TWI500793B - Substrate processing device - Google Patents

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TWI500793B
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Toshikazu Nakazawa
Norihito Tsukamoto
Keisuke Ueda
Eiji Ozaki
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Canon Anelva Corp
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Description

基板處理裝置
本發明是有關一種基板處理裝置，更詳細是有關一種對處理空間導入既定氣體進行成膜的基板處理裝置。
於真空下，進行成膜、蝕刻等之各種基板處理的真空處理裝置一般被廣泛的利用。如專利文獻1所示，於成膜之際，為了防止也會堆積在基板以外之部分的成膜物質、因蝕刻而飛散的被蝕刻物質(以下亦統一簡稱堆積物)附著在處理室的內壁，在真空處理裝置的內壁設有遮蔽物。希望遮蔽物儘可能包圍住基板處理空間(以下簡稱處理空間)，不讓處理室內壁產生堆積物。
藉由遮蔽物包圍住處理空間的情形下，如專利文獻1所示，會使得導入到處理空間的氣體，由遮蔽物彼此間或遮蔽物與其他構件間的間隙往處理空間的外部排氣。
而且，在專利文獻2中，提供一種於處理室中，將遮蔽物構成藉由上述遮蔽物形成的遮蔽物空間具有：圍繞基板夾具的成膜空間；和能夠收納可動板的可動板收納空間，且該遮蔽物設有兩個從空間進行排氣的排氣路徑。此種排氣路徑的第1排氣路徑，是設置在遮蔽物與基板夾具之間的間隙。另一方面，第2排氣路徑，是設置在上述可動板收納空間的開口部。
而且，可動板可在閉塞上述開口部的位置(但在可動 板與遮蔽物之間也可以稍微有點空隙)與將該開口部形成開口的位置之間移動。可動板在上述閉塞位置的情形下，導入到遮蔽物空間內的氣體主要由上述間隙排氣，可針對載置在基板夾具的基板面內，進行均勻的成膜處理。並且，可動板處於形成上述開口之位置的情形下，與可動板處於上述閉塞位置的情形相比，可大幅提升遮蔽物空間內的排氣傳導性，有效進行遮蔽物空間內之殘留氣體的排氣。
[先行技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開平第5-247639號公報
[專利文獻2]日本特開第2011-132580號公報
[專利文獻3]日本特開第2010-251604號公報
[專利文獻4]日本特開平第5-117867號公報
在真空下的基板處理中，如專利文獻3及4所示，據知導入到處理空間的氣體流量，會大大的影響到基板的處理特性。
另一方面，處理空間的壓力也會影響到基板以外的處理特性。因此，為了得到所希望的處理特性，一旦決定導入到處理空間內的氣體流量，必須與此一併將處理空間的壓力也調整到適當的範圍。
針對此問題，考慮到調整遮蔽物彼此的間隔、遮蔽物 與其他構件的間隔，並且調整由處理空間往處理空間以外的外部空間(以下也簡稱外部空間)的排氣量。但一併實行的基板處理，其適當設計遮蔽物等構件的間隔是件非常煩雜的事情。而且間隔過大會使得堆積到處理室內壁的堆積物增加。
而上述專利文獻2所揭示的技術，並未使用複雜的機構就能提升遮蔽物空間內的排氣傳導性，能有效進行該遮蔽物空間內的殘留氣體的排氣，因此為一項有力的技術。但還留下必須解決的課題。尤其是在遮蔽物空間內的殘留氣體排氣時，可動板在位在上述形成開口的位置時，由成膜空間飛來的粒子(例如濺鍍粒子)會從作為第2排氣路徑的開口部飛出遮蔽物空間的外部，使附著在處理室之內壁的粒子增加。亦即，雖設有遮蔽物，但卻形成使粒子附著在處理室之內壁的現象。
