KR20110062534A - 플라즈마 처리 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 플라즈마를 이용하여 기판을 식각하는 공정을 진행하는 플라즈마 처리 장치 관한 것이다. 본 발명의 플라즈마 처리 장치는 기판의 식각 공정이 수행되는 공간을 제공하는 공정 챔버; 상기 공정 챔버 내부에 설치되고 기판이 안착되는 척; 상기 공정 챔버의 내벽과 상기 척 사이에 설치되며, 상기 공정 챔버 내부에 잔류하는 미반응 가스를 외부로 배출시키고, 공정 챔버 내부의 펌핑으로 인한 와류 발생을 예방하여 안정적인 플라즈마를 형성하도록 기능을 하는 배플 유닛을 포함하되; 제1관통공들이 형성된 제1배플 플레이트; 상기 제1배플 플레이트와는 이격되어 설치되고, 제2관통공들이 형성된 제2배플 플레이트; 상기 제1배플 플레이트와 상기 제2배플 플레이트의 간격을 조절하는 간격 조절부재; 및 상기 제1배플 플레이트의 제1관통공들과 상기 제2배플 플레이트의 제2관통공들의 오버랩(overlap) 영역을 조절하기 위해 상기 제1배플 플레이트 또는 상기 제2배플 플레이트를 수평선상에서 일정각도 회전시키는 회전 부재를 포함한다.

Description

플라즈마 처리 장치{PLASMA TREATMENT APPARATUS}
본 발명은 플라즈마를 이용하여 기판을 식각하는 공정을 진행하는 플라즈마 처리 장치 관한 것이다.
잘 알려진 바와 같이, 최근의 반도체 소자로 제조하기 위한 반도체 기판의 대구경화, 평면 디스플레이 소자로 제조하기 위한 유리 기판의 대면적화 등에 따라 식각 처리나 성막 처리를 하는 처리 장치의 수요가 증가하고 있다.
예를 들어, 상기 식각 처리나 성막 처리를 플라즈마를 이용하여 진행하는 기판 식각 장치, 플라즈마 증착 장치, 플라즈마 애싱(ashing) 장치 등의 플라즈마 처리 장치에 대한 수요도 증가하고 있는 추세이다.
이러한 플라즈마 처리 장치는 공정챔버의 내측벽과 측판과의 이격 공간에 구비되어 공정수행 중, 또는 공정이 수행된 후 공 정챔버 내의 미반응가스 및 공정 중에 발생한 폴리머 등을 공정챔버 외부로 배기시키도록 공정챔버의 배기구에 마련된 배기유닛과의 통로 역할을 하며, 1차적으로 블록킹(Blocking)된 후 공정챔버 하부면 모서리에 각각 형성된 배기구를 통해 배출되는 배플이 마련된다. 여기서, 배플은 적정 간격으로 배열되는 슬릿이 다수개 형성된다.
플라즈마 처리 장치에서 기존 배플은 고정 타입으로 되어 있어 공정 조건을 최적화하는데 배플은 등간격으로 다수개 형성된 슬릿이 일정한 개구 면적을 갖도록 마련됨으로써, 공정 가스의 흐름을 조절하기 위해서는 개구 면적이 다른 별도의 배플을 제작하여 교체해야 하며, 상황에 따라 공정 가스의 흐름 정도를 다르게 제어할 경우가 발생되면 그때마다 상황에 맞는 배플을 다수개 제작하여 교체해야 하므로 소요비용의 증가와 교체작업이 번거로운 문제점이 있었다.
이처럼, 기존의 플라즈마 처리 장치는 가스 체류시간( gas residence time) 및 가스 컨덕턴스(gas conductance) 등을 조절할 수 있는 하드웨어 파라미터가 없어 공정을 최적화하는데 어려움이 있다.
본 발명의 목적은 가스 유량, 가스 체류시간( gas residence time) 및 가스 컨덕턴스(gas conductance)등의 공정 조건을 최적화할 수 있는 플라즈마 처리 장치를 제공하는데 있다.
