KR101503254B1 - 기판 처리 장치 및 방법 - Google Patents

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이상묘
정민영
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(주) 일하하이텍
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Abstract

본 발명의 기판 처리 장치는 챔버, 기판 지지부재, 배플, 및 배기 유닛을 포함한다. 챔버는 반응 가스를 공급받아 반도체 공정이 이루어지는 공정 공간이 내부에 형성된다.기판 지지부재는 챔버 내부에 설치되고, 기판이 안착된다. 배기 유닛은 링 형상으로 형성되어 기판 지지부재를 둘러싸며, 반도체 공정 과정에서 생성된 잔류 가스와 반응 부산물이 공정 공간으로부터 유입되는 1차 배기 공간이 형성된다. 이와 같이, 기판 처리 장치는 공정 공간보다 상대적으로 좁은 배기 통로를 형성함으로써, 벤츄리 효과를 이용하여 잔류 가스와 반응 부산물을 신속하게 퍼지할 수 있다.

Description

기판 처리 장치 및 방법{APPARATUS AND METHOD OF PROCESSING SUBSTRATE}
본 발명은 박막을 처리하는 반도체 장치에 관한 것으로서, 가스를 공급하여 기판을 처리하는 기판 처리 장치 및 방법을 제공하는 것이다.
일반적으로, 반도체 소자를 제조하는 반도체 공정은 박막을 증착하는 증착 공정과 증착된 박막을 패터닝하는 식각 공정 등이 있으며, 증착 공정과 식각 공정을 수회 반복하는 과정을 통해 반도체 소자가 완성된다. 이러한 반도체 장치 제조 공정 중 하나인 증착 공정은 스퍼터링법(Sputtering), 화학기상증착법(Chemical Vapor Deposition : CVD), 원자층 증착법(Atomic Layer Deposition : ALD) 등이 있다.
스퍼터링법은 물리적 증착 방법으로서, 이전에 많이 사용되던 증착 방법이나 기판 표면에 단차가 형성된 상태에서 박막을 형성할 경우 표면을 원만하게 덮어주는 단차피복(step coverage)이 떨어지는 단점이 있다.
화학기상증착법은 반응 가스와 분해 가스를 이용하여 적정 두께를 갖는 박막을 기판 상에 증착한다. 화학기상증착법은 다양한 가스들을 반응 챔버에 공급한 후 열이나 플라즈마와 같은 고에너지에 의해 유도된 가스들을 화학 반응시킴으로써 기판 상에 원하는 두께의 박막을 증착시킨다. 화학기상증착법은 반응 에너지가 큰 만큼 인가된 플라즈마 또는 가스들의 비율 및 양을 통해 반응 조건을 제어함으로써, 증착률을 증가시킨다. 이러한 화학기상증착법은 스퍼터링법에 비해 단차피복이 우수하고 생산성이 높은 장점을 갖는 반면, 공정 온도가 높고 200Å 이하의 두께를 갖는 박막을 증착할 수 없다. 또한, 화학기상증착법은 두 가지 이상의 반응 가스가 동시에 반응 챔버 내부로 공급되어 기체 상태에서 반응을 일으키므로, 이 과정에서 오염원이 되는 입자(particle)가 생기기 쉽고, 빠른 반응 속도로 인해 원자들의 열역학적(thermaodynamic) 안정성을 제어하기 매우 어렵다.
원자층 증착법은 박막 형성에 필요한 원료들을 시간적으로 분할하여 순차적으로 공급하고 기판 표면에 흡착한 원료 기체들의 반응을 통해 막이 형성된다. 원자층 증착법은 200Å 이하의 두께로 박막을 증착할 수 있는 장점이 있어, 최근 미세 두께의 박막과 미세 패터닝 구조를 갖는 반도체 소자를 개발하려는 추세로 인해 많이 이용되고 있다. 원자층 증착법은 불순물은 최대한 억제하면서 균일한 미세 두께의 박막을 증착할 수 있으며, 화학기상증착법에 비해 낮는 500℃ 이하의 온도에서 공정이 진행된다.
원자층 증착법은 표면 반응 메카니즘(surface reaction mechanism)을 이용하여 균일하고 미세한 박막을 증착할 수 있으며, 기상 반응(gas reaction)에 의한 파티클 생성을 최소화시킬 수 있다. 원자층 증착법은 기판 표면에 흡착되는 물질에 의해서만 증착이 발생하며, 흡착량은 기판 상에서 자체 제한(self-limiting)되기 때문에, 반응 가스의 양에 크게 의존하지 않고 기판 전체에 걸쳐 균일하게 박막을 증착할 수 있다. 이에 따라, 단차피복이 매우 우수하다.
이러한 원자층 증착법은, 박막을 증착하기 위한 전구체(precursor)인 두 종류의 반응 가스를 기판이 배치된 반응 챔버에 순차적으로 제공하여 박막을 형성한다. 이때, 첫 번째 반응 가스를 공급한 후, 기체 상태의 첫 번째 반응 가스와 두 번째 반응가스가 만나 입자를 형성하는 것을 방지하기 위해 반응 챔버 내부를 퍼지하는 과정이 필요하다. 마찬가지로, 두 번째 반응 가스를 공급한 후에도 퍼지 과정이 필요하다. 퍼지 과정은 퍼지 가스를 반응 챔버 내부로 공급하고 배기 펌프를 구동시켜 반응 챔버 내부에 잔존하는 가스나 부유물을 제거한다.
특히, 잔류 가스나 부유물의 배출이 제대로 이루어지지 않을 경우 제품 불량의 원인이 되므로, 원자층 증착법에서의 퍼지 과정은 매우 중요하다. 이러한 퍼지 과정은 배기 펌프의 압력에 의해 반응 챔버 내부에 잔존하는 잔류 가스와 부유물의 배출 속도가 조절된다. 그러나, 배기 펌프는 반응 챔버 내부의 진공압에 영향을 주기 때문에, 배기 펌프의 압력 조절을 통해 잔류 가스와 부유물의 배출 속도를 조절하는데 그 한계가 있다. 이로 인해, 퍼지 과정에 소요되는 시간을 단축시키기 어렵고, 많은 시간이 퍼지 과정에 소요되므로, 박막 증착 공정 시간이 늘어난다.
한국등록특허 제10-0518676호 (2005.09.26) "반도체소자 제조용 원자층 증착 장치 및 제조 방법" 한국등록특허 제10-0558922호 (2006.03.02) "박막 증착 장치 및 방법"
본 발명의 목적은 챔버 내부의 잔류 가스와 반응 부산물을 신속하게 제거할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것이다.