本發明是為了解決上述之課題所完成的發明，其目的在於提供一種能夠減低處理空間內所生成的粒子(例如濺鍍粒子)往形成著該處理空間之處理室的內壁附著，且一邊對處理空間以所希望的流量導入氣體、一邊簡便的調整處理空間的壓力之基板處理裝置。
本發明之一態樣，為基板處理裝置，其具備：用來處理基板的容器；用來進行前述容器內之氣體排氣的氣體排氣部；設置在前述容器內，用來保持前述基板的基板夾具；為設置在前述基板夾具之周圍的遮蔽物，並將前述容器內劃分成：處理前述基板的處理空間與該處理空間以外 的外部空間的遮蔽物；用以對前述處理空間內導入氣體的氣體導入部；用以對前述處理空間內生成電漿的電漿生成部；和為設置在前述遮蔽物，完成由前述處理空間往前述外部空間排氣的排氣部，並具有連通前述處理空間與前述外部空間的連通路徑，且該連通路徑的至少一部分會從藉由前述處理空間之前述電漿生成部生成前述電漿的區域被隱藏的排氣部為其特徵。
若藉由本發明就能夠減低處理空間內所生成的粒子往形成著該處理空間之處理室的內壁附著，且一邊對基板處理空間以所希望的流量導入氣體、一邊簡便的調整基板處理空間的壓力。
以下參照圖面說明本發明之實施形態。再者，本發明並不限於本實施形態，在不脫離其主旨的範圍可做適當變更。並於以下說明的圖面中，具有相同功能者附上相同符號，其重複的說明省略。而為了更易理解發明的內容，對於已說明過的要素，圖面中的符號也加以省略。
(第1實施形態)
於第1圖表示有關本發明之真空處理裝置(基板處理裝置)之一實施形態的濺鍍裝置。第1圖為濺鍍裝置100的全體概略圖。
如第1圖所示，濺鍍裝置100具有：作為真空容器的 處理室10、處理室的天花板壁10b、上蓋10a和鉸鏈部11。處理室10可藉由安裝在鉸鏈部11的上蓋10a打開內部空間。處理室10具備：用以保持標靶的標靶夾具5、和進行處理室10的內部排氣之例如真空幫浦的排氣部4。在標靶夾具5連接著電壓施加部19，該標靶夾具5作為陰極功能。並且在作為游標的標靶夾具5的周圍，是將已接地之作為陽極的標靶環20設成圍住保持在該標靶夾具5上的標靶(標靶保持面)。若以此種構成，藉由電壓施加部19對標靶夾具5施加既定電壓，就能夠在標靶附近引起放電生成電漿，進行標靶濺鍍。標靶夾具5也可以設複數個。在與標靶夾具5相對向的位置，設有載置基板1的基板夾具2。
基板夾具2可構成能夠在基板1的面內方向旋轉，或在基板1的垂直方向構成可轉動。在基板夾具2的基板載置面的上方，設有從標靶開始用來遮蔽基板1的閘門16。閘門16可藉由支臂15轉動，且可使基板1在從標靶夾具5開始遮蔽的遮蔽位置與基板1相對於標靶夾具5(標靶)而露出的退避位置之間移動。閘門開閉驅動部14是固定在上蓋10a。
在基板夾具2的周圍，設有用來防止或減低往處理室10之內部的膜附著之複數個遮蔽物3，藉由該遮蔽物3，針對處理室10之內部劃分成：生成電漿的處理空間22和處理室10內的處理空間22的外部空間23。在本實施形態中，設有閘門16之退避位置的閘門16之退避空間 24，也藉由遮蔽物3劃分，且成為處理空間22的一部分。上述退避空間24是藉由遮蔽物3劃分，且在可其內部配置閘門16，因此形成退避空間24的遮蔽物3的一部分，也可稱為閘門退避室。
遮蔽物3，可用不銹鋼等製作，且利用螺釘等安裝在處理室10內構成可定期性更換。為了對該處理空間22導入氬等處理氣體，貫通上蓋10a及天花板遮蔽物3a，設置氣體導入配管7。經由該氣體導入配管7，對處理空間22內導入處理氣體。並設有用來測定處理空間22之壓力的壓力計6。遮蔽物3是藉由支撐構件13支撐。
在上蓋10a，以被固定螺栓8支撐而設置著天花板遮蔽物3a。並且在基板夾具2的周邊，固定著設有環狀遮蔽物3g。而在環狀遮蔽物3g的外緣部，設有遮蔽物3d、遮蔽物3e及遮蔽物3f。遮蔽物3d、遮蔽物3e及遮蔽物3f於安裝時具有既定間隙，形成曲徑。通過該曲徑構造，連通處理空間22與外部空間23。
