100)의 바닥면에는 배기홀(150)이 형성된다. 배기홀(150)에는 배기 유닛(30)에 연결된다. 처리 공간은 배기 유닛에 의해 배기되며, 진공 분위기가 형성될 수 있다.
기판 지지 유닛(200)은 처리 공간(106)에서 기판(W)을 지지한다. 기판 지지 유닛(200)은 정전기력을 이용하여 기판(W)을 지지하는 정전척(200)으로 제공될 수 있다. 선택적으로 기판 지지 유닛(200)은 기계적 클램핑과 같은 다양한 방식으로 기판(W)을 지지할 수 있다.
정전척(200)은 지지판(210), 베이스(230), 그리고 포커스링(250)를 포함한다. 지지판(210)은 유전체 재질을 포함하는 유전판(210)으로 제공된다. 유전판(210)의 상면에는 기판(W)이 직접 놓인다. 유전판(210)은 원판 형상으로 제공된다. 유전판(210)은 기판(W)보다 작은 반경을 가질 수 있다. 유전판(210)의 내부에는 내부 전극(212)이 설치된다. 내부 전극(212)에는 전원(미도시)이 연결되고, 전원(미도시)으로부터 전력을 인가받는다. 내부 전극(212)은 인가된 전력(미도시)으로부터 기판(W)이 유전판(210)에 흡착되도록 정전기력을 제공한다. 유전판(210)의 내부에는 기판(W)을 가열하는 히터(214)가 설치된다. 히터(214)는 내부 전극(212)의 아래에 위치될 수 있다. 히터(214)는 나선 형상의 코일로 제공될 수 있다. 예컨대, 유전판(210)은 세라믹 재질로 제공될 수 있다.
베이스(230)는 유전판(210)을 지지한다. 베이스(230)는 유전판(210)의 아래에 위치되며, 유전판(210)과 고정결합된다. 베이스(230)의 상면은 그 중앙영역이 가장자리영역에 비해 높도록 단차진 형상을 가진다. 베이스(230)는 그 상면의 중앙영역이 유전판(210)의 저면에 대응하는 면적을 가진다. 베이스(230)의 내부에는 냉각 유로(232)가 형성된다. 냉각유로(232)는 냉각유체가 순환하는 통로로 제공된다. 냉각 유로(232)는 베이스(230)의 내부에서 나선 형상으로 제공될 수 있다. 베이스에는 외부에 위치된 고주파 전원(234)과 연결된다. 고주파 전원(234)은 베이스(230)에 전력을 인가한다. 베이스(230)에 인가된 전력은 챔버(100) 내에 발생된 플라즈마가 베이스(230)를 향해 이동되도록 안내한다. 베이스(230)는 금속 재질로 제공될 수 있다.
포커스링(250)은 플라즈마를 기판(W)으로 집중시킨다. 포커스링(250)은 내측링(252) 및 외측링(254)을 포함한다. 내측링(252)은 유전판(210)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 내측링(252)을 베이스(230)의 가장자리영역에 위치된다. 내측링(252)의 상면은 유전판(210)의 상면과 동일한 높이를 가지도록 제공된다. 내측링(252)의 상면 내측부는 기판(W)의 저면 가장자리영역을 지지한다. 예컨대, 내측링(252)은 도전성 재질로 제공될 수 있다. 외측링(254)은 내측링(252)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 외측링(254)은 베이스(230)의 가장자리영역에서 내측링(252)과 인접하게 위치된다. 외측링(254)은 내측링(252)에 비해 그 높은 상단을 가진다. 외측링(254)은 절연 물질로 제공될 수 있다.