또한, 본 발명의 목적은 상기한 기판 처리 장치를 이용하여 박막을 처리하는 기판 처리 방법을 제공하는 것이다.
상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위한 하나의 특징에 따른 기판 처리 장치는, 반응 가스를 공급받아 반도체 공정이 이루어지는 공정 공간이 내부에 형성된 챔버; 상기 챔버 내부에 설치되고, 기판이 안착되는 기판 지지부재; 링 형상으로 형성되어 상기 기판 지지부재를 둘러싸며, 상기 반도체 공정 과정에서 생성된 잔류 가스와 반응 부산물이 상기 공정 공간으로부터 유입되는 1차 배기 공간이 형성된 배기 유닛; 및 상기 공정 공간 내에서 상기 배기 유닛의 상부에 설치되고, 링 형상으로 형성되어 상기 기판 지지부재를 둘러싸며, 수직 이동에 의해 내주면이 상기 배기 유닛과 분리 가능하게 결합되어 상기 공정 공간을 개폐하고, 상기 공정 공간의 잔류 가스 및 반응 부산물이 상기 1차 배기 공간으로 이동하도록 상향 수직 이동하여 상기 배기 유닛의 내주면과의 사이에 배기 통로를 형성하는 배플을 포함할 수 있다.
또한, 상기 배기 유닛은, 상기 배플과의 사이에 상기 1차 배기 공간을 형성하는 메인 배기링을 포함할 수 있다. 상기 메인 배기링은, 상기 기판 지지부재를 둘러싸며, 상기 배플과 마주하게 배치되고, 상기 1차 배기 공간에 유입된 잔류 가스와 반응 부산물을 외부로 배기하는 다수의 제1 배기홀이 형성된 링 플레이트; 및 상기 링 플레이트의 내주면으로부터 수직하게 연장되어 관 형상으로 형성되며, 상기 링 플레이트와 함께 상기 1차 배기 공간을 정의하고, 상기 배플의 하향 수직 이동에 의해 상기 배플의 내주면이 상단부에 결합되는 측벽 링을 포함할 수 있다.
상기 측벽 링은, 상기 공정 공간 안의 잔류 가스 및 반응 부산물을 상기 1차 배기 공간 측으로 가이드하도록 상단부 내측면이 상기 링 플레이트를 향해 하향 경사진다. 더불어, 상기 배기 통로는, 상기 배플의 상향 수직 이동에 의해 상기 배플의 내주면과 상기 측벽 링의 상단부 내측면이 이격되어 형성될 수 있다.
게다가, 상기 측벽 링의 내측면은 계단 형상으로 이루어질 수 있다.
한편, 상기 배기 유닛은, 상기 1차 배기 공간 내에서 상기 링 플레이트로부터 이격되어 배치되고, 다수의 제2 배기홀이 형성된 적어도 하나의 서브 배기링을 더 포함할 수 있다. 여기서, 상기 제1 배기홀의 크기와 상기 제2 배기홀의 크기가 서로 다르다.
또한, 상기 배기 유닛은, 상기 1차 배기 공간 내에서 상기 링 플레이트로부터 이격되어 배치되고, 다수의 제2 배기홀이 형성된 제1 서브 배기링; 및 상기 1차 배기 공간 내에서 제1 서브 배기링과 상기 링 플레이트 사이에 개재되고, 상기 제1 서비 배기링과 상기 링 플레이로부터 이격되어 배치되며, 다수의 제3 배기홀이 형성된 제2 서브 배기링을 더 포함할 수 있다. 여기서, 상기 제1 내지 제3 배기홀의 크기가 서로 다르다.
한편, 상기 메인 배기링은, 상기 링 플레이트에 결합되어 상기 1차 배기 공간의 외부에 구비되고, 다수의 제4 배기홀이 형성된 적어도 하나의 서브 플레이트를 더 포함할 수 있다. 여기서, 상기 제1 배기홀과 상기 제4 배기홀의 크기가 서로 다르게 형성될 수 있다.
또한, 상기 기판 지지부재는, 상기 기판이 안착되고, 측부에 단턱이 형성된 기판 지지대; 및 상기 기판 지지대와 결합하여 상기 기판 지지대를 지지하는 지지축을 포함할 수 있다. 여기서, 상기 측벽 링은 상단부가 외측으로 돌출되어 상기 단턱에 결합된다.
한편, 기판 처리 장치는 상기 배플에 결합되어 상기 배플을 수직 이동시키는 승강 부재를 더 포함할 수 있다.
또한, 기판 처리 장치는, 상기 챔버에 연결되고, 상기 공정 공간으로부터 배출된 상기 잔류 가스와 반응 부산물을 상기 챔버 외부로 배출하는 배기 라인; 및 상기 배기 라인에 연결된 배기 펌프를 더 포함할 수 있다.
또한, 상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위한 하나의 특징에 따른 기판 처리 방법은, 공정 공간이 형성된 챔버 내에 설치된 기판 지지부재에 기판이 안착되는 단계; 상기 챔버 내에서 상기 기판 지지부재를 둘러싼 배플을 하향 수직 이동시켜 상기 공정 공간을 밀폐한 후 반도체 공정을 위한 반응 가스를 상기 공정 공간 안으로 공급하는 단계; 및 벤츄리 효과를 이용하여 상기 공정 공간에 잔존하는 잔류 가스와 반응 부산물을 퍼지하는 단계를 포함할 수 있다. 여기서, 상기 잔류 가스 및 반응 부산물을 퍼지하는 단계는, 퍼지 가스를 상기 공정 공간 안으로 공급하는 단계; 상기 배플을 상향 수직 이동시켜 상기 기판 지지부재를 둘러싸는 배기 통로를 형성하는 단계; 및 상기 배기 통로를 통해 상기 공정 공간으로부터 상기 잔류 가스 및 반응 부산물을 1차 배출하는 단계를 포함할 수 있다.
또한, 상기 반응 가스를 상기 공정 공간 안으로 공급하는 단계에서, 상기 배플은 하향 수직 이동에 의해 내주면이 상기 기판 지지부재를 둘러싼 배기 유닛의 측상단부에 결합되어 상기 공정 공간을 밀폐할 수 있다. 게다가, 상기 배기 통로는, 상기 배플의 상향 수직 이동에 의해 상기 배플의 내주면이 상기 배기 유닛의 측상단부로부터 이격되어 형성될 수 있다.
