JP2001267304A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
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- JP2001267304A JP2001267304A JP2000080336A JP2000080336A JP2001267304A JP 2001267304 A JP2001267304 A JP 2001267304A JP 2000080336 A JP2000080336 A JP 2000080336A JP 2000080336 A JP2000080336 A JP 2000080336A JP 2001267304 A JP2001267304 A JP 2001267304A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】半導体製造装置に於いて、ガス流量を調節可能
にし、安定した圧力及び流れを保ち、又部品加工コスト
を低減する。 【解決手段】基板２２を処理する反応室５と、該反応室
にガスを供給するガス供給口９と、前記反応室で前記基
板を支持するサセプタ１４と、該サセプタの基部外周に
設けた排気口１７と、前記サセプタと所定の隙間ｄを以
て前記排気口に取付けた排気口プレート２３とを有す
る。
にし、安定した圧力及び流れを保ち、又部品加工コスト
を低減する。 【解決手段】基板２２を処理する反応室５と、該反応室
にガスを供給するガス供給口９と、前記反応室で前記基
板を支持するサセプタ１４と、該サセプタの基部外周に
設けた排気口１７と、前記サセプタと所定の隙間ｄを以
て前記排気口に取付けた排気口プレート２３とを有す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、シリコンウェーハ
等の基板から半導体素子を製造する半導体製造装置に関
するものである。
等の基板から半導体素子を製造する半導体製造装置に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造工程には、反応室に反応ガス
を供給して基板に成膜し、パターンマスクを形成し、エ
ッチングし、エッチング後レジストを除去するアッシン
グ処理がある。基板を処理する場合、前記反応ガスは前
記基板の表面に均一に流れることが望ましいが、前記反
応室を排気しつつ前記反応ガスが供給される為、反応ガ
スの偏流の防止、圧力の安定化を行う為、排気構造につ
いて工夫が種々為されている。
を供給して基板に成膜し、パターンマスクを形成し、エ
ッチングし、エッチング後レジストを除去するアッシン
グ処理がある。基板を処理する場合、前記反応ガスは前
記基板の表面に均一に流れることが望ましいが、前記反
応室を排気しつつ前記反応ガスが供給される為、反応ガ
スの偏流の防止、圧力の安定化を行う為、排気構造につ
いて工夫が種々為されている。
【０００３】半導体製造装置の１つであり、排気構造を
具備した従来のアッシング装置を図４〜図７に於いて説
明する。
具備した従来のアッシング装置を図４〜図７に於いて説
明する。
【０００４】アッシング装置１は石英製の反応管２とア
ルミ製のチャンバ３を有し、前記反応管２は反応室５を
画成する有天円筒状の容器で、前記チャンバ３に気密に
立設されている。該チャンバ３は前記反応管２より大径
で前記反応室５と連続した空間を形成する円環状の中空
容器であり、底部より円筒状の内周壁４が立設され、該
内周壁４により貫通孔１３が形成されている。
ルミ製のチャンバ３を有し、前記反応管２は反応室５を
画成する有天円筒状の容器で、前記チャンバ３に気密に
立設されている。該チャンバ３は前記反応管２より大径
で前記反応室５と連続した空間を形成する円環状の中空
容器であり、底部より円筒状の内周壁４が立設され、該
内周壁４により貫通孔１３が形成されている。
【０００５】前記反応管２の外周に円筒状に形成したヘ
リカルコイル６が設けられ、該ヘリカルコイル６はシー
ルド筒体７により外側から遮蔽され、前記ヘリカルコイ
ル６に例えば２７ＭＨｚの高周波電力を供給する高周波