가스 공급 유닛(300)은 기판 지지 유닛(200)에 지지된 기판(W) 상으로 공정 가스를 공급한다. 가스 공급 유닛(300)은 가스 저장부(350), 가스 공급 라인(330), 그리고 가스 유입 포트(310)를 포함한다. 가스 공급 라인(330)은 가스 저장부(350) 및 가스 유입 포트(310)를 연결한다. 가스 저장부(350)에 저장된 공정 가스는 가스 공급 라인(330)을 통해 가스 유입 포트(310)으로 공급한다. 가스 유입 포트(310)는 챔버(100)의 상부벽에 설치된다. 가스 유입 포트(310)는 기판 지지 유닛(200)과 대향되게 위치된다. 일 예에 의하면, 가스 유입 포트(310)는 챔버(100) 상부벽의 중심에 설치될 수 있다. 가스 공급 라인(330)에는 밸브가 설치되어 그 내부 통로를 개폐하거나, 그 내부 통로에 흐르는 가스의 유량을 조절할 수 있다. 예컨대, 공정 가스는 식각 가스일 수 있다.
플라즈마 소스(400)는 챔버(100) 내에 공정가스를 플라즈마 상태로 여기시킨다. 플라즈마 소스(400)로는 유도 결합형 플라즈마(ICP: inductively coupled plasma) 소스가 사용될 수 있다. 플라즈마 소스(400)는 안테나(410) 및 외부전원(430)을 포함한다. 안테나(410)는 챔버(100)의 외측 상부에 배치된다. 안테나(410)는 복수 회 감기는 나선 형상으로 제공되고, 외부전원(430)과 연결된다. 안테나(410)는 외부전원(430)으로부터 전력을 인가받는다. 전력이 인가된 안테나(410)는 챔버(100)의 처리 공간에 방전 공간을 형성한다. 방전 공간 내에 머무르는 공정 가스는 플라즈마 상태로 여기될 수 있다.
배플(500)은 처리 공간에서 플라즈마를 영역 별로 균일하게 배기시킨다. 도 5는 도 4의 배플을 보여주는 평면도이다. 도 5를 참조하면, 배플(500)은 처리 공간(106)에서 챔버(100)의 내측벽과 기판 지지 유닛(400)의 사이에 위치된다. 배플(500)은 환형의 링 형상으로 제공된다. 배플(500)에는 복수의 관통홀들(502)이 형성된다. 관통홀들(502)은 상하방향을 향하도록 제공된다. 관통홀들(502)은 배플(500)의 원주방향을 따라 배열된다. 관통홀들(502)은 슬릿 형상을 가지며, 배플(500)의 반경방향을 향하는 길이 방향을 가진다.
배기 유닛(30)은 처리 공간(106)의 분위기를 배기한다. 배기 유닛(30)은 처리 공간(106)을 진공 분위기로 형성할 수 있다. 공정 진행 중에 발생되는 부산물 및 챔버(100) 내에 머무르는 플라즈마는 배기 유닛(30)을 통해 외부로 배출된다. 배기 유닛(30)은 배기 라인(22) 및 감압 부재(24)를 포함한다. 배기 라인(22)은 챔버(100)의 바닥벽에 형성된 배기홀(150)에 연결된다. 감압 부재(24)는 배기 라인(22)에 설치되며, 배기 라인(22)을 감압한다.
압력 조절 유닛(30)은 감압 부재(24)로부터 제공되는 배기압을 조절한다. 도 6은 도 3의 압력 조절 유닛을 보여주는 단면도이다. 도 6을 참조하면, 압력 조절 유닛(30)은 공정 유닛과 배기 유닛(30) 사이에 위치된다. 압력 조절 유닛(30)은 하우징(610), 제1개폐 부재(630), 그리고 제2개폐 부재(650)를 포함한다. 하우징(610)은 챔버(100)와 배기 라인(22)에 각각 결합된다. 하우징(610)은 상면이 챔버에 고정 결합되고, 저면에는 배기 라인(22)이 결합된다. 하우징(610)은 내부에 중공을 가지는 통 형상을 가지도록 제공된다. 상기 중공은 배기 통로(615)로 기능한다. 배기 통로(615)는 배기홀(150)과 배기 라인(22)이 서로 연통되는 통로로 제공된다. 이에 따라 처리 공간(106)에 발생된 공정 부산물 및 플라즈마는 배기홀(150), 배기 통로(615), 그리고 배기 라인(22)을 순차적으로 통해 배출된다.