특히, 상기 잔류 가스 및 반응 부산물이 챔버로부터 배출되는 속도는 상기 배플의 상향 수직 이동 거리에 따라 조절될 수 있다.
또한, 상기 잔류 가스 및 반응 부산물을 1차 배출하는 단계에서, 상기 공정 공간의 잔류 가스 및 반응 부산물은 상기 배기 통로를 통해 상기 배플과 상기 배기 유닛이 이격되어 형성된 1차 배기 공간으로 1차 배출될 수 있다.
더불어, 상기 잔류 가스 및 반응 부산물을 퍼지하는 단계는, 상기 잔류 가스 및 반응 부산물을 1차 배출하는 단계 이후에, 상기 배기 유닛이 상기 1차 배기 공간으로 유입된 상기 잔류 가스와 반응 부산물을 다수의 제1 배기홀을 통해 외부로 2차 배출하는 단계를 더 포함할 수 있다.
한편, 상기 잔류 가스 및 반응 부산물을 1차 배출하는 단계에서, 상기 공정 공간 안의 상기 잔류 가스 및 반응 부산물은, 상기 배기 유닛의 경사진 측상단부 내측면을 따라 상기 1차 배기 공간으로 가이드될 수 있다.
또한, 상기 잔류 가스 및 반응 부산물을 배출하는 단계는, 상기 잔류 가스 및 반응 부산물을 2차 배출하는 단계 이전에, 상기 1차 배기 공간 안으로 유입된 상기 잔류 가스 및 반응 부산물이 상기 배기 유닛의 내부에 형성된 다수의 제2 배기홀을 통해 상기 다수의 제1 배기홀 측으로 배출되는 단계를 더 포함할 수 있다. 여기서, 상기 제2 배기홀은 상기 제1 배기홀은 서로 다른 직경으로 제공될 수 있다.
또한, 상기 잔류 가스 및 반응 부산물을 배출하는 단계는, 상기 반응 가스 및 반응 부산물을 2차 배출하는 단계 이전에, 상기 1차 배기 공간으로 유입된 상기 잔류 가스 및 반응 부산물이 상기 배기 유닛의 내부에 형성된 다수의 제2 배기홀과 다수의 제3 배기홀을 순차적으로 통과하여 상기 다수의 제1 배기홀 측으로 배출되는 단계를 더 포함할 수 있다. 여기서, 상기 제1 배기홀과 상기 제2 배기홀 및 상기 제3 배기홀은 서로 다른 직경으로 제공될 수 있다.
한편, 상기 잔류 가스 및 반응 부산물을 2차 배출하는 단계는, 상기 다수의 제3 배기홀을 통과한 상기 잔류 가스 및 반응 부산물이 상기 링 플레이트에 형성된 상기 다수의 제1 배기홀과 상기 메인 배기링의 서브 링 플레이트에 형성된 다수의 제4 배기홀을 상기 순차적으로 통과하여 상기 1차 배기 공간으로부터 배출될 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치 및 방법에 따르면,
첫째, 공정 공간에 비해 좁게 형성된 배기 통로를 통해 잔류 가스 및 반응 부산물을 신속하게 배출하므로, 벤츄리 효과를 이용하여 챔버 내부의 잔류 가스 및 반응 부산물을 신속하게 배출할 수 있다.
둘째, 배플의 수직 이동 높이를 조절하여 배기 통로의 폭을 조절할 수 있고, 이를 통해 공정 공간으로부터 배출되는 잔류 가스와 반응 부산물의 유속을 조절할 수 있으므로, 배기 펌프의 배기압을 조절하지 않고서 잔류 가스와 반응 부산물의 배기 속도를 조절할 수 있다.
셋째, 공정 공간의 잔류 가스와 반응 부산물을 1차 배기 공간을 통해 외부로 배출하므로, 챔버 내부의 공간 분할을 통해 잔류 가스와 반응 부산물을 순차적으로 배출할 수 있고, 잔류 가스와 반응 부산물을 보다 신속하고 원활하게 배출할 수 있다.
넷째, 배기 유닛에 형성된 다수의 제1 내지 제3 배기홀 및 다수의 서브 배기홀을 이용하여 잔류 가스와 반응 부산물을 2차 배출하므로, 각 홀들의 배치 관계 및 홀의 크기를 조절하여 잔류 가스 및 반응 부산물의 배기 속도를 조절할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 나타낸 단면도이다.
도 2는 도 1에 도시된 기판 지지부재와 배플 및 배기 유닛 간의 배치 관계를 확대하여 나타낸 단면도이다.
도 3은 도 1에 도시된 기판 지지부와 배기 유닛 및 배플 간의 배치 관계를 나타낸 평면도이다.
도 4는 도 1에 도시된 메인 배기링의 배면을 나타낸 평면도이다.
도 5는 도 1에 도시된 제1 서브 배기링을 나타낸 사시도이다.
도 6은 도 1에 도시된 제2 서브 배기링을 나타낸 사시도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법을 나타낸 흐름도이다.
도 8은 도 1에 도시된 기판 처리 장치에서 제1 반응 가스를 공급하는 과정을 나타낸 공정도이다.
도 9는 제1 반응 가스 공급 시 도 10에 도시된 기판 지지대와 배플 및 배기 유닛의 동작 관계를 구체적으로 나타낸 공정도이다.
도 10은 도 7에 도시된 잔류 가스와 반응 부산물을 퍼지하는 과정을 나타낸 흐름도이다.
도 11은 도 1에 도시된 기판 처리 장치에서 잔류 가스와 반응 부산물을 퍼지하는 과정을 나타낸 공정도이다.
도 12는 도 11에 도시된 배기 유닛을 통해 잔류 가스와 반응 부산물이 배출되는 과정을 구체적으로 나타낸 공정도이다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명한다. 이때, 첨부된 도면에서 동일한 구성 요소는 가능한 동일한 부호로 나타내고 있음에 유의한다. 또한, 본 발명의 요지를 흐리게 할 수 있는 공지 기능 및 구성에 대한 상세한 설명은 생략할 것이다. 마찬가지 이유로 첨부 도면에 있어서 일부 구성 요소는 과장되거나 생략되거나 개략적으로 도시되었다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 나타낸 단면도이고, 도 2는 도 1에 도시된 기판 지지부재와 배플 및 배기 유닛 간의 배치 관계를 구체적으로 나타낸 단면도이며, 도 3은 도 1에 도시된 기판 지지부와 배기 유닛 및 배플 간의 배치 관계를 나타낸 평면도이고,
도 1 내지 도 3을 참조하면, 본 발명에 따른 기판 처리 장치(100)는 반도체 공정을 이용하여 기판(10)을 처리하기 위한 장치로서, 챔버(110), 기판 지지부재(120), 리드(130), 가스 공급부(140), 샤워 헤드(150), 배플(160), 배기 유닛(170), 배기 라인(181), 및 배기 펌프(185)를 포함한다.