於劃分閘門16的退避空間24的遮蔽物3(上述遮蔽物退避室)，設有存在於有關本發明之處理空間22內的氣體往外部空間23進行排氣的第1排氣部21。該排氣部21被構成設置在連通退避空間24與外部空間23的連通路徑(排氣路)的至少一部分，從處理空間22內引起電漿生成的空間(電漿生成空間)被隱藏的位置，且經由上述連通路徑與氣體一起往外部空間23排氣。排氣部21理想上是構成可調整通過排氣部21從處理空間22往外部空間23排 氣的排氣流量。另一方面，上述曲折構造，能使處理空間22內的氣體從處理空間22一起往外部空間23排氣，因此作為存在於處理空間22內的氣體往外部空間23進行排氣的第2排氣部的功能。
再者，本發明的特徵之一，在於減低因濺鍍生成的濺鍍粒子被釋放到外部空間23，附著在處理室10的內壁。因而，由生成濺鍍粒子的場所、飛來大量濺鍍粒子的場所來看，希望上述排氣部21的連結路徑的至少一部分被隱藏。作為此種場所，舉例有標靶夾具5與基板夾具2之間的空間。因而，由另一面來說，在本實施態，是在由標靶夾具5與基板夾具2之間的空間被隱藏的位置，設置上述連通路徑的至少一部分。
在本實施形態，排氣路徑被設計成氣體導入配管7被連接在處理室10的氣體導入部與排氣部21的距離為大於排氣部4被連接在處理室10的氣體排氣部與排氣部21的距離。因此，導入到處理空間22的氣體充分擴散之後，通過排氣部21藉由排氣部4排氣，就能減低基板面內的處理偏差。
而排氣部21希望被設置在標靶夾具(陰極)5、電壓施加部19、以及標靶環(陽極)20形成的電漿區域之外。藉由設在電漿區域之外，就能防止或減低對排氣部21之膜的堆積、電漿的外漏。
以下參照第2A、2B圖針對排氣部21做說明。第2A、2B圖是放大表示排氣部21的圖。第2A圖是表示針 對第1圖的濺鍍裝置100的剖面圖放大排氣部21狀態的圖，第2B圖是表示第2A圖之IIB-IIB線箭頭方向所視剖面圖。
排氣部21具備：形成在用來限定退避空間24的遮蔽物3，且用來連通處理空間22與外部空間23的開口部3a；為圍繞開口部3a的外周(開口部3a的緣部)，且從開口部3a的緣部延伸至處理空間22側的環狀第1突出部30，第1突出部30的一端之面30b與上述開口部3a的緣部接觸的第1突出部30；為設成覆蓋開口部3a的罩子31，被連接在第1突出部30之另一端(與遮蔽物3側相反側的端)的接觸面30a(處理空間22側的端)的罩子31；和形成在上述第1突出部30的另一端的一部分的缺口部30c。罩子31，對第1突出部30利用螺釘等固定成接觸面30a與第1突出部30連接。而第1突出部30，對遮蔽物3利用螺釘等固定成面30b與遮蔽物3連接。
如第2B圖所示，於第1突出部30設有缺口部30c，且形成缺口部30c的接觸面30a與罩子31形成接觸，因此缺口部30c被形成在第1突出部30與罩子31之間的間(也稱「間隙30c」)。因而，在與第1突出部30的罩子31之固定部分以外的區域，具有由電漿生成空間被隱藏的間隙30c，且排氣部21是構成氣體得以從形成在第1突出部30與罩子31之間的間隙30c排氣。退避空間24(處理空間22)與第1突出部30的中空部30d是藉由間隙30c連通，且該中空部30d連通至開口部3a。因而， 隔著間隙30c、中空部30d及開口部3a，使退避空間24(處理空間22)與外部空間23連通。亦即，上述間隙30c、上述中空部30d及上述開口部3a為上述連通路徑。再者，如第2圖所示，罩子31不光是遮蔽物3的開口部3a，也覆蓋第1突出部30，更能防止或減低濺鍍粒子往外部空間23飛散。
第3圖是表示由處理空間22側觀看排氣部21之時的樣子的圖，並用來說明相互的構件之位置關係的圖。對罩子31連接第1突出部30的面30a，罩子31利用螺釘32對第1突出部30固定。再者，藉由第1突出部30形成的開口部，亦即藉由中空部30d形成的開口部，未必需要比形成在遮蔽物3的開口部3a還大。亦即藉由中空部30d形成的開口部小於開口部3a，也可以控制排氣量。
若藉由此種構成，就能防止或減低形成在處理空間22的電漿，從處理空間22流出。而且能減低濺鍍粒子流出到處理空間22的外部空間23，附著在處理室10的內壁。