電源８が接続され、該高周波電源８及び前記シールド筒
体７は接地されている。
リカルコイル６が設けられ、該ヘリカルコイル６はシー
ルド筒体７により外側から遮蔽され、前記ヘリカルコイ
ル６に例えば２７ＭＨｚの高周波電力を供給する高周波
電源８が接続され、該高周波電源８及び前記シールド筒
体７は接地されている。
【０００６】前記反応管２の天井中央にガス供給口９が
設けられ、該ガス供給口９に酸素ガス（Ｏ2 ）等のガス
を供給するガス供給ライン１１が接続されている。前記
天井の下方に前記ガス供給口９に対向する様に石英製の
供給バッフルプレート１２が配設され、該供給バッフル
プレート１２は周縁と前記反応管２の内壁面との間に所
定の隙間を形成する様取付けられている。
設けられ、該ガス供給口９に酸素ガス（Ｏ2 ）等のガス
を供給するガス供給ライン１１が接続されている。前記
天井の下方に前記ガス供給口９に対向する様に石英製の
供給バッフルプレート１２が配設され、該供給バッフル
プレート１２は周縁と前記反応管２の内壁面との間に所
定の隙間を形成する様取付けられている。
【０００７】前記内周壁４の上端にサセプタ１４が気密
に設けられ、該サセプタ１４の下端外周にフランジ１５
が周設されている。前記チャンバ３の外周壁内側に内側
フランジ１６が前記フランジ１５と同じ高さに設けら
れ、前記内側フランジ１６とフランジ１５との間が環状
の排気口１７となっており、２つの半円弧状のバッフル
プレート１８が前記フランジ１５及び前記内側フランジ
１６に密着する様載置され、仕切られた下部は排気ダク
ト１９を形成し、該排気ダクト１９に排気ライン２０が
接続されている。
に設けられ、該サセプタ１４の下端外周にフランジ１５
が周設されている。前記チャンバ３の外周壁内側に内側
フランジ１６が前記フランジ１５と同じ高さに設けら
れ、前記内側フランジ１６とフランジ１５との間が環状
の排気口１７となっており、２つの半円弧状のバッフル
プレート１８が前記フランジ１５及び前記内側フランジ
１６に密着する様載置され、仕切られた下部は排気ダク
ト１９を形成し、該排気ダクト１９に排気ライン２０が
接続されている。
【０００８】前記バッフルプレート１８には、図５に示
す様に多数の通孔２１がガス流量を考慮し、所要の流路
抵抗となる様に穿設されている。
す様に多数の通孔２１がガス流量を考慮し、所要の流路
抵抗となる様に穿設されている。
【０００９】前記チャンバ３に図示しない搬送手段によ
りエッチングが完了した基板２２が搬入出可能になって
いる。搬送される該基板２２の表面には有機高分子のレ
ジスト膜（図示せず）が残存し、前記アッシング装置１
に於いて除去される。
りエッチングが完了した基板２２が搬入出可能になって
いる。搬送される該基板２２の表面には有機高分子のレ
ジスト膜（図示せず）が残存し、前記アッシング装置１
に於いて除去される。
【００１０】搬入される前記基板２２は前記サセプタ１
４に載置される。前記基板２２の搬入後前記排気ライン
２０により前記反応室５が減圧される。前記高周波電源
８から前記ヘリカルコイル６に高周波電力が給電され、
該ヘリカルコイル６により前記反応室５が加熱される。
前記ガス供給ライン１１から前記ガス供給口９を経て前
記反応室５に酸素ガスが供給され、該酸素ガスが高周波
により加熱され、プラズマ１０が発生する。
４に載置される。前記基板２２の搬入後前記排気ライン
２０により前記反応室５が減圧される。前記高周波電源
８から前記ヘリカルコイル６に高周波電力が給電され、
該ヘリカルコイル６により前記反応室５が加熱される。
前記ガス供給ライン１１から前記ガス供給口９を経て前
記反応室５に酸素ガスが供給され、該酸素ガスが高周波
により加熱され、プラズマ１０が発生する。
【００１１】前記チャンバ３は前記排気ライン２０によ
り継続して排気されているが、前記反応室５から前記排
気ダクト１９に至る途中に前記バッフルプレート１８が
存在し、該バッフルプレート１８の持つ排気抵抗により
ガスの流れが調整される。前記プラズマ１０により前記
基板２２のレジスト膜がアッシングされる。
り継続して排気されているが、前記反応室５から前記排