구체적으로, 챔버(110)는 바닥면(111) 및 바닥면(111)으로부터 수직하게 연장되어 측벽(112)을 포함하고, 통 형상으로 구비되어 기판(10) 상의 박막을 처리하기 위한 반도체 공정이 이루어지는 공간을 제공한다.
챔버(110) 내부에는 기판 지지부재(120)가 설치된다. 기판 지지부재(120)는 기판 지지부(121) 및 기판 지지부(121)를 지지하는 지지축(122)을 포함한다. 기판 지지부(121)는 그 상면에 기판(10)이 안착되고, 기판(10)을 고정시킨다. 기판 지지부(121)의 상면은 대체로 원 형상을 갖고, 기판(10) 보다 큰 면적을 갖는다. 기판 지지부(121)의 상면은 기판(10)보다 큰 면적을 갖는다. 기판 지지부(121)의 아래에 결합되는 지지축(122)은 수직 이동이 가능하게 구비될 수 있다.
한편, 챔버(110)의 상부에는 챔버(110)와 결합하여 챔버(110) 내부를 밀폐하는 리드(130)가 구비된다. 리드(130)는 기판 지지부(121)와 마주하게 배치되며, 상면에 가스 공급부(140)와 연결되는 가스 유입홀(131)이 형성된다.
가스 공급부(140)는 박막 증착 시 전구체(precusor)인 반응 가스를 공급하는 제1 가스 공급부(141), 및 챔버(110) 내부를 퍼지하기 위한 퍼지 가스를 공급하는 제2 가스 공급부(142)를 포함한다. 여기서, 제1 가스 공급부(141)는 서로 다른 제1 반응 가스와 제2 반응 가스를 제공할 수 있다. 또한, 제1 가스 공급부(141)는 서로 다른 두 종류의 반응 가스를 공급할 수 있으며, 제1 및 제2 가스 공급부(141, 142)로부터 제공되는 가스의 유량은 벨브(21, 22)에 의해 조절될 수 있다.
리드(130)의 내부에는 샤워 헤드(150)가 설치된다. 샤워 헤드(150)는 기판 지지부(121)와 마주하게 배치되고, 플레이트 형상을 가지며, 기판(10)의 면적보다 큰 면적을 갖는다. 샤워 헤드(150)는 다수의 분사홀(151)이 형성되고, 가스 유입홀(131)을 통해 가스 공급부(140)로부터 유입된 반응 가스 또는 퍼지 가스는 다수의 분사홀(151)을 통해 공정 공간(PS)으로 유입되며, 기판 지지부(121)에 안착된 기판(10)의 상면에 골고루 분사된다.
이 실시예에 있어서, 공정 공간(PS)은 챔버(110) 내부에서 실질적으로 박막 처리 공정이 이루어지는 공간으로, 챔버(110)의 측벽(112), 기판 지지부(121), 리드(130), 샤워 헤드(150), 및 배플(160)에 의해 정의되며, 박막 처리 공정시 기판(10)은 공정 공간(PS)에 위치한다.
기판 지지부(121)의 일측에는 배플(160)이 설치된다. 배플(160)은 챔버(110)의 측벽(112)과 기판 지지부(121) 사이에 구비되며, 배플(160)은 도 3에 도시된 것처럼 기판 지지부(121)를 둘러싸는 링 형상으로 이루어진다. 배플(160)은 수직 이동에 의해 배기 유닛(170)과 분리가능하게 결합되며, 배기 유닛(170)과의 분리 및 결합을 통해 공정 공간(PS)을 개폐한다.
본 발명의 기판 처리 장치(100)는 배플(160)을 수직 이동시키는 승강 부재(190)를 더 포함할 수 있다. 승강 부재(190)는 배플(160)의 상면에 결합되어 배플(160)을 수직 이동시킨다.
한편, 배플(160)의 아래에는 배기 유닛(170)이 설치되고, 배기 유닛(170)은 공정 공간(PS)에 잔존하는 잔류 가스 및 반응 부산물을 공정 공간(PS)으로부터 신속하게 배출한다.
이하, 도면을 참조하여, 배기 유닛(170)의 구성에 대해 구체적으로 설명한다.
도 4는 도 1에 도시된 메인 배기링의 배면을 나타낸 평면도이다.
도 1 내지 도 4를 참조하면, 배기 유닛(170)은 배플(160)과의 사이에 1차 배기 공간(ES1)을 형성하는 메인 배기링(171)을 포함한다. 도 2에 도시된 것처럼 측면에서 봤을 때, 메인 배기링(171)은 기판 지지부(121)의 상면보다 아래에 구비되며, 링 플레이트(171a), 및 측벽 링(171b)을 구비한다.
링 플레이트(171a)는 배플(160)의 아래에서 배플(160)과 마주하게 배치되고, 기판 지지부(121)를 둘러싼다. 도 4에 도시된 바와 같이, 링 플레이트(171a)는 링 형상으로 이루어지고, 다수의 제1 배기홀(171c)이 형성된다. 본 발명의 일례로, 각각의 제1 배기홀(171c)은 대체로 타원 형상으로 형성된다.
측벽 링(171b)은 1차 배기 공간(ES1)을 형성하도록 링 플레이트(171a)의 내주면으로부터 수직하게 연장되어 관 형상을 갖고, 기판 지지부(121)를 둘러싼다. 도 2에 도시된 바와 같이, 측벽 링(171b)의 상단부는 외측으로 돌출되며, 기판 지지부(121)의 측부에는 측벽 링(171b)의 돌출된 상단부가 끼워져 안착되는 단턱(121a)이 형성된다.
측벽 링(171b)의 내측면은 계단 형상으로 이루어지며, 상단부 내측면(71)이 링 플레이트(171a)를 향해 하향 경사진 경사면으로 이루어진다. 배플(160)은 하향 수직 이동시, 배플(160)의 내주면(161)이 측벽 링(171b)의 상단부 내측면(71)에 안착된다. 여기서, 배플(160)의 내주면은 측벽 링(171b)의 상단부 내측면(71)과 대응하여 경사면으로 이루어진다. 배플(160)이 승강 부재(190)에 의해 하향 수직 이동되면, 배플(160)의 내주면(161)이 측벽 링(171b) 상단부 내측면(71)에 결합되고, 그 결과, 공정 공간(PS)이 밀폐된다.