제1개폐 부재(630)는 배기 통로(615)를 완전 개방하거나, 일부를 차단한다. 제1개폐 부재(630)는 배기 통로(615)의 개구율을 중심축과 수직한 반경 방향으로 커지거나, 반경 방향과 반대 방향으로 작아지도록 조절 가능하다. 이에 따라 배기 통로(615)의 개방 영역은 제1개폐 부재(630)에 의해 중심축을 중심으로 커지거나 작아질 수 있다. 제1개폐 부재(630)는 제2개폐 부재(650)에 비해 챔버에 가깝게 위치된다. 제1개폐 부재(630)는 챔버와 제2개폐 부재(650) 사이에 위치된다.
도 7은 도 6의 제1개폐 부재를 보여주는 평면도이다. 도 7을 참조하면, 제1개폐 부재(630)는 회전링(632) 및 복수 개의 조절 날개(634)들을 포함한다. 회전링(632)은 환형의 링 형상을 가진다. 회전링(632)은 그 내부가 배기 통로(615)와 공유되도록 하우징(610)에 제공된다. 회전링(632)은 중심축을 중심으로 회전 가능하다. 회전링(632)은 구동 부재(미도시)에 의해 회전될 수 있다 조절 날개(634)들은 회전링(632)의 내측면에 위치된다. 각각의 조절 날개(634)는 회전링(632)의 원주 방향을 따라 배열된다. 조절 날개(634)들은 회전링(632)의 회전에 의해 그 위치가 조절될 수 있다. 조절 날개(634)들은 회전링(632)의 회전에 의해 서로 겹치거나 이와 반대로 이동되어 배기 통로(615)의 개구율을 조절한다. 제1개폐 부재(630)는 배기 통로(615)를 완전 개방하는 완전 개방 모드 및 일부를 개방하는 일부 개방 모드를 전환된다. 일부 개방 모드는 작업자에 의해 개구율이 조절 가능하다. 일 예에 의하면, 제1개폐 부재(630)는 조리개(630)를 포함할 수 있다.
제2개폐 부재(650)는 배기 통로(615)를 완전 개방하거나, 완전 차단한다. 제2개폐 부재(650)는 직선 이동이 가능한 개폐 플레이트(652)를 포함한다. 개폐 플레이트(652)는 배기 통로(615)의 길이 방향과 수직한 방향으로 이동 가능하다. 개폐 플레이트(652)는 모터(미도시)에 의해 이동 가능하다. 개폐 플레이트(652)는 배기 통로(615)보다 큰 직경을 가진다. 개폐 플레이트(652)는 차단 위치 또는 개방 위치로 이동된다. 여기서 차단 위치는 배기 통로(615) 전체가 개폐 플레이트(652)에 의해 가려지는 위치이고, 개방 위치는 배기 통로(615)가 개폐 플레이트(652)에 의해 가려지는 영역이 없는 위치이다. 즉 개폐 플레이트(652)가 차단 위치로 이동되면, 처리 공간(106)에는 배기압의 전달이 중지된다.
제어기(670)는 배기 통로(615)가 완전 개방, 일부 개방, 그리고 완전 차단되도록 압력 조절 유닛(30)을 제어한다. 제어기(670)는 배기 통로(615)를 완전 개방하고자 하는 경우에, 도 8과 같이 제1개폐 부재(630)를 완전 개방 모드로 전환하고, 개폐 플레이트(652)를 개방 위치로 이동시킨다. 또한 제어기(670)는 배기 통로(615)를 완전 차단하고자 하는 경우에, 도 9와 같이 제1개폐 부재(630)를 완전 개방 모드로 전환하고, 개폐 플레이트(652)를 차단 위치로 이동시킨다. 챔버(100)의 내부를 메인터넌스 하고자 하는 경우에는 배기 통로(615)를 완전 개방하거나 완전 차단할 수 있다.