気ダクト１９に至る途中に前記バッフルプレート１８が
存在し、該バッフルプレート１８の持つ排気抵抗により
ガスの流れが調整される。前記プラズマ１０により前記
基板２２のレジスト膜がアッシングされる。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】然し、前記バッフルプ
レート１８は前記通孔２１の径、数等により排気抵抗を
決定しているが、実際には図７に示す様に、前記バッフ
ルプレート１８と内側フランジ１６、バッフルプレート
１８とフランジ１５との間に間隙ａ，ｂが生じ易い。
レート１８は前記通孔２１の径、数等により排気抵抗を
決定しているが、実際には図７に示す様に、前記バッフ
ルプレート１８と内側フランジ１６、バッフルプレート
１８とフランジ１５との間に間隙ａ，ｂが生じ易い。
【００１３】この間隙ａ，ｂは、前記バッフルプレート
１８、チャンバ３、サセプタ１４の加工誤差によっても
発生する。即ち、ガスは前記間隙ａ，ｂにも流れるの
で、該間隙ａ，ｂは排気抵抗の不特定要素となってい
る。この為、前記通孔２１のみで排気抵抗を調整しよう
としても、予定した排気抵抗を得るのは難しく、前記反
応室５の圧力調整は充分に為し得ない。又、前記バッフ
ルプレート１８は全面に多数の通孔２１を有する為、前
記反応室５の壁面に沿って流れる酸素ガス流について
は、前記基板２２の表面に沿って流れずに、直接周辺の
前記通孔２１に向かう偏流が生じ易い。この為、ガスの
消費量が多くなると共に、アッシング効率が充分とはい
えなかった。
１８、チャンバ３、サセプタ１４の加工誤差によっても
発生する。即ち、ガスは前記間隙ａ，ｂにも流れるの
で、該間隙ａ，ｂは排気抵抗の不特定要素となってい
る。この為、前記通孔２１のみで排気抵抗を調整しよう
としても、予定した排気抵抗を得るのは難しく、前記反
応室５の圧力調整は充分に為し得ない。又、前記バッフ
ルプレート１８は全面に多数の通孔２１を有する為、前
記反応室５の壁面に沿って流れる酸素ガス流について
は、前記基板２２の表面に沿って流れずに、直接周辺の
前記通孔２１に向かう偏流が生じ易い。この為、ガスの
消費量が多くなると共に、アッシング効率が充分とはい
えなかった。
【００１４】前記隙間ａ，ｂを是正する場合、前記バッ
フルプレート１８は調整ができない為、作り直すことに
なり、手間とコストが掛かる。又、前記バッフルプレー
ト１８に前記多数の通孔２１を穿設する為、製作コスト
が掛かる。
フルプレート１８は調整ができない為、作り直すことに
なり、手間とコストが掛かる。又、前記バッフルプレー
ト１８に前記多数の通孔２１を穿設する為、製作コスト
が掛かる。
【００１５】本発明は斯かる実情に鑑み、予定した排気
抵抗が確実に得られ、ガス流量の調節も可能とし、安定
した圧力及び流れを実現し、装置の製作コストの低減を
図るものである。
抵抗が確実に得られ、ガス流量の調節も可能とし、安定
した圧力及び流れを実現し、装置の製作コストの低減を
図るものである。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明は、基板を処理す
る反応室と、該反応室にガスを供給するガス供給口と、
前記反応室で前記基板を支持するサセプタと、該サセプ
タの周囲に設けた排気口と、該排気口を覆い前記サセプ
タとの間に間隙を形成する排気口プレートとを具備する
半導体製造装置に係り、又排気口プレートが下面外周縁
部にシール用凸条を有し、内周縁部に隙間調整手段を備
えた半導体製造装置に係るものである。
る反応室と、該反応室にガスを供給するガス供給口と、
前記反応室で前記基板を支持するサセプタと、該サセプ
タの周囲に設けた排気口と、該排気口を覆い前記サセプ
タとの間に間隙を形成する排気口プレートとを具備する
半導体製造装置に係り、又排気口プレートが下面外周縁
部にシール用凸条を有し、内周縁部に隙間調整手段を備
えた半導体製造装置に係るものである。
【００１７】供給したガスは、サセプタと排気口プレー
トとの間の隙間より排気されるので、ガスがサセプタの
周囲に集中して流れ、且つ安定した圧力及び流量が得ら
れる。前記排気口プレートは無孔である為部品加工コス