第1突出部30及罩子31，可為相對於遮蔽物3被設置在處理空間22與外部空間23的任一側，但被設在處理空間22側，更能減低濺鍍粒子往外部空間23流出。
針對此點，採用第4A、4B圖做具體說明。
第4A圖是表示第1突出部30及罩子31相對於遮蔽物3處於外部空間24之側的圖。第4B圖是如第2圖所示，表示在處理空間22之側，相對於遮蔽物3具有第1 突出部30及罩子31的情形之圖。
第4A圖的情形，為連通路徑之一部分的間隙30c，是藉由遮蔽物3及第1突出部30自電漿生成空間(若由另一側面而言，為標靶夾具5與基板夾具2之間的空間)被隱藏。此時，飛散至排氣部21的濺鍍粒子M會碰撞到罩子31，得以流出外部空間23。對此，第4B圖的情形，連通路徑全部(間隙30c、中空部d、開口部3a)會自電漿生成空間(由另一側面而言，為標靶夾具5與基板夾具2之間的空間)被隱藏，飛散到排氣部21的濺鍍粒子M，必須以某種決定的射入角再次碰撞到遮蔽物3，不得通過罩子31與第1突出部30的間隙30c。因此能減低由處理空間22流出到外部空間23的濺鍍粒子。且由於可減低濺鍍粒子往罩子31與第1突出部30的間隙30c堆積，因此即使進行長時間濺鍍的情形下也難以產生排氣量的變化。
如上述，排氣部21相對於遮蔽物3設置在處理空間22側(第4B圖)，可減低濺鍍粒子往外部空間23流出很理想，但即使排氣部21相對於遮蔽物3設置在外部空間23側(第4A圖)仍可減低濺鍍粒子往外部空間23流出。於第4A圖中，如上述，處理空間22與外部空間23的連通路徑的一部分的間隙30c，被設置在無法由電漿生成空間觀看的位置。因而，更能減低直線飛出的濺鍍粒子M，直接射入到間隙30c。而有關利用罩子31被反射的濺鍍粒子，射入到間隙30c，但上述反射的濺鍍粒子的大部分不會射入到間隙30c，會往處理空間22側飛出。因而， 如第4A圖和第4B圖所示，排氣部21構成上述連通路徑的至少一部分自處理空間22的電漿生成空間(由另一側面而言，為標靶夾具5與基板夾具2之間的間隙)被隱藏，有關連通路徑的至少一部分(上述隱藏的部分)直線飛來的濺鍍粒子能某種意義被遮斷，且能夠減低濺鍍粒子往外部空間23流出。
並且在本實施形態中，罩子31是作為對於由處理空間22往外部空間23流出的濺鍍粒子的遮蔽部的功能。可藉由作為該遮蔽部的罩子31，將對著排氣部21直線飛出的濺鍍粒子進行分段(block)。
(第2實施形態)
接著一邊參照第5A、5B圖、一邊針對本發明的第2實施形態做說明。
第5A圖是用以說明有關本實施形態的排氣部21的圖，第5B圖是第5A的VB-VB線箭頭方向所視剖面圖。
在本實施形態，罩子31是在其外周部具有突出於遮蔽物3之側的第2突出部33。第2突出部33與第1突出部30具有既定間隙51，且與該間隙51與間隙30c連通。因而，在本實施形態，連通路徑為間隙51、間隙30c、中空部30d、及開口部3c。
第6圖是由處理空間22觀看有關本實施形態的排氣部21之時的樣子，並用來說明相互的構件之位置關係的圖。對罩子31連接第1突出部30的面30a，罩子31利 用螺釘32對第1突出部30固定。第2突出部33是配合第1突出部30之外周的形狀，成為略圓形。藉此藉由第1突出部30與第2突出部33形成的間隙51可遍及全方向略形成均勻。
(第3實施形態)
接著一邊參照第7圖、一邊針對本發明的第3實施形態做說明。
在本實施形態，第1突出部30與罩子31並未連接，插層構件34被插入到第1突出部30與罩子31之間。第1突出部30，與上述之實施形態不同，在全方向高度均勻。在第1突出部30與罩子31的固定部，配置著插層構件34，在固定部以外形成間隙。作為上述插層構件34，例如只要是墊片等作為間隔件功能，使用任何一種都可以。在本實施形態，插層構件34是構成可改變對罩子31的第1突出部30的位置的間隔件。作為此種構件舉例有墊片。