한편, 배플(160)이 승강 부재(190)에 의해 상향 수직 이동되어 배플(160)의 내주면(161)이 측벽 링(171b)의 상단부로부터 이격되면, 배플(160)의 내주면(161)과 측벽 링(171b)의 상단부 내측면(71)과의 사이에 배기 통로(EP)가 형성된다. 공정 공간(PS)의 잔류 가스 및 반응 부산물은 배플(160)과 측벽 링(171b) 사이에 형성된 배기 통로(EP)를 통해 1차 배기 공간(ES1)으로 유입된다. 이때, 잔류 가스 및 반응 부산물은 경사진 측벽 링(171b)의 상단부 내측면(71)에 의해 1차 배기 공간(ES1)으로 가이드된다.
가스와 같은 유체는 넓은 통로에서 좁은 통로로 진입하면, 넓은 통로에 비해 좁은 통로에서의 유체 속도가 증가하는 현상이 발생하는데, 이를 벤츄리 효과(Venturi effect)라 한다. 배기 유닛(170)은 이러한 벤츄리 효과를 이용하여 공정 공간(PS) 안의 잔류 가스와 반응 부산물을 외부로 배출한다. 즉, 배플(160)의 내주면(161)과 측벽 링(171b) 사이에 형성된 배기 통로(EP)는 공정 공간(PS)에 비해 상대적으로 좁다. 따라서, 가스 배기시, 공정 공간(PS)을 흐르는 잔류 가스와 반응 부산물이 배기 통로(EP)에 진입하면, 공정공간(PS) 안에서의 유속보다 배기 통로(EP)에서의 유속이 빨라져 잔류 가스 및 반응 부산물의 신속한 배출이 이루어질 수 있다.
또한, 배기 통로(EP)를 흐르는 유체의 유속은 배기 통로(EP)의 폭에 따라 달라지고, 배기 통로(EP)의 폭은 배플(160)의 내주면(161)과 측벽 링(171b)의 상단부 내측면(71) 간의 이격 거리에 따라 달라지며, 배플(160)의 내주면(161)과 측벽 링(171b)의 상단부 내측면(71) 간의 거리는 배플(160)의 상향 수직 이동 거리에 따라 달라진다. 이에 따라, 본 발명의 기판 처리 장치(100)는 배플(160)의 수직 이동 거리를 조절하여 배기 통로(EP)에서의 잔류 가스 및 반응 부산물의 유속을 조절할 수 있다.
이렇게 1차 배기 공간(ES1)으로 배출된 잔류 가스와 반응 부산물은 링 플레이트(171a)에 형성된 다수의 제1 배기홀(171c)을 통해 2차 배기 공간(ES2)으로 배출된다.
한편, 본 발명의 배기 유닛(170)은 제1 및 제2 서브 배기링(172, 173)을 더 포함할 수 있다. 제1 및 제2 서브 배기링(172, 173)은 1차 배기 공간(ES1) 내에 설치되고, 메인 배기링(171)의 링 플레이트(171a)와 마주하게 배치된다.
도 5는 도 1에 도시된 제1 서브 배기링을 나타낸 사시도이고, 도 6은 도 1에 도시된 제2 서브 배기링을 나타낸 사시도이다.
도 2 및 도 5를 참조하면, 제1 서브 배기링(172)은 링 플레이트(171a)의 상부에 배치되고, 도 5에 도시된 것처럼 링 형상으로 이루어진다. 제1 서브 배기링(172)은 기판 지지부(121)를 둘러싸며, 다수의 제2 배기홀(172a)이 형성된다. 제1 서브 배기링(172)은 다수의 제2 배기홀(172a)이 형성된 면이 링 플레이트(171a)로부터 이격되어 위치한다.
도 2 및 도 6을 참조하면, 제2 서브 배기링(173)은 제1 서브 배기링(172)과 링 플레이트(171a) 사이에 배치되고, 도 6에 도시된 것처럼 링 형상으로 이루어지며, 다수의 제3 배기홀(173a)이 형성된다. 제2 서브 배기링(173)은 기판 지지부(121)를 둘러싸며, 다수의 제3 배기홀(173a)이 형성된 면이 제1 서브 배기링(172) 및 링 플레이트(171a)로부터 이격되어 위치한다.
이 실시예에 있어서, 각각의 제2 및 제3 배기홀(172a, 173a)은 대체로 원 형상으로 형성되고, 제1 배기홀(171c)과 제2 배기홀(172a) 및 제3 배기홀(173a)은 서로 다른 크기로 형성된다.
또한, 이 실시예에 있어서, 배기 유닛(170)은 두 개의 서브 배기링(172, 173)을 구비하나, 서브 배기링(172, 173)의 개수는 공정 공간(PS)과 1차 배기 공간(ES1)의 크기 및 배기 펌프(185)의 압력에 따라 증가하거나 감소할 수도 있다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 메인 배기링(171)은 다수의 서브 플레이트(171d)를 더 포함할 수 있다. 이 실시예에 있어서, 메인 배기링(171)은 8개의 서브 플레이트(171d)를 구비하나, 서브 플레이트(171d)의 개수는 서브 플레이트(171d)의 크기에 따라 증가하거나 감소할 수도 있다.
도 3에 도시된 바와 같이, 다수의 서브 플레이트(171d)는 링 플레이트(171a)의 배면에 결합되며, 1차 배기 공간(ES1)에 유입된 잔류 가스 및 반응 부산물을 2차 배기 공간(ES2)으로 배기하는 다수의 제4 배기홀(171e)이 형성된다. 각각의 제4 배기홀(171e)은 제1 배기홀(171c)과 서로 다른 크기로 형성된다. 본 발명의 일례로, 각각의 제4 배기홀(171e)은 대체로 타원 형상으로 형성된다.