トが低減され、隙間調整も可能である為作り直す必要が
ない。又、前記排気口プレートに隙間調整手段を設けれ
ば、前記隙間調整が更に容易で、ガスの圧力及び流量の
調整範囲が広くなる。
トとの間の隙間より排気されるので、ガスがサセプタの
周囲に集中して流れ、且つ安定した圧力及び流量が得ら
れる。前記排気口プレートは無孔である為部品加工コス
トが低減され、隙間調整も可能である為作り直す必要が
ない。又、前記排気口プレートに隙間調整手段を設けれ
ば、前記隙間調整が更に容易で、ガスの圧力及び流量の
調整範囲が広くなる。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ本発明の
実施の形態を説明する。
実施の形態を説明する。
【００１９】図１〜図３に於いて本発明の実施の形態を
説明する。
説明する。
【００２０】尚、図１〜図３中、図４〜図７中と同等の
ものには同符号を付してある。
ものには同符号を付してある。
【００２１】アッシング装置１は石英製の反応管２とア
ルミ製のチャンバ３を有し、前記反応管２は反応室５を
画成する有天円筒状の容器で、前記チャンバ３に気密に
立設されている。該チャンバ３は前記反応管２より大径
で前記反応室５と連続した空間を形成する円環状の中空
容器であり、底部より円筒状の内周壁４が立設され、該
内周壁４により貫通孔１３が形成されている。
ルミ製のチャンバ３を有し、前記反応管２は反応室５を
画成する有天円筒状の容器で、前記チャンバ３に気密に
立設されている。該チャンバ３は前記反応管２より大径
で前記反応室５と連続した空間を形成する円環状の中空
容器であり、底部より円筒状の内周壁４が立設され、該
内周壁４により貫通孔１３が形成されている。
【００２２】前記反応管２の外周に円筒状に形成したヘ
リカルコイル６が設けられ、該ヘリカルコイル６はシー
ルド筒体７により外側から遮蔽され、前記ヘリカルコイ
ル６に例えば２７ＭＨｚの高周波電力を供給する高周波
電源８が接続され、該高周波電源８及び前記シールド筒
体７は接地されている。
リカルコイル６が設けられ、該ヘリカルコイル６はシー
ルド筒体７により外側から遮蔽され、前記ヘリカルコイ
ル６に例えば２７ＭＨｚの高周波電力を供給する高周波
電源８が接続され、該高周波電源８及び前記シールド筒
体７は接地されている。
【００２３】前記反応管２の天井中央にガス供給口９が
設けられ、該ガス供給口９に酸素ガス（Ｏ2 ）等のガス
を供給するガス供給ライン１１が接続されている。前記
天井の下方に前記ガス供給口９に対向する様に石英製の
供給バッフルプレート１２が配設され、該供給バッフル
プレート１２は周縁と前記反応管２の内壁面との間に所
定の隙間を形成する様取付けられている。
設けられ、該ガス供給口９に酸素ガス（Ｏ2 ）等のガス
を供給するガス供給ライン１１が接続されている。前記
天井の下方に前記ガス供給口９に対向する様に石英製の
供給バッフルプレート１２が配設され、該供給バッフル
プレート１２は周縁と前記反応管２の内壁面との間に所
定の隙間を形成する様取付けられている。
【００２４】前記内周壁４の上端にサセプタ１４が気密
に設けられ、該サセプタ１４の下端外周にフランジ１５
が周設されている。前記チャンバ３の外周壁内側に内側
フランジ１６が前記フランジ１５と同じ高さに設けら
れ、前記内側フランジ１６とフランジ１５との間が環状
の排気口１７となっており、２つの半円弧状のバッフル
プレート２３が前記フランジ１５及び内側フランジ１６
に載置され、仕切られた下部は排気ダクト１９を形成
し、該排気ダクト１９に排気ライン２０が接続されてい
る。
に設けられ、該サセプタ１４の下端外周にフランジ１５
が周設されている。前記チャンバ３の外周壁内側に内側
フランジ１６が前記フランジ１５と同じ高さに設けら
れ、前記内側フランジ１６とフランジ１５との間が環状
の排気口１７となっており、２つの半円弧状のバッフル
プレート２３が前記フランジ１５及び内側フランジ１６
に載置され、仕切られた下部は排気ダクト１９を形成
し、該排気ダクト１９に排気ライン２０が接続されてい
る。
【００２５】前記バッフルプレート２３には孔は穿設さ
れてなく、無孔であり、下面外縁部にシール用凸条２４