본 발명의 목적은 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 플라즈마를 이용하여 기판을 식각하는 공정을 진행하는 플라즈마 처리 장치는 기판의 식각 공정이 수행되는 공간을 제공하는 공정 챔버; 상기 공정 챔버 내부에 설치되고 기판이 안착되는 척; 상기 공 정 챔버의 내벽과 상기 척 사이에 설치되며, 상기 공정 챔버 내부에 잔류하는 미반응 가스를 외부로 배출시키고, 공정 챔버 내부의 펌핑으로 인한 와류 발생을 예방하여 안정적인 플라즈마를 형성하도록 기능을 하는 배플 유닛을 포함하되; 제1관통공들이 형성된 제1배플 플레이트; 상기 제1배플 플레이트와는 이격되어 설치되고, 제2관통공들이 형성된 제2배플 플레이트; 상기 제1배플 플레이트와 상기 제2배플 플레이트의 간격을 조절하는 간격 조절부재; 및 상기 제1배플 플레이트의 제1관통공들과 상기 제2배플 플레이트의 제2관통공들의 오버랩(overlap) 영역을 조절하기 위해 상기 제1배플 플레이트 또는 상기 제2배플 플레이트를 수평선상에서 일정각도 회전시키는 회전 부재를 포함한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 회전 부재는 모터와 상기 모터에 연결되는 제1기어 그리고 상기 제2배플 플레이트에 설치되고 상기 제1기어와 치합되는 제2기어를 포함하고, 상기 간격 조절 부재는 모터와; 상기 모터의 회전력에 의해 회전되는 리드스크류 및 상기 리드스크류의 회전에 따라 직선이동하는 그리고 상기 제1배플 플레이트에 연결되는 연결너트를 포함한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 간격 조절 부재는 상기 공정챔버의 내벽과 상기 척의 외주면에 수직방향으로 설치되고 상기 제1배플 플레이트의 상하이동을 안내하는 가이드레일을 더 포함한다
상술한 바와 같이, 본 발명은 상황에 따라 공정가스의 흐름 정도를 다르게 제어할 수 있기 때문에, 그때마다 상황에 맞는 배플을 다수개 제작하여 교체해지 않아도 됨으로써, 비용발생의 우려가 불식되고, 또한 그때마다 배플의 교체작업을 하지 않아도 된다.
또한, 본 발명은 가스 유량, 가스 체류시간( gas residence time) 및 가스 컨덕턴스(gas conductance)등의 공정 조건을 최적화할 수 있다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명된 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다.
플라즈마 식각(plasma etch)은 진공 챔버 내부로 RF 전계를 인가하여 가스를 분해하고, 이때 형성된 래디컬(radical) 또는 이온(ion)을 이용하여 식각 공정을 진행한다. 그리고 플라즈마를 생성하는 방법에 따라 CCP(Capacitive CoupledPlasma), ICP(Inductive Coupled Plasma) 등으로 분류된다.
도 1은 본 발명에 따른 플라즈마 처리 장치의 구성도이다. 도 2는 도 1에 표시된 A-A선을 따라 절취한 단면도이다. 도 3은 제1배플 플레이트가 회전되고 제2배플 플레이트가 승강될 수 있음을 보여주는 도면이다. 도 4는 제1관통공과 제2관통공의 오버랩 조정을 설명하기 위한 요부 확대도이다. 도 5는 제1배플 플레이트와 제2배플 플레이트의 간격 조절을 설명하기 위한 도면이다.
도 1 내지 도 5를 참조하면, 본 발명에 따른 플라즈마 식각 공정을 수행하는 플라즈마 처리 장치를 설명하면 다음과 같다.
본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치(1)는 공정챔버(Process chamber)(100)와, 공정챔버(100) 내에 플라즈마를 형성시키기 위해 고주파의 전력을 인가시키는 상부전극부(110) 및 하부전극부(120), 공정챔버(100)의 플라즈마 처리 공간 내에 발생되는 미반응가스 및 반응부산물 등을 공정챔버 하부의 배기 공간으로 배기시키는 배플 유닛(300) 등을 포함한다. 여기에서, 상부전극부(110)에는 공정수행 시 공정챔버에 필요한 반응가스를 공급하는 가스공급관 및 샤워헤드 등이 구비되며, 하부전극부(120)에는 웨이퍼가 안착되도록 하는 정전척(Electro static chuck)(130) 등이 구비된다.