한편, 챔버(110)의 바닥면(111)에는 배기 라인(181)이 연결되고, 배기 라인(181)에는 배기 펌프(185)가 연결된다. 배기 라인(181)은 챔버(110)의 바닥면(111a)에 형성된 챔버 배기홀(111a)에 연결되고, 2차 배기 공간(ES2) 안의 잔류 가스와 반응 부산물을 챔버(110) 외부로 배출한다. 배기 라인(181)에 연결된 배기 펌프(185)는 배기 라인(181) 내의 배기압과 챔버(110) 내부의 전체적인 배기압을 조절한다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 기판 처리 장치(100)를 이용하여 박막 처리 공정이 이루어지는 과정을 구체적으로 설명한다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법을 나타낸 흐름도이고, 도 8은 도 1에 도시된 기판 처리 장치에서 제1 반응 가스를 공급하는 과정을 나타낸 공정도이며, 도 9는 제1 반응 가스 공급 시 도 10에 도시된 기판 지지대와 배플 및 배기 유닛의 동작 관계를 구체적으로 나타낸 공정도이다.
도 7 내지 도 9를 참조하면, 먼저, 기판 지지부재(120)의 기판 지지부(121) 상면에 기판(10)을 안착시키고, 기판 지지부(121)는 안착된 기판(10)을 상면에 고정한다(단계 S110).
이어, 승강 부재(190)는 배플(160)을 하향 수직 이동시켜 공정 공간(PS)을 밀폐시킨 후 제1 반응 가스(PC)를 밀폐된 공정 공간(PS) 안으로 제공하여 기판(10)에 흡착시킨다(단계 S120).
구체적으로, 배플(160)이 하향 수직 이동하면, 도 9에 도시된 바와 같이, 기판 지지부(121)를 둘러싼 배플(160)의 내주면(161)이 메인 배기링(171)의 측벽 링(171b) 상단부 내측면(71)과 맞닿게 된다. 그 결과, 기판(10)이 위치하는 공정 공간(PS)이 밀폐된다. 이어, 제1 반응 가스(PC)를 밀폐된 공정 공간(PS) 안으로 제공하여 기판(10)에 흡착시킨다. 제1 반응 가스(PC)는 제1 가스 공급부(141)로부터 제공되며, 먼저, 제1 가스 공급부(141)으로부터 리드(130)의 가스 유입홀(131)을 통해 리드(130) 내부로 유입된다. 리드(130) 내부에 유입된 제1 반응 가스(PC)는 샤워 헤드(150)에 형성된 다수의 분사홀(151)을 통해 공정 공간(PS) 안으로 유입되어 기판(10)의 상면에 흡착된다.
이렇게 공정 공간(PS)에 유입된 제1 반응 가스(PC) 중 일부분은 기판(10)에 흡착되지 못하고 미반응 전구체와 같은 잔류 가스로 공정 공간(PS) 안에 남을 수 있으며, 제1 반응 가스(PC)에 의해 반응 부유물이 공정 공간(PC) 안에서 생성될 수 있다. 이러한 잔류 가스와 반응 부유물은 후속 공정에 영향을 미쳐 박막 증착의 불량을 유발할 수 있다.
이를 방지하기 위해, 단계 S120에 이어 배기 유닛(170)은 기판(10)에 흡착되지 못하고 미반응 전구체와 같은 잔류 가스 및 제1 반응 가스에 의해 생성된 반응 부유물을 벤츄리 효과를 이용하여 퍼지한다(단계 S120).
이하, 도면을 참조하여 공정 공간(PS) 안의 잔류 가스와 반응 부유물을 퍼지하는 단계 S130에 대해 구체적으로 설명한다.
도 10은 도 7에 도시된 잔류 가스와 반응 부산물을 퍼지하는 과정을 나타낸 흐름도이고, 도 11은 도 1에 도시된 기판 처리 장치에서 잔류 가스와 반응 부산물을 퍼지하는 과정을 나타낸 공정도이며, 도 12는 도 11에 도시된 배기 유닛을 통해 잔류 가스와 반응 부산물이 배출되는 과정을 구체적으로 나타낸 공정도이다.
도 9 내지 도 12를 참조하면, 먼저, 잔류 가스와 반응 부산물을 퍼지하기 위한 퍼지 가스(PG)가 제2 가스 공급부(142)로부터 공정 공간(PS) 안으로 제공된다(단계 S131). 퍼지 가스(PG)는 먼저 제2 가스 공급부(142)로부터 리드(130)의 가스 유입홀(131)을 통해 리드(130) 내부로 유입되며, 리드(130) 내부로 유입된 퍼지 가스(PG)는 샤워 헤드(150)의 다수의 분사홀(151)을 통해 공정 공간(PS)으로 유입된다.
한편, 승강 부재(190)는 배플(160)을 상향 수직 이동시켜 배플(160)을 메인 배기링(171)의 측벽 링(171b)으로부터 이격시켜 공정 공간(ES)을 개방하고, 이에 따라, 배플(160)의 내주면(161)과 측벽 링(171b) 상단부의 내측면(71) 사이에 배기 통로(EP)가 형성된다(단계 S132). 이때, 챔버(110) 내부의 잔류 가스와 반응 부산물을 퍼지하기 위한 배기 펌프(185) 또한 함께 구동된다.
먼저, 공정 공간(PS) 안의 잔류 가스 및 반응 부산물은 배기 유닛(170) 측으로 이동하여 배기 통로(EP)를 통해 1차 배기 공간(ES1)으로 1차 배출된다(단계 S133).
구체적으로, 배플(160)의 상향 수직 이동에 의해 배플(160)의 내주면(161)이 측벽 링(171b)의 상단부로부터 이격되면, 배플(160)의 내주면(161)과 측벽 링(171b)의 상단부 내측면(71)과의 사이에 배기 통로(EP)가 형성된다. 배기 통로(EP)로 유입된 잔류 가스 및 반응 부산물은 측벽 링(171b)의 경사진 내측면(71)에 의해 1차 배기 공간(ES1)으로 가이드되어 1차 배기 공간(ES1)에 유입된다. 여기서, 도 11 및 도 12의 도면부호 NP는 잔류 가스 및 반응 부산물의 흐름을 나타낸다.
이렇게 잔류 가스 및 반응 부산물이 공정 공간(PS) 보다 상대적으로 좁은 배기 통로(EP)에 진입하면, 잔류 가스 및 반응 부산물은 벤츄리 효과에 의해 공정 공간(PS)에서보다 유속이 빨라진다. 이에 따라, 배기 유닛(170)은 벤츄리 효과를 이용하여 공정 공간(PS) 안의 잔류 가스와 반응 부산물을 외부로 신속하게 배출할 수 있다.