が半円弧状に連続して突設され、内縁部に所要数の調整
ネジ２５が螺設され、該調整ネジ２５は前記バッフルプ
レート２３を貫通し、下端は前記フランジ１５に当接し
ている。而して、前記バッフルプレート２３と前記フラ
ンジ１５間には間隙ｄが形成される。
れてなく、無孔であり、下面外縁部にシール用凸条２４
が半円弧状に連続して突設され、内縁部に所要数の調整
ネジ２５が螺設され、該調整ネジ２５は前記バッフルプ
レート２３を貫通し、下端は前記フランジ１５に当接し
ている。而して、前記バッフルプレート２３と前記フラ
ンジ１５間には間隙ｄが形成される。
【００２６】該間隙ｄは前記調整ネジ２５により調整さ
れ、間隙を通過するガスに所定の流路抵抗が発生する様
に設定する。
れ、間隙を通過するガスに所定の流路抵抗が発生する様
に設定する。
【００２７】以下、作用について説明する。
【００２８】前記チャンバ３に図示しない搬送手段によ
りエッチングが完了した基板２２が搬入出可能になって
いる。搬送される該基板２２の表面には有機高分子のレ
ジスト膜（図示せず）が残存し、前記アッシング装置１
に於いて除去される。
りエッチングが完了した基板２２が搬入出可能になって
いる。搬送される該基板２２の表面には有機高分子のレ
ジスト膜（図示せず）が残存し、前記アッシング装置１
に於いて除去される。
【００２９】搬入された前記基板２２は前記サセプタ１
４に載置される。前記基板２２の搬入後前記排気ライン
２０により前記反応室５が減圧される。前記高周波電源
８から前記ヘリカルコイル６に高周波電力が給電され、
該ヘリカルコイル６により前記反応室５が加熱される。
前記ガス供給ライン１１から前記ガス供給口９を経て前
記反応室５に酸素ガスが供給され、該酸素ガスが高周波
により加熱され、プラズマ１０が発生する。
４に載置される。前記基板２２の搬入後前記排気ライン
２０により前記反応室５が減圧される。前記高周波電源
８から前記ヘリカルコイル６に高周波電力が給電され、
該ヘリカルコイル６により前記反応室５が加熱される。
前記ガス供給ライン１１から前記ガス供給口９を経て前
記反応室５に酸素ガスが供給され、該酸素ガスが高周波
により加熱され、プラズマ１０が発生する。
【００３０】前記チャンバ３は前記排気ライン２０によ
り継続して排気されている。前記シール用凸条２４は前
記内側フランジ１６と線接触し、前記バッフルプレート
２３外周部が隙間なくシールされているので、前記酸素
ガスは前記バッフルプレート２３内周部の前記隙間ｄを
通って排気される。
り継続して排気されている。前記シール用凸条２４は前
記内側フランジ１６と線接触し、前記バッフルプレート
２３外周部が隙間なくシールされているので、前記酸素
ガスは前記バッフルプレート２３内周部の前記隙間ｄを
通って排気される。
【００３１】該隙間ｄは前記サセプタ１４の周囲に位置
している為、図３に示す様に酸素ガスが前記サセプタ１
４上の前記基板２２に集中し、安定した流れとなり、該
基板２２のレジスト膜が前記プラズマ１０により効率的
にアッシングされる。
している為、図３に示す様に酸素ガスが前記サセプタ１
４上の前記基板２２に集中し、安定した流れとなり、該
基板２２のレジスト膜が前記プラズマ１０により効率的
にアッシングされる。
【００３２】前記隙間ｄは前記調整ネジ２５により調整
可能である為、排気抵抗が調整され、アッシング処理に
適した流路抵抗が実現できる。又、アッシングだけでな
く、種々のプロセス処理に適した流路抵抗とすることも
可能である。
可能である為、排気抵抗が調整され、アッシング処理に
適した流路抵抗が実現できる。又、アッシングだけでな
く、種々のプロセス処理に適した流路抵抗とすることも
可能である。
【００３３】前記バッフルプレート２３は無孔であるの
で加工及び製作が容易で、然も前記調整ネジ２５により
隙間ｄの調整が可能なので、従来の様な高い加工精度を
必要とせず且つ加工誤差があったとしても調整により対
応することができ、作り直しする必要がなくなる。
で加工及び製作が容易で、然も前記調整ネジ２５により
隙間ｄの調整が可能なので、従来の様な高い加工精度を
必要とせず且つ加工誤差があったとしても調整により対