在本實施形態，若使用墊片作為插層構件34，利用螺釘32對罩子31的第1突出部30固定時，可相對於罩子31的第1突出部30固定在任意位置，就能改變第1突出部30的延伸方向的罩子31的高度。亦即，若藉由本實施形態，第1突出部30與罩子31的接觸面30a的高度雖未特別限定，但可與基板的處理條件一併調整第1突出部30與罩子31的間隙。因此可將來自處理空間22的排氣 量調整到所希望的值。當然在上述的第1及第2實施形態，也可將插層構件34配置在罩子31與第1突出部30之間。
(第4實施形態)
接著一邊參照第8圖、一邊針對本發明的第4實施形態做說明。
在本實施形態，除了上述的實施形態，第1突出部30在遮蔽物3的水平方向具有第3突出部35。再者，遮蔽物3的水平方向，是為相對於安裝第1突出部30的遮蔽物3的面為略水平之意。罩子31與第1突出部30，如於第1實施形態所示，在連接罩子31與第1突出部30的面32a被固定。再者，第3突出部35，是與第1突出部30個別形成，或與第1突出部30一體形成。
若藉由本實施形態，就能不按照遮蔽物3之開口部3a的大小，藉由利用第3突出部35形成的開口部35a，減少或增加處理空間22與外部空間23的連通路徑的外部空間23側的開口部的開口面積。亦即，調整第3突出部35的內徑，就能控制排氣量。再者，第3突出部35的高度，是為相對於第1突出部30的第3突出部的高度(突出方向的高度，亦即上述水平方向的長度)之意。
(第5實施形態)
接著一邊參照第9圖、第10圖及第11圖、一邊針對 本發明的第5實施形態做說明。
在本實施形態，除了上述的實施形態，在排氣部21的背面設有排氣量控制部。排氣量控制部具備：遮蔽物3或第3突出部35抵接成閉塞藉由遮蔽物3的開口部3a或第3突出部35形成的開口部35a的限制部36；作為支撐該限制部36之支撐部的棒37；和控制限制部36移動的控制部39。在本實施形態，限制部36是其至少一部分插入到開口部3a及開口部35a，將開口部35a的開口面積構成比插入限制部36之前還減少。亦即，限制部36具備：突起部36a；和直徑比該突起部36a及開口部35a還大，且直徑比開口部3a還小的基部36b，且突起部36a插入到開口部3a及開口部35a，藉此來限制處理空間22與外部空間23的連通路徑之一部分的開口部35a的開口面積。突起部36a的直徑，比開口部35a的還小。因而，突起部36a插入到開口部35a的情形下，在突起部36a的側壁與開口部35a之間形成間隙36c。
限制部36連接在棒37，通過處理室10設置在大氣側，且連接在使限制部36在設有排氣部21的遮蔽物3之面的法線方向(開口部3a之面內的法線方向)移動的控制部(移動控制部)39。控制部39具備把手40，可操作把手40來改變限制部36的位置。在控制部39與處理室10之間設有伸縮軟管38，保持處理室10的真空。
如第9圖至第11圖所示，操作控制部39，改變限制部36與第3突出部35的間隔，就能控制排氣量。例如： 如第9圖所示，基部36b抵接在第3突出部35時(亦即基部36b抵接在上述連通路徑之一部分的開口部35a的緣部時)，藉此該基部36b，使連結路徑的一部分的開口部35a成為閉塞。因而，限制部36是用來限制排氣部21的排氣。接著，如第10圖所示，一旦藉由控制部39的控制，使限制部36移動成使基部36b離開第3突出部35，在基部36b與第3突出部35之間生成間隙36d，上述該一部分被閉塞的連通路徑就會被打開。此時，處理空間22內的氣體，經由間隙51、30c、中空部30d、間隙36c、36d，往外部空間23釋放。因而，在本實施形態，間隙51、30c、中空部30d、間隙36c、36d，是成為由處理空間22往外部空間23的連通路徑。而且如第11圖所示，一旦使基部36b離開第3突出部35，就能將排氣部21的排氣傳導性形成比第10圖大。像這樣，藉此限制部36的插入位置，至少能改變間隙36d的大小，因此可改變排氣部21的排氣傳導性。