이때, 공정 공간(PS)으로부터 1차 배기 공간(ES1)으로 유입되는 잔류 가스 및 반응 부산물의 유속은 배기 통로(EP)의 폭에 따라 조절되므로, 기판 처리 장치(100)는 배플(160)의 수직 이동 거리를 조절하여 잔류 가스 및 반응 부산물이 배출되는 속도를 조절할 수 있다. 이에 따라, 기판 처리 장치(100)는 배기 펌프(185)의 배기압을 조절하지 않고서 잔류 가스와 반응 부산물의 배기 속도를 조절할 수 있다.
이렇게 1차 배기 공간(ES1)으로 배출된 잔류 가스와 반응 부산물은 다수의 제1 내지 제4 배기홀(171c, 172a, 173a, 171e)을 통해 2차 배기 공간(ES2)으로 2차 배출된다(단계 S134).
구체적으로, 1차 배기 공간(ES1)으로 유입된 잔류 가스 및 반응 부산물은 제1 서브 배기링(172)에 형성된 다수의 제2 배기홀(172a)과 제2 서브 배기링(173)에 형성된 다수의 제3 배기홀(173a)을 순차적으로 통과한 후, 링 플레이트(171a)에 형성된 다수의 제1 배기홀(171c)과 다수의 서브 플레이트(171d)에 형성된 다수의 제4 배기홀(171e)을 순차적으로 통과하여 2차 배기 공간(ES2)에 배출된다.
2차 배기 공간(ES2)에 유입된 잔류 가스 및 반응 부산물은 챔버(110) 바닥면(111)에 형성된 챔버 배기홀(111a)을 통해 배기 라인(181)으로 유입되어 챔버(110) 외부로 배출된다(단계 S135). 이로써, 제1 반응 가스에 의해 생성되어 챔버(110) 내부에 잔존하던 잔류 가스 및 반응 부산물의 퍼지가 완료된다.
이렇게 본 발명의 기판 처리 장치(100)는 공정 공간(PS)을 개방하여 공정 공간(PS) 안의 잔류 가스와 반응 부산물을 배기 라인(181)과 연통되는 챔버 배기홀(111a) 측으로 곧바로 유도하지 않고, 배기 유닛(170)을 이용한 공간 분할을 통해 챔버(110) 내의 잔류 가스와 반응 부산물을 순차적으로 배출하므로, 잔류 가스와 반응 부산물을 신속하고 원활하게 배출할 수 있다.
다시, 도 7 및 도 8을 참조하면, 제1 반응 가스(PC)에 의해 생성된 잔류 가스와 반응 부산물의 퍼지가 완료되면, 다시 배플(160)을 하향 수직 이동시켜 공정 공간(PS)을 밀폐한 후, 제2 반응 가스를 공정 공간(PS)에 공급하여 기판(10)에 원자층을 형성한다(단계 S140).
이어, 제2 반응 가스에 의해 챔버(110) 내부에 생성된 잔류 가스와 반응 부산물을 벤츄리 효과를 이용하여 퍼지한다(단계 S150).
이 실시예에 있어서, 제2 반응 가스를 공급하여 기판(10)에 흡착시키는 단계 S140는 단계 S120과 동일하고, 제2 반응 가스에 의해 생성된 잔류 가스와 반응 부산물을 제거하는 단계 S150은 단계 S130과 동일하므로, 이에 대한 구체적인 설명은 생략한다.
또한, 이 실시예에 있어서, 기판(10)에 증착되는 박막은 단계 S120부터 단계 S150까지를 한 주기로 하여 생성되며, 기판 처리 장치(100)는 단계 S120부터 단계 S150까지를 순차적으로 반복 실시하여 박막을 생성한다.
이상에서는 본 발명의 기판 처리 장치(100)가 기판(10)을 처리하는 방법 중 기판(10)에 박막을 형성하는 증착 공정을 수행하는 것을 일례로 하여 설명하였으나, 본 발명의 기판 처리 장치(100)가 이용될 수 있는 반도체 공정은 이에 한정되지 않으며, 기판(10) 상의 박막을 식각하는 식각 공정에도 이용될 수 있다.
이상 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
100 : 기판 처리 장치 110 : 챔버
120 : 기판 지지부재 130 : 리드
140 : 가스 공급부 150 : 샤워 헤드
160 : 배플 170 : 배기 유닛
171 : 메인 배기링 172 : 제1 서브 배기링
173 : 제2 서브 배기링 181 : 배기 라인
185 : 배기 펌프 190 : 승강 부재

Claims (18)

  1. 반응 가스를 공급받아 반도체 공정이 이루어지는 공정 공간이 내부에 형성된 챔버;
    상기 챔버 내부에 설치되고, 기판이 안착되는 기판 지지부재;
    링 형상으로 형성되어 상기 기판 지지부재를 둘러싸며, 상기 반도체 공정 과정에서 생성된 잔류 가스와 반응 부산물이 상기 공정 공간으로부터 유입되는 1차 배기 공간이 형성된 배기 유닛; 및
    상기 공정 공간 내에서 상기 배기 유닛의 상부에 설치되고, 링 형상으로 형성되어 상기 기판 지지부재를 둘러싸며, 수직 이동에 의해 내주면이 상기 배기 유닛과 분리 가능하게 결합되어 상기 공정 공간을 개폐하고, 상기 공정 공간의 잔류 가스 및 반응 부산물이 상기 1차 배기 공간으로 이동하도록 상향 수직 이동하여 상기 배기 유닛의 내주면과의 사이에 배기 통로를 형성하는 배플을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 배기 유닛은,
    상기 배플과의 사이에 상기 1차 배기 공간을 형성하는 메인 배기링을 포함하고,
    상기 메인 배기링은,
    상기 기판 지지부재를 둘러싸며, 상기 배플과 마주하게 배치되고, 상기 1차 배기 공간에 유입된 잔류 가스와 반응 부산물을 외부로 배기하는 다수의 제1 배기홀이 형성된 링 플레이트; 및
    상기 링 플레이트의 내주면으로부터 수직하게 연장되어 관 형상으로 형성되며, 상기 링 플레이트와 함께 상기 1차 배기 공간을 정의하고, 상기 배플의 하향 수직 이동에 의해 상기 배플의 내주면이 상단부에 결합되는 측벽 링을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 측벽 링은,
    상기 공정 공간 안의 잔류 가스 및 반응 부산물을 상기 1차 배기 공간 측으로 가이드하도록 상단부 내측면이 상기 링 플레이트를 향해 하향 경사지고,
    상기 배기 통로는,
    상기 배플의 상향 수직 이동에 의해 상기 배플의 내주면과 상기 측벽 링의 상단부 내측면이 이격되어 형성된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 측벽 링의 내측면은 계단 형상으로 이루어진 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  5. 제2항에 있어서,
    상기 배기 유닛은,
    상기 1차 배기 공간 내에서 상기 링 플레이트로부터 이격되어 배치되고, 다수의 제2 배기홀이 형성된 적어도 하나의 서브 배기링을 더 포함하고,