공정챔버(100)는 원통 형상으로, 식각 공정이 진행되도록 외부와 밀폐된 소정 공간을 마련해주는 역할을 하며, 공정 챔버(100)의 내부는 배플 유닛(300)에 의해 상부의 플라즈마 처리 공간(X1)과 배플 유닛(300) 아래의 배기 공간(X2)으로 구획될 수 있다. 공정 챔버(100)에는 웨이퍼(W) 면에 대향되는 상측으로 공정챔버(100) 상측을 밀폐하는 상부 전극부(110)가 설치된다. 공정챔버(100)의 상부는 웨이퍼(W) 상에 식각 공정 등을 수행하는 반응 가스를 분배하도록 상부 전극부(110)가 구비되고, 반응 가스를 플라즈마로 여기하기 위한 RF 전원(112)이 연결된다.
도시하지 않았지만, 공정챔버(100)의 상부 내벽에는 데포 쉴드(Depo shield)가 탈착 가능하게 장착되며, 이 데포 쉴드는 공정챔버(100)의 내벽에 위치하여 공정챔버의 상부가 반응가스에 의해 오염될 때, 공정챔버(100)의 상부만을 선택적으 로 세정할수 있도록 하는 역할을 한다.
하부전극부(120)는 정전척(ESC: ElectroStatic Chuck:130)을 포함하며, 정전척(130)은 공정챔버(100)내로 이송되는 웨이퍼(W)가 안착되도록 하는 역할을 하며 공정챔버(100) 하부에 구비된다. 정전척(130)과 공정챔버(100)의 벽 사이는 배플 유닛(baffle unit:300) 등이 도입되어 공정챔버(100)의 플라즈마 처리 공간(X1)과 배기 공간(X2)으로 구획하게 된다.
반응 가스들은 상부 전극부(110)의 몸체 내에 구비된 통로를 지나, 웨이퍼(10)에 대향되는 면에 구비된 분사홀(ejectinghole)을 통해서 공정챔버(100)의 플라즈마 처리 공간으로 공급된다. 이때, 반응 가스들은 상부 전극부(110)과 하부전극부(120)의 상호 작용에 의해 플라즈마로 여기된다. 여기된 플라즈마 상태의 반응 가스는 웨이퍼(W) 표면과 반응하게 되고, 이러한 반응에 의해서 웨이퍼(W) 또는 그 상에 존재하는 물질층이 식각 또는 패터닝되게 된다.
이러한 식각 과정에서 식각 반응에 따른 반응 부산물 및 미반응 가스등은 배플 유닛(300)을 통해 배기 공간(X2)으로 흘러간 후 공정 챔버(100) 외부로 배출되게 된다.
배플 유닛(300)은 공정챔버 내벽과 척(130) 사이에 설치되며 챔버(100) 내에 형성된 플라즈마 및 미반응가스(공정 부산물 등)를 배기하는 역할을 한다. 여기서, 배플유닛(300)은 공정이 시작되어 기판(W)을 식각할 때 플라즈마가 기판(W)의 상부 공간(플라즈마 형성 공간)(X1)에 머무는 시간을 제어함과 동시에 플라즈마의 공정 부산물 및 비반응 가스를 배기시키는 역할을 한다. 즉, 플라즈마 및 미반응가스 (공정 부산물 등) 등은 배기구(102)로 곧바로 배기되지 않고, 배플 유닛(300)에 의하여 지연된 후 그 배플 유닛(300)을 이루는 제1배플 플레이트(310)와 제2배플 플레이트(320)에 각각 형성되어 있는 제1,2관통공(312,322)들을 통하여 배기 영역(X2)으로 내려가는 것이다.