有關本發明之一實施形態的排氣部21，一般設在再生零件的遮蔽物。因此考慮藉由遮蔽物的再生處理來改變因罩子31、第2突出部33和第1突出部30所形成的間隙的間隔。使用有關本實施形態的發明，即使作為改變進行再生處理的結果排氣量，仍可改變限制部36的位置來調整該變化。再者，如第1實施形態所述，藉由第1突出部30形成的開口部比遮蔽物3的開口部3a還小的情形下，可以將限制部36抵接在第1突出部30。
(第6實施形態)
接著一邊參照第12圖、第13圖及第14圖、一邊針對本發明的第6實施形態做說明。
在本實施形態，限制部36的形狀與上述的第5實施形態相異。有關本實施形態的限制部36，由第5實施形態的限制部36除去突起部36a的形狀。本實施形態的限制部36具備：具有比形成在遮蔽物3的開口部3a的開口面積還大的斷面積的前端。亦即，限制部36與遮蔽物3的抵接部的直徑，大於開口部3a的直徑。像這樣，限制部36，如第12圖所示，抵接於遮蔽物3，構成閉塞開口部3a。亦即，限制部36，抵接於遮蔽物3(抵接於連通處理空間22與外部空間23的連通路徑的一部分的開口部3a的緣部)，限制由處理空間22往外部空間23的排氣。另一方面，如第13圖及第14圖所示，一旦限制部36離開遮蔽物3，在該限制部36與遮蔽物3之間形成間隙36e，藉由控制部39來調整限制部36與遮蔽物3的間隙36e，就能調節排氣部21的排氣傳導性，也能調整排氣流量。
(第7實施形態)
接著一邊參照第15圖、一邊針對本發明的第7實施形態做說明。
在本實施形態，除了第5實施形態，設有支撐排氣量 控制部的支撐機構。上述支撐機構具有：導件41、第1支撐棒42、和第2支撐棒43。導件41是相對於處理室10被固定。第1支撐棒42及第2支撐棒43是支撐棒37，棒37及限制部36是防止或減輕因重量下垂。第1支撐棒42及第2支撐棒43，被安裝成在棒37，且第1支撐棒42及第2支撐棒43和棒37可滑動。
支撐棒37的支撐棒，可以僅為設在限制部36之側的第1支撐棒42，但也可在處理室10之側設置第2支撐棒，更安定的支撐限制部36。有關本實施形態，由於設置在處理室10之外部的控制部39與限制部36的距離為張開的，因此支撐機構特別有效。
1‧‧‧基板
2‧‧‧基板夾具
3‧‧‧遮蔽物
3a‧‧‧天花板遮蔽物
3c‧‧‧開口部
3d、3e、3f‧‧‧遮蔽物
3g‧‧‧環狀遮蔽物
4‧‧‧排氣部
5‧‧‧標靶夾具
6‧‧‧壓力計
7‧‧‧氣體導入配管
8‧‧‧固定螺栓
10‧‧‧處理室
10a‧‧‧上蓋
10b‧‧‧天花板壁
11‧‧‧鉸鏈部
13‧‧‧支撐構件
14‧‧‧閘門開閉驅動部
15‧‧‧支臂
16‧‧‧閘門
19‧‧‧電壓施加部
20‧‧‧標靶環
21‧‧‧排氣部
22‧‧‧處理空間
23‧‧‧外部空間
24‧‧‧退避空間
30‧‧‧第1突出部
30a‧‧‧接觸面
30b‧‧‧面
30c‧‧‧缺口部
30d‧‧‧中空部
31‧‧‧罩子
32‧‧‧螺釘
33‧‧‧第2突出部
34‧‧‧插層構件
35‧‧‧第3突出部
35a‧‧‧開口部
36‧‧‧限制部
36a‧‧‧突起部
36b‧‧‧基部
36c、36d、36e‧‧‧間隙
37‧‧‧棒
38‧‧‧伸縮軟管
39‧‧‧控制部
40‧‧‧把手
41‧‧‧導件
42‧‧‧第1支撐棒
43‧‧‧第2支撐棒
51‧‧‧間隙
100‧‧‧濺鍍裝置
M‧‧‧濺鍍粒子
第1圖是用以說明有關本發明之基板處理裝置之一例的圖。
第2A圖是用以說明有關本發明之第1實施形態的排氣部的圖。
第2B圖是第2A圖之IIB-IIB線箭頭方向所視剖面圖。
第3圖是用以說明有關本發明之第1實施形態的排氣部之各構成要素的位置關係的圖。
第4A圖是用以說明有關本發明之第1實施形態的排氣部對遮蔽物位在外部空間側的構成的圖。
第4B圖是用以說明有關本發明之第1實施形態的排 氣部對遮蔽物位在處理空間側的構成的圖。
第5A圖是用以說明有關本發明之第2實施形態的排氣部的圖。
第5B圖是第5A圖之VB-VB線箭頭方向所視剖面圖。
第6圖是用以說明有關本發明之第2實施形態的排氣部之各構成要素的位置關係的圖。