이와 달리 제어기(670)는 배기 통로(615)를 일부 개방하고자 하는 경우에, 도 10과 같이 제1개폐 부재(630)를 일부 개방 모드로 전환하고, 개폐 플레이트(652)를 개방 위치로 이동시킨다. 이에 따라 배기 통로(615)의 개구율은 제1개폐 부재(630)에 의해 조절된다. 기판(W)을 플라즈마 처리하는 공정 진행 중에는 배기 통로(615)를 일부 개방할 수 있다.
10: 공정 유닛 20: 배기 유닛
30: 압력 조절 유닛 100: 챔버
200: 기판 지지 유닛 300: 가스 공급 유닛
400: 플라즈마 소스 610: 하우징
615: 배기 통로 630: 제1개폐 부재
650: 제2개폐 부재

Claims (9)

  1. 내부에 처리 공간을 가지는 챔버와;
    상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛과;
    상기 처리 공간에 공정 가스를 공급하는 가스 공급 유닛과;
    상기 처리 공간의 분위기를 배기하는 배기 유닛과;
    상기 챔버와 상기 배기 유닛 사이에 위치되며, 상기 배기 유닛으로부터 배기되는 배기압을 조절하는 압력 조절 유닛과;
    상기 압력 조절 유닛을 제어하는 제어기를 포함하되,
    상기 압력 조절 유닛은,
    상기 챔버와 상기 배기 유닛을 연결하며, 내부에 배기 통로가 형성되는 하우징과;
    상기 배기 통로의 개구율을 조절하여, 상기 배기 통로를 일부 개방 또는 완전 개방하는 제1개폐 부재를 포함하고,
    상기 배기 통로를 완전 차단 또는 완전 개방하는 제2개폐 부재를 포함하되,
    상기 제1개폐 부재는 상기 배기 통로의 개방 영역이 중심축을 중심으로 커지거나 작아지는 조리개를 포함하되,
    상기 배기 유닛은 상기 챔버의 아래에 위치되며,
    상기 제1개폐 부재는 상기 챔버와 상기 제2개폐 부재 사이에 위치되고,
    상기 제어기는,
    상기 배기 통로를 일부 개방하고자 하는 경우에 상기 제1개폐 부재가 상기 배기 통로를 일부 개방하고 상기 제2개폐 부재가 상기 배기 통로를 완전 개방하도록 상기 제1개폐 부재 및 상기 제2개폐 부재를 제어하고,
    상기 배기 통로를 완전 차단 또는 완전 개방하고자 하는 경우에 상기 제1개폐 부재가 상기 배기 통로를 완전 개방하도록 상기 제1개폐 부재를 제어하는 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제2개폐 부재는,
    상기 배기 통로를 완전 차단하는 차단 위치와 완전 개방하는 개방 위치로 이동 가능한 개폐 플레이트를 포함하는 기판 처리 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 제1개폐 부재는 상기 제2개폐 부재보다 상기 챔버에 가깝게 위치되는 기판 처리 장치.