배플 유닛(300)은 제1배플 플레이트(310)와 제2배플 플레이트(320)가 상하에 서로 마주하도록 설치되며, 제1배플 플레이트(310)에는 간격 조절부재(330)가 설치되고 제2배플 플레이트(320)에는 회전 부재(340)가 설치된다. 도 1에서와 같이 간격 조절부재(330)가 제1배플 플레이트(310)에 설치되고 회전 부재(340)가 제2배플 플레이트(320)에 설치되는 것과는 반대로, 도 3에서와 같이 제1배플 플레이트(310)에 회전부재(340)가 설치되고, 제2배플 플레이트(320)에 간격 조절부재(330)가 설치될 수 도 있으며, 도시하지 않았지만, 제1,2배플 플레이트(310,320)가 동시에 업다운 승강 가능하도록 할 수도 있다.
간격 조절 부재(330)는 제1배플 플레이트(310)와 제2배플 플레이트(320)의 간격을 조절하기 위한 것이다. 간격 조절 부재(330)는 모터(332)와 모터(332)의 회전력에 의해 회전되는 리드스크류(334) 및 리드스크류(334)의 회전에 따라 직선이동하는 제1배플 플레이트(310)에 연결되는 연결너트(336)를 포함한다. 상술한 모터 구동 방식 이외에도 실린더 등과 같은 다양한 직선 구동 수단이 적용될 수 있다. 한편, 간격 조절 부재(330)는 공정챔버(100)의 내벽과 정전척(130)의 외주면에 수직방향으로 설치되고 제1배플 플레이트(310)의 상하이동을 안내하는 가이드레일(390)을 갖는다. 본 실시 예에서 간격 조절 부재(330)는 모터와 리드스크류 등을 이용한 모터 방식 또는 실린더를 이용한 방식 등의 직선 구동 수단이 사용될 수 있다. 도 1 및 도 5를 비교해서 살펴보면, 본 실시예에서는 모터(332)의 구동에 의해 리드스크류(334)가 회전되면서 제1배플플레이트(310)가 승하강하게 된다.
도 1에 도시된 바와 같이, 회전 부재(340)는 제1배플 플레이트(310)의 제1관통공(312)들과 제2배플 플레이트(320)의 제2관통공(322)들의 오버랩(overlap) 영역을 조절하기 위한 것이다. 즉, 회전 부재(340)에 의해 제1관통공(312)들과 제2관통공(322)들은 서로 엇갈리게 위치되거나 또는 동일선상에 위치될 수 있다. 회전 부재(340)는 제2배플 플레이트(320)를 수평선상에서 일정각도 회전시키기 위해 모터(342)와 모터(342)에 연결되는 제1기어(344) 그리고 제2배플 플레이트(320)에 설치되고 제1기어(344)와 치합되는 제2기어(346)를 포함한다. 상술한 회전 부재(340)에 의해 제2배플 플레이트(320)가 회전됨으로써 도 3에서와 같이 제1관통공(312)과 제2관통공(322)의 오버랩 부분을 조절하여 배플 유닛(300)을 통해 배기되는 가스의 흐름을 조절할 수 있다.
예컨대, 배플 유닛(300)을 통해 배출되는 미반응 공정가스나 공정과정 중에 발생되는 폴리머의 압력 및 밀도가 높거나 낮을 경우(식각공정 특성이 당초 원하는 특성과 상이할 경우)에는, 제1배플 플레이트(310)와 제2배플 플레이트(320) 사이의 간격을 넓히거나 좁히고, 또는 제2배플 플레이트(320)를 일정각도 회전시켜 제1관통공(312)들과 제2관통공(322)들의 오버랩(overlap) 영역을 조절함으로써, 미반응 공정가스나 폴리머의 배출 속도를 조절할 수 있다.
따라서, 상황에 따라 공정가스의 흐름 정도를 다르게 제어할 경우가 발생될 경우, 그때마다 상황에 맞는 배플 플레이트들을 다수개 제작하여 교체해지 않아도 됨으로써, 비용발생의 우려가 불식되고, 또한 그때마다 배플 플레이트의 교체작업을 하지 않아도 되어 작업성이 향상되게 된다.
이상에서, 본 발명에 따른 배플 유닛의 구성 및 작용을 상세한 설명과 도면에 따라 도시하였지만, 이는 실시예를 들어 설명한 것에 불과하며, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 변화 및 변경이 가능하다.