第7圖是用以說明有關本發明之第3實施形態的排氣部的圖。
第8A圖是用以說明有關本發明之第4實施形態的排氣部的圖。
第8B圖是第8A圖之VIIIB-VIIIB線箭頭方向所視剖面圖。
第9圖是用以說明有關本發明之第5實施形態的排氣部的圖。
第10圖是用以說明有關本發明之第5實施形態的排氣部的圖。
第11圖是用以說明有關本發明之第5實施形態的排氣部的圖。
第12圖是用以說明有關本發明之第6實施形態的排氣部的圖。
第13圖是用以說明有關本發明之第6實施形態的排氣部的圖。
第14圖是用以說明有關本發明之第6實施形態的排 氣部的圖。
第15圖是用以說明有關本發明之第7實施形態的排氣部的圖。
1‧‧‧基板
2‧‧‧基板夾具
3‧‧‧遮蔽物
3d、3e、3f‧‧‧遮蔽物
3g‧‧‧環狀遮蔽物
4‧‧‧排氣部
5‧‧‧標靶夾具
6‧‧‧壓力計
7‧‧‧氣體導入配管
8‧‧‧固定螺栓
10‧‧‧處理室
10a‧‧‧上蓋
10b‧‧‧天花板壁
11‧‧‧鉸鏈部
13‧‧‧支撐構件
14‧‧‧閘門開閉驅動部
15‧‧‧支臂
16‧‧‧閘門
19‧‧‧電壓施加部
20‧‧‧標靶環
21‧‧‧第1排氣部
22‧‧‧處理空間
23‧‧‧外部空間
24‧‧‧退避空間
100‧‧‧濺鍍裝置

Claims (20)

  1. 一種基板處理裝置，其特徵為具備：用來處理基板的容器；用來進行前述容器內之氣體排氣的第1排氣部；設置在前述容器內，用來保持前述基板的基板夾具；為設置在前述基板夾具之周圍的遮蔽物，並將前述容器內劃分成：處理前述基板的處理空間與該處理空間以外的外部空間的遮蔽物；用以對前述處理空間內導入氣體的氣體導入部；用以對前述處理空間內生成電漿的電漿生成部；和為設置在前述遮蔽物，完成由前述處理空間往前述外部空間排氣的第2排氣部，並具有連通前述處理空間與前述外部空間的連通路徑，且該連通路徑的至少一部分會從藉由前述處理空間之前述電漿生成部生成前述電漿的區域被隱藏的第2排氣部；前述第2排氣部係具有：形成於前述遮蔽物之開口部；設於前述開口部之周圍之第1突出部；設於前述第1突出部之與前述遮蔽物側之相反側，被覆前述開口部的遮蔽部；和設於前述第1突出部與前述遮蔽部間，經由前述電漿生成部，自生成前述電漿之領域隱藏之間隙；前述遮蔽部係具有突出於前述遮蔽物側之第2突出部； 於前述第1突出部與前述第2突出部間，設置間隙。
  2. 如申請專利範圍第1項所記載的基板處理裝置，其中，前述第1突出部及前述遮蔽部係配設於前述處理空間側，前述遮蔽部係覆蓋前述第1突出部的全部。
  3. 如申請專利範圍第1項所記載的基板處理裝置，其中，在前述遮蔽部與前述第1突出部之間，插入著用來調整設置在前述遮蔽部與前述第1突出部之間的間隙的插層構件。
  4. 如申請專利範圍第1項所記載的基板處理裝置，其中，前述第1突出部具有第3突出部，使其減少前述開口部的開口面積。
  5. 如申請專利範圍第1項所記載的基板處理裝置，其中，前述第2排氣部更具有排氣量控制部；前述排氣量控制部具有：設有突起部，且該突起部插入到前述開口部，用來限制前述連通路徑之一部分的開口面積的限制部；連接在前述限制部，用來支撐前述限制部的支撐部；和設置在前述容器的外部，連接在前述支撐部，使前述支撐部移動成前述限制部朝前述開口部之面內的法線方向移動的移動控制部。
  6. 如申請專利範圍第1項所記載的基板處理裝置，其中，前述第2排氣部更具有排氣量控制部；前述排氣量控制部具有：將設有比前述開口部的開口面積還大的斷面積的前端抵接在前述開口部的緣部，來限制由前述處理空間往前述外部空間排氣的限制部；連接在前述限制部，用 來支撐前述限制部的支撐部；和設置在前述容器的外部，連接在前述支撐部，使前述支撐部移動成抵接在前述緣部的前述限制部離開該緣部的移動控制部。
  7. 如申請專利範圍第5項所記載的基板處理裝置，其中，前述排氣量控制部具有支撐機構；前述支撐機構具有：與前述支撐部水平的導件；和固定在前述導件，設成可對前述支撐部滑動，用來支撐前述支撐部的支撐棒。