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 내부에 처리 공간을 가지는 챔버와;
    상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛과;
    상기 처리 공간에 공정 가스를 공급하는 가스 공급 유닛과;
    상기 처리 공간의 분위기를 배기하는 배기 유닛과;
    상기 챔버와 상기 배기 유닛 사이에 위치되며, 상기 배기 유닛으로부터 배기되는 배기압을 조절하는 압력 조절 유닛과;
    상기 압력 조절 유닛을 제어하는 제어기를 포함하되,상기 압력 조절 유닛은,
    상기 챔버와 상기 배기 유닛을 연결하며, 내부에 배기 통로가 형성되는 하우징과;
    상기 배기 통로의 개구율을 조절하여 상기 배기 통로를 일부 개방 또는 완전 개방하는 제1개폐 부재와;
    상기 배기 통로를 완전 차단 또는 완전 개방하는 제2개폐 부재를 포함하되,
    상기 배기 유닛은 상기 챔버의 아래에 위치되며,
    상기 제1개폐 부재는 상기 챔버와 상기 제2개폐 부재 사이에 위치되고,
    상기 제어기는,
    상기 배기 통로를 일부 개방하고자 하는 경우에 상기 제1개폐 부재가 상기 배기 통로를 일부 개방하고 상기 제2개폐 부재가 상기 배기 통로를 완전 개방하도록 상기 제1개폐 부재 및 상기 제2개폐 부재를 제어하고,
    상기 배기 통로를 완전 차단 또는 완전 개방하고자 하는 경우에 상기 제1개폐 부재가 상기 배기 통로를 완전 개방하도록 상기 제1개폐 부재를 제어하는 기판 처리 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 제1개폐 부재는,
    상기 배기 통로의 개구율을 중심축과 수직한 반경 방향으로 커지거나, 상기 반경 방향과 반대 방향으로 작아지도록 조절하는 조리개를 포함하고,
    상기 제2개폐 부재는,
    상기 배기 통로를 완전 차단하는 차단 위치와 완전 개방하는 개방 위치로 이동 가능한 개폐 플레이트를 포함하는 기판 처리 장치.
  8. 삭제
  9. 삭제
KR1020160080298A 2016-06-27 2016-06-27 기판 처리 장치 KR102297372B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160080298A KR102297372B1 (ko) 2016-06-27 2016-06-27 기판 처리 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160080298A KR102297372B1 (ko) 2016-06-27 2016-06-27 기판 처리 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20180001320A KR20180001320A (ko) 2018-01-04
KR102297372B1 true KR102297372B1 (ko) 2021-09-01

Family

ID=60998229

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020160080298A KR102297372B1 (ko) 2016-06-27 2016-06-27 기판 처리 장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102297372B1 (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102225955B1 (ko) * 2018-04-19 2021-03-11 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 배기 어셈블리

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20070101450A (ko) * 2006-04-10 2007-10-17 삼성전자주식회사 유량 조절부재 및 이를 구비하는 반도체 제조 설비
KR101272779B1 (ko) * 2011-06-30 2013-06-11 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR20180001320A (ko) 2018-01-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10763138B2 (en) Adjustment plate and apparatus for treating substrate having the same
KR102083854B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102278074B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US11915905B2 (en) Support unit and substrate treating apparatus including the same
KR102037169B1 (ko) 기판처리장치
KR102297372B1 (ko) 기판 처리 장치
KR102225955B1 (ko) 기판 처리 장치 및 배기 어셈블리
KR101853367B1 (ko) 배기 배플, 그리고 이를 가지는 기판 처리 장치 및 방법
KR101909484B1 (ko) 기판 처리 장치
KR101935958B1 (ko) 기판처리장치 및 방법
KR101605719B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102398674B1 (ko) 지지 유닛, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR20180014900A (ko) 기판처리장치
KR101581317B1 (ko) 기판처리장치 및 방법
KR102278081B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR101951373B1 (ko) 기판 처리 장치 및 배기 방법
KR101645545B1 (ko) 기판처리장치
KR101934985B1 (ko) 기판 처리 장치 및 이의 표면을 안정화시키는 방법
KR102171514B1 (ko) 기판처리장치
KR102398673B1 (ko) 기판 처리 장치
KR102291400B1 (ko) 기판처리장치 및 방법
JP7479236B2 (ja) 基板処理装置
JP7471810B2 (ja) リングアセンブリ、基板支持体及び基板処理装置
KR102076594B1 (ko) 가스 공급 장치 및 그를 포함하는 기판 처리 장치
KR102126979B1 (ko) 샤워 헤드 유닛, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
X091 Application refused [patent]
AMND Amendment
X701 Decision to grant (after re-examination)
GRNT Written decision to grant