도 1은 본 발명에 따른 플라즈마 처리 장치의 구성도이다.
도 2는 도 1에 표시된 A-A선을 따라 절취한 단면도이다.
도 3은 제1배플 플레이트가 회전되고 제2배플 플레이트가 승강될 수 있음을 보여주는 도면이다.
도 4는 제1관통공과 제2관통공의 오버랩 조정을 설명하기 위한 요부 확대도이다.
도 5는 제1배플 플레이트와 제2배플 플레이트의 간격 조절을 설명하기 위한 도면이다.
< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 >
300 : 배플 유닛
310 : 제1배플 플레이트
320 : 제2배플 플레이트
330 : 간격 조절부재
340 : 회전부재

Claims (9)

  1. 플라즈마를 이용하여 기판을 식각하는 공정을 진행하는 플라즈마 처리 장치에 있어서:
    기판의 식각 공정이 수행되는 공간을 제공하는 공정 챔버;
    상기 공정 챔버 내부에 설치되고 기판이 안착되는 척;
    상기 공정 챔버의 내벽과 상기 척 사이에 설치되며, 상기 공정 챔버 내부에 잔류하는 미반응 가스를 외부로 배출시키고, 공정 챔버 내부의 펌핑으로 인한 와류 발생을 예방하여 안정적인 플라즈마를 형성하도록 기능을 하는 배플 유닛을 포함하되;
    상기 배플 유닛은
    제1관통공들이 형성된 제1배플 플레이트;
    상기 제1배플 플레이트와는 이격되어 설치되고, 제2관통공들이 형성된 제2배플 플레이트를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 배플 유닛은
    상기 제1배플 플레이트와 상기 제2배플 플레이트의 간격을 조절하는 간격 조절부재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 배플 유닛은
    상기 제1배플 플레이트의 제1관통공들과 상기 제2배플 플레이트의 제2관통공들의 오버랩(overlap) 영역을 조절하기 위해 상기 제1배플 플레이트 또는 상기 제2배플 플레이트를 수평선상에서 일정각도 회전시키는 회전 부재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 회전 부재는
    모터와 상기 모터에 연결되는 제1기어 그리고 상기 제2배플 플레이트에 설치되고 상기 제1기어와 치합되는 제2기어를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  5. 제 2 항에 있어서,
    상기 간격 조절 부재는
    모터와; 상기 모터의 회전력에 의해 회전되는 리드스크류 및 상기 리드스크류의 회전에 따라 직선이동하는 그리고 상기 제1배플 플레이트에 연결되는 연결너트를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 간격 조절 부재는
    상기 공정챔버의 내벽과 상기 척의 외주면에 수직방향으로 설치되고 상기 제1배플 플레이트의 상하이동을 안내하는 가이드레일을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  7. 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,
    상기 제1배플 플레이트는 상기 제2배플 플레이트 상부에 위치되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  8. 플라즈마를 이용하여 기판을 식각하는 공정을 진행하는 플라즈마 처리 장치에 있어서:
    기판의 식각 공정이 수행되는 공간을 제공하는 공정 챔버;
    상기 공정 챔버 내부에 설치되고 기판이 안착되는 척;
    상기 공정 챔버의 내벽과 상기 척 사이에 설치되며, 상기 공정 챔버 내부에 잔류하는 미반응 가스를 외부로 배출시키고, 공정 챔버 내부의 펌핑으로 인한 와류 발생을 예방하여 안정적인 플라즈마를 형성하도록 기능을 하는 배플 유닛을 포함하되;
    상기 배플 유닛은
    제1관통공들이 형성된 제1배플 플레이트;
    상기 제1배플 플레이트와는 이격되어 설치되고, 제2관통공들이 형성된 제2배 플 플레이트;
    상기 제1배플 플레이트와 상기 제2배플 플레이트의 간격을 조절하는 간격 조절부재; 및
    상기 제1배플 플레이트의 제1관통공들과 상기 제2배플 플레이트의 제2관통공들의 오버랩(overlap) 영역을 조절하기 위해 상기 제1배플 플레이트 또는 상기 제2배플 플레이트를 수평선상에서 일정각도 회전시키는 회전 부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 회전 부재는
    모터와 상기 모터에 연결되는 제1기어 그리고 상기 제2배플 플레이트에 설치되고 상기 제1기어와 치합되는 제2기어를 포함하고,
    상기 간격 조절 부재는
    모터와; 상기 모터의 회전력에 의해 회전되는 리드스크류 및 상기 리드스크류의 회전에 따라 직선이동하는 그리고 상기 제1배플 플레이트에 연결되는 연결너트를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