応することができ、作り直しする必要がなくなる。
【００３４】上記した様に本発明では、排気口プレート
が下面外周縁部にシール用凸条を有し、内周縁部に隙間
調整手段を備えた構成を有するので、隙間調整が容易
で、ガスの圧力及び流量の調整範囲が広くなり、製品品
質が向上すると共に種々のプロセス処理に経済的に対応
できる。
が下面外周縁部にシール用凸条を有し、内周縁部に隙間
調整手段を備えた構成を有するので、隙間調整が容易
で、ガスの圧力及び流量の調整範囲が広くなり、製品品
質が向上すると共に種々のプロセス処理に経済的に対応
できる。
【００３５】尚、本発明の半導体製造装置は、上述の実
施の形態に於けるアッシング装置に限定されるものでは
なく、他の成膜処理装置にも適用でき、ガスは酸素ガス
以外の成膜用反応ガスでもよく、加熱手段は抵抗加熱ヒ
ータ、ランプヒータでもよく、バッフルプレートは円環
形状のもの或は円環を３分割以上したものでもよいこと
は勿論である。
施の形態に於けるアッシング装置に限定されるものでは
なく、他の成膜処理装置にも適用でき、ガスは酸素ガス
以外の成膜用反応ガスでもよく、加熱手段は抵抗加熱ヒ
ータ、ランプヒータでもよく、バッフルプレートは円環
形状のもの或は円環を３分割以上したものでもよいこと
は勿論である。
【００３６】
【発明の効果】以上述べた如く本発明によれば、サセプ
タと排気口プレートとの間の隙間により排気する様にし
たので、バッフルプレート或は他の構成物の加工精度に
影響されることなく、所要の排気抵抗が得られ、又ガス
がサセプタの周囲に集中して流れ、且つ安定した圧力及
び流量が得られる為、処理効率が向上する。又、前記排
気口プレートは無孔である為、部品加工コストが低減さ
れる等種々の優れた効果を発揮する。
タと排気口プレートとの間の隙間により排気する様にし
たので、バッフルプレート或は他の構成物の加工精度に
影響されることなく、所要の排気抵抗が得られ、又ガス
がサセプタの周囲に集中して流れ、且つ安定した圧力及
び流量が得られる為、処理効率が向上する。又、前記排
気口プレートは無孔である為、部品加工コストが低減さ
れる等種々の優れた効果を発揮する。
【図１】本発明の実施の形態を示す断面図である。
【図２】該実施の形態に於けるバッフルプレートの断面
図である。
図である。
【図３】該実施の形態に於けるガスの流れを示す断面図
である。
である。
【図４】従来例の断面図である。
【図５】該従来例に於けるバッフルプレートの斜視図で
ある。
ある。
【図６】該従来例に於けるガスの流れを示す断面図であ
る。
る。
【図７】図６に於けるバッフルプレート部の拡大断面図
である。
である。
１ アッシング装置 ２ 反応管 ３ チャンバ ５ 反応室 ６ ヘリカルコイル ８ 高周波電源 ９ ガス供給口 １４ サセプタ １５ フランジ １６ 内側フランジ ２２ 基板 ２３ バッフルプレート ２４ シール用凸条 ２５ 調整ネジ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 渡辺 誠治 東京都中野区東中野三丁目14番20号 国際 電気株式会社内 Ｆターム(参考） 5F004 AA16 BA20 BB11 BB17 BB18 BC02 BC03 BC08 BD01 DA26 DB23 5F045 AA08 AC11 BB08 DP03 EB02 EG02 EG06 EH11
Claims (1)
- 【請求項１】 基板を処理する反応室と、該反応室にガ
スを供給するガス供給口と、前記反応室で前記基板を支
持するサセプタと、該サセプタの周囲に設けた排気口
と、該排気口を覆い前記サセプタとの間に間隙を形成す
る排気口プレートとを具備することを特徴とする半導体
製造装置。
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| JP2000080336A JP2001267304A (ja) | 2000-03-22 | 2000-03-22 | 半導体製造装置 |
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