    상기 제1 배기홀의 크기와 상기 제2 배기홀의 크기가 서로 다른 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  6. 제2항에 있어서,
    상기 배기 유닛은,
    상기 1차 배기 공간 내에서 상기 링 플레이트로부터 이격되어 배치되고, 다수의 제2 배기홀이 형성된 제1 서브 배기링; 및
    상기 1차 배기 공간 내에서 제1 서브 배기링과 상기 링 플레이트 사이에 개재되고, 상기 제1 서브 배기링과 상기 링 플레이로부터 이격되어 배치되며, 다수의 제3 배기홀이 형성된 제2 서브 배기링을 더 포함하고,
    상기 제1 내지 제3 배기홀의 크기가 서로 다른 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 메인 배기링은,
    상기 링 플레이트에 결합되어 상기 1차 배기 공간의 외부에 구비되고, 다수의 제4 배기홀이 형성된 적어도 하나의 서브 플레이트를 더 포함하고,
    상기 제1 배기홀과 상기 제4 배기홀의 크기가 서로 다른 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치
  8. 제2항에 있어서,
    상기 기판 지지부재는,
    상기 기판이 안착되고, 측부에 단턱이 형성된 기판 지지대; 및
    상기 기판 지지대와 결합하여 상기 기판 지지대를 지지하는 지지축을 포함하고,
    상기 측벽 링은 상단부가 외측으로 돌출되어 상기 단턱에 결합된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 배플에 결합되어 상기 배플을 수직 이동시키는 승강 부재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 챔버에 연결되고, 상기 공정 공간으로부터 배출된 상기 잔류 가스와 반응 부산물을 상기 챔버 외부로 배출하는 배기 라인; 및
    상기 배기 라인에 연결된 배기 펌프를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  11. 공정 공간이 형성된 챔버 내에 설치된 기판 지지부재에 기판이 안착되는 단계;
    상기 챔버 내에서 상기 기판 지지부재를 둘러싼 배플을 하향 수직 이동시켜 상기 공정 공간을 밀폐한 후 반도체 공정을 위한 반응 가스를 상기 공정 공간 안으로 공급하는 단계; 및
    벤츄리 효과를 이용하여 상기 공정 공간에 잔존하는 잔류 가스와 반응 부산물을 퍼지하는 단계를 포함하고,
    상기 잔류 가스 및 반응 부산물을 퍼지하는 단계는,
    퍼지 가스를 상기 공정 공간 안으로 공급하는 단계;
    상기 배플을 상향 수직 이동시켜 상기 기판 지지부재를 둘러싸는 배기 통로를 형성하는 단계; 및
    상기 배기 통로를 통해 상기 공정 공간으로부터 상기 잔류 가스 및 반응 부산물을 1차 배출하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 반응 가스를 상기 공정 공간 안으로 공급하는 단계에서, 상기 배플은 하향 수직 이동에 의해 내주면이 상기 기판 지지부재를 둘러싼 배기 유닛의 측상단부에 결합되어 상기 공정 공간을 밀폐하고,
    상기 배기 통로는, 상기 배플의 상향 수직 이동에 의해 상기 배플의 내주면이 상기 배기 유닛의 측상단부로부터 이격되어 형성되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  13. 제11항에 있어서,
    상기 잔류 가스 및 반응 부산물이 챔버로부터 배출되는 속도는 상기 배플의 상향 수직 이동 거리에 따라 조절되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  14. 제11항에 있어서,
    상기 잔류 가스 및 반응 부산물을 1차 배출하는 단계에서, 상기 공정 공간의 잔류 가스 및 반응 부산물은 상기 배기 통로를 통해 상기 배플과 상기 배기 유닛이 이격되어 형성된 1차 배기 공간으로 1차 배출되고,
    상기 잔류 가스 및 반응 부산물을 퍼지하는 단계는, 상기 잔류 가스 및 반응 부산물을 1차 배출하는 단계 이후에,
    상기 배기 유닛이 상기 1차 배기 공간으로 유입된 상기 잔류 가스와 반응 부산물을 다수의 제1 배기홀을 통해 외부로 2차 배출하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 잔류 가스 및 반응 부산물을 1차 배출하는 단계에서, 상기 공정 공간 안의 상기 잔류 가스 및 반응 부산물은, 상기 배기 유닛의 경사진 측상단부 내측면을 따라 상기 1차 배기 공간으로 가이드 되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 잔류 가스 및 반응 부산물을 배출하는 단계는, 상기 잔류 가스 및 반응 부산물을 2차 배출하는 단계 이전에,
    상기 1차 배기 공간 안으로 유입된 상기 잔류 가스 및 반응 부산물이 상기 배기 유닛의 내부에 형성된 다수의 제2 배기홀을 통해 상기 다수의 제1 배기홀 측으로 배출되는 단계를 더 포함하고,
    상기 제2 배기홀과 상기 제1 배기홀은 서로 다른 직경으로 제공되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  17. 제15항에 있어서,
    상기 잔류 가스 및 반응 부산물을 배출하는 단계는, 상기 반응 가스 및 반응 부산물을 2차 배출하는 단계 이전에,
    상기 1차 배기 공간으로 유입된 상기 잔류 가스 및 반응 부산물이 상기 배기 유닛의 내부에 형성된 다수의 제2 배기홀과 다수의 제3 배기홀을 순차적으로 통과하여 상기 다수의 제1 배기홀 측으로 배출되는 단계를 더 포함하고,
    상기 제1 배기홀과 상기 제2 배기홀 및 상기 제3 배기홀은 서로 다른 크기로 제공되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 잔류 가스 및 반응 부산물을 2차 배출하는 단계는,
    상기 다수의 제3 배기홀을 통과한 상기 잔류 가스 및 반응 부산물이 상기 다수의 제1 배기홀을 통과한 후 상기 배기 유닛에 형성된 다수의 제4 배기홀을 통과하여 상기 1차 배기 공간으로부터 배출되는 것을 특징으로 기판 처리 방법.
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