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Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101445226B1 (ko) * 2013-04-23 2014-09-29 피에스케이 주식회사 배기 링 어셈블리 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR101503255B1 (ko) * 2014-10-10 2015-03-18 (주) 일하하이텍 기판 처리 장치 및 방법
KR101503254B1 (ko) * 2014-10-10 2015-03-18 (주) 일하하이텍 기판 처리 장치 및 방법
KR101535155B1 (ko) * 2014-01-09 2015-07-09 주식회사 유진테크 기판 처리장치
KR20170012084A (ko) * 2015-07-22 2017-02-02 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 플라즈마 처리 장치
WO2017123589A1 (en) * 2016-01-15 2017-07-20 Mattson Technology, Inc. Variable pattern separation grid for plasma chamber
KR20180014900A (ko) * 2016-08-01 2018-02-12 세메스 주식회사 기판처리장치
KR20180081700A (ko) * 2018-07-09 2018-07-17 세메스 주식회사 기판 처리 장치
CN109826978A (zh) * 2019-02-28 2019-05-31 常州那央生物科技有限公司 微反应用微孔流道构建方法、微反应组件及其工作方法
US10309015B2 (en) 2017-01-17 2019-06-04 Psk Inc. Substrate treating apparatus and substrate treating method
KR101991801B1 (ko) * 2017-12-29 2019-06-21 세메스 주식회사 기판 처리 장치
KR20200022277A (ko) * 2018-08-22 2020-03-03 세메스 주식회사 기판 처리 방법 및 장치
KR102186073B1 (ko) * 2019-06-24 2020-12-04 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101445226B1 (ko) * 2013-04-23 2014-09-29 피에스케이 주식회사 배기 링 어셈블리 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US10287687B2 (en) 2014-01-09 2019-05-14 Eugene Technology Co., Ltd. Substrate processing device
KR101535155B1 (ko) * 2014-01-09 2015-07-09 주식회사 유진테크 기판 처리장치
WO2015105284A1 (ko) * 2014-01-09 2015-07-16 주식회사 유진테크 기판 처리장치
CN105849865A (zh) * 2014-01-09 2016-08-10 株式会社Eugene科技 基板处理装置
KR101503255B1 (ko) * 2014-10-10 2015-03-18 (주) 일하하이텍 기판 처리 장치 및 방법
KR101503254B1 (ko) * 2014-10-10 2015-03-18 (주) 일하하이텍 기판 처리 장치 및 방법
KR20170012084A (ko) * 2015-07-22 2017-02-02 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 플라즈마 처리 장치
WO2017123589A1 (en) * 2016-01-15 2017-07-20 Mattson Technology, Inc. Variable pattern separation grid for plasma chamber
KR20180014900A (ko) * 2016-08-01 2018-02-12 세메스 주식회사 기판처리장치
US10309015B2 (en) 2017-01-17 2019-06-04 Psk Inc. Substrate treating apparatus and substrate treating method
KR101991801B1 (ko) * 2017-12-29 2019-06-21 세메스 주식회사 기판 처리 장치
KR20180081700A (ko) * 2018-07-09 2018-07-17 세메스 주식회사 기판 처리 장치
KR20200022277A (ko) * 2018-08-22 2020-03-03 세메스 주식회사 기판 처리 방법 및 장치
CN109826978A (zh) * 2019-02-28 2019-05-31 常州那央生物科技有限公司 微反应用微孔流道构建方法、微反应组件及其工作方法
KR102186073B1 (ko) * 2019-06-24 2020-12-04 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법

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