  8. 如申請專利範圍第6項所記載的基板處理裝置，其中，前述排氣量控制部具有支撐機構；前述支撐機構具有：與前述支撐部水平的導件；和固定在前述導件，設成可對前述支撐部滑動，用來支撐前述支撐部的支撐棒。
  9. 如申請專利範圍第1項所記載的基板處理裝置，其中，前述遮蔽物具有複數個遮蔽物；更具備：與前述第2排氣部個別設置，隔著藉由前述複數個遮蔽物的至少一部分形成的至少一個間隙，完成由前述處理空間往前述外部空間排氣的第3排氣部。
  10. 如申請專利範圍第1項所記載的基板處理裝置，其中，前述第2排氣部，設置在前述氣體導入部與前述排氣部的距離，比前述第1排氣部與前述第2排氣部的距離還大的位置。
  11. 一種基板處理裝置，其特徵為具備：用來處理基板的容器；用來進行前述容器內之氣體排氣的第1排氣部；設置在前述容器內，用來保持前述基板的基板夾具； 為設置在前述基板夾具之周圍的遮蔽物，並將前述容器內劃分成：處理前述基板的處理空間與該處理空間以外的外部空間的遮蔽物；用以對前述處理空間內導入氣體的氣體導入部；用以對前述處理空間內生成電漿的電漿生成部；和為設置在前述遮蔽物，完成由前述處理空間往前述外部空間排氣的第2排氣部，具有：形成於前述遮蔽物之開口部；於前述開口部之周圍，包圍前述開口部而設置之第1突出部中，於與前述開口部相反側之端部之一部分，具有缺口部之第1突出部；和被覆前述開口部之遮蔽部的第2排氣部；前述遮蔽部係連結於前述端部。
  12. 如申請專利範圍第11項所記載的基板處理裝置，其中，前述第1突出部及前述遮蔽部係配設於前述處理空間側。
  13. 如申請專利範圍第12項所記載的基板處理裝置，其中，前述遮蔽部係被覆前述第1突出部之全部，在前述遮蔽部與前述端部之間，插入著用來調整設置在前述遮蔽部與前述第1突出部之間的間隙的插層構件。
  14. 如申請專利範圍第11項所記載的基板處理裝置，其中，前述第1突出部係使減少前述開口部之開口面積，而具有第3突出部。
  15. 如申請專利範圍第11項所記載的基板處理裝 置，其中，前述第2排氣部係更具有排氣量控制部，前述排氣量控制部係具有：擁有突出部，將該突起部插入於前述開口部，限制前述開口部之開口面積的限制部；連接於前述限制部，支持該限制部的支持部；設於前述容器之外部，連接於前述支持部，使前述限制部向前述開口部之面內之法線方向移動，移動前述支持部的移動控制部。
  16. 如申請專利範圍第11項所記載的基板處理裝置，其中，前述第2排氣部係更具有排氣量控制部，前述排氣量控制部係具有：將具有較前述開口部之開口面積為大之剖面積的前端，擋接於前述開口部之緣部，限制從前述處理空間向前述外部空間之排氣的限制部；連接於前述限制部，支持該限制部的支持部；設於前述容器之外部，連接於前述支持部，將擋接於前述緣部之前述限制部從該緣部遠離，移動前述支持部的移動控制部。
  17. 如申請專利範圍第15項所記載的基板處理裝置，其中，前述排氣量控制部係具備支持機構，前述支持機構係具有：與前述支撐部水平的導件；和固定在前述導件，設成可對前述支撐部滑動，用來支撐前述支撐部的支撐棒。
  18. 如申請專利範圍第16項所記載的基板處理裝置，其中，前述排氣量控制部係具備支持機構，前述支持機構係具有：與前述支撐部水平的導件；和固定在前述導件，設成可對前述支撐部滑動，用來支撐前述支撐部的支撐棒。
  19. 如申請專利範圍第11項所記載的基板處理裝置，其中，前述遮蔽物具有複數個遮蔽物；更具備：與前述第2排氣部個別設置，隔著藉由前述複數個遮蔽物的至少一部分形成的至少一個間隙，完成由前述處理空間往前述外部空間排氣的第3排氣部。
  20. 如申請專利範圍第11項所記載的基板處理裝置，其中，前述第2排氣部，設置在前述氣體導入部與前述排氣部的距離，比前述第1排氣部與前述第2排氣部的距離還大的位